JP6854707B2

JP6854707B2 - Wafer processing method

Info

Publication number: JP6854707B2
Application number: JP2017110384A
Authority: JP
Inventors: 真奈襟立; 哲熊澤
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2017-06-02
Filing date: 2017-06-02
Publication date: 2021-04-07
Anticipated expiration: 2037-06-02
Also published as: JP2018206930A; TWI748091B; TW201903876A

Description

本発明は、ウエーハに円形の切削加工を施すウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a method for processing a wafer, which performs a circular cutting process on the wafer.

近年、電子機器の薄型化、小型化に伴い、ウエーハは、より薄く、例えば１００μｍ以下に研削仕上げされることが要求されている。また、従来より、ウエーハは、製造工程中における割れや発塵防止のために、その外周に面取り加工が施されている。そのため、ウエーハは、薄く研削されると、外周の面取り部分がナイフエッジ状（ひさし状）に形成される。ウエーハ外周の面取り部分がナイフエッジ状に形成されると、外周から欠けが生じて、ウエーハが破損してしまうという問題が生じる。 In recent years, as electronic devices have become thinner and smaller, wafers are required to be thinner, for example, to be ground to 100 μm or less. Further, conventionally, the outer periphery of a wafer has been chamfered in order to prevent cracking and dust generation during the manufacturing process. Therefore, when the wafer is thinly ground, the chamfered portion on the outer periphery is formed in a knife edge shape (eaves shape). If the chamfered portion on the outer periphery of the wafer is formed in the shape of a knife edge, there arises a problem that the wafer is damaged due to chipping from the outer periphery.

この問題を解決するために、ウエーハの外周部に表面側から円形の溝を形成した後、ウエーハの裏面を研削するウエーハの加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 In order to solve this problem, a method for processing a wafer has been proposed in which a circular groove is formed on the outer peripheral portion of the wafer from the front surface side and then the back surface of the wafer is ground (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１０−２４５２５４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-245254

前述した特許文献１等に示されたウエーハの加工方法は、ウエーハの表面にＢＧ（Back Grinding）テープという保護テープが貼着され、この保護テープ側から切削加工により円形の溝を形成する場合がある。この場合、特許文献１に示されたウエーハの加工方法は、保護テープが切削されずウエーハの外周側へ逃げて細長い保護テープの切れ端を作成してしまう。保護テープの切れ端は、ウエーハの外周一周分ちかくに渡って形成されて、長いために、通常の洗浄手段では洗い流すことができない。それゆえに、保護テープの切れ端は、保持テーブル下やホイールカバーに接着したり、ウエーハ上面にのって洗浄時にバキュームエラーが生じる等の問題があった。このように、前述した特許文献１に示されたウエーハの加工方法は、保護テープの切れ端を原因とする加工不良が発生することがあった。 In the wafer processing method shown in Patent Document 1 and the like described above, a protective tape called BG (Back Grinding) tape may be attached to the surface of the wafer, and a circular groove may be formed by cutting from the protective tape side. is there. In this case, in the wafer processing method shown in Patent Document 1, the protective tape is not cut and escapes to the outer peripheral side of the wafer to create an elongated piece of the protective tape. The pieces of the protective tape are formed around the outer circumference of the wafer and are long, so that they cannot be washed away by ordinary cleaning means. Therefore, there is a problem that a piece of the protective tape adheres to the bottom of the holding table or the wheel cover, or a vacuum error occurs at the time of cleaning on the upper surface of the wafer. As described above, the wafer processing method shown in Patent Document 1 described above may cause processing defects due to a piece of protective tape.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、保護テープの切れ端を原因とする加工不良を抑制することができるウエーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a method for processing a wafer, which can suppress processing defects caused by a piece of protective tape.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハに切削ブレードを切り込ませ該ウエーハを回転させることで、ウエーハに円形の切削加工を施すウエーハの加工方法であって、ウエーハに保護テープを貼着する貼着ステップと、該保護テープを上面にして保持テーブルに該ウエーハを保持する保持ステップと、切削ブレードを該保護テープの外縁と共に該ウエーハの外縁に所定深さまで切り込ませ、少なくともウエーハを３６０度回転させる加工ステップと、を備え、該加工ステップの実施前に、任意の加工手段によって該保護テープの外縁の複数箇所に切断溝を形成する切断溝形成ステップを更に備えることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the method of processing a wafer of the present invention is to process a wafer by cutting a cutting blade into the wafer and rotating the wafer to perform circular cutting on the wafer. A method of attaching a protective tape to a wafer, a holding step of holding the wafer on a holding table with the protective tape on the upper surface, and an outer edge of the wafer together with an outer edge of the protective tape. Is provided with a machining step in which the wafer is cut to a predetermined depth and the wafer is rotated by at least 360 degrees, and a cutting groove is formed at a plurality of locations on the outer edge of the protective tape by any machining means before the machining step is performed. It is characterized by further including a groove forming step.

本願発明のウエーハの加工方法は、保護テープの外縁部に複数箇所の切断溝が形成されているので、テープの切れ端の長さが短くなく、加工部周りの部品に絡まる事を防止できるという効果を奏する。 The wafer processing method of the present invention has the effect that since a plurality of cutting grooves are formed on the outer edge of the protective tape, the length of the tape piece is not short and it can be prevented from being entangled with the parts around the processed portion. Play.

図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a wafer to be processed in the wafer processing method according to the first embodiment. 図２は、実施形態１に係るウエーハの加工方法で用いられる切削装置の構成例を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a configuration example of a cutting device used in the wafer processing method according to the first embodiment. 図３は、実施形態１に係るウエーハの加工方法を示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing a wafer processing method according to the first embodiment. 図４は、図３に示されたウエーハの加工方法の貼着ステップを示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a sticking step of the wafer processing method shown in FIG. 図５は、図３に示されたウエーハの加工方法の保持ステップを示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing a holding step of the wafer processing method shown in FIG. 図６は、図３に示されたウエーハの加工方法の切断ステップの概要を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing an outline of a cutting step of the wafer processing method shown in FIG. 図７は、図３に示されたウエーハの加工方法の切断ステップ後のウエーハの外縁部の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the outer edge of the wafer after the cutting step of the wafer processing method shown in FIG. 図８は、図３に示されたウエーハの加工方法の加工ステップの概要を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing an outline of the machining steps of the wafer machining method shown in FIG. 図９は、図３に示されたウエーハの加工方法の加工ステップ後のウエーハを示す側面図である。FIG. 9 is a side view showing the wafer after the processing step of the wafer processing method shown in FIG. 図１０は、図３に示されたウエーハの加工方法の研削ステップを示す側面図である。FIG. 10 is a side view showing a grinding step of the wafer processing method shown in FIG. 図１１は、図３に示されたウエーハの加工方法のＤＡＦ貼着ステップ後のウエーハを示す側面図である。FIG. 11 is a side view showing the wafer after the DAF attachment step of the wafer processing method shown in FIG. 図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法を示すフローチャートである。FIG. 12 is a flowchart showing a wafer processing method according to the second embodiment. 図１３は、本発明の変形例に係るウエーハの加工方法により切断溝が形成される保護テープなどの側面図である。FIG. 13 is a side view of a protective tape or the like in which a cutting groove is formed by the method of processing a wafer according to a modified example of the present invention.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Further, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions or changes of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハの斜視図である。 [Embodiment 1]
The method of processing the wafer according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a wafer to be processed in the wafer processing method according to the first embodiment.

実施形態１に係るウエーハの加工方法は、図１に示すウエーハ２００の加工方法であって、ウエーハ２００の外縁部の表面２０１側を除去する方法であるとともに、ウエーハ２００を個々のデバイス２０２に分割する方法でもある。実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象であるウエーハ２００は、シリコンを基板とする円板状の半導体ウエーハやサファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などを基板とする光デバイスウエーハである。ウエーハ２００は、図１に示すように、表面２０１に形成された格子状の分割予定ライン２０３に区画された複数の領域にデバイス２０２が形成されている。 The wafer processing method according to the first embodiment is the wafer 200 processing method shown in FIG. 1, which is a method of removing the surface 201 side of the outer edge portion of the wafer 200 and dividing the wafer 200 into individual devices 202. It is also a way to do it. The wafer 200 to be processed by the wafer processing method according to the first embodiment is an optical device wafer using a disc-shaped semiconductor wafer or sapphire having silicon as a substrate, SiC (silicon carbide) or the like as a substrate. As shown in FIG. 1, in the wafer 200, the device 202 is formed in a plurality of regions partitioned by the grid-like division schedule line 203 formed on the surface 201.

次に、実施形態１に係るウエーハの加工方法で用いられる切削装置１の一例を説明する。図２は、実施形態１に係るウエーハの加工方法で用いられる切削装置の構成例を示す斜視図である。 Next, an example of the cutting device 1 used in the wafer processing method according to the first embodiment will be described. FIG. 2 is a perspective view showing a configuration example of a cutting device used in the wafer processing method according to the first embodiment.

切削装置１は、ウエーハ２００に切削ブレード２２を切り込ませウエーハ２００を回転させることで、ウエーハ２００の円形の切削加工を施して、ウエーハ２００の外縁部の表面２０１側を全周に亘って除去する、所謂エッジトリミング加工をウエーハ２００に施す装置である。実施形態１において、切削装置１がウエーハ２００の外縁部の表面２０１側を全周に亘って除去する領域（以下、トリミング領域と記す）２１０は、図１に示す点線とウエーハ２００の外縁との間であり、デバイス２０２よりもウエーハ２００の外周側に位置し、ウエーハ２００の径方向の幅２１１が全周に亘って一定である。 The cutting device 1 cuts the cutting blade 22 into the wafer 200 and rotates the wafer 200 to perform circular cutting of the wafer 200 and removes the surface 201 side of the outer edge portion of the wafer 200 over the entire circumference. This is a device that applies so-called edge trimming processing to the wafer 200. In the first embodiment, the region (hereinafter referred to as a trimming region) 210 in which the cutting device 1 removes the surface 201 side of the outer edge portion of the wafer 200 over the entire circumference is defined by the dotted line shown in FIG. 1 and the outer edge of the wafer 200. It is located on the outer peripheral side of the wafer 200 with respect to the device 202, and the radial width 211 of the wafer 200 is constant over the entire circumference.

切削装置１は、図２に示すように、ウエーハ２００を保持面１１で吸引保持する保持テーブル１０と、保持テーブル１０に保持されたウエーハ２００にエッジトリミングを施す加工手段である切削ユニット２０と、保持テーブル１０と切削ユニット２０とを水平方向と平行なＸ軸方向に相対移動させるＸ軸移動ユニット３０と、保持テーブル１０と切削ユニット２０とを水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に相対移動させるＹ軸移動ユニット４０と、保持テーブル１０と切削ユニット２０とをＸ軸方向とＹ軸方向との双方と直交するＺ軸方向に相対移動させるＺ軸移動ユニット５０と、撮像ユニット６０と、制御ユニット１００と、を備える。 As shown in FIG. 2, the cutting device 1 includes a holding table 10 that sucks and holds the weight 200 on the holding surface 11, a cutting unit 20 that is a processing means for performing edge trimming on the weight 200 held by the holding table 10. The X-axis moving unit 30 that moves the holding table 10 and the cutting unit 20 relative to the X-axis direction parallel to the horizontal direction, and the Y that the holding table 10 and the cutting unit 20 are parallel to the horizontal direction and orthogonal to the X-axis direction. Imaging: a Y-axis moving unit 40 that moves relative to the axial direction, a Z-axis moving unit 50 that moves the holding table 10 and the cutting unit 20 relative to each other in the Z-axis direction orthogonal to both the X-axis direction and the Y-axis direction. A unit 60 and a control unit 100 are provided.

保持テーブル１０は、保持面１１を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、保持面１１に載置されたウエーハ２００を吸引することで保持する。また、保持テーブル１０は、回転駆動源１２によりＺ軸方向と平行な軸心回りに回転される。 The holding table 10 has a disk shape in which a portion constituting the holding surface 11 is formed of porous ceramic or the like, is connected to a vacuum suction source (not shown) via a vacuum suction path (not shown), and is placed on the holding surface 11. The wafer 200 is held by suction. Further, the holding table 10 is rotated around the axis parallel to the Z-axis direction by the rotation drive source 12.

Ｘ軸移動ユニット３０は、保持テーブル１０を回転駆動源１２とともにＸ軸方向に移動させることで、保持テーブル１０をＸ軸方向に加工送りする加工送り手段である。Ｙ軸移動ユニット４０は、切削ユニット２０をＹ軸方向に移動させることで、保持テーブル１０を割り出し送りする割り出し送り手段である。Ｚ軸移動ユニット５０は、切削ユニット２０をＺ軸方向に移動させることで、切削ユニット２０を切り込み送りする切り込み送り手段である。Ｘ軸移動ユニット３０、Ｙ軸移動ユニット４０及びＺ軸移動ユニット５０は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ３１，４１、ボールねじ３１，４１を軸心回りに回転させる周知のパルスモータ３２，４２及び保持テーブル１０又は切削ユニット２０をＸ軸方向、Ｙ軸方向又はＺ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレール３３，４３を備える。 The X-axis moving unit 30 is a machining feed means for machining and feeding the holding table 10 in the X-axis direction by moving the holding table 10 together with the rotation drive source 12 in the X-axis direction. The Y-axis moving unit 40 is an indexing feeding means for indexing and feeding the holding table 10 by moving the cutting unit 20 in the Y-axis direction. The Z-axis moving unit 50 is a cutting feed means for cutting and feeding the cutting unit 20 by moving the cutting unit 20 in the Z-axis direction. The X-axis moving unit 30, the Y-axis moving unit 40, and the Z-axis moving unit 50 are known to rotate well-known ball screws 31, 41 and ball screws 31, 41 rotatably provided around the axis center. The pulse motors 32, 42 and the holding table 10 or the cutting unit 20 are provided with well-known guide rails 33, 43 that movably support the pulse motors 32, 42 and the holding table 10 or the cutting unit 20 in the X-axis direction, the Y-axis direction, or the Z-axis direction.

切削ユニット２０は、Ｙ軸方向と平行な軸心回りに回転する図示しないスピンドルモータと、スピンドルモータを収容しかつＹ軸移動ユニット４０及びＺ軸移動ユニット５０によりＹ軸方向とＺ軸方向とに移動されるスピンドルハウジング２１と、スピンドルモータに取り付けられた切削ブレード２２とを備える。切削ブレード２２は、極薄のリング形状に形成された切削砥石であり、研削水が供給されながらＹ軸方向と平行な軸心回りにスピンドルモータにより回転されることで、保持テーブル１０に保持されたウエーハ２００を切削加工するものである。また、切削装置１は、図２に示すように、切削ユニット２０を２つ備えた、即ち、２スピンドルのダイサ、いわゆるフェイシングデュアルタイプの切削装置である。 The cutting unit 20 accommodates a spindle motor (not shown) that rotates around an axis parallel to the Y-axis direction, and the spindle motor is accommodated in the Y-axis direction and the Z-axis direction by the Y-axis moving unit 40 and the Z-axis moving unit 50. It includes a spindle housing 21 to be moved and a cutting blade 22 attached to the spindle motor. The cutting blade 22 is a cutting grindstone formed in an ultra-thin ring shape, and is held by the holding table 10 by being rotated by a spindle motor around an axis parallel to the Y-axis direction while being supplied with grinding water. The wafer 200 is machined. Further, as shown in FIG. 2, the cutting device 1 is a so-called facing dual type cutting device provided with two cutting units 20, that is, a two-spindle dier.

撮像ユニット６０は、保持テーブル１０に保持されたウエーハ２００を撮像するものであり、切削ユニット２０とＸ軸方向に並列する位置に配設されている。実施形態１では、撮像ユニット６０は、スピンドルハウジング２１に取り付けられている。撮像ユニット６０は、保持テーブル１０に保持されたウエーハ２００を撮像するＣＣＤカメラにより構成される。 The imaging unit 60 images the wafer 200 held on the holding table 10, and is arranged at a position parallel to the cutting unit 20 in the X-axis direction. In the first embodiment, the image pickup unit 60 is attached to the spindle housing 21. The imaging unit 60 is composed of a CCD camera that images the wafer 200 held on the holding table 10.

制御ユニット１００は、切削装置１の上述した各構成要素をそれぞれ制御して、ウエーハ２００に対する加工動作を切削装置１に実施させるものである。制御ユニット１００は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有し、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御ユニット１００の演算処理装置は、ＲＯＭに記憶されているコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行して、切削装置１を制御するための制御信号を生成する。制御ユニット１００の演算処理装置は、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介して切削装置１の各構成要素に出力する。また、制御ユニット１００は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニットや、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニットと接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。 The control unit 100 controls each of the above-described components of the cutting device 1 to cause the cutting device 1 to perform a machining operation on the wafer 200. The control unit 100 includes an arithmetic processing device having a microcomputer such as a CPU (central processing unit), a storage device having a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory), and an input / output interface device. It is a computer that has and can execute computer programs. The arithmetic processing unit of the control unit 100 executes a computer program stored in the ROM on the RAM to generate a control signal for controlling the cutting device 1. The arithmetic processing unit of the control unit 100 outputs the generated control signal to each component of the cutting device 1 via the input / output interface device. Further, the control unit 100 is connected to a display unit (not shown) composed of a liquid crystal display device or the like that displays a processing operation state or an image, or an input unit used by an operator when registering processing content information or the like. .. The input unit is composed of at least one of a touch panel provided on the display unit, a keyboard, and the like.

次に、実施形態１に係るウエーハの加工方法を説明する。図３は、実施形態１に係るウエーハの加工方法を示すフローチャートである。図４は、図３に示されたウエーハの加工方法の貼着ステップを示す斜視図である。図５は、図３に示されたウエーハの加工方法の保持ステップを示す側面図である。図６は、図３に示されたウエーハの加工方法の切断ステップの概要を示す平面図である。図７は、図３に示されたウエーハの加工方法の切断ステップ後のウエーハの外縁部の断面図である。図８は、図３に示されたウエーハの加工方法の加工ステップの概要を示す平面図である。図９は、図３に示されたウエーハの加工方法の加工ステップ後のウエーハを示す側面図である。図１０は、図３に示されたウエーハの加工方法の研削ステップを示す側面図である。図１１は、図３に示されたウエーハの加工方法のＤＡＦ貼着ステップ後のウエーハを示す側面図である。 Next, a method for processing the wafer according to the first embodiment will be described. FIG. 3 is a flowchart showing a wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 4 is a perspective view showing a sticking step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 5 is a side view showing a holding step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 6 is a plan view showing an outline of a cutting step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view of the outer edge of the wafer after the cutting step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 8 is a plan view showing an outline of the machining steps of the wafer machining method shown in FIG. FIG. 9 is a side view showing the wafer after the processing step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 10 is a side view showing a grinding step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 11 is a side view showing the wafer after the DAF attachment step of the wafer processing method shown in FIG.

ウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、ウエーハ２００に切削ブレード２２を切り込ませて、ウエーハ２００をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転させることで、ウエーハ２００に円形の切削加工を施す加工方法である。加工方法は、図３に示すように、貼着ステップＳＴ１と、保持ステップＳＴ２と、切断溝形成ステップＳＴ３と、加工ステップＳＴ４と、研削ステップＳＴ５と、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ６とを備える。 The processing method of the wafer (hereinafter, simply referred to as the processing method) is to cut the cutting blade 22 into the wafer 200 and rotate the wafer 200 around the axis parallel to the Z-axis direction to make the wafer 200 circular. This is a processing method for performing cutting. As shown in FIG. 3, the processing method includes a sticking step ST1, a holding step ST2, a cutting groove forming step ST3, a machining step ST4, a grinding step ST5, and a DAF sticking step ST6.

貼着ステップＳＴ１は、ウエーハ２００に図４に示す保護テープ２２０を貼着するステップである。実施形態１において、貼着ステップＳＴ１では、図４に示すように、各分割予定ライン２０３に表面２０１側から所定深さ２１２（図５に示し、各デバイス２０２の仕上がり厚さに相当する深さです）の分割溝２１３が形成されたウエーハ２００の表面２０１に保護テープ２２０を貼着する。実施形態１において、保護テープ２２０は、ウエーハ２００と同じ大きさの円形に形成されている。保護テープ２２０は、合成樹脂により構成された基材層２２１と、基材層２２１上に配設されウエーハ２００の表面２０１に貼着する糊層２２２とを備える。加工方法は、貼着ステップＳＴ１後、保持ステップＳＴ２に進む。 The sticking step ST1 is a step of sticking the protective tape 220 shown in FIG. 4 to the wafer 200. In the first embodiment, in the sticking step ST1, as shown in FIG. 4, a predetermined depth 212 (shown in FIG. 5 and corresponding to the finished thickness of each device 202) is formed on each scheduled division line 203 from the surface 201 side. The protective tape 220 is attached to the surface 201 of the wafer 200 on which the dividing groove 213 is formed. In the first embodiment, the protective tape 220 is formed in a circular shape having the same size as the wafer 200. The protective tape 220 includes a base material layer 221 made of synthetic resin, and a glue layer 222 arranged on the base material layer 221 and attached to the surface 201 of the wafer 200. The processing method proceeds to the holding step ST2 after the sticking step ST1.

保持ステップＳＴ２は、保護テープ２２０を上面にして保持テーブル１０にウエーハ２００を保持するステップである。保持ステップＳＴ２では、オペレータが入力ユニットを操作して加工内容情報を制御ユニット１００に登録し、オペレータが図５に示すように保護テープ２２０を上面にしてウエーハ２００を保持面１１に載置し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、制御ユニット１００が真空吸引源を駆動させて保持テーブル１０にウエーハ２００を吸引保持する。このように、保持ステップＳＴ２において、保持テーブル１０は、表面２０１に保護テープ２２０が貼着されたウエーハ２００を保護テープ２２０を上面にして保持する。加工方法は、保持ステップＳＴ２後、切断溝形成ステップＳＴ３に進む。 The holding step ST2 is a step of holding the wafer 200 on the holding table 10 with the protective tape 220 on the upper surface. In the holding step ST2, the operator operates the input unit to register the machining content information in the control unit 100, and the operator places the wafer 200 on the holding surface 11 with the protective tape 220 on the upper surface as shown in FIG. When the operator gives an instruction to start the machining operation, the control unit 100 drives the vacuum suction source to suck and hold the wafer 200 on the holding table 10. As described above, in the holding step ST2, the holding table 10 holds the wafer 200 on which the protective tape 220 is attached to the surface 201 with the protective tape 220 on the upper surface. The processing method proceeds to the cutting groove forming step ST3 after the holding step ST2.

切断溝形成ステップＳＴ３は、加工ステップＳＴ４の実施前に、任意の加工手段である切削ユニット２０によって、保護テープ２２０の外縁部の複数個所に図６に示す切断溝２３０を形成するステップである。切断溝形成ステップＳＴ３では、制御ユニット１００は、Ｘ軸移動ユニット３０により保持テーブル１０を撮像ユニット６０の下方に向かって移動して、撮像ユニット６０にウエーハ２００を撮像させて、アライメントを遂行する。 The cutting groove forming step ST3 is a step of forming the cutting groove 230 shown in FIG. 6 at a plurality of locations on the outer edge of the protective tape 220 by the cutting unit 20 which is an arbitrary processing means before the execution of the processing step ST4. In the cutting groove forming step ST3, the control unit 100 moves the holding table 10 downward by the X-axis moving unit 30 toward the lower side of the imaging unit 60, causes the imaging unit 60 to image the wafer 200, and performs alignment.

そして、制御ユニット１００は、加工内容情報とアライメント結果等に基づいて、Ｘ軸移動ユニット３０とＹ軸移動ユニット４０とＺ軸移動ユニット５０と回転駆動源１２とにより切削ユニット２０を保持テーブル１０に保持されたウエーハ２００の外縁部上に位置付ける。制御ユニット１００は、Ｚ軸移動ユニット５０により切削ユニット２０を下降させて、切削ブレード２２をウエーハ２００の外縁部上の保護テープ２２０に切り込ませて、図６に示すように、保護テープ２２０の外縁部に保護テープ２２０を貫通した切断溝２３０を形成する。制御ユニット１００は、Ｚ軸移動ユニット５０により切削ユニット２０を上昇させた後、加工内容情報に基づいて回転駆動源１２に保持テーブル１０を所定角度回転させ、先程と同様に切断溝２３０を形成する。即ち、切断溝２３０は、少なくとも保護テープ２２０の外縁部を基材層２２１と糊層２２２とに亘って貫通している。 Then, the control unit 100 holds the cutting unit 20 on the holding table 10 by the X-axis moving unit 30, the Y-axis moving unit 40, the Z-axis moving unit 50, and the rotation drive source 12 based on the machining content information and the alignment result. Positioned on the outer edge of the held wafer 200. The control unit 100 lowers the cutting unit 20 by the Z-axis moving unit 50 to cut the cutting blade 22 into the protective tape 220 on the outer edge of the wafer 200, and as shown in FIG. 6, the protective tape 220 A cutting groove 230 is formed in the outer edge portion through the protective tape 220. After raising the cutting unit 20 by the Z-axis moving unit 50, the control unit 100 rotates the holding table 10 on the rotation drive source 12 by a predetermined angle based on the machining content information to form the cutting groove 230 as before. .. That is, the cutting groove 230 penetrates at least the outer edge portion of the protective tape 220 over the base material layer 221 and the glue layer 222.

実施形態１において、切断溝２３０は、図７に示すように、ウエーハ２００の基板を一部除去しているが、ウエーハ２００の基板を除去せずに、保護テープ２２０を貫通していれば良い。なお、実施形態１において、切断溝２３０は、切削ブレード２２を保護テープ２２０の外縁の接線と平行な状態で切断溝２３０を形成しているが、本発明では、切削ブレード２２を保護テープ２２０の外縁の接線と交差させて切断溝２３０を形成しても良い。 In the first embodiment, as shown in FIG. 7, the cutting groove 230 partially removes the substrate of the wafer 200, but the protective tape 220 may be penetrated without removing the substrate of the wafer 200. .. In the first embodiment, the cutting groove 230 forms the cutting groove 230 with the cutting blade 22 parallel to the tangent line of the outer edge of the protective tape 220. In the present invention, the cutting blade 22 is formed of the protective tape 220. The cutting groove 230 may be formed by intersecting the tangent line of the outer edge.

また、実施形態１において、切断溝２３０は、保護テープ２２０の外縁から保護テープ２２０の中心に向かって、保護テープ２２０の外縁部を切り欠いている。実施形態１において、切断溝２３０は、保護テープ２２０及びウエーハ２００の外縁部に周方向に等間隔な８箇所に形成されているが、これに限定されずに、少なくとも１箇所に形成されれば良い。また、切断溝２３０は、この切断溝２３０の保護テープ２２０の最も中心寄りの位置と保護テープ２２０の外縁との間の距離２３１が、保護テープ２２０のみを切断する場合はトリミング領域２１０の幅２１１以上に形成されており、保護テープ２２０とウエーハ２００を一緒に切断する場合は幅２１１以内となる位置に形成されている。実施形態１において、切断溝２３０は、前述した距離２３１がトリミング領域２１０のトリミング領域２１０の幅２１１と等しくなる位置に形成されている。こうして、切断溝形成ステップＳＴ３では、切削装置１の制御ユニット１００は、加工ステップＳＴ４において円形の切削加工を施す前に、切削ユニット２０に切断溝２３０を形成させることで、保護テープ２２０のトリミング領域２１０に貼着された箇所を複数に切断する。加工方法は、切断溝形成ステップＳＴ３後、加工ステップＳＴ４に進む。 Further, in the first embodiment, the cutting groove 230 cuts out the outer edge portion of the protective tape 220 from the outer edge of the protective tape 220 toward the center of the protective tape 220. In the first embodiment, the cutting grooves 230 are formed at eight locations at equal intervals in the circumferential direction on the outer edges of the protective tape 220 and the wafer 200, but the present invention is not limited to this, and the cutting grooves 230 may be formed at at least one location. good. Further, in the cutting groove 230, when the distance 231 between the position closest to the center of the protective tape 220 of the cutting groove 230 and the outer edge of the protective tape 220 is only the protective tape 220, the width 211 of the trimming area 210 is 211. It is formed as described above, and is formed at a position within a width of 211 when the protective tape 220 and the wafer 200 are cut together. In the first embodiment, the cutting groove 230 is formed at a position where the above-mentioned distance 231 is equal to the width 211 of the trimming region 210 of the trimming region 210. In this way, in the cutting groove forming step ST3, the control unit 100 of the cutting device 1 forms the cutting groove 230 in the cutting unit 20 before performing the circular cutting process in the machining step ST4, thereby forming the trimming region of the protective tape 220. Cut the portion attached to 210 into a plurality of parts. The processing method proceeds to the processing step ST4 after the cutting groove forming step ST3.

加工ステップＳＴ４は、切削ブレード２２を保護テープ２２０の外縁部と共にウエーハ２００の外縁部に表面２０１から所定深さ２１２まで切り込ませ、少なくともウエーハ２００を３６０度軸心回りに回転させて、ウエーハ２００の外縁部のトリミング領域２１０を表面２０１から所定深さ２１２除去して、ウエーハ２００にエッジトリミングを施すステップである。加工ステップＳＴ４では、制御ユニット１００は、加工内容情報とアライメント結果等に基づいて、Ｘ軸移動ユニット３０とＹ軸移動ユニット４０とＺ軸移動ユニット５０とにより二つの切削ブレード２２をトリミング領域２１０上に位置付けた後、切削ユニット２０をＺ軸方向に下降させて、切削ブレード２２をウエーハ２００の外縁部に所定深さ２１２まで切り込ませながら回転駆動源１２に保持テーブル１０を軸心回りに回転させる。実施形態１において、加工ステップＳＴ４では、制御ユニット１００が保持テーブル１０を軸心回りに３６０度即ち１回転させるが、本発明では、１回転に限らず加工内容情報で定められた回数回転させても良い。このように、加工ステップＳＴ４において、切削ユニット２０は、保持テーブル１０が少なくとも３６０度回転される状態で、切削ブレード２２を保護テープ２２０の外縁部と共にウエーハ２００の外縁部に所定深さ２１２まで切り込ませて円形の切削加工を施す。そして、加工ステップＳＴ４では、図８及び図９に示すように、ウエーハ２００の外縁部を表面２０１側から所定深さ２１２分除去する。 In the machining step ST4, the cutting blade 22 is cut into the outer edge of the wafer 200 together with the outer edge of the protective tape 220 from the surface 201 to a predetermined depth 212, and the wafer 200 is rotated at least 360 degrees around the axis of the wafer 200. This is a step of removing the trimming region 210 of the outer edge portion of the wafer from the surface 201 to a predetermined depth 212 and performing edge trimming on the wafer 200. In the machining step ST4, the control unit 100 uses the X-axis moving unit 30, the Y-axis moving unit 40, and the Z-axis moving unit 50 to cut two cutting blades 22 on the trimming area 210 based on the machining content information and the alignment result. After positioning, the cutting unit 20 is lowered in the Z-axis direction, and the holding table 10 is rotated about the axis of the rotation drive source 12 while cutting the cutting blade 22 into the outer edge of the waiha 200 to a predetermined depth 212. Let me. In the first embodiment, in the machining step ST4, the control unit 100 rotates the holding table 10 360 degrees around the axis, that is, one rotation, but in the present invention, the holding table 10 is rotated not only once but a number of times determined by the machining content information. Is also good. As described above, in the machining step ST4, the cutting unit 20 cuts the cutting blade 22 together with the outer edge portion of the protective tape 220 to the outer edge portion of the wafer 200 to a predetermined depth 212 while the holding table 10 is rotated at least 360 degrees. Make it in and perform circular cutting. Then, in the processing step ST4, as shown in FIGS. 8 and 9, the outer edge portion of the wafer 200 is removed from the surface 201 side by a predetermined depth of 212 minutes.

加工ステップＳＴ４では、制御ユニット１００は、エッジトリミングをウエーハ２００に施すと、切削ユニット２０をウエーハ２００及び保護テープ２２０から十分に離れる位置まで上昇させて、保持テーブル１０を保持ステップＳＴ２でウエーハ２００が載置された位置まで移動した後、保持テーブル１０の吸引保持を解除する。そして、加工方法は、研削ステップＳＴ５に進む。こうして、実施形態１にかかる加工方法は、保持ステップＳＴ２と切断溝形成ステップＳＴ３と加工ステップＳＴ４とにおいて切削装置１を用いて、切断溝形成ステップＳＴ３と加工ステップＳＴ４とにおいて同じ切削ブレード２２を用いて切断溝２３０を形成するとともにウエーハ２００にエッジトリミングを施す。 In the machining step ST4, when the edge trimming is applied to the wafer 200, the control unit 100 raises the cutting unit 20 to a position sufficiently separated from the wafer 200 and the protective tape 220 to hold the holding table 10 by the wafer 200 in the holding step ST2. After moving to the mounted position, the suction holding of the holding table 10 is released. Then, the processing method proceeds to the grinding step ST5. As described above, the machining method according to the first embodiment uses the cutting device 1 in the holding step ST2, the cutting groove forming step ST3, and the machining step ST4, and uses the same cutting blade 22 in the cutting groove forming step ST3 and the machining step ST4. The cutting groove 230 is formed and the wafer 200 is edge trimmed.

研削ステップＳＴ５は、ウエーハ２００の裏面２０４を研削して、ウエーハ２００をデバイス２０２の仕上がり厚さまで薄化して、ウエーハ２００を個々のデバイス２０２に分割するステップである。研削ステップＳＴ５では、図１０に示すように、研削装置７０がチャックテーブル７１に保護テープ２２０を介してウエーハ２００の表面２０１を吸引保持し、チャックテーブル７１を軸心回りに回転させつつ研削ユニット７２の研削砥石７３を軸心回りに回転させてウエーハ２００の裏面２０４に接触させて研削する。研削ステップＳＴ５では、研削装置７０は、分割溝２１３が裏面２０４に表出するまでウエーハ２００を研削する。このように分割溝２１３が裏面２０４に表出するまで研削することによって、研削ステップＳＴ５は、ウエーハ２００を個々のデバイス２０２に分割する。加工方法は、研削ステップＳＴ５後、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ６に進む。 The grinding step ST5 is a step of grinding the back surface 204 of the wafer 200, thinning the wafer 200 to the finished thickness of the device 202, and dividing the wafer 200 into individual devices 202. In the grinding step ST5, as shown in FIG. 10, the grinding device 70 sucks and holds the surface 201 of the wafer 200 on the chuck table 71 via the protective tape 220, and rotates the chuck table 71 around the axis to rotate the grinding unit 72. The grinding wheel 73 of No. 1 is rotated around the axis and brought into contact with the back surface 204 of the wafer 200 for grinding. In the grinding step ST5, the grinding device 70 grinds the wafer 200 until the dividing groove 213 is exposed on the back surface 204. By grinding until the dividing groove 213 is exposed on the back surface 204 in this way, the grinding step ST5 divides the wafer 200 into individual devices 202. The processing method proceeds to the DAF attachment step ST6 after the grinding step ST5.

ＤＡＦ貼着ステップＳＴ６は、図１１に示すように、保護テープ２２０に貼着されたままのデバイス２０２にＤＡＦ（Die Attach Film）２４０を貼着するステップである。ＤＡＦ２４０は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、合成ゴム、ポリイミド等からなる基材上にアクリル系又はゴム系の糊層が配設されて構成されている。ＤＡＦ貼着ステップＳＴ６後、ＤＡＦ２４０が切削加工、レーザーアブレーション加工、又はエキスパンド加工によりデバイス２０２毎に分割され、デバイス２０２が保護テープ２２０から取り外される。 As shown in FIG. 11, the DAF attachment step ST6 is a step of attaching the DAF (Die Attach Film) 240 to the device 202 as it is attached to the protective tape 220. The DAF240 is configured by disposing an acrylic or rubber glue layer on a base material made of an epoxy resin, an acrylic resin, a synthetic rubber, a polyimide, or the like. After the DAF attachment step ST6, the DAF 240 is divided into each device 202 by cutting, laser ablation, or expanding, and the device 202 is removed from the protective tape 220.

このように、実施形態１に係る加工方法は、エッジトリミングを施す加工ステップＳＴ４の実施前に、ウエーハ２００の表面２０１に保護テープ２２０を貼着し、保護テープ２２０毎にエッジトリミングを施す加工方法である。実施形態１に係る加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ６において、ウエーハ２００の外縁から保護テープ２２０を外周側に突出させることなく、保護テープ２２０にＤＡＦ２４０が貼着するなどして、ＤＡＦ２４０の貼着を妨げられることを抑制した加工方法である。 As described above, the processing method according to the first embodiment is a processing method in which the protective tape 220 is attached to the surface 201 of the wafer 200 and the edge trimming is performed for each protective tape 220 before the processing step ST4 for performing the edge trimming. Is. In the processing method according to the first embodiment, in the DAF attachment step ST6, the DAF 240 is attached to the protective tape 220 without projecting the protective tape 220 from the outer edge of the wafer 200 to the outer peripheral side. It is a processing method that suppresses the hindrance.

実施形態１に係る加工方法は、加工ステップＳＴ４の実施前に保護テープ２２０の外縁部に切断溝２３０を形成する切断溝形成ステップＳＴ３を実施するので、加工ステップＳＴ４において除去された保護テープ２２０の切れ端が切断溝２３０により予め切断されていることとなり、保護テープ２２０の切れ端の長さを抑制することができる。このために、加工方法は、保護テープ２２０の切れ端が切削水などの水流によって保持テーブル１０から速やかに遠ざけられる。その結果、加工方法は、保護テープ２２０の切れ端が保持テーブル１０、回転駆動源１２、Ｘ軸移動ユニット３０、保持テーブル１０上のウエーハ２００等に接着する（又は絡まる）ことを抑制することができ、ウエーハ２００の加工不良を抑制することができる。 In the processing method according to the first embodiment, since the cutting groove forming step ST3 for forming the cutting groove 230 on the outer edge portion of the protective tape 220 is performed before the processing step ST4, the protective tape 220 removed in the processing step ST4 The piece is pre-cut by the cutting groove 230, and the length of the piece of the protective tape 220 can be suppressed. For this reason, in the processing method, a piece of the protective tape 220 is quickly moved away from the holding table 10 by a stream of water such as cutting water. As a result, the processing method can prevent a piece of the protective tape 220 from adhering (or getting entangled) with the holding table 10, the rotation drive source 12, the X-axis moving unit 30, the wafer 200 on the holding table 10, and the like. , Processing defects of the wafer 200 can be suppressed.

また、実施形態１に係る加工方法は、前述した距離２３１がトリミング領域２１０の幅２１１以上となる位置に切断溝２３０を形成するので、加工ステップＳＴ４において除去された保護テープ２２０の切れ端が切断溝２３０により確実に切断された状態になる。 Further, in the processing method according to the first embodiment, since the cutting groove 230 is formed at a position where the above-mentioned distance 231 is equal to or larger than the width 211 of the trimming region 210, the piece of the protective tape 220 removed in the processing step ST4 is the cutting groove. It is surely cut by 230.

また、実施形態１に係る加工方法は、切断溝形成ステップＳＴ３と加工ステップＳＴ４とにおいて同じ切削ブレード２２を用いて、保持ステップＳＴ２から加工ステップＳＴ４まで同じ切削装置１で行うので、ウエーハ２００の搬送等に係る所要時間を抑制することができ、ウエーハ２００の加工にかかる所要時間の長時間化を抑制することができる。 Further, in the machining method according to the first embodiment, the same cutting blade 22 is used in the cutting groove forming step ST3 and the machining step ST4, and the same cutting device 1 is used from the holding step ST2 to the machining step ST4, so that the wafer 200 is conveyed. It is possible to suppress the time required for processing the wafer 200 and the like, and it is possible to suppress a long time required for processing the wafer 200.

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法を示すフローチャートである。図１２は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 2]
The method of processing the wafer according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 12 is a flowchart showing a wafer processing method according to the second embodiment. In FIG. 12, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

実施形態２に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、図１２に示すように、切断溝形成ステップＳＴ３を実施するタイミングが実施形態１と異なり、保持ステップＳＴ２及び加工ステップＳＴ４を実施する切削装置１と異なる加工装置で切断溝形成ステップＳＴ３を実施すること以外、実施形態１の加工方法と同じである。具体的には、実施形態２に係る加工方法は、貼着ステップＳＴ１の実施後に切断溝形成ステップＳＴ３を実施し、切断溝形成ステップＳＴ３を実施後、保持ステップＳＴ２と、加工ステップＳＴ４と、研削ステップＳＴ５と、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ６とを順に実施する。 As shown in FIG. 12, in the wafer processing method according to the second embodiment (hereinafter, simply referred to as a processing method), the timing at which the cutting groove forming step ST3 is performed is different from that of the first embodiment, and the holding step ST2 and the processing step ST4 This is the same as the machining method of the first embodiment except that the cutting groove forming step ST3 is carried out by a machining device different from the cutting device 1 for carrying out the above. Specifically, in the processing method according to the second embodiment, the cutting groove forming step ST3 is performed after the pasting step ST1 is performed, and after the cutting groove forming step ST3 is performed, the holding step ST2, the processing step ST4, and the grinding are performed. Step ST5 and DAF attachment step ST6 are carried out in order.

実施形態２に係る加工方法の切断溝形成ステップＳＴ３では、加工装置として、保護テープ２２０をアブレーション加工を行うレーザー加工装置又は切削装置１と異なる切削装置を用い、加工手段としてレーザー光線照射ユニット又は切削ユニットを用いる。このように、本発明では、切断溝形成ステップＳＴ３において、任意の加工手段によって切断溝２３０を形成すれば良い。実施形態２に係る加工方法の保持ステップＳＴ２及び加工ステップＳＴ４では、実施形態１と同様に切削装置１を用いる。 In the cutting groove forming step ST3 of the processing method according to the second embodiment, a laser processing device or a cutting device different from the cutting device 1 that ablates the protective tape 220 is used as the processing device, and the laser beam irradiation unit or the cutting unit is used as the processing means. Is used. As described above, in the present invention, the cutting groove 230 may be formed by any processing means in the cutting groove forming step ST3. In the holding step ST2 and the machining step ST4 of the machining method according to the second embodiment, the cutting device 1 is used as in the first embodiment.

実施形態２に係る加工方法は、加工ステップＳＴ４の実施前に保護テープ２２０の外縁部に切断溝２３０を形成する切断溝形成ステップＳＴ３を実施するので、加工ステップＳＴ４において除去された保護テープ２２０の切れ端の長さを抑制することができる。その結果、加工方法は、保護テープ２２０の切れ端が保持テーブル１０、回転駆動源１２、Ｘ軸移動ユニット３０、保持テーブル１０上のウエーハ２００等に接着する（又は絡まる）ことを抑制することができ、ウエーハ２００の加工不良を抑制することができる。 In the processing method according to the second embodiment, since the cutting groove forming step ST3 for forming the cutting groove 230 on the outer edge portion of the protective tape 220 is performed before the processing step ST4, the protective tape 220 removed in the processing step ST4 The length of the piece can be suppressed. As a result, the processing method can prevent a piece of the protective tape 220 from adhering (or getting entangled) with the holding table 10, the rotation drive source 12, the X-axis moving unit 30, the wafer 200 on the holding table 10, and the like. , Processing defects of the wafer 200 can be suppressed.

〔変形例〕
本発明の実施形態１及び実施形態２の変形例に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１３は、本発明の変形例に係るウエーハの加工方法により切断溝が形成される保護テープなどの側面図である。図１３は、実施形態１及び実施形態２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Modification example]
A method of processing a wafer according to a modification of the first and second embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 13 is a side view of a protective tape or the like in which a cutting groove is formed by the method of processing a wafer according to a modified example of the present invention. In FIG. 13, the same parts as those in the first and second embodiments are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

保護テープ２２０側からウエーハ２００をエッジトリミングして発生する細長い保護テープ２２０の切れ端が発生する現象の一つは、保護テープ２２０のウエーハ２００に貼着された部分は切削されるが、保護テープ２２０の貼着されずにウエーハ２００から浮いている部分はウエーハ２００の外側に逃げてしまい切削されないために発生することがある。変形例に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、このような現象により発生する細長い保護テープ２２０の切れ端の発生を抑制するのに有効な例である。変形例に係る加工方法では、切断溝２３０を保護テープ２２０のウエーハ２００の平坦な表面２０１に貼着された部分の外縁よりも外周側（図１３に一点鎖線で示す位置２２５）に形成する。即ち、変形例に係る加工方法は、保護テープ２２０のウエーハ２００の外縁部に形成された断面円弧状の面取り部２０６に貼着されていなく（距離をあけて）、面取り部２０６と厚み方向に重なる位置２２５に切断溝２３０を形成する。 One of the phenomena that a piece of the elongated protective tape 220 generated by edge trimming the wafer 200 from the protective tape 220 side is that the portion of the protective tape 220 attached to the wafer 200 is cut, but the protective tape 220 is cut. The portion floating from the wafer 200 without being attached may escape to the outside of the wafer 200 and may occur because it is not cut. The wafer processing method (hereinafter, simply referred to as a processing method) according to the modified example is an effective example for suppressing the generation of scraps of the elongated protective tape 220 generated by such a phenomenon. In the processing method according to the modified example, the cutting groove 230 is formed on the outer peripheral side (position 225 shown by the alternate long and short dash line in FIG. 13) of the outer edge of the portion of the protective tape 220 attached to the flat surface 201 of the wafer 200. That is, the processing method according to the modified example is not attached to the chamfered portion 206 having an arcuate cross section formed on the outer edge portion of the wafer 200 of the protective tape 220 (at a distance), and is in the thickness direction with the chamfered portion 206. A cutting groove 230 is formed at the overlapping position 225.

変形例に係る加工方法は、加工ステップＳＴ４の実施前に切断溝形成ステップＳＴ３において、保護テープ２２０の面取り部２０６に貼着されていなく厚み方向に重なる位置に切断溝２３０を形成するので、加工ステップＳＴ４において除去された保護テープ２２０の切れ端の長さを抑制することができる。その結果、加工方法は、保護テープ２２０の切れ端が保持テーブル１０や保持テーブル１０上のウエーハ２００等に接着することを抑制することができ、ウエーハ２００の加工不良を抑制することができる。 In the processing method according to the modification, the cutting groove 230 is formed at a position where the protective tape 220 is not attached to the chamfered portion 206 but overlaps in the thickness direction in the cutting groove forming step ST3 before the processing step ST4 is performed. The length of the piece of the protective tape 220 removed in step ST4 can be suppressed. As a result, the processing method can prevent the scraps of the protective tape 220 from adhering to the holding table 10 and the wafer 200 on the holding table 10, and can suppress the processing defects of the wafer 200.

なお、前述した実施形態１に係るウエーハの加工方法によれば、以下の切削装置が得られる。
（付記１）
ウエーハに切削ブレードを切り込ませ該ウエーハを回転させることで、ウエーハに円形の切削加工を施す切削装置であって、
表面に保護テープが貼着されたウエーハを、該保護テープを上面にして保持する保持テーブルと、
該保持テーブルが少なくとも３６０度回転される状態で、該切削ブレードを該保護テープの外縁と共に該ウエーハの外縁に所定深さまで切り込ませて該円形の切削加工を施す切削ユニットと、
各構成要素を制御する制御ユニットと、を備え、
該制御ユニットは、該円形の切削加工を施す前に、該切削ユニットに該保護テープの外縁の複数箇所に切断溝を形成させる
ことを特徴とする切削装置。 According to the wafer processing method according to the first embodiment described above, the following cutting apparatus can be obtained.
(Appendix 1)
A cutting device that cuts a cutting blade into a wafer and rotates the wafer to perform circular cutting on the wafer.
A holding table that holds a wafer with a protective tape attached to its surface with the protective tape facing up, and a holding table.
With the holding table rotated at least 360 degrees, a cutting unit that cuts the cutting blade together with the outer edge of the protective tape into the outer edge of the wafer to a predetermined depth and performs the circular cutting process.
It is equipped with a control unit that controls each component.
The control unit is a cutting device characterized in that the cutting unit is formed with cutting grooves at a plurality of locations on the outer edge of the protective tape before the circular cutting process is performed.

上記切削装置は、実施形態１に係るウエーハの加工方法と同様に、エッジトリミングを施す前に保護テープ２２０に切断溝２３０を形成するので、エッジトリミングにおいて除去された保護テープ２２０の切れ端が切断溝２３０により予め切断されていることとなり、保護テープ２２０の切れ端の長さを抑制することができる。このために、加工方法は、保護テープ２２０の切れ端が切削水などの水流によって保持テーブル１０から速やかに遠ざけられる。その結果、加工方法は、保護テープ２２０の切れ端が保持テーブル１０や保持テーブル１０上のウエーハ２００等に接着することを抑制することができ、ウエーハ２００の加工不良を抑制することができる。 Similar to the wafer processing method according to the first embodiment, the cutting apparatus forms a cutting groove 230 in the protective tape 220 before edge trimming, so that a piece of the protective tape 220 removed in the edge trimming is a cutting groove. It is cut in advance by 230, and the length of the piece of the protective tape 220 can be suppressed. For this reason, in the processing method, a piece of the protective tape 220 is quickly moved away from the holding table 10 by a stream of water such as cutting water. As a result, the processing method can prevent the scraps of the protective tape 220 from adhering to the holding table 10 and the wafer 200 on the holding table 10, and can suppress the processing defects of the wafer 200.

なお、本発明は、上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiments and modifications. That is, it can be modified in various ways without departing from the gist of the present invention.

１０保持テーブル
２２切削ブレード
２００ウエーハ
２１２所定深さ
２２０保護テープ
２３０切断溝
ＳＴ１貼着ステップ
ＳＴ２保持ステップ
ＳＴ３切断溝形成ステップ
ＳＴ４加工ステップ 10 Holding table 22 Cutting blade 200 Wafer 212 Predetermined depth 220 Protective tape 230 Cutting groove ST1 Attaching step ST2 Holding step ST3 Cutting groove forming step ST4 Machining step

Claims

It is a processing method of a wafer in which a cutting blade is cut into the wafer and the wafer is rotated to perform a circular cutting process on the wafer.
The sticking step to stick the protective tape to the wafer,
A holding step of holding the wafer on a holding table with the protective tape on top,
A machining step is provided in which a cutting blade is cut into the outer edge of the wafer together with the outer edge of the protective tape to a predetermined depth, and the wafer is rotated at least 360 degrees.
Before performing the machining step
A cutting groove forming step of forming cutting grooves at a plurality of locations on the outer edge of the protective tape by any processing means,
A method of processing a wafer, which is characterized by further providing.