JP6333233B2 - 誘導自己組織化のためのコポリマー調合物、その製造方法、及びそれを含む物品 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 63
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 title claims description 22
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 title description 16
- 238000009472 formulation Methods 0.000 title description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 283
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 169
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 95
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 81
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 38
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 38
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 34
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 25
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 21
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920005553 polystyrene-acrylate Polymers 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920002338 polyhydroxyethylmethacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 claims description 2
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 description 28
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Substances C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 18
- 238000002408 directed self-assembly Methods 0.000 description 18
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 16
- -1 polyacryl Polymers 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 14
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 13
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 11
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001542 size-exclusion chromatography Methods 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 7
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 7
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 7
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 6
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 6
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 238000000569 multi-angle light scattering Methods 0.000 description 5
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- QEDJMOONZLUIMC-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butyl-4-ethenylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C=C)C=C1 QEDJMOONZLUIMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethenylbenzene Chemical compound ClC=CC1=CC=CC=C1 SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical compound OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- WGOPGODQLGJZGL-UHFFFAOYSA-N lithium;butane Chemical compound [Li+].CC[CH-]C WGOPGODQLGJZGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- RXGUIWHIADMCFC-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpropyl 2-methylpropionate Chemical compound CC(C)COC(=O)C(C)C RXGUIWHIADMCFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920000390 Poly(styrene-block-methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- SESFRYSPDFLNCH-UHFFFAOYSA-N benzyl benzoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 SESFRYSPDFLNCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229920000359 diblock copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N propyl prop-2-enoate Chemical class CCCOC(=O)C=C PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 description 2
- 125000006376 (C3-C10) cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 1
- OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C(C)=C1 OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTPNYMSKBPZSTF-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C=C VTPNYMSKBPZSTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=C NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHUZSRRCICJJCN-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(C=C)=C1 XHUZSRRCICJJCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C=C)=C1 JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHFHDVDXYKOSKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=C(C=C)C=C1 WHFHDVDXYKOSKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- WROUWQQRXUBECT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylacrylic acid Chemical compound CCC(=C)C(O)=O WROUWQQRXUBECT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100027324 2-hydroxyacyl-CoA lyase 1 Human genes 0.000 description 1
- DXIJHCSGLOHNES-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbut-1-enylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C=CC1=CC=CC=C1 DXIJHCSGLOHNES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLNDNABNWASMFD-UHFFFAOYSA-N 4-[(1,3-dimethylimidazol-1-ium-2-yl)diazenyl]-n,n-dimethylaniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1N=NC1=[N+](C)C=CN1C YLNDNABNWASMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100026735 Coagulation factor VIII Human genes 0.000 description 1
- 101001009252 Homo sapiens 2-hydroxyacyl-CoA lyase 1 Proteins 0.000 description 1
- 101000911390 Homo sapiens Coagulation factor VIII Proteins 0.000 description 1
- 239000004609 Impact Modifier Substances 0.000 description 1
- 101100072790 Mus musculus Irf4 gene Proteins 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 229920002732 Polyanhydride Polymers 0.000 description 1
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- VPLQLKINAUMSCQ-UHFFFAOYSA-N [4-[1-[tert-butyl-(2-methyl-1-phenylpropyl)amino]oxyethyl]phenyl]methanol Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C(C)C)N(C(C)(C)C)OC(C)C1=CC=C(CO)C=C1 VPLQLKINAUMSCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229960004217 benzyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 229960002903 benzyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- 238000006664 bond formation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005605 branched copolymer Polymers 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical class CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- MJSNUBOCVAKFIJ-LNTINUHCSA-N chromium;(z)-4-oxoniumylidenepent-2-en-2-olate Chemical compound [Cr].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O MJSNUBOCVAKFIJ-LNTINUHCSA-N 0.000 description 1
- XEHUIDSUOAGHBW-UHFFFAOYSA-N chromium;pentane-2,4-dione Chemical compound [Cr].CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O XEHUIDSUOAGHBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012612 commercial material Substances 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 description 1
- OUGJKAQEYOUGKG-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylidenebutanoate Chemical compound CCOC(=O)C(=C)CC OUGJKAQEYOUGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011872 intimate mixture Substances 0.000 description 1
- 229920005684 linear copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKJJSJJGBZXUQV-UHFFFAOYSA-N methyl 2-methylidenebutanoate Chemical compound CCC(=C)C(=O)OC JKJJSJJGBZXUQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000885 poly(2-vinylpyridine) Polymers 0.000 description 1
- 229920000977 poly(butadiene-b-ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001652 poly(etherketoneketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003216 poly(methylphenylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920002627 poly(phosphazenes) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920001290 polyvinyl ester Polymers 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 229920001291 polyvinyl halide Polymers 0.000 description 1
- 229920006215 polyvinyl ketone Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000235 small-angle X-ray scattering Methods 0.000 description 1
- 238000000654 solvent vapour annealing Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003017 thermal stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical group 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 1
- VGOXVARSERTCRY-UHFFFAOYSA-N trimethylsilylmethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC[Si](C)(C)C VGOXVARSERTCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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Description
は、以下の式に従って決定されたブロックコポリマーの多分散性(多分散性指標または単に「分散性」とも呼ばれる)である。
PDI=Mw/Mn。
スチレン8.19g(0.079モル)、メチルメタクリレート11.81g(0.118モル)、及び4−[1−[[(1,1−ジメチルエチル)(2−メチル−1−フェニルプロピル)アミノ]オキシ]エチル]−ベンゼンメタノール(1.02g、PGMEA中の1.2ミリモルの42.8重量%ストック溶液)を磁気撹拌棒で装備した反応フラスコに添加した。試薬を3連続凍結−ポンプ−融解周期により脱酸素した。溶液に窒素を15分間注入し、次いで120℃の事前に加熱した油槽中に10時間入れ、その後溶液を室温まで冷却した。反応混合物をTHFで希釈し、ヘプタンから沈殿させ、60℃のオーブン中で一晩乾燥させて、表1で報告される組成及び分子量のP(S−r−MMA)−OH−40−20を得た。
スチレン8.50g(0.082モル)、メチルメタクリレート10.10g(0.101モル)、ヒドロキシエチルメタクリレート1.40g(0.011)、及び4−[1−[[(1,1−ジメチルエチル)(2−メチル−1−フェニルプロピル)アミノ]オキシ]エチル]−ベンゼンメタノール(0.76g、PGMEA中の2.1ミリモルの42.8重量%ストック溶液)を磁気撹拌棒で装備した反応フラスコに添加した。試薬を3連続凍結−ポンプ−融解周期により脱酸素した。溶液に窒素を15分間注入し、次いで120℃の事前に加熱した油槽中に10時間入れ、その後溶液を室温まで冷却した。反応混合物をTHFで希釈し、ヘプタンから沈殿させ、60℃のオーブン中で一晩乾燥させて、表1で報告される組成及び分子量のP(S−r−MMA−r−HEMA)−1を得た。生成物コポリマーブラシは、13C NMRにより決定された、42.2モル%ポリスチレン、52.22モル%ポリメチルメタクリレート、及び5.55モル%HEMAの組成を示した。
アルゴン気体下の1リットル(L)3首丸底反応器にテトラヒドロフラン(「THF」、439g)を添加した。次いで、THFを反応器中で−78℃まで冷却した。次いで、反応器の内容物をシクロヘキサン中のsec−ブチルリチウムの0.35M溶液で、反応器の内容物が持続的な薄黄色を示すまで、滴定した。次いで、反応器の内容物を、内容物の色が完全に消えるまで(約10〜15分間)、30℃まで温め、30℃に維持した。次いで、スチレン(12.84g)をカニューレを介して反応器に移した。次いで、反応器の内容物を−78℃まで冷却した。次いで、シクロヘキサン中の0.30gのsec−ブチルリチウム溶液(1.25M)をカニューレを介して反応器に素早く添加し、反応器内容物を濃い黄色に変えた。生ずる発熱線のために、反応器内容物は、反応器へのsec−ブチルリチウム溶液の添加の1分以内に10〜15℃の温度上昇を示した。次いで、反応器内容物は次の10分間にわたり−78℃まで冷却し戻った。反応器内容物をさらなる10分間撹拌した。次いで、反応器内容物のうちの少量を、形成したポリスチレンブロックのゲル浸透クロマトグラフィー分析のために、反応器から取り出した。次いで、シクロヘキサン(2.72g)中に希釈したジフェニルエチレン(0.1163g)をカニューレを介して反応器に移し、反応器内容物を濃い黄色から濃いルビー赤色に変えた。次いで、反応器の内容物を−78℃で10分間撹拌した。次いで、シクロヘキサン(6.93g)中に希釈したメチルメタクリレート(「MMA」)(13.24g)を次いで、カニューレを介して反応器へ移した。生ずる発熱線のために、反応器内容物は、MMAの添加の4分以内に−63℃まで温まり、その後−76℃まで冷却し戻った。反応器内容物をさらなる120分間撹拌し、その後、反応を無水メタノールの添加により停止させた。次いで、反応器内容物を1Lのメタノール中に沈殿させ、固体を真空ろ過により収集した。次いで、得られたフィルターケークを150mLのジクロロメタン中に溶解し、100mLの脱イオン水で2回洗浄した。次いで、溶液を1Lのメタノール中に移し、沈殿した固体を真空ろ過により収集し、60℃の真空オーブン内で一晩乾燥させて、表1に列挙される分子量、組成、及びピッチを有するPS−b−PMMA−27を得た。
これらの比較例は、PS−b−PMMAの2コート誘導自己組織化を示す。化学パターン化基材を、PGMEA中のP(S−r−MMA)−OHブラシの1.2重量%(固体)溶液を、Macromolecules,2011,44(7),pp1876−1885でLiu et al.で説明される方法を用いて調製した単離されたポリスチレン条片(84nmピッチ、15nmCD)を伴う化学エピタキシーパターン鋳型を含有する12インチウェーハーからさいの目に刻んだ個々のクーポン上で1,500rpmで1分間スピンコートすることにより調製した。P(S−r−MMA)−OH−30、P(S−r−MMA)−OH−40、P(S−r−MMA)−OH−50、P(S−r−MMA)−OH−60を、各々、比較例A〜Dの接ぎ木ブラシとして使用した(表1)。鋳型にした基材を150℃で1分間ベークし、窒素下、250℃で5分間アニールした。次いで、基材をPGMEA中に1分間浸漬し、3,000rpmで1分間スピン乾燥させ、150℃で1分間ベークした。28nmドメイン間隔の層状PS−b−PMMA(PS−b−PMMA−28)を、PS−b−PMMA−27及びPS−b−PMMA−29を1:1重量比で配合することにより調製した(ここで「27」及び「29」はナノメートルでの各ブロックコポリマーの間隔を示す)。
この実施例は、本発明を対象とし、PS−b−PMMA(PS−ブロック−PMMA)の1コート誘導自己組織化を含む。28nmのドメイン間隔の層状PS−b−PMMA(PS−b−PMMA−28)を、PS−b−PMMA−27及びPS−b−PMMA−29を1:1の重量比で配合することにより調製した。PS−b−PMMA−28及びP(S−r−MMA)−OH(ポリ(スチレン−ランダム−メチルメタクリレート)−OH)ブラシ(P(S−r−MMA)−OHブラシに対して4:1の重量比のPS−b−PMMA−28で)を、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)中に溶解して、1.5重量%溶液を形成した。P(S−r−MMA)−OH−30、P(S−r−MMA)−OH−40、P(S−r−MMA)−OH−50、P(S−r−MMA)−OH−60を、各々、実施例1〜4の配合ブラシとして使用した。配合調合物を、Macromolecules,2011,44(7),pp1876−1885でLiu et al.で説明される方法を用いて調製した単離されたポリスチレン条片(84nmピッチ、15nmCD)を伴う化学エピタキシーパターン鋳型を含有する12インチウェーハーからさいの目に刻んだ個々のクーポン上に3,600rpmでスピンコートした。コートしたフィルムを110℃で1分間ベークし、160℃で5分間、次いで窒素下で5分間、250℃でアニールし、ステンレススチールブロック上に素早く置いて、室温まで冷却した。得られたフィルムを原子間力顕微鏡によりD5000AFMツールを用いて調べた(図3e〜3h)。これらの像は、ブロックコポリマーとブラシとの配合での1コートプロセスについて優れた誘導自己組織化(DSA)を達成するブラシ組成物の点でかなりより広いプロセスウィンドウを示すので、それらは本発明を例示する。全ての試験したブラシは整列した層を生成し、欠陥性が低く、これは4つのブラシのうちの3つについて乏しい整列を示した比較例とは明確に対照的である。
これらの実施例は、P(S−r−MMA)−OH−40を用いる1コート誘導自己組織化のためのブラシ組成物の最適化を対象とする。1コートプロセスにおけるブラシ/BCP比の影響を調べるために、P(S−r−MMA)−40で2つの異なるブラシ濃度を調査した。28nmのドメイン間隔の層状PS−b−PMMA(PS−b−PMMA−28)を、PS−b−PMMA−27及びPS−b−PMMA−29を1:1の重量比で配合することにより調製した。PS−b−PMMA−28及びP(S−r−MMA)−OH−40ブラシをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)中に溶解して、実施例5及び6について、各々、全固体に対する10重量%及び20%(P(S−r−MMA)−OHブラシに対するPS−b−PMMAの、各々、9:1及び4:1の重量比)ロードを含有する1.5重量%溶液を形成した。次いで、配合調合物を、Macromolecules,2011,44(7),pp1876−1885でLiu et al.で説明される方法を用いて調製した単離されたポリスチレン条片(84nmピッチ、15nmCD)を伴う化学エピタキシーパターン鋳型を含有する12インチウェーハーからさいの目に刻んだ個々のクーポン上に3,600rpmでスピンコートした。コートしたフィルムを110℃で1分間ベークし、160℃で5分間、次いで窒素下で5分間、250℃でアニールし、ステンレススチールブロック上に素早く置いて、室温まで冷却した。PMMAを、反応性イオンエッチング(RIE)によりPlasma Therm790iRIEを用いてプラズマ安定化後16秒間のO2プラズマ(6mTorr,90W)RIE処理で除去した。次いで、プラズマ処理したフィルムをAMRAY 1910 Field Emission走査電子顕微鏡(SEM)を用いて調べた。試験試料を、SEMステージ上に両面炭素テープを用いて載せ、分析前に窒素を吹き付けることによりきれいにした。試験試料の各々の像を、50,000×拡大で収集した。代表的な顕微鏡写真を、図4a〜4b中に示す。これらの像は、10%を超えるブラシがこの調合物について優れたDSA結果を達成するために必要とされることを明らかにする。多くの欠陥及び不整列層が、図3aの10重量%ブラシロードの実施例5について観察され、一方、図3bの20重量%ブラシロードの実施例6は欠陥のないDSAを示した。
これらの実施例は、P(S−r−MMA)−OH−60を用いる1コート誘導自己組織化のためのブラシ組成物の最適化を対象とする。1コートプロセスにおけるブラシ/BCP比の影響を調べるために、P(S−r−MMA)−60で2つの異なるブラシ濃度を調査した。28nmのドメイン間隔の層状PS−b−PMMA(PS−b−PMMA−28)を、PS−b−PMMA−27及びPS−b−PMMA−29を1:1の重量比で配合することにより調製した。PS−b−PMMA−28及びP(S−r−MMA)−OH−60ブラシをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)中に溶解して、実施例5及び6について、各々、全固体に対する10重量%及び20%(P(S−r−MMA)−OHブラシに対するPS−b−PMMAの、各々、9:1及び4:1の重量比)ロードを含有する1.5重量%溶液を形成した。次いで、配合調合物を、Macromolecules,2011,44(7),pp1876−1885でLiu et al.で説明される方法を用いて調製した単離されたポリスチレン条片(84nmピッチ、15nmCD)を伴う化学エピタキシーパターン鋳型を含有する12インチウェーハーからさいの目に刻んだ個々のクーポン上に3,600rpmでスピンコートした。コートしたフィルムを110℃で1分間ベークし、160℃で5分間、次いで窒素下で5分間、250℃でアニールし、ステンレススチールブロック上に素早く置いて、室温まで冷却した。PMMAを反応性イオンエッチング(RIE)によりPlasma Therm790iRIEを用いてプラズマ安定化後16秒間のO2プラズマ(6mTorr,90W)RIE処理で除去した。次いで、プラズマ処理したフィルムをAMRAY 1910 Field Emission走査電子顕微鏡(SEM)を用いて調べた。試験試料を、SEMステージ上に両面炭素テープを用いて載せ、分析前に窒素を吹き付けることによりきれいにした。試験試料の各々の像を、50,000×拡大で収集した。代表的な顕微鏡写真を、図4c〜4d中に示す。これらの像は、10%を超えるブラシがこの調合物についても優れたDSA結果を達成するために必要とされることを明らかにする。多くの欠陥及び不整列層が、図4cの10重量%ブラシロードの実施例7について観察され、一方、図4dの20重量%ブラシロードの実施例8は欠陥のないDSAを示した。
これらの実施例は、PS−b−PMMAの1コート誘導自己組織化を対象とする。1コートプロセスでDSAの成功を示すために必要とされるブラシ分子量を特定するために、類似する組成であるが異なる分子量の一連のブラシを調べた。28nmのドメイン間隔の層状PS−b−PMMA(PS−b−PMMA−28)を、PS−b−PMMA−27及びPS−b−PMMA−29を1:1の重量比で配合することにより調製した。PS−b−PMMA−28及びP(S−r−MMA)−OHブラシ(全固体に対して20重量%ロード、P(S−r−MMA)−OHブラシに対して4:1の重量比のPS−b−PMMA)を、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)中に溶解して、1.5重量%溶液を形成した。P(S−r−MMA)−OH−40−6、P(S−r−MMA)−OH−40−8、P(S−r−MMA)−OH−40−12、及びP(S−r−MMA)−OH−40−20を、各々、実施例9〜12で配合ブラシとして使用した。次いで、配合調合物を、Macromolecules,2011,44(7),pp1876−1885でLiu et al.で説明される方法を用いて調製した単離されたポリスチレン条片(84nmピッチ、15nmCD)を伴う化学エピタキシーパターン鋳型を含有する12インチウェーハーからさいの目に刻んだ個々のクーポン上に3,600rpmでスピンコートした。コートしたフィルムを110℃で1分間ベークし、160℃で5分間、次いで窒素下で5分間、250℃でアニールし、ステンレススチールブロック上に素早く置いて、室温まで冷却した。PMMAを反応性イオンエッチング(RIE)によりPlasma Therm790iRIEを用いてプラズマ安定化後16秒間のO2プラズマ(6mTorr,90W)RIE処理で除去した。次いで、プラズマ処理したフィルムをAMRAY 1910 Field Emission走査電子顕微鏡(SEM)を用いて調べた。試験試料を、SEMステージ上に両面炭素テープを用いて載せ、分析前に窒素を吹き付けることによりきれいにした。試験試料の各々の像を、50,000×拡大で収集した。代表的な顕微鏡写真を、図5a〜5d中に示す。実施例9で使用した最も低い分子量のブラシは、線の間の架橋の形態においてより欠陥を示し、これはおそらく、ブロックコポリマーの上部表面(すなわち、ポリマー−空気境界面)へのブラシの移行のためである。しかしながら、実施例10〜12で使用した、より高い分子量のブラシは、線架橋の証拠を示さなかった。
これらの実施例は、PS−b−PMMAの1コート誘導自己組織化を対象とする。28nmのドメイン間隔の層状PS−b−PMMA(PS−b−PMMA−28)を、PS−b−PMMA−27及びPS−b−PMMA−29を1:1の重量比で配合することにより調製した。PS−b−PMMA−28及びP(S−r−MMA−r−HEMA)−1ブラシ(全固体に対して20重量%ロード、P(S−r−MMA)−OHブラシに対して4:1の重量比のPS−b−PMMA)を、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)中に溶解して、1.5重量%溶液を形成した。次いで、配合調合物を、Macromolecules,2011,44(7),pp1876−1885でLiu et al.で説明される方法を用いて調製した単離されたポリスチレン条片(84nmピッチ、15nmCD)を伴う化学エピタキシーパターン鋳型を含有する12インチウェーハーからさいの目に刻んだ個々のクーポン上に3,600rpmでスピンコートした。コートしたフィルムを110℃で1分間ベークし、160℃で5分間、次いで窒素下で5分間、250℃でアニールし、ステンレススチールブロック上に素早く置いて、室温まで冷却した。PMMAを反応性イオンエッチング(RIE)によりPlasma Therm790iRIEを用いてプラズマ安定化後16秒間のO2プラズマ(6mTorr,90W)RIE処理で除去した。次いで、プラズマ処理したフィルムをAMRAY 1910 Field Emission走査電子顕微鏡(SEM)を用いて調べた。試験試料を、SEMステージ上に両面炭素テープを用いて載せ、分析前に窒素を吹き付けることによりきれいにした。試験試料の各々の像を、50,000×拡大で収集した。代表的な顕微鏡写真を、図6中に示す。この顕微鏡写真は、P(S−r−MMA−r−HEMA)ブラシが、ブロックコポリマーと配合された場合、1コートプロセスにおいて優れた誘導自己組織化(DSA)を達成するのに有効であることを示す。上記に挙げられる実施例から、ポリスチレン及びポリメチルメタクリレートを含むブロックコポリマーは、ポリスチレンがブロックコポリマーの合計モル数に基づいて45〜55モルパーセントの量で存在する場合、垂直の層状ドメインを生成することが見られ得る。上記に挙げられる実施例から、ポリスチレン及びポリメチルメタクリレートを含むブロックコポリマーは、ポリスチレンがブロックコポリマーの合計モル数に基づいて20〜35モルパーセントの量で存在する場合、垂直の円筒状ドメインを生成することが見られ得る。
この比較例は、ポリスチレン及びポリジメチルシロキサンのブロックコポリマー(PS−b−PDMS)の2コート誘導自己組織化を示す。34nmのドメイン間隔のPS−b−PDMS(PS−b−PDMS−34)の円筒状形態を形成する調合物を、PS−b−PDMS−1のPGMEA溶液を、1.22重量%溶液で85:15重量比のPS−b−PDMS−2と配合することにより調製した。PGMEA中のPS−OH−1(Mn=10kg/モル)の溶液を1.2重量%で調製した。PS−OH−1溶液を、自然酸化物コートを有するシリコンウェーハー上に1,500rpmでスピンコートした。コートしたフィルムを窒素下で2分間、250℃でベークし、ステンレススチールブロック上に素早く置いて、室温まで冷却した。次いで、ウェーハーを、ウェーハー上のパドルをコートし、30秒間のパドル時間後にスピン乾燥することによりPGMEAですすぎ、その後、130℃で1分間ソフトベークして、残留溶剤を除去した。次いで、PS−ブラシ付きウェーハーを、1,000rpmでスピンコートすることによりPS−b−PDMS−34の薄いフィルムでコートし、130℃で1分間ソフトベークして残留溶剤を除去し、窒素下で2分間、340℃でアニールした。次いで、反応性イオンエッチを、Plasma Therm 790+を用いて2段階エッチを用いて行い、最初にCHF3を用いて(50sccm、100W、10mTorr圧)PDMSの上部層を除去し、次に酸素エッチでPSを除去し、PDMSを酸化した(25sccm、180W、6mTorr圧)。パターンの代表的なSEM像を図7に示し、これは酸化PDMSにより形成された指紋パターンを示す。
34nmのドメイン間隔のPS−b−PDMS(PS−b−PDMS−34)の円筒状形態を形成する調合物を、PS−b−PDMS−1のPGMEA溶液を、1.22重量%溶液で85:15重量比のPS−b−PDMS−2と配合することにより調製した。PS−OH−1(0.030g)を10gのこの溶液に添加して、PS−b−PDMS−34及びPS−OH−1ブラシの両方を含有する溶液を形成した。自然酸化物コートを有するシリコンウェーハーを、1,000rpmでスピンコートすることによりこの組成物の薄いフィルムでコートし、130℃で1分間ソフトベークして残留溶剤を除去し、窒素下で2分間、340℃でアニールした。次いで、反応性イオンエッチを、Plasma Therm 790+を用いて2段階エッチを用いて行い、最初にCHF3を用いて(50sccm、100W、10mTorr圧)PDMSの上部層を除去し、次に酸素エッチでPSを除去し、PDMSを酸化した(25sccm、180W、6mTorr圧)。パターンの代表的なSEM像を図8に示し、これは酸化PDMSにより形成された指紋パターン及びパターンの劣化がないことを示す。これは、ブロックコポリマー及びブラシの組成物が、別々のステップでブラシ及びブロックコポリマーをコート及びアニールする2ステッププロセスを削除し、これにより全体的な加工コストを大いに減少させるために使用され得ることを示す。
34nmのドメイン間隔のPS−b−PDMS(PS−b−PDMS−34)の円筒状形態を形成する調合物を、PS−b−PDMS−1のPGMEA溶液を、1.22重量%溶液で85:15重量比のPS−b−PDMS−2と配合することにより調製した。PS−OH−2(0.050g)を10gのこの溶液に添加して、PS−b−PDMS−34及びPS−OH−2ブラシの両方を含有する溶液を形成した。自然酸化物コートを有するシリコンウェーハーを、1,000rpmでスピンコートすることによりこの組成物の薄いフィルムでコートし、130℃で1分間ソフトベークして残留溶剤を除去し、窒素下で2分間、340℃でアニールした。次いで、反応性イオンエッチを、Plasma Therm 790+を用いて2段階エッチを用いて行い、最初にCHF3を用いて(50sccm、100W、10mTorr圧)PDMSの上部層を除去し、次に酸素エッチでPSを除去し、PDMSを酸化した(25sccm、180W、6mTorr圧)。パターンの代表的なSEM像を図9に示し、これは酸化PDMSにより形成された指紋パターン及びパターンの劣化がないことを示す。これは、ブロックコポリマー及びブラシの組成物が、別々のステップでブラシ及びブロックコポリマーをコート及びアニールする2ステッププロセスを削除し、これにより全体的な加工コストを大いに減少させるために使用され得ることを示す。
Claims (10)
- パターン形成方法であって、
ブラシポリマーの層を欠く基材を提供することと、
組成物であって、
第1のポリマー及び第2のポリマーを含むブロックコポリマーであって、前記ブロックコポリマーの前記第1のポリマー及び前記第2のポリマーが互いに異なり、前記第1のポリマーがビニル芳香族ポリマーであり、前記第2のポリマーがエチレン性不飽和ポリマーであるブロックコポリマーと、
前記基材上に配置された際に前記基材と結合または錯体もしくは配位体を形成する反応性官能部分を含む添加剤ポリマーと、
溶剤と、を含む組成物を前記基材上に配置することと、次に
前記添加剤ポリマーの前記基材への結合または錯体化もしくは配位、及び前記ブロックコポリマーの前記第1のポリマーと前記第2のポリマーとの間のドメイン分離を促進するために前記組成物をアニールして、前記第1のポリマー及び前記第2のポリマーから形成される周期的ドメインの形態を形成することと、を順次含む、前記方法。 - 前記ブロックコポリマーの少なくとも1つのドメインを除去することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記添加剤ポリマーが第3のポリマーを含み、前記第3のポリマーが前記ブロックコポリマーの前記第1のポリマーもしくは前記第2のポリマーのいずれかと化学的に同一であるか、もしくは化学的に類似するか、あるいは前記添加剤ポリマーが第3のポリマー及び第4のポリマーを含むコポリマーであり、前記添加剤ポリマーの前記第3のポリマー及び前記第4のポリマーが互いに異なり、前記ブロックコポリマーの前記第1のポリマーが前記添加剤ポリマーの前記第3のポリマーと化学的に同一であるか、もしくは化学的に類似するか、または前記ブロックコポリマーの前記第2のポリマーが前記添加剤ポリマーの前記第4のポリマーと化学的に同一であるか、もしくは化学的に類似する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のポリマーが、式(1):
- 前記第2のポリマーが、式(2):
- 前記添加剤ポリマーが、ヒドロキシル末端官能化ポリ(スチレン−r−メチルメタクリレート)またはヒドロキシル末端官能化ポリ(スチレン)−r−ポリ(メチルメタクリレート)−r−ポリ(ヒドロキシエチルメタクリレート)である、請求項1に記載の方法。
- 前記ブロックコポリマーが、ポリスチレン及びポリメチルメタクリレートを含み、前記ポリスチレンが、前記ブロックコポリマーの合計モル数に基づいて45〜55モルパーセントの量で存在する、請求項1に記載の方法。
- 前記ブロックコポリマーが、ポリスチレン及びポリメチルメタクリレートを含み、前記ポリスチレンが、前記ブロックコポリマーの合計モル数に基づいて20〜35モルパーセントの量で存在する、請求項1に記載の方法。
- 前記添加剤ポリマーが、前記ブロックコポリマーより低い分子量を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記反応性官能部分が、ヒドロキシ基を含む、請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462097671P | 2014-12-30 | 2014-12-30 | |
US62/097,671 | 2014-12-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016138245A JP2016138245A (ja) | 2016-08-04 |
JP6333233B2 true JP6333233B2 (ja) | 2018-05-30 |
Family
ID=56163460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015243904A Active JP6333233B2 (ja) | 2014-12-30 | 2015-12-15 | 誘導自己組織化のためのコポリマー調合物、その製造方法、及びそれを含む物品 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160186001A1 (ja) |
JP (1) | JP6333233B2 (ja) |
KR (1) | KR101876437B1 (ja) |
CN (1) | CN105731371B (ja) |
TW (1) | TWI614299B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10011713B2 (en) | 2014-12-30 | 2018-07-03 | Dow Global Technologies Llc | Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
US11021630B2 (en) | 2014-12-30 | 2021-06-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
US10294359B2 (en) | 2014-12-30 | 2019-05-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
TWI669337B (zh) | 2015-02-26 | 2019-08-21 | 美商羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件 |
TWI612379B (zh) | 2015-02-26 | 2018-01-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件 |
TWI627219B (zh) | 2015-02-26 | 2018-06-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件 |
TWI588200B (zh) | 2015-02-26 | 2017-06-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件 |
KR101946776B1 (ko) * | 2015-06-04 | 2019-02-13 | 주식회사 엘지화학 | 중성층 조성물 |
KR102443384B1 (ko) | 2016-07-06 | 2022-09-16 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 막 형성용 조성물, 막 형성 방법 및 자기 조직화 리소그래피 프로세스 |
KR102097819B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2020-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
KR102071914B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2020-01-31 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
KR102183698B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2020-11-26 | 주식회사 엘지화학 | 고분자막의 제조 방법 |
KR102136470B1 (ko) * | 2018-12-24 | 2020-07-22 | (주)서영 | 기판과 평행방향으로 자기조립된 실린더 블록공중합체를 이용한 대면적 나노패턴 제조 방법 |
KR20210118111A (ko) * | 2019-01-17 | 2021-09-29 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 패턴 형성을 위한 낮은 Tg 올리고머의 존재 하에서의 향상된 유도 자가 조립 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW576864B (en) * | 2001-12-28 | 2004-02-21 | Toshiba Corp | Method for manufacturing a light-emitting device |
JP4077312B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2008-04-16 | 株式会社東芝 | 発光素子の製造方法および発光素子 |
JP2005041931A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Jsr Corp | 重合体組成物及びナノオーダーパターン形成方法 |
US8168284B2 (en) * | 2005-10-06 | 2012-05-01 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Fabrication of complex three-dimensional structures based on directed assembly of self-assembling materials on activated two-dimensional templates |
JP2007246600A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 自己組織化高分子膜材料、自己組織化パターン、及びパターン形成方法 |
US8343578B2 (en) * | 2006-10-30 | 2013-01-01 | International Business Machines Corporation | Self-assembled lamellar microdomains and method of alignment |
US7521094B1 (en) * | 2008-01-14 | 2009-04-21 | International Business Machines Corporation | Method of forming polymer features by directed self-assembly of block copolymers |
US8101261B2 (en) * | 2008-02-13 | 2012-01-24 | Micron Technology, Inc. | One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof |
US8059350B2 (en) * | 2009-10-22 | 2011-11-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Patterned magnetic recording disk with patterned servo sectors having chevron servo patterns |
US8821978B2 (en) * | 2009-12-18 | 2014-09-02 | International Business Machines Corporation | Methods of directed self-assembly and layered structures formed therefrom |
WO2011116217A1 (en) * | 2010-03-18 | 2011-09-22 | Board Of Regents The University Of Texas System | Surface treatments for alignment of block copolymers |
US20120135159A1 (en) * | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Seagate Technology Llc | System and method for imprint-guided block copolymer nano-patterning |
US9299381B2 (en) * | 2011-02-07 | 2016-03-29 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Solvent annealing block copolymers on patterned substrates |
JP5898449B2 (ja) * | 2011-10-05 | 2016-04-06 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | パターン形成用樹脂組成物及びパターン形成方法 |
CN103094095B (zh) * | 2011-10-28 | 2015-10-21 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 制造半导体器件的方法 |
US8513356B1 (en) * | 2012-02-10 | 2013-08-20 | Dow Global Technologies Llc | Diblock copolymer blend composition |
US8853101B1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-10-07 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for fabricating integrated circuits including formation of chemical guide patterns for directed self-assembly lithography |
JP2014186773A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | パターンの形成方法、及び磁気記録媒体の製造方法 |
-
2015
- 2015-11-18 US US14/944,466 patent/US20160186001A1/en not_active Abandoned
- 2015-12-07 TW TW104140991A patent/TWI614299B/zh active
- 2015-12-15 CN CN201510938179.XA patent/CN105731371B/zh active Active
- 2015-12-15 JP JP2015243904A patent/JP6333233B2/ja active Active
- 2015-12-21 KR KR1020150183219A patent/KR101876437B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160081805A (ko) | 2016-07-08 |
TWI614299B (zh) | 2018-02-11 |
CN105731371B (zh) | 2018-10-23 |
KR101876437B1 (ko) | 2018-07-10 |
JP2016138245A (ja) | 2016-08-04 |
US20160186001A1 (en) | 2016-06-30 |
TW201623422A (zh) | 2016-07-01 |
CN105731371A (zh) | 2016-07-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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