JP6313804B2 - Component built-in board - Google Patents
Component built-in board Download PDFInfo
- Publication number
- JP6313804B2 JP6313804B2 JP2016079636A JP2016079636A JP6313804B2 JP 6313804 B2 JP6313804 B2 JP 6313804B2 JP 2016079636 A JP2016079636 A JP 2016079636A JP 2016079636 A JP2016079636 A JP 2016079636A JP 6313804 B2 JP6313804 B2 JP 6313804B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- substrate
- opening
- stacking direction
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 245
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 116
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 63
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 28
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 21
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 13
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 64
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006259 thermoplastic polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
本発明は、電子部品を内蔵した部品内蔵基板に関する。 The present invention relates to a component-embedded substrate that incorporates an electronic component.
近年の小型精密電子機器を中心とした更なる小型化や高性能化の要求に対応するため、基板に搭載される半導体デバイスについても小型化や高集積化が求められている。このような要求に対してCoC(Chip on Chip)、PoP(Package on Package)等の三次元パッケージ技術や部品内蔵基板技術により、半導体デバイスの小型化を進めつつ高集積化に対応する必要性が増している。 In order to meet the demand for further miniaturization and higher performance centered on recent small precision electronic devices, semiconductor devices mounted on a substrate are also required to be miniaturized and highly integrated. In response to such demands, there is a need to cope with high integration while miniaturizing semiconductor devices by using three-dimensional package technology such as CoC (Chip on Chip) and PoP (Package on Package) and component-embedded substrate technology. It is increasing.
このような技術のうち、部品内蔵基板技術を用いたものとして、下記特許文献1に開示された部品内蔵基板が知られている。この部品内蔵基板は、中間基板の両面側に設けた接着層及び貫通構造で形成した層間接続ビアにより、積層方向における中間基板の上下に配置された構造体の接着及び電気的接続を行うことができる。このように、一括積層の後に、一度のキュアプレスによって複数の電子部品を異なる層に内蔵し、複雑な多層構造の部品内蔵基板を従来の工程と同様の工程にて製造している。
Among such techniques, a component-embedded substrate disclosed in
ところで、上記特許文献1に開示された部品内蔵基板では、層間接続に接着材からなる接着層を用いている。このため、プレスキュア時に電子部品とこれを収容する開口部との間の間隙に接着材が流動して流れ込み、結果的に表面形状に凹凸の変形が生じることとなる。特に、この部品内蔵基板では、異なる層の開口部及び電子部品が、上面視で見てそれぞれ積層方向においてほぼ同じ位置に設けられている。従って、異なる層に形成されたにも拘わらず、積層方向に重なる部分の各間隙の合計体積は、電子部品の周囲に亘って最大となる。
Incidentally, in the component-embedded substrate disclosed in
この場合、中間基板等により内層側の接着材の流動はある程度制限されるが、概ね表層側の接着材が、それぞれ上述した間隙に流れ込む。これにより、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板と比べると、各間隙の表層側の表面形状の凹みによる変形が大きくなり、コプラナリティ(coplanarity:共平面性、均一性、平坦度)が極端に悪くなることがあった。一般的に、ファインピッチの実装部品を表面実装するためには、コプラナリティが良好であることが求められるため、このままコプラナリティが悪い状態で表面実装を行うと、実装時に実装不良が発生してしまう虞がある。 In this case, the flow of the adhesive on the inner layer side is limited to some extent by the intermediate substrate or the like, but the adhesive on the surface layer generally flows into the gaps described above. As a result, compared to a component-embedded substrate in which an electronic component is embedded only in a single layer, deformation due to a surface shape depression on the surface layer side of each gap is increased, and coplanarity (coplanarity: coplanarity, uniformity, flatness) is increased. Sometimes it became extremely bad. Generally, in order to surface-mount a fine-pitch mounting component, good coplanarity is required. Therefore, if surface mounting is performed in a state where the coplanarity is poor, mounting defects may occur during mounting. There is.
本発明は、上述した従来技術による問題点を解消し、製造工程を簡素化しつつ全体の薄型化を図ると共に表面形状のコプラナリティをよくして表面実装不良の防止を図ることができる部品内蔵基板を提供することを目的とする。 The present invention eliminates the above-mentioned problems caused by the prior art, reduces the overall thickness while simplifying the manufacturing process, and improves the coplanarity of the surface shape to prevent surface mounting defects. The purpose is to provide.
本発明に係る一の部品内蔵基板は、積層された複数の単位基板を有し、積層方向に複数の電子部品を内蔵してなる多層構造の部品内蔵基板であって、前記複数の単位基板は、第1絶縁層を有し、第1電子部品が収容された第1開口部を備えた第1基板と、第2絶縁層を有し、第2電子部品が収容された第2開口部を備えた第2基板と、前記第1及び第2基板の間に配置され、第3絶縁層及び前記第3絶縁層の両面側に設けられた第1接着層を備えた中間基板とを含み、前記第1及び第2開口部は、それぞれの開口内周面が前記積層方向に沿った同一平面を形成しない状態で形成されていることを特徴とする。 One component-embedded substrate according to the present invention is a component-embedded substrate having a multilayer structure having a plurality of stacked unit substrates and incorporating a plurality of electronic components in the stacking direction, wherein the plurality of unit substrates are A first substrate having a first insulating layer and having a first opening containing a first electronic component; and a second opening having a second insulating layer and containing a second electronic component. A second substrate provided, and an intermediate substrate disposed between the first and second substrates and provided with a third insulating layer and a first adhesive layer provided on both sides of the third insulating layer, The first and second openings are formed in a state in which the inner peripheral surfaces of the respective openings do not form the same plane along the stacking direction.
本発明の一実施形態においては、前記第1及び第2開口部は、それぞれの開口中心軸が前記積層方向に重なっている。 In one embodiment of the present invention, the opening central axes of the first and second openings overlap each other in the stacking direction.
本発明の他の実施形態においては、前記第1及び第2開口部は、それぞれの開口中心軸が前記積層方向に重なっていない。 In another embodiment of the present invention, the opening central axes of the first and second openings do not overlap with the stacking direction.
本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2開口部は、いずれか一方がいずれか他方の開口中心軸と直交する平面内で回転移動した状態で形成されている。 In still another embodiment of the present invention, the first and second openings are formed in a state where one of them is rotationally moved in a plane orthogonal to the other opening central axis.
本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2開口部は、いずれか一方がいずれか他方の開口中心軸と直交する平面内で平行移動した状態で形成されている。 In still another embodiment of the present invention, the first and second openings are formed such that one of them is translated in a plane perpendicular to the other opening central axis.
本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2電子部品は、それぞれの外形外周面が前記積層方向に沿った同一平面を形成しない状態で収容されている。 In still another embodiment of the present invention, the first and second electronic components are accommodated in a state in which the outer peripheral surfaces of the respective outer shapes do not form the same plane along the stacking direction.
本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2電子部品は、それぞれの外形外周面が前記積層方向に沿った同一平面を形成する状態で収容されている。 In still another embodiment of the present invention, the first and second electronic components are accommodated in a state in which the outer peripheral surfaces of the respective external components form the same plane along the stacking direction.
本発明に係る他の部品内蔵基板は、積層された複数の単位基板を有し、積層方向に複数の電子部品を内蔵してなる多層構造の部品内蔵基板であって、前記複数の単位基板は、第1絶縁層を有し、第1電子部品が収容された第1開口部を備えた第1基板と、第2絶縁層を有し、第2電子部品が収容された第2開口部を備えた第2基板と、前記第1及び第2基板の間に配置され、第3絶縁層及び前記第3絶縁層の両面側に設けられた第1接着層を備えた中間基板とを含み、前記第1及び第2電子部品は、それぞれの外形外周面が前記積層方向に沿った同一平面を形成しない状態で収容されていることを特徴とする。 Another component-embedded substrate according to the present invention is a component-embedded substrate having a multilayer structure that includes a plurality of stacked unit substrates and that includes a plurality of electronic components in the stacking direction. A first substrate having a first insulating layer and having a first opening containing a first electronic component; and a second opening having a second insulating layer and containing a second electronic component. A second substrate provided, and an intermediate substrate disposed between the first and second substrates and provided with a third insulating layer and a first adhesive layer provided on both sides of the third insulating layer, The first and second electronic components are housed in a state in which their outer peripheral surfaces do not form the same plane along the stacking direction.
本発明の一実施形態においては、前記第1及び第2電子部品は、それぞれの部品中心軸が前記積層方向に重なっている。 In one embodiment of the present invention, the first and second electronic components have respective component central axes overlapping in the stacking direction.
本発明の他の実施形態においては、前記第1及び第2電子部品は、それぞれの部品中心軸が前記積層方向に重なっていない。 In another embodiment of the present invention, the first and second electronic components do not have their component central axes overlapping in the stacking direction.
本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2電子部品は、いずれか一方がいずれか他方の部品中心軸と直交する平面内で回転移動した状態で収容されている。 In still another embodiment of the present invention, the first and second electronic components are accommodated in a state where one of them is rotationally moved in a plane orthogonal to the other component central axis.
本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2電子部品は、いずれか一方がいずれか他方の部品中心軸と直交する平面内で平行移動した状態で収容されている。 In still another embodiment of the present invention, the first and second electronic components are accommodated in a state where one of them is translated in a plane orthogonal to the other component central axis.
本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2開口部は、それぞれの開口内周面が前記積層方向に沿った同一平面を形成する状態で形成されている。 In still another embodiment of the present invention, the first and second openings are formed such that the inner peripheral surfaces of the openings form the same plane along the stacking direction.
なお、上述した本発明の更に他の実施形態においては、前記第1基板は、前記第1絶縁層の両面側に形成された第1配線層及び前記第1絶縁層を貫通した状態で前記第1配線層と接続された第1層間導電層を有する第1両面基板からなり、前記第2基板は、前記第2絶縁層の両面側に形成された第2配線層及び前記第2絶縁層を貫通した状態で前記第2配線層と接続された第2層間導電層を有する第2両面基板からなり、前記中間基板は、前記第1接着層と共に前記第3絶縁層を貫通する第3層間導電層を有する。 In still another embodiment of the present invention described above, the first substrate is formed in a state of penetrating the first wiring layer formed on both sides of the first insulating layer and the first insulating layer. A first double-sided substrate having a first interlayer conductive layer connected to one wiring layer, wherein the second substrate includes a second wiring layer formed on both sides of the second insulating layer and the second insulating layer; A third interlayer conductive layer comprising a second double-sided substrate having a second interlayer conductive layer connected to the second wiring layer in a penetrating state, wherein the intermediate substrate penetrates the third insulating layer together with the first adhesive layer. Having a layer.
また、上述した本発明の更に他の実施形態においては、前記複数の単位基板は、第4絶縁層の一方の面側に形成された第3配線層及び前記第4絶縁層を貫通した状態で前記第3配線層と接続された第4層間導電層を有し、前記第4絶縁層の他方の面側に設けられた第2接着層を備えた第1片面基板を含み、前記第1片面基板は、前記第2接着層側において、前記第4層間導電層の一部が前記第1電子部品と接続されている。 Further, in still another embodiment of the present invention described above, the plurality of unit substrates pass through the third wiring layer and the fourth insulating layer formed on one surface side of the fourth insulating layer. A first single-sided substrate having a fourth interlayer conductive layer connected to the third wiring layer and including a second adhesive layer provided on the other surface side of the fourth insulating layer; In the substrate, a part of the fourth interlayer conductive layer is connected to the first electronic component on the second adhesive layer side.
更に、上述した本発明の更に他の実施形態においては、前記複数の単位基板は、第5絶縁層の一方の面側に形成された第4配線層及び前記第5絶縁層を貫通した状態で前記第4配線層と接続された第5層間導電層を有し、前記第5絶縁層の他方の面側に設けられた第3接着層を備えた第2片面基板を含み、前記第2片面基板は、前記第3接着層側において、前記第5層間導電層の一部が前記第2電子部品と接続されている。 Furthermore, in still another embodiment of the present invention described above, the plurality of unit substrates penetrate the fourth wiring layer and the fifth insulating layer formed on one surface side of the fifth insulating layer. A second single-sided substrate having a fifth interlayer conductive layer connected to the fourth wiring layer and having a third adhesive layer provided on the other surface side of the fifth insulating layer; In the substrate, a part of the fifth interlayer conductive layer is connected to the second electronic component on the third adhesive layer side.
本発明によれば、製造工程を簡素化しつつ全体の薄型化を図ると共に表面形状のコプラナリティをよくして表面実装不良の防止を図ることができる。 According to the present invention, it is possible to reduce the overall thickness while simplifying the manufacturing process and improve the coplanarity of the surface shape to prevent surface mounting defects.
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態に係る部品内蔵基板を詳細に説明する。 Hereinafter, a component-embedded substrate according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る部品内蔵基板1を示す断面及び平面図であり、図1(a)は図1(b)の平面図におけるA−A’線断面を示している。また、図2は、部品内蔵基板1を示す断面図であり、図1(b)の平面図におけるB−B’線断面を示している。なお、図1(a)に示す断面は、図2に示す断面と断面箇所が異なるため、図1(a)においては、後述する第2電子部品90の電極91及び第2片面基板30Bのビア34の一部は、形成位置や配置位置を簡略化した仮想線にて図示している。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a cross-sectional view and a plan view showing a component-embedded
図1(a)に示すように、部品内蔵基板1は、複数の単位基板を積層して積層方向に複数の電子部品を内蔵してなる。部品内蔵基板1は、単位基板としての複数の両面基板である第1両面基板10A及び第2両面基板10Bと、中間基板20と、複数の片面基板である第1片面基板30A、第2片面基板30B及び第3片面基板30Cとを、例えば熱圧着により一括積層した構造を備えている。
As shown in FIG. 1A, the component-embedded
本実施形態の部品内蔵基板1において、中間基板20よりも積層方向の下方側には第1基板として機能する第1両面基板10Aが配置され、その下方側には第1片面基板30Aが配置されている。一方、中間基板20よりも積層方向の上方側には第2基板として機能する第2両面基板10Bが配置され、またこの第2両面基板10Bと中間基板20との間には第2片面基板30Bが配置されている。第3片面基板30Cは、最上層に配置されている。
In the component-embedded
複数の電子部品としては、第1電子部品80及び第2電子部品90が内蔵される。第1電子部品80は、第1両面基板10Aに形成された第1開口部89内に、例えばその背面81a側を積層方向の上方側に向けると共に電極形成面81b側を積層方向の下方側に向けた状態で収容されている。第2電子部品90は、第2両面基板10Bに形成された第2開口部99内に、第1電子部品80と同様にその背面91a側を積層方向の上方側、且つその電極形成面91b側を積層方向の下方側に向けた状態で収容されている。
As the plurality of electronic components, a first
第1及び第2両面基板10A,10Bは、それぞれフィルム状の第1絶縁層及び第2絶縁層としての樹脂基材11と、これら樹脂基材11の両面側にそれぞれ形成された第1配線層及び第2配線層としての配線12とを備える。また、第1及び第2両面基板10A,10Bは、各樹脂基材11の一方の面側の配線12を樹脂基材11と共に貫通するビアホール2内にめっき形成された第1層間導電層及び第2層間導電層としてのビア13をそれぞれ備える。ビア13は、樹脂基材11の両面側の配線12を電気的に接続する。
The first and second double-
なお、配線12は、上記のように実際には導体層の上にメッキ層が形成された二重構造を備えているが、図示は省略している。また、第1及び第2両面基板10A,10Bの第1及び第2開口部89,99は、それぞれ所定箇所において樹脂基材11及び配線12を除去して形成されている。
The
中間基板20は、フィルム状の第3絶縁層としての樹脂基材21と、この樹脂基材21の両面側に設けられた第1接着層としての接着層22とを備える。また、中間基板20は、これら接着層22及び樹脂基材21を貫通するビアホール3内に充填形成された導電性ペーストからなる第3層間導電層としてのビア23を備える。
The
第1及び第2片面基板30A,30Bは、それぞれフィルム状の第4絶縁層及び第5絶縁層としての樹脂基材31と、これら樹脂基材31の一方の面側に形成された第3配線層及び第4配線層としての配線32とを備える。また、第1及び第2片面基板30A,30Bは、各樹脂基材31の他方の面側に設けられた第2接着層及び第3接着層としての接着層33を備える。
The first and second single-
更に、第1及び第2片面基板30A,30Bは、接着層33と共に樹脂基材31を貫通するビアホール4内に充填形成された第4層間導電層及び第5層間導電層としてのビア34をそれぞれ備える。なお、最上層に配置される第3片面基板30Cは、第1及び第2片面基板30A,30Bと同様に構成されている。
Further, the first and second single-
具体的には、第3片面基板30Cは、フィルム状の第6絶縁層としての樹脂基材31と、この樹脂基材31の一方の面側に形成された第5配線層としての配線32と、樹脂基材31の他方の面側に設けられた第4接着層としての接着層33とを備える。また、第3片面基板30Cは、接着層33と共に樹脂基材31を貫通するビアホール4内に充填形成された第6層間導電層としてのビア34を備える。
Specifically, the third single-
なお、第1及び第2両面基板10A,10B並びに中間基板20は両面CCLにより、また第1〜第3片面基板30A〜30Cは片面CCLによりそれぞれ構成され得る。これら各基板の製法については後述する。各樹脂基材11,21,31は、それぞれ例えば厚さ25μm程度の低誘電率材料の樹脂フィルムにより構成されている。樹脂フィルムとしては、例えばポリイミド、ポリオレフィン、液晶ポリマー(LCP)等を用い得る。
The first and second double-
配線12,32は、例えば樹脂基材11,31上にパターン形成された銅箔等の導電材又はこの導電材とめっき材を合わせた導体層からなる。第1及び第2電子部品80,90は、トランジスタ、集積回路(IC)、ダイオード等の半導体素子の能動部品や、抵抗器、コンデンサ、リレー、圧電素子等の受動部品からなる。
The
図1に示す第1及び第2電子部品80,90は、例えば再配線を施したWLP(Wafer Level Package)を示している。第1及び第2電子部品80,90のそれぞれの電極形成面81b,91b側には、図示しないパッド上に形成された複数の再配線の電極81,91が設けられており、これら電極81,91の周囲には図示しない絶縁層が形成されている。
The first and second
ビア23,34は、ビアホール3,4内にそれぞれ充填形成された導電性ペーストからなる。導電性ペーストは、少なくとも1種類の低電気抵抗の金属粒子と、少なくとも1種類の低融点の金属粒子とを含んでいる。そして、導電性ペーストは、これらの金属粒子にバインダ成分を混合したペーストからなる。
The
このように構成された導電性ペーストは、例えば硬化温度が約150℃〜200℃で、硬化後の融点が約260℃以上となる金属焼結型の特性を備えている。このため、例えば含有された低融点の金属粒子が200℃以下で溶融し合金を形成することができ、特に銅や銀等とは金属間化合物を形成し得る特性を備えている。従って、ビア23,34と配線12,32との接続部は、一括積層の熱圧着時に金属間化合物により合金化される。
The conductive paste thus configured has, for example, a metal sintered type characteristic in which the curing temperature is about 150 ° C. to 200 ° C. and the melting point after curing is about 260 ° C. or more. For this reason, for example, the contained low melting point metal particles can be melted at 200 ° C. or lower to form an alloy, and in particular, have characteristics that can form an intermetallic compound with copper, silver, or the like. Accordingly, the connection portions between the vias 23 and 34 and the
なお、導電性ペーストは、例えば粒子径がナノレベルのフィラーが、上記のようなバインダ成分に混合されたナノペーストで構成することもできる。その他、導電性ペーストは、上記金属粒子が、上記のようなバインダ成分に混合されたペーストで構成し得る。 Note that the conductive paste can also be composed of, for example, a nanopaste in which a filler having a nanometer particle size is mixed with the binder component as described above. In addition, the conductive paste can be composed of a paste in which the metal particles are mixed with the binder component as described above.
この場合、導電性ペーストは、金属粒子同士が接触することで電気的接続が行われる特性となる。なお、導電性ペーストのビアホール3,4内への充填方法としては、例えば印刷工法、スピン塗布工法、スプレー塗布工法、ディスペンス工法、ラミネート工法、及びこれらを併用した工法等を用い得る。ビア13は、上述したように樹脂基材11の両面に形成された配線12を層間接続するために、ビアホール2に施されためっきにより構成されている。
In this case, the conductive paste has a characteristic that electrical connection is made when the metal particles come into contact with each other. In addition, as a filling method of the conductive paste into the via holes 3 and 4, for example, a printing method, a spin coating method, a spray coating method, a dispensing method, a laminating method, and a method using these in combination can be used. As described above, the via 13 is formed by plating applied to the via
上述したように、第1の実施形態に係る部品内蔵基板1においては、各基板が、積層方向の下方側から上方側に向かって、第1片面基板30A、第1両面基板10A、中間基板20、第2に片面基板30B、第2両面基板10B、及び第3片面基板30Cの順に配置されている。これにより、6層構造の部品内蔵基板を形成している。
As described above, in the component-embedded
そして、第1片面基板30Aと第1両面基板10Aとは、第1片面基板30Aの接着層33により接続される。また、第1両面基板10Aと第2片面基板30Bとは、中間基板20の接着層22によりそれぞれ接続される。更に、第2両面基板10Bと第2片面基板30B及び第3片面基板30Cとは、各片面基板30B,30Cの接着層33により接続される。
The first single-
最上層の第3片面基板30Cを除く第1及び第2片面基板30A,30Bは、ビア34の一部が第1及び第2電子部品80,90の電極81,91と接続され、それぞれ配線32が樹脂基材31の積層方向の下方側に位置するように配置されている。各層間の接着層22,33は、例えばエポキシ系やアクリル系等の揮発成分が含まれた有機系接着材等により構成され得る。
In the first and second single-
また、部品内蔵基板1は、図1(b)に示すように、例えば第1両面基板10Aの第1開口部89及び第1電子部品80の配置態様を基準とした場合、第2両面基板10Bの第2開口部99及び第2電子部品90が、この基準に対して水平方向に所定角度ずれた配置となるように形成されている。
Further, as shown in FIG. 1B, the component-embedded
すなわち、第1の実施形態に係る部品内蔵基板1においては、まず前提として、第1及び第2電子部品80,90の部品中心軸をP1,P2とし、第1及び第2開口部89,99の開口中心軸をS1,S2とした場合、これら全ての中心軸が積層方向に重なっている。
That is, in the component-embedded
そして、第1及び第2開口部89,99は、それぞれの開口内周面89a,99aが積層方向に沿った同一平面を形成せず且つ積層方向に重ならない状態に形成されている。また、第1及び第2電子部品80,90は、上記のように構成された第1及び第2開口部89,99内に、それぞれの外形外周面80a,90aが積層方向に沿った同一平面を形成せず且つ積層方向に重ならない状態で収容されている。
The first and
具体的には、第2開口部99は、第1開口部89の開口中心軸S1と直交する平面内で所定角度回転移動した状態に形成されている。また、第2電子部品90は、第1電子部品80の部品中心軸P1と直交する平面内で、第2開口部99と同様に所定角度回転移動した状態で第2開口部99内に収容されている。
Specifically, the
このように構成された第1の実施形態に係る部品内蔵基板1においては、第1電子部品80の外形外周面80aと第1開口部89の開口内周面89aとの間の第1間隙89sと、第2電子部品90の外形外周面90aと第2開口部99の開口内周面99aとの間の第2間隙99sとが、上面視で見て一部を除いて積層方向にほぼ重ならない状態となるように基板全体が形成されている。
In the component built-in
このため、異なる層に形成された各間隙89s,99sの積層方向に重なる部分の合計体積を、異なる層の開口部及び電子部品が積層方向においてほぼ同じ位置に設けられている場合と比較して、一部を除いて第1及び第2電子部品80,90の周囲に亘って小さくすることができる。
For this reason, the total volume of the overlapping portions of the
すなわち、本発明においては、間隙89s,99sが積層方向にどのような位置関係で配置されているかによって、プレスキュア時にこれら間隙89s,99s内に流動して流れ込む接着層22,33を構成する接着材の流動量について、第1及び第2電子部品80,90の周囲において変化を生じさせることができる点に着目している。
That is, in the present invention, depending on the positional relationship between the
そして、この流動量を一部を除いてできるだけ抑える、すなわち第1及び第2電子部品80,90のほぼ全周に亘って間隙89s,99sの積層方向に重なる部分の合計体積を小さくさせることで、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板と同等の表面形状のコプラナリティを確保している。
The flow amount is suppressed as much as possible except for a part, that is, by reducing the total volume of the portions of the
具体的には、図1(a)及び図2に示すように、一括積層時に、例えば積層方向の下方側から上方側に向かって図中白抜き矢印で示す所定の押圧力F1で、また積層方向の上方側から下方側に向かって図中白抜き矢印で示す所定の押圧力F2で熱圧着を施す。なお、例えば押圧力F1は押圧力F2より僅かに弱いとする。 Specifically, as shown in FIGS. 1A and 2, at the time of batch stacking, for example, with a predetermined pressing force F1 indicated by a white arrow in the drawing from the lower side to the upper side in the stacking direction, From the upper side of the direction to the lower side, thermocompression bonding is performed with a predetermined pressing force F2 indicated by a white arrow in the figure. For example, it is assumed that the pressing force F1 is slightly weaker than the pressing force F2.
このような条件で熱圧着を施すと、図2に示すように、間隙89s,99sの積層方向に重なる部分の合計体積が最も大きくなる箇所においては、図中矢印flarge1で示す間隙89s内に流れ込む第1片面基板30Aの接着層33の流動量flarge1と、図中矢印flarge2で示す間隙99s内に流れ込む第3片面基板30Cの接着層33の流動量flarge2は、第1及び第2電子部品80,90の周囲において最も大きなものとなる。
When thermocompression bonding is performed under such conditions, as shown in FIG. 2, in the portion where the total volume of the portions of the
すなわち、第1片面基板30Aの接着層33は、間隙89s内に流動量flarge1で流れ込み、これに伴って間隙89sと積層方向に重なる箇所の第1片面基板30Aの樹脂基材31が積層方向の上方側に向かって凸状に深く凹む。また、第3片面基板30Cの接着層33は、間隙99s内に流動量flarge2で流れ込み、これに伴って間隙99sと積層方向に重なる箇所の第3片面基板30Cの樹脂基材31が積層方向の下方側に向かって凸状に第1片面基板30Aの樹脂基材31よりもより深く凹む。
That is, the
なお、上記のように押圧力F1が押圧力F2よりも僅かに弱いので、間隙99sと積層方向に重なる箇所の第2片面基板30Bの樹脂基材31と、間隙89sと積層方向に重なる箇所の中間基板20の樹脂基材21は、それぞれ積層方向の下方側へ向かって凸状に僅かに変形する。
Since the pressing force F1 is slightly weaker than the pressing force F2 as described above, the
一方、図1(a)に示すように、間隙89s,99sの積層方向に重なる部分の合計体積が、図2に示すものよりも小さくなる箇所においては、図中矢印fsmall1で示す間隙89s内に流れ込む第1片面基板30Aの接着層33の流動量fsmall1と、図中矢印fsmall2で示す間隙99s内に流れ込む第3片面基板30Cの接着層33の流動量fsmall2は、上記流動量flarge1,flarge2と比べて小さなものとなる。
On the other hand, as shown in FIG. 1 (a), the
すなわち、第1片面基板30Aの接着層33は、間隙89s内に流動量fsmall1で流れ込み、これに伴って間隙89sと積層方向に重なる箇所の第1片面基板30Aの樹脂基材31が積層方向の上方側に向かって凸状に僅かに凹む。また、第3片面基板30Cの接着層33は、間隙99s内に流動量fsmall2で流れ込み、これに伴って間隙99sと積層方向に重なる箇所の第3片面基板30Cの樹脂基材31が積層方向の下方側に向かって凸状に第1片面基板30Aの樹脂基材31よりも僅かに多く凹む。
That is, the
なお、間隙99sと積層方向に重なる箇所の第2片面基板30Bの樹脂基材31と、間隙89sと積層方向に重なる箇所の中間基板20の樹脂基材21は、上記のように押圧力F1僅かに押圧力F2よりも弱いので、それぞれ積層方向の下方側へ向かって凸状に極僅かに変形する。
The
そして、このような第1片面基板30Aの樹脂基材31の凹み具合と第3片面基板30Cの樹脂基材31の凹み具合が、それぞれ表面形状のコプラナリティに影響を与える要因となり得る。第1の実施形態の部品内蔵基板1においては、第1及び第2電子部品80,90の周囲において、最大の流動量flarge1,flarge2となる箇所が一部であり、流動量fsmall1,fsmall2となる箇所、及びこれら流動量fsmall1,fsmall2と僅かに差がある程度の量となる箇所が大部分を占めることとなる。
The dent of the
なお、上記と同様に押圧力F1,F2で熱圧着を施した場合において、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板の開口部と電子部品との間の間隙への接着層の流動量を、例えば最も少ない流動量fvsmall1+fvsmall2とすると、上記流動量fsmall1+fsmall2はこれよりも僅かに多い程度である。
In addition, when thermocompression bonding is performed with the pressing forces F1 and F2 in the same manner as described above, the flow amount of the adhesive layer to the gap between the opening of the component-embedded substrate in which the electronic component is embedded only in the single layer and the electronic component Is the smallest
従って、異なる層に内蔵された第1及び第2電子部品80,90の周囲の間隙89s,99sにおける表層側の表面形状の凹みによる変形を、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板とほぼ同等となる程度にすることができるので、多層構造の部品内蔵基板のコプラナリティをよくすることが可能となる。
Therefore, the deformation due to the depression of the surface shape on the surface layer side in the
また、各基板の製造工程や一括積層工程は、従来の部品内蔵基板と同様の工程で実現することができるので、第1の実施形態に係る部品内蔵基板1によれば、製造工程を簡素化しつつ全体の薄型化を図ると共に表面形状のコプラナリティをよくすることが可能となる。そして、表面形状のコプラナリティをよくできれば、部品内蔵基板1の表面に部品実装を行う際の実装不良の発生を抑えることができるので、表面実装不良を防止することが可能となる。
In addition, since the manufacturing process and batch lamination process of each substrate can be realized by the same process as the conventional component built-in substrate, the component built-in
次に、第1の実施形態に係る部品内蔵基板1の製造方法について説明する。なお、図3以降の図面を含む以降の説明において、上述した構成と同一の構成要素に関しては同一の参照符号を付しているので、以下では重複する説明は省略する。
Next, a manufacturing method of the component built-in
図3、図4、図5及び図6は、部品内蔵基板1の製造工程を示すフローチャートである。また、図7、図8、図9、図10及び図11は、部品内蔵基板1を製造工程毎に示す断面図である。まず、図3及び図7を参照しながら第1片面基板30Aの製造工程について説明する。なお、図3のフローチャートについては特に明記しなくても適宜参照するものとする。
3, 4, 5, and 6 are flowcharts showing manufacturing steps of the component built-in
まず、図3に示すように、片面CCL(片面銅張積層板)に配線32を形成する(ステップS100)。このステップS100では、例えば樹脂基材31の一方の面にベタ状態の銅箔等からなる導体層が形成された片面CCLを用意する。そして、この片面CCLの導体上に、例えばフォトリソグラフィによりエッチングレジストを形成した後にエッチングを行って、図7(a)に示すように、配線32をパターン形成する。
First, as shown in FIG. 3, the
なお、配線32は、例えばセミアディティブ法により形成されてもよい。セミアディティブ法による配線32の形成は、例えば樹脂基材31に蒸着やスパッタリング等により導体薄膜を形成後、フォトリソグラフィ等によりめっきレジストを形成する。その後に電解めっきを行い、めっきレジストを剥離後にエッチングにより先に形成した導体薄膜を除去することで行われる。
The
なお、このステップS100にて用いられ得る片面CCLは、例えば厚さ12μm程度の銅箔からなる導体層に、厚さ25μm程度の樹脂基材31を貼り合わせた構造からなるものが挙げられる。この片面CCLとしては、例えば公知のキャスティング法により、銅箔にポリイミドのワニスを塗布してそのワニスを硬化させて作製されたものを用い得る。
The single-sided CCL that can be used in step S100 includes a structure in which a
その他、片面CCLとしては、ポリイミドフィルム上にシード層をスパッタリングにより形成し、めっきにより銅を成長させて導体層を形成したものや、圧延或いは電解銅箔とポリイミドフィルムとを接着材により貼り合わせて作成されたもの等も用い得る。なお、樹脂基材31の材料は、ポリイミドに限定されるものではなく、上記のように液晶ポリマー等のプラスチックも用い得る。また、上記エッチングには塩化第二鉄や塩化第二銅等を主成分とするエッチャントを用い得る。
In addition, as single-sided CCL, a seed layer is formed on a polyimide film by sputtering and copper is grown by plating to form a conductor layer, or rolled or electrolytic copper foil and polyimide film are bonded together with an adhesive. The created one can also be used. In addition, the material of the
次に、接着材を貼り付けて、接着層33を形成する(ステップS102)。このステップS102では、例えば樹脂基材31の配線32側と反対側の他方の面に、ラミネート等により接着材を貼り付ける。このステップS102にて貼り付けられ得る接着材としては、例えば厚さ25μm程度のエポキシ系熱硬化性フィルムが挙げられる。そして、貼り付けに際しては、例えば真空ラミネータを用い、減圧下の雰囲気中にて接着材が硬化しない温度で0.3MPaの圧力により加熱プレスを行って、接着材を樹脂基材31に貼り合わせることが挙げられる。
Next, an adhesive is affixed to form the adhesive layer 33 (step S102). In this step S102, for example, an adhesive is attached to the other surface of the
なお、接着層33や中間基板の接着層22に用いられ得る接着材は、エポキシ系の熱硬化性樹脂に限定されるものではなく、アクリル系の接着材や熱可塑性ポリイミド等に代表される熱可塑性接着材も用い得る。また、接着材はフィルム状に限定されず、ワニス状の樹脂を塗布したものも用い得る。
The adhesive that can be used for the
接着層33を形成したら、ビアホール4を形成する(ステップS104)。このステップS104では、例えば接着層33側から配線32に向かって、UV−YAGレーザ装置を用いてレーザ光を所定箇所に照射する。これにより、図7(b)に示すように、接着層33及び樹脂基材31を貫通するビアホール4が所定箇所に形成される。なお、ビアホール4内には、形成後に例えばプラズマデスミア処理が施され得る。
After forming the
ビアホール4は、その他、炭酸ガスレーザ(CO2レーザ)やエキシマレーザ等、或いはドリル加工や化学的なエッチング等により形成され得る。また、デスミア処理は、CF4及びO2(四フッ化メタン+酸素)の混合ガスにより行い得るが、Ar(アルゴン)等のその他の不活性ガスも用い得る。また、デスミア処理は、いわゆるドライ処理ではなく、薬液を用いたウェットデスミア処理としてもよい。 In addition, the via hole 4 can be formed by a carbon dioxide laser (CO 2 laser), an excimer laser, or the like, drilling, chemical etching, or the like. The desmear treatment can be performed with a mixed gas of CF 4 and O 2 (tetrafluoromethane + oxygen), but other inert gases such as Ar (argon) can also be used. Further, the desmear process may be a wet desmear process using a chemical solution instead of a so-called dry process.
ビアホール4を形成したら、導電性ペーストを充填して、図7(c)に示すように、ビア34を形成する(ステップS106)。このステップS106では、ビアホール4内に、例えばスクリーン印刷等により上述したような導電性ペーストを充填する。ここまでの工程で、配線、ビア及び接着層を有する片面基板を複数製造することが可能である。 After the via hole 4 is formed, the conductive paste is filled to form the via 34 as shown in FIG. 7C (step S106). In step S106, the via hole 4 is filled with the conductive paste as described above, for example, by screen printing. Through the steps so far, it is possible to manufacture a plurality of single-sided substrates having wirings, vias, and adhesive layers.
最後に、第1電子部品を搭載する(ステップS108)。このステップS108では、例えば公知の半導体製造工程にて別途製造した第1電子部品80の再配線電極81を、図7(d)に示すように片面基板の所定のビア34に、例えば図示しない電子部品用実装機を用いて位置合わせする。そして、接着層33の接着材及びビア34の導電性ペーストの硬化温度以下の温度で加熱することで、図7(d)中矢印で示すように第1電子部品80を仮留め接着して搭載する。
Finally, the first electronic component is mounted (step S108). In this step S108, for example, the
このようにして、第1片面基板30Aを製造する。なお、第2片面基板30Bについても上記と同様の工程で製造し得る。ただし、第1の実施形態の部品内蔵基板1においては、第1電子部品80と第2電子部品90は、部品中心軸P1,P2を積層方向に重ねつつも、例えば第2電子部品90が部品中心軸P2と直交する平面内で第1電子部品80に対して回転移動した状態で内蔵されている。
In this way, the first single-
このため、上述した電子部品用実装機を用いた位置合わせ及び仮留め接着においては、第1片面基板30Aと第2片面基板30Bとの製造工程において、後述する第1両面基板10A及び第2両面基板10Bの第1開口部89及び第2開口部99の形成態様に合わせて、各電子部品80,90の位置合わせ及び仮留め接着による配置態様が異なることとなる。なお、このような位置合わせや仮留め接着、或いは開口部の形成に関しては、異なる製造ラインにおけるオートメーションや、これらのオートメーションを経た部品を組み上げる製造ロボットなどにより容易に行うことができるため、技術的に何ら問題はない。
For this reason, in the alignment and temporary bonding using the electronic component mounting machine described above, in the manufacturing process of the first single-
また、第3片面基板30Cについても、上記と同様に製造し得る。すなわち、図8(a)に示すように樹脂基材31の一方の面側に配線32を形成し、図8(b)に示すように、樹脂基材31の他方の面側に接着層33を形成する。そして、図8(c)に示すように、所定箇所にビアホール4を形成して、図8(d)に示すように、ビアホール4内に導電性ペーストを充填してビア34を形成する。これにより、第3片面基板30Cを製造する。このように、第1〜第3片面基板30A〜30Cを製造して準備しておく。
Further, the third single-
次に、図4及び図9を参照しながら第1両面基板10Aの製造工程について説明する。なお、図4のフローチャートについても特に明記しなくても適宜参照するものとする。
Next, the manufacturing process of the first double-
まず、図4に示すように、樹脂基材11の両面に導体層が形成された両面CCL(両面銅張積層板)を準備し(ステップS200)、上述したようなレーザ等により所定箇所にビアホール2を形成して(ステップS202)、例えばプラズマデスミア処理を行う。そして、樹脂基材11の全面にパネルめっき処理を施して(ステップS204)、導体層上及びビアホール2内にめっき層を形成し、配線12及びビア13の原型を形成する。
First, as shown in FIG. 4, a double-sided CCL (double-sided copper-clad laminate) in which a conductor layer is formed on both sides of a
次に、図9(a)に示すように、配線12やビア13等をパターン形成する(ステップS206)。このステップS206では、例えば樹脂基材11の両面にエッチング等を施してパターン形成が行われる。最後に、図9(b)に示すように、第1開口部89を形成する(ステップS208)。
Next, as shown in FIG. 9A, the
このステップS208では、例えば第1電子部品80が収容される部分と間隙89sとなる部分とを合わせた分の樹脂基材11を上記のようなUV−YAGレーザ装置等を用いてレーザ光の照射により除去し、所定の開口寸法の第1開口部89を形成する。このようにして、第1両面基板10Aを製造する。なお、第2両面基板10Bについても上記と同様の工程で製造し得る。
In this step S208, for example, the
ただし、図1(b)に示すように、第1の実施形態の部品内蔵基板1においては、第1開口部89と第2開口部99は、開口中心軸S1,S2を積層方向に重ねつつも、例えば第2開口部99が開口中心軸S2と直交する平面内で第1開口部89に対して回転移動した状態に形成されている。
However, as shown in FIG. 1B, in the component-embedded
このため、上述したレーザ装置を用いた開口部の形成においては、第1両面基板10Aと第2両面基板10Bとの製造工程において、各開口部89,99の形成態様が異なることとなる。このように、第1及び第2開口部89,99が形成された第1及び第2両面基板10A,10Bを製造して準備しておく。
For this reason, in the formation of the opening using the laser device described above, the formation of the
次に、図5及び図10を参照しながら中間基板20の製造工程について説明する。なお、図5のフローチャートについても特に明記しなくても適宜参照するものとする。
Next, the manufacturing process of the
まず、図5に示すように、接着層22を形成する(ステップS300)。このステップS300では、例えばポリイミドフィルムからなる樹脂基材21の両面側にラミネート等により接着材を貼り付けることにより、図10(a)に示すような接着層22を形成する。次に、図10(b)に示すように、ビアホール3を形成する(ステップS302)。
First, as shown in FIG. 5, the
このステップS302では、上述したようなレーザ等により所定箇所の接着層22及び樹脂基材21を貫通してビアホール3を形成し、例えばプラズマデスミア処理を施す。最後に、図10(c)に示すように、ビア23を形成する(ステップS304)。このステップS304では、形成したビアホール2内に、上述したスクリーン印刷等により上記導電性ペーストを充填する。これにより、中間基板20を製造する。
In this step S302, the via
次に、図6及び図11を参照しながら部品内蔵基板1の一括積層の製造工程について説明する。なお、図6のフローチャートについても特に明記しなくても適宜参照するものとする。
Next, a manufacturing process for batch stacking of the component-embedded
上述したように、第1及び第2両面基板10A,10B、中間基板20、第1及び第2電子部品80,90がそれぞれ仮留め搭載された第1及び第2片面基板30A,30Bを作製したら、図11に示すように、積層方向の下方側から上方側に向かって第1片面基板30A、第1両面基板10A、中間基板20、第2片面基板30B、第2両面基板10B、及び第3片面基板30Cの順に各基板を位置決めし、積層する(ステップS400)。
As described above, when the first and second single-
なお、このステップS400においては、各基板の積層時の位置決めのみが行われる。上述したように、第1開口部89及び第1電子部品80並びに第2開口部及び第2電子部品90の形成、収容位置関係は、予め第1開口部89及び第1電子部品80に対して第2開口部99及び第2電子部品90が中心軸P2,S2と直交する平面内で回転移動した状態となるよう形成、仮留め搭載されているので、このステップS400においてはこれらの煩雑な位置決めを行う必要はない。
In this step S400, only the positioning at the time of stacking each substrate is performed. As described above, the formation and accommodation positional relationship of the
最後に、積層した各基板を1kPa以下の減圧雰囲気中に投入し、例えば真空プレス機を用いて、図中白抜き矢印で示す所定の押圧力F1,F2で示すように積層方向の下方側及び上方側から互いの方向に向かって加圧しながら加熱する。これにより、熱圧着(ステップS402)を施して一括積層する。このようにして、図1及び図2に示すような6層構造の部品内蔵基板1を製造する。
Finally, each laminated substrate is put into a reduced-pressure atmosphere of 1 kPa or less, and for example, using a vacuum press machine, as shown by predetermined pressing forces F1 and F2 indicated by white arrows in the drawing, It heats, pressing from the upper side toward each other. As a result, thermocompression bonding (step S402) is performed and the layers are stacked together. In this way, the component-embedded
一括積層時には、各層間や第1及び第2間隙89s,99s内への接着層22,33の流動及び各樹脂基材11,21,31を含めた全体の硬化と同時に、ビアホール3,4内のビア23,34の硬化及び合金化が行われる。そして、金属間化合物の合金層により、各配線12,31やビア23,34の接続部の機械的強度を高めて、接続信頼性を高めることができる。
At the time of collective lamination, the flow of the
また、接着層22,33の各間隙89s,99sへの流れ込みは、第1及び第2電子部品80,90のそれぞれの周囲に亘って、各間隙89s,99sにおいて積層方向に重なる部分の合計体積を、単一層のみに電子部品を内蔵した場合の同一部分における間隙の体積とほぼ同じにしているので、ほぼ変わらぬ流動量とすることができる。
Further, the flow of the
このため、基板の表面形状の変形を、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板とほぼ同等とすることができ、所望とされるコプラナリティを確保することが可能となる。従って、表面実装における実装不良の発生を抑え、表面実装不良を防止することが可能となる。 For this reason, the deformation of the surface shape of the substrate can be made substantially equivalent to that of the component-embedded substrate in which the electronic component is embedded only in a single layer, and the desired coplanarity can be ensured. Accordingly, it is possible to suppress the occurrence of mounting defects in surface mounting and prevent surface mounting defects.
[第1の実施形態の変形例]
図12は、部品内蔵基板1の第1変形例を示す断面図、図13は部品内蔵基板1の第2変形例を示す断面図である。これら図12及び図13は、図1(a)に示す断面箇所と同様の断面箇所を示している。従って、図2に示す断面と断面箇所が異なるため、これら図12及び図13においては、第2電子部品90の電極91及び第2片面基板30Bのビア34の一部は、形成位置や配置位置を簡略化した仮想線にて図示している。
[Modification of First Embodiment]
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a first modification of the component built-in
図12に示すように、第1の変形例の部品内蔵基板1は、一括積層による熱圧着時の押圧力が、例えば積層方向の上方側から下方側に向かって図中白抜き矢印で示す所定の押圧力F2のみであり、第1片面基板30A側を平坦にするものである。また、図13に示すように、第2変形例の部品内蔵基板1は、一括積層による熱圧着時の押圧力が、例えば積層方向の下方側から上方側に向かって図中白抜き矢印で示す所定の押圧力F1のみであり、第3片面基板30C側を平坦にするものである。
As shown in FIG. 12, in the component built-in
図12に示す場合は、治具等により第1片面基板30Aの表層側を平坦に押さえた状態で、第3片面基板30Cの接着層33が、間隙99s内に流動量fmedium2で流れ込む。これに伴って、間隙99sと積層方向に重なる箇所の第3片面基板30Cの樹脂基材31が積層方向の下方側に向かって凸状に僅かに凹む。また、間隙99sと積層方向に重なる箇所の第2片面基板30Bの樹脂基材31が積層方向の下方側に向かって凸状に僅かに凹む。
In the case shown in FIG. 12, the
更に、間隙89sと積層方向に重なる箇所の中間基板20の樹脂基材21が積層方向の下方側に向かって凸状に極僅かに凹む。このとき、中間基板20の接着層22は、間隙89s内にあまり流れ込まないので、間隙89sと積層方向に重なる箇所の第1片面基板30Aの樹脂基材31は、積層方向の下方側に向かってほとんど凸状に変形せず、平坦性が確保される。
Furthermore, the
反対に、図13に示す場合は、治具等により第3片面基板30Cの表層側を平坦に押さえた状態で、第1片面基板30Aの接着層33が、間隙89s内に流動量fmedium1で流れ込む。これに伴って、間隙89sと積層方向に重なる箇所の第1片面基板30Aの樹脂基材31が積層方向の上方側に向かって凸状に僅かに凹む。また、間隙99sと積層方向に重なる箇所の中間基板20の樹脂基材21が積層方向の上方側に向かって凸状に僅かに凹む。
Conversely, in the case shown in FIG. 13, in a state where the flat pressing surface layer side of the third single-
更に、間隙99sと積層方向に重なる箇所の第2片面基板30Bの樹脂基材21が積層方向の上方側に向かって凸状に極僅かに凹む。このとき、第2片面基板30Bの接着層33は、間隙99s内にあまり流れ込まないので、間隙99sと積層方向に重なる箇所の第3片面基板30Cの樹脂基材31は、積層方向の上方側に向かってほとんど凸状に変形せず、上記と同様に平坦性が確保される。
Further, the
なお、流動量fmedium1,fmedium2は、それぞれ流動量fsmall1,fsmall2よりも僅かに多く流動量flarge1,flarge2よりも少ない量である。また、以降においては、流動量fsmall1,fmedium1を総称して流動量f1とし、流動量fsmall2,fmedium2を総称して流動量f2とする。
The flow amounts
このような第1及び第2変形例によれば、基板の一方の表面形状をほぼ平坦にしたままで、基板の他方の表面形状の変形を、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板とほぼ同等とすることができる。これにより、所望とされるコプラナリティを確保し、表面実装における実装不良の発生を抑え、表面実装不良を防止することが可能となる。 According to the first and second modified examples, the component-embedded substrate in which the electronic component is embedded only in a single layer while the surface shape of one of the substrates is kept almost flat. Can be almost equivalent. As a result, desired coplanarity can be ensured, occurrence of mounting defects in surface mounting can be suppressed, and surface mounting defects can be prevented.
[第1の実施形態の他の変形例]
図14は、部品内蔵基板1の他の変形例を示す平面図である。
上述した第1の実施形態においては、第1及び第2電子部品80,90の部品中心軸P1,P2と第1及び第2開口部89,99の開口中心軸S1,S2が全て積層方向に重なっており、第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99が中心軸P1,S1と直交する平面内で回転移動したものとした。
[Other Modifications of First Embodiment]
FIG. 14 is a plan view showing another modification of the component built-in
In the first embodiment described above, the component center axes P1, P2 of the first and second
図14に矢印Rで示すようなこの回転移動Rは、一方に対して他方が所定の角度θの範囲内で行われることが望ましい。具体的には、間隙89s,99sが積層方向に全て重なった場合の積層方向に沿った同一平面を形成する開口内周面89a,99a(又は外形外周面80a,90a)が、上面視で見たときになす角度θとして例えば約5°〜約90°の範囲内で行われることが良い。
It is desirable that this rotational movement R as indicated by an arrow R in FIG. 14 is performed within a predetermined angle θ with respect to the other. Specifically, the opening inner
そして、回転移動Rは、より好ましくは、図示のような角度θが約45°となる回転を含む約45°〜約90°の範囲内で行われると良い。このようにしても、上述した作用効果と同様の作用効果、すなわち所望とされるコプラナリティを確保し、表面実装における実装不良の発生を抑えて、表面実装不良を防止することができる。 The rotational movement R is more preferably performed within a range of about 45 ° to about 90 ° including rotation where the angle θ is about 45 ° as shown. Even in this case, the same effect as the above-described effect, that is, the desired coplanarity can be ensured, the occurrence of the mounting failure in the surface mounting can be suppressed, and the surface mounting failure can be prevented.
[第2の実施形態]
図15は、本発明の第2の実施形態に係る部品内蔵基板1Aを示す断面及び平面図であり、図15(a)は図15(b)の平面図におけるC−C’線断面を示している。
図15(b)に示すように、第2の実施形態に係る部品内蔵基板1Aは、例えば第1開口部89に対する第2開口部99の形成態様及び第1電子部品80に対する第2電子部品90の配置態様が、次のような点で第1の実施形態と相違している。
[Second Embodiment]
FIG. 15 is a cross-sectional view and a plan view showing a component-embedded
As illustrated in FIG. 15B, the component-embedded
すなわち、第2の実施形態の部品内蔵基板1Aにおいては、第1開口部89の開口中心軸S1と第1電子部品80の部品中心軸P1とが積層方向に重なっており、且つ第2開口部99の開口中心軸S2と第2電子部品90の部品中心軸P2とが積層方向に重なっている。
That is, in the component-embedded
しかし、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99が中心軸P1,S1と直交する平面内で平行移動したもの、換言すれば、中心軸P1,S1と中心軸P2,S2とが積層方向に重ならないよう平行移動した状態となるように基板全体が形成されている。
However, for example, the second
なお、図15(a)に示すように、部品内蔵基板1Aは、第1の実施形態の部品内蔵基板1と同じく第1〜第3片面基板30A〜30C、第1及び第2両面基板10A,10B、中間基板20、並びに第1及び第2電子部品80,90を備え、これらの積層順も同様に構成されている。また、図示のものは積層方向の上下側から所定の押圧力で圧力を加えて熱圧着したものであるが、いずれか一方側から圧力を加えるようにしたものでも構成し得る。
As shown in FIG. 15A, the component-embedded
このように構成された部品内蔵基板1Aは、第1の実施形態と同様に、間隙89s,99sの大部分が積層方向に重なっていない。このため、第1及び第2電子部品80,90のほぼ全周に亘って間隙89s,99s内に流れ込む接着層33の流動量f1,f2を、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板とほぼ同等とすることができる。従って、第1の実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
In the component-embedded
なお、本出願人の実験によると、部品内蔵基板1Aにおいては、第1及び第2電子部品80,90を、例えば接着層33等の流動量f1,f2の流動距離をそれぞれ100μm程度とした場合、間隙89s,99sが積層方向に全て重なった場合に積層方向に沿った同一平面を形成する一組の外形外周面80a,90a間の離間距離dが、例えば100μm以上となるように平行移動した状態で配置することが好ましいことが判明した。このように配置すれば、より単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板に近いコプラナリティを得ることができたからである。
According to the experiment by the present applicant, in the component-embedded
[第3の実施形態]
図16は、本発明の第3の実施形態に係る部品内蔵基板を示す断面及び平面図であり、図16(a)は図16(b)の平面図におけるD−D’線断面を示している。
図16(a)に示すように、第3の実施形態に係る部品内蔵基板1Bは、例えば第1開口部89に対する第2開口部99の形成態様及び第1電子部品80に対する第2電子部品90の配置態様が、次のような点で第1の実施形態と相違している。
[Third Embodiment]
16A and 16B are a cross-sectional view and a plan view showing a component-embedded substrate according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 16A shows a cross-section along the line DD 'in the plan view of FIG. Yes.
As illustrated in FIG. 16A, the component-embedded
すなわち、第3の実施形態の部品内臓基板1Bにおいては、第1開口部89の開口中心軸S1と第1電子部品80の部品中心軸P1とが積層方向に重なっており、且つ第2開口部99の開口中心軸S2と第2電子部品90の部品中心軸P2とが積層方向に重なっている。
That is, in the component-embedded
しかし、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99が中心軸P1,S1と直交する平面内で回転移動及び平行移動したもの、換言すれば、中心軸P1,S1と中心軸P2,S2とが積層方向に重ならないよう回転及び平行移動した状態となるように基板全体が形成されている。なお、図16(a)に示すように、部品内蔵基板1Bは、第1及び第2の部品内蔵基板1,1Aと同様の各基板構成を備え、これらの積層順も同様に構成されている。
However, for example, the second
このように構成された部品内蔵基板1Bは、第1及び第2の実施形態と同様に、間隙89s,99sの大部分が積層方向に重なっていないので、第1及び第2電子部品80,90のほぼ全周に亘って間隙89s,99s内に流れ込む接着層33の流動量f1,f2を、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板とほぼ同等とすることができる。従って、第1及び第2の実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
In the component-embedded
[第3の実施形態の変形例]
図17は、部品内蔵基板1Bの変形例を示す平面図である。
上述した第3の実施形態においては、第1電子部品80の部品中心軸P1と第1開口部89の開口中心軸S1とが、また第2電子部品90の部品中心軸P2と第2開口部99の開口中心軸S2とが、それぞれ積層方向に重なっており、第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99が中心軸P1,S1と直交する平面内で回転及び平行移動したものとした。
[Modification of Third Embodiment]
FIG. 17 is a plan view showing a modification of the component built-in
In the above-described third embodiment, the component center axis P1 of the first
図17(a)に矢印Xで示す、或いは図17(b)に矢印Yで示すような、中心軸P1,P2,S1,S2と直交する平面内での二次元方向におけるこの平行移動X,Yは、一方に対して他方が所定の範囲内の角度θを保ったまま行われることが望ましい。このようにしても、上述した作用効果と同様の作用効果を奏することができ、コプラナリティを確保して表面実装不良を防止することができる。 This parallel movement X, in a two-dimensional direction in a plane orthogonal to the central axes P1, P2, S1, S2, as indicated by an arrow X in FIG. 17 (a) or as indicated by an arrow Y in FIG. Y is preferably performed while maintaining the angle θ within a predetermined range with respect to the other. Even if it does in this way, there can exist an effect similar to the effect mentioned above, a coplanarity can be ensured, and surface mounting failure can be prevented.
[第4の実施形態]
図18は、本発明の第4の実施形態に係る部品内蔵基板1Cを示す断面及び平面図であり、図18(a)は図18(b)の平面図におけるE−E’線断面を示している。
図18(b)に示すように、第4の実施形態に係る部品内蔵基板1Cは、第1及び第2電子部品80,90の部品中心軸P1,P2と、第1及び第2開口部89,99の開口中心軸S1,S2とが、全て積層方向に重なっている点は、第1の実施形態と同様である。しかし、例えば第1開口部89に対する第2開口部99の形成態様及び第1電子部品80に対する第2電子部品90の配置態様が、次のような点で相違している。
[Fourth Embodiment]
18A and 18B are a cross-sectional view and a plan view showing a component-embedded substrate 1C according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 18A shows a cross-section along the line EE ′ in the plan view of FIG. ing.
As shown in FIG. 18B, the component-embedded substrate 1C according to the fourth embodiment includes component center axes P1, P2 of the first and second
すなわち、第4の実施形態の部品内蔵基板1Cにおいては、上述したような回転移動や平行移動はないが、第1及び第2開口部89,99が、それぞれの開口内周面89a,99aが積層方向に沿った同一平面を形成せず且つ積層方向に重ならない状態に形成され、第1及び第2電子部品80,90が、第1及び第2開口部89,99内に、それぞれの外形外周面80a,90aが積層方向に沿った同一平面を形成せず且つ積層方向に重ならない状態で収容されている。なお、図18(a)に示すように、部品内蔵基板1Cは、第1〜第3の部品内蔵基板1,1A,1Bと同様の各基板構成を備え、これらの積層順も同様に構成されている。
That is, in the component-embedded substrate 1C of the fourth embodiment, there is no rotational movement or parallel movement as described above, but the first and
このように構成された部品内蔵基板1Cは、第1〜第3の実施形態とは異なり、間隙89s,99sの全てが積層方向に重なっていない。従って、第1及び第2電子部品80,90の全周に亘って間隙89s,99s内に流れ込む接着層33の流動量f1,f2を、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板と同等とすることができる。従って、第1〜第3の実施形態よりも、更に優れたコプラナリティを得ることが可能となる。
In the component-embedded substrate 1C configured as described above, unlike the first to third embodiments, all the
[第4の実施形態の変形例]
図19は、部品内蔵基板1Cの変形例を示す平面図である。
上述した第4の実施形態においては、第1及び第2電子部品80,90の部品中心軸P1,P2と、第1及び第2開口部89,99の開口中心軸S1,S2とが、全て積層方向に重なっており、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99が回転移動及び平行移動していないものとした。
[Modification of Fourth Embodiment]
FIG. 19 is a plan view showing a modification of the component-embedded substrate 1C.
In the fourth embodiment described above, the component center axes P1 and P2 of the first and second
しかし、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99を、図19(a)に矢印Xで示す、或いは図19(b)に矢印Yで示すような、中心軸P1,S1の組み合わせと、中心軸P2,S2の組み合わせとが積層方向に重ならないよう、上記直交する平面内で平行移動X,Yさせた状態としても良い。
However, for example, the second
また、図19(c)に示すように、各部品中心軸P1,P2及び開口中心軸S1,S2の積層方向への重なりは維持したまま、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99を所定の角度θの範囲内で回転移動Rさせた状態としてもよい。
Further, as shown in FIG. 19C, for example, in the first
更に、図19(d)に矢印Xで示す、或いは図19(e)に矢印Yで示すように、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対する第2電子部品90及び第2開口部99の所定の角度θの範囲内における回転移動を維持したまま、中心軸P1,S1の組み合わせ及び中心軸P2,S2の組み合わせが積層方向に重ならないよう、平行移動X,Yさせた状態としても良い。
Further, as indicated by an arrow X in FIG. 19D or an arrow Y in FIG. 19E, for example, the second
そして、図19(f)に矢印Sで示すように、上述した所定の角度θの範囲内における回転移動を維持したまま、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99を、平行移動X,Yを組み合わせた位置へ平行移動Sさせた状態としても良い。このようにしても、上述した作用効果と同様の作用効果を奏することができ、コプラナリティを確保して表面実装不良を防止することができる。
Then, as indicated by an arrow S in FIG. 19 (f), for example, the second electrons with respect to the first
[その他の実施形態]
図20は、本発明のその他の実施形態に係る部品内蔵基板を示す平面図である。本発明に係る部品内蔵基板は、上述したものの他、次のような構成であっても良い。すなわち、図20(a)に示すように、部品内蔵基板1Dは、第1及び第2開口部89,99が、開口内周面89a,99aが積層方向に沿った同一平面を形成し且つ積層方向に重なる状態で形成されているが、第1及び第2電子部品80,90のそれぞれの外形外周面80a,90aが、積層方向に沿った同一平面を形成せず且つ積層方向に重ならない状態で、第1及び第2開口部89,99内に収容されている。換言すれば、第1及び第2開口部89,99の形成態様は積層方向に重なるように同じであるが、第1及び第2電子部品80,90の配置態様は積層方向に重ならないように異なっている。この電子部品80,90の配置態様は、上述したような回転移動、平行移動及びこれらを組み合わせた移動を含むものである。
[Other Embodiments]
FIG. 20 is a plan view showing a component-embedded substrate according to another embodiment of the present invention. The component-embedded substrate according to the present invention may have the following configuration in addition to the above. That is, as shown in FIG. 20A, in the component built-in substrate 1D, the first and
一方、図20(b)に示すように、部品内蔵基板1Eは、第1及び第2電子部品80,90が、外形外周面80a,90aが積層方向に沿った同一平面を形成し且つ積層方向に重なる状態で収容されているが、第1及び第2開口部89,99のそれぞれの開口内周面89a,99aが、積層方向に沿った同一平面を形成せず且つ積層方向に重ならない状態で形成されている。換言すれば、第1及び第2電子部品80,90の配置態様は積層方向に重なるように同じであるが、第1及び第2開口部89,99の形成態様は積層方向に重ならないように異なっている。この開口部89,99の形成態様は、上述したような回転移動、平行移動及びこれらを組み合わせた移動を含むものである。
On the other hand, as shown in FIG. 20B, in the component-embedded substrate 1E, the first and second
これら図20(a)及び(b)に示すものであっても、いずれも間隙89s,99sの積層方向に重なる部分の体積が、上述した実施形態のものよりも僅かに多くなる程度であるので、上述した作用効果とほぼ同様の作用効果を奏することができる。
20A and 20B, the volume of the portion of the
以上、本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 As mentioned above, although several embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
例えば、上述した実施の形態では、第1電子部品80及び第1開口部89を基準として、第2電子部品90及び第2開口部99が所定の状態にズレた配置となるように形成されているものとした。これらの関係を逆にして、第2電子部品90及び第2開口部99を基準として第1電子部品80及び第1開口部89を配置、形成するようにしても良い。また、上述した実施の形態では、複数の電子部品80,90を異なる層に内蔵したいずれも6層構造の部品内蔵基板1〜1Eについて説明したが、多層構造の層数は適宜増減することができ、併せて内蔵される電子部品数は2以上であれば適宜変更することが可能である。
For example, in the above-described embodiment, the second
1 部品内蔵基板
10A 第1両面基板
10B 第2両面基板
11 樹脂基材
12 配線
13 ビア
20 中間基板
21 樹脂基材
22 接着層
23 ビア
30A 第1片面基板
30B 第2片面基板
30C 第3片面基板
31 樹脂基材
32 配線
33 接着層
34 ビア
80 第1電子部品
80a 外形外周面
89 第1開口部
89a 開口内周面
89s 間隙
90 第2電子部品
90a 外形外周面
99 第2開口部
99a 開口内周面
99s 間隙
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記複数の単位基板は、
第1絶縁層を有し、第1電子部品が第1の間隙を空けて収容された第1開口部を備えた第1基板と、
第2絶縁層を有し、第2電子部品が第2の間隙を空けて収容された第2開口部を備えた第2基板と、
前記第1及び第2基板の間に配置され、第3絶縁層及び前記第3絶縁層の両面側に設けられると共に前記第1及び第2の間隙に充填される第1接着層を備えた中間基板とを含み、
前記第1及び第2開口部は、それぞれの開口内周面が全周に亘って前記積層方向に沿った同一平面を形成せず、いずれか一方の開口中心軸がいずれか他方の開口部内を通り、且ついずれか一方がいずれか他方の開口中心軸と直交する平面内で回転移動した状態で形成され、
前記第1及び第2の間隙は、前記回転移動した状態での前記積層方向に重なる部分の合計体積が、前記回転移動しない状態での前記積層方向に重なる部分の合計体積よりも小さくなるように形成されている
ことを特徴とする部品内蔵基板。 A component-embedded substrate having a multilayer structure having a plurality of unit substrates stacked and having a plurality of electronic components embedded in the stacking direction,
The plurality of unit substrates are:
A first substrate having a first insulating layer and having a first opening in which a first electronic component is accommodated with a first gap;
A second substrate having a second insulating layer and having a second opening in which a second electronic component is accommodated with a second gap;
An intermediate having a first adhesive layer disposed between the first and second substrates, provided on both sides of the third insulating layer and the third insulating layer, and filled in the first and second gaps. Including a substrate,
In the first and second openings, the inner peripheral surfaces of the respective openings do not form the same plane along the stacking direction over the entire circumference, and either one of the opening central axes is in the other opening. And any one of them is formed in a state of rotating and moving in a plane orthogonal to the other opening center axis,
The first and second gaps are configured such that the total volume of the portion overlapping in the stacking direction in the rotationally moved state is smaller than the total volume of the portion overlapping in the stacking direction in the non-rotated state. A component-embedded substrate characterized by being formed.
ことを特徴とする請求項1記載の部品内蔵基板。 2. The component-embedded substrate according to claim 1, wherein each of the first opening and the second opening has an opening center axis overlapping in the stacking direction.
ことを特徴とする請求項1記載の部品内蔵基板。 2. The component-embedded substrate according to claim 1, wherein each of the first and second openings has an opening center axis that does not overlap in the stacking direction.
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の部品内蔵基板。 The said 1st and 2nd electronic component is accommodated in the state in which each external shape outer peripheral surface does not form the same plane along the said lamination direction. Component built-in board.
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の部品内蔵基板。 The said 1st and 2nd electronic component is accommodated in the state in which each external shape outer peripheral surface forms the same plane along the said lamination direction. The one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. Component built-in board.
前記複数の単位基板は、
第1絶縁層を有し、第1電子部品が第1の間隙を空けて収容された第1開口部を備えた第1基板と、
第2絶縁層を有し、第2電子部品が第2の間隙を空けて収容された第2開口部を備えた第2基板と、
前記第1及び第2基板の間に配置され、第3絶縁層及び前記第3絶縁層の両面側に設けられると共に前記第1及び第2の間隙に充填される第1接着層を備えた中間基板とを含み、
前記第1及び第2電子部品は、それぞれの外形外周面が全周に亘って前記積層方向に沿った同一平面を形成せず、いずれか一方の部品中心軸がいずれか他方の部品内を通り、且ついずれか一方がいずれか他方の部品中心軸と直交する平面内で回転移動した状態で収容され、
前記第1及び第2の間隙は、前記回転移動した状態での前記積層方向に重なる部分の合計体積が、前記回転移動しない状態での前記積層方向に重なる部分の合計体積よりも小さくなるように形成されている
ことを特徴とする部品内蔵基板。 A component-embedded substrate having a multilayer structure having a plurality of unit substrates stacked and having a plurality of electronic components embedded in the stacking direction,
The plurality of unit substrates are:
A first substrate having a first insulating layer and having a first opening in which a first electronic component is accommodated with a first gap;
A second substrate having a second insulating layer and having a second opening in which a second electronic component is accommodated with a second gap;
An intermediate having a first adhesive layer disposed between the first and second substrates, provided on both sides of the third insulating layer and the third insulating layer, and filled in the first and second gaps. Including a substrate,
The first and second electronic components do not form the same plane along the laminating direction over the entire outer periphery of each of the first and second electronic components, and one of the component central axes passes through the other component. And either one is accommodated in a state where it is rotated and moved in a plane orthogonal to the other component central axis,
The first and second gaps are configured such that the total volume of the portion overlapping in the stacking direction in the rotationally moved state is smaller than the total volume of the portion overlapping in the stacking direction in the non-rotated state. A component-embedded substrate characterized by being formed.
ことを特徴とする請求項6記載の部品内蔵基板。 The component built-in board according to claim 6, wherein the first and second electronic components have respective component central axes overlapping in the stacking direction.
ことを特徴とする請求項6記載の部品内蔵基板。 The component built-in board according to claim 6, wherein the first and second electronic components have respective component center axes that do not overlap in the stacking direction.
ことを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項記載の部品内蔵基板。 The said 1st and 2nd opening part is formed in the state in which each opening inner peripheral surface forms the same plane along the said lamination direction, The any one of Claims 6-8 characterized by the above-mentioned. Component built-in board.
前記第2基板は、前記第2絶縁層の両面側に形成された第2配線層及び前記第2絶縁層を貫通した状態で前記第2配線層と接続された第2層間導電層を有する第2両面基板からなり、
前記中間基板は、前記第1接着層と共に前記第3絶縁層を貫通する第3層間導電層を有する
ことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項記載の部品内蔵基板。 The first substrate includes a first wiring layer formed on both sides of the first insulating layer, and a first interlayer conductive layer connected to the first wiring layer in a state of penetrating the first insulating layer. 1 double-sided board,
The second substrate includes a second wiring layer formed on both sides of the second insulating layer and a second interlayer conductive layer connected to the second wiring layer in a state of passing through the second insulating layer. It consists of two double-sided boards,
The component built-in substrate according to claim 1, wherein the intermediate substrate has a third interlayer conductive layer that penetrates the third insulating layer together with the first adhesive layer.
第4絶縁層の一方の面側に形成された第3配線層及び前記第4絶縁層を貫通した状態で前記第3配線層と接続された第4層間導電層を有し、前記第4絶縁層の他方の面側に設けられた第2接着層を備えた第1片面基板を含み、
前記第1片面基板は、前記第2接着層側において、前記第4層間導電層の一部が前記第1電子部品と接続されている
ことを特徴とする請求項10記載の部品内蔵基板。 The plurality of unit substrates are:
A third wiring layer formed on one surface side of the fourth insulating layer; and a fourth interlayer conductive layer connected to the third wiring layer in a state of penetrating the fourth insulating layer, the fourth insulating layer Including a first single-sided substrate with a second adhesive layer provided on the other side of the layer;
11. The component-embedded substrate according to claim 10, wherein a part of the fourth interlayer conductive layer is connected to the first electronic component on the second adhesive layer side of the first single-sided substrate.
第5絶縁層の一方の面側に形成された第4配線層及び前記第5絶縁層を貫通した状態で前記第4配線層と接続された第5層間導電層を有し、前記第5絶縁層の他方の面側に設けられた第3接着層を備えた第2片面基板を含み、
前記第2片面基板は、前記第3接着層側において、前記第5層間導電層の一部が前記第2電子部品と接続されている
ことを特徴とする請求項10又は11記載の部品内蔵基板。
The plurality of unit substrates are:
A fifth wiring layer formed on one surface side of the fifth insulating layer; and a fifth interlayer conductive layer connected to the fourth wiring layer in a state of penetrating the fifth insulating layer; Including a second single-sided substrate with a third adhesive layer provided on the other side of the layer;
The component-embedded substrate according to claim 10 or 11, wherein a part of the fifth interlayer conductive layer is connected to the second electronic component on the second adhesive layer side of the second single-sided substrate. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016079636A JP6313804B2 (en) | 2016-04-12 | 2016-04-12 | Component built-in board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016079636A JP6313804B2 (en) | 2016-04-12 | 2016-04-12 | Component built-in board |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017191831A JP2017191831A (en) | 2017-10-19 |
JP6313804B2 true JP6313804B2 (en) | 2018-04-18 |
Family
ID=60085048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016079636A Active JP6313804B2 (en) | 2016-04-12 | 2016-04-12 | Component built-in board |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6313804B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019066024A1 (en) | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 日本たばこ産業株式会社 | Dispensing device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003324260A (en) * | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Victor Co Of Japan Ltd | Printed wiring board and manufacturing method therefor |
JP2005191549A (en) * | 2003-12-01 | 2005-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Module with built-in components manufacturing method and module with built-in components |
US8008125B2 (en) * | 2009-03-06 | 2011-08-30 | General Electric Company | System and method for stacked die embedded chip build-up |
JP5273095B2 (en) * | 2010-05-24 | 2013-08-28 | 株式会社デンソー | Semiconductor device |
JP5427305B1 (en) * | 2013-02-19 | 2014-02-26 | 株式会社フジクラ | Component-embedded substrate, manufacturing method thereof, and mounting body |
JP5967335B2 (en) * | 2014-04-10 | 2016-08-10 | 株式会社村田製作所 | Multi-layer board with built-in components |
-
2016
- 2016-04-12 JP JP2016079636A patent/JP6313804B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017191831A (en) | 2017-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8941016B2 (en) | Laminated wiring board and manufacturing method for same | |
JP4055717B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP5526276B1 (en) | Component-embedded substrate, manufacturing method thereof, and mounting body | |
JP5583828B1 (en) | Electronic component built-in multilayer wiring board and method for manufacturing the same | |
US8726495B2 (en) | Multi-layer board manufacturing method thereof | |
EP1814373A1 (en) | Multilayer printed wiring board and its manufacturing method | |
JP6291738B2 (en) | CIRCUIT BOARD, CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE | |
JP2013211479A (en) | Multilayer wiring board | |
JP4694007B2 (en) | Manufacturing method of three-dimensional mounting package | |
JP4934444B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP6313804B2 (en) | Component built-in board | |
JP6315681B2 (en) | Component-embedded substrate, manufacturing method thereof, and mounting body | |
JP5836019B2 (en) | Component built-in substrate and manufacturing method thereof | |
JP6062884B2 (en) | Component-embedded substrate, manufacturing method thereof, and mounting body | |
JP5913535B1 (en) | Component built-in substrate and manufacturing method thereof | |
US9826646B2 (en) | Component built-in board and method of manufacturing the same, and mounting body | |
JP5311162B1 (en) | Manufacturing method of component mounting board | |
WO2018047612A1 (en) | Component-incorporated substrate and method for manufacturing same | |
JP4881664B2 (en) | Wiring board and method of manufacturing wiring board | |
JP3922350B2 (en) | Multilayer printed wiring board and method for producing multilayer printed wiring board | |
JP6456174B2 (en) | Electronic component built-in multilayer wiring board and method for manufacturing the same | |
JP2014027083A (en) | Multilayer printed wiring board | |
WO2010090316A1 (en) | Semiconductor package and manufacturing method therefor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170808 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180122 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180313 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6313804 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |