JP6318241B2

JP6318241B2 - オプトエレクトロニクス装置

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Description

本発明は、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス装置に関する。

回路基板上に配置されたオプトエレクトロニクス半導体チップを備えたオプトエレクトロニクス装置が先行技術から既知である。上記オプトエレクトロニクス半導体チップは、発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）等であり得る。このようなオプトエレクトロニクス装置の電気的接触のために、導電体が、回路基板上に配置されたはんだ接触部上に直接はんだ付けされ得る。代替として、上記回路基板には、ＳＭＤ設計におけるジャックコネクタ等の電気コネクタが設けられ得る。

この場合、上記電気コネクタは、オプトエレクトロニクス半導体チップを配置する前または後に回路基板上に配置され得る。オプトエレクトロニクス半導体チップの配置前に電気コネクタが配置される場合、当該電気コネクタは、後続の処理工程に干渉し得る。オプトエレクトロニクス半導体チップの配置後に電気コネクタが配置される場合、当該電気コネクタの配置は、かかる配置時点で既に分割されているコンポーネント上で行われなければならず、高い費用がかかる。

オプトエレクトロニクス装置にさまざまな用途のために異なる電気コネクタを設けることが既知である。この場合、異なる電気コネクタが設けられた複数のオプトエレクトロニクス装置は、電気コネクタ以外に関しては同様に構成され得る。電気コネクタ以外では等しい複数のオプトエレクトロニクス装置に異なる電気コネクタを設ける必要があることによって、かかる複数のオプトエレクトロニクス装置の製造に必要な費用が増大する。

オプトエレクトロニクス装置を提供することが本発明の目的である。かかる目的は、請求項１の特徴を有するオプトエレクトロニクス装置によって達成される。さまざまな改良形態が、従属請求項において特定される。

オプトエレクトロニクス装置が第１の回路基板および第２の回路基板を備えている。この場合、オプトエレクトロニクス半導体チップが第１の回路基板上に配置されている。第１の電気接触面および第２の電気接触面が第１の回路基板の表面上に形成されている。第１の相手側接触面および第２の相手側接触面が第２の回路基板の表面上に形成されている。第１の回路基板と第２の回路基板とは、第１の回路基板の表面が第２の回路基板の表面に対向し、第１の相手側接触面が第１の接触面に電気接続し、かつ、第２の相手側接触面が第２の接触面に電気接続するように、相互接続されることを意図されている。この場合、オプトエレクトロニクス装置の第１の回路基板上に配置されたオプトエレクトロニクス半導体チップは、発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）等であり得る。かかるオプトエレクトロニクス装置の第２の回路基板は、オプトエレクトロニクス半導体チップが配置された第１の回路基板の電気的接触のために有利に使用され得る。この目的のために、オプトエレクトロニクス装置の第１の回路基板と第２の回路基板とは、第１の回路基板の接触面と第２の回路基板の相手側接触面とが電気的に接触するように相互接続され得る。有利なことに、オプトエレクトロニクス装置の第１の回路基板は、さまざまな構成の第２の回路基板と組み合され得るコアコンポーネントを形成し得る。これにより、第１の回路基板にさまざまな電気的インターフェイスを設けることができる。このように、本オプトエレクトロニクス装置は、有利なことに、さまざまな用途に使用されることができる。オプトエレクトロニクス装置の第１の回路基板に電気コネクタを設ける必要がないため、電気コネクタが第１の回路基板の製造に干渉し得ないことがさらなる利点である。これにより有利なことに、第１の回路基板の製造が簡略化される。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、第２の回路基板は、電気コネクタを備えている。この場合、電気コネクタの電気接続要素は、第１の相手側接触面に電気接続されている。有利なことに、第２の回路基板の電気コネクタは、オプトエレクトロニクス装置の電気的接触のために使用され得る。オプトエレクトロニクス装置の第１の回路基板と第２の回路基板とが相互接続される場合、電気コネクタの電気接続要素とオプトエレクトロニクス半導体チップとは、第２の回路基板の第１の相手側接触面および第１の回路基板の第１の接触面を介して電気接続される。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、電気コネクタは、ジャックコネクタ、絶縁貫通型コネクタ（insulation piercing connection device）、螺子接触部、はんだピンとして構成される。これにより有利なことに、オプトエレクトロニクス装置の第２の回路基板の電気コネクタは、特定の用途向けに最適化され得る。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、第２の回路基板は、第１の相手側接触面に電気接続している第１のはんだ接触面を備えている。さらにこの場合、第２の回路基板は、第２の相手側接触面に電気接続している第２のはんだ接触面を備えている。この場合、第２の回路基板の第１のはんだ接触面および第２のはんだ接触面は、オプトエレクトロニクス装置の電気的接触のために使用され得る。例えば、導電体が、オプトエレクトロニクス装置の第２の回路基板の第１のはんだ接触面および第２のはんだ接触面上にはんだ付けされ得る。このように、電気コンタクトは、本オプトエレクトロニクス装置の電気的接触に必要とされない。これにより、本オプトエレクトロニクス装置が特に小型にかつ経済的に構成されることができる利点が提供される。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、第１の回路基板と第２の回路基板とは、弾性的可撓性を有する固定手段によって相互接続されることを意図されている。有利なことに、弾性的可撓性を有する固定手段によって、第２の回路基板の第１の相手側接触面と第１の回路基板の第１の接触面との間、および、第２の回路基板の第２の相手側接触面と第１の回路基板の第２の接触面との間で信頼性の高い電気接続を確実に行うことができる。この場合、有利なことに、弾性的可撓性を有する固定手段は、オプトエレクトロニクス装置の第１の回路基板および第２の回路基板の熱膨張を補償し得る。これにより、有利なことに、多数の加熱および冷却サイクルに亘って、第２の回路基板の相手側接触面と第１の回路基板の接触面との間で信頼性の高い電気接続が確実に行われる。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、第１の回路基板と第２の回路基板とは、螺子接続部によって相互接続されることを意図されている。有利なことに、螺子接続部によって、オプトエレクトロニクス装置の第１の回路基板と第２の回路基板との信頼性の高い永久的な相互接続を容易かつ経済的に形成することができる。この場合、螺子接続部は、１つ以上の螺子を備え得る。螺子接続部の螺子の熱膨張係数は、オプトエレクトロニクス装置が加熱または冷却される場合でさえ、第１の回路基板と第２の回路基板との間で確実に信頼性の高い接続を行うために、特に、第２の回路基板の相手側接触面と第１の回路基板の接触面との間で信頼性の高い電気接続を行うために、第１の回路基板のおよび第２の回路基板の熱膨張係数に適合し得る。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、第１の回路基板と第２の回路基板とは、クランプ接続部によって相互接続されることを意図されている。有利なことに、クランプ接続部によって、オプトエレクトロニクス装置の第１の回路基板と第２の回路基板との相互接続を容易に実装することができかつ経済的に形成することができる。この場合、有利なことに、クランプ接続部は、弾性的可撓性を有するように構成され得る。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、第２の回路基板と第１の回路基板とが相互接続しているとき、第１の相手側電気接触面は、第１の電気接触面に押圧され、第２の相手側電気接触面は、第２の電気接触面に押圧されている。したがって、有利なことに、第１の相手側接触面と第１の接触面とが直接的に電気接続され、かつ、第２の相手側接触面と第２の接触面とが直接的に電気接続される。したがって、有利なことに、本オプトエレクトロニクス装置の全体の高さを特に低くし得る。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、オプトエレクトロニクス装置は、導電要素を備えている。この導電要素は、第２の回路基板と第１の回路基板とが相互接続するときに、第１の相手側接触面と第１の接触面との間、および／または、第２の相手側接触面と第２の接触面との間に配置されることを意図されている。有利なことに、かかる導電要素は、オプトエレクトロニクス装置の第１の回路基板および第２の回路基板の、異なる大きさの熱膨張に起因する長さの変化を補償し得る。これにより、オプトエレクトロニクス装置の回路基板が加熱および冷却される場合でさえ、信頼性の高い電気接続が、オプトエレクトロニクス装置の第２の回路基板の相手側接触面と第１の回路基板の接触面との間で確実に行われる。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、第１の接触面、第２の接触面、第１の相手側接触面、および／または、第２の相手側接触面は、展性材料を含む。有利なことに、展性材料は、第１の接触面、第２の接触面、第１の相手側接触面、および／または、第２の相手側接触面に生じ得る高さの相違を補償し得る。これにより、有利なことに、上記のような高さの相違が存在し得る場合でさえ、信頼性の高い電気接続が、オプトエレクトロニクス装置の第２の回路基板の相手側接触面と第１の回路基板の接触面との間で確実に行われる。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、第１の回路基板は、第１の接触面と第２の接触面との間に配置されたスロットを備えている。代替または追加として、第２の回路基板は、第１の相手側接触面と第２の相手側接触面との間に配置されたスロットを備えている。有利なことに、第１の回路基板および／または第２の回路基板内に配置されたスロットは、第１の回路基板および第２の回路基板の熱膨張に起因する第１の回路基板および第２の回路基板の長さの変化を補償し得る。その結果、オプトエレクトロニクス装置の回路基板が加熱および冷却される場合でさえ、信頼性の高い電気接続が、オプトエレクトロニクス装置の第２の回路基板の相手側接触面と第１の回路基板の接触面との間で確実に行われる。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、第１の回路基板は、第３の電気接触面を備えている。この場合、第２の回路基板は、第３の相手側電気接触面を備えている。第１の回路基板と第２の回路基板とは、第３の相手側接触面が第３の接触面に電気接続するように、相互接続されることを意図されている。有利なことに、第３の電気接触面および第３の相手側電気接触面によって、オプトエレクトロニクス装置の第３の電気接続を形成することができる。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、第１の回路基板は、金属コア回路基板として構成される。したがって、有利なことに、オプトエレクトロニクス装置の第１の回路基板の熱伝導率は高い。これにより、オプトエレクトロニクス装置の第１の回路基板は、オプトエレクトロニクス半導体チップが発生させた廃熱を効率的に放熱することができる。このように、オプトエレクトロニクス半導体チップの過熱が防止される。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、第２の回路基板は、ＦＲ４回路基板として構成される。したがって、有利なことに、第２の回路基板は、容易かつ経済的に製造され得る。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、さらなる素子が第１の回路基板上に配置される。このさらなる素子は、この場合、熱電対、ＮＴＣサーミスタ、輝度を測定するための素子、符号化素子、または、さらなるオプトエレクトロニクス半導体チップとして構成される。この場合、有利なことに、さらなるオプトエレクトロニクス半導体チップは、オプトエレクトロニクス装置の光出力を高めるために使用され得る。符号化素子は、有利なことに、オプトエレクトロニクス装置のオプトエレクトロニクス半導体チップの色軌跡（color locus）、輝度、スペクトル分布、または、温度変化（temperature excursion）を符号化するために使用され得る。輝度を測定するための素子は、オプトエレクトロニクス半導体チップが出射した電磁放射の輝度を測定するために使用され得る。ＮＴＣサーミスタは、オプトエレクトロニクス装置の第１の回路基板における温度を測定するために使用され得る。熱電対もまた、温度測定のために使用され得る。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、第３の電気接触面は、上記さらなる素子に電気接続している。この場合、有利なことに、オプトエレクトロニクス装置の第１の回路基板の第１の素子は、第３の電気接触面および第３の相手側電気接触面を介して電気的に接触され得る。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、第１の電気接触面と第２の電気接触面とは、オプトエレクトロンクス半導体チップに電気接続している。これにより、有利なことに、オプトエレクトロニクス装置のオプトエレクトロニクス半導体チップは、第１の電気接触面および第２の電気接触面のみならず第１の相手側電気接触面および第２の相手側電気接触面を介して外側から電気的に接触され得る。

本オプトエレクトロニクス装置の一実施形態では、オプトエレクトロニクス半導体チップを駆動するための駆動電子部品、オプトエレクトロニクス半導体チップを保護するための保護回路、オプトエレクトロニクス半導体チップを熱的または電気的にモニタリングするためのモニタリング回路、オプトエレクトロニクス半導体チップの履歴を記録するための監視回路、および／または、符号化素子として構成されるさらなる素子が第２の回路基板上に配置されている。この場合、上記符号化素子は、オプトエレクトロニクス装置のオプトエレクトロニクス半導体チップの色軌跡、輝度、スペクトル分布、または、温度変化を符号化してもよい。

本発明の上記性質、特徴、および、利点、ならびにそれらの実現方法は、図面に関連して詳細に説明される例示的な実施形態の以下の記述に関連してさらに明らかとなり、またさらに明確に理解される。

第１のオプトエレクトロニクス装置の第１のコンポーネント回路基板の平面図である。第１のオプトエレクトロニクス装置の第１の接続回路基板の平面図である。第１のコンポーネント回路基板および第１の接続回路基板を有する第１のオプトエレクトロニクス装置の平面図である。第１のコンポーネント回路基板および第１の接続回路基板を有する第１のオプトエレクトロニクス装置の側面図である。第２のオプトエレクトロニクス装置の第２の接続回路基板の平面図である。第１のコンポーネント回路基板および第２の接続回路基板を有する第２のオプトエレクトロニクス装置の平面図である。第１のコンポーネント回路基板および第２の接続回路基板を有する第２のオプトエレクトロニクス装置の側面図である。第３のオプトエレクトロニクス装置の第２のコンポーネント回路基板の平面図である。第３のオプトエレクトロニクス装置の第３の接続回路基板の平面図である。第２の固定手段を有する第４のオプトエレクトロニクス装置の側面図である。第３の固定手段を有する第５のオプトエレクトロニクス装置の側面図である。第４の固定手段を有する第６のオプトエレクトロニクス装置の側面図である。第７のオプトエレクトロニクス装置の第４の接続回路基板の平面図である。

図１〜図４は、第１のオプトエレクトロニクス装置１０のコンポーネントを示す。第１のオプトエレクトロニクス装置１０は、発光ダイオード装置等であり得る。

図１は、第１のオプトエレクトロニクス装置１０の第１のコンポーネント回路基板１００の概略平面図を示す。第１のコンポーネント回路基板１００はまた、プリント回路基板、すなわちＰＣＢとも呼ばれ得る。第１のコンポーネント回路基板１００は、例えば、メタライゼーションを内部に配置した金属コア回路基板として構成され得る。この場合、有利なことに、第１のコンポーネント回路基板１００の熱伝導率は高い。

第１の電気接触面１１０および第２の電気接触面１２０が第１のコンポーネント回路基板１００の表面１０１上に形成されている。第１の電気接触面１１０および第２の電気接触面１２０は、それぞれ、平坦なメタライゼーションとして形成されている。第１の電気接触面１１０は、例えば、第１のコンポーネント回路基板１００の表面１０１上に配置されたメタライゼーションによって形成され得る。この場合、第１の電気接触面１１０は、第１のコンポーネント回路基板１００の任意の金属コアから電気的に絶縁されている。第２の電気接触面１２０も同様に、第１のコンポーネント回路基板１００の表面１０１上に配置されたメタライゼーションによって形成され得る。この場合、第２の電気接触面１２０も同様に、第１のコンポーネント回路基板１００の任意の金属コアから電気的に絶縁されている。しかしながら、第２の電気接触面１２０は、第１のコンポーネント回路基板１００が金属コア回路基板として構成される場合に、第１のコンポーネント回路基板１００の金属コアの露出部分によっても形成され得る。この場合、第１のコンポーネント回路基板１００の第２の電気接触面１２０は、第１のコンポーネント回路基板１００の金属コアに電気接続している。

図１に示す第１のコンポーネント回路基板１００の例では、第１の電気接触面１１０および第２の電気接触面１２０はいずれも、第１のコンポーネント回路基板１００の同一の外縁部近くに配置されている。第１の電気接触面１１０は、矩形に形成された第１のコンポーネント回路基板１００の第１の角領域内に配置されている。第２の電気接触面１２０は、第１のコンポーネント回路基板１００の第２の角領域内に配置されている。

オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０は、第１のコンポーネント回路基板１００の表面１０１上に配置されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０は、可視光等の電磁放射を出射するように構成されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０は、例えば、発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）であり得る。しかしながら、オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０はまた、レーザチップまたは他のオプトエレクトロニクス半導体チップであり得る。

オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０は、第１の電気接触面１１０および第２の電気接触面１２０に電気接続している。これにより、オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０を作動させるために、第１の電気接触面１１０と第２の電気接触面１２０との間でオプトエレクトロニクス半導体チップ１３０に電圧を印加することができる。オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０と第１の電気接触面１１０との電気接続は、例えば、ボンディングワイヤを含む。オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０と第２の電気接触面１２０との電気接続は、例えば、第１のコンポーネント回路基板１００が金属コア回路基板として構成される場合、オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０の底面上に存在する、オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０と第１のコンポーネント回路基板１００の金属コアとの電気接続によって形成され得る。しかしながら、オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０は、ボンディングワイヤまたは他の電気接続によっても第２の電気接触面１２０に接続され得る。

第１のコンポーネント回路基板１００は、第１の穿孔１４０および第２の穿孔１５０を有する。第１の穿孔１４０および第２の穿孔１５０は、第１のコンポーネント回路基板１００の表面１０１に直交するように配向され、第１のコンポーネント回路基板１００を貫通して延在するアクセス開口部を形成している。図１に示す第１のコンポーネント回路基板１００の例では、第１の穿孔１４０は、第１のコンポーネント回路基板１００の第１の角領域内に配置され、第１の電気接触面１１０を貫通している。第２の穿孔１５０は、第１のコンポーネント回路基板１００の第２の角領域内に配置され、第２の電気接触面１２０を貫通している。しかしながら、第１の穿孔１４０および第２の穿孔１５０を第１のコンポーネント回路基板１００の他の位置に配置することもできる。第１のコンポーネント回路基板１００はまた、第１の穿孔１４０のみを有することもでき、２つの穿孔１４０，１５０よりも多くの穿孔を有することもできる。

図２は、第１のオプトエレクトロニクス装置１０の第１の接続回路基板２００の概略平面図を示す。第１の接続回路基板２００は、プリント回路基板、すなわちＰＣＢとも呼ばれ得る。第１の接続回路基板２００は、ＦＲ４基板等の、従来の経済的な回路基板を有し得る。

第１の相手側接触面２１０および第２の相手側接触面２２０が、第１の接続回路基板２００の表面２０１上に形成されている。第１の相手側接触面２１０および第２の相手側接触面２２０は、それぞれ、平坦なメタライゼーションによって形成されている。図２に示す第１の接続回路基板２００の例では、第１の相手側接触面２１０および第２の相手側接触面２２０は、第１の接続回路基板２００の共通の外縁部近くに配置されている。この場合、第１の相手側接触面２１０は、第１の接続回路基板２００の第１の角領域内に配置されている。第２の相手側接触面２２０は、第１の接続回路基板２００の第２の角領域内に配置されている。

電気コネクタ２３０が、第１の接続回路基板２００の表面２０１上に配置されている。電気コネクタ２３０は、第１の接続回路基板２００の第１の相手側接触面２１０および第２の相手側接触面２２０に電気接続をもたらすことを意図されている。この目的のために、電気コネクタ２３０の第１の電気接続要素２３１が、第１の相手側接触面２１０に電気接続している。電気コネクタ２３０の第２の電気接続要素２３２が、第１の接続回路基板２００の第２の相手側接触面２２０に電気接続している。電気コネクタ２３０の第１の電気接続要素２３１および第２の電気接続要素２３２は、例えば、はんだ接続によって第１の接続回路基板２００の相手側接触面２１０，２２０に接続され得る。

電気コネクタ２３０の接続面２３３において、電気コネクタ２３０は、第１の電気接続要素２３１および第２の電気接続要素２３２に電気接続をもたらし、したがって同様に、第１の相手側接触面２１０および第２の相手側接触面２２０にも電気接続をもたらす。図２に示す第１の接続回路基板２００の例では、電気コネクタ２３０は、ジャックコネクタとして構成されている。電気コネクタ２３０の接続面２３３は、ジャックコネクタとして構成された電気コネクタ２３０の挿入面（insertion side）によって形成されている。この挿入面は、電気コネクタ２３０の電気接続要素２３１，２３２と相手側ジャックコネクタの対応する接続要素との間に電気接続を形成するために、相手側ジャックコネクタに嵌合することを意図されている。

図２に示す第１の接続回路基板２００の例では、１つのみの電気コネクタ２３０が設けられている。この電気コネクタ２３０は、第１の相手側接触面２１０および第２の相手側接触面２２０の両方に電気接続をもたらす。しかしながら、第１の相手側接触面２１０と第２の相手側接触面２２０とに接触する別個の電気コネクタを設けることもできる。電気コネクタ２３０または複数の電気コネクタは、ジャックコネクタとして以外にも、例えば絶縁貫通型コネクタ、螺子接触部（端子ブロック）、または、はんだピンとして構成され得る。

第１の接続回路基板２００は、第１の穿孔２４０および第２の穿孔２５０を有する。第１の穿孔２４０および第２の穿孔２５０は、それぞれ、第１の接続回路基板２００の表面２０１に直交するように配向された、第１の接続回路基板２００を貫通する開口部として延在している。この場合、第１の穿孔２４０は、第１の接続回路基板２００の第１の角領域内に配置され、第１の相手側接触面２１０を貫通している。第２の穿孔２５０は、第１の接続回路基板２００の第２の角領域内に配置され、第２の相手側接触面２２０を貫通している。第１の接続回路基板２００の第１の穿孔２４０の、および、第２の穿孔２５０の直径は、好ましくは、第１のコンポーネント回路基板１００の第１の穿孔１４０の、および、第２の穿孔１５０の直径にほぼ一致する。第１の接続回路基板２００の穿孔２４０，２５０間の距離は、第１のコンポーネント回路基板１００の第１の穿孔１４０と第２の穿孔１５０との距離にほぼ一致する。

第１のオプトエレクトロニクス装置１０の第１のコンポーネント回路基板１００と第１のオプトエレクトロニクス装置１０の第１の接続回路基板２００とは、第１のコンポーネント回路基板１００の表面１０１が第１の接続回路基板２００の表面２０１に対向し、第１の接続回路基板２００の第１の相手側接触面２１０が第１のコンポーネント回路基板１００の第１の接触面１１０に電気接続し、第１の接続回路基板２００の第２の相手側接触面２２０が第１のコンポーネント回路基板１００の第２の電気接触面１２０に電気接続するように、相互接続されることを意図されている。図３は、第１のオプトエレクトロニクス装置１０の相互接続された回路基板１００，２００の概略平面図を示す。図４は、第１のオプトエレクトロニクス装置１０の相互接続された回路基板１００，２００の概略側面図を示す。

第１のオプトエレクトロニクス装置１０の第１のコンポーネント回路基板１００と第１の接続回路基板２００とは、第１の固定手段３００によって相互接続されている。第１の固定手段３００は螺子接続部として構成され、図３および図４に示す例では、第１の螺子３１０および第２の螺子３２０を含む。しかしながら、螺子の数は、異なることもできる。第１の螺子３１０は、第１のコンポーネント回路基板１００の第１の穿孔１４０、および、第１の接続回路基板２００の第１の穿孔２４０を貫通して延在している。第２の螺子３２０は、第１のコンポーネント回路基板１００の第２の穿孔１５０、および、第１の接続回路基板２００の第２の穿孔２５０を貫通して延在している。第１の固定手段３００の第１の螺子３１０および第２の螺子３２０は、それぞれ、ナット（図３および図４には不図示）によって緊締され得る。

図３および図４に示した第１の接続回路基板２００と第１のコンポーネント回路基板１００とが接続した状態では、第１の接続回路基板２００の第１の相手側接触面２１０は、第１の電気接触面１１０に電気接続している。これにより、第１の接続回路基板２００の電気コネクタ２３０と第１のコンポーネント回路基板１００のオプトエレクトロニクス半導体チップ１３０とは、電気接続される。第１の接続回路基板２００の第２の相手側接触面２２０は、第２の相手側接触面２２０と第２の電気接触面１２０との間で電気接続が行われるように、第２の相手側接触面１２０に押圧されている。これにより、第１の接続回路基板２００の電気コネクタ２３０と第１のコンポーネント回路基板１００のオプトエレクトロニクス半導体チップ１３０とはまた、電気接続される。

第１のコンポーネント回路基板１００の第１の電気接触面１１０、第１のコンポーネント回路基板１００の第２の電気接触面１２０、第１の接続回路基板２００の第１の相手側接触面２１０、および／または、第１の接続回路基板２００の第２の相手側接触面２２０は、展性材料を含んでもよい。この展性材料は、相手側接触面２１０，２２０および電気接触面１１０，１２０が共に押圧されるときに変形し、あり得る高さの相違を補償する。展性材料は、スズはんだ等を含んでもよい。

図５〜図７は、第２のオプトエレクトロニクス装置２０のコンポーネントを示す。第２のオプトエレクトロニクス装置２０は、図１〜図４の第１のオプトエレクトロニクス装置１０に対応している。第２のオプトエレクトロニクス装置２０の、第１のオプトエレクトロニクス装置１０内に備えられたコンポーネントに対応するコンポーネントには、図５〜図７において図１〜図４と同じ参照符号を付し、以下において詳細な説明は繰り返さない。第２のオプトエレクトロニクス装置２０と第１のオプトエレクトロニクス装置１０との相違点のみを説明する。

図５は、第２のオプトエレクトロニクス装置２０の第２の接続回路基板１２００の概略平面図を示す。第１のオプトエレクトロニクス装置１０の第１の接続回路基板２００が第２の接続回路基板１２００によって置き換えられている。電気コネクタ２３０の代わりに、第２の接続回路基板１２００は、第１のはんだ接触面１２１０および第２のはんだ接触面１２２０を有する。第１のはんだ接触面１２１０は、第１の相手側接触面２１０に接続している。図示の例では、第１のはんだ接触面１２１０と第１の相手側接触面２１０とは、互いに連続的に平坦に併合されている。第２のはんだ接触面１２２０は、第２の相手側はんだ接触面２２０に電気接続している。図示の例では、第２のはんだ接触面１２２０と第２の相手側接触面２２０とは、互いに連続的に平坦に併合されている。

第２の接続回路基板１２００の第１のはんだ接触面１２１０および第２のはんだ接触面１２２０は、それぞれ、導電体がはんだ付けされることを意図されている。図５では、一例として、第１の導体１２１５が第１のはんだ接触面１２１０にはんだ付けされている。かかる例示的な図では、第２の導体１２２５が第２のはんだ接触面１２２０にはんだ付けされている。

第２の接続回路基板１２００に加えて、第２のオプトエレクトロニクス装置２０は、図１の第１のコンポーネント回路基板１００を備えている。

図６は、第１のコンポーネント回路基板１００が第１の固定手段３００によって第２の接続回路基板１２００に接続された状態の第２のオプトエレクトロニクス装置２０の概略平面図を示す。図７は、第２の接続回路基板１２００が第１のコンポーネント回路基板１００に接続された第２のオプトエレクトロニクス装置２０の概略側面図を示す。第２のオプトエレクトロニクス装置２０の第２の接続回路基板１２００の表面２０１は、第２のオプトエレクトロニクス装置２０の第１のコンポーネント回路基板１００の表面１０１に対向している。第２の接続回路基板１２００の第１の相手側接触面２１０が第１のコンポーネント回路基板１００の第１の電気接触面１１０に押圧されていることにより、第１の相手側接触面２１０と第１の電気接触面１１０とは電気接続されている。第２の接続回路基板１２００の第２の相手側接触面２２０が第１のコンポーネント回路基板１００の第２の電気接触面１２０に押圧されていることにより、第２の相手側接触面２２０と第２の電気接触面１２０とは電気接続されている。このように、第２のオプトエレクトロニクス装置２０において、第１のコンポーネント回路基板１００上に配置されたオプトエレクトロニクス半導体チップ１３０は、第２の接続回路基板１２００に接続された第１の導体１２１５、および、第２の接続回路基板１２００に接続された第２の導体１２２５を介して接触されることができる。

図８および図９は、第３のオプトエレクトロニクス装置３０のコンポーネントの概略図を示す。第３のオプトエレクトロニクス装置３０は、図１〜図４の第１のオプトエレクトロニクス装置１０に対応する。第３のオプトエレクトロニクス装置３０の、第１のオプトエレクトロニクス装置１０内に備えられたコンポーネントに対応するコンポーネントには、図８および図９において図１〜図４と同じ参照符号を付し、以下において詳細な説明は繰り返さない。第３のオプトエレクトロニクス装置３０と第１のオプトエレクトロニクス装置１０との相違点のみを説明する。

図８は、第３のオプトエレクトロニクス装置３０の第２のコンポーネント回路基板２１００の平面図示す。第１のコンポーネント回路基板１００が第２のコンポーネント回路基板２１００によって置き換えられている。第１の電気接触面１１０および第２の電気接触面１２０に加えて、第２のコンポーネント回路基板２１００は、第３の電気接触面２１３０および第４の電気接触面２１４０を有する。第３の電気接触面２１３０および第４の電気接触面２１４０は、第１の電気接触面１１０および第２の電気接触面１２０と同様に、第２のコンポーネント回路基板２１００の表面１０１上に形成されている。第２のコンポーネント回路基板２１００の第１の電気接触面１１０、第２の電気接触面１２０、第３の電気接触面２１３０、および、第４の電気接触面２１４０は、それぞれ、互いに電気的に絶縁されている。

第２のコンポーネント回路基板２１００はまた、オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０に加えて、さらなる素子２１６０を有する。さらなる素子２１６０は、第２のコンポーネント回路基板２１００の表面１０１上に配置されている。さらなる素子２１６０は、第３の電気接触面２１３０および第４の電気接触面２１４０に電気接続しているため、第３の電気接触面２１３０および第４の電気接触面２１４０を介して電流および電圧を受け取ることができる。また、第２のコンポーネント回路基板２１００のオプトエレクトロニクス半導体チップ１３０およびさらなる素子２１６０が共通のアース接触部（ground contact）を有することができるように、第２のコンポーネント回路基板２１００のオプトエレクトロニクス半導体チップ１３０およびさらなる素子２１６０を第２のコンポーネント回路基板２１００の電気接触面１１０，１２０，２１３０，２１４０に接続することもできる。この場合、第２のコンポーネント回路基板２１００の電気接触面１１０，１２０，２１３０，２１４０の１つを省略しても、他の目的のために使用してもよい。

第２のコンポーネント回路基板２１００のさらなる素子２１６０を、例えば、さらなるオプトエレクトロニクス半導体チップとしてもよい。さらなる素子２１６０はまた、熱電対またはＮＴＣサーミスタであり得る。この場合、さらなる素子２１６０は、第２のコンポーネント回路基板２１００における温度（例えば、オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０の温度）をモニタリングするために使用され得る。第２のコンポーネント回路基板２１００のさらなる素子２１６０はまた、輝度を測定するための素子であり得る。この場合、さらなる素子２１６０は、第２のコンポーネント回路基板２１００のオプトエレクトロニクス半導体チップ１３０が出射した電磁放射の輝度を測定するために使用され得る。第２のコンポーネント回路基板２１００のさらなる素子２１６０はまた、符号化素子であり得る。この符号化素子は、例えば、第２のコンポーネント回路基板２１００のオプトエレクトロニクス半導体チップ１３０の色軌跡、輝度、スペクトル分布、または、温度変化を符号化するために使用される。この場合、符号化素子を形成するさらなる素子２１６０は、例えば、抵抗ネットワークとして構成され得る。第３のオプトエレクトロニクス装置３０の第２のコンポーネント回路基板２１００のさらなる素子２１６０はまた、他の能動または受動コンポーネントであり得る。

第２のコンポーネント回路基板２１００は、第２のコンポーネント回路基板２１００の外縁部から第２のコンポーネント回路基板２１００内まで延びるスロット２１５０を有する。スロット２１５０は、第２のコンポーネント回路基板２１００の外縁部上に配置され、スロット２１５０に隣接して第２のコンポーネント回路基板２１００の電気接触面１１０，１２０，２１３０，２１４０が位置決めされている。図８に示す例では、第２のコンポーネント回路基板２１００の第１の電気接触面１１０と第３の電気接触面２１３０とがスロット２１５０一方側に配置されている。図８に示す例では、第２の電気接触面１２０と第４の電気接触面２１４０とがスロット２１５０の他方側に配置されている。第２のコンポーネント回路基板２１００のスロット２１５０によって、第２のコンポーネント回路基板２１００の一定程度の変形が許容される。特に、スロット２１５０によって、第２のコンポーネント回路基板２１００の第１の電気接触面１１０と第２の電気接触面１２０との距離、第２のコンポーネント回路基板２１００の第３の電気接触面２１３０と第４の電気接触面２１４０との距離、および、第２のコンポーネント回路基板２１００の第１の穿孔１４０と第２の穿孔１５０との距離の変化が許容される。したがって、第２のコンポーネント回路基板２１００のスロット２１５０は、熱による長さの変化を補償することができる。

図９は、第３のオプトエレクトロニクス装置３０の第３の接続回路基板２２００の平面図を示す。第１の接続回路基板２００が第３の接続回路基板２２００によって置き換えられている。第３の接続回路基板２２００は、第１の相手側接触面２１０および第２の相手側接触面２２０に加えて、第３の相手側接触面２２３０および第４の相手側接触面２２４０を有する。第３の接続回路基板２２００の個々の相手側接触面２１０，２２０，２２３０，２２４０のそれぞれは、互いに電気的に絶縁されている。第３の接続回路基板２２００の電気コネクタ２３０の第３の電気接続要素２２３０は、はんだ接続等によって第３の相手側接触面２２３０に電気接続されている。第３の接続回路基板２２００の電気コネクタ２３０の第４の電気接続要素２２３４は、第４の相手側接触面２２４０に電気接続されている（例えば、第４の相手側接触面２２４０にはんだ付けされている）。したがって、第３の接続回路基板２２００の電気コネクタ２３０は、第３の接続回路基板２２００の第１の相手側接触面２１０、第２の相手側接触面２２０、第３の相手側接触面２２３０、および、第４の相手側接触面２２４０に電気接続をもたらす。

第３の接続回路基板２２００は、第３の接続回路基板２２００の外縁部から第３の接続回路基板２２００内まで延びるスロット２２５０を有する。スロット２２５０は、第３の接続回路基板２２００の外縁部上に配置され、スロット２２５０に隣接して第３の接続回路基板２２００の相手側接触面２１０，２２０，２２３０，２２４０が配置されている。この場合、スロット２２５０は、第１の相手側接触面２１０と第２の相手側接触面２２０との間、および、第３の相手側接触面２２３０と第４の相手側接触面２２４０との間に延びている。スロット２２５０によって、第３の接続回路基板２２００の一定程度の変形が許容される。これにより、第３の接続回路基板２２００の一方側の第１の相手側接触面２１０および第３の相手側接触面２２３０と、他方側の第２の相手側接触面２２０および第４の相手側接触面２２４０との距離は変化することができる。さらに、スロット２２５０によって、第３の接続回路基板２２００の第１の穿孔２４０と第２の穿孔２５０との距離の変化が許容される。これにより、熱による長さの変化を補償することができる。

第３のオプトエレクトロニクス装置３０の第２のコンポーネント回路基板２１００と第３の接続回路基板２２００とが相互接続されているとき、第２のコンポーネント回路基板２１００の表面１１０は、第３の接続回路基板２２００の表面２０１に対向している。第３の接続回路基板２２００の第１の相手側接触面２１０が第２のコンポーネント回路基板２１００の第１の電気接触面１１０に押圧されていることにより、第１の相手側接触面２１０と第１の電気接触面１１０とは電気接続される。同様に、第２の相手側接触面２２０が第２の電気接触面１２０に押圧され、第３の相手側接触面２２３０が第３の電気接触面２１３０に押圧され、第４の相手側接触面２２４０が第４の電気接触面２１４０に押圧されていることにより、第２の相手側接触面２２０と第２の電気接触面１２０とは電気接続され、第３の相手側接触面２２３０と第３の電気接触面２１３０とは電気接続され、かつ、第４の相手側接触面２２４０と第４の電気接触面２１４０とは電気接続される。この場合もまた、電気接触面１１０，１２０，２１３０，２１４０および／または相手側接触面２１０，２２０，２２３０，２２４０は、展性材料を含んでもよく、この展性材料は、変形することによって、一定程度の高さの相違を補償することができる。

第３のオプトエレクトロニクス装置３０の第２のコンポーネント回路基板２１００の電気接触面１１０，１２０，２１３０，２１４０の１つを省略する場合、第３のオプトエレクトロニクス装置３０の第３の接続回路基板２２００の対応する相手側接触面２１０，２２０，２２３０，２２４０を省略してもよい。また、４つの電気接触面１１０，１２０，２１３０，２１４０より多くの電気接触面を有する第２のコンポーネント回路基板２１００を構成することも可能である。この場合、第３の接続回路基板２２００もまた、対応するより大きな数の相手側接触面２１０，２２０，２２３０，２２４０を有する。

第３のオプトエレクトロニクス装置３００の第２のコンポーネント回路基板２１００および第３の接続回路基板２２００の熱膨張係数は、互いに異なっていてもよい。この場合、第２のコンポーネント回路基板２１００と第３の接続回路基板２２００とは、加熱時に、横方向に異なる程度膨張する。第２のコンポーネント回路基板２１００と第３の接続回路基板２２００との異なる大きさの熱膨張は、第２のコンポーネント回路基板２１００内に配置されたスロット２１５０および／または第３の接続回路基板２２００内に配置されたスロット２２５０によって補償され得る。これにより、第２のコンポーネント回路基板２１００と第３の接続回路基板２２００とが異なる大きさに熱膨張したとしても、第２のコンポーネント回路基板２１００の電気接触面１１０，１２０，２１３０，２１４０と第３の接続回路基板２２００の相手側接触面２１０，２２０，２２３０，２２４０との間で、信頼性の高い電気接続を確実に行うことができ、かつ、第２のコンポーネント回路基板２１００および第３の接続回路基板２２００へのダメージは防止される。スロット２１５０，２２５０の一方を省略することもできる。第３のオプトエレクトロニクス装置３０の第２のコンポーネント回路基板２１００および第３の接続回路基板２２００は、スロット２１５０，２２５０の代わりに、細長い穴を有することもでき、かかる細長い穴は、第２のコンポーネント回路基板２１００の、および、第３の接続回路基板２２００の外縁部方向に開口していない。そのような細長い穴もまた、回路基板２１００，２２００の一定程度の変形を許容する。

加熱時、第３のオプトエレクトロニクス装置３０の第２のコンポーネント回路基板２１００および第３の接続回路基板２２００はまた、第２のコンポーネント回路基板２１００および第３の接続回路基板２２００の平面に対して直交方向にも膨張する。第３のオプトエレクトロニクス装置３０の第１の固定手段３００の第１の螺子３１０および第２の螺子３２０は、第２のコンポーネント回路基板２１００および第３の接続回路基板２２００の熱膨張係数に適合する熱膨張係数（例えば、第２のコンポーネント回路基板２１００の熱膨張係数と第３の接続回路基板２２００の熱膨張係数との間の熱膨張係数）の材料から形成され得る。したがって、加熱される場合に、第１の固定手段３００の螺子３１０，３２０の長さも変化することにより、第３のオプトエレクトロニクス装置３０の回路基板２１００，２２００の熱膨張は補償または考慮される。

図１０は、第４のオプトエレクトロニクス装置４０の概略側面図を示す。第４のオプトエレクトロニクス装置４０は、図１〜図４の第１のオプトエレクトロニクス装置１０に対応している。第４のオプトエレクトロニクス装置４０の、第１のオプトエレクトロニクス装置１０内に備えられたコンポーネントに対応するコンポーネントには、図１０において図１〜図４と同じ参照符号を付し、以下において詳細な説明は繰り返さない。第４のオプトエレクトロニクス装置４０と第１のオプトエレクトロニクス装置１０との相違点のみを説明する。

第４のオプトエレクトロニクス装置４０は、第１の固定手段３００に代わる第２の固定手段４３００を有する。第２の固定手段４３００は、第４のオプトエレクトロニクス装置４０の第１のコンポーネント回路基板１００と第１の接続回路基板２００とを互いに固定するために使用される。第１の固定手段３００と同様に、第２の固定手段４３００は、第１の螺子３１０および第２の螺子３２０を有する。さらに、第２の固定手段４３００は、各螺子３１０，３２０のための、第１の弾性要素４３１０および第２の弾性要素４３２０を有する。弾性要素４３１０，４３２０は、フレキシブルな材料を含む。弾性要素４３１０，４３２０は、好ましくは、電気絶縁材料をさらに含む。弾性要素４３１０，４３２０は、それぞれ、リング状に形成されている。第１の螺子３１０および第２の螺子３２０は、それぞれ、各螺子３１０，３２０に割り当てられた第１の弾性要素４３１０、および、各螺子３１０，３２０に割り当てられた第２の弾性要素４３２０を通って延在している。第４のオプトエレクトロニクス装置４０の第１のコンポーネント回路基板１００および第１の接続回路基板２００は、第２の固定手段４３００の２つの第１の弾性要素４３１０と２つの第２の弾性要素４３２０との間に配置されている。弾力的可撓性を有する弾性要素４３１０，４３２０は、第４のオプトエレクトロニクス装置４０の第１のコンポーネント回路基板１００および第１の接続回路基板２００の熱による長さの変化を補償するために使用される。第２の固定手段４３００の簡略化した変形形態では、第１の弾性要素４３１０または第２の弾性要素４３２０を省略してもよい。

当然、第２の固定手段４３００はまた、第２のオプトエレクトロニクス装置２０または第３のオプトエレクトロニクス装置３０においても使用されることができる。

図１１は、第５のオプトエレクトロニクス装置５０の概略側面図を示す。第５のオプトエレクトロニクス装置５０は、図１〜図４の第１のオプトエレクトロニクス装置１０に対応している。第５のオプトエレクトロニクス装置５０の、第１のオプトエレクトロニクス装置１０内に備えられたコンポーネントに対応するコンポーネントには、図１１において図１〜図４と同じ参照符号を付し、以下において詳細な説明は繰り返さない。第５のオプトエレクトロニクス装置５０と第１のオプトエレクトロニクス装置１０との相違点のみを説明する。

第５のオプトエレクトロニクス装置５０は、第１のオプトエレクトロニクス装置１０の第１の固定手段３００に代わる第３の固定手段５３００を有する。第３の固定手段５３００は、第１の固定手段３００と同様に、第１の螺子３１０および第２の螺子３２０を備え、これら第１の螺子３１０および第２の螺子３２０は、第５のオプトエレクトロニクス装置５０の第１のコンポーネント回路基板１００と第１の接続回路基板２００とを互いに接続するために使用される。さらに、第３の固定手段５３００は、導電要素５３１０を備えている。導電要素５３１０は、第１のコンポーネント回路基板１００の表面１０１と第１の接続回路基板２００の表面２０１との間に配置され、第５のオプトエレクトロニクス装置５０の第１のコンポーネント回路基板１００および第１の接続回路基板２００の、熱による長さの変化、特に熱による厚さの変化を補償するために使用される。この目的のために、導電要素５３１０は、弾力的可撓性を有するように構成される。

導電要素５３１０は開口部を有し、この開口部を通って第３の固定手段５３００の第１の螺子３１０および第２の螺子３２０が延在している。

導電要素５３１０は、互いに電気的に絶縁された２つの部分を有する。導電要素５３１０のかかる２つの部分はまた、互いに物理的に離間していてもよい。導電要素５３１０の第１の部分は、第１のコンポーネント回路基板１００の第１の電気接触面１１０と第１の接続回路基板２００の第１の相手側接触面２１０との間に配置されている。導電要素５３１０の第２の部分は、第１のコンポーネント回路基板１００の第２の電気接触面１２０と第１の接続回路基板２００の第２の相手側接触面２２０との間に配置されている。この場合、導電要素５３１０の上記２つの部分は、それぞれ、第１のコンポーネント回路基板１００の電気接触面１１０，１２０と第１の接続回路基板２００の関連付けられた相手側接触面２１０，２２０との間で電気接続を形成する。

２つの部分が互いに離間していない導電要素５３１０を形成することもできる。この場合、導電要素５３１０は、一体的に形成される。一体的に形成される場合、導電要素５３１０は、等方性の導電性を有することにより、導電要素５３１０が一体的に連続しているにもかかわらず、第１の電気接触面１１０と第１の相手側接触面２１０との間、および、第２の電気接触面１２０と第２の相手側接触面２２０との間のいずれかのみにおいて、確実に電気接続が行われる。この目的のために、例えば導電要素５３１０は、軟質のプラスチック材料内に埋め込まれた金属、または、カーボンもしくはグラファイト等の他の導電材料からなる垂直導電要素（ビア）を有してもよい。

第５のオプトエレクトロニクス装置５０の第３の固定手段５３００は、第２のオプトエレクトロニクス装置２０または第３のオプトエレクトロニクス装置３０においても使用され得る。

図１２は、第６のオプトエレクトロニクス装置６０の概略側面図を示す。第６のオプトエレクトロニクス装置６０は、図１〜図４の第１のオプトエレクトロニクス装置１０に対応している。第６のオプトエレクトロニクス装置６０の、第１のオプトエレクトロニクス装置１０内に備えられたコンポーネントに対応するコンポーネントには、図１２において図１〜図４と同じ参照符号を付し、以下において詳細な説明は繰り返さない。第６のオプトエレクトロニクス装置６０と第１のオプトエレクトロニクス装置１０との相違点のみを説明する。

第６のオプトエレクトロニクス装置６０は、第１の固定手段３００に代わる第４の固定手段６３００を有し、第４の固定手段６３００は、第６のオプトエレクトロニクス装置６０の第１のコンポーネント回路基板１００と第１の接続回路基板２００とを接続することを意図されている。第４の固定手段６３００は、クランプ接続部として形成され、第１のクランプジョー６３１０および第２のクランプジョー６３２０を備えている。第６のオプトエレクトロニクス装置６０の第１のコンポーネント回路基板１００および第１の接続回路基板２００は、第４の固定手段６３００の第１のクランプジョー６３１０と第２のクランプジョー６３２０との間に保持され、クランプジョー６３１０，６３２０によって互いに押圧されている。好ましくは、第１のコンポーネント回路基板１００と第１の接続回路基板２００とが弾性的可撓性を伴って、第４の固定手段６３００のクランプジョー６３１０，６３２０によって互いに押圧されることにより、第１のコンポーネント回路基板１００および第１の接続回路基板２００の熱による厚さの変化が補償されることができる。

第１のコンポーネント回路基板１００の第１の穿孔１４０および第２の穿孔１５０、ならびに、第１の接続回路基板２００の第１の穿孔２４０および第２の穿孔２５０を、第６のオプトエレクトロニクス装置６０から省略してもよい。

第６のオプトエレクトロニクス装置６０の第４の固定手段６３００はまた、第２のオプトエレクトロニクス装置２０および第３のオプトエレクトロニクス装置３０においても使用され得る。

第６のオプトエレクトロニクス装置６０の第１のコンポーネント回路基板１００と第１の接続回路基板２００とは、第４の固定手段６３００の代わりに、他の固定手段または他の固定方法によっても相互接続されることができる。例えば、第１のコンポーネント回路基板１００と第１の接続回路基板２００とは、低温はんだ付け、接着結合、銀焼結、収縮チューブの収縮、リベット締め、コーキング、圧着、共晶接合、プラスチックによる周囲の成形、圧入接続によって相互接続されることができる。また、対応する固定手段または固定方法が、第２のオプトエレクトロニクス装置２０および第３のオプトエレクトロニクス装置３０において使用され得る。

図１３は、第７のオプトエレクトロニクス装置７０の第４の接続回路基板３２００の概略平面図を示す。第７のオプトエレクトロニクス装置７０は、第１のオプトエレクトロニクス装置１０に対応している。第７のオプトエレクトロニクス装置７０の、第１のオプトエレクトロニクス装置１０内に備えられたコンポーネントに対応するコンポーネントには、図１３において図１〜図４と同じ参照符号を付し、以下において詳細な説明は繰り返さない。第７のオプトエレクトロニクス装置７０と第１のオプトエレクトロニクス装置１０との相違点のみを説明する。

第１のオプトエレクトロニクス装置１０の第１の接続回路基板２００が第７のオプトエレクトロニクス装置７０の第４の接続回路基板３２００によって置き換えられている。第１のオプトエレクトロニクス装置１０にも存在するコンポーネントに加えて、さらなる素子３２１０が第４の接続回路基板３２００の表面２０１上に配置されている。さらなる素子３２１０は、第４の接続回路基板３２００の電気コネクタ２３０の第３の電気接続要素３２３３に接続していることによって、電気コネクタ２３０を介して電気的に接触されることができる。

第４の接続回路基板３２００のさらなる素子３２１０は、第７のオプトエレクトロニクス装置７０の第１のコンポーネント回路基板１００のオプトエレクトロニクス半導体チップ１３０を駆動するための駆動電子部品、第７のオプトエレクトロニクス装置７０の第１のコンポーネント回路基板１００のオプトエレクトロニクス半導体チップ１３０を保護するための保護回路、第７のオプトエレクトロニクス装置７０の第１のコンポーネント回路基板１００のオプトエレクトロニクス半導体チップ３０を熱的または電気的にモニタリングするためのモニタリング回路、オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０の履歴を記録するための監視回路、または、第７のオプトエレクトロニクス装置７０の第１のコンポーネント回路基板１００のオプトエレクトロニクス半導体チップ１３０の色軌跡、輝度、スペクトル分布、または、温度変化等を符号化するための符号化素子として形成され得る。第４の接続回路基板３２００のさらなる素子３２１０が監視回路として形成される場合、さらなる素子３２１０は、オプトエレクトロニクス半導体チップ１３０の作動時間を記録するために、または、温度変化を記録するために使用され得る。

図５の第２の接続回路基板１２００および図９の第３の接続回路基板２２００は、第４の接続回路基板３２００と同様に、さらなる素子３２１０を具備してもよい。

好ましい例示的な実施形態を用いて、本発明を図示し、詳細に説明した。しかしながら、本発明は、開示した例に限定されない。むしろ、当業者であれば、開示した例に基づき、本発明の保護範囲から逸脱することなく、他の変形形態を得ることができる。

本特許出願は、独国特許出願第１０２０１３２１１６４０．３号の優先権を主張し、その開示内容は参照によって本明細書に援用される。

１０第１のオプトエレクトロニクス装置
２０第２のオプトエレクトロニクス装置
３０第３のオプトエレクトロニクス装置
４０第４のオプトエレクトロニクス装置
５０第５のオプトエレクトロニクス装置
６０第６のオプトエレクトロニクス装置
７０第７のオプトエレクトロニクス装置
１００第１のコンポーネント回路基板
１０１表面
１１０第１の電気接触面
１２０第２の電気接触面
１３０オプトエレクトロニクス半導体チップ
１４０第１の穿孔
１５０第２の穿孔
２００第１の接続回路基板
２０１表面
２１０第１の相手側接触面
２２０第２の相手側接触面
２３０電気コネクタ
２３１第１の電気接続要素
２３２第２の電気接続要素
２３３接続面
２４０第１の穿孔
２５０第２の穿孔
３００第１の固定手段
３１０第１の螺子
３２０第２の螺子
１２００第２の接続回路基板
１２１０第１のはんだ接触面
１２１５第１の導体
１２２０第２のはんだ接触面
１２２５第２の導体
２１００第２のコンポーネント回路基板
２１３０第３の電気接触面
２１４０第４の電気接触面
２１５０スロット
２１６０さらなる素子
２２００第３の接続回路基板
２２３０第３の相手側接触面
２２３３第３の電気接続要素
２２３４第４の電気接続要素
２２４０第４の相手側接触面
２２５０スロット
３２００第４の接続回路基板
３２１０さらなる素子
３２３３第３の電気接続要素
４３００第２の固定手段
４３１０第１の弾性要素
４３２０第２の弾性要素
５３００第３の固定手段
５３１０導電要素
６３００第４の固定手段
６３１０第１のクランプジョー
６３２０第２のクランプジョー

Claims

第１の回路基板（１００，２１００）および第２の回路基板（２００，１２００，２２００，３２００）を有するオプトエレクトロニクス装置（１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０）であって、
オプトエレクトロニクス半導体チップ（１３０）が前記第１の回路基板（１００，２１００）上に配置され、
第１の電気接触面（１１０）および第２の電気接触面（１２０）が前記第１の回路基板（１００，２１００）の表面（１０１）上に形成され、
第１の相手側接触面（２１０）および第２の相手側接触面（２２０）が前記第２の回路基板（２００，１２００，２２００，３２００）の表面（２０１）上に形成され、
前記第１の回路基板（１００，２１００）と前記第２の回路基板（２００，１２００，２２００，３２００）とは、前記第１の回路基板（１００，２１００）の前記表面（１０１）が前記第２の回路基板（２００，１２００，２２００，３２００）の前記表面（２０１）に対向し、前記第１の相手側接触面（２１０）が前記第１の電気接触面（１１０）に電気接続し、かつ、前記第２の相手側接触面（２２０）が前記第２の電気接触面（１２０）に電気接続するように、相互接続されることを意図されている、
オプトエレクトロニクス装置（１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０）であって、
前記第２の回路基板（２００，２２００，３２００）は、電気コネクタ（２３０）を備え、前記電気コネクタ（２３０）の電気接続要素（２３１）は、前記第１の相手側接触面（２１０）に電気接続し、
前記第１の電気接触面（１１０）および前記第２の電気接触面（１２０）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１３０）に電気接続し、
前記第１の回路基板（２１００）は、前記第１の電気接触面（１１０）と前記第２の電気接触面（１２０）との間に配置されたスロット（２１５０）を備え、かつ／または、
前記第２の回路基板（２２００）は、前記第１の相手側接触面（２１０）と前記第２の相手側接触面（２２０）との間に配置されたスロット（２２５０）を備えている、
オプトエレクトロニクス装置（１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０）。
前記電気コネクタ（２３０）は、ジャックコネクタ、絶縁貫通型コネクタ、螺子接触部、または、はんだピンとして形成されている、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス装置（１０，３０，４０，５０，６０，７０）。
前記第１の回路基板（１００）と前記第２の回路基板（２００）とは、弾性的可撓性を有する固定手段（４３００，５３００，６３００）によって相互接続されることを意図されている、請求項１又は２に記載のオプトエレクトロニクス装置（４０，５０，６０）。
前記第１の回路基板（１００，２１００）と前記第２の回路基板（２００，１２００，２２００，３２００）とは、螺子接続部（３００，４３００，５３００）によって相互接続されることを意図されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス装置（１０，２０，３０，４０，５０，７０）。
前記第１の回路基板（１００）と前記第２の回路基板（２００）とは、クランプ接続部（６３００）によって相互接続されることを意図されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス装置（６０）。
前記第２の回路基板（２００，１２００，２２００，３２００）と前記第１の回路基板（１００，２１００）とが相互接続されているとき、前記第１の相手側電気接触面（２１０）は、前記第１の電気接触面（１１０）に押圧され、前記第２の相手側電気接触面（２２０）は、前記第２の電気接触面（１２０）に押圧されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス装置（１０，２０，３０，４０，６０，７０）。
前記オプトエレクトロニクス装置（５０）は、前記第２の回路基板（２００）と前記第１の回路基板（１００）とが相互接続されているとき、前記第１の相手側接触面（２１０）と前記第１の電気接触面（１１０）との間、および／または、前記第２の相手側接触面（２２０）と前記第２の電気接触面（１２０）との間に配置されることを意図された導電要素（５３１０）を備えている、請求項１〜５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス装置（５０）。
前記第１の電気接触面（１１０）、前記第２の電気接触面（１２０）、前記第１の相手側接触面（２１０）、および／または、前記第２の相手側接触面（２２０）は、展性材料を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス装置（１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０）。
前記第１の回路基板（２１００）は、第３の電気接触面（２１３０）を備え、
前記第２の回路基板（２２００）は、第３の相手側電気接触面（２２３０）を備え、
前記第１の回路基板（２１００）と前記第２の回路基板（２２００）とは、前記第３の相手側接触面（２２３０）が前記第３の電気接触面（２１３０）に電気接続するように、相互接続されることを意図されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス装置（３０）。
前記第１の回路基板（１００，２１００）は、金属コア回路基板として構成されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス装置（１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０）。
前記第２の回路基板（２００，１２００，２２００，３２００）は、ＦＲ４回路基板として構成されている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス装置（１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０）。
熱電対、ＮＴＣサーミスタ、輝度を測定するための素子、符号化素子、または、さらなるオプトエレクトロニクス半導体チップとして構成されたさらなる素子（２１６０）が、前記第１の回路基板（２１００）上に配置されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（３０）。
前記第３の電気接触面（２１３０）は、前記さらなる素子（２１６０）に電気接続している、請求項９又は１２に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（３０）。
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１３０）を駆動するための駆動電子部品、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１３０）を保護するための保護回路、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１３０）を電気的または熱的にモニタリングするためのモニタリング回路、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１３０）の履歴を記録するための監視回路、および／または、符号化素子として構成されたさらなる素子（３２１０）が前記第２の回路基板（３２００）上に配置されている、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス装置（７０）。