JP2018056486A - Mask forming method and wafer processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、マスクの形成方法及びマスクを用いてエッチングしてウエーハを分割するウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a mask forming method and a wafer processing method of dividing a wafer by etching using the mask.
半導体デバイス製造工程において、ウエーハは分割予定ラインによって区画されており、この分割予定ラインに沿ってウエーハが分割されることによりデバイスチップが製造される。ウエーハの分割方法としては、切削ブレードで分割する方法が知られており(例えば、特許文献1参照)、高速回転の切削ブレードでウエーハを分割予定ラインに沿って切削してウエーハを切断する。しかしながら、高速回転する切削ブレードがウエーハの分割予定ラインに切り込むため、切削ブレードの破砕力に起因してデバイスに欠けが生じる。 In the semiconductor device manufacturing process, the wafer is partitioned by the division line, and the device chip is manufactured by dividing the wafer along the division line. As a wafer dividing method, a method of dividing with a cutting blade is known (see, for example, Patent Document 1), and the wafer is cut along a planned division line with a high-speed rotating cutting blade to cut the wafer. However, since the cutting blade that rotates at a high speed cuts into the scheduled dividing line of the wafer, the device is chipped due to the crushing force of the cutting blade.
そこで、ウエーハの分割予定ラインをプラズマエッチングして個々のデバイスに分割する技術が提案されている(例えば、特許文献2参照)。特許文献2の方法においては、ウエーハの表面にフォトレジスト膜を被覆し、分割予定ラインと同様の格子状のマスクパターンを有するマスク板を介して分割予定ラインに対応する部分を露光する。現像により分割予定ラインに対応する部分のフォトレジスト膜が除去され、残されたデバイスに対応する部分のフォトレジスト膜をマスクにして、分割予定ラインに対応する部分がプラズマエッチングされる。これにより、ウエーハが個々のデバイスに分割される。 In view of this, a technique has been proposed in which a division line of a wafer is divided into individual devices by plasma etching (see, for example, Patent Document 2). In the method of Patent Document 2, a photoresist film is coated on the surface of a wafer, and a portion corresponding to the planned dividing line is exposed through a mask plate having a lattice-like mask pattern similar to the planned dividing line. The portion of the photoresist film corresponding to the planned division line is removed by development, and the portion corresponding to the planned division line is plasma etched using the remaining photoresist film corresponding to the device as a mask. Thereby, the wafer is divided into individual devices.
上記のように、フォトレジスト膜をマスクとして用いて対象物にパターンを転写する方法は、対象物にフォトレジスト膜を被覆して所定のパターンで露光した後、溶剤を用いて現像する必要があるため、作業が煩雑になるという問題がある。 As described above, in the method of transferring a pattern to an object using a photoresist film as a mask, it is necessary to coat the object with the photoresist film, expose the object in a predetermined pattern, and then develop using a solvent. Therefore, there is a problem that the work becomes complicated.
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、エッチングのためのマスクを容易に製造できるマスクの形成方法及びウエーハの加工方法を提供することを目的とする。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that it provides a mask forming method and a wafer processing method that can easily manufacture a mask for etching.
本発明の一態様のマスクの形成方法は、マスクの形成方法であって、ウエーハにテープを貼着するテープ貼着工程と、テープ貼着工程で貼着したテープに対して吸収性波長のレーザ光線を照射させテープに切り抜き溝を形成する切り抜き溝加工工程と、切り抜き溝加工工程で加工した切り抜き溝に沿ってテープを剥離させ、剥離されないでウエーハに残されたテープがマスクとなるマスク形成工程と、を備える。 The mask formation method of one embodiment of the present invention is a mask formation method, in which a tape is attached to a wafer, and a laser having an absorptive wavelength with respect to the tape attached in the tape attachment step. Cut-out groove processing step of forming a cut-out groove in the tape by irradiating light, and mask formation step of peeling the tape along the cut-out groove processed in the cut-out groove processing step, and the tape remaining on the wafer without being peeled off as a mask And comprising.
本発明の一態様のウエーハの加工方法は、分割予定ラインによって区画され複数のデバイスが形成されたウエーハのデバイスにマスクをして分割予定ラインをドライエッチングしてウエーハを分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハにテープを貼着するテープ貼着工程と、テープ貼着工程でウエーハに貼着したテープに対して吸収性波長のレーザ光線を照射させテープに切り抜き溝を分割予定ラインに沿って形成する切り抜き溝加工工程と、切り抜き溝加工工程で加工した切り抜き溝に沿ってテープを剥離させ、剥離されないでウエーハのデバイスの表面に残されたテープがマスクとなるマスク形成工程と、マスク形成工程でデバイスをマスクしたウエーハをプラズマエッチングして分割予定ラインに沿って分割溝を形成するプラズマエッチング工程と、を備える。 A wafer processing method according to an aspect of the present invention is a wafer processing method in which a wafer is partitioned by a predetermined division line and a wafer device formed with a plurality of devices is masked, and the wafer is divided by dry etching the predetermined division line. There is a tape adhering process for adhering the tape to the wafer, and a laser beam having an absorptive wavelength is applied to the tape adhering to the wafer in the tape adhering process so that the cut groove is cut along the planned dividing line. Cut-out groove processing step to be formed, mask formation step in which the tape is peeled along the cut-out groove processed in the cut-out groove processing step, and the tape left on the surface of the wafer device without being peeled off is used as a mask, and the mask formation step Plasma that etches the wafer with the device masked to form split grooves along the planned split lines Comprising an etching step.
この構成によれば、ウエーハにテープを貼着してレーザ加工によりテープに切り抜き溝を形成し、切り抜き溝に沿ってテープを一体に剥離することで、ウエーハの表面に残されたテープをマスクとして利用できる。これにより、従来のフォトレジスト膜を被覆して露光し、さらにそれを現像してマスクを形成する構成よりも、容易にマスクを形成することができる。テープはウエーハに糊層で貼着されているため、剥がすことで容易にマスクを除去することができる。また、テープの除去において、従来のフォトレジスト膜で行われるウエット剥離を行う必要がないためドライ環境で行うことができ、アッシングを行う必要がないため熱によりデバイスに悪影響を与えることがない。 According to this configuration, the tape is adhered to the wafer, a cut groove is formed in the tape by laser processing, and the tape is integrally peeled along the cut groove, whereby the tape remaining on the wafer surface is used as a mask. Available. Thus, a mask can be formed more easily than a conventional structure in which a photoresist film is coated and exposed, and further developed to form a mask. Since the tape is attached to the wafer with a glue layer, the mask can be easily removed by peeling off the tape. Further, the tape removal can be performed in a dry environment because it is not necessary to perform wet stripping performed by a conventional photoresist film, and the device is not adversely affected by heat because it is not necessary to perform ashing.
本発明によれば、エッチングのためのマスクを容易に製造できる。 According to the present invention, a mask for etching can be easily manufactured.
添付図面を参照して、本実施の形態に係るウエーハについて説明する。図1は、本実施の形態に係るウエーハの断面模式図である。 A wafer according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a wafer according to the present embodiment.
ウエ―ハWは、シリコン等の基板11と、基板11の表面に形成されたデバイスDとで構成されている。基板11の表面には複数の分割予定ラインLが格子状に形成され、分割予定ラインによって区画された領域には複数のデバイスDが形成されている。ウエーハWは、保護テープTを介してリングフレームFに支持される。
The wafer W is composed of a
従来、ウエーハを分割予定ラインで分割してデバイスを製造する際には、デバイスの表面にフォトレジスト膜を形成し、これをマスクとして分割予定ラインに対応する部分をプラズマエッチングしていた。しかしながら、フォトレジスト膜をデバイスの表面に形成するためには、ウエーハの表面をフォトレジスト膜で被覆し、分割予定ラインに対応する部分のみを選択的に露光して現像し、デバイスの表面にフォトレジスト膜を残す必要があった。このため、フォトレジスト膜の形成に複雑な工程を要し、さらに現像に溶剤を用いるため作業が煩雑になっていた。そこで、本実施の形態においては、ウエーハの表面にテープを貼着し、レーザ加工によりデバイスを囲うようにテープを切り抜いて、デバイスの表面に容易にマスクを形成できるようにしている。 Conventionally, when a device is manufactured by dividing a wafer along a division line, a photoresist film is formed on the surface of the device, and a portion corresponding to the division line is plasma-etched using the photoresist film as a mask. However, in order to form a photoresist film on the surface of the device, the surface of the wafer is covered with a photoresist film, and only the portion corresponding to the planned dividing line is selectively exposed and developed, and the photo resist film is formed on the surface of the device. It was necessary to leave a resist film. For this reason, a complicated process is required to form the photoresist film, and the work is complicated because a solvent is used for development. Therefore, in this embodiment, a tape is attached to the surface of the wafer, and the tape is cut out so as to surround the device by laser processing so that a mask can be easily formed on the surface of the device.
以下、本実施の形態に係るウエーハの加工方法について説明する。本実施の形態に係るウエーハの加工方法は、テープ貼着工程、切り抜き溝加工工程、マスク形成工程、プラズマエッチング工程、剥離テープ貼着工程、マスク除去工程を含んでいる。図2は本実施の形態に係るテープ貼着工程、図3は切り抜き溝加工工程、図4はマスク形成工程、図5はプラズマエッチング工程、図6は剥離テープ貼着工程、図7はマスク除去工程を示す図である。 Hereinafter, a wafer processing method according to the present embodiment will be described. The wafer processing method according to the present embodiment includes a tape adhering step, a cut groove processing step, a mask forming step, a plasma etching step, a peeling tape adhering step, and a mask removing step. 2 is a tape attaching process according to the present embodiment, FIG. 3 is a cut groove forming process, FIG. 4 is a mask forming process, FIG. 5 is a plasma etching process, FIG. 6 is a peeling tape attaching process, and FIG. It is a figure which shows a process.
図2に示すように、まずテープ貼着装置においてテープ貼着工程が実施される。ウエーハWは、保護テープTを介してリングフレームFに支持され、保護テープTを介して保持テーブル61に吸引保持されている。保持テーブル61の上方には押圧ローラ71が設けられ、テープロールから送り出されたテープ80を押し付けてウエーハWに貼着する。テープ80は、例えばダイシングテープであり、テープ基材81と、テープ基材81の一方の面に形成されたテープ糊層82とから構成されている。テープ80のテープ基材81側が押圧ローラに当接して、テープ糊層82側がウエーハWの表面に貼着される。
As shown in FIG. 2, a tape sticking process is first implemented in a tape sticking apparatus. The wafer W is supported by the ring frame F via the protective tape T, and is sucked and held by the holding table 61 via the protective tape T. A
図3に示すように、テープ貼着工程の後には、レーザ加工装置において切り抜き溝加工工程が実施される。図3Aに示すように、ウエーハWは、保護テープTを介してリングフレームFに支持されており、保護テープTを介して保持テーブル62に吸引保持されている。保持テーブル62の周囲には、4つのクランプ部91が設けられ、各クランプ部91によってウエーハWの周囲のリングフレームFが四方から挟持固定されている。レーザ加工手段72の射出口がウエーハWの分割予定ラインLに位置付けられ、ウエーハWに貼着されているテープ80に対してレーザ光線が照射される。レーザ光線は、テープ80に対して吸収性を有する波長であり、テープ80の内部に集光するように調整されている。そして、このレーザ光線がテープ80に照射された状態でデバイスDの外縁形状に沿ってレーザ光線の照射位置が動かされる。これにより、図3Bに示すように、分割予定ラインLに沿ってデバイスDを囲う切り抜き溝Mが形成される。
As shown in FIG. 3, after the tape sticking step, a cut groove processing step is performed in the laser processing apparatus. As shown in FIG. 3A, the wafer W is supported by the ring frame F via the protective tape T, and is sucked and held by the holding table 62 via the protective tape T. Four
図4に示すように、切り抜き溝加工工程の後には、剥離装置において切り抜き溝Mに沿ってテープ80を剥離させることによりマスク形成工程が実施される。図4Aに示すように、ウエーハWは、保護テープTを介してリングフレームFに支持されており、保護テープTを介して保持テーブル63に吸引保持されている。保持テーブル63の上方には、移動手段74に連結する把持手段73が設けられている。把持手段73は、挟持部73aでテープ80の端部を挟持する。この状態で、移動手段74が昇降手段75によりZ軸方向に上昇されると共に、保持テーブル63に対して水平方向に移動することにより、把持手段73はウエーハWの外周部の一端から他端に向かってテープ80をまくり上げる。このとき、図8に示すようにテープ80は網目状に剥離され、図4Bに示すように、デバイスDの表面にはテープ80が残され、分割予定ラインLが外部に露出される。これにより、デバイスDの表面に残されたテープ80を、後続のプラズマエッチング工程でマスクとすることができる。
As shown in FIG. 4, after the cut groove processing step, a mask forming step is performed by peeling the
ウエーハWにテープ80を貼着して、レーザ加工手段72によりデバイスDを囲うように切り抜き溝Mを形成することで、分割予定ラインLに対応するテープ80を切り抜き溝Mに沿って一体に剥離でき、且つデバイスDの表面に残されるテープ80をマスクとして利用できる。これにより、従来のフォトレジスト膜を現像する際に用いられていた溶剤を使う必要がないため、容易にマスクを形成することができる。
The
マスク形成工程の後には、プラズマエッチング装置においてプラズマエッチング工程が実施される。まず、プラズマエッチング工程について説明する前に、プラズマエッチング工程で用いられるプラズマエッチング装置について説明する。図9は、本実施の形態に係るプラズマエッチング装置の全体模式図である。 After the mask formation step, a plasma etching step is performed in the plasma etching apparatus. First, before describing the plasma etching process, a plasma etching apparatus used in the plasma etching process will be described. FIG. 9 is an overall schematic diagram of the plasma etching apparatus according to the present embodiment.
図9に示すように、プラズマエッチング装置1のチャンバー11の側壁12には、ウエーハWの搬入及び搬出用に搬入出口13が形成されている。側壁12の外壁面には、搬入出口13を開閉するようにシャッター機構21が取り付けられている。シャッター機構21は、シリンダ22の上端にシャッター23が連結されており、シリンダ22によってチャンバー11が外壁面に沿って昇降されることで搬入出口13が開閉される。搬入出口13がシャッター23によって閉じられると、チャンバー11内に密閉空間が形成される。また、チャンバー11内には、電界を形成する下部電極ユニット31と上部電極ユニット41とが上下方向で対向して配設されている。
As shown in FIG. 9, a loading / unloading
下部電極ユニット31は、チャンバー11の底壁14を貫通する導電性の支柱部32の上端に設けられている。下部電極ユニット31は、導電性の保持テーブル33の上面に、ポーラス材で形成された円板状の保持板34を取り付けて構成されている。保持板34は、保持テーブル33及び支柱部32内の吸引路35を通じて吸引源36に接続されている。また、下部電極ユニット31内には、冷却部37から送り出された冷却水が通る冷却路38が形成されている。エッチング時には、保持テーブル33に発生する熱が冷却水に伝達されて異常な温度上昇が抑えられている。
The
上部電極ユニット41は、チャンバー11の上壁15を貫通する導電性の支柱部42の下端に設けられている。上部電極ユニット41は、チャンバー11内にエッチングガスを導入する導電性の噴出テーブル43の下面に、ポーラス材で形成された円板状の拡散板材44を取り付けて構成される。拡散板材44は、噴出テーブル43及び支柱部42内の流路45を通じてエッチングガス源48に接続されている。
The
チャンバー11内には、エッチングガス源48から六フッ化硫黄(SF6)、四フッ化メタン(CF4)、三フッ化窒素(NF3)等のエッチングガスが供給される。また、支柱部42の上端側は、チャンバー11から上方に突出しており、チャンバー11の上壁15に設けられたボールねじ式の昇降駆動機構49に連結されている。この昇降駆動機構49が駆動されることで、上部電極ユニット41が下部電極ユニット31に対して離反又は接近され、保持テーブル33上のシリコンウエーハWに対して噴出テーブル43の高さが適切な位置に調整される。
An etching gas such as sulfur hexafluoride (SF 6 ), tetrafluoromethane (CF 4 ), and nitrogen trifluoride (NF 3 ) is supplied into the
下部電極ユニット31及び上部電極ユニット41の間で高周波電圧が印加されることで、エッチングガスがプラズマ化される。さらに、チャンバー11には、保持テーブル33の下方に排出口53が形成されており、排出口53には減圧部54が接続されている。減圧部54によってチャンバー11内のエアやエッチングガスが吸引されることで、チャンバー11内が負圧状態になるまで減圧される。
By applying a high frequency voltage between the
このように構成されたエッチング装置1では、チャンバー11内が負圧にされた状態で、上部電極ユニット41からウエーハWに向けてエッチングガスが噴射される。この状態で、上部電極ユニット41及び下部電極ユニット31間に高周波電圧が印加されることでウエーハWがプラズマエッチングされる。
In the etching apparatus 1 configured as described above, an etching gas is jetted from the
デバイスDの表面にテープ80が残されたウエーハW(図4B参照)がチャンバー12に搬入される。ウエーハWは保護テープTを介してリングフレームFに支持されており、保護テープTを介して保持テーブル33に吸引保持される。シャッター23が閉じられ、上部電極ユニット41が下部電極ユニット31に近づけられて電極間距離が調整される。減圧部54によってチャンバー12内の圧力が負圧状態になるまで減圧処理が開始されると、冷却路38は冷却水が通水され、保持テーブル33は冷却水により冷却される。
The wafer W (see FIG. 4B) in which the
この減圧状態で、上部電極ユニット41からエッチングガスが噴射される。上部電極ユニット41と下部電極ユニット33との間には高周波電源42から高周波電圧が印加され高周波電力が供給されて、エッチングガスがプラズマ化(ラジカル化)される。プラズマ化したエッチングガスによって、ウエーハWの表面のテープ80でマスクされたデバイスD以外の部分、すなわち分割予定ラインのみがプラズマエッチングされる。そして、図5に示すように、分割予定ラインが垂直方向に貫通して分割予定ラインに沿って分割溝Gが形成されることで、ウエーハWが個々のデバイスDに分割される。
Etching gas is injected from the
ウエーハWのプラズマエッチングが完了すると、高周波電源51から上部電極ユニット41及び下部電極ユニット31への高周波電圧の印加が停止され、高周波電力の供給が停止される。また、上部電極ユニット41からのエッチングガスの噴射は停止され、上部電極ユニット41は下部電極ユニット31から離される。減圧部54による減圧処理が終了され、冷却路38への冷却水の通水が停止される。シャッター23が開かれ、ウエーハWが分割されたデバイスがチャンバー11外に搬出される。
When the plasma etching of the wafer W is completed, the application of the high frequency voltage from the high frequency power source 51 to the
図6に示すように、プラズマエッチング工程の後には、テープ貼着装置において剥離テープ貼着工程が実施される。ウエーハWは、保護テープTを介してリングフレームFに支持されており、保護テープTを介して保持テーブル64に吸引保持されている。保持テーブル64の上方には押圧ローラ76が設けられ、押圧ローラ76は基材86と粘着層87とからなる剥離テープ85の粘着層87側を、デバイスDの表面に貼着されているマスクに用いられたテープ80に押し付けて貼着する。
As shown in FIG. 6, a peeling tape sticking process is implemented in a tape sticking apparatus after a plasma etching process. The wafer W is supported by the ring frame F via the protective tape T, and is sucked and held by the holding table 64 via the protective tape T.
図7に示すように、剥離テープ貼着工程の後には、剥離装置においてマスク除去工程が実施される。ウエーハWは、保護テープTを介してリングフレームFに支持されており、保護テープTを介して保持テーブル65に吸引保持されている。保持テーブル65の上方に設けられる把持手段77が、挟持部77aで剥離テープ85の端部を挟持する。この状態で、移動手段78が昇降手段79によりZ軸方向に上昇されると共に、保持テーブル65に対して水平方向に移動することにより、把持手段77はウエーハWの外周部の一端から他端に向かって剥離テープ85を剥がす。これにより、剥離テープ85の粘着層87が貼着されているテープ80が剥離テープ85と共に剥がされ、デバイスDの表面からマスクとしてのテープ80が除去される。剥離テープ85としては、例えば、デバイスDの表面に残されているテープ80のテープ糊層82の粘着力以上の粘着力を有するテープを用いればよい。
As shown in FIG. 7, after the peeling tape attaching process, a mask removing process is performed in the peeling apparatus. The wafer W is supported by the ring frame F via the protective tape T, and is sucked and held by the holding table 65 via the protective tape T.
テープ80はウエーハWにテープ糊層82で貼着されているため、容易に剥がすことができる。このため、フォトレジスト膜のように除去するためにアッシングを行う必要がなく、熱によりデバイスDに悪影響を与えることがない。また、フォトレジスト膜のようにウエット剥離を行う必要がないため、ドライ環境で行うことができる。これらにより、容易にマスクとしてのテープ80を除去することができる。
Since the
以上のように、本実施の形態に係るマスクの形成方法及びウエーハWの加工方法では、ウエーハWにテープ80を貼着してレーザ加工によりテープ80に切り抜き溝を形成し、切り抜き溝Mに沿ってテープ80を一体に剥離することで、ウエーハWの表面に残されたテープ80をマスクとして利用できる。これにより、従来のフォトレジスト膜を被覆して露光し、さらにそれを現像してマスクを形成する構成よりも、容易にマスクを形成することができる。テープ80はウエーハWに糊層82で貼着されているため、剥がすことで容易にマスクを除去することができる。また、テープ80の除去において、従来のフォトレジスト膜で行われるウエット剥離を行う必要がないためドライ環境で行うことができ、アッシングを行う必要がないため熱によりデバイスDに悪影響を与えることがない。
As described above, in the mask forming method and the wafer W processing method according to the present embodiment, the
上記実施の形態においては、テープ80としてダイシングテープを用いたが、テープ80としてはデバイスD保護用のBGテープを用いることができる。これにより、デバイスDの保護ができると共に、BGテープをプラズマエッチングのマスクとして用いることができる。
In the above embodiment, a dicing tape is used as the
また、上記実施の形態においては、テープ80に切り抜き溝Mを形成してデバイスDの表面に残すことにより、テープ80をプラズマエッチングのためのマスクとして用いる構成としたが、これに限定されない。テープ80は、フォトレジスト膜に対するフォトマスクとして光を選択的に照射するために用いることもできる。
Moreover, in the said embodiment, although it was set as the structure which uses the
また、上記実施の形態においては、ウエーハの分割方法に、剥離テープ貼着工程及びマスク除去工程が含まれる構成としたが、剥離テープ貼着工程及びマスク除去工程が含まれない構成としてもよい。 Moreover, in the said embodiment, although it was set as the structure in which the peeling tape sticking process and a mask removal process were included in the division | segmentation method of a wafer, it is good also as a structure from which a peeling tape sticking process and a mask removal process are not included.
また、本発明の実施の形態は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。 The embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various changes, substitutions, and modifications may be made without departing from the spirit of the technical idea of the present invention. Furthermore, if the technical idea of the present invention can be realized in another way by technological advancement or another derived technique, the method may be used. Accordingly, the claims cover all embodiments that can be included within the scope of the technical idea of the present invention.
本実施の形態では、本発明をマスクの形成方法及びウエーハの加工方法に適用した構成について説明したが、選択的に基板をプラズマエッチングする他の加工方法に適用することも可能である。 In this embodiment mode, a structure in which the present invention is applied to a mask formation method and a wafer processing method has been described. However, the present invention can also be applied to other processing methods for selectively plasma etching a substrate.
以上説明したように、本発明は、エッチングのためのマスクを容易に製造できるという効果を有し、特に、エッチングのためのマスクの形成方法及びマスクを用いてエッチングしてウエーハを分割するウエーハの加工方法に有用である。 As described above, the present invention has an effect that a mask for etching can be easily manufactured, and in particular, a method of forming a mask for etching and a wafer that is divided by etching using the mask. Useful for processing methods.
80 テープ
G 分割溝
M 切り抜き溝
D デバイス
L 分割予定ライン
W ウエーハ
80 Tape G Dividing groove M Cutout groove D Device L Divided line W Wafer
Claims (2)
ウエーハにテープを貼着するテープ貼着工程と、
該テープ貼着工程で貼着した該テープに対して吸収性波長のレーザ光線を照射させ該テープに切り抜き溝を形成する切り抜き溝加工工程と、
該切り抜き溝加工工程で加工した該切り抜き溝に沿って該テープを剥離させ、剥離されないでウエーハに残された該テープがマスクとなるマスク形成工程と、を備えるマスクの形成方法。 A method for forming a mask, comprising:
A tape sticking process for sticking the tape to the wafer;
A cut groove processing step of forming a cut groove on the tape by irradiating a laser beam having an absorptive wavelength to the tape attached in the tape attaching step;
A mask forming method comprising: a step of peeling the tape along the cut groove processed in the cut groove processing step, and a mask forming step in which the tape left on the wafer without being peeled becomes a mask.
ウエーハにテープを貼着するテープ貼着工程と、
該テープ貼着工程でウエーハに貼着した該テープに対して吸収性波長のレーザ光線を照射させ該テープに切り抜き溝を該分割予定ラインに沿って形成する切り抜き溝加工工程と、
該切り抜き溝加工工程で加工した該切り抜き溝に沿って該テープを剥離させ、剥離されないでウエーハのデバイスの表面に残されたテープがマスクとなるマスク形成工程と、
該マスク形成工程で該デバイスをマスクしたウエーハをプラズマエッチングして該分割予定ラインに沿って分割溝を形成するプラズマエッチング工程と、を備えるウエーハの加工方法。 A wafer processing method of dividing a wafer by masking the device of the wafer partitioned by the planned dividing line and forming a plurality of devices, and dry etching the planned dividing line,
A tape sticking process for sticking the tape to the wafer;
A cut groove processing step in which a laser beam having an absorptive wavelength is applied to the tape attached to the wafer in the tape attaching step, and a cut groove is formed in the tape along the planned dividing line;
A mask forming step in which the tape is peeled along the cut groove processed in the cut groove processing step, and the tape left on the surface of the wafer device without being peeled is used as a mask;
A plasma etching step of plasma-etching the wafer masked with the device in the mask formation step to form a division groove along the division line.
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WO2018179703A1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 株式会社カネカ | Mask, mask kit, film forming method, and film forming device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108339A (en) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for dividing semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor element |
JP2009033156A (en) * | 2006-12-05 | 2009-02-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Method for treating semiconductor wafer |
JP2012111985A (en) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | Vapor deposition mask and thin film pattern-forming method using the same |
-
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- 2016-09-30 JP JP2016193732A patent/JP6796983B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108339A (en) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for dividing semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor element |
JP2009033156A (en) * | 2006-12-05 | 2009-02-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Method for treating semiconductor wafer |
JP2012111985A (en) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | Vapor deposition mask and thin film pattern-forming method using the same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018179703A1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 株式会社カネカ | Mask, mask kit, film forming method, and film forming device |
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