JP2009218542A - 基板固定ケース - Google Patents

基板固定ケース Download PDF

Info

Publication number
JP2009218542A
JP2009218542A JP2008120531A JP2008120531A JP2009218542A JP 2009218542 A JP2009218542 A JP 2009218542A JP 2008120531 A JP2008120531 A JP 2008120531A JP 2008120531 A JP2008120531 A JP 2008120531A JP 2009218542 A JP2009218542 A JP 2009218542A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode plate
unit
substrate
groove
fixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008120531A
Other languages
English (en)
Inventor
Cheng-An Yang
正安 楊
Chien-Li Ho
建立 何
Kung-Hsu Yeh
公旭 葉
明鴻 ▲黄▼
Ming-Hung Huang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Contrel Technology Co Ltd
Original Assignee
Contrel Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Contrel Technology Co Ltd filed Critical Contrel Technology Co Ltd
Publication of JP2009218542A publication Critical patent/JP2009218542A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4587Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12Substrate holders or susceptors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67326Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6734Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】化学気相蒸着工程に適用でき、内部の電極配列が複数の基板の装着に対応できる基板固定ケースを提供する。
【解決手段】ケース11は、底部に導電部12を有し、頂部に複数の固定ユニット16を有し、導電部12は互いに平行する複数の第一溝部14と複数の第二溝部15とを有する。固定ユニット16は第一溝部14と第二溝部15の上方に位置付けられ、第二溝部15の内部に絶縁ユニット17を有する。複数の第一電極板21は、底部が別々に第一溝部14に嵌め込まれ、頂部が別々に固定ユニット16に固定されている。複数の第二電極板31は、底部が別々に絶縁ユニット17に固定され、頂部が別々に固定ユニット16に固定されている。複数の支持ユニット41は、第一電極板21の底部の両面および第二電極板31の底部の両面に別々に装着され、基板を装着可能な制限空間が形成されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、板状物を置くための固定ケースに関し、特に、電極配列を有する基板固定ケースに関するものである。
周知の基板固定ケースは、固定ケースに数多くの基板を直立させて配列するか、基板を積み重ねることが可能である。固定ケースは、基板の収容に用いられるため、内部に収容格または収容空間を有する。
アモルファスシリコン系の薄膜太陽電池の製造過程における最も重要な部分は、アモルファスシリコン薄膜であるとされる。その生成方法は、プラズマ化学気相蒸着法(Plasma-Enhance Chemical Vapor Deposition、PECVD)を採用することが一般的である。生成チャンバー内に単一の基板を装着し、そののち、化学気相蒸着を行うことが現今の製造工程であるのに対し、複数の基板に化学気相蒸着を同時に行うことを可能にする製造工程およびそれに対応して複数の基板を載せることを可能にする固定ケースはまだ提案されていない。
本発明の主な目的は、化学気相蒸着工程に適用し、かつ複数の基板を載せることを可能にする電極配列を有する基板固定ケースを提供することである。
本発明のもう一つの目的は、内部の電極配列が複数の基板の装着に対応し、電極配列を有する基板固定ケースを提供することである。
上述の目的を達成するために、本発明による基板固定ケースは、複数の基板を載せるため、ケース、複数の第一電極板、複数の第二電極板および複数の支持ユニットを備える。ケースは、底部に導電部を有し、導電部は互いに平行する複数の第一溝部と複数の第二溝部を有し、第一溝部と第二溝部は互いに一定の距離を置いて交互に配置される。かつケースは、頂部に第一溝部と第二溝部の上方に位置する複数の固定ユニットを有し、第二溝部は内部に絶縁ユニットを有する。第一電極板は、底部が第一溝部に別々に嵌め込まれ、頂部が固定ユニットに別々に固定される。第二電極板は、底部が絶縁ユニットに別々に固定され、頂部が固定ユニットに別々に固定される。支持ユニットは、第一電極板の底部の両面および第二電極板の底部の両面に別々に装着される。支持ユニットと固定ユニットは、互いに向かい合って基板を装着可能な制限空間を形成する。支持ユニットは、基板の支持に用いられる。これにより、本発明は、内部の電極配列が複数の基板の装着に対応し、複数の基板を載せることが可能なだけでなく、化学気相蒸着工程に適用することが可能である。
以下、本発明の構造と特徴を説明するため、実施形態を図面に基づいて説明を進める。
図1から図4に示すように、本発明の一実施形態による基板固定ケース10は、ケース11、複数の第一電極板21、複数の第二電極板31および複数の支持ユニット41から構成される。
ケース11は、底部に複数の導電部12を有し、導電部12は互いに平行する複数の第一溝部14と複数の第二溝部15を有し、第一溝部14と第二溝部15は互いに一定の距離を置いて交互に配置される。かつケース11は、頂部に第一溝部14と第二溝部15の上方に位置する複数の固定ユニット16を有する。第二溝部15は、内部に絶縁ユニット17を有し、絶縁ユニット17は収容溝部171を有する。固定ユニット16は、両側から下に延伸して形成されているストッパー18を有する。
第一電極板21は、底部が別々に第一溝部14に嵌め込まれ、頂部が別々に固定ユニット16に固定され、かつ固定ユニット16の二つのストッパー18の間に位置付けられる。
第二電極板31は、底部が別々に絶縁ユニット17の収容溝部171に固定され、頂部が別々に固定ユニット16に固定され、かつ固定ユニット16の二つのストッパー18の間に位置付けられる。
支持ユニット41は、第一電極板21の底部の両面および第二電極板31の底端の両面に別々に装着される。支持ユニット41は、外側から上に延伸して形成されている壁部42を有する。本実施形態では、支持ユニット41は輪体である。支持ユニット41と固定ユニット16は、互いに向かい合って基板を装着可能な制限空間を形成する。支持ユニット41は、基板の支持に用いられる。第一電極板21と第二電極板31の両面に基板(図中未表示)を装着すれば、固定ユニット16の二つのストッパー18および壁部42によって第一電極板21と第二電極板31の両面に位置する基板を制限することが可能である。
上述した通り、本実施形態は、内部に複数の第一電極板21と第二電極板31を有し、かつ第一電極板21と第二電極板31の両面に基板を固定可能な構造を別々に有する。図5に示すように、複数の基板99を本実施形態に装着すれば、複数の基板99は支持ユニット41の支持、壁部42の制限およびストッパー18の固定を受ける。これにより、本実施形態は、内部に複数の基板99を固定し、かつ基板99の間に一定の距離を置くことにより、基板99を第一電極板21と第二電極板31に対応するように配列することが可能なだけでなく、複数の基板99を載せた上で気相蒸着工程を進めることが可能である。
上述した説明により、本発明が達成する効果は次の通りである。
一、本発明は、複数の基板を載せることが可能なだけでなく、化学気相蒸着工程に適用することが可能である。
二、本発明は内部に複数の電極板を配置し、電極板の両側に基板を別々に装着するため、複数の基板の装着に適用し、かつ複数枚での化学気相蒸着工程を行うことが可能である。
本発明の一実施形態による基板固定ケースを示す正面図である。 本発明の一実施形態による基板固定ケースの導電部と絶縁ユニットの関係を示す模式図である。 本発明の一実施形態による基板固定ケースの底部と第二電極板の連結関係を示す斜視図である。 本発明の一実施形態による基板固定ケースの第二電極板を示す斜視図である。 本発明の一実施形態による基板固定ケースの使用状態を示す模式図である。
符号の説明
10:基板固定ケース、11:ケース、12:導電部、14:第一溝部、15:第二溝部、16:固定ユニット、17:絶縁ユニット、18:ストッパー、21:第一電極板、31:第二電極板、41:支持ユニット、42:壁部、99:基板、171:収容溝部

Claims (5)

  1. 複数の基板の支持に用いられる電極配列を有し、
    底部に少なくとも一つの導電部を有し、頂部に複数の固定ユニットを有し、前記導電部は互いに平行する複数の第一溝部と複数の第二溝部とを有し、前記第一溝部と前記第二溝部は互いに一定の距離を置いて交互に配置され、前記固定ユニットは前記第一溝部と前記第二溝部の上方に位置付けられ、前記第二溝部の内部に絶縁ユニットを有するケースと、
    底部が別々に前記第一溝部に嵌め込まれ、頂部が別々に前記固定ユニットに固定されている複数の第一電極板と、
    底部が別々に前記絶縁ユニットに固定され、頂部が別々に前記固定ユニットに固定されている複数の第二電極板と、
    基板の支持に用いられ、前記第一電極板の底部の両面および前記第二電極板の底部の両面に別々に装着され、前記固定ユニットと向かい合うことにより、基板を装着可能な制限空間が形成されている複数の支持ユニットと、
    を備えることを特徴とする基板固定ケース。
  2. 前記絶縁ユニットは、収容溝部を有し、前記第二電極板は前記収容溝部の中に嵌め込まれていることを特徴とする請求項1記載の基板固定ケース。
  3. 前記固定ユニットは、両側から下へ延伸して形成されているストッパーを有し、前記第一電極板と前記第二電極板は前記固定ユニットの二つの前記ストッパーの間に位置付けられていることを特徴とする請求項1記載の基板固定ケース。
  4. 前記第一電極板と前記第二電極板のあらゆる電極板の両面に基板が別々に装着されると、前記電極板の両面に位置する前記基板は前記固定ユニットの二つの前記ストッパーによって制限されることを特徴とする請求項3記載の基板固定ケース。
  5. 前記支持ユニットは、外側から上に延伸して形成されている壁部を有することを特徴とする請求項1記載の基板固定ケース。
JP2008120531A 2008-03-11 2008-05-02 基板固定ケース Withdrawn JP2009218542A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW097108571A TW200939503A (en) 2008-03-11 2008-03-11 Substrate cartridge having array of electrode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009218542A true JP2009218542A (ja) 2009-09-24

Family

ID=40984116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008120531A Withdrawn JP2009218542A (ja) 2008-03-11 2008-05-02 基板固定ケース

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20090230019A1 (ja)
JP (1) JP2009218542A (ja)
DE (1) DE102008027984A1 (ja)
TW (1) TW200939503A (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8673081B2 (en) 2009-02-25 2014-03-18 Crystal Solar, Inc. High throughput multi-wafer epitaxial reactor
US8298629B2 (en) * 2009-02-25 2012-10-30 Crystal Solar Incorporated High throughput multi-wafer epitaxial reactor
CN107022789B (zh) 2011-05-27 2021-03-12 斯瓦高斯技术股份有限公司 在外延反应器中的硅衬底上外延沉积硅晶片的方法
HUP1100438A2 (en) * 2011-08-15 2013-02-28 Ecosolifer Ag Electrode structure for using in reaction chamber
HUP1100436A2 (en) * 2011-08-15 2013-02-28 Ecosolifer Ag Gas flow system for using in reaction chamber
HUP1100437A2 (en) * 2011-08-15 2013-02-28 Ecosolifer Ag Reaction chamber for producing semiconducting thin film formation on one
US8544651B2 (en) * 2012-01-20 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer transfer pod for reducing wafer particulate contamination
CN105358451A (zh) * 2013-07-25 2016-02-24 三菱电机株式会社 太阳能电池模块捆包体和太阳能电池模块的捆包方法
CN110622292B (zh) * 2017-08-09 2023-10-27 未来儿股份有限公司 基板收纳容器
CN107717370B (zh) * 2017-09-19 2019-09-20 合肥流明新能源科技有限公司 一种提高光伏组件装框精度的装置及其使用方法
CN108172539B (zh) * 2018-01-03 2020-08-07 京东方科技集团股份有限公司 一种基板存储装置
CN110029328B (zh) * 2019-05-22 2024-06-18 上海稷以科技有限公司 一种用于提高正反平面沉积均匀性的盒式电极

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200737533A (en) * 2005-12-21 2007-10-01 Nat Science And Technology Dev Agency Low-cost and high performance solar cell manufacturing machine

Also Published As

Publication number Publication date
US20090230019A1 (en) 2009-09-17
TW200939503A (en) 2009-09-16
DE102008027984A1 (de) 2009-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009218542A (ja) 基板固定ケース
JP2009003434A5 (ja)
KR101199210B1 (ko) 태양전지 박막 증착장치, 방법, 시스템
WO2007106756A3 (en) High-efficiency solar cell with insulated vias
WO2008091890A3 (en) Roll-to-roll integration of thin film solar modules
WO2008136872A3 (en) Structures for low cost, reliable solar modules
WO2008093106A3 (en) Photovoltaic cell arrays
CN103337501B (zh) 阵列基板及其制作方法、平板显示装置
JP2012085239A5 (ja)
CN214753673U (zh) 托盘以及载片装置
RU2012106418A (ru) Наноструктурный электрод для псевдоемкостного накопления энергии
JP2014515543A (ja) 複数の角柱形状の貯蔵セルからなるエネルギー貯蔵モジュール
CN107527927A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
US9224887B2 (en) Solar cell and solar cell module
WO2002064854A1 (fr) Procede de constitution d'une couche mince de silicium et pile solaire possedant une couche mince de silicium
JP2016541117A (ja) 熱エネルギー伝達低減のための基板キャリア
JP7254097B2 (ja) 基板処理装置
KR100830237B1 (ko) 대면적 기판 처리 시스템의 서셉터 구조물
KR101470255B1 (ko) 태양전지 패널 구조체
KR102678315B1 (ko) 기판지지장치 제조방법
TW201543704A (zh) 太陽面板及製造其的方法及包含該太陽面板的壁覆蓋元件
JP6024417B2 (ja) サンプルホルダ
JP2010171244A (ja) プラズマ処理装置
JP2009218583A (ja) ボート
TWI714052B (zh) 電池模組

Legal Events

Date Code Title Description
A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20100302