JP6321172B2 - 熱エネルギー伝達低減のための基板キャリア - Google Patents

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Description

［０００１］ 本明細書に記載の主題は概して、基板ハンドリングシステムに関し、より具体的には、薄膜バッテリ製造及びディスプレイ業界で使用される材料堆積処理中に基板を処理するための基板キャリア及びシステムに関する。
［０００２］ 概して、基板キャリアは、基板又はウエハを支持又は保持し、これらを処理設備内へ又は処理設備を通って移送するために使用される。例えば、基板キャリアは、ガラス、シリコン又は他の材料を含む基板又はウエハを＿処理設備内へ又は処理設備を通って移送するため、ディスプレイ又は光電池業界で使用される。このような基板支持体又は基板キャリアは、基板又はウエハが特に薄く面積が大きい場合には、損傷のリスクがあることから、直接移送、すなわち補助移送装置を使わずに移送することができないため、とりわけ重要になりうる。
［０００３］ 例えば、スパッタリングなどの物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセスでは、基板キャリアは一般的に、材料堆積プロセス中に基板を水平に保つ、比較的平坦な表面をもたらす。
［０００４］ 基板キャリア又はホルダに関連する欠点の１つは、高温処理中に歪みやすいことである。例えば、熱膨張によるキャリアのわずかな変形は、基板上に一様でない材料の堆積を引き起こしうる。この不均質な材料の堆積は、堆積品質に大きな影響を及ぼしうる。したがって、高温処理中には、グラファイトなど、より温度安定性の高い材料を含む基板キャリアが使用されうる。しかしながら、これらの材料は一般的に非常に高価であるため、例えば、薄膜バッテリ製造、ディスプレイ製造、又は他の応用のための基板ハンドリングシステムの総所有コスト（ＴＣＯ）は、比較的に高くなる。
［０００５］ このため、当然のことながら、ＴＣＯが低く、高温堆積処理中の安定性が改善された、基板キャリア及び基板ハンドリングシステムが望ましい。したがって、本明細書に記載の主題は、高品質かつ低運用コストでの基板上への材料層の堆積を可能にする、基板キャリア又は基板ホルダ並びに基板ハンドリングシステムの改善に関連する。
［０００６］ 一態様では、処理される基板を保持し、移送装置によってその基板を処理領域内へ又は処理領域を通って移送するための基板キャリアが提供される。基板キャリアは、基板を保持するための主要部分、移送装置によって支持されるように適合された第１末端部分、及び主要部分を第１末端部分に接続する少なくとも１つの第１中間部分を含む。少なくとも１つの第１中間部分は、主要部分と第１末端部分との間で熱エネルギー伝達を低減するように適合された一又は複数の切り欠きを含む。
［０００７］ 別の態様では、上述のような基板キャリアの使用は、基板キャリアによって保持された基板が熱処理を受けている間に、基板と移送装置との間の熱エネルギー伝達を低減するように準備される。
［０００８］ 更に別の態様では、基板を処理するためのシステムが提供される。システムは、上述の基板キャリア、基板を処理するための少なくとも１つの処理チャンバ、及び基板キャリアを支持するための移送装置を含む。
［０００９］ 本発明の更なる態様、利点及び特徴は、従属請求項、明細書及び添付の図面から明らかとなる。
［００１０］ 当業者には、その最良の形態を含む完全かつ実施可能な開示は、以下に添付の図面の参照を含む、明細書の残りの部分でより詳細に記載されている。
基板を保持するための基板キャリアを示す、本明細書の実施形態による概略図である。 ラインＡ−Ａに沿って図１に示された基板キャリアの断面を示す、本明細書の実施形態による概略図である。 基板を保持するための基板キャリアを示す、本明細書の実施形態による概略図である。 基板を保持するための基板キャリアの一部を示す、本明細書の更なる実施形態による概略図である。 基板を保持するための基板キャリアの一部を示す、本明細書の更なる実施形態による概略図である。 基板キャリアの方向変位を示す、本明細書の実施形態による概略図である。
［００１６］ 次に、各図に一または複数の例が示されている様々な実施形態を細部にわたり参照する。各例は説明として提示されており、限定を意味するものではない。例えば、一実施形態の一部として図示又は説明された特徴を用いて、或いは他の実施形態と組み合わせて、さらに別の実施形態を得ることができる。本開示は、このような修正又は変形を含むことが意図されている。
［００１７］ 本明細書で使用されているように、基板の「前面」という用語は、一般的に、処理中には基板キャリアに面しておらず、処理される面に関連する基板の上面を意味し、基板の「背面」は、一般的に、移送／処理中の基板キャリア又は基板ホルダに面する基板の底面を意味する。本明細書に記載の実施形態では、前面及び背面は実質的に平坦かつ平行となりうる。
［００１８］ 本明細書で使用されているように、「熱分離」という用語は、基板キャリアの２つの部分の間で、或いは基板キャリアと移送装置との間で、熱エネルギー伝達を低減することとして理解されるよう、意図されている。
［００１９］ 本明細書で使用されているように、「開放切り欠き」という用語は、切り欠き又はスリットを表わすように意図されており、基板キャリアの側端面に向かって開口部を有する部分を含む。本明細書で使用されているように、「閉鎖切り欠き」という用語は、基板キャリアによって完全に囲まれた切り欠き又はスリット、例えば、基板キャリアの上表面と下表面とを相互連結する穴又は貫通孔を表わすように意図されている。
［００２０］ 本明細書で使用されているように、「熱処理」という用語は、熱エネルギーを生成する任意の処理ステップを表わすように意図されている。このような熱処理の非限定的な例には、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）などの化学気相堆積（ＣＶＤ）に加えて、スパッタ堆積などの物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセスが含まれうる。
［００２１］ 本明細書に記載の実施形態によれば、処理中には、多種多様な異なるタイプの基板ホルダが存在しうる。例えば、基板ホルダは、主要部分、すなわち支持された基板を受ける及び／又は横たえる表面を有する本体を含みうる。基板を受ける又は支持する基板ホルダの表面は、支持された基板の背面と接することがありうる。
［００２２］ 基板キャリアの主要部分は、例えば、一又は複数の基板を支持する、閉鎖プレートであってもよい。閉鎖プレートは、一又は複数の基板を受けるように適合された、一又は複数の凹んだ或いは薄くなった区間を含みうる。凹んだ或いは薄くなった区間は、１つの基板又は複数の基板がそこに適合されるように、寸法が決められている。本明細書に記載の実施形態では、凹んだ或いは薄くなった区間は、くぼみ又はポケットと称されることがある。
［００２３］ 本明細書に記載のように、処理される基板を保持するための基板キャリアが提供される。基板キャリアは、基板を保持するための主要部分、移送装置によって支持されるように適合された第１末端部分、及び主要部分を第１末端部分に接続する少なくとも１つの第１中間部分を含む。少なくとも１つの第１中間部分は、主要部分と第１末端部分との間で熱エネルギー伝達を低減するように適合された一又は複数の切り欠きを含む。
［００２４］ 本明細書に記載の更なる実施形態によれば、基板キャリアの主要部分は、一又は複数の基板を支持する開放プレートであってもよい。開放プレートは、基板キャリアを完全に通って延在する一又は複数の切り欠きを含みうる。一又は複数の切り欠きは、１つの基板又は複数の基板がそこに適合されるように、寸法が決められてもよい。
［００２５］ 本明細書に記載の実施形態では、基板キャリアは、移送装置によって支持されるように適合された少なくとも１つの第１末端部分を含みうる。本明細書に記載の実施形態では、移送装置は、保持装置とも称されうる。移送装置は、基板キャリアを、例えば処理リアクタ内へ移動するために使用されうる。移送装置はまた、基板キャリアを所定の位置に保持又は固定するようにも機能しうる。
［００２６］ 基板キャリアの第１末端部分は、例えば、保持装置に対して一又は複数の装着点を含みうる。例えば、第１末端部分には３つの装着点が配置されうる。装着点は、基板キャリアの重量、寸法及び形状に基づいて、全体的に所望どおりに構成されうる。装着点は、基板キャリアと、例えば移送装置との間の接続を促進する。本明細書に記載の実施形態によれば、電気絶縁のための磁石システム及び／又はプラスチック部品は、第１末端部分の装着点で組み立てられうる。
［００２７］ 本明細書に記載の実施形態によれば、基板キャリアはオプションにより、移送装置によって支持されるように適合された第２末端部分も含みうる。第２末端部分はまた、一又は複数の装着点を含みうる。例えば、第２末端部分は５つの装着点を含みうる。本明細書に記載の実施形態によれば、第１末端部分と同様に、電気絶縁のための磁石システム及び／又はプラスチック部品は、第２末端部分の装着点で組み立てられうる。
［００２８］ 第２末端部分は、第１末端部分と同じ数及びタイプの装着点を含みうる。本明細書に記載の更なる実施形態では、第２末端部分の装着点の数及びタイプは、第１末端部分の装着点の数及びタイプと異なりうる。
［００２９］ 本明細書に記載の実施形態によれば、基板キャリアは、主要部分を第１末端部分に接続する第１中間部分を含みうる。オプションにより、本明細書に記載の実施形態では、基板キャリアは、主要部分を第２末端部分に接続する第２中間部分を含みうる。
［００３０］ 本明細書に記載の実施形態では、処理中、処理される基板を支持する基板キャリアの主要部分は、最高温度を経験しうる。第１及び／又は第２中間部分は、主要部分と第１末端部分及び／又は第２末端部分との間で熱エネルギー伝達を低減するように適合された一又は複数の切り欠きを含みうる。本明細書では、既に述べた切り欠きはまた、熱エネルギー分離切り欠きとも称されうる。
［００３１］ 図１は、基板１０５を保持するための基板キャリア１００を示す、本明細書に記載の実施形態による概略図である。基板キャリアは、基板１０５を保持するための主要部分１１０、第１末端部分１３０、及び主要部分１１０を第１末端部分１３０に接続する第１中間部分１２０を含みうる。３つの装着点３００は、基板キャリア１００の第１末端部分１３０に配置されうる。装着点は、基板キャリアを移送装置（図に示さず）に接続するために利用されうる。装着点は更に、例えば移送装置から基板キャリアを電気絶縁する磁石システム又はプラスチック部品を含みうる。
［００３２］ 本明細書に記載の実施形態によれば、基板キャリアの主要部分は、熱負荷中（すなわち、熱エネルギーが基板に提供される基板の処理中）に、最大の温度変化を経験しうる。
［００３３］ 図１に示したように、基板キャリア１００は、基板キャリアの第１末端に配置された第１末端部分１３０、及び基板キャリア１００の第２末端に配置された第２末端部分１５０を含みうる。第１末端部分１３０及び第２末端部分１５０は、基板キャリア１００の対向する末端に存在しうる。
［００３４］ 主要部分１１０は、第１中間部分１２０及び第２中間部分１４０を介して、それぞれ第１末端部分１３０及び第２末端部分１５０に相互接続されうる。基板キャリア１００の主要部分１１０に支持されている基板１０５の熱処理中、最高量の熱エネルギーが、基板キャリア１００の主要部分１１０に局所集中されうる。
［００３５］ 基板キャリア１００の主要部分１１０から末端部分１３０、１５０への熱エネルギー伝達を低減するため、第１中間部分１２０及び／又は第２中間部分１４０は一又は複数の熱エネルギー分離切り欠きを含みうる。
［００３６］ 本明細書に記載の実施形態によれば、一又は複数の熱エネルギー分離切り欠きによる、基板が支持されている主要部分から基板キャリアの各末端部分への熱エネルギー伝達の低減又は防止は、処理システムのより安全な運用を保証しうる。これは更に、基板キャリア又は移送装置の経時的な材料疲労を低減しうる。基板キャリア上での熱エネルギー伝達の低減は、基板キャリア表面の歪みを更に低減し、これにより極めて高い品質での基板の処理を保証し、更に、基板キャリアが交換される必要なく、連続的な処理ステップに使用されうることを保証する。したがって、基板の全体的な処理品質は改善され、一方で運用時間及び運用コストは大幅に低減されうる。
［００３７］ 図１に示した基板キャリア１００の主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の熱エネルギー伝達を効率的に低減するため、第１中間部分１２０は一又は複数の熱エネルギー分離切り欠き、例えば第１開放切り欠き２０１、第２開放切り欠き２０２、閉鎖切り欠き２１０を含みうる。本明細書に記載の実施形態によれば、第１中間部分１２０は、第１開放切り欠き２０１及び第２開放切り欠き２０２を含む。第１切り欠き２０１及び第２切り欠き２０２は、基板キャリア１００の対向する側端面２６１、２６２に向かって開放されている。第１切り欠き２０１及び第２切り欠き２０２は共に、基板キャリア１００の側端面２６１、２６２のうちの少なくとも１つの長手方向に垂直又は実質的に垂直な方向で、基板キャリア１００の中心に向かって延在しうる。本明細書に記載の更なる実施形態では、第１及び第２の開放切り欠きは、基板キャリアのそれぞれの側端面の長手方向に対して４５度から９０度の間の任意の角度となる方向で、基板キャリアの中心に向かって延在しうる。
［００３８］ 第１切り欠き２０１及び第２切り欠き２０２は、基板キャリア１００上で互いに対して鏡面対称に配置されうる。基板キャリアの中心平面５００は、第１切り欠き２０１と第２切り欠き２０２の対称な平面となりうる。しかし、更なる実施形態では、切り欠きは互いに対して鏡面対称に配置されなくてもよい。
［００３９］ 本明細書に記載の実施形態では、第１開放切り欠きは、基板キャリアの第１側端面から基板キャリアの中心平面に向かって延在して当該平面を越え、第２開放切り欠きは、基板キャリアの第２側端面から基板キャリアの中心平面に向かって、基板キャリアの中心平面と交差することなく延在しうる。第２側端面は、基板キャリアの第１側端面に対向しうる。第２開放切り欠きは、第１開放切り欠きと平行な方向に延在しうるが、一方の切り欠きは、他方の切り欠きからオフセットされて、異なる平面内にあってもよい。
［００４０］ 実施形態によれば、第１開放切り欠き及び第２開放切り欠きは共に、基板キャリアの中心平面を越えて延在しうる。切り欠きの一方が異なる平面に沿って他方の上に配置されるように、第１開放切り欠きは第２開放切り欠きからオフセットされてもよい。基板キャリアの中間部分での第１及び第２の開放切り欠き又はスリットのこのような配置は、基板キャリアの主要部分から第１末端部分までの、及び／又は主要部分から第２末端部分までのすべての直線経路が、一又は複数の第１開放切り欠き及び／又は第２開放切り欠きのうちの少なくとも１つと交差することを保証しうる。
［００４１］ 図２は、図１に示した基板キャリア１００の平面Ａ−Ａに沿った断面を示す。本明細書に記載の実施形態によれば、第１切り欠き２０１及び／又は第２切り欠き２０２はそれぞれ、基板キャリア１００の外側端面２６１、２６２から基板キャリア１００の中心平面５００に向かって、基板キャリア１００の幅の全長の最大４５％まで延在しうる。その関連において、基板キャリア１００の幅は、基板キャリア１００の第１側端面２６１から第２側端面２６２までの最短直線の長さとして表わされうる。
［００４２］ 基板キャリア１００は、図１に示した実施形態によれば、閉鎖切り欠き２１０を更に含みうる。閉鎖切り欠き２１０は、主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短熱伝導経路の長さが、主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短距離よりも大きくなるように、配置されうる。
［００４３］ 閉鎖切り欠き２１０は、基板キャリアが第１開放切り欠き２０１及び第２開放切り欠き２０２をそれぞれ部分的に取り囲むように、基板キャリア１００上に配置されうる。閉鎖切り欠き２１０の第１部分２１１は、第１開放切り欠き２０１及び第２開放切り欠き２０２の上方に配置されうる。第１部分２１１は、第１切り欠き２０１及び／又は第２切り欠き２０２にそれぞれ平行な方向に延在しうる。閉鎖切り欠き２１０の第２部分２１２は、第１開放切り欠き２０１及び第２開放切り欠き２０２のうちの少なくとも１つの長手方向に対して垂直な方向に延在しうる。閉鎖切り欠き２１０の第３部分２１３は、第１開放切り欠き２０１及び第２開放切り欠き２０２の下方に配置されうる。第３部分２１３は、第１切り欠き２０１及び／又は第２切り欠き２０２にそれぞれ平行な方向に延在しうる。
［００４４］ 図１に示した実施形態によれば、閉鎖切り欠き２１０の第１部分２１１、第２部分２１２及び第３部分２１３は、基板キャリア１００の主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短熱伝導経路が、基板キャリア１００の主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短距離よりも大きいことを保証するため、第１開放切り欠き２０１及び／又は第２開放切り欠き２０２と一体となって機能する。基板キャリア１００の主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短距離は、基板キャリア１００の主要部分１１０上の仮想点と第１末端部分１３０上の仮想点との間の最短直線として定義されうる。
［００４５］ 上述のように、本明細書に記載の実施形態によれば、基板キャリアは、主要部分を第１末端部分に接続する第１中間部分を含みうる。オプションにより、本明細書に記載の実施形態では、基板キャリアは、主要部分を第２末端部分に接続する第２中間部分を含みうる。
［００４６］ 本明細書に記載の実施形態では、処理中、処理される基板を支持する基板キャリアの主要部分は、最高温度を経験しうる。第１及び／又は第２中間部分は、主要部分と第１及び／又は第２末端部分との間で熱エネルギー伝達を低減するように適合された一又は複数の切り欠きを含みうる。本明細書では、既に述べた切り欠きはまた、熱エネルギー分離切り欠きとも称されうる。
［００４７］ 本明細書に記載の実施形態では、基板キャリアの主要部分と第１末端部分との間の、及び／又は主要部分と第２末端部分との間の最短熱伝導経路の長さが、基板キャリアの主要部分と第１末端部分との間の、及び／又は主要部分と第２末端部分との間の最短距離よりもそれぞれ大きくなるように、一又は複数の熱エネルギー分離切り欠きが基板キャリア上に配置されうる。
［００４８］ 本明細書に記載の実施形態によれば、主要部分から第１末端部分までの、及び／又は主要部分から第２末端部分までのすべての直線経路は、一又は複数の切り欠きのうちの少なくとも１つと、例えば、熱エネルギー分離切り欠きと交差しうる。その結果、例えば、基板の処理中、基板キャリアの主要部分からの熱エネルギーは、基板キャリアの第１及び／又は第２末端部分から効果的に分離或いは低減されうる。有利には、基板キャリアから一又は複数の移送装置までの熱エネルギー伝達もまた分離或いは低減される。
［００４９］ 基板キャリアの主要部分から基板キャリアの末端部分までの熱エネルギー伝達の分離或いは低減は、主要部分から一又は複数の移送装置までの熱エネルギー伝達を分離或いは低減し、材料疲労の低減を支援し、一又は複数の移送装置並びに基板キャリアの双方について、より軽く及び／又はよりコスト効率のよい材料の幅広い範囲での使用も可能にしうる。
［００５０］ 更に、熱負荷中の基板キャリアの主要部分から末端部分までの熱エネルギー伝達の分離或いは低減は、基板キャリアの歪みを防止しうる。
［００５１］ 本明細書に記載の実施形態では、一又は複数の熱エネルギー分離切り欠きのうちの少なくとも１つは、基板キャリアによって完全に取り囲まれるように、配置されうる。本明細書の文脈で「完全に取り囲まれる」という用語は、切り欠きが基板キャリアを通って延在する貫通孔、スリット又は穿孔となるように、基板を通って完全に延在する切り欠きが基板キャリアによって取り囲まれていることを意味するものと理解されうる。
［００５２］ 本明細書に記載の実施形態によれば、基板キャリア又はその部品は、金属又は金属合金、基板キャリア上に配設された基板の高温処理時などに、加熱されると変化しうる容積を含みうる。基板の高温処理中の基板キャリアの容積の増大は、基板キャリアの形状の歪み又は変形を引き起こしうる。更に、熱処理中の基板キャリアの温度変化により、基板キャリアの微分的な拡張又は収縮は、表面での歪み又は変形の原因となりうる。配設された基板は、基板キャリアの表面形状のこのような変化によって、結果的に損傷されること、或いは基板キャリアをその後の処理ステップで使用できない状態にすることがありうる。
［００５３］ 本明細書に記載の実施形態によれば、一又は複数の熱エネルギー分離切り欠きを含む中間部分は、熱処理中に基板を支持する基板キャリアの主要部分が歪むこと又は変形することなく、基板キャリアが熱処理中に膨張及び収縮しうることを保証する。更に、基板キャリアの一又は複数の熱エネルギー分離切り欠きは、一又は複数の付加的な応力低減切り欠きを含みうる。応力低減切り欠きは、高温処理中に基板キャリアの歪み又は変形を更に低減するように適合されている。
［００５４］ 本明細書に記載の更なる実施形態では、一又は複数の応力低減切り欠きは、相互接続されるか、基板キャリアの一又は複数の熱エネルギー分離切り欠きの一部となりうる。一又は複数の応力低減切り欠きは、基板キャリアを部分的に通って延在する開口部となりうる。一又は複数の応力低減切り欠きはまた、基板キャリアを完全に通って延在する掘削孔又は貫通孔となりうる。本明細書に記載の実施形態によれば、応力低減切り欠きは、例えば、２ｍｍ以上の曲率半径、例を挙げるならば、２ｍｍから２５ｍｍまでのいずれかの曲率半径を有しうる。
［００５５］ 本明細書に記載の実施形態では、熱エネルギー分離切り欠きの各々は、一又は複数の応力低減切り欠きを含みうる。例えば、基板キャリアによって完全に取り囲まれている熱エネルギー分離切り欠きは、４つの応力低減切り欠きを含みうる。
［００５６］ 第１末端部分１３０と同様に、基板キャリア１００の第２末端部分１５０は、基板キャリア１００を移送装置（図には示さず）に接続するのに利用されうる、一又は複数の装着点を含みうる。図１に示した基板キャリアの第２末端部分の５つの装着点は、例えば移送装置から基板キャリアを電気絶縁する磁石システム又はプラスチック部品を含みうる。本明細書に記載の更なる実施形態では、基板キャリアは異なる数の装着点を含みうる。装着点の数は、例えば、基板キャリアが使用される移送装置のタイプに依存しうる。本明細書に記載の実施形態によれば、第１末端部分１３０の装着点の数は、基板キャリア１００の第２末端部分１５０の装着点の数と同じであってもよく、或いは異なってもよい。
［００５７］ 図１に示した実施形態によれば、主要部分１１０は第２中間部分１４０を介して第２末端部分１５０に接続されうる。第１中間部分１２０と同様に、基板キャリア１００の第２中間部分１４０は、第１中間部分１２０の第１開放切り欠き２０１、第２開放切り欠き２０２及び閉鎖切り欠き２１０と同様な方法で配置されうる、一又は複数の熱エネルギー分離切り欠き、例えば第１開放切り欠き３０１、第２開放切り欠き３０２、及び閉鎖切り欠き３１０を含みうる。
［００５８］ 第１開放切り欠き３０１及び第２開放切り欠き３０２は、基板キャリア１００の対向する側端面２６１、２６２に向かって開放されてうる。第１切り欠き３０１及び第２切り欠き３０２は共に、基板キャリア１００の側端面２６１、２６２のうちの少なくとも１つの長手方向に垂直又は実質的に垂直な方向で、基板キャリア１００の中心に向かって延在しうる。本明細書に記載の更なる実施形態では、第１及び第２の切り欠きは、基板キャリアのそれぞれの側端面の長手方向に対して４５度から９０度の間の任意の角度となる方向で、基板キャリア１００の中心に向かって延在しうる。
［００５９］ 第１切り欠き３０１及び第２切り欠き３０２は、基板キャリア１００上で互いに対して鏡面対称に配置されうる。基板キャリアの中心平面５００は、第１切り欠き３０１と第２切り欠き３０２の対称な平面となりうる。しかし、更なる実施形態では、切り欠きは互いに対して鏡面対称に配置されなくてもよい。例えば、第１切り欠きは基板キャリアの第１側端面から延在し、基板キャリアの中心平面５００を越えうる。
［００６０］ 本明細書に記載の実施形態では、第２中間部分の第１開放切り欠きは、基板キャリアの第１側端面から基板キャリアの中心平面に向かって延在して当該平面を越え、第２開放切り欠きは、基板キャリアの第２側端面から基板キャリアの中心平面に向かって、基板キャリアの中心平面と交差することなく延在しうる。第２側端面は、基板キャリアの第１側端面に対向しうる。第２開放切り欠きは、第１開放切り欠きと平行な方向に延在しうるが、一方の切り欠きは、他方の切り欠きからオフセットされて、異なる平面内にあってもよい。
［００６１］ 実施形態によれば、第１開放切り欠き及び第２開放切り欠きは共に、基板キャリアの中心平面を越えて延在しうる。切り欠きの一方が異なる平面に沿って他方の上に配置されるように、第１開放切り欠きは第２開放切り欠きからオフセットされてもよい。基板キャリアの中間部分での第１及び第２の開放切り欠き又はスリットのこのような配置は、基板キャリアの主要部分から第１末端部分までの、及び／又は主要部分から第２末端部分までのすべての直線経路が、一又は複数の第１及び／又は第２開放切り欠きのうちの少なくとも１つと交差することを保証しうる。
［００６２］ 基板キャリア１００の第２中間部分１４０は、図１に示した実施形態によれば、第１中間部分１２０の閉鎖切り欠き２１０と同様に配置された閉鎖切り欠き３１０を含みうる。閉鎖切り欠き３１０は、主要部分１１０と第２末端部分１５０との間の最短熱伝導経路の長さが、主要部分１１０と第２末端部分１５０との間の最短距離よりも大きくなるように、配置されうる。
［００６３］ 閉鎖切り欠き３１０は、基板キャリアが第１開放切り欠き３０１及び第２開放切り欠き３０２をそれぞれ部分的に取り囲むように、基板キャリア１００上に配置されうる。閉鎖切り欠き３１０の第１部分３１１は、第１開放切り欠き３０１及び第２開放切り欠き３０２の上方に配置されうる。第１部分３１１は、第１切り欠き３０１及び／又は第２切り欠き３０２にそれぞれ平行な方向に延在しうる。閉鎖切り欠き３１０の第２部分３１２は、第１開放切り欠き３０１及び第２開放切り欠き３０２のうちの少なくとも１つの長手方向に対して垂直な方向に延在しうる。閉鎖切り欠き３１０の第３部分３１３は、第１開放切り欠き３０１及び第２開放切り欠き３０２の下方に配置されうる。第３部分３１３は、第１切り欠き３０１及び／又は第２切り欠き３０２にそれぞれ平行な方向に延在しうる。
［００６４］ 図１に示した実施形態によれば、閉鎖切り欠き３１０の第１部分３１１、第２部分３１２及び第３部分３１３は、基板キャリア１００の主要部分１１０と第２末端部分１５０との間の最短熱伝導経路が、基板キャリア１００の主要部分１１０と第２末端部分１５０との間の最短距離よりも大きいことを保証するため、第１開放切り欠き３０１及び／又は第２開放切り欠き３０２と一体となって機能する。基板キャリア１００の主要部分１１０と第２末端部分１５０との間の最短距離は、基板キャリア１００の主要部分１１０上の仮想点と第２末端部分１５０上の仮想点との間の最短直線として定義されうる。
［００６５］ 図１に示した基板キャリア１００の第２中間部分１４０の閉鎖切り欠き３１０は、一又は複数の応力低減切り欠き３２０を含みうる。第２中間部分１４０の閉鎖切り欠き３１０は、４つの応力低減切り欠きを含む。応力低減切り欠きのうちの２つは、閉鎖切り欠き３１０の第１部分３１１に配置される。応力低減切り欠きのうちの他の２つは、閉鎖切り欠き３１０の第３部分３１３に配置される。本明細書に記載の実施形態では、応力低減切り欠き３２０は、閉鎖切り欠き３１０の第１部分３１１及び第３部分３１３の対向する末端にそれぞれ配置されうる。
［００６６］ 本明細書に記載の実施形態によれば、基板キャリアの第１及び第２中間部分の双方の閉鎖切り欠きは、一又は複数の応力低減切り欠きを含みうる。これらの応力低減切り欠きは、２ｍｍ以上の曲率半径、例えば、２ｍｍから２５ｍｍまでのいずれかの曲率半径を有しうる。本明細書に記載の実施形態での応力低減切り欠きは、基板キャリアの主要部分及び／又は末端部分に関して、閉鎖切り欠きと開放切り欠きとの間に配置される、基板キャリアの一部の相対運動を促進しうる（例えば、図６及び以下の記述を参照）。
［００６７］ 図３は、本明細書に記載の実施形態による基板キャリア１０１を示す。基板キャリア１０１は、複数の基板を受けるために適合された複数の切り欠き１０６を有する主要部分１１０を含む。複数の切り欠き１０６は、基板キャリア１０１を完全に通って延在する、薄くなった区間、くぼみ又は貫通孔であってもよい。
［００６８］ 主要部分１１０は、第１中間部分１２０及び第２中間部分１４０を介して、それぞれ第１末端部分１３０及び第２末端部分１５０に相互接続されうる。基板キャリア１０１の主要部分１１０に支持されている複数の基板の熱処理中、最高量の熱エネルギーが、基板キャリア１０１の主要部分１１０に局所集中されうる。
［００６９］ 図１に示した実施形態と同様に、基板キャリア１０１の主要部分１１０から末端部分１３０、１５０への熱エネルギー伝達を低減するため、第１中間部分１２０及び／又は第２中間部分１４０は一又は複数の熱エネルギー分離切り欠きを含みうる。基板キャリア１０１の第１末端部分１３０及び第２末端部分１５０は、第１中間部分１２０及び第２中間部分１４０をそれぞれ介して主要部分１１０に接続されうる。第１中間部分１２０及び第２中間部分１４０は、一又は複数の熱エネルギー分離切り欠き、及び一又は複数の応力低減切り欠きの双方を含みうる。
［００７０］ 図３に示した実施形態では、第１中間部分１２０は、互いに対して鏡面対称に配置された２つの熱エネルギー分離開放切り欠きを含む。第１中間部分１２０は更に、２つの熱エネルギー分離開放切り欠きを部分的に取り囲む、熱エネルギー分離閉鎖切り欠きを含む。
［００７１］ 図３に示した基板キャリア１０１の主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の熱エネルギー伝達を効率的に低減するため、第１中間部分１２０は一又は複数の熱エネルギー分離切り欠き、例えば第１開放切り欠き２０１、第２開放切り欠き２０２、及び閉鎖切り欠き２１０を含みうる。本明細書に記載の実施形態によれば、第１中間部分１２０は、第１開放切り欠き２０１及び第２開放切り欠き２０２を含む。第１切り欠き２０１及び第２切り欠き２０２は、基板キャリア１０１の対向する側端面２６１、２６２に向かって開放されている。第１切り欠き２０１及び第２切り欠き２０２は共に、基板キャリア１０１の側端面２６１、２６２のうちの少なくとも１つの長手方向に垂直又は実質的に垂直な方向で、基板キャリア１０１の中心に向かって延在しうる。本明細書に記載の更なる実施形態では、第１及び第２の切り欠きは、基板キャリアのそれぞれの側端面の長手方向に対して４５度から９０度の間の任意の角度となる方向で、基板キャリアの中心に向かって延在しうる。
［００７２］ 第１切り欠き２０１及び第２切り欠き２０２は、基板キャリア１０１上で互いに対して鏡面対称に配置されうる。基板キャリアの中心平面５００は、第１切り欠き２０１と第２切り欠き２０２の対称な平面となりうる。しかし、更なる実施形態では、切り欠きは互いに対して鏡面対称に配置されなくてもよい。
［００７３］ 基板キャリア１０１は、図３に示した実施形態によれば、閉鎖切り欠き２１０を更に含みうる。閉鎖切り欠き２１０は、主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短熱伝導経路の長さが、主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短距離よりも大きくなるように、配置されうる。
［００７４］ 閉鎖切り欠き２１０は、基板キャリアが第１開放切り欠き２０１及び第２開放切り欠き２０２をそれぞれ部分的に取り囲むように、基板キャリア１０１上に配置されうる。閉鎖切り欠き２１０の第１部分２１１は、第１開放切り欠き２０１及び第２開放切り欠き２０２の上方に配置されうる。第１部分２１１は、第１切り欠き２０１及び／又は第２切り欠き２０２にそれぞれ平行な方向に延在しうる。閉鎖切り欠き２１０の第２部分２１２は、第１開放切り欠き２０１及び第２開放切り欠き２０２のうちの少なくとも１つの長手方向に対して垂直な方向に延在しうる。閉鎖切り欠き２１０の第３部分２１３は、第１開放切り欠き２０１及び第２開放切り欠き２０２の下方に配置されうる。第３部分２１３は、第１切り欠き２０１及び／又は第２切り欠き２０２にそれぞれ平行な方向に延在しうる。
［００７５］ 図３に示した実施形態によれば、閉鎖切り欠き２１０の第１部分２１１、第２部分２１２及び第３部分２１３は、基板キャリア１０１の主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短熱伝導経路が、基板キャリア１０１の主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短距離よりも大きいことを保証するため、第１開放切り欠き２０１及び／又は第２開放切り欠き２０２と一体となって機能しうる。基板キャリア１０１の主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短距離は、基板キャリア１０１の主要部分１１０上の仮想点と第１末端部分１３０上の仮想点との間の最短直線として定義されうる。
［００７６］ 図３に示した基板キャリア１０１の第１中間部分１２０の閉鎖切り欠き２１０は、一又は複数の応力低減切り欠き２２０を含みうる。第１中間部分１２０の閉鎖切り欠き２１０は、４つの応力低減切り欠きを含む。応力低減切り欠きのうちの２つは、閉鎖切り欠き２１０の第１部分２１１に配置される。応力低減切り欠きのうちの他の２つは、閉鎖切り欠き２１０の第３部分２１３に配置される。本明細書に記載の実施形態では、応力低減切り欠き２２０は、閉鎖切り欠き２１０の第１部分２１１及び第３部分２１３の対向する末端にそれぞれ配置されうる。
［００７７］ 本明細書に記載の実施形態によれば、基板キャリアの第１中間部分の閉鎖切り欠きは、一又は複数の応力低減切り欠きを含みうる。これらの応力低減切り欠きは、２ｍｍ以上の曲率半径、例えば、２ｍｍから２５ｍｍまでのいずれかの曲率半径を有しうる。本明細書に記載の実施形態での応力低減切り欠きは、基板キャリアの主要部分及び／又は末端部分に関して、閉鎖切り欠きと開放切り欠きとの間に配置される、基板キャリアの一部の相対運動を促進しうる（例えば、図６及び以下の記述を参照）。
［００７８］ 図３に示した実施形態によれば、主要部分１１０は第２中間部分１４０を介して第２末端部分１５０に接続されうる。第１中間部分１２０と同様に、基板キャリア１０１の第２中間部分１４０は、第１中間部分１２０の切り欠き２０１、２０２及び２１０と同様な方法で配置されうる、一又は複数の熱エネルギー分離切り欠き、例えば第１開放切り欠き３０１、第２開放切り欠き３０２、及び閉鎖切り欠き３１０を含みうる。
［００７９］ 第２中間部分１４０の第１開放切り欠き３０１及び第２開放切り欠き３０２は、基板キャリア１０１の対向する側端面２６１、２６２に向かって開放されてうる。第１切り欠き３０１及び第２切り欠き３０２は共に、基板キャリア１０１の側端面２６１、２６２のうちの少なくとも１つの長手方向に垂直又は実質的に垂直な方向で、基板キャリア１０１の中心に向かって延在しうる。本明細書に記載の更なる実施形態では、第１及び第２の切り欠きは、基板キャリアのそれぞれの側端面の長手方向に対して４５度から９０度の間の任意の角度となる方向で、基板キャリアの中心に向かって延在しうる。
［００８０］ 第１切り欠き３０１及び第２切り欠き３０２は、基板キャリア１０１上で互いに対して鏡面対称に配置されうる。基板キャリアの中心平面５００は、第１切り欠き３０１と第２切り欠き３０２の対称な平面となりうる。しかし、更なる実施形態では、切り欠きは互いに対して鏡面対称に配置されなくてもよい。例えば、第１切り欠きは基板キャリアの第１側端面から延在し、基板キャリアの中心平面５００を越えうる。
［００８１］ 本明細書に記載の実施形態では、第１開放切り欠きは、基板キャリアの第１側端面から基板キャリアの中心平面に向かって延在して当該平面を越え、第２開放切り欠きは、基板キャリアの第２側端面から基板キャリアの中心平面に向かって、基板キャリアの中心平面と交差することなく延在しうる。第２側端面は、基板キャリアの第１側端面に対向しうる。第２開放切り欠きは、第１開放切り欠きと平行な方向に延在しうるが、一方の切り欠きは、他方の切り欠きからオフセットされて、異なる平面内にあってもよい。
［００８２］ 実施形態によれば、第１開放切り欠き及び第２開放切り欠きは共に、基板キャリアの中心平面を越えて延在しうる。切り欠きの一方が異なる平面に沿って他方の上に配置されるように、第１開放切り欠きは第２開放切り欠きからオフセットされてもよい。基板キャリアの中間部分での第１及び第２の開放切り欠き又はスリットのこのような配置は、基板キャリアの主要部分から第１末端部分までの、及び／又は主要部分から第２末端部分までのすべての直線経路が、一又は複数の第１及び／又は第２開放切り欠きのうちの少なくとも１つと交差することを保証しうる。
［００８３］ 基板キャリア１０１の第２中間部分１４０は、図３に示した実施形態によれば、第１中間部分１２０の閉鎖切り欠き２１０と同様に配置された閉鎖切り欠き３１０を含みうる。閉鎖切り欠き３１０は、主要部分１１０と第２末端部分１５０との間の最短熱伝導経路の長さが、主要部分１１０と第２末端部分１５０との間の最短距離よりも大きくなるように、配置されうる。
［００８４］ 閉鎖切り欠き３１０は、基板キャリアが第１開放切り欠き３０１及び第２開放切り欠き３０２をそれぞれ部分的に取り囲むように、基板キャリア１０１上に配置されうる。閉鎖切り欠き３１０の第１部分３１１は、第１開放切り欠き３０１及び第２開放切り欠き３０２の上方に配置されうる。第１部分３１１は、第１切り欠き３０１及び／又は第２切り欠き３０２にそれぞれ平行な方向に延在しうる。閉鎖切り欠き３１０の第２部分３１２は、第１開放切り欠き３０１及び第２開放切り欠き３０２のうちの少なくとも１つの長手方向に対して垂直な方向に延在しうる。閉鎖切り欠き３１０の第３部分３１３は、第１開放切り欠き３０１及び第２開放切り欠き３０２の下方に配置されうる。第３部分３１３は、第１切り欠き３０１及び／又は第２切り欠き３０２にそれぞれ平行な方向に延在しうる。
［００８５］ 図３に示した実施形態によれば、閉鎖切り欠き３１０の第１部分３１１、第２部分３１２及び第３部分３１３は、基板キャリア１０１の主要部分１１０と第２末端部分１５０との間の最短熱伝導経路が、基板キャリア１０１の主要部分１１０と第２末端部分１５０との間の最短距離よりも大きいことを保証するため、第１開放切り欠き３０１及び／又は第２開放切り欠き３０２と一体となって機能する。基板キャリア１０１の主要部分１１０と第２末端部分１５０との間の最短距離は、基板キャリア１０１の主要部分１１０上の仮想点と第２末端部分１５０上の仮想点との間の最短直線として定義されうる。
［００８６］ 図３に示した基板キャリア１０１の第２中間部分１４０の閉鎖切り欠き３１０は、一又は複数の応力低減切り欠き３２０を含みうる。第２中間部分１４０の閉鎖切り欠き３１０は、４つの応力低減切り欠きを含む。応力低減切り欠きのうちの２つは、閉鎖切り欠き３１０の第１部分３１１に配置される。応力低減切り欠きのうちの他の２つは、閉鎖切り欠き３１０の第３部分３１３に配置される。本明細書に記載の実施形態では、応力低減切り欠き３２０は、閉鎖切り欠き３１０の第１部分３１１及び第３部分３１３の対向する末端にそれぞれ配置されうる。
［００８７］ 本明細書に記載の実施形態によれば、これらの応力低減切り欠きは、２ｍｍ以上の曲率半径、例えば、２ｍｍから２５ｍｍまでのいずれかの曲率半径を有しうる。本明細書に記載の実施形態での応力低減切り欠きは、基板キャリアの主要部分及び／又は末端部分に関して、閉鎖切り欠きと開放切り欠きとの間に配置される、基板キャリアの一部の相対運動を促進しうる（例えば、図６及び以下の記述を参照）。
［００８８］ 図４及び図５は、基板を保持するための基板キャリアの一部を示す、本明細書に記載の更なる実施形態による概略図である。図４に示した基板キャリア１０２の一部は、主要部分１１０の一部、主要部分１１０を基板キャリア１０２の末端部分１３０に接続する中間部分１２０を示す。
［００８９］ 基板の熱処理中に、主要部分１１０から末端部分１３０への熱エネルギー伝達を低減するため、
中間部分１２０は、一又は複数の熱エネルギー分離切り欠き、及びオプションにより、一又は複数の応力低減切り欠きを含む。
［００９０］ 図４に示した実施形態によれば、第１中間部分１２０は、第１開放切り欠き２０１、第２開放切り欠き２０２、第３開放切り欠き２０３及び第４開放切り欠き２０４を含む。第１切り欠き２０１及び第２切り欠き２０２は、基板キャリア１０２の対向する側端面２６１、２６２に向かって開放されうる。第３切り欠き２０３及び第４切り欠き２０４はまた、基板キャリア１０２の対向する側端面２６１、２６２に向かって開放されうる。第１切り欠き２０１、第２切り欠き２０２、第３切り欠き２０３及び第４切り欠き２０４は、基板キャリア１０２の側端面２６１、２６２のうちの少なくとも１つの長手方向に垂直又は実質的に垂直な方向で、基板キャリア１０２の中心に向かって延在しうる。本明細書に記載の更なる実施形態では、第１、第２、第３及び第４の開放切り欠きは、基板キャリアのそれぞれの側端面の長手方向に対して４５度から９０度の間の任意の角度となる方向で、基板キャリアの中心に向かって延在しうる。
［００９１］ 第１切り欠き２０１及び第２切り欠き２０２、並びに第３切り欠き２０３及び第４切り欠き２０４は、基板キャリア１０２上でそれぞれ互いに対して鏡面対称に配置されうる。基板キャリアの中心平面５００は、第１切り欠き２０１と第２切り欠き２０２の、並びに第３切り欠き２０３と第４切り欠き２０４の対称な平面となりうる。しかし、更なる実施形態では、切り欠きは互いに対して鏡面対称に配置されなくてもよい。
［００９２］ 本明細書に記載の実施形態では、第１開放切り欠きは、基板キャリアの第１側端面から基板キャリアの中心平面に向かって延在して当該平面を越え、第２開放切り欠きは、基板キャリアの第２側端面から基板キャリアの中心平面に向かって、基板キャリアの中心平面と交差することなく延在しうる。第２側端面は、基板キャリアの第１側端面に対向しうる。第２開放切り欠きは、第１開放切り欠きと平行な方向に延在しうるが、一方の切り欠きは、他方の切り欠きからオフセットされて、異なる平面内にあってもよい。第３及び第４開放切り欠きは、第１及び第２切り欠きと同じような方法で配置されうる。
［００９３］ 実施形態によれば、第１及び第２開放切り欠き及び／又は第３及び第４開放切り欠きは、基板キャリアの中心平面を越えて延在しうる。切り欠きの一方が異なる平面に沿って他方の上に配置されるように、第１開放切り欠きは第２開放切り欠きからオフセットされてもよく、第３開放切り欠きは第４開放切り欠きからオフセットされてもよい。基板キャリアの中間部分での第１、第２、第３及び第４の開放切り欠き又はスリットのこのような配置は、基板キャリアの主要部分から第１末端部分までの、及び／又は主要部分から第２末端部分までのすべての直線経路が、一又は複数の開放切り欠きのうちの少なくとも１つと交差することを保証しうる。
［００９４］ 基板キャリア１０２は、図４に示した実施形態によれば、閉鎖切り欠き２１０を更に含みうる。閉鎖切り欠き２１０は、主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短熱伝導経路の長さが、主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短距離よりも大きくなるように、配置されうる。
［００９５］ 閉鎖切り欠き２１０は、基板キャリアが第１開放切り欠き２０１、第２開放切り欠き２０２、第３開放切り欠き２０３及び第４開放切り欠き２０４をそれぞれ部分的に取り囲むように、基板キャリア１０２上に配置されうる。閉鎖切り欠き２１０の第１部分２１１は、第１開放切り欠き２０１及び第２開放切り欠き２０２の上方に配置されうる。第１部分２１１は、第１切り欠き２０１及び／又は第２切り欠き２０２にそれぞれ平行な方向に延在しうる。閉鎖切り欠き２１０の第２部分２１２は、第１開放切り欠き２０１及び第２開放切り欠き２０２のうちの少なくとも１つの長手方向に対して垂直な方向に延在しうる。閉鎖切り欠き２１０の第３部分２１３は、第１開放切り欠き２０１及び第２開放切り欠き２０２の下方に、また第３開放切り欠き２０３及び第４開放切り欠き２０４の上方に、それぞれ配置されうる。閉鎖切り欠き２１０の第３部分２１３は、第１開放切り欠き２０１、第２開放切り欠き２０２、第３開放切り欠き２０３及び第４開放切り欠き２０４のうちのいずれか一又は複数に平行な方向に延在しうる。
［００９６］ 図４に示した実施形態によれば、閉鎖切り欠き２１０の第１部分２１１、第２部分２１２及び第３部分２１３は、基板キャリア１０２の主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短熱伝導経路が、基板キャリア１０２の主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短距離よりも大きいことを保証するため、第１開放切り欠き２０１、第２開放切り欠き２０２、第３開放切り欠き２０３及び第４開放切り欠き２０４と一体となって機能する。基板キャリア１０２の主要部分１１０と第１末端部分１３０との間の最短距離は、基板キャリア１０２の主要部分１１０上の仮想点と第１末端部分１３０上の仮想点との間の最短直線として定義されうる。
［００９７］ 図４に示した基板キャリア１０２の第１中間部分１２０の閉鎖切り欠き２１０は、オプションにより、一又は複数の応力低減切り欠き３２０（図には示さず）を含みうる。第１中間部分１２０の閉鎖切り欠き２１０は、４つの応力低減切り欠きを含む。応力低減切り欠きのうちの２つは、閉鎖切り欠き２１０の第１部分２１１に配置されうる。応力低減切り欠きのうちの他の２つは、閉鎖切り欠き２１０の第３部分２１３に配置されうる。本明細書に記載の実施形態では、応力低減切り欠き２２０は、閉鎖切り欠き２１０の第１部分２１１及び第３部分２１３の対向する末端にそれぞれ配置されうる。
［００９８］ 本明細書に記載の実施形態によれば、基板キャリアの第１中間部分の閉鎖切り欠きは、一又は複数の応力低減切り欠きを含みうる。これらの応力低減切り欠きは、２ｍｍ以上の曲率半径、例えば、２ｍｍから２５ｍｍまでのいずれかの曲率半径を有しうる。本明細書に記載の実施形態での応力低減切り欠きは、基板キャリアの主要部分及び／又は末端部分に関して、閉鎖切り欠きと開放切り欠きとの間に配置される、基板キャリアの一部の相対運動を促進しうる（例えば、図６及び以下の記述を参照）。
［００９９］ 図５は、本明細書に記載の更なる実施形態による基板キャリアの一部を示す。図５に示した基板キャリア１０３の一部は、図４に示した基板キャリア１０２の一部に類似している。これらの実施形態の間の違いは、図５に示した実施形態の閉鎖切り欠き２１０が、付加的な第４部分２１４及び第５部分２１５を含むことである。閉鎖切り欠き２１０の第４部分２１４は、第１開放切り欠き２０３及び第４開放切り欠き２０４のうちの少なくとも１つの長手方向に対して垂直な方向に延在しうる。閉鎖切り欠き２１０の第５部分２１５は、第３開放切り欠き２０３及び第４開放切り欠き２０４の下方に配置されうる。閉鎖切り欠き２１０の第５部分２１５は、第１開放切り欠き２０１、第２開放切り欠き２０２、第３開放切り欠き２０３及び第４開放切り欠き２０４のうちのいずれか一又は複数に平行な方向に延在しうる。
［００１００］ 本明細書に記載の実施形態によれば、閉鎖切り欠きの付加的な第４部分及び第５部分は、基板キャリアの主要部分と末端部分との間の熱分離効果を高めうる。言い換えるならば、閉鎖切り欠きの第４部分及び第５部分は、閉鎖切り欠きが第１部分、第２部分及び第３部分（例えば、図４を参照）のみを含む実施形態と比較して、基板キャリアの主要部分と末端部分との間の最短熱伝導経路を増大させうる。しかし、本明細書に記載の実施形態では、閉鎖切り欠き部分の総数は３から１５の間で変動しうる。本明細書に記載のこれまでの実施形態のいずれかと同様に、図４及び図５に示した閉鎖切り欠きは更に、上述のように一又は複数の応力低減切り欠きを含む。
［００１０１］ 図６は、本明細書に記載の実施形態による基板キャリアの方向変位を示す。図６に示された方向変位は、基板キャリア１０４の第１中間部分１２０と第２中間部分１４０の熱伝導経路の変位をよりわかりやすく示すため拡大されている。実際の変位は、例えば、処理温度、材料及びキャリアの長さなど、様々なパラメータに依存する。基板キャリア１０４の中心平面５００に向かって延在する、第１中間部分１２０の熱伝導経路部分２１６、２１７は、基板キャリア１０４の主要部分１１０に向かう方向に移動しうる。基板キャリア１０４の中心平面５００に最も近い熱伝導経路部分２１６、２１７、２１８、２１９の区間は、基板キャリア１０４の側端面２６１、２６２により近い熱伝導経路部分２１６、２１７、２１８、２１９の区間よりも大きな変位を経験しうる。
［００１０２］ 本明細書に記載の実施形態によれば、熱処理中、基板キャリア１０４の中心平面５００に最も近い第１中間部分１２０の熱伝導経路部分２１６、２１７の区間は、主要部分１１０の熱膨張が基板キャリア１０４の末端部分１３０におけるよりも大きいとき、基板キャリア１０４の主要部分１１０に向かって下向きに移動しうる。同様に、基板キャリア１０４の中心平面５００に最も近い第２中間部分１４０の熱伝導経路部分２１８、２１９の区間は、主要部分１１０の熱膨張が基板キャリア１０４の末端部分１５０におけるよりも大きいとき、基板キャリア１０４の主要部分１１０に向かって上向きに移動しうる。この熱伝導経路部分の移動の自由度は、基板キャリアの面の曲げ又は歪みを防止しうる。
［００１０３］ 本明細書に記載の実施形態では、一又は複数の熱エネルギー分離切り欠き、及びオプションにより一又は複数の応力低減切り欠きを含む基板キャリアは、基板キャリアによって保持される基板が熱処理を受ける間に、基板と移送装置との間の熱エネルギー伝達を低減するために使用されうる。
［００１０４］ 基板を処理するためのシステム及び基板キャリアの例示的な実施形態が上記に詳述されている。本システム及び基板キャリアは、本明細書に記載の特定の実施形態に限定されるのではなく、システムの構成要素及び基板キャリアは、本明細書に記載の他の構成要素とは独立かつ別々に利用されうる。
［００１０５］ 本発明の様々な実施形態の具体的な特徴は、一部の図面に示され、他の図面には示されていないことがあるが、これは単に便宜のためにすぎない。本発明の原理によれば、ある図面のどの特徴も、他の任意の図面のどの特徴とも組み合わせて参照又は特許請求することができる。
［００１０６］ 本明細書では例を用いて、最良の形態を含む本発明を開示し、また当業者が本発明を実施することを、任意の装置またはシステムを作製及び使用すること、及び組み込まれる任意の方法を実施することを含めて可能にしている。様々な具体的な実施形態を上記で開示したが、当業者には、特許請求の趣旨および範囲で、等しく効果的な修正形態が可能であることが理解されよう。特に、上述の実施形態の相互に非排他的な特徴は、互いに組み合わされうる。本発明に関して特許を受けることができる範囲は、特許請求の範囲によって規定され、当業者に想到される他の例も含むことができる。このような他の例は、それが特許請求の範囲の文字通りの言葉と相違しない構造要素を有する場合、または特許請求の範囲の文字通りの言葉とは実質的な違いがない等価の構造要素を有する場合には、特許請求の範囲内にあるものとする。

Claims (15)

  1. 処理される基板を保持し、移送装置によって基板を処理領域内で又は処理領域を通って移送するための基板キャリアであって、
    基板を保持するための主要部分と、
    移送装置によって支持される第１末端部分と
    前記主要部分を前記第１末端部分に接続する第１中間部分とを備え、
    前記第１中間部分には、前記主要部分と前記第１末端部分との間の熱エネルギー伝達を低減するための一又は複数の切り欠きが設けられ、前記主要部分と前記第１末端部分との間の熱伝導経路の最短長が、前記主要部分と前記第１末端部分との間の最短距離よりも大きく、
    さらに、
    移送装置により支持される第２末端部分と
    前記主要部分と前記第２末端部分との間にある第２中間部分であって前記主要部分と前記第２末端部分との間の熱エネルギー伝達を低減するための一又は複数の切り欠きが設けられた第２中間部分とを備える、基板キャリア。
  2. 前記第１中間部分及び／又は前記第二中間部分に設けられた一又は複数の切り欠きは、開放切り欠きと閉鎖切り欠きを含み、前記開放切り欠き及び前記閉鎖切り欠きは、前記第１末端部、前記第１中間部分、前記主要部分、前記第２中間部分、前記第２末端部分を通る長手方向に延在する中央平面に対して対称に設けられている、請求項１に記載の基板キャリア。
  3. 前記主要部分と前記第２末端部分との間の熱伝導経路の最短長が、前記主要部分と前記第２末端部分との間の最短距離よりも大きい、請求項１または２に記載の基板キャリア。
  4. 前記主要部分から前記第１末端部分までの、及び／又は前記主要部分から前記第２末端部分までのすべての直線経路は、前記一又は複数の切り欠きのうちの少なくとも１つと交差する、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板キャリア。
  5. 前記一又は複数の切り欠きのうちの少なくとも１つは、前記基板キャリアによって完全に囲まれている、請求項１から４のいずれか一項に記載の基板キャリア。
  6. 前記一又は複数の切り欠きのうちの少なくとも１つは、前記第１中間部分の、及び／又は前記第２中間部分の外側端面の全長が、それぞれの前記中間部分の前記外側端面に沿った、前記基板キャリアの外側端面に平行な直線の長さよりも大きくなるように配置される、請求項１から５のいずれか一項に記載の基板キャリア。
  7. 前記第１中間部分、及び／又は前記第２中間部分は、２つ以上の切り欠きを備える、請求項１から６のいずれか一項に記載の基板キャリア。
  8. 前記第１中間部分、及び／又は前記第２中間部分は、一又は複数の応力低減切り欠きを備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の基板キャリア。
  9. 前記一又は複数の応力低減切り欠きは、前記主要部分と前記第１末端部分との間の、及び／又は前記主要部分と前記第２末端部分との間の熱エネルギー伝達を低減するための前記一又は複数の切り欠きの一部である、請求項８に記載の基板キャリア。
  10. 前記一又は複数の応力低減切り欠きは、２ｍｍを超える曲率半径を有する、請求項８又は９に記載の基板キャリア。
  11. 前記一又は複数の切り欠き、及び／又は一又は複数の応力低減切り欠きは、前記基板キャリアを完全に通って延在する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の基板キャリア。
  12. 前記第１末端部分及び前記第２末端部分は前記基板キャリアの対向する末端にある、請求項２に記載の基板キャリア。
  13. 前記基板キャリアによって保持された前記基板が熱処理を受けている間に、前記基板と前記移送装置との間の前記熱エネルギー伝達を低減するための、請求項１から１２のいずれか一項に記載の前記基板キャリアの使用。
  14. 請求項１から１０のいずれか一項に記載の前記基板キャリアと、
    基板を処理するための少なくとも１つの処理チャンバと、
    前記基板キャリアを支持するための移送装置と
    を備える、基板を処理するためのシステム。
  15. 前記システムは真空堆積システムである、請求項１４に記載のシステム。
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