JP6308381B2 - 位置検出用装置、位置補正装置及び撮影装置 - Google Patents

位置検出用装置、位置補正装置及び撮影装置 Download PDF

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Description

本発明は、対象物の位置を検出するための位置検出用装置、対象物の位置を補正する位置補正装置及び該位置補正装置を備える撮影装置に関する。
対象物の位置を検出するための位置検出用装置が知られている。位置検出用装置の具体的構成は、例えば特許文献1に記載されている。
特許文献1に記載の位置検出用装置は、撮影装置に搭載されている。具体的には、位置検出用装置は、撮影装置内に配置された可変頂角プリズムを支持する支持枠に取り付けられている。位置検出用装置は、磁気回路を構成する一対のヨーク間にホール素子が配置された構成を有している。ホール素子は、一対のヨーク間の磁束を検出し、検出されたレベルを出力する。撮影装置は、ホール素子の出力レベルに基づいて可変頂角プリズムを撮影装置自身の動きを打ち消す方向に駆動する。これにより、撮影装置内の撮影光学系に入射される光束の変化が抑えられ、像ブレが補正される。
特許第4266445号公報
図10(a)は、特許文献1に記載の位置検出用装置と同様の、従来の位置検出用装置300の概略的な構成例を示す。図10(a)に示されるように、従来の位置検出用装置300は、不図示の固定部に取り付けられた一対の磁石302a、302bを備えている。なお、磁石302a、302bの形状は長方形である。
磁石302a、302bは、長手方向が図中y方向に沿う向きに配置されており、所定の間隔を空けて互いに平行に並べられている。磁石302aは、長手方向の中心軸がx=+L/2に位置し、磁石302bは、長手方向の中心軸がx=−L/2に位置する。なお、本明細書中、磁石の長手方向の中心軸は、磁石中央(y=0)での断面の中心と直交する軸と定義する。磁石302aと磁石302bとの間にはホール素子304が配置されている。ホール素子304は、固定部に対して図中xy面内で平行移動可能な可動部(不図示)に取り付けられている。そのため、ホール素子304は、可動部の動きに伴ってxy面内を移動する。ホール素子304は、初期的には原点位置O(x=0,y=0)に配置されている。
ホール素子304を通過する磁束は、磁気回路を構成する磁石302a及び302bとの相対位置に応じて変化する。ホール素子304は、磁石302a及び302bとの相対位置に応じた磁束密度(z方向成分)を検出し、検出された磁束密度に応じたレベルを後段回路(不図示)に出力する。後段回路は、ホール素子304の出力レベルに基づいて、固定部(磁石302a及び302b)に対する可動部(ホール素子304)のx座標位置を検出する。
図10(b)は、ホール素子304により検出される磁束密度B(z方向成分)と、ホール素子304のx座標位置との関係を示すグラフである。図10(b)中、太実線は、ホール素子304のy座標位置が磁石中央(y=0)であるときの磁束密度Bを示す。以下、説明の便宜上、このときの磁束密度Bを「磁束密度B(y=0)」と記す。図10(b)に示されるように、磁束密度B(y=0)は、ホール素子304が一方の磁石に近付くほど絶対値が高くなり、x座標位置が±L/2であるときにピークを持つ。磁束密度B(y=0)は、x=−a〜+aの範囲内ではリニアリティがよい。そのため、可動部は、x方向についてx=−a〜+aの範囲内で移動可能に構成される。
ところで、ホール素子304は、可動部がxy面内で移動するため、x方向だけでなくy方向にも移動する。図10(a)中、点線は、位置(x=0,y=Y)に移動したホール素子304を示す。また、図10(b)中、細実線は、ホール素子304のy座標位置が磁石端(y=Y)であるときの磁束密度Bを示す。以下、説明の便宜上、このときの磁束密度Bを「磁束密度B(y=Y)」と記す。図10(b)に示されるように、磁束密度B(y=Y)もホール素子304が一方の磁石に近付くほど絶対値が高くなり、x座標位置が±L/2であるときにピークを持つと共にx=−a〜+aの範囲内ではリニアリティがよい。
しかし、図10の従来例では、ホール素子304がy方向に移動して磁石の各端部に近付くほどホール素子304によって検出される磁束密度が減少し、x座標位置の検出精度が低下する。具体的には、図10(b)に示されるように、磁束密度B(y=0)と磁束密度B(y=Y)とでは、x=−a〜+aの範囲内においてリニアリティが異なる。例えば、ホール素子304により磁束密度B(図10(b)参照)が検出される場合を考える。この場合、図10(b)に示されるように、ホール素子304は、y座標位置が磁石中央(y=0)であるときにはx=xp1に位置するが、y座標位置が磁石端(y=Y)であるときには磁束密度の減少が原因となってx=xp2にずれる。このように、従来の位置検出用装置300は、ホール素子304のy座標位置に応じてx座標位置の検出精度が低下するという問題を抱えている。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、対象物の一方向の位置を検出する際に、対象物が別の方向にも移動したときに生じ得る位置検出誤差を抑えるのに好適な位置検出用装置、対象物の位置を補正する位置補正装置及び該位置補正装置を備える撮影装置を提供することである。
本実施形態の位置検出用装置は、対象物の位置を検出するための装置であり、所定の第一面において互いの長手方向が平行となる向きで所定の第一部材に取り付けられた一対の磁石と、第一面と対向する第二面において第一部材に対して相対移動可能な第二部材に取り付けられた磁気検出素子であって、一対の磁石と対向する位置に配置された磁気検出素子とを備える。一対の磁石は、磁気検出素子に磁束を通過させる磁気回路を構成しており、磁気検出素子が一対の磁石に対して長手方向に移動した際の、磁気検出素子で検出される磁束密度の分布の変化に伴う検出精度の低下であって、磁気検出素子によって検出される磁束密度に基づく、長手方向と直交する方向における対象物の位置の検出精度の低下が抑えられるように、長手方向の中央部の断面積に対して両端部の断面積が大きく形成されている
このような構成によれば、磁気検出素子が一対の磁石に対し、検出すべき方向(検出方向)と異なる方向(非検出方向)に移動したときにおける、磁気検出素子によって検出される磁束密度の減少が抑えられる。そのため、磁気検出素子が非検出方向に移動したときに検出方向の位置検出精度が低下するという問題が抑えられる。
位置検出用装置は、磁石の長手方向を第一方向と定義し、第一方向と直交しかつ第一面に平行な方向を第二方向と定義した場合に、第一面において長手方向が第二方向と平行となる向きで第一部材に取り付けられた、上記の一対の磁石とは別の一対の磁石と、別の一対の磁石と対向する第二面内の位置で第二部材に取り付けられた、上記の磁気検出素子とは別の磁気検出素子とを更に備える。
一対の磁石は、例えば、互いに向き合う端部付近の側面間の距離が中央部付近の側面間の距離よりも短い。
また、一対の磁石は、互いの側面間の距離が中央部から各端部にかけて段階的又は連続的に短くなる構成としてもよい。
磁石は、両端部の高さが中央部の高さよりも高いものであってもよい。
また、磁石は、例えば、第一面と直交する方向から視たときの形状が、長手方向の中心軸を対称軸とする線対称となる。
磁気検出素子は、例えばホール素子である。
位置検出用装置は、第一部材と第二部材とを相対移動させる移動手段を備える構成としてもよい。
また、本実施形態の位置補正装置は、対象物の位置を補正する装置であり、上記の位置検出用装置と、位置補正装置内に固定された第一部材及び第二部材の一方と、対象物に取り付けられた第一部材及び第二部材の他方と、磁気検出素子の出力に基づいて所定の物理量を演算する物理量演算手段とを備える。移動手段は、物理量演算手段により演算された物理量に基づいて第一部材及び第二部材の他方の位置を移動させることにより、対象物の位置を補正する。
また、本実施形態の撮影装置は、撮像素子と、上記の位置補正装置とを備える。対象物は撮像素子であり、物理量演算手段は磁気検出素子の出力に基づいて撮像素子に結像される像のブレを補正するための移動量を演算し、移動手段は、演算された移動量に基づいて第一部材及び第二部材の他方と共に撮像素子を移動させることにより、像のブレを補正する。
撮影装置において、第一部材及び第二部材の一方は、例えば撮影装置の筐体であり、第一部材及び第二部材の他方は、例えば撮像素子を移動させるステージである。
本実施形態によれば、対象物の一方向の位置を検出する際に、対象物が別の方向にも移動したときに生じ得る位置検出誤差を抑えるのに好適な位置検出用装置、対象物の位置を補正する位置補正装置及び該位置補正装置を備える撮影装置が提供される。
本発明の実施形態の撮影装置の構成を示すブロック図である。 本発明の実施形態の撮影装置に備えられる像ブレ補正機構及びその周辺の構成を概略的に示す図である。 本発明の実施形態の移動ステージ、X位置検出用センサ及びY位置検出用センサを概略的に示す図である。 本発明の実施形態の移動ステージ及びX位置検出用センサを概略的に示す図である。 本発明の実施例1のX位置検出用センサの概略構成及びセンサ特性を示す図である。 本発明の実施例2のX位置検出用センサの概略構成及びセンサ特性を示す図である。 本発明の実施例3のX位置検出用センサの概略構成を示す図である。 本発明の実施例4のX位置検出用センサの概略構成を示す図である。 本発明の実施例5のX位置検出用センサの概略構成を示す図である。 従来の位置検出用装置の概略的な構成例を示す図である。
以下、本発明の実施形態の撮影装置について図面を参照しながら説明する。以下においては、本発明の一実施形態として、デジタル一眼レフカメラについて説明する。なお、撮影装置は、デジタル一眼レフカメラに限らず、例えば、ミラーレス一眼カメラ、コンパクトデジタルカメラ、カムコーダ、タブレット端末、PHS(Personal Handy phone System)、スマートフォン、フィーチャフォン、携帯ゲーム機など、撮影機能を有する別の形態の装置に置き換えてもよい。
[撮影装置1の構成]
図1は、本実施形態の撮影装置1の構成を示すブロック図である。図1に示されるように、撮影装置1は、CPU(Central Processing Unit)100、操作部102、絞り・シャッタ駆動回路104、撮影レンズ106、絞り108、シャッタ110、イメージセンサ112、信号処理回路114、画像処理エンジン116、バッファメモリ118、カード用インタフェース120、LCD(Liquid Crystal Display)制御回路122、LCD124、ROM(Read Only Memory)126、外部接続インタフェース128、多軸ジャイロセンサ130及び像ブレ補正機構132を備えている。
操作部102には、電源スイッチやレリーズスイッチ、撮影モードスイッチなど、ユーザが撮影装置1を操作するために必要な各種スイッチが含まれる。ユーザにより電源スイッチが押されると、図示省略されたバッテリから撮影装置1の各種回路に電源ラインを通じて電源供給が行われる。CPU100は電源供給後、ROM126にアクセスして制御プログラムを読み出してワークエリア(不図示)にロードし、ロードされた制御プログラムを実行することにより、撮影装置1全体の制御を行う。
レリーズスイッチが操作されると、CPU100は、撮影装置1に内蔵されたTTL(Through The Lens)露出計(不図示)で測定された測光値に基づき適正露出が得られるように、絞り・シャッタ駆動回路104を介して絞り108及びシャッタ110を駆動制御する。より詳細には、絞り108及びシャッタ110の駆動制御は、プログラムAE(Automatic Exposure)、シャッタ速度優先AE、絞り優先AEなど、撮影モードスイッチにより指定されるAE機能に基づいて行われる。また、CPU100はAE制御と併せてAF(Autofocus)制御を行う。AF制御には、アクティブ方式、位相差検出方式、コントラスト検出方式等が適用される。なお、この種のAE及びAFの構成及び制御については周知であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
被写体からの光束は、撮影レンズ106、絞り108、シャッタ110を通過してイメージセンサ112により受光される。イメージセンサ112は、例えばCCD(Charge Coupled Device)イメージセンサやCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサであり、撮像面上の各画素で結像した光学像を光量に応じた電荷として蓄積して電気信号に変換し、信号処理回路114に出力する。以下、説明の便宜上、撮影レンズ106の光軸AX方向をz方向と定義し、z方向に直交しかつ互いに直交する2方向をx方向、y方向と定義する。x方向及びy方向は、イメージセンサ112の撮像面と平行な方向である。信号処理回路114は、イメージセンサ112より入力される電気信号(撮影データ)に対して所定の信号処理を施して、画像処理エンジン116に出力する。
画像処理エンジン116は、信号処理回路114より入力される信号に対して色補間、マトリクス演算、Y/C分離等の所定の信号処理を施して輝度信号Y、色差信号Cb、Crを生成し、JPEG(Joint Photographic Experts Group)等の所定のフォーマットで圧縮する。バッファメモリ118は、画像処理エンジン116による処理の実行時、処理データの一時的な保存場所として用いられる。
カード用インタフェース120のカードスロットには、メモリカード200が着脱可能に差し込まれている。
画像処理エンジン116は、カード用インタフェース120を介してメモリカード200と通信可能である。画像処理エンジン116は、生成された圧縮画像信号(撮影画像データ)をメモリカード200(又は撮影装置1に備えられる不図示の内蔵メモリ)に保存する。
また、画像処理エンジン116は、Y/C分離後の信号に所定の信号処理を施して、フレームメモリ(不図示)にフレーム単位でバッファリングする。画像処理エンジン116は、バッファリングされた信号を所定のタイミングで各フレームメモリから掃き出して所定のフォーマットのビデオ信号に変換し、LCD制御回路122に出力する。LCD制御回路122は、画像処理エンジン116より入力される画像信号を基に液晶を変調制御する。これにより、被写体の撮影画像がLCD124の表示画面に表示される。ユーザは、AE制御及びAF制御に基づいて適正な輝度及びピントで撮影されたリアルタイムのスルー画を、LCD124の表示画面を通じて視認することができる。
画像処理エンジン116は、ユーザにより撮影画像の再生操作が行われると、操作により指定された撮影画像データをメモリカード200又は内蔵メモリより読み出して所定のフォーマットの画像信号に変換し、LCD制御回路122に出力する。LCD制御回路122が画像処理エンジン116より入力される画像信号を基に液晶を変調制御することで、被写体の撮影画像がLCD124の表示画面に表示される。
外部接続インタフェース128は、PC(Personal Computer)等の外部装置と接続するためのインタフェースである。外部接続インタフェース128は、HDMI(High-Definition Multimedia Interface、HDMIは登録商標)、USB(Universal Serial Bus)等の有線接続プロトコルや、Wi-Fi、Bluetooth(登録商標)、IrDA等の無線接続プロトコルを用いてPC等と通信可能である。
ところで、撮影者の手ブレにより撮影装置1が振動すると、光軸AXの角度ブレや回転ブレが生じて、イメージセンサ112の撮像面に入射される被写体像にブレが生じる。像ブレの原因となる撮影装置1の振動は、多軸ジャイロセンサ130により検出される。具体的には、多軸ジャイロセンサ130は、X方向及びY方向の角速度並びにZ方向の軸周りの角速度を検出する。
図2は、像ブレ補正機構132及びその周辺の構成を概略的に示す図である。図2に示されるように、像ブレ補正機構132は、アクチュエータ132A、移動ステージ132S、X位置検出用センサ132X及びY位置検出用センサ132Yを備えている。
移動ステージ132Sは、例えば、XY軸ステージと回転ステージとを組み合わせたものであり、イメージセンサ112の背面に取り付けられている。
アクチュエータ132Aは、XY面内において移動ステージ132Sをイメージセンサ112ごと(例えば、X、Y方向の移動、XY面内での回転の少なくとも1つを含む複合的な動きで)移動させることができる。
X位置検出用センサ132Xは、磁石132Xa及び132Xb並びにホール素子132Xhを備えている。磁石132Xa及び132Xbは、撮影装置1内の筐体134の内壁面に接着等により取り付けられている。ホール素子132Xhは、移動ステージ132Sの表面に接着等により取り付けられている。Y位置検出用センサ132YもX位置検出用センサ132Xと同様に、筐体134の内壁面に取り付けられた磁石132Ya及び132Yb、並びに移動ステージ132Sの表面に取り付けられたホール素子132Yhを備えている。
ここで、説明の便宜上、図3を用いて、移動ステージ132Sの表面(ホール素子132Xh及び132Yhが取り付けられた面)、X位置検出用センサ132X及びY位置検出用センサ132Yのみ図示する。
図3に示されるように、磁石132Xa、132Xbは、長手方向が図中y方向に沿う向きに配置されており、所定の間隔を空けて互いに平行に並べられている。z方向から視たときのホール素子132Xhの位置は、磁石132Xaと132Xbとの間となる。また、磁石132Ya、132Ybは、長手方向が図中x方向に沿う向きに配置されており、所定の間隔を空けて互いに平行に並べられている。z方向から視たときのホール素子132Yhの位置は、磁石132Yaと132Ybとの間となる。
図4は、X位置検出用センサ132Xの原理を説明するための図である。図4では、説明の便宜上、移動ステージ132Sの表面及びX位置検出用センサ132Xのみ示す。図4に示されるように、磁石132Xa、132Xbはそれぞれ、ホール素子132Xhと対向する側がS極、N極である。磁気回路を構成する磁石132Xa及び132Xbによる磁束は、ホール素子132Xhを通過する。ホール素子132Xhを通過する磁束は、磁石132Xa及び132Xbとの相対位置に応じて変化する。ホール素子132Xhは、磁石132Xa及び132Xbとの相対位置に応じた磁束密度(z方向成分)を検出し、検出された磁束密度に応じたレベルをCPU100に出力する。
なお、Y位置検出用センサ132Yについては、その原理がX位置検出用センサ132Xと同じであるため、図面を用いた具体的な説明は省略する。Y位置検出用センサ132Yにおいても、ホール素子132Yhを通過する磁束は、磁気回路を構成する磁石132Ya及び132Ybとの相対位置に応じて変化する。ホール素子132Yhは、磁石132Ya及び132Ybとの相対位置に応じた磁束密度(z方向成分)を検出し、検出された磁束密度に応じたレベルをCPU100に出力する。
CPU100は、多軸ジャイロセンサ130の出力レベルとX位置検出用センサ132X及びY位置検出用センサ132Yの出力レベルとを比較し、出力レベルの差に応じた差分信号を生成する。CPU100は、生成された差分信号に応じた電圧値(像ブレ量に相当する値)を演算し、演算された値の電圧を不図示のドライバを介してアクチュエータ132Aに印加する。アクチュエータ132Aは、印加された電圧により駆動することで、差分信号が小さくなる方向に移動ステージ132Sを移動させる。これにより、イメージセンサ112は、撮像面での像ブレが打ち消される方向に移動する。この結果、手ブレ等に起因する撮影画像のブレが抑えられる。
図3においては、図示の便宜上、各磁石132Xa、132Xb、132Ya及び132Ybの幅(短手方向)が図10の従来例と同じく一定となっているが、実際にはそのような形状にはなっていない。以下、磁石132Xa及び132Xbの具体的形状を示すX位置検出用センサ132Xの実施例を5例説明する。なお、Y位置検出用センサ132YについてはX位置検出用センサ132Xと同様であるため、その説明を省略する。
図5(a)は図10(a)と同様の図であり、本発明の実施例1のX位置検出用センサ132Xの概略構成を示す。図5(b)は、本実施例1の磁石132Xa及び132Xbの端面を示す図である。図5(c)は図10(b)と同様のグラフであり、本実施例1における、ホール素子132Xhにより検出される磁束密度B(z方向成分)と、ホール素子132Xhのx座標位置との関係を示す。本実施例1をはじめとする各実施例は、図10の従来例と比較する都合上、条件が図10の従来例と揃えられている。具体的には、磁石132Xaは、長手方向の中心軸がx=+L/2に位置し、磁石132Xbは、長手方向の中心軸がx=−L/2に位置する。また、ホール素子132Xhは、初期的には原点位置O(x=0,y=0)に配置されている。また、移動ステージ132S(ホール素子132Xh)は、x方向についてリニアリティのよい範囲(x=−a〜+a)内で移動可能に構成されている。
図5(a)及び図5(b)から判るように、本実施例1の磁石132Xa及び132Xbは、磁石中央(y=0)の断面積に対して磁石端(y=Y)の断面積が大きい。具体的には、本実施例1の磁石132Xa及び132Xbは、磁石中央(y=0)から各端部にかけて幅(短手方向)が連続的に広くなり、かつ互いの側面間の距離が磁石中央(y=0)から各端部にかけて連続的に短くなるように配置されている。一例として、互いの側面間の距離は、磁石中央(y=0)では距離Lであるが、磁石端(y=Y)では距離Lよりも短い距離L’である(図5(a)参照)。
このように、本実施例1では、磁石132Xa及び132Xbの断面積が磁石中央(y=0)から各端部に近付くほど大きくなる。これにより、ホール素子132Xhが磁石の各端部に近付いたときにおける、ホール素子132Xhによって検出される磁束密度の減少が抑えられる。図5(c)に示されるように、本実施例1では、x=−a〜+aの範囲内において磁束密度B(y=0)と磁束密度B(y=Y)とのリニアリティの差が抑えられていることが判る。すなわち、本実施例1では、ホール素子132Xhのy座標位置に応じてx座標位置の検出精度が低下するという問題が抑えられる。
なお、本実施例1において、磁石132Xa及び132Xbは、図5(a)に示されるように、長手方向の中心軸を基準に左右非対称な形状となっている。そのため、図5(c)に示されるように、磁束密度B(y=Y)のピーク位置が磁束密度B(y=0)のピーク位置からずれる。磁束密度B(y=Y)のピーク位置がずれることにより、磁束密度B(y=0)に対して磁束密度B(y=Y)の傾きがx=−a〜+aの範囲内で低くなることが懸念される。しかし、この種の傾きの低下は、磁場シミュレーションソフト等を用いて磁石132Xa及び132Xbの形状を最適化設計することにより、抑えることが可能である。
図6(a)は図5(a)と同様の図であり、本発明の実施例2のX位置検出用センサ132Xの概略構成を示す。図6(b)は図5(b)と同様の図であり、本実施例2の磁石132Xa及び132Xbの端面を示す図である。図6(c)は図5(c)と同様のグラフであり、本実施例2における、ホール素子132Xhにより検出される磁束密度B(z方向成分)と、ホール素子132Xhのx座標位置との関係を示す。
図6(a)及び図6(b)から判るように、本実施例2の磁石132Xa及び132Xbも磁石中央(y=0)の断面積に対して磁石端(y=Y)の断面積が大きい。具体的には、本実施例2の磁石132Xa及び132Xbは、磁石中央(y=0)から各端部にかけて幅(短手方向)が連続的に広くなり、かつz方向から視たときの形状が長手方向の中心軸を対称軸とする線対称となるように形成されている。また、本実施例2の磁石132Xa及び132Xbは、互いの側面間の距離が磁石中央(y=0)から各端部にかけて連続的に短くなるように配置されている。
このように、本実施例2においても磁石132Xa及び132Xbの断面積が磁石中央(y=0)から各端部に近付くほど大きくなる。これにより、ホール素子132Xhが磁石の各端部に近付いたときにおける、ホール素子132Xhによって検出される磁束密度の減少が抑えられる。図6(c)に示されるように、本実施例2においても、x=−a〜+aの範囲内において磁束密度B(y=0)と磁束密度B(y=Y)とのリニアリティの差が抑えられていることが判る。すなわち、本実施例2においても、ホール素子132Xhのy座標位置に応じてx座標位置の検出精度が低下するという問題が抑えられる。
本実施例2において、磁石132Xa及び132Xbは、上述したように、長手方向の中心軸を基準に左右対称な形状となっている。そのため、図6(c)に示されるように、磁束密度B(y=Y)のピーク位置は磁束密度B(y=0)のピーク位置からずれない。従って、互いのピーク位置がずれることで磁束密度Bのリニアリティに差が生じるという問題が潜在的にも発生しない。
図7(a)は図5(a)と同様の図であり、本発明の実施例3のX位置検出用センサ132Xの概略構成を示す。図7(b)は図5(b)と同様の図であり、本実施例3の磁石132Xa及び132Xbの端面を示す図である。
図7(a)及び図7(b)から判るように、本実施例3の磁石132Xa及び132Xbも磁石中央(y=0)の断面積に対して磁石端(y=Y)の断面積が大きい。具体的には、本実施例3の磁石132Xa及び132Xbは、磁石中央(y=0)から各端部にかけて幅(短手方向)が段階的に広くなり、かつ互いの側面間の距離が磁石中央(y=0)側よりも各端部側の方が短くなるように配置されている。なお、側面の段差数は、本実施例3では2段であるが、変形例では3段以上であってもよい。
このように、本実施例3においても磁石132Xa及び132Xbの断面積が磁石中央(y=0)から各端部に近付くほど大きくなる。これにより、本実施例1や本実施例2と同様に、ホール素子132Xhが磁石の各端部に近付いたときにおける、ホール素子132Xhによって検出される磁束密度の減少が抑えられる。
図8(a)は図5(a)と同様の図であり、本発明の実施例4のX位置検出用センサ132Xの概略構成を示す。図8(b)は図5(b)と同様の図であり、本実施例4の磁石132Xa及び132Xbの端面を示す図である。
図8(a)及び図8(b)から判るように、本実施例4の磁石132Xa及び132Xbも磁石中央(y=0)の断面積に対して磁石端(y=Y)の断面積が大きい。具体的には、本実施例4の磁石132Xa及び132Xbは、磁石中央(y=0)から各端部にかけて幅(短手方向)が段階的に広くなり、かつz方向から視たときの形状が長手方向の中心軸を対称軸とする線対称となるように形成されている。また、本実施例4の磁石132Xa及び132Xbは、互いの側面間の距離が磁石中央(y=0)から各端部にかけて段階的に短くなるように配置されている。なお、両側面の段差数は、本実施例4では2段であるが、変形例では3段以上であってもよい。また、変形例では、各側面で段差数が異なっていてもよい。
このように、本実施例4においても磁石132Xa及び132Xbの断面積が磁石中央(y=0)から各端部に近付くほど大きくなる。これにより、本実施例1や本実施例2と同様に、ホール素子132Xhが磁石の各端部に近付いたときにおける、ホール素子132Xhによって検出される磁束密度の減少が抑えられる。
図9(a)は図5(a)と同様の図であり、本発明の実施例5のX位置検出用センサ132Xの概略構成を示す。図9(b)は図5(b)と同様の図であり、本実施例5の磁石132Xa及び132Xbの端面を示す図である。図9(c)は、本実施例5の磁石132Xb(又は132Xb)の側面を示す図である。
図9(a)〜図9(c)から判るように、本実施例5の磁石132Xa及び132Xbも磁石中央(y=0)の断面積に対して磁石端(y=Y)の断面積が大きい。具体的には、本実施例5の磁石132Xa及び132Xbは、磁石中央(y=0)から各端部にかけて厚さ(z方向。高さでもある。)が連続的に厚くなり、かつz方向から視たときの形状が長手方向の中心軸を対称軸とする線対称となるように形成されている。また、本実施例5の磁石132Xa及び132Xbは、互いの側面間の距離が磁石中央(y=0)から各端部にかけて一定である。なお、本実施例5では、磁石132Xa及び132Xbの厚さの変化が連続的であるが、変形例では段階的であってもよい。
このように、本実施例5においても磁石132Xa及び132Xbの断面積が磁石中央(y=0)から各端部に近付くほど大きくなる。これにより、本実施例1や本実施例2と同様に、ホール素子132Xhが磁石の各端部に近付いたときにおける、ホール素子132Xhによって検出される磁束密度の減少が抑えられる。
以上が本発明の例示的な実施形態の説明である。本発明の実施形態は、上記に説明したものに限定されず、本発明の技術的思想の範囲において様々な変形が可能である。例えば明細書中に例示的に明示される実施形態等又は自明な実施形態等を適宜組み合わせた内容も本願の実施形態に含まれる。一例として、磁石132Xa及び132Xは、磁石中央(y=0)から各端部にかけて、幅が連続的又は段階的に広がると共に厚みが連続的又は段階的に厚くなる形状であってもよい(例えば実施例1と実施例5の組合せ)。
また、以上の各実施例では、XYの2軸の位置を検出するため、一対の位置検出用センサを備える構成となっているが、1つの位置検出用センサを備える1軸の位置を検出する構成も本発明の範疇である。
1 撮影装置
100 CPU
102 操作部
104 絞り・シャッタ駆動回路
106 撮影レンズ
108 絞り
110 シャッタ
112 イメージセンサ
114 信号処理回路
116 画像処理エンジン
118 バッファメモリ
120 カード用インタフェース
122 LCD制御回路
124 LCD
126 ROM
128 外部接続インタフェース
130 多軸ジャイロ
132 像ブレ補正機構
132A アクチュエータ
132S 移動ステージ
132X X位置検出用センサ
132Xa、132Xb 磁石
132Xh ホール素子
132Y Y位置検出用センサ
132Ya、132Yb 磁石
132Yh ホール素子
134 筐体
200 メモリカード
300 位置検出用装置
302a、302b 磁石
304 ホール素子

Claims (11)

  1. 所定の第一面において互いの長手方向が平行となる向きで所定の第一部材に取り付けられた一対の磁石と、
    前記第一面と対向する第二面において前記第一部材に対して相対移動可能な第二部材に取り付けられた磁気検出素子であって、前記一対の磁石と対向する位置に配置された磁気検出素子と、
    を備え、
    前記一対の磁石は、
    前記磁気検出素子に磁束を通過させる磁気回路を構成し、
    前記磁気検出素子が前記一対の磁石に対して前記長手方向に移動した際の、前記磁気検出素子で検出される磁束密度の分布の変化に伴う検出精度の低下であって、前記磁気検出素子によって検出される磁束密度に基づく、前記長手方向と直交する方向における対象物の位置の検出精度の低下が抑えられるように、前記長手方向の中央部の断面積に対して両端部の断面積が大きく形成されている
    前記対象物の位置を検出するための位置検出用装置。
  2. 前記磁石の長手方向を第一方向と定義し、前記第一方向と直交しかつ前記第一面に平行な方向を第二方向と定義した場合に、
    前記第一面において長手方向が前記第二方向と平行となる向きで前記第一部材に取り付けられた、前記一対の磁石とは別の一対の磁石と、
    前記別の一対の磁石と対向する前記第二面内の位置で前記第二部材に取り付けられた、前記磁気検出素子とは別の磁気検出素子と、
    更に備える、
    請求項1に記載の位置検出用装置。
  3. 前記一対の磁石は、
    互いに向き合う端部付近の側面間の距離が前記中央部付近の側面間の距離よりも短い、
    請求項1又は請求項2に記載の位置検出用装置。
  4. 前記一対の磁石は、
    互いの側面間の距離が前記中央部から各端部にかけて段階的又は連続的に短くなる、
    請求項3に記載の位置検出用装置。
  5. 前記磁石は、
    前記両端部の高さが前記中央部の高さよりも高い、
    請求項1から請求項4の何れか一項に記載の位置検出用装置。
  6. 前記磁石は、
    前記第一面と直交する方向から視たときの形状が、前記長手方向の中心軸を対称軸とする線対称となる、
    請求項1から請求項5の何れか一項に記載の位置検出用装置。
  7. 前記磁気検出素子は、
    ホール素子である、
    請求項1から請求項6の何れか一項に記載の位置検出用装置。
  8. 前記第一部材と前記第二部材とを相対移動させる移動手段
    を備える、
    請求項1から請求項7の何れか一項に記載の位置検出用装置。
  9. 対象物の位置を補正する位置補正装置において、
    請求項8に記載の位置検出用装置と、
    前記位置補正装置内に固定された前記第一部材及び前記第二部材の一方と、
    前記対象物に取り付けられた前記第一部材及び前記第二部材の他方と、
    前記磁気検出素子の出力に基づいて所定の物理量を演算する物理量演算手段と、
    を備え、
    前記移動手段は、
    前記物理量演算手段により演算された物理量に基づいて前記第一部材及び前記第二部材の他方の位置を移動させることにより、前記対象物の位置を補正する、
    位置補正装置。
  10. 撮像素子と、
    請求項9に記載の位置補正装置と、
    を備え、
    前記対象物は、
    前記撮像素子であり、
    前記物理量演算手段は、
    前記磁気検出素子の出力に基づいて前記撮像素子に結像される像のブレを補正するための移動量を演算し、
    前記移動手段は、
    演算された前記移動量に基づいて前記第一部材及び前記第二部材の他方と共に前記撮像素子を移動させることにより、前記像のブレを補正する、
    撮影装置。
  11. 前記第一部材及び前記第二部材の一方は、
    前記撮影装置の筐体であり、
    前記第一部材及び前記第二部材の他方は、
    前記撮像素子を移動させるステージである、
    請求項10に記載の撮影装置。
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