JP6307351B2 - ヘテロ接合電界効果トランジスタ現象を観察する方法及び装置 - Google Patents
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Claims (6)
- 半導体層を有するヘテロ接合電界効果トランジスタで生じる電流コラプス現象を観察する方法であって、
前記ヘテロ接合電界効果トランジスタがオフのときに、ドレイン電極とソース電極の間に電圧を印加する電圧印加工程と、
前記電圧印加工程の後に、前記ヘテロ接合電界効果トランジスタに光を照射し、前記光が照射された領域に発生する高次高調波の強度を検出する検出工程と、を備えており、
前記検出工程は、前記ヘテロ接合電界効果トランジスタがオンのときに行われ、少なくとも前記半導体層の深さ方向に分布する前記高次高調波の強度を検出する方法。 - 前記電圧印加工程と前記検出工程を含むサイクルを繰り返し、サイクル毎に検出される前記高次高調波の強度に応じた検出信号を積算する積算工程をさらに備える請求項1に記載の方法。
- 前記検出工程は、前記半導体層の面内方向に分布する前記高次高調波の強度を検出する請求項1又は2に記載の方法。
- 半導体層を有するヘテロ接合電界効果トランジスタで生じる電流コラプス現象を観察する装置であって、
前記ヘテロ接合電界効果トランジスタに光を照射する光照射装置と、
前記光が照射された領域に発生する高次高調波の強度を検出する検出装置と、
前記ヘテロ接合電界効果トランジスタに印加する電圧を生成する電圧生成装置と、
前記電圧生成装置及び前記光照射装置に接続されている制御装置と、を備えており、
前記制御装置は、
前記ヘテロ接合電界効果トランジスタがオフのときに、ドレイン電極とソース電極の間に電圧を印加する電圧印加工程と、
前記電圧印加工程の後に、前記ヘテロ接合電界効果トランジスタがオンのときに、前記ヘテロ接合電界効果トランジスタに前記光を照射し、前記光が照射された領域に発生する高次高調波の強度を検出する検出工程と、を実行するように前記電圧生成装置及び前記光照射装置を制御するように構成されており、
前記検出装置は、少なくとも前記半導体層の深さ方向に分布する前記高次高調波の強度を検出するように構成されている装置。 - 前記検出装置は、前記電圧印加工程と前記検出工程を含むサイクルが繰り返されたときに、サイクル毎に検出される前記高次高調波の強度に応じた検出信号を積算する積算手段を有する請求項4に記載の装置。
- 前記検出装置は、前記半導体層の面内方向に分布する前記高次高調波の強度を検出するように構成されている請求項4又は5に記載の装置。
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