CN113130359A - 托盘以及载片装置 - Google Patents

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李学文
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龚文志
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Abstract

本发明公开了一种托盘以及载片装置，其中，托盘配置在管式PECVD设备所使用的载片装置中并保持基材，包括：第一导体；第二导体，所述第一导体和所述第二导体之间设置有绝缘介质；所述第一导体和所述第二导体中的其中一个，可和设置在所述管式PECVD设备的第一电极连接；所述第一导体和所述第二导体中的另一个，可和所述管式PECVD设备的第二电极连接；所述基材被保持在所述第一导体和所述第二导体中的其中一个。根据本发明的托盘，不仅能够应用于配置在管式PECVD设备所使用的载片装置，而且能够使载片装置应用于例如对称电极或者非对称电极的场合。

Description

托盘以及载片装置
技术领域
本发明涉及但不限于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种托盘以及载片装置。
背景技术
PECVD设备(等离子体增强化学气相沉积)广泛应用于太阳能电池的生产。目前用于太阳能电池的镀膜的PECVD设备主要有板式和管式两种。管式PECVD设备使用例如石墨舟的载片装置，不仅占地面积小、并且石墨舟单批次装片量大，能够容易地提高产能。然而，已知的管式PECVD设备的载片装置通常只应用于对称电极，使用场景受限。
发明内容
本发明旨在至少一定程度解决已知的PECVD设备存在的技术问题之一。为此，本发明提出了一种托盘，能够应用于配置在管式PECVD设备所使用的载片装置，并且能够扩展载片装置的使用场景。此外，本发明还提出了使用该托盘的载片装置。
根据本发明第一方面的托盘，配置在管式PECVD设备所使用的载片装置中并保持基材，包括：第一导体；第二导体，所述第一导体和所述第二导体之间设置有绝缘介质；所述第一导体和所述第二导体中的其中一个，可和设置在所述管式PECVD设备第一电极连接；所述第一导体和所述第二导体中的另一个，可和所述管式PECVD设备的第二电极连接；所述基材被保持在所述第一导体和所述第二导体中的其中一个。
根据本发明的托盘，至少具有如下有益效果：能够应用于配置在管式PECVD设备所使用的载片装置，并且能够使载片装置应用于例如对称电极或者非对称电极的场合，因此能够拓展载片装置的使用场景。
在一些实施例中，所述第一电极为射频电源的发射端，所述第二电极为所述射频电源的接地端。
在一些实施例中，所述第一导体和所述第二导体分别呈板状。
在一些实施例中，所述绝缘介质包括被夹持在所述第一导体和所述第二导体之间的第一绝缘件。
在一些实施例中，所述第一绝缘件至少遮住所述第一导体和所述第二导体相互相对的一面。
在一些实施例中，所述绝缘介质包括至少在所述第一导体和所述第二导体中的其中一个的表面形成的绝缘层，所述绝缘层和所述第一导体以及所述第二导体中的另一个相对。
在一些实施例中，所述第一导体和所述第一电极连接，所述第二导体和所述第二电极连接，所述基材被保持在所述第二导体上。
在一些实施例中，所述第二导体上设置有用于保持所述基材的保持部。
在一些实施例中，所述第二导体上设置有多个所述保持部，所述保持部沿所述第二导体的长度方向和/或宽度方向间隔设置。
在一些实施例中，所述保持部水平地保持所述基材。
在一些实施例中，所述保持部包括开设在所述第二导体上的凹槽，所述基材被水平地保持在所述凹槽内。
根据本发明第二方面的载片装置，包括间隔设置的多个上述任一项的托盘。
根据本发明第二方面的载片装置，能够扩展其应用场景。
在一些实施例中，相邻的两个所述托盘之间设置有第二绝缘件，所述第二绝缘件将相邻的两个所述托盘隔开。
在一些实施例中，还包括：第一导通部，分别连接所述托盘中的所述第一导体和所述第二导体的其中一个；第二导通部，分别连接所述托盘中的所述第一导体和所述第二导体中的另一个。
在一些实施例中，所述第一导通部和所述第二导通部分别位于所述托盘的长度方向的同一侧。
附图说明
图1是本发明的第一方面的托盘的一种实施例的俯视方向的示意图。
图2是图1的托盘的仰视方向的示意图。
图3是图1的托盘的侧视图。
图4是托盘的另一种实施例的侧视图。
图5是具有本发明的托盘的载片装置的一种实施例的立体图。
图6是图5中的载片装置的侧视图。
图7是图6中的A处的局部放大图。
图8是图7中的B处的局部放大图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。
图1是托盘100的俯视方向的示意图，图2是托盘100的仰视方向的示意图，图3是托盘100的侧视图。参照图1至图3，根据本发明第一方面的托盘100，配置在管式PECVD设备所使用的载片装置200(辅助参照图5)中并保持基材101，包括：第一导体102和第二导体103。第一导体102和第二导体103之间设置有绝缘介质106。第一导体102和第二导体103中的其中一个，可和设置在管式PECVD设备的第一电极104连接。第一导体102和第二导体103中的另一个，可和管式PECVD设备的第二电极105连接。基材101被保持在第一导体102和第二导体103中的其中一个。
在本实施例中，托盘100不仅能够应用于配置在管式PECVD设备所使用的载片装置200，而且能够应用于例如对称电极或者非对称电极的场合，因此能够拓展载片装置的使用场景。
具体地，例如在目前的管式的PECVD设备中，为了提高产量，通常使用对称电极，各电极上分别载置有一件基材101。为此，管式的PECVD设备采用的是中频等离子源。然而，中频等离子源频率低，且等离子体的轰击可能会导致太阳能电池片的基材损伤，从而可能影响太阳能电池的品质。
与此对应，当将射频等离子源(例如，将第一电极104作为射频电源的发射端(RF)，将第二电极105作为射频电源的接地端)应用于PECVD设备中，则有利于提高太阳能电池的品质。这是因为射频等离子源具有频率高、等离子轰击小的优点，使用射频等离子源能够减少等离子体对太阳能电池片的基材(例如硅片)的轰击，因此能够提高太阳能电池的品质。
然而，由于射频电极是非对称电极(存在偏压)，在利用射频等离子源的时候，离子往射频端转移的速度，和离子往接地端转移的速度不同，这会导致被保持在与发射端连接的导体的基材101的长膜速率，和被保持在与接地端的连接的导体的基材101的长膜速度不一致，进而会导致基材101的沉积的膜厚不一致。
因此，在本实施方式中，在接入射频等离子源(例如，将第一电极104作为射频电源的发射端(RF)，将第二电极105作为射频电源的接地端)的情况下，为了抑制基材101之间的膜厚不一致的问题，将基材101保持在托盘100的其中一个导体上。此外，在基材101仅被保持在两个导体(第一导体102和第二导体103)的其中一个的情况下，为了提高载片装置200的装片量，在第一导体102和第二导体103之间设置绝缘介质106以从整体上尽可能缩小托盘100的厚度，从而实现在整体上增加托盘100的数量，并进而提高载片装置200的装片量。
由此，本实施方式的托盘100，用在设置有对称电极的管式的PECVD设备中时，能够实现和现有的石墨舟大致一样的装片量。而用在设置有例如非对称电极(例如射频电源)的管式的PECVD设备中时，能够在使基材101的镀膜质量提高的同时，维持管式的PECVD设备的产量。
具体地，基材101(附图中用点划线表示)例如可以是能够用作HJT太阳能电池的衬底的呈片状的硅片、玻璃片等。但是并不限定于此，基材101还可以是任意能够在PECVD设备中进行沉积镀膜的部件。
具体地，管式PECVD设备例如可以选择卧式的管式PECVD设备。
以下对托盘100进行详细说明。
在一些实施例中，第一导体102和第二导体103分别呈板状。具体地，作为能够导电的板状的第一导体102和第二导体103的材料，只要能够适用于PECVD设备，并不特别限定，例如可以选择不锈钢等的金属材料、石墨材料、碳纤维材料等。
为了能够缩小第一导体102和第二导体103之间的距离并进行有效的绝缘，第一导体102和第二导体103之间，设置有绝缘介质106。
具体地，例如，绝缘介质106包括被夹持在第一导体102和第二导体103之间的第一绝缘件107。具体地，第一绝缘件107例如呈平板状，第一导体102和第二导体103分别贴合第一绝缘件107的两面。由此，能够通过第一导体102和第二导体103夹持着第一绝缘件107的方式，缩小托盘100的厚度。第一绝缘件107的材料只要能够适用于PECVD设备并能够加工成板状，并不特别限定，例如可以选择玻璃、陶瓷、氧化铝、碳化硅等绝缘材料。
此外，基材101被保持在第一导体102和第二导体103中的其中一个，即作为整体，托盘100优选地只在一个导体上保持基材101。因此，为了缩小托盘100的厚度，从而实现在整体上增加托盘100的数量，并进而提高载片装置200的装片量，在能够有效地进行绝缘且保证第一绝缘件107整体的强度的情况下，第一绝缘件107的厚度T1例如为5mm以下，且越薄越好。通过尽可能地减少第一绝缘件107的厚度T1，能够实现整体上缩小托盘100的厚度从而实现在整体上增加托盘100的数量，并进而提高载片装置200的装片量。
此外，在一些实施例中，第一绝缘件107至少遮住第一导体102和第二导体103相互相对的一面。具体地，由于为了尽可能缩小托盘100的厚度，使第一绝缘件107的厚度尽可能薄，在此情况下，第一导体102和第二导体103之间的距离很近。在本实施例中，通过将第一绝缘件107设置为至少遮住第一导体102和第二导体103相互相对的一面，能够有效地防止第一导体102和第二导体103之间导通。具体地，例如，第一绝缘件107大致呈长方形的板状。第一导体102包括大致呈长方形状的第一主体部108。第二导体103包括大致呈长方形状的第二主体部109。第一主体部108和第二主体部109夹持着第一绝缘件107。第一绝缘件107的宽度方向(附图中为左右方向)的两侧，分别相对于第一主体部108和第二主体部109的宽度方向(附图中为左右方向)的两侧，向外延伸例如20mm。同样地，第一绝缘件107的长度方向(附图中为前后方向)的两侧，也分别相对于第一主体部108和第二主体部109的长度方向(附图中为前后方向)的两侧，向外延伸例如20mm。由此，第一绝缘件107能够有效地防止第一导体102和第二导体103之间导通。
图4是托盘100a的侧视图。参照图4，在一些实施例中，为了进一步缩小托盘100的厚度，绝缘介质106也可以包括绝缘层110，绝缘层110至少在第一导体102和第二导体103中的其中一个的表面形成，并且绝缘层110和第一导体102以及第二导体103中的另一个相对。例如，可以在第一导体102的上表面形成绝缘层110，绝缘层110和第二导体103的下表面相对并贴合。具体地，在能够有效地进行绝缘的情况下，可以在第一导体102的和第二导体103相对的一面(上表面)和/或在第二导体103的和第一导体102相对的一面(下表面)，形成例如陶瓷层、氧化铝层等涂层或者镀层。由此，能够进一步缩小托盘100的厚度。
此外，上面虽然分别说明了在第一导体102和第二导体103之间设置第一绝缘件107作为绝缘介质106，或者在第一导体102和/或第二导体103中的表面形成绝缘层110的例子进行了说明，但是并非限于此。绝缘介质106也可以同时包括第一绝缘件107和绝缘层110。
继续参照图3、图4，在一些实施例中，在管式PECVD设备使用射频等离子源的情况下，为了提高基材101的镀膜效率，第一导体102和第一电极(即射频电源的发射端)104连接，第二导体103和第二电极(即射频电源的发射端接地端)105连接，基材101被保持在第二导体103上。具体地，以一个托盘100为例，第一导体102设置在托盘100的厚度方向(附图中为上下方向)的一侧(附图中为下侧)，并和射频电源的第一电极104连接。第二导体103设置在托盘100的厚度方向的另一侧(附图中为上侧)，并和射频电源的第二电极105连接。第一绝缘件107(存在的情况下)被夹持在第二导体103和第一导体102之间。基材101被保持在和第二电极105连接的第二导体103上。由此，能够加快基材101的长膜速率，从而提高基材101的镀膜效率。
继续参照图1，在一些实施例中，为了可靠地保持基材101，第二导体103上设置有用于保持基材101的保持部111。保持部111只要能够保持基材101，并不特别限定。例如保持部111可以水平地保持基材101(即基材101以其镀膜面平行于水平方向的方式被送进PECVD设备的真空腔内)。此外，保持部111也可以竖直地保持基材101(即基材101以其镀膜面平行于竖直方向的方式被送进PECVD设备的真空腔内)，或者保持部111也可以倾斜地保持基材101(即基材101以其镀膜面相对于平行方向或者竖直方向倾斜的方式被送进PECVD设备的真空腔内)。此外，第二导体103上可以设置多个保持部111，保持部111可以沿第二导体103的长度方向和/或宽度方向设置多个。
在一些实施例中，为了抑制基材101的另一面可能存在的绕镀问题，保持部111水平地保持基材101。具体地，例如，保持部111包括开设在第二导体103上的凹槽112，基材101被水平地保持在凹槽112内。由此，在被水平地保持在凹槽112的状态下，基材101由于其自身的重量，能够可靠地贴合到第二导体103上。从而能够抑制基材101的另一面可能存在的绕镀问题。
此外，需要说明的是，在保持部111竖直地保持基材101的情况下，保持部111可以包括安装在第二导体103上的卡点(未图示)，基材101被竖直地保持在卡点上。
以下对载片装置200的整体结构进行详细说明。
图5是具有托盘100的载片装置200的立体图，图6是载片装置200的侧视图，图7是图6中的A处的局部放大图，图8是图7中的B处的局部放大图。参照图5至图8，在一些实施例中，为了可靠地保持各托盘100，载片装置200还包括底座201，底座201支撑沿竖直方向(附图中为上下方向)间隔设置的多个托盘100。具体地，底座201例如包括两个，分别位于载片装置200的宽度方向(附图中为左右方向)的两侧。底座201沿托盘100的长度方向(附图中为前后方向)延伸。两个底座201分别通过沿底座201的长度方向间隔设置的多根第一连接杆202连接。此外，各底座201的长度方向的两端，分别设置有支撑座203，支撑座203用于使载片装置200整体被支撑在管式PECVD设备的绝缘杆(未图示)上。
参照图7并辅助参照图6，在一些实施例中，为了可靠地保持各托盘100，各相邻的两个托盘100之间设置有第二绝缘件204，第二绝缘件204将相邻的两个托盘100隔开。具体地，载片装置200还包括多根立柱205，多根立柱205的一部分安装在底座201上，沿垂直于底座201的方向(附图中为上下方向)延伸。各托盘100的第一导体102、第二导体103以及第一绝缘件107的宽度方向的两侧，分别设置有容许立柱205穿过的安装孔113。由此，各托盘100通过立柱205以及第二绝缘件204而沿垂直于底座201的方向间隔地叠放。第二绝缘件204呈轴套状，套在立柱205上。第二绝缘件204和托盘100交错设置，第二绝缘件204的轴向的两端分别抵接相邻的两个托盘100。由此，第二绝缘件204能够将两个托盘100隔开。第二绝缘件204只要能够可靠地支撑并隔开托盘100，其材料并不特别限定，例如可以选择陶瓷材料。此外，第二绝缘件204的轴向的长度只要能够使两个托盘100之间能够绝缘，并不特别限定。从增加托盘100的数量以整体增加载片装置200的装片量的角度来看，可以选择例如10mm-14mm。
另外，上面虽然以载片装置200沿竖直方向间隔设置(即工作状态下大致竖直间隔排布)为例进行了说明，但是并非限定于此。载片装置200也可以参考已知的石墨舟结构，沿水平方向(即工作状态下大致水平间隔排布)间隔设置。
参照图8并辅助参照图5，在一些实施例中，为了简化射频电源的接入结构，载片装置200还包括：第一导通部114和第二导通部115。第一导通部114分别连接各托盘100的第一导体102和第二导体103中的其中一个。第二导通部115分别连接托盘100的第一导体102和第二导体103中的另一个。下面以第一导通部114分别连接各托盘100的第一导体102，第二导通部115分别连接各托盘100的第二导体103为例进行说明。此外，由于第一导通部114与第一导体102连接的方式，和第二导通部115与第二导体103连接的方式大致相同，在此主要以第一导通部114与第一导体102连接的方式为例进行说明。
具体地，第一导通部114包括多个第一导电块116以及一个用于和射频电源的第一电极104连接的第二导电块117。第一导体102的长度方向的两侧，分别设置有一个第一凸耳部118，第一凸耳部118和第一主体部108一体成型。相邻的两个托盘100之间，设置有一个第一导电块116，第一导电块116分别连接该两个托盘100的第一导体102。第二导电块117设置在间隔分布的多个托盘100的例如上下方向的中间位置，并将中间位置的多个托盘100的第一导体102分别连通。此外，第二导电块117的一端还设置有例如容许射频电源的第一电极104插入的第一连接孔119。由此，在载片装置200被送入管式PECVD设备的状态下，射频电源的第一电极104能够插入第一连接孔119内。由此，能够只在载片装置200设置一个第一连接孔119，即能够使射频电源的第一电极104和各托盘100的第一导体102连接，简化射频电源的接入结构。
同样地，第二导通部115也包括多个第三导电块120以及一个用于和射频电源的第二电极105连接的第四导电块121。第二导体103的长度方向的两侧也分别设置有一个第二凸耳部122。第三导电块120以及第四导电块121分别在各第二导体103的第二凸耳部122将各第二导体103连通。同样地，第四导电块121的一端设置有容许射频电源的第二电极105插入的第二连接孔123。由此，在载片装置200被送入管式PECVD设备的状态下，射频电源的第二电极105能够插入第二连接孔123内。
在一些实施例中，为了进一步简化射频电源的接入结构，第一导通部114和第二导通部115分别位于托盘100的长度方向的同一侧。具体地，例如，第一导通部114和第二导通部115分别设置在载片装置200的长度方向的位于PEVCD设备的炉尾端的一侧(附图中为后侧)。由此，能够实现将射频电源的第一电极104和第二电极105分别从PEVCD设备的炉尾端接入，能够简化射频电源的接入结构。
需要说明的是，上面虽然以第一导通部114和第二导通部115分别设置在托盘100的长度方向的同一侧为例进行了说明，但是并非限定于此。例如第一导通部114和第二导通部115也可以分别设置在托盘100的宽度方向(附图中的左侧或者右侧)的同一侧。
由此，在本实施方式的载片装置200中，由于具有间隔设置的多个托盘100，因此相比于已知的板式的PECVD设备，能够提高载片装置200的装片量。
在本实施方式的载片装置200中，由于各托盘100分别设置了能够和射频电源的第一电极104以及第二电极105连接的第一导体102以及第二导体103，因此能够实现在管式PECVD设备中接入射频电源，能够提高基材101的镀膜质量。
此外，在本实施方式的载片装置200中，由于各托盘100的第一导体102和第二导体103之间通过绝缘介质106(例如第一绝缘件107、绝缘层110等)进行绝缘，能够缩小托盘100的厚度，从而进一步提高载片装置200的装片量。
此外，在本实施方式的载片装置200中，由于各托盘100的第一导体102和第二导体103之间通过绝缘介质106(例如第一绝缘件107、绝缘层110等)进行绝缘，能够缩小托盘100的厚度，在和对称电极连接的情况下，也能够大致保持和传统的石墨舟结构同样的装片量。
另外，在本实施方式的载片装置200中，由于能够将各基材101分别保持在和射频电源的第二电极(接地端)105连接的第二导体103中，由此能够提高基材101的镀膜效率。
另外，在本实施方式的载片装置200中，由于各托盘100能够水平地保持基材101，因此也能够抑制基材101的另一面可能存在的绕镀问题，提高镀膜质量。
进一步地，在本实施方式的载片装置200中，由于能够将第一导通部114以及第二导通部115设置在载片装置200的同一侧，因此也能够简化射频电源的接入结构。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (15)

1.托盘，配置在管式PECVD设备所使用的载片装置中并保持基材，其特征在于，包括：
第一导体；
第二导体，所述第一导体和所述第二导体之间设置有绝缘介质；
所述第一导体和所述第二导体中的其中一个，可和设置在所述管式PECVD设备的第一电极连接；
所述第一导体和所述第二导体中的另一个，可和所述管式PECVD设备的第二电极连接；
所述基材被保持在所述第一导体和所述第二导体中的其中一个。
2.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述第一电极为射频电源的发射端，所述第二电极为所述射频电源的接地端。
3.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述第一导体和所述第二导体分别呈板状。
4.根据权利要求3所述的托盘，其特征在于，所述绝缘介质包括被夹持在所述第一导体和所述第二导体之间的第一绝缘件。
5.根据权利要求4所述的托盘，其特征在于，所述第一绝缘件至少遮住所述第一导体和所述第二导体相互相对的一面。
6.根据权利要求3或4所述的托盘，其特征在于，所述绝缘介质包括至少在所述第一导体和所述第二导体中的其中一个的表面形成的绝缘层，所述绝缘层和所述第一导体以及所述第二导体中的另一个相对。
7.根据权利要求2所述的托盘，其特征在于，所述第一导体和所述第一电极连接，所述第二导体和所述第二电极连接，所述基材被保持在所述第二导体上。
8.根据权利要求7所述的托盘，其特征在于，所述第二导体上设置有用于保持所述基材的保持部。
9.根据权利要求8所述的托盘，其特征在于，所述第二导体上设置有多个所述保持部，所述保持部沿所述第二导体的长度方向和/或宽度方向间隔设置。
10.根据权利要求8所述的托盘，其特征在于，所述保持部水平地保持所述基材。
11.根据权利要求10所述的托盘，其特征在于，所述保持部包括开设在所述第二导体上的凹槽，所述基材被水平地保持在所述凹槽内。
12.载片装置，其特征在于，包括间隔设置的多个权利要求1至11中任一项所述的托盘。
13.根据权利要求12所述的载片装置，其特征在于，相邻的两个所述托盘之间设置有第二绝缘件，所述第二绝缘件将相邻的两个所述托盘隔开。
14.根据权利要求12所述的载片装置，其特征在于，还包括：
第一导通部，分别连接所述托盘中的所述第一导体和所述第二导体的其中一个；
第二导通部，分别连接所述托盘中的所述第一导体和所述第二导体中的另一个。
15.根据权利要求14所述的载片装置，其特征在于，所述第一导通部和所述第二导通部分别位于所述托盘的长度方向的同一侧。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0143479A1 (en) * 1983-10-19 1985-06-05 Johannes Hendrikus Leonardus Hanssen Plasma-stimulated chemical vapour deposition device and, in particular, a substrate supporting and electrode disposition and associated components
KR101709336B1 (ko) * 2015-12-29 2017-02-24 (주)피앤테크 태양 전지 제조용 플라즈마 증착장치
CN109524336A (zh) * 2018-11-14 2019-03-26 湖南红太阳光电科技有限公司 一种管式pecvd石墨舟结构
CN109778148A (zh) * 2019-03-01 2019-05-21 晋能光伏技术有限责任公司 一种用于生产异质结太阳能电池镀膜的pecvd设备
CN110438474A (zh) * 2019-09-20 2019-11-12 理想晶延半导体设备（上海）有限公司 载片单元
CN210394518U (zh) * 2019-07-04 2020-04-24 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 石墨舟及使用该石墨舟的pecvd设备
CN211848132U (zh) * 2020-01-20 2020-11-03 宁夏隆基乐叶科技有限公司 一种电极片、载片器以及镀膜系统
CN214753673U (zh) * 2021-04-09 2021-11-16 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 托盘以及载片装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0143479A1 (en) * 1983-10-19 1985-06-05 Johannes Hendrikus Leonardus Hanssen Plasma-stimulated chemical vapour deposition device and, in particular, a substrate supporting and electrode disposition and associated components
KR101709336B1 (ko) * 2015-12-29 2017-02-24 (주)피앤테크 태양 전지 제조용 플라즈마 증착장치
CN109524336A (zh) * 2018-11-14 2019-03-26 湖南红太阳光电科技有限公司 一种管式pecvd石墨舟结构
CN109778148A (zh) * 2019-03-01 2019-05-21 晋能光伏技术有限责任公司 一种用于生产异质结太阳能电池镀膜的pecvd设备
CN210394518U (zh) * 2019-07-04 2020-04-24 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 石墨舟及使用该石墨舟的pecvd设备
CN110438474A (zh) * 2019-09-20 2019-11-12 理想晶延半导体设备（上海）有限公司 载片单元
CN211848132U (zh) * 2020-01-20 2020-11-03 宁夏隆基乐叶科技有限公司 一种电极片、载片器以及镀膜系统
CN214753673U (zh) * 2021-04-09 2021-11-16 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 托盘以及载片装置

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