JP6313804B2 - Component built-in board - Google Patents

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

本発明は、電子部品を内蔵した部品内蔵基板に関する。   The present invention relates to a component-embedded substrate that incorporates an electronic component.

近年の小型精密電子機器を中心とした更なる小型化や高性能化の要求に対応するため、基板に搭載される半導体デバイスについても小型化や高集積化が求められている。このような要求に対してCoC(Chip on Chip)、PoP(Package on Package)等の三次元パッケージ技術や部品内蔵基板技術により、半導体デバイスの小型化を進めつつ高集積化に対応する必要性が増している。   In order to meet the demand for further miniaturization and higher performance centered on recent small precision electronic devices, semiconductor devices mounted on a substrate are also required to be miniaturized and highly integrated. In response to such demands, there is a need to cope with high integration while miniaturizing semiconductor devices by using three-dimensional package technology such as CoC (Chip on Chip) and PoP (Package on Package) and component-embedded substrate technology. It is increasing.

このような技術のうち、部品内蔵基板技術を用いたものとして、下記特許文献1に開示された部品内蔵基板が知られている。この部品内蔵基板は、中間基板の両面側に設けた接着層及び貫通構造で形成した層間接続ビアにより、積層方向における中間基板の上下に配置された構造体の接着及び電気的接続を行うことができる。このように、一括積層の後に、一度のキュアプレスによって複数の電子部品を異なる層に内蔵し、複雑な多層構造の部品内蔵基板を従来の工程と同様の工程にて製造している。   Among such techniques, a component-embedded substrate disclosed in Patent Document 1 below is known as a technology using the component-embedded substrate technology. This component-embedded substrate can bond and electrically connect structures disposed above and below the intermediate substrate in the stacking direction by an adhesive layer provided on both sides of the intermediate substrate and an interlayer connection via formed by a through structure. it can. As described above, after batch stacking, a plurality of electronic components are built in different layers by a single cure press, and a component built-in substrate having a complex multilayer structure is manufactured in the same process as the conventional process.

特許第5526276号公報Japanese Patent No. 5526276

ところで、上記特許文献1に開示された部品内蔵基板では、層間接続に接着材からなる接着層を用いている。このため、プレスキュア時に電子部品とこれを収容する開口部との間の間隙に接着材が流動して流れ込み、結果的に表面形状に凹凸の変形が生じることとなる。特に、この部品内蔵基板では、異なる層の開口部及び電子部品が、上面視で見てそれぞれ積層方向においてほぼ同じ位置に設けられている。従って、異なる層に形成されたにも拘わらず、積層方向に重なる部分の各間隙の合計体積は、電子部品の周囲に亘って最大となる。   Incidentally, in the component-embedded substrate disclosed in Patent Document 1, an adhesive layer made of an adhesive is used for interlayer connection. For this reason, the adhesive material flows and flows into the gap between the electronic component and the opening that accommodates the electronic component during press curing, and as a result, unevenness of the surface shape occurs. In particular, in this component-embedded substrate, openings and electronic components of different layers are provided at substantially the same position in the stacking direction when viewed from above. Therefore, although formed in different layers, the total volume of the gaps in the overlapping portion in the stacking direction is maximized around the periphery of the electronic component.

この場合、中間基板等により内層側の接着材の流動はある程度制限されるが、概ね表層側の接着材が、それぞれ上述した間隙に流れ込む。これにより、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板と比べると、各間隙の表層側の表面形状の凹みによる変形が大きくなり、コプラナリティ(coplanarity:共平面性、均一性、平坦度)が極端に悪くなることがあった。一般的に、ファインピッチの実装部品を表面実装するためには、コプラナリティが良好であることが求められるため、このままコプラナリティが悪い状態で表面実装を行うと、実装時に実装不良が発生してしまう虞がある。   In this case, the flow of the adhesive on the inner layer side is limited to some extent by the intermediate substrate or the like, but the adhesive on the surface layer generally flows into the gaps described above. As a result, compared to a component-embedded substrate in which an electronic component is embedded only in a single layer, deformation due to a surface shape depression on the surface layer side of each gap is increased, and coplanarity (coplanarity: coplanarity, uniformity, flatness) is increased. Sometimes it became extremely bad. Generally, in order to surface-mount a fine-pitch mounting component, good coplanarity is required. Therefore, if surface mounting is performed in a state where the coplanarity is poor, mounting defects may occur during mounting. There is.

本発明は、上述した従来技術による問題点を解消し、製造工程を簡素化しつつ全体の薄型化を図ると共に表面形状のコプラナリティをよくして表面実装不良の防止を図ることができる部品内蔵基板を提供することを目的とする。   The present invention eliminates the above-mentioned problems caused by the prior art, reduces the overall thickness while simplifying the manufacturing process, and improves the coplanarity of the surface shape to prevent surface mounting defects. The purpose is to provide.

本発明に係る一の部品内蔵基板は、積層された複数の単位基板を有し、積層方向に複数の電子部品を内蔵してなる多層構造の部品内蔵基板であって、前記複数の単位基板は、第1絶縁層を有し、第1電子部品が収容された第1開口部を備えた第1基板と、第2絶縁層を有し、第2電子部品が収容された第2開口部を備えた第2基板と、前記第1及び第2基板の間に配置され、第3絶縁層及び前記第3絶縁層の両面側に設けられた第1接着層を備えた中間基板とを含み、前記第1及び第2開口部は、それぞれの開口内周面が前記積層方向に沿った同一平面を形成しない状態で形成されていることを特徴とする。   One component-embedded substrate according to the present invention is a component-embedded substrate having a multilayer structure having a plurality of stacked unit substrates and incorporating a plurality of electronic components in the stacking direction, wherein the plurality of unit substrates are A first substrate having a first insulating layer and having a first opening containing a first electronic component; and a second opening having a second insulating layer and containing a second electronic component. A second substrate provided, and an intermediate substrate disposed between the first and second substrates and provided with a third insulating layer and a first adhesive layer provided on both sides of the third insulating layer, The first and second openings are formed in a state in which the inner peripheral surfaces of the respective openings do not form the same plane along the stacking direction.

本発明の一実施形態においては、前記第1及び第2開口部は、それぞれの開口中心軸が前記積層方向に重なっている。   In one embodiment of the present invention, the opening central axes of the first and second openings overlap each other in the stacking direction.

本発明の他の実施形態においては、前記第1及び第2開口部は、それぞれの開口中心軸が前記積層方向に重なっていない。   In another embodiment of the present invention, the opening central axes of the first and second openings do not overlap with the stacking direction.

本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2開口部は、いずれか一方がいずれか他方の開口中心軸と直交する平面内で回転移動した状態で形成されている。   In still another embodiment of the present invention, the first and second openings are formed in a state where one of them is rotationally moved in a plane orthogonal to the other opening central axis.

本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2開口部は、いずれか一方がいずれか他方の開口中心軸と直交する平面内で平行移動した状態で形成されている。   In still another embodiment of the present invention, the first and second openings are formed such that one of them is translated in a plane perpendicular to the other opening central axis.

本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2電子部品は、それぞれの外形外周面が前記積層方向に沿った同一平面を形成しない状態で収容されている。   In still another embodiment of the present invention, the first and second electronic components are accommodated in a state in which the outer peripheral surfaces of the respective outer shapes do not form the same plane along the stacking direction.

本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2電子部品は、それぞれの外形外周面が前記積層方向に沿った同一平面を形成する状態で収容されている。   In still another embodiment of the present invention, the first and second electronic components are accommodated in a state in which the outer peripheral surfaces of the respective external components form the same plane along the stacking direction.

本発明に係る他の部品内蔵基板は、積層された複数の単位基板を有し、積層方向に複数の電子部品を内蔵してなる多層構造の部品内蔵基板であって、前記複数の単位基板は、第1絶縁層を有し、第1電子部品が収容された第1開口部を備えた第1基板と、第2絶縁層を有し、第2電子部品が収容された第2開口部を備えた第2基板と、前記第1及び第2基板の間に配置され、第3絶縁層及び前記第3絶縁層の両面側に設けられた第1接着層を備えた中間基板とを含み、前記第1及び第2電子部品は、それぞれの外形外周面が前記積層方向に沿った同一平面を形成しない状態で収容されていることを特徴とする。   Another component-embedded substrate according to the present invention is a component-embedded substrate having a multilayer structure that includes a plurality of stacked unit substrates and that includes a plurality of electronic components in the stacking direction. A first substrate having a first insulating layer and having a first opening containing a first electronic component; and a second opening having a second insulating layer and containing a second electronic component. A second substrate provided, and an intermediate substrate disposed between the first and second substrates and provided with a third insulating layer and a first adhesive layer provided on both sides of the third insulating layer, The first and second electronic components are housed in a state in which their outer peripheral surfaces do not form the same plane along the stacking direction.

本発明の一実施形態においては、前記第1及び第2電子部品は、それぞれの部品中心軸が前記積層方向に重なっている。   In one embodiment of the present invention, the first and second electronic components have respective component central axes overlapping in the stacking direction.

本発明の他の実施形態においては、前記第1及び第2電子部品は、それぞれの部品中心軸が前記積層方向に重なっていない。   In another embodiment of the present invention, the first and second electronic components do not have their component central axes overlapping in the stacking direction.

本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2電子部品は、いずれか一方がいずれか他方の部品中心軸と直交する平面内で回転移動した状態で収容されている。   In still another embodiment of the present invention, the first and second electronic components are accommodated in a state where one of them is rotationally moved in a plane orthogonal to the other component central axis.

本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2電子部品は、いずれか一方がいずれか他方の部品中心軸と直交する平面内で平行移動した状態で収容されている。   In still another embodiment of the present invention, the first and second electronic components are accommodated in a state where one of them is translated in a plane orthogonal to the other component central axis.

本発明の更に他の実施形態においては、前記第1及び第2開口部は、それぞれの開口内周面が前記積層方向に沿った同一平面を形成する状態で形成されている。   In still another embodiment of the present invention, the first and second openings are formed such that the inner peripheral surfaces of the openings form the same plane along the stacking direction.

なお、上述した本発明の更に他の実施形態においては、前記第1基板は、前記第1絶縁層の両面側に形成された第1配線層及び前記第1絶縁層を貫通した状態で前記第1配線層と接続された第1層間導電層を有する第1両面基板からなり、前記第2基板は、前記第2絶縁層の両面側に形成された第2配線層及び前記第2絶縁層を貫通した状態で前記第2配線層と接続された第2層間導電層を有する第2両面基板からなり、前記中間基板は、前記第1接着層と共に前記第3絶縁層を貫通する第3層間導電層を有する。   In still another embodiment of the present invention described above, the first substrate is formed in a state of penetrating the first wiring layer formed on both sides of the first insulating layer and the first insulating layer. A first double-sided substrate having a first interlayer conductive layer connected to one wiring layer, wherein the second substrate includes a second wiring layer formed on both sides of the second insulating layer and the second insulating layer; A third interlayer conductive layer comprising a second double-sided substrate having a second interlayer conductive layer connected to the second wiring layer in a penetrating state, wherein the intermediate substrate penetrates the third insulating layer together with the first adhesive layer. Having a layer.

また、上述した本発明の更に他の実施形態においては、前記複数の単位基板は、第4絶縁層の一方の面側に形成された第3配線層及び前記第4絶縁層を貫通した状態で前記第3配線層と接続された第4層間導電層を有し、前記第4絶縁層の他方の面側に設けられた第2接着層を備えた第1片面基板を含み、前記第1片面基板は、前記第2接着層側において、前記第4層間導電層の一部が前記第1電子部品と接続されている。   Further, in still another embodiment of the present invention described above, the plurality of unit substrates pass through the third wiring layer and the fourth insulating layer formed on one surface side of the fourth insulating layer. A first single-sided substrate having a fourth interlayer conductive layer connected to the third wiring layer and including a second adhesive layer provided on the other surface side of the fourth insulating layer; In the substrate, a part of the fourth interlayer conductive layer is connected to the first electronic component on the second adhesive layer side.

更に、上述した本発明の更に他の実施形態においては、前記複数の単位基板は、第5絶縁層の一方の面側に形成された第4配線層及び前記第5絶縁層を貫通した状態で前記第4配線層と接続された第5層間導電層を有し、前記第5絶縁層の他方の面側に設けられた第3接着層を備えた第2片面基板を含み、前記第2片面基板は、前記第3接着層側において、前記第5層間導電層の一部が前記第2電子部品と接続されている。   Furthermore, in still another embodiment of the present invention described above, the plurality of unit substrates penetrate the fourth wiring layer and the fifth insulating layer formed on one surface side of the fifth insulating layer. A second single-sided substrate having a fifth interlayer conductive layer connected to the fourth wiring layer and having a third adhesive layer provided on the other surface side of the fifth insulating layer; In the substrate, a part of the fifth interlayer conductive layer is connected to the second electronic component on the third adhesive layer side.

本発明によれば、製造工程を簡素化しつつ全体の薄型化を図ると共に表面形状のコプラナリティをよくして表面実装不良の防止を図ることができる。   According to the present invention, it is possible to reduce the overall thickness while simplifying the manufacturing process and improve the coplanarity of the surface shape to prevent surface mounting defects.

本発明の第1の実施形態に係る部品内蔵基板を示す断面及び平面図である。It is a section and a top view showing a component built-in substrate concerning a 1st embodiment of the present invention. 同部品内蔵基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the component built-in board | substrate. 同部品内蔵基板の製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the same component built-in board. 同部品内蔵基板の製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the same component built-in board. 同部品内蔵基板の製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the same component built-in board. 同部品内蔵基板の製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the same component built-in board. 同部品内蔵基板を製造工程毎に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the same component built-in board | substrate for every manufacturing process. 同部品内蔵基板を製造工程毎に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the same component built-in board | substrate for every manufacturing process. 同部品内蔵基板を製造工程毎に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the same component built-in board | substrate for every manufacturing process. 同部品内蔵基板を製造工程毎に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the same component built-in board | substrate for every manufacturing process. 同部品内蔵基板を製造工程毎に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the same component built-in board | substrate for every manufacturing process. 同部品内蔵基板の第1変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 1st modification of the same component-embedded substrate. 同部品内蔵基板の第2変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd modification of the component built-in board | substrate. 同部品内蔵基板の他の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the other modification of the component built-in board | substrate. 本発明の第2の実施形態に係る部品内蔵基板を示す断面及び平面図である。It is a section and a top view showing a component built-in substrate concerning a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第3の実施形態に係る部品内蔵基板を示す断面及び平面図である。It is a section and a top view showing a component built-in substrate concerning a 3rd embodiment of the present invention. 同部品内蔵基板の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the same component built-in board | substrate. 本発明の第4の実施形態に係る部品内蔵基板を示す断面及び平面図である。It is a section and a top view showing a component built-in substrate concerning a 4th embodiment of the present invention. 同部品内蔵基板の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of the same component built-in board | substrate. 本発明のその他の実施形態に係る部品内蔵基板を示す平面図である。It is a top view which shows the component built-in board | substrate which concerns on other embodiment of this invention.

以下、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態に係る部品内蔵基板を詳細に説明する。   Hereinafter, a component-embedded substrate according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る部品内蔵基板1を示す断面及び平面図であり、図1(a)は図1(b)の平面図におけるA−A’線断面を示している。また、図2は、部品内蔵基板1を示す断面図であり、図1(b)の平面図におけるB−B’線断面を示している。なお、図1(a)に示す断面は、図2に示す断面と断面箇所が異なるため、図1(a)においては、後述する第2電子部品90の電極91及び第2片面基板30Bのビア34の一部は、形成位置や配置位置を簡略化した仮想線にて図示している。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a cross-sectional view and a plan view showing a component-embedded substrate 1 according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1 (a) shows a cross-section along the line AA ′ in the plan view of FIG. 1 (b). ing. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the component built-in substrate 1 and shows a cross section taken along line BB ′ in the plan view of FIG. Since the cross section shown in FIG. 1A differs from the cross section shown in FIG. 2 in FIG. 1A, in FIG. 1A, an electrode 91 of a second electronic component 90 and a via on the second single-sided board 30B described later. A part of 34 is illustrated by a virtual line in which the formation position and the arrangement position are simplified.

図1(a)に示すように、部品内蔵基板1は、複数の単位基板を積層して積層方向に複数の電子部品を内蔵してなる。部品内蔵基板1は、単位基板としての複数の両面基板である第1両面基板10A及び第2両面基板10Bと、中間基板20と、複数の片面基板である第1片面基板30A、第2片面基板30B及び第3片面基板30Cとを、例えば熱圧着により一括積層した構造を備えている。   As shown in FIG. 1A, the component-embedded substrate 1 is formed by stacking a plurality of unit substrates and incorporating a plurality of electronic components in the stacking direction. The component-embedded substrate 1 includes a first double-sided board 10A and a second double-sided board 10B that are a plurality of double-sided boards as unit boards, an intermediate board 20, a first single-sided board 30A that is a plurality of single-sided boards, and a second single-sided board. 30B and the 3rd single-sided board | substrate 30C are provided with the structure laminated | stacked collectively, for example by thermocompression bonding.

本実施形態の部品内蔵基板1において、中間基板20よりも積層方向の下方側には第1基板として機能する第1両面基板10Aが配置され、その下方側には第1片面基板30Aが配置されている。一方、中間基板20よりも積層方向の上方側には第2基板として機能する第2両面基板10Bが配置され、またこの第2両面基板10Bと中間基板20との間には第2片面基板30Bが配置されている。第3片面基板30Cは、最上層に配置されている。   In the component-embedded substrate 1 of this embodiment, a first double-sided board 10A that functions as a first board is disposed below the intermediate board 20 in the stacking direction, and a first single-sided board 30A is disposed below the first double-sided board 10A. ing. On the other hand, a second double-sided substrate 10B that functions as a second substrate is disposed above the intermediate substrate 20 in the stacking direction, and a second single-sided substrate 30B is disposed between the second double-sided substrate 10B and the intermediate substrate 20. Is arranged. The third single-sided substrate 30C is disposed on the uppermost layer.

複数の電子部品としては、第1電子部品80及び第2電子部品90が内蔵される。第1電子部品80は、第1両面基板10Aに形成された第1開口部89内に、例えばその背面81a側を積層方向の上方側に向けると共に電極形成面81b側を積層方向の下方側に向けた状態で収容されている。第2電子部品90は、第2両面基板10Bに形成された第2開口部99内に、第1電子部品80と同様にその背面91a側を積層方向の上方側、且つその電極形成面91b側を積層方向の下方側に向けた状態で収容されている。   As the plurality of electronic components, a first electronic component 80 and a second electronic component 90 are incorporated. The first electronic component 80 is placed in the first opening 89 formed in the first double-sided substrate 10A, for example, with the back surface 81a facing upward in the stacking direction and the electrode forming surface 81b facing downward in the stacking direction. It is housed in a facing state. In the second opening 99 formed in the second double-sided substrate 10B, the second electronic component 90 has a back surface 91a side on the upper side in the stacking direction and an electrode formation surface 91b side in the same manner as the first electronic component 80. Are stored in a state in which they are directed downward in the stacking direction.

第1及び第2両面基板10A,10Bは、それぞれフィルム状の第1絶縁層及び第2絶縁層としての樹脂基材11と、これら樹脂基材11の両面側にそれぞれ形成された第1配線層及び第2配線層としての配線12とを備える。また、第1及び第2両面基板10A,10Bは、各樹脂基材11の一方の面側の配線12を樹脂基材11と共に貫通するビアホール2内にめっき形成された第1層間導電層及び第2層間導電層としてのビア13をそれぞれ備える。ビア13は、樹脂基材11の両面側の配線12を電気的に接続する。   The first and second double-sided substrates 10A and 10B are respectively a film-shaped first insulating layer and a resin base material 11 as a second insulating layer, and first wiring layers formed on both sides of the resin base material 11, respectively. And a wiring 12 as a second wiring layer. Further, the first and second double-sided substrates 10A and 10B include a first interlayer conductive layer formed by plating in the via hole 2 that penetrates the wiring 12 on one surface side of each resin base material 11 together with the resin base material 11, and the first interlayer conductive layer. Vias 13 are provided as two-layer conductive layers. The vias 13 electrically connect the wirings 12 on both sides of the resin base material 11.

なお、配線12は、上記のように実際には導体層の上にメッキ層が形成された二重構造を備えているが、図示は省略している。また、第1及び第2両面基板10A,10Bの第1及び第2開口部89,99は、それぞれ所定箇所において樹脂基材11及び配線12を除去して形成されている。   The wiring 12 actually has a double structure in which a plating layer is formed on a conductor layer as described above, but the illustration thereof is omitted. Further, the first and second openings 89 and 99 of the first and second double-sided substrates 10A and 10B are formed by removing the resin base material 11 and the wiring 12 at predetermined locations, respectively.

中間基板20は、フィルム状の第3絶縁層としての樹脂基材21と、この樹脂基材21の両面側に設けられた第1接着層としての接着層22とを備える。また、中間基板20は、これら接着層22及び樹脂基材21を貫通するビアホール3内に充填形成された導電性ペーストからなる第3層間導電層としてのビア23を備える。   The intermediate substrate 20 includes a resin base material 21 as a film-like third insulating layer and an adhesive layer 22 as a first adhesive layer provided on both sides of the resin base material 21. Further, the intermediate substrate 20 includes vias 23 as third interlayer conductive layers made of a conductive paste filled in the via holes 3 penetrating the adhesive layer 22 and the resin base material 21.

第1及び第2片面基板30A,30Bは、それぞれフィルム状の第4絶縁層及び第5絶縁層としての樹脂基材31と、これら樹脂基材31の一方の面側に形成された第3配線層及び第4配線層としての配線32とを備える。また、第1及び第2片面基板30A,30Bは、各樹脂基材31の他方の面側に設けられた第2接着層及び第3接着層としての接着層33を備える。   The first and second single-sided substrates 30A and 30B are respectively a resin base 31 as a film-like fourth insulating layer and a fifth insulating layer, and a third wiring formed on one surface side of the resin base 31 And a wiring 32 as a fourth wiring layer. The first and second single-sided substrates 30 </ b> A and 30 </ b> B include a second adhesive layer and an adhesive layer 33 as a third adhesive layer provided on the other surface side of each resin base material 31.

更に、第1及び第2片面基板30A,30Bは、接着層33と共に樹脂基材31を貫通するビアホール4内に充填形成された第4層間導電層及び第5層間導電層としてのビア34をそれぞれ備える。なお、最上層に配置される第3片面基板30Cは、第1及び第2片面基板30A,30Bと同様に構成されている。   Further, the first and second single-sided substrates 30A and 30B have via holes 34 as the fourth and fifth interlayer conductive layers filled in the via holes 4 penetrating the resin base material 31 together with the adhesive layer 33, respectively. Prepare. The third single-sided substrate 30C arranged in the uppermost layer is configured in the same manner as the first and second single-sided substrates 30A and 30B.

具体的には、第3片面基板30Cは、フィルム状の第6絶縁層としての樹脂基材31と、この樹脂基材31の一方の面側に形成された第5配線層としての配線32と、樹脂基材31の他方の面側に設けられた第4接着層としての接着層33とを備える。また、第3片面基板30Cは、接着層33と共に樹脂基材31を貫通するビアホール4内に充填形成された第6層間導電層としてのビア34を備える。   Specifically, the third single-sided substrate 30C includes a resin base 31 as a film-like sixth insulating layer, and a wiring 32 as a fifth wiring layer formed on one surface side of the resin base 31. And an adhesive layer 33 as a fourth adhesive layer provided on the other surface side of the resin base 31. The third single-sided substrate 30 </ b> C includes a via 34 as a sixth interlayer conductive layer filled in the via hole 4 penetrating the resin base material 31 together with the adhesive layer 33.

なお、第1及び第2両面基板10A,10B並びに中間基板20は両面CCLにより、また第1〜第3片面基板30A〜30Cは片面CCLによりそれぞれ構成され得る。これら各基板の製法については後述する。各樹脂基材11,21,31は、それぞれ例えば厚さ25μm程度の低誘電率材料の樹脂フィルムにより構成されている。樹脂フィルムとしては、例えばポリイミド、ポリオレフィン、液晶ポリマー(LCP)等を用い得る。   The first and second double-sided boards 10A and 10B and the intermediate board 20 can be constituted by double-sided CCL, and the first to third single-sided boards 30A to 30C can be constituted by single-sided CCL. The manufacturing method of each of these substrates will be described later. Each resin base material 11, 21, 31 is composed of a resin film of a low dielectric constant material having a thickness of about 25 μm, for example. As the resin film, for example, polyimide, polyolefin, liquid crystal polymer (LCP), or the like can be used.

配線12,32は、例えば樹脂基材11,31上にパターン形成された銅箔等の導電材又はこの導電材とめっき材を合わせた導体層からなる。第1及び第2電子部品80,90は、トランジスタ、集積回路(IC)、ダイオード等の半導体素子の能動部品や、抵抗器、コンデンサ、リレー、圧電素子等の受動部品からなる。   The wirings 12 and 32 are made of, for example, a conductive material such as a copper foil patterned on the resin base materials 11 and 31, or a conductive layer obtained by combining this conductive material and a plating material. The first and second electronic components 80 and 90 include active components such as transistors, integrated circuits (ICs), and diodes, and passive components such as resistors, capacitors, relays, and piezoelectric elements.

図1に示す第1及び第2電子部品80,90は、例えば再配線を施したWLP(Wafer Level Package)を示している。第1及び第2電子部品80,90のそれぞれの電極形成面81b,91b側には、図示しないパッド上に形成された複数の再配線の電極81,91が設けられており、これら電極81,91の周囲には図示しない絶縁層が形成されている。   The first and second electronic components 80 and 90 shown in FIG. 1 are, for example, WLP (Wafer Level Package) subjected to rewiring. A plurality of rewiring electrodes 81 and 91 formed on pads (not shown) are provided on the electrode forming surfaces 81b and 91b side of the first and second electronic components 80 and 90, respectively. An insulating layer (not shown) is formed around 91.

ビア23,34は、ビアホール3,4内にそれぞれ充填形成された導電性ペーストからなる。導電性ペーストは、少なくとも1種類の低電気抵抗の金属粒子と、少なくとも1種類の低融点の金属粒子とを含んでいる。そして、導電性ペーストは、これらの金属粒子にバインダ成分を混合したペーストからなる。   The vias 23 and 34 are made of conductive paste filled in the via holes 3 and 4, respectively. The conductive paste contains at least one kind of low electrical resistance metal particles and at least one kind of low melting point metal particles. The conductive paste is made of a paste obtained by mixing a binder component with these metal particles.

このように構成された導電性ペーストは、例えば硬化温度が約150℃〜200℃で、硬化後の融点が約260℃以上となる金属焼結型の特性を備えている。このため、例えば含有された低融点の金属粒子が200℃以下で溶融し合金を形成することができ、特に銅や銀等とは金属間化合物を形成し得る特性を備えている。従って、ビア23,34と配線12,32との接続部は、一括積層の熱圧着時に金属間化合物により合金化される。   The conductive paste thus configured has, for example, a metal sintered type characteristic in which the curing temperature is about 150 ° C. to 200 ° C. and the melting point after curing is about 260 ° C. or more. For this reason, for example, the contained low melting point metal particles can be melted at 200 ° C. or lower to form an alloy, and in particular, have characteristics that can form an intermetallic compound with copper, silver, or the like. Accordingly, the connection portions between the vias 23 and 34 and the wirings 12 and 32 are alloyed by an intermetallic compound at the time of batch lamination.

なお、導電性ペーストは、例えば粒子径がナノレベルのフィラーが、上記のようなバインダ成分に混合されたナノペーストで構成することもできる。その他、導電性ペーストは、上記金属粒子が、上記のようなバインダ成分に混合されたペーストで構成し得る。   Note that the conductive paste can also be composed of, for example, a nanopaste in which a filler having a nanometer particle size is mixed with the binder component as described above. In addition, the conductive paste can be composed of a paste in which the metal particles are mixed with the binder component as described above.

この場合、導電性ペーストは、金属粒子同士が接触することで電気的接続が行われる特性となる。なお、導電性ペーストのビアホール3,4内への充填方法としては、例えば印刷工法、スピン塗布工法、スプレー塗布工法、ディスペンス工法、ラミネート工法、及びこれらを併用した工法等を用い得る。ビア13は、上述したように樹脂基材11の両面に形成された配線12を層間接続するために、ビアホール2に施されためっきにより構成されている。   In this case, the conductive paste has a characteristic that electrical connection is made when the metal particles come into contact with each other. In addition, as a filling method of the conductive paste into the via holes 3 and 4, for example, a printing method, a spin coating method, a spray coating method, a dispensing method, a laminating method, and a method using these in combination can be used. As described above, the via 13 is formed by plating applied to the via hole 2 in order to connect the wirings 12 formed on both surfaces of the resin base material 11 to each other.

上述したように、第1の実施形態に係る部品内蔵基板1においては、各基板が、積層方向の下方側から上方側に向かって、第1片面基板30A、第1両面基板10A、中間基板20、第2に片面基板30B、第2両面基板10B、及び第3片面基板30Cの順に配置されている。これにより、6層構造の部品内蔵基板を形成している。   As described above, in the component-embedded substrate 1 according to the first embodiment, each substrate has the first single-sided substrate 30A, the first double-sided substrate 10A, and the intermediate substrate 20 from the lower side to the upper side in the stacking direction. Second, the single-sided board 30B, the second double-sided board 10B, and the third single-sided board 30C are arranged in this order. As a result, a component-embedded substrate having a six-layer structure is formed.

そして、第1片面基板30Aと第1両面基板10Aとは、第1片面基板30Aの接着層33により接続される。また、第1両面基板10Aと第2片面基板30Bとは、中間基板20の接着層22によりそれぞれ接続される。更に、第2両面基板10Bと第2片面基板30B及び第3片面基板30Cとは、各片面基板30B,30Cの接着層33により接続される。   The first single-sided board 30A and the first double-sided board 10A are connected by the adhesive layer 33 of the first single-sided board 30A. The first double-sided board 10 </ b> A and the second single-sided board 30 </ b> B are connected to each other by the adhesive layer 22 of the intermediate board 20. Furthermore, the second double-sided substrate 10B, the second single-sided substrate 30B, and the third single-sided substrate 30C are connected by the adhesive layer 33 of each single-sided substrate 30B, 30C.

最上層の第3片面基板30Cを除く第1及び第2片面基板30A,30Bは、ビア34の一部が第1及び第2電子部品80,90の電極81,91と接続され、それぞれ配線32が樹脂基材31の積層方向の下方側に位置するように配置されている。各層間の接着層22,33は、例えばエポキシ系やアクリル系等の揮発成分が含まれた有機系接着材等により構成され得る。   In the first and second single-sided substrates 30A and 30B except for the uppermost third single-sided substrate 30C, a part of the via 34 is connected to the electrodes 81 and 91 of the first and second electronic components 80 and 90, and the wiring 32 is provided. Is arranged so as to be located on the lower side in the stacking direction of the resin base material 31. The adhesive layers 22 and 33 between the respective layers can be made of an organic adhesive material containing a volatile component such as epoxy or acrylic.

また、部品内蔵基板1は、図1(b)に示すように、例えば第1両面基板10Aの第1開口部89及び第1電子部品80の配置態様を基準とした場合、第2両面基板10Bの第2開口部99及び第2電子部品90が、この基準に対して水平方向に所定角度ずれた配置となるように形成されている。   Further, as shown in FIG. 1B, the component-embedded substrate 1 is, for example, based on the arrangement of the first opening 89 and the first electronic component 80 of the first double-sided substrate 10A as a reference. The second opening 99 and the second electronic component 90 are formed so as to be displaced by a predetermined angle in the horizontal direction with respect to the reference.

すなわち、第1の実施形態に係る部品内蔵基板1においては、まず前提として、第1及び第2電子部品80,90の部品中心軸をP1,P2とし、第1及び第2開口部89,99の開口中心軸をS1,S2とした場合、これら全ての中心軸が積層方向に重なっている。   That is, in the component-embedded substrate 1 according to the first embodiment, first, as a premise, the component central axes of the first and second electronic components 80 and 90 are P1 and P2, and the first and second openings 89 and 99 are used. When the center axis of the aperture is S1, S2, all these center axes overlap in the stacking direction.

そして、第1及び第2開口部89,99は、それぞれの開口内周面89a,99aが積層方向に沿った同一平面を形成せず且つ積層方向に重ならない状態に形成されている。また、第1及び第2電子部品80,90は、上記のように構成された第1及び第2開口部89,99内に、それぞれの外形外周面80a,90aが積層方向に沿った同一平面を形成せず且つ積層方向に重ならない状態で収容されている。   The first and second openings 89 and 99 are formed such that the inner peripheral surfaces 89a and 99a thereof do not form the same plane along the stacking direction and do not overlap in the stacking direction. The first and second electronic components 80 and 90 have the same outer peripheral surfaces 80a and 90a in the first and second openings 89 and 99 configured as described above, along the stacking direction. Are not formed and do not overlap in the stacking direction.

具体的には、第2開口部99は、第1開口部89の開口中心軸S1と直交する平面内で所定角度回転移動した状態に形成されている。また、第2電子部品90は、第1電子部品80の部品中心軸P1と直交する平面内で、第2開口部99と同様に所定角度回転移動した状態で第2開口部99内に収容されている。   Specifically, the second opening 99 is formed in a state where it is rotated by a predetermined angle within a plane orthogonal to the opening center axis S1 of the first opening 89. Further, the second electronic component 90 is accommodated in the second opening 99 while being rotated by a predetermined angle in the same manner as the second opening 99 in a plane orthogonal to the component central axis P1 of the first electronic component 80. ing.

このように構成された第1の実施形態に係る部品内蔵基板1においては、第1電子部品80の外形外周面80aと第1開口部89の開口内周面89aとの間の第1間隙89sと、第2電子部品90の外形外周面90aと第2開口部99の開口内周面99aとの間の第2間隙99sとが、上面視で見て一部を除いて積層方向にほぼ重ならない状態となるように基板全体が形成されている。   In the component built-in substrate 1 according to the first embodiment configured as described above, the first gap 89 s between the outer peripheral outer surface 80 a of the first electronic component 80 and the inner peripheral surface 89 a of the first opening 89. And the second gap 99s between the outer peripheral surface 90a of the second electronic component 90 and the inner peripheral surface 99a of the second opening 99 substantially overlaps in the stacking direction except for a part when viewed from above. The entire substrate is formed so that it does not become a state.

このため、異なる層に形成された各間隙89s,99sの積層方向に重なる部分の合計体積を、異なる層の開口部及び電子部品が積層方向においてほぼ同じ位置に設けられている場合と比較して、一部を除いて第1及び第2電子部品80,90の周囲に亘って小さくすることができる。   For this reason, the total volume of the overlapping portions of the gaps 89s and 99s formed in the different layers in the stacking direction is compared with the case where the openings of the different layers and the electronic components are provided at substantially the same position in the stacking direction. The first and second electronic components 80 and 90 can be reduced around the first and second electronic parts except for a part.

すなわち、本発明においては、間隙89s,99sが積層方向にどのような位置関係で配置されているかによって、プレスキュア時にこれら間隙89s,99s内に流動して流れ込む接着層22,33を構成する接着材の流動量について、第1及び第2電子部品80,90の周囲において変化を生じさせることができる点に着目している。   That is, in the present invention, depending on the positional relationship between the gaps 89s and 99s in the stacking direction, the adhesive layers 22 and 33 that flow into the gaps 89s and 99s and flow into the gaps 89c during press cure are formed. Attention is paid to the fact that the flow amount of the material can change around the first and second electronic components 80 and 90.

そして、この流動量を一部を除いてできるだけ抑える、すなわち第1及び第2電子部品80,90のほぼ全周に亘って間隙89s,99sの積層方向に重なる部分の合計体積を小さくさせることで、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板と同等の表面形状のコプラナリティを確保している。   The flow amount is suppressed as much as possible except for a part, that is, by reducing the total volume of the portions of the gaps 89s and 99s that overlap in the stacking direction over almost the entire circumference of the first and second electronic components 80 and 90. The coplanarity of the same surface shape as that of the component-embedded substrate in which the electronic component is embedded in only a single layer is ensured.

具体的には、図1(a)及び図2に示すように、一括積層時に、例えば積層方向の下方側から上方側に向かって図中白抜き矢印で示す所定の押圧力F1で、また積層方向の上方側から下方側に向かって図中白抜き矢印で示す所定の押圧力F2で熱圧着を施す。なお、例えば押圧力F1は押圧力F2より僅かに弱いとする。   Specifically, as shown in FIGS. 1A and 2, at the time of batch stacking, for example, with a predetermined pressing force F1 indicated by a white arrow in the drawing from the lower side to the upper side in the stacking direction, From the upper side of the direction to the lower side, thermocompression bonding is performed with a predetermined pressing force F2 indicated by a white arrow in the figure. For example, it is assumed that the pressing force F1 is slightly weaker than the pressing force F2.

このような条件で熱圧着を施すと、図2に示すように、間隙89s,99sの積層方向に重なる部分の合計体積が最も大きくなる箇所においては、図中矢印flarge1で示す間隙89s内に流れ込む第1片面基板30Aの接着層33の流動量flarge1と、図中矢印flarge2で示す間隙99s内に流れ込む第3片面基板30Cの接着層33の流動量flarge2は、第1及び第2電子部品80,90の周囲において最も大きなものとなる。 When thermocompression bonding is performed under such conditions, as shown in FIG. 2, in the portion where the total volume of the portions of the gaps 89s and 99s overlapping in the stacking direction becomes the largest, the gap 89s indicated by the arrow f large 1 in the drawing The flow amount f large 1 of the adhesive layer 33 of the first single-sided substrate 30A flowing into the first flow rate and the flow amount f large 2 of the adhesive layer 33 of the third single-sided substrate 30C flowing into the gap 99s indicated by the arrow f large 2 in the figure are: It becomes the largest around the first and second electronic components 80 and 90.

すなわち、第1片面基板30Aの接着層33は、間隙89s内に流動量flarge1で流れ込み、これに伴って間隙89sと積層方向に重なる箇所の第1片面基板30Aの樹脂基材31が積層方向の上方側に向かって凸状に深く凹む。また、第3片面基板30Cの接着層33は、間隙99s内に流動量flarge2で流れ込み、これに伴って間隙99sと積層方向に重なる箇所の第3片面基板30Cの樹脂基材31が積層方向の下方側に向かって凸状に第1片面基板30Aの樹脂基材31よりもより深く凹む。 That is, the adhesive layer 33 of the first single-sided board 30A flows into the fluidized amount f large 1 in the gap 89s, a resin substrate 31 of the first single-sided board 30A locations overlapping the stacking direction gap 89s along with this laminated It dents deeply in a convex shape toward the upper side of the direction. The adhesive layer 33 of the third single-sided board 30C flows into the fluidized amount f large 2 in the gap 99s, a resin substrate 31 of the third single-sided board 30C locations overlapping the stacking direction gap 99s along with this laminated It dents deeper than the resin base material 31 of the first single-sided substrate 30A in a convex shape toward the lower side of the direction.

なお、上記のように押圧力F1が押圧力F2よりも僅かに弱いので、間隙99sと積層方向に重なる箇所の第2片面基板30Bの樹脂基材31と、間隙89sと積層方向に重なる箇所の中間基板20の樹脂基材21は、それぞれ積層方向の下方側へ向かって凸状に僅かに変形する。   Since the pressing force F1 is slightly weaker than the pressing force F2 as described above, the resin base material 31 of the second single-sided substrate 30B that overlaps the gap 99s in the stacking direction and the portion that overlaps the gap 89s in the stacking direction. The resin base material 21 of the intermediate substrate 20 is slightly deformed in a convex shape toward the lower side in the stacking direction.

一方、図1(a)に示すように、間隙89s,99sの積層方向に重なる部分の合計体積が、図2に示すものよりも小さくなる箇所においては、図中矢印fsmall1で示す間隙89s内に流れ込む第1片面基板30Aの接着層33の流動量fsmall1と、図中矢印fsmall2で示す間隙99s内に流れ込む第3片面基板30Cの接着層33の流動量fsmall2は、上記流動量flarge1,flarge2と比べて小さなものとなる。 On the other hand, as shown in FIG. 1 (a), the gap 89s indicated by the arrow f small 1 in the figure is a portion where the total volume of the portions of the gaps 89s and 99s overlapping in the stacking direction is smaller than that shown in FIG. a flow amount f small 1 adhesive layer 33 of the first single-sided board 30A which flows into the inside, the flow amount f small 2 of the adhesive layer 33 of the third single-sided board 30C flow into the gap 99s shown by arrow f small 2 is It becomes smaller than the flow amount f large 1, f large 2.

すなわち、第1片面基板30Aの接着層33は、間隙89s内に流動量fsmall1で流れ込み、これに伴って間隙89sと積層方向に重なる箇所の第1片面基板30Aの樹脂基材31が積層方向の上方側に向かって凸状に僅かに凹む。また、第3片面基板30Cの接着層33は、間隙99s内に流動量fsmall2で流れ込み、これに伴って間隙99sと積層方向に重なる箇所の第3片面基板30Cの樹脂基材31が積層方向の下方側に向かって凸状に第1片面基板30Aの樹脂基材31よりも僅かに多く凹む。 That is, the adhesive layer 33 of the first single-sided substrate 30A flows into the gap 89s with a flow rate f small 1 and the resin base material 31 of the first single-sided board 30A at the location overlapping with the gap 89s in the stacking direction is laminated. Slightly concave in a convex shape toward the upper side of the direction. Further, the adhesive layer 33 of the third single-sided substrate 30C flows into the gap 99s with a flow amount f small 2 and accordingly, the resin base material 31 of the third single-sided board 30C at the location overlapping the gap 99s in the laminating direction is laminated. It is recessed slightly more than the resin base material 31 of the first single-sided substrate 30A in a convex shape toward the lower side in the direction.

なお、間隙99sと積層方向に重なる箇所の第2片面基板30Bの樹脂基材31と、間隙89sと積層方向に重なる箇所の中間基板20の樹脂基材21は、上記のように押圧力F1僅かに押圧力F2よりも弱いので、それぞれ積層方向の下方側へ向かって凸状に極僅かに変形する。   The resin base material 31 of the second single-sided substrate 30B that overlaps the gap 99s in the stacking direction and the resin base material 21 of the intermediate substrate 20 that overlaps the gap 89s and the stacking direction have a slight pressing force F1 as described above. Therefore, it is slightly deformed in a convex shape toward the lower side in the stacking direction.

そして、このような第1片面基板30Aの樹脂基材31の凹み具合と第3片面基板30Cの樹脂基材31の凹み具合が、それぞれ表面形状のコプラナリティに影響を与える要因となり得る。第1の実施形態の部品内蔵基板1においては、第1及び第2電子部品80,90の周囲において、最大の流動量flarge1,flarge2となる箇所が一部であり、流動量fsmall1,fsmall2となる箇所、及びこれら流動量fsmall1,fsmall2と僅かに差がある程度の量となる箇所が大部分を占めることとなる。 The dent of the resin base 31 of the first single-sided board 30A and the dent of the resin base 31 of the third single-sided board 30C can be factors that affect the coplanarity of the surface shape. In the component-embedded substrate 1 of the first embodiment, there are some portions where the maximum flow amount f large 1, f large 2 is around the first and second electronic components 80 and 90, and the flow amount f Most of the locations are small 1, f small 2 and locations where the amount of flow is slightly different from the flow amounts f small 1, f small 2.

なお、上記と同様に押圧力F1,F2で熱圧着を施した場合において、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板の開口部と電子部品との間の間隙への接着層の流動量を、例えば最も少ない流動量fvsmall1+fvsmall2とすると、上記流動量fsmall1+fsmall2はこれよりも僅かに多い程度である。 In addition, when thermocompression bonding is performed with the pressing forces F1 and F2 in the same manner as described above, the flow amount of the adhesive layer to the gap between the opening of the component-embedded substrate in which the electronic component is embedded only in the single layer and the electronic component Is the smallest flow amount f vsmall 1 + f vsmall 2, the flow amount f small 1 + f small 2 is slightly higher than this.

従って、異なる層に内蔵された第1及び第2電子部品80,90の周囲の間隙89s,99sにおける表層側の表面形状の凹みによる変形を、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板とほぼ同等となる程度にすることができるので、多層構造の部品内蔵基板のコプラナリティをよくすることが可能となる。   Therefore, the deformation due to the depression of the surface shape on the surface layer side in the gaps 89 s and 99 s around the first and second electronic components 80 and 90 embedded in different layers, and the component-embedded substrate in which the electronic components are embedded only in a single layer Since the levels can be made substantially equal, it is possible to improve the coplanarity of the multilayered component-embedded substrate.

また、各基板の製造工程や一括積層工程は、従来の部品内蔵基板と同様の工程で実現することができるので、第1の実施形態に係る部品内蔵基板1によれば、製造工程を簡素化しつつ全体の薄型化を図ると共に表面形状のコプラナリティをよくすることが可能となる。そして、表面形状のコプラナリティをよくできれば、部品内蔵基板1の表面に部品実装を行う際の実装不良の発生を抑えることができるので、表面実装不良を防止することが可能となる。   In addition, since the manufacturing process and batch lamination process of each substrate can be realized by the same process as the conventional component built-in substrate, the component built-in substrate 1 according to the first embodiment simplifies the manufacturing process. In addition, the overall thickness can be reduced and the coplanarity of the surface shape can be improved. If the coplanarity of the surface shape can be improved, it is possible to suppress the occurrence of mounting defects when components are mounted on the surface of the component-embedded substrate 1, so that surface mounting defects can be prevented.

次に、第1の実施形態に係る部品内蔵基板1の製造方法について説明する。なお、図3以降の図面を含む以降の説明において、上述した構成と同一の構成要素に関しては同一の参照符号を付しているので、以下では重複する説明は省略する。   Next, a manufacturing method of the component built-in substrate 1 according to the first embodiment will be described. In the following description including the drawings from FIG. 3 onward, the same reference numerals are assigned to the same components as those described above, and therefore, redundant description is omitted below.

図3、図4、図5及び図6は、部品内蔵基板1の製造工程を示すフローチャートである。また、図7、図8、図9、図10及び図11は、部品内蔵基板1を製造工程毎に示す断面図である。まず、図3及び図7を参照しながら第1片面基板30Aの製造工程について説明する。なお、図3のフローチャートについては特に明記しなくても適宜参照するものとする。   3, 4, 5, and 6 are flowcharts showing manufacturing steps of the component built-in substrate 1. FIGS. 7, 8, 9, 10, and 11 are cross-sectional views showing the component-embedded substrate 1 for each manufacturing process. First, the manufacturing process of the first single-sided substrate 30A will be described with reference to FIGS. It should be noted that the flowchart of FIG.

まず、図3に示すように、片面CCL(片面銅張積層板)に配線32を形成する(ステップS100)。このステップS100では、例えば樹脂基材31の一方の面にベタ状態の銅箔等からなる導体層が形成された片面CCLを用意する。そして、この片面CCLの導体上に、例えばフォトリソグラフィによりエッチングレジストを形成した後にエッチングを行って、図7(a)に示すように、配線32をパターン形成する。   First, as shown in FIG. 3, the wiring 32 is formed on a single-sided CCL (single-sided copper-clad laminate) (step S100). In this step S100, for example, a single-sided CCL in which a conductor layer made of a solid copper foil or the like is formed on one surface of the resin base 31 is prepared. Then, an etching resist is formed on the one-sided CCL conductor by, for example, photolithography, and then etching is performed to form a wiring 32 as shown in FIG. 7A.

なお、配線32は、例えばセミアディティブ法により形成されてもよい。セミアディティブ法による配線32の形成は、例えば樹脂基材31に蒸着やスパッタリング等により導体薄膜を形成後、フォトリソグラフィ等によりめっきレジストを形成する。その後に電解めっきを行い、めっきレジストを剥離後にエッチングにより先に形成した導体薄膜を除去することで行われる。   The wiring 32 may be formed by, for example, a semi-additive method. For forming the wiring 32 by the semi-additive method, for example, a conductive thin film is formed on the resin base material 31 by vapor deposition or sputtering, and then a plating resist is formed by photolithography or the like. Thereafter, electrolytic plating is performed, and after removing the plating resist, the conductive thin film previously formed by etching is removed.

なお、このステップS100にて用いられ得る片面CCLは、例えば厚さ12μm程度の銅箔からなる導体層に、厚さ25μm程度の樹脂基材31を貼り合わせた構造からなるものが挙げられる。この片面CCLとしては、例えば公知のキャスティング法により、銅箔にポリイミドのワニスを塗布してそのワニスを硬化させて作製されたものを用い得る。   The single-sided CCL that can be used in step S100 includes a structure in which a resin base material 31 having a thickness of about 25 μm is bonded to a conductor layer made of a copper foil having a thickness of about 12 μm, for example. As this single-sided CCL, what was produced by apply | coating a polyimide varnish to copper foil and hardening the varnish by the well-known casting method, for example can be used.

その他、片面CCLとしては、ポリイミドフィルム上にシード層をスパッタリングにより形成し、めっきにより銅を成長させて導体層を形成したものや、圧延或いは電解銅箔とポリイミドフィルムとを接着材により貼り合わせて作成されたもの等も用い得る。なお、樹脂基材31の材料は、ポリイミドに限定されるものではなく、上記のように液晶ポリマー等のプラスチックも用い得る。また、上記エッチングには塩化第二鉄や塩化第二銅等を主成分とするエッチャントを用い得る。   In addition, as single-sided CCL, a seed layer is formed on a polyimide film by sputtering and copper is grown by plating to form a conductor layer, or rolled or electrolytic copper foil and polyimide film are bonded together with an adhesive. The created one can also be used. In addition, the material of the resin base material 31 is not limited to a polyimide, As mentioned above, plastics, such as a liquid crystal polymer, can also be used. Further, an etchant mainly composed of ferric chloride or cupric chloride can be used for the etching.

次に、接着材を貼り付けて、接着層33を形成する(ステップS102)。このステップS102では、例えば樹脂基材31の配線32側と反対側の他方の面に、ラミネート等により接着材を貼り付ける。このステップS102にて貼り付けられ得る接着材としては、例えば厚さ25μm程度のエポキシ系熱硬化性フィルムが挙げられる。そして、貼り付けに際しては、例えば真空ラミネータを用い、減圧下の雰囲気中にて接着材が硬化しない温度で0.3MPaの圧力により加熱プレスを行って、接着材を樹脂基材31に貼り合わせることが挙げられる。   Next, an adhesive is affixed to form the adhesive layer 33 (step S102). In this step S102, for example, an adhesive is attached to the other surface of the resin base 31 opposite to the wiring 32 side by lamination or the like. Examples of the adhesive that can be attached in step S102 include an epoxy thermosetting film having a thickness of about 25 μm. Then, when pasting, for example, using a vacuum laminator, the adhesive is bonded to the resin substrate 31 by performing a heat press at a pressure of 0.3 MPa at a temperature at which the adhesive is not cured in an atmosphere under reduced pressure. Is mentioned.

なお、接着層33や中間基板の接着層22に用いられ得る接着材は、エポキシ系の熱硬化性樹脂に限定されるものではなく、アクリル系の接着材や熱可塑性ポリイミド等に代表される熱可塑性接着材も用い得る。また、接着材はフィルム状に限定されず、ワニス状の樹脂を塗布したものも用い得る。   The adhesive that can be used for the adhesive layer 33 and the adhesive layer 22 of the intermediate substrate is not limited to the epoxy thermosetting resin, but is a heat represented by an acrylic adhesive or thermoplastic polyimide. Plastic adhesives can also be used. Further, the adhesive is not limited to a film shape, and an adhesive applied with a varnish-like resin can also be used.

接着層33を形成したら、ビアホール4を形成する(ステップS104)。このステップS104では、例えば接着層33側から配線32に向かって、UV−YAGレーザ装置を用いてレーザ光を所定箇所に照射する。これにより、図7(b)に示すように、接着層33及び樹脂基材31を貫通するビアホール4が所定箇所に形成される。なお、ビアホール4内には、形成後に例えばプラズマデスミア処理が施され得る。   After forming the adhesive layer 33, the via hole 4 is formed (step S104). In this step S104, a laser beam is irradiated to a predetermined location using a UV-YAG laser device from the adhesive layer 33 side toward the wiring 32, for example. Thereby, as shown in FIG.7 (b), the via hole 4 which penetrates the contact bonding layer 33 and the resin base material 31 is formed in a predetermined location. The via hole 4 may be subjected to, for example, a plasma desmear process after the formation.

ビアホール4は、その他、炭酸ガスレーザ(COレーザ)やエキシマレーザ等、或いはドリル加工や化学的なエッチング等により形成され得る。また、デスミア処理は、CF及びO(四フッ化メタン+酸素)の混合ガスにより行い得るが、Ar(アルゴン)等のその他の不活性ガスも用い得る。また、デスミア処理は、いわゆるドライ処理ではなく、薬液を用いたウェットデスミア処理としてもよい。 In addition, the via hole 4 can be formed by a carbon dioxide laser (CO 2 laser), an excimer laser, or the like, drilling, chemical etching, or the like. The desmear treatment can be performed with a mixed gas of CF 4 and O 2 (tetrafluoromethane + oxygen), but other inert gases such as Ar (argon) can also be used. Further, the desmear process may be a wet desmear process using a chemical solution instead of a so-called dry process.

ビアホール4を形成したら、導電性ペーストを充填して、図7(c)に示すように、ビア34を形成する(ステップS106)。このステップS106では、ビアホール4内に、例えばスクリーン印刷等により上述したような導電性ペーストを充填する。ここまでの工程で、配線、ビア及び接着層を有する片面基板を複数製造することが可能である。   After the via hole 4 is formed, the conductive paste is filled to form the via 34 as shown in FIG. 7C (step S106). In step S106, the via hole 4 is filled with the conductive paste as described above, for example, by screen printing. Through the steps so far, it is possible to manufacture a plurality of single-sided substrates having wirings, vias, and adhesive layers.

最後に、第1電子部品を搭載する(ステップS108)。このステップS108では、例えば公知の半導体製造工程にて別途製造した第1電子部品80の再配線電極81を、図7(d)に示すように片面基板の所定のビア34に、例えば図示しない電子部品用実装機を用いて位置合わせする。そして、接着層33の接着材及びビア34の導電性ペーストの硬化温度以下の温度で加熱することで、図7(d)中矢印で示すように第1電子部品80を仮留め接着して搭載する。   Finally, the first electronic component is mounted (step S108). In this step S108, for example, the rewiring electrode 81 of the first electronic component 80 manufactured separately in a known semiconductor manufacturing process is placed in a predetermined via 34 of the single-sided substrate as shown in FIG. Align using the component mounting machine. Then, by heating at a temperature lower than the curing temperature of the adhesive of the adhesive layer 33 and the conductive paste of the via 34, the first electronic component 80 is temporarily bonded and mounted as shown by the arrows in FIG. To do.

このようにして、第1片面基板30Aを製造する。なお、第2片面基板30Bについても上記と同様の工程で製造し得る。ただし、第1の実施形態の部品内蔵基板1においては、第1電子部品80と第2電子部品90は、部品中心軸P1,P2を積層方向に重ねつつも、例えば第2電子部品90が部品中心軸P2と直交する平面内で第1電子部品80に対して回転移動した状態で内蔵されている。   In this way, the first single-sided substrate 30A is manufactured. The second single-sided substrate 30B can also be manufactured by the same process as described above. However, in the component-embedded substrate 1 of the first embodiment, the first electronic component 80 and the second electronic component 90 have the component central axes P1 and P2 stacked in the stacking direction. It is built in a state of rotating with respect to the first electronic component 80 in a plane orthogonal to the central axis P2.

このため、上述した電子部品用実装機を用いた位置合わせ及び仮留め接着においては、第1片面基板30Aと第2片面基板30Bとの製造工程において、後述する第1両面基板10A及び第2両面基板10Bの第1開口部89及び第2開口部99の形成態様に合わせて、各電子部品80,90の位置合わせ及び仮留め接着による配置態様が異なることとなる。なお、このような位置合わせや仮留め接着、或いは開口部の形成に関しては、異なる製造ラインにおけるオートメーションや、これらのオートメーションを経た部品を組み上げる製造ロボットなどにより容易に行うことができるため、技術的に何ら問題はない。   For this reason, in the alignment and temporary bonding using the electronic component mounting machine described above, in the manufacturing process of the first single-sided board 30A and the second single-sided board 30B, the first double-sided board 10A and the second double-sided board described later. According to the formation mode of the first opening 89 and the second opening 99 of the substrate 10B, the arrangement mode of the electronic components 80 and 90 by the alignment and temporary fixing is different. It should be noted that such positioning, temporary bonding, or opening formation can be easily performed by automation in different production lines or a manufacturing robot that assembles parts that have undergone these automations. There is no problem.

また、第3片面基板30Cについても、上記と同様に製造し得る。すなわち、図8(a)に示すように樹脂基材31の一方の面側に配線32を形成し、図8(b)に示すように、樹脂基材31の他方の面側に接着層33を形成する。そして、図8(c)に示すように、所定箇所にビアホール4を形成して、図8(d)に示すように、ビアホール4内に導電性ペーストを充填してビア34を形成する。これにより、第3片面基板30Cを製造する。このように、第1〜第3片面基板30A〜30Cを製造して準備しておく。   Further, the third single-sided substrate 30C can be manufactured in the same manner as described above. That is, the wiring 32 is formed on one surface side of the resin substrate 31 as shown in FIG. 8A, and the adhesive layer 33 is formed on the other surface side of the resin substrate 31 as shown in FIG. Form. Then, as shown in FIG. 8C, a via hole 4 is formed at a predetermined location, and as shown in FIG. 8D, a conductive paste is filled in the via hole 4 to form a via 34. Thereby, the third single-sided substrate 30C is manufactured. Thus, the 1st-3rd single-sided board | substrates 30A-30C are manufactured and prepared.

次に、図4及び図9を参照しながら第1両面基板10Aの製造工程について説明する。なお、図4のフローチャートについても特に明記しなくても適宜参照するものとする。   Next, the manufacturing process of the first double-sided substrate 10A will be described with reference to FIGS. Note that the flowchart of FIG. 4 is also referred to as appropriate even if not particularly specified.

まず、図4に示すように、樹脂基材11の両面に導体層が形成された両面CCL(両面銅張積層板)を準備し(ステップS200)、上述したようなレーザ等により所定箇所にビアホール2を形成して(ステップS202)、例えばプラズマデスミア処理を行う。そして、樹脂基材11の全面にパネルめっき処理を施して(ステップS204)、導体層上及びビアホール2内にめっき層を形成し、配線12及びビア13の原型を形成する。   First, as shown in FIG. 4, a double-sided CCL (double-sided copper-clad laminate) in which a conductor layer is formed on both sides of a resin substrate 11 is prepared (step S200), and a via hole is formed at a predetermined location by a laser as described above. 2 is formed (step S202), and for example, a plasma desmear process is performed. Then, panel plating is performed on the entire surface of the resin base material 11 (step S204), a plating layer is formed on the conductor layer and in the via hole 2, and a prototype of the wiring 12 and the via 13 is formed.

次に、図9(a)に示すように、配線12やビア13等をパターン形成する(ステップS206)。このステップS206では、例えば樹脂基材11の両面にエッチング等を施してパターン形成が行われる。最後に、図9(b)に示すように、第1開口部89を形成する(ステップS208)。   Next, as shown in FIG. 9A, the wiring 12, the via 13, and the like are pattern-formed (step S206). In this step S206, for example, etching is performed on both surfaces of the resin base material 11 to perform pattern formation. Finally, as shown in FIG. 9B, the first opening 89 is formed (step S208).

このステップS208では、例えば第1電子部品80が収容される部分と間隙89sとなる部分とを合わせた分の樹脂基材11を上記のようなUV−YAGレーザ装置等を用いてレーザ光の照射により除去し、所定の開口寸法の第1開口部89を形成する。このようにして、第1両面基板10Aを製造する。なお、第2両面基板10Bについても上記と同様の工程で製造し得る。   In this step S208, for example, the resin base material 11 corresponding to the portion where the first electronic component 80 is accommodated and the portion serving as the gap 89s is irradiated with laser light using the UV-YAG laser device as described above. To form a first opening 89 having a predetermined opening size. In this way, the first double-sided substrate 10A is manufactured. The second double-sided substrate 10B can also be manufactured by the same process as described above.

ただし、図1(b)に示すように、第1の実施形態の部品内蔵基板1においては、第1開口部89と第2開口部99は、開口中心軸S1,S2を積層方向に重ねつつも、例えば第2開口部99が開口中心軸S2と直交する平面内で第1開口部89に対して回転移動した状態に形成されている。   However, as shown in FIG. 1B, in the component-embedded substrate 1 of the first embodiment, the first opening 89 and the second opening 99 overlap the opening center axes S1 and S2 in the stacking direction. Also, for example, the second opening 99 is formed in a state of being rotationally moved with respect to the first opening 89 in a plane orthogonal to the opening center axis S2.

このため、上述したレーザ装置を用いた開口部の形成においては、第1両面基板10Aと第2両面基板10Bとの製造工程において、各開口部89,99の形成態様が異なることとなる。このように、第1及び第2開口部89,99が形成された第1及び第2両面基板10A,10Bを製造して準備しておく。   For this reason, in the formation of the opening using the laser device described above, the formation of the openings 89 and 99 is different in the manufacturing process of the first double-sided substrate 10A and the second double-sided substrate 10B. In this way, the first and second double-sided substrates 10A and 10B in which the first and second openings 89 and 99 are formed are manufactured and prepared.

次に、図5及び図10を参照しながら中間基板20の製造工程について説明する。なお、図5のフローチャートについても特に明記しなくても適宜参照するものとする。   Next, the manufacturing process of the intermediate substrate 20 will be described with reference to FIGS. It should be noted that the flowchart of FIG.

まず、図5に示すように、接着層22を形成する(ステップS300)。このステップS300では、例えばポリイミドフィルムからなる樹脂基材21の両面側にラミネート等により接着材を貼り付けることにより、図10(a)に示すような接着層22を形成する。次に、図10(b)に示すように、ビアホール3を形成する(ステップS302)。   First, as shown in FIG. 5, the adhesive layer 22 is formed (step S300). In this step S300, for example, an adhesive layer 22 as shown in FIG. 10A is formed by sticking an adhesive material on both sides of the resin base material 21 made of a polyimide film by lamination or the like. Next, as shown in FIG. 10B, a via hole 3 is formed (step S302).

このステップS302では、上述したようなレーザ等により所定箇所の接着層22及び樹脂基材21を貫通してビアホール3を形成し、例えばプラズマデスミア処理を施す。最後に、図10(c)に示すように、ビア23を形成する(ステップS304)。このステップS304では、形成したビアホール2内に、上述したスクリーン印刷等により上記導電性ペーストを充填する。これにより、中間基板20を製造する。   In this step S302, the via hole 3 is formed by penetrating the adhesive layer 22 and the resin base material 21 at a predetermined location by the laser as described above, and for example, a plasma desmear process is performed. Finally, as shown in FIG. 10C, the via 23 is formed (step S304). In step S304, the conductive paste is filled into the formed via hole 2 by the above-described screen printing or the like. Thereby, the intermediate substrate 20 is manufactured.

次に、図6及び図11を参照しながら部品内蔵基板1の一括積層の製造工程について説明する。なお、図6のフローチャートについても特に明記しなくても適宜参照するものとする。   Next, a manufacturing process for batch stacking of the component-embedded substrate 1 will be described with reference to FIGS. Note that the flowchart of FIG. 6 is also referred to as appropriate even if not particularly specified.

上述したように、第1及び第2両面基板10A,10B、中間基板20、第1及び第2電子部品80,90がそれぞれ仮留め搭載された第1及び第2片面基板30A,30Bを作製したら、図11に示すように、積層方向の下方側から上方側に向かって第1片面基板30A、第1両面基板10A、中間基板20、第2片面基板30B、第2両面基板10B、及び第3片面基板30Cの順に各基板を位置決めし、積層する(ステップS400)。   As described above, when the first and second single-sided boards 30A and 30B on which the first and second double-sided boards 10A and 10B, the intermediate board 20, and the first and second electronic components 80 and 90 are temporarily mounted are manufactured. 11, the first single-sided board 30A, the first double-sided board 10A, the intermediate board 20, the second single-sided board 30B, the second double-sided board 10B, and the third one from the lower side to the upper side in the stacking direction. Each substrate is positioned and stacked in the order of the single-sided substrate 30C (step S400).

なお、このステップS400においては、各基板の積層時の位置決めのみが行われる。上述したように、第1開口部89及び第1電子部品80並びに第2開口部及び第2電子部品90の形成、収容位置関係は、予め第1開口部89及び第1電子部品80に対して第2開口部99及び第2電子部品90が中心軸P2,S2と直交する平面内で回転移動した状態となるよう形成、仮留め搭載されているので、このステップS400においてはこれらの煩雑な位置決めを行う必要はない。   In this step S400, only the positioning at the time of stacking each substrate is performed. As described above, the formation and accommodation positional relationship of the first opening 89 and the first electronic component 80 and the second opening and second electronic component 90 are in advance relative to the first opening 89 and the first electronic component 80. Since the second opening 99 and the second electronic component 90 are formed and temporarily mounted so as to rotate and move in a plane perpendicular to the central axes P2 and S2, in this step S400, the complicated positioning is performed. There is no need to do.

最後に、積層した各基板を1kPa以下の減圧雰囲気中に投入し、例えば真空プレス機を用いて、図中白抜き矢印で示す所定の押圧力F1,F2で示すように積層方向の下方側及び上方側から互いの方向に向かって加圧しながら加熱する。これにより、熱圧着(ステップS402)を施して一括積層する。このようにして、図1及び図2に示すような6層構造の部品内蔵基板1を製造する。   Finally, each laminated substrate is put into a reduced-pressure atmosphere of 1 kPa or less, and for example, using a vacuum press machine, as shown by predetermined pressing forces F1 and F2 indicated by white arrows in the drawing, It heats, pressing from the upper side toward each other. As a result, thermocompression bonding (step S402) is performed and the layers are stacked together. In this way, the component-embedded substrate 1 having a six-layer structure as shown in FIGS. 1 and 2 is manufactured.

一括積層時には、各層間や第1及び第2間隙89s,99s内への接着層22,33の流動及び各樹脂基材11,21,31を含めた全体の硬化と同時に、ビアホール3,4内のビア23,34の硬化及び合金化が行われる。そして、金属間化合物の合金層により、各配線12,31やビア23,34の接続部の機械的強度を高めて、接続信頼性を高めることができる。   At the time of collective lamination, the flow of the adhesive layers 22 and 33 into the respective layers and the first and second gaps 89s and 99s and the entire curing including the resin base materials 11, 21, and 31 are simultaneously performed in the via holes 3 and 4. The vias 23 and 34 are hardened and alloyed. And, by the alloy layer of the intermetallic compound, the mechanical strength of the connection portions of the wirings 12, 31 and the vias 23, 34 can be increased, and the connection reliability can be increased.

また、接着層22,33の各間隙89s,99sへの流れ込みは、第1及び第2電子部品80,90のそれぞれの周囲に亘って、各間隙89s,99sにおいて積層方向に重なる部分の合計体積を、単一層のみに電子部品を内蔵した場合の同一部分における間隙の体積とほぼ同じにしているので、ほぼ変わらぬ流動量とすることができる。   Further, the flow of the adhesive layers 22 and 33 into the gaps 89 s and 99 s is the total volume of the portions of the gaps 89 s and 99 s that overlap each other in the stacking direction around the first and second electronic components 80 and 90. Is substantially the same as the volume of the gap in the same portion when the electronic component is built in only a single layer, so that the flow amount can be made almost unchanged.

このため、基板の表面形状の変形を、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板とほぼ同等とすることができ、所望とされるコプラナリティを確保することが可能となる。従って、表面実装における実装不良の発生を抑え、表面実装不良を防止することが可能となる。   For this reason, the deformation of the surface shape of the substrate can be made substantially equivalent to that of the component-embedded substrate in which the electronic component is embedded only in a single layer, and the desired coplanarity can be ensured. Accordingly, it is possible to suppress the occurrence of mounting defects in surface mounting and prevent surface mounting defects.

[第1の実施形態の変形例]
図12は、部品内蔵基板1の第1変形例を示す断面図、図13は部品内蔵基板1の第2変形例を示す断面図である。これら図12及び図13は、図1(a)に示す断面箇所と同様の断面箇所を示している。従って、図2に示す断面と断面箇所が異なるため、これら図12及び図13においては、第2電子部品90の電極91及び第2片面基板30Bのビア34の一部は、形成位置や配置位置を簡略化した仮想線にて図示している。
[Modification of First Embodiment]
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a first modification of the component built-in substrate 1, and FIG. 13 is a cross-sectional view showing a second modification of the component built-in substrate 1. These FIG.12 and FIG.13 has shown the cross-sectional location similar to the cross-sectional location shown to Fig.1 (a). 2 is different from the cross section shown in FIG. 2, in FIG. 12 and FIG. 13, the electrode 91 of the second electronic component 90 and a part of the via 34 of the second single-sided board 30 </ b> B are formed and arranged. Is shown by a simplified virtual line.

図12に示すように、第1の変形例の部品内蔵基板1は、一括積層による熱圧着時の押圧力が、例えば積層方向の上方側から下方側に向かって図中白抜き矢印で示す所定の押圧力F2のみであり、第1片面基板30A側を平坦にするものである。また、図13に示すように、第2変形例の部品内蔵基板1は、一括積層による熱圧着時の押圧力が、例えば積層方向の下方側から上方側に向かって図中白抜き矢印で示す所定の押圧力F1のみであり、第3片面基板30C側を平坦にするものである。   As shown in FIG. 12, in the component built-in substrate 1 of the first modification, the pressing force at the time of thermocompression bonding by batch lamination is, for example, a predetermined arrow indicated by an outlined arrow from the upper side to the lower side in the lamination direction. Only the pressing force F2, and the first single-sided substrate 30A side is flattened. Further, as shown in FIG. 13, the component-embedded substrate 1 of the second modified example has a pressing force at the time of thermocompression bonding by batch stacking, for example, indicated by a white arrow in the drawing from the lower side to the upper side in the stacking direction. Only the predetermined pressing force F1 is used, and the third single-sided substrate 30C side is flattened.

図12に示す場合は、治具等により第1片面基板30Aの表層側を平坦に押さえた状態で、第3片面基板30Cの接着層33が、間隙99s内に流動量fmedium2で流れ込む。これに伴って、間隙99sと積層方向に重なる箇所の第3片面基板30Cの樹脂基材31が積層方向の下方側に向かって凸状に僅かに凹む。また、間隙99sと積層方向に重なる箇所の第2片面基板30Bの樹脂基材31が積層方向の下方側に向かって凸状に僅かに凹む。 In the case shown in FIG. 12, the adhesive layer 33 of the third single-sided substrate 30C flows into the gap 99s with a flow amount f medium 2 while the surface side of the first single-sided substrate 30A is pressed flat by a jig or the like. Along with this, the resin base 31 of the third single-sided board 30 </ b> C that overlaps the gap 99 s in the stacking direction is slightly recessed in a convex shape toward the lower side in the stacking direction. In addition, the resin base 31 of the second single-sided substrate 30B that overlaps the gap 99s in the stacking direction is slightly recessed in a convex shape toward the lower side in the stacking direction.

更に、間隙89sと積層方向に重なる箇所の中間基板20の樹脂基材21が積層方向の下方側に向かって凸状に極僅かに凹む。このとき、中間基板20の接着層22は、間隙89s内にあまり流れ込まないので、間隙89sと積層方向に重なる箇所の第1片面基板30Aの樹脂基材31は、積層方向の下方側に向かってほとんど凸状に変形せず、平坦性が確保される。   Furthermore, the resin base material 21 of the intermediate substrate 20 at a location overlapping the gap 89s in the stacking direction is slightly recessed in a convex shape toward the lower side in the stacking direction. At this time, since the adhesive layer 22 of the intermediate substrate 20 does not flow so much into the gap 89s, the resin base material 31 of the first single-sided board 30A at a location overlapping the gap 89s in the stacking direction is directed downward in the stacking direction. Flatness is ensured with almost no convex deformation.

反対に、図13に示す場合は、治具等により第3片面基板30Cの表層側を平坦に押さえた状態で、第1片面基板30Aの接着層33が、間隙89s内に流動量fmedium1で流れ込む。これに伴って、間隙89sと積層方向に重なる箇所の第1片面基板30Aの樹脂基材31が積層方向の上方側に向かって凸状に僅かに凹む。また、間隙99sと積層方向に重なる箇所の中間基板20の樹脂基材21が積層方向の上方側に向かって凸状に僅かに凹む。 Conversely, in the case shown in FIG. 13, in a state where the flat pressing surface layer side of the third single-sided board 30C by a jig or the like, the adhesive layer 33 of the first single-sided board 30A is flow quantity f medium 1 into the gap 89s It flows in. Along with this, the resin base material 31 of the first single-sided substrate 30A at a location overlapping the gap 89s in the stacking direction is slightly recessed in a convex shape toward the upper side in the stacking direction. Further, the resin base material 21 of the intermediate substrate 20 at a location overlapping with the gap 99s in the stacking direction is slightly recessed in a convex shape toward the upper side in the stacking direction.

更に、間隙99sと積層方向に重なる箇所の第2片面基板30Bの樹脂基材21が積層方向の上方側に向かって凸状に極僅かに凹む。このとき、第2片面基板30Bの接着層33は、間隙99s内にあまり流れ込まないので、間隙99sと積層方向に重なる箇所の第3片面基板30Cの樹脂基材31は、積層方向の上方側に向かってほとんど凸状に変形せず、上記と同様に平坦性が確保される。   Further, the resin base material 21 of the second single-sided substrate 30B that overlaps the gap 99s in the stacking direction is slightly recessed in a convex shape toward the upper side in the stacking direction. At this time, the adhesive layer 33 of the second single-sided substrate 30B does not flow so much into the gap 99s, so the resin base 31 of the third single-sided substrate 30C that overlaps the gap 99s in the laminating direction is on the upper side in the laminating direction. The flatness is ensured in the same manner as described above.

なお、流動量fmedium1,fmedium2は、それぞれ流動量fsmall1,fsmall2よりも僅かに多く流動量flarge1,flarge2よりも少ない量である。また、以降においては、流動量fsmall1,fmedium1を総称して流動量f1とし、流動量fsmall2,fmedium2を総称して流動量f2とする。 The flow amounts f medium 1 and f medium 2 are slightly larger than the flow amounts f small 1 and f small 2 and smaller than the flow amounts f large 1 and f large 2, respectively. In the following description , the flow amount f small 1 and f medium 1 are collectively referred to as the flow amount f 1, and the flow amount f small 2 and f medium 2 are collectively referred to as the flow amount f 2.

このような第1及び第2変形例によれば、基板の一方の表面形状をほぼ平坦にしたままで、基板の他方の表面形状の変形を、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板とほぼ同等とすることができる。これにより、所望とされるコプラナリティを確保し、表面実装における実装不良の発生を抑え、表面実装不良を防止することが可能となる。   According to the first and second modified examples, the component-embedded substrate in which the electronic component is embedded only in a single layer while the surface shape of one of the substrates is kept almost flat. Can be almost equivalent. As a result, desired coplanarity can be ensured, occurrence of mounting defects in surface mounting can be suppressed, and surface mounting defects can be prevented.

[第1の実施形態の他の変形例]
図14は、部品内蔵基板1の他の変形例を示す平面図である。
上述した第1の実施形態においては、第1及び第2電子部品80,90の部品中心軸P1,P2と第1及び第2開口部89,99の開口中心軸S1,S2が全て積層方向に重なっており、第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99が中心軸P1,S1と直交する平面内で回転移動したものとした。
[Other Modifications of First Embodiment]
FIG. 14 is a plan view showing another modification of the component built-in substrate 1.
In the first embodiment described above, the component center axes P1, P2 of the first and second electronic components 80, 90 and the opening center axes S1, S2 of the first and second openings 89, 99 are all in the stacking direction. It is assumed that the second electronic component 90 and the second opening 99 are rotated and moved in a plane perpendicular to the central axes P1 and S1 with respect to the first electronic component 80 and the first opening 89.

図14に矢印Rで示すようなこの回転移動Rは、一方に対して他方が所定の角度θの範囲内で行われることが望ましい。具体的には、間隙89s,99sが積層方向に全て重なった場合の積層方向に沿った同一平面を形成する開口内周面89a,99a(又は外形外周面80a,90a)が、上面視で見たときになす角度θとして例えば約5°〜約90°の範囲内で行われることが良い。   It is desirable that this rotational movement R as indicated by an arrow R in FIG. 14 is performed within a predetermined angle θ with respect to the other. Specifically, the opening inner peripheral surfaces 89a and 99a (or the outer peripheral outer surfaces 80a and 90a) that form the same plane along the stacking direction when the gaps 89s and 99s are all overlapped in the stacking direction are viewed from above. For example, the angle θ is preferably within a range of about 5 ° to about 90 °.

そして、回転移動Rは、より好ましくは、図示のような角度θが約45°となる回転を含む約45°〜約90°の範囲内で行われると良い。このようにしても、上述した作用効果と同様の作用効果、すなわち所望とされるコプラナリティを確保し、表面実装における実装不良の発生を抑えて、表面実装不良を防止することができる。   The rotational movement R is more preferably performed within a range of about 45 ° to about 90 ° including rotation where the angle θ is about 45 ° as shown. Even in this case, the same effect as the above-described effect, that is, the desired coplanarity can be ensured, the occurrence of the mounting failure in the surface mounting can be suppressed, and the surface mounting failure can be prevented.

[第2の実施形態]
図15は、本発明の第2の実施形態に係る部品内蔵基板1Aを示す断面及び平面図であり、図15(a)は図15(b)の平面図におけるC−C’線断面を示している。
図15(b)に示すように、第2の実施形態に係る部品内蔵基板1Aは、例えば第1開口部89に対する第2開口部99の形成態様及び第1電子部品80に対する第2電子部品90の配置態様が、次のような点で第1の実施形態と相違している。
[Second Embodiment]
FIG. 15 is a cross-sectional view and a plan view showing a component-embedded substrate 1A according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 15 (a) shows a cross-section along the line CC ′ in the plan view of FIG. 15 (b). ing.
As illustrated in FIG. 15B, the component-embedded substrate 1 </ b> A according to the second embodiment includes, for example, a formation mode of the second opening 99 with respect to the first opening 89 and the second electronic component 90 with respect to the first electronic component 80. Is different from the first embodiment in the following points.

すなわち、第2の実施形態の部品内蔵基板1Aにおいては、第1開口部89の開口中心軸S1と第1電子部品80の部品中心軸P1とが積層方向に重なっており、且つ第2開口部99の開口中心軸S2と第2電子部品90の部品中心軸P2とが積層方向に重なっている。   That is, in the component-embedded substrate 1A of the second embodiment, the opening center axis S1 of the first opening 89 and the component center axis P1 of the first electronic component 80 overlap in the stacking direction, and the second opening 99 opening center axis | shafts S2 and the component center axis | shaft P2 of the 2nd electronic component 90 have overlapped in the lamination direction.

しかし、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99が中心軸P1,S1と直交する平面内で平行移動したもの、換言すれば、中心軸P1,S1と中心軸P2,S2とが積層方向に重ならないよう平行移動した状態となるように基板全体が形成されている。   However, for example, the second electronic component 90 and the second opening 99 are translated with respect to the first electronic component 80 and the first opening 89 in a plane orthogonal to the central axes P1 and S1, in other words, the center. The entire substrate is formed so that the axes P1 and S1 and the central axes P2 and S2 are translated so as not to overlap in the stacking direction.

なお、図15(a)に示すように、部品内蔵基板1Aは、第1の実施形態の部品内蔵基板1と同じく第1〜第3片面基板30A〜30C、第1及び第2両面基板10A,10B、中間基板20、並びに第1及び第2電子部品80,90を備え、これらの積層順も同様に構成されている。また、図示のものは積層方向の上下側から所定の押圧力で圧力を加えて熱圧着したものであるが、いずれか一方側から圧力を加えるようにしたものでも構成し得る。   As shown in FIG. 15A, the component-embedded substrate 1A is similar to the component-embedded substrate 1 of the first embodiment in that the first to third single-sided substrates 30A to 30C, the first and second double-sided substrates 10A, 10B, the intermediate substrate 20, and the first and second electronic components 80 and 90, and the stacking order thereof is similarly configured. Moreover, although the thing of illustration shows what applied pressure with the predetermined pressing force from the up-and-down side of the lamination direction, and thermocompression-bonded, what can apply pressure from any one side can also be comprised.

このように構成された部品内蔵基板1Aは、第1の実施形態と同様に、間隙89s,99sの大部分が積層方向に重なっていない。このため、第1及び第2電子部品80,90のほぼ全周に亘って間隙89s,99s内に流れ込む接着層33の流動量f1,f2を、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板とほぼ同等とすることができる。従って、第1の実施形態と同様の作用効果を奏することができる。   In the component-embedded substrate 1A configured in this way, as in the first embodiment, most of the gaps 89s and 99s do not overlap in the stacking direction. For this reason, the flow rate f1, f2 of the adhesive layer 33 flowing into the gaps 89s, 99s over almost the entire circumference of the first and second electronic components 80, 90 is the component-embedded substrate in which the electronic components are embedded only in a single layer. Can be almost equivalent. Therefore, the same operational effects as those of the first embodiment can be obtained.

なお、本出願人の実験によると、部品内蔵基板1Aにおいては、第1及び第2電子部品80,90を、例えば接着層33等の流動量f1,f2の流動距離をそれぞれ100μm程度とした場合、間隙89s,99sが積層方向に全て重なった場合に積層方向に沿った同一平面を形成する一組の外形外周面80a,90a間の離間距離dが、例えば100μm以上となるように平行移動した状態で配置することが好ましいことが判明した。このように配置すれば、より単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板に近いコプラナリティを得ることができたからである。   According to the experiment by the present applicant, in the component-embedded substrate 1A, when the flow distances of the flow amounts f1 and f2 of the first and second electronic components 80 and 90, for example, the adhesive layer 33 are about 100 μm, respectively. When the gaps 89s and 99s all overlap in the stacking direction, they are translated so that the distance d between the pair of outer peripheral surfaces 80a and 90a forming the same plane along the stacking direction is, for example, 100 μm or more. It has been found that it is preferable to arrange in the state. This arrangement is because a coplanarity closer to a component-embedded substrate in which electronic components are embedded in only a single layer can be obtained.

[第3の実施形態]
図16は、本発明の第3の実施形態に係る部品内蔵基板を示す断面及び平面図であり、図16(a)は図16(b)の平面図におけるD−D’線断面を示している。
図16(a)に示すように、第3の実施形態に係る部品内蔵基板1Bは、例えば第1開口部89に対する第2開口部99の形成態様及び第1電子部品80に対する第2電子部品90の配置態様が、次のような点で第1の実施形態と相違している。
[Third Embodiment]
16A and 16B are a cross-sectional view and a plan view showing a component-embedded substrate according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 16A shows a cross-section along the line DD 'in the plan view of FIG. Yes.
As illustrated in FIG. 16A, the component-embedded substrate 1 </ b> B according to the third embodiment includes, for example, a formation mode of the second opening 99 with respect to the first opening 89 and the second electronic component 90 with respect to the first electronic component 80. Is different from the first embodiment in the following points.

すなわち、第3の実施形態の部品内臓基板1Bにおいては、第1開口部89の開口中心軸S1と第1電子部品80の部品中心軸P1とが積層方向に重なっており、且つ第2開口部99の開口中心軸S2と第2電子部品90の部品中心軸P2とが積層方向に重なっている。   That is, in the component-embedded substrate 1B of the third embodiment, the opening center axis S1 of the first opening 89 and the component center axis P1 of the first electronic component 80 overlap in the stacking direction, and the second opening 99 opening center axis | shafts S2 and the component center axis | shaft P2 of the 2nd electronic component 90 have overlapped in the lamination direction.

しかし、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99が中心軸P1,S1と直交する平面内で回転移動及び平行移動したもの、換言すれば、中心軸P1,S1と中心軸P2,S2とが積層方向に重ならないよう回転及び平行移動した状態となるように基板全体が形成されている。なお、図16(a)に示すように、部品内蔵基板1Bは、第1及び第2の部品内蔵基板1,1Aと同様の各基板構成を備え、これらの積層順も同様に構成されている。   However, for example, the second electronic component 90 and the second opening 99 are rotated and translated in a plane perpendicular to the central axes P1 and S1 with respect to the first electronic component 80 and the first opening 89, in other words, For example, the entire substrate is formed such that the central axes P1 and S1 and the central axes P2 and S2 are rotated and translated so that they do not overlap in the stacking direction. As shown in FIG. 16A, the component built-in substrate 1B has the same substrate configuration as the first and second component built-in substrates 1 and 1A, and the stacking order thereof is also configured similarly. .

このように構成された部品内蔵基板1Bは、第1及び第2の実施形態と同様に、間隙89s,99sの大部分が積層方向に重なっていないので、第1及び第2電子部品80,90のほぼ全周に亘って間隙89s,99s内に流れ込む接着層33の流動量f1,f2を、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板とほぼ同等とすることができる。従って、第1及び第2の実施形態と同様の作用効果を奏することができる。   In the component-embedded substrate 1B configured as described above, the first and second electronic components 80 and 90 are the same as in the first and second embodiments because most of the gaps 89s and 99s do not overlap in the stacking direction. The flow amounts f1 and f2 of the adhesive layer 33 flowing into the gaps 89s and 99s over almost the entire circumference can be made substantially equal to those of the component-embedded substrate in which the electronic component is built in only a single layer. Therefore, the same effects as those of the first and second embodiments can be achieved.

[第3の実施形態の変形例]
図17は、部品内蔵基板1Bの変形例を示す平面図である。
上述した第3の実施形態においては、第1電子部品80の部品中心軸P1と第1開口部89の開口中心軸S1とが、また第2電子部品90の部品中心軸P2と第2開口部99の開口中心軸S2とが、それぞれ積層方向に重なっており、第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99が中心軸P1,S1と直交する平面内で回転及び平行移動したものとした。
[Modification of Third Embodiment]
FIG. 17 is a plan view showing a modification of the component built-in substrate 1B.
In the above-described third embodiment, the component center axis P1 of the first electronic component 80 and the opening center axis S1 of the first opening 89, and the component center axis P2 of the second electronic component 90 and the second opening are included. 99, the opening center axis S2 overlaps with each other in the stacking direction, and the second electronic component 90 and the second opening 99 are orthogonal to the center axes P1 and S1 with respect to the first electronic component 80 and the first opening 89. It was assumed that it was rotated and translated in a plane.

図17(a)に矢印Xで示す、或いは図17(b)に矢印Yで示すような、中心軸P1,P2,S1,S2と直交する平面内での二次元方向におけるこの平行移動X,Yは、一方に対して他方が所定の範囲内の角度θを保ったまま行われることが望ましい。このようにしても、上述した作用効果と同様の作用効果を奏することができ、コプラナリティを確保して表面実装不良を防止することができる。   This parallel movement X, in a two-dimensional direction in a plane orthogonal to the central axes P1, P2, S1, S2, as indicated by an arrow X in FIG. 17 (a) or as indicated by an arrow Y in FIG. Y is preferably performed while maintaining the angle θ within a predetermined range with respect to the other. Even if it does in this way, there can exist an effect similar to the effect mentioned above, a coplanarity can be ensured, and surface mounting failure can be prevented.

[第4の実施形態]
図18は、本発明の第4の実施形態に係る部品内蔵基板1Cを示す断面及び平面図であり、図18(a)は図18(b)の平面図におけるE−E’線断面を示している。
図18(b)に示すように、第4の実施形態に係る部品内蔵基板1Cは、第1及び第2電子部品80,90の部品中心軸P1,P2と、第1及び第2開口部89,99の開口中心軸S1,S2とが、全て積層方向に重なっている点は、第1の実施形態と同様である。しかし、例えば第1開口部89に対する第2開口部99の形成態様及び第1電子部品80に対する第2電子部品90の配置態様が、次のような点で相違している。
[Fourth Embodiment]
18A and 18B are a cross-sectional view and a plan view showing a component-embedded substrate 1C according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 18A shows a cross-section along the line EE ′ in the plan view of FIG. ing.
As shown in FIG. 18B, the component-embedded substrate 1C according to the fourth embodiment includes component center axes P1, P2 of the first and second electronic components 80, 90, and the first and second openings 89. , 99 are the same as in the first embodiment in that the opening center axes S1 and S2 all overlap in the stacking direction. However, for example, the formation mode of the second opening 99 with respect to the first opening 89 and the arrangement mode of the second electronic component 90 with respect to the first electronic component 80 are different in the following points.

すなわち、第4の実施形態の部品内蔵基板1Cにおいては、上述したような回転移動や平行移動はないが、第1及び第2開口部89,99が、それぞれの開口内周面89a,99aが積層方向に沿った同一平面を形成せず且つ積層方向に重ならない状態に形成され、第1及び第2電子部品80,90が、第1及び第2開口部89,99内に、それぞれの外形外周面80a,90aが積層方向に沿った同一平面を形成せず且つ積層方向に重ならない状態で収容されている。なお、図18(a)に示すように、部品内蔵基板1Cは、第1〜第3の部品内蔵基板1,1A,1Bと同様の各基板構成を備え、これらの積層順も同様に構成されている。   That is, in the component-embedded substrate 1C of the fourth embodiment, there is no rotational movement or parallel movement as described above, but the first and second openings 89 and 99 have the opening inner peripheral surfaces 89a and 99a. The first and second electronic components 80 and 90 are formed in a state in which they do not form the same plane along the stacking direction and do not overlap in the stacking direction. The outer peripheral surfaces 80a and 90a do not form the same plane along the stacking direction and are accommodated in a state where they do not overlap in the stacking direction. As shown in FIG. 18A, the component-embedded substrate 1C has the same substrate configuration as the first to third component-embedded substrates 1, 1A, 1B, and the stacking order thereof is also configured in the same manner. ing.

このように構成された部品内蔵基板1Cは、第1〜第3の実施形態とは異なり、間隙89s,99sの全てが積層方向に重なっていない。従って、第1及び第2電子部品80,90の全周に亘って間隙89s,99s内に流れ込む接着層33の流動量f1,f2を、単一層のみに電子部品を内蔵した部品内蔵基板と同等とすることができる。従って、第1〜第3の実施形態よりも、更に優れたコプラナリティを得ることが可能となる。   In the component-embedded substrate 1C configured as described above, unlike the first to third embodiments, all the gaps 89s and 99s do not overlap in the stacking direction. Accordingly, the flow amounts f1 and f2 of the adhesive layer 33 flowing into the gaps 89s and 99s over the entire circumference of the first and second electronic components 80 and 90 are equivalent to those of the component-embedded substrate in which the electronic components are embedded only in a single layer. It can be. Therefore, it is possible to obtain a superior coplanarity than the first to third embodiments.

[第4の実施形態の変形例]
図19は、部品内蔵基板1Cの変形例を示す平面図である。
上述した第4の実施形態においては、第1及び第2電子部品80,90の部品中心軸P1,P2と、第1及び第2開口部89,99の開口中心軸S1,S2とが、全て積層方向に重なっており、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99が回転移動及び平行移動していないものとした。
[Modification of Fourth Embodiment]
FIG. 19 is a plan view showing a modification of the component-embedded substrate 1C.
In the fourth embodiment described above, the component center axes P1 and P2 of the first and second electronic components 80 and 90 and the opening center axes S1 and S2 of the first and second openings 89 and 99 are all. For example, the second electronic component 90 and the second opening 99 do not rotate and translate with respect to the first electronic component 80 and the first opening 89.

しかし、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99を、図19(a)に矢印Xで示す、或いは図19(b)に矢印Yで示すような、中心軸P1,S1の組み合わせと、中心軸P2,S2の組み合わせとが積層方向に重ならないよう、上記直交する平面内で平行移動X,Yさせた状態としても良い。   However, for example, the second electronic component 90 and the second opening 99 with respect to the first electronic component 80 and the first opening 89 are indicated by an arrow X in FIG. 19A or an arrow Y in FIG. 19B. The combination of the central axes P1 and S1 and the combination of the central axes P2 and S2 as shown in FIG. 6 may be in a state of being translated X and Y within the orthogonal plane so as not to overlap in the stacking direction.

また、図19(c)に示すように、各部品中心軸P1,P2及び開口中心軸S1,S2の積層方向への重なりは維持したまま、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99を所定の角度θの範囲内で回転移動Rさせた状態としてもよい。   Further, as shown in FIG. 19C, for example, in the first electronic component 80 and the first opening 89, the component center axes P1 and P2 and the opening center axes S1 and S2 are kept overlapping in the stacking direction. On the other hand, the second electronic component 90 and the second opening 99 may be rotated and moved R within a range of a predetermined angle θ.

更に、図19(d)に矢印Xで示す、或いは図19(e)に矢印Yで示すように、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対する第2電子部品90及び第2開口部99の所定の角度θの範囲内における回転移動を維持したまま、中心軸P1,S1の組み合わせ及び中心軸P2,S2の組み合わせが積層方向に重ならないよう、平行移動X,Yさせた状態としても良い。   Further, as indicated by an arrow X in FIG. 19D or an arrow Y in FIG. 19E, for example, the second electronic component 90 and the second opening with respect to the first electronic component 80 and the first opening 89 are provided. While maintaining the rotational movement within a predetermined angle θ of 99, the parallel movements X and Y may be performed so that the combination of the central axes P1 and S1 and the combination of the central axes P2 and S2 do not overlap in the stacking direction. good.

そして、図19(f)に矢印Sで示すように、上述した所定の角度θの範囲内における回転移動を維持したまま、例えば第1電子部品80及び第1開口部89に対して第2電子部品90及び第2開口部99を、平行移動X,Yを組み合わせた位置へ平行移動Sさせた状態としても良い。このようにしても、上述した作用効果と同様の作用効果を奏することができ、コプラナリティを確保して表面実装不良を防止することができる。   Then, as indicated by an arrow S in FIG. 19 (f), for example, the second electrons with respect to the first electronic component 80 and the first opening 89 are maintained while maintaining the rotational movement within the range of the predetermined angle θ described above. The component 90 and the second opening 99 may be in a state of being translated S to a position where the translations X and Y are combined. Even if it does in this way, there can exist an effect similar to the effect mentioned above, a coplanarity can be ensured, and surface mounting failure can be prevented.

[その他の実施形態]
図20は、本発明のその他の実施形態に係る部品内蔵基板を示す平面図である。本発明に係る部品内蔵基板は、上述したものの他、次のような構成であっても良い。すなわち、図20(a)に示すように、部品内蔵基板1Dは、第1及び第2開口部89,99が、開口内周面89a,99aが積層方向に沿った同一平面を形成し且つ積層方向に重なる状態で形成されているが、第1及び第2電子部品80,90のそれぞれの外形外周面80a,90aが、積層方向に沿った同一平面を形成せず且つ積層方向に重ならない状態で、第1及び第2開口部89,99内に収容されている。換言すれば、第1及び第2開口部89,99の形成態様は積層方向に重なるように同じであるが、第1及び第2電子部品80,90の配置態様は積層方向に重ならないように異なっている。この電子部品80,90の配置態様は、上述したような回転移動、平行移動及びこれらを組み合わせた移動を含むものである。
[Other Embodiments]
FIG. 20 is a plan view showing a component-embedded substrate according to another embodiment of the present invention. The component-embedded substrate according to the present invention may have the following configuration in addition to the above. That is, as shown in FIG. 20A, in the component built-in substrate 1D, the first and second openings 89 and 99 are formed so that the inner peripheral surfaces 89a and 99a form the same plane along the stacking direction. The outer peripheral surfaces 80a and 90a of the first and second electronic components 80 and 90 do not form the same plane along the stacking direction and do not overlap in the stacking direction. And accommodated in the first and second openings 89 and 99. In other words, the first and second openings 89 and 99 are formed in the same manner so as to overlap in the stacking direction, but the arrangement modes of the first and second electronic components 80 and 90 do not overlap in the stacking direction. Is different. The arrangement form of the electronic components 80 and 90 includes the rotational movement, the parallel movement, and the movement combining these as described above.

一方、図20(b)に示すように、部品内蔵基板1Eは、第1及び第2電子部品80,90が、外形外周面80a,90aが積層方向に沿った同一平面を形成し且つ積層方向に重なる状態で収容されているが、第1及び第2開口部89,99のそれぞれの開口内周面89a,99aが、積層方向に沿った同一平面を形成せず且つ積層方向に重ならない状態で形成されている。換言すれば、第1及び第2電子部品80,90の配置態様は積層方向に重なるように同じであるが、第1及び第2開口部89,99の形成態様は積層方向に重ならないように異なっている。この開口部89,99の形成態様は、上述したような回転移動、平行移動及びこれらを組み合わせた移動を含むものである。   On the other hand, as shown in FIG. 20B, in the component-embedded substrate 1E, the first and second electronic components 80 and 90 have the outer peripheral surfaces 80a and 90a that form the same plane along the stacking direction and the stacking direction. The inner peripheral surfaces 89a, 99a of the first and second openings 89, 99 do not form the same plane along the stacking direction and do not overlap in the stacking direction. It is formed with. In other words, the arrangement of the first and second electronic components 80 and 90 is the same so as to overlap in the stacking direction, but the formation of the first and second openings 89 and 99 does not overlap in the stacking direction. Is different. The formation mode of the openings 89 and 99 includes the rotational movement, the parallel movement, and the movement combining these as described above.

これら図20(a)及び(b)に示すものであっても、いずれも間隙89s,99sの積層方向に重なる部分の体積が、上述した実施形態のものよりも僅かに多くなる程度であるので、上述した作用効果とほぼ同様の作用効果を奏することができる。   20A and 20B, the volume of the portion of the gaps 89s and 99s overlapping in the stacking direction is slightly larger than that of the above-described embodiment. The operational effects substantially similar to the operational effects described above can be achieved.

以上、本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   As mentioned above, although several embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

例えば、上述した実施の形態では、第1電子部品80及び第1開口部89を基準として、第2電子部品90及び第2開口部99が所定の状態にズレた配置となるように形成されているものとした。これらの関係を逆にして、第2電子部品90及び第2開口部99を基準として第1電子部品80及び第1開口部89を配置、形成するようにしても良い。また、上述した実施の形態では、複数の電子部品80,90を異なる層に内蔵したいずれも6層構造の部品内蔵基板1〜1Eについて説明したが、多層構造の層数は適宜増減することができ、併せて内蔵される電子部品数は2以上であれば適宜変更することが可能である。   For example, in the above-described embodiment, the second electronic component 90 and the second opening 99 are formed so as to be displaced in a predetermined state with respect to the first electronic component 80 and the first opening 89. It was supposed to be. By reversing these relationships, the first electronic component 80 and the first opening 89 may be arranged and formed with the second electronic component 90 and the second opening 99 as a reference. Further, in the above-described embodiment, each of the component-embedded substrates 1 to 1E having a six-layer structure in which a plurality of electronic components 80 and 90 are incorporated in different layers has been described. In addition, if the number of electronic components incorporated is two or more, it can be changed as appropriate.

1 部品内蔵基板
10A 第1両面基板
10B 第2両面基板
11 樹脂基材
12 配線
13 ビア
20 中間基板
21 樹脂基材
22 接着層
23 ビア
30A 第1片面基板
30B 第2片面基板
30C 第3片面基板
31 樹脂基材
32 配線
33 接着層
34 ビア
80 第1電子部品
80a 外形外周面
89 第1開口部
89a 開口内周面
89s 間隙
90 第2電子部品
90a 外形外周面
99 第2開口部
99a 開口内周面
99s 間隙
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Component built-in board | substrate 10A 1st double-sided board 10B 2nd double-sided board 11 Resin base material 12 Wiring 13 Via 20 Intermediate board 21 Resin base material 22 Adhesive layer 23 Via 30A 1st single-sided board 30B 2nd single-sided board 30C 3rd single-sided board 31 Resin base material 32 Wiring 33 Adhesive layer 34 Via 80 First electronic component 80a Outer outer peripheral surface 89 First opening 89a Opening inner peripheral surface 89s Gap 90 Second electronic component 90a Outer outer peripheral surface 99 Second opening 99a Opening inner peripheral surface 99s gap

Claims (12)

積層された複数の単位基板を有し、積層方向に複数の電子部品を内蔵してなる多層構造の部品内蔵基板であって、
前記複数の単位基板は、
第1絶縁層を有し、第1電子部品が第1の間隙を空けて収容された第1開口部を備えた第1基板と、
第2絶縁層を有し、第2電子部品が第2の間隙を空けて収容された第2開口部を備えた第2基板と、
前記第1及び第2基板の間に配置され、第3絶縁層及び前記第3絶縁層の両面側に設けられると共に前記第1及び第2の間隙に充填される第1接着層を備えた中間基板とを含み、
前記第1及び第2開口部は、それぞれの開口内周面が全周に亘って前記積層方向に沿った同一平面を形成せず、いずれか一方の開口中心軸がいずれか他方の開口部内を通り、且ついずれか一方がいずれか他方の開口中心軸と直交する平面内で回転移動した状態で形成され、
前記第1及び第2の間隙は、前記回転移動した状態での前記積層方向に重なる部分の合計体積が、前記回転移動しない状態での前記積層方向に重なる部分の合計体積よりも小さくなるように形成されている
ことを特徴とする部品内蔵基板。
A component-embedded substrate having a multilayer structure having a plurality of unit substrates stacked and having a plurality of electronic components embedded in the stacking direction,
The plurality of unit substrates are:
A first substrate having a first insulating layer and having a first opening in which a first electronic component is accommodated with a first gap;
A second substrate having a second insulating layer and having a second opening in which a second electronic component is accommodated with a second gap;
An intermediate having a first adhesive layer disposed between the first and second substrates, provided on both sides of the third insulating layer and the third insulating layer, and filled in the first and second gaps. Including a substrate,
In the first and second openings, the inner peripheral surfaces of the respective openings do not form the same plane along the stacking direction over the entire circumference, and either one of the opening central axes is in the other opening. And any one of them is formed in a state of rotating and moving in a plane orthogonal to the other opening center axis,
The first and second gaps are configured such that the total volume of the portion overlapping in the stacking direction in the rotationally moved state is smaller than the total volume of the portion overlapping in the stacking direction in the non-rotated state. A component-embedded substrate characterized by being formed.
前記第1及び第2開口部は、それぞれの開口中心軸が前記積層方向に重なっている
ことを特徴とする請求項1記載の部品内蔵基板。
2. The component-embedded substrate according to claim 1, wherein each of the first opening and the second opening has an opening center axis overlapping in the stacking direction.
前記第1及び第2開口部は、それぞれの開口中心軸が前記積層方向に重なっていない
ことを特徴とする請求項1記載の部品内蔵基板。
2. The component-embedded substrate according to claim 1, wherein each of the first and second openings has an opening center axis that does not overlap in the stacking direction.
前記第1及び第2電子部品は、それぞれの外形外周面が前記積層方向に沿った同一平面を形成しない状態で収容されている
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の部品内蔵基板。
The said 1st and 2nd electronic component is accommodated in the state in which each external shape outer peripheral surface does not form the same plane along the said lamination direction. Component built-in board.
前記第1及び第2電子部品は、それぞれの外形外周面が前記積層方向に沿った同一平面を形成する状態で収容されている
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の部品内蔵基板。
The said 1st and 2nd electronic component is accommodated in the state in which each external shape outer peripheral surface forms the same plane along the said lamination direction. The one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. Component built-in board.
積層された複数の単位基板を有し、積層方向に複数の電子部品を内蔵してなる多層構造の部品内蔵基板であって、
前記複数の単位基板は、
第1絶縁層を有し、第1電子部品が第1の間隙を空けて収容された第1開口部を備えた第1基板と、
第2絶縁層を有し、第2電子部品が第2の間隙を空けて収容された第2開口部を備えた第2基板と、
前記第1及び第2基板の間に配置され、第3絶縁層及び前記第3絶縁層の両面側に設けられると共に前記第1及び第2の間隙に充填される第1接着層を備えた中間基板とを含み、
前記第1及び第2電子部品は、それぞれの外形外周面が全周に亘って前記積層方向に沿った同一平面を形成せず、いずれか一方の部品中心軸がいずれか他方の部品内を通り、且ついずれか一方がいずれか他方の部品中心軸と直交する平面内で回転移動した状態で収容され、
前記第1及び第2の間隙は、前記回転移動した状態での前記積層方向に重なる部分の合計体積が、前記回転移動しない状態での前記積層方向に重なる部分の合計体積よりも小さくなるように形成されている
ことを特徴とする部品内蔵基板。
A component-embedded substrate having a multilayer structure having a plurality of unit substrates stacked and having a plurality of electronic components embedded in the stacking direction,
The plurality of unit substrates are:
A first substrate having a first insulating layer and having a first opening in which a first electronic component is accommodated with a first gap;
A second substrate having a second insulating layer and having a second opening in which a second electronic component is accommodated with a second gap;
An intermediate having a first adhesive layer disposed between the first and second substrates, provided on both sides of the third insulating layer and the third insulating layer, and filled in the first and second gaps. Including a substrate,
The first and second electronic components do not form the same plane along the laminating direction over the entire outer periphery of each of the first and second electronic components, and one of the component central axes passes through the other component. And either one is accommodated in a state where it is rotated and moved in a plane orthogonal to the other component central axis,
The first and second gaps are configured such that the total volume of the portion overlapping in the stacking direction in the rotationally moved state is smaller than the total volume of the portion overlapping in the stacking direction in the non-rotated state. A component-embedded substrate characterized by being formed.
前記第1及び第2電子部品は、それぞれの部品中心軸が前記積層方向に重なっている
ことを特徴とする請求項6記載の部品内蔵基板。
The component built-in board according to claim 6, wherein the first and second electronic components have respective component central axes overlapping in the stacking direction.
前記第1及び第2電子部品は、それぞれの部品中心軸が前記積層方向に重なっていない
ことを特徴とする請求項6記載の部品内蔵基板。
The component built-in board according to claim 6, wherein the first and second electronic components have respective component center axes that do not overlap in the stacking direction.
前記第1及び第2開口部は、それぞれの開口内周面が前記積層方向に沿った同一平面を形成する状態で形成されている
ことを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項記載の部品内蔵基板。
The said 1st and 2nd opening part is formed in the state in which each opening inner peripheral surface forms the same plane along the said lamination direction, The any one of Claims 6-8 characterized by the above-mentioned. Component built-in board.
前記第1基板は、前記第1絶縁層の両面側に形成された第1配線層及び前記第1絶縁層を貫通した状態で前記第1配線層と接続された第1層間導電層を有する第1両面基板からなり、
前記第2基板は、前記第2絶縁層の両面側に形成された第2配線層及び前記第2絶縁層を貫通した状態で前記第2配線層と接続された第2層間導電層を有する第2両面基板からなり、
前記中間基板は、前記第1接着層と共に前記第3絶縁層を貫通する第3層間導電層を有する
ことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項記載の部品内蔵基板。
The first substrate includes a first wiring layer formed on both sides of the first insulating layer, and a first interlayer conductive layer connected to the first wiring layer in a state of penetrating the first insulating layer. 1 double-sided board,
The second substrate includes a second wiring layer formed on both sides of the second insulating layer and a second interlayer conductive layer connected to the second wiring layer in a state of passing through the second insulating layer. It consists of two double-sided boards,
The component built-in substrate according to claim 1, wherein the intermediate substrate has a third interlayer conductive layer that penetrates the third insulating layer together with the first adhesive layer.
前記複数の単位基板は、
第4絶縁層の一方の面側に形成された第3配線層及び前記第4絶縁層を貫通した状態で前記第3配線層と接続された第4層間導電層を有し、前記第4絶縁層の他方の面側に設けられた第2接着層を備えた第1片面基板を含み、
前記第1片面基板は、前記第2接着層側において、前記第4層間導電層の一部が前記第1電子部品と接続されている
ことを特徴とする請求項10記載の部品内蔵基板。
The plurality of unit substrates are:
A third wiring layer formed on one surface side of the fourth insulating layer; and a fourth interlayer conductive layer connected to the third wiring layer in a state of penetrating the fourth insulating layer, the fourth insulating layer Including a first single-sided substrate with a second adhesive layer provided on the other side of the layer;
11. The component-embedded substrate according to claim 10, wherein a part of the fourth interlayer conductive layer is connected to the first electronic component on the second adhesive layer side of the first single-sided substrate.
前記複数の単位基板は、
第5絶縁層の一方の面側に形成された第4配線層及び前記第5絶縁層を貫通した状態で前記第4配線層と接続された第5層間導電層を有し、前記第5絶縁層の他方の面側に設けられた第3接着層を備えた第2片面基板を含み、
前記第2片面基板は、前記第3接着層側において、前記第5層間導電層の一部が前記第2電子部品と接続されている
ことを特徴とする請求項10又は11記載の部品内蔵基板。
The plurality of unit substrates are:
A fifth wiring layer formed on one surface side of the fifth insulating layer; and a fifth interlayer conductive layer connected to the fourth wiring layer in a state of penetrating the fifth insulating layer; Including a second single-sided substrate with a third adhesive layer provided on the other side of the layer;
The component-embedded substrate according to claim 10 or 11, wherein a part of the fifth interlayer conductive layer is connected to the second electronic component on the second adhesive layer side of the second single-sided substrate. .
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