JP6304127B2 - 単結晶の製造方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 102
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 43
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 142
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 77
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 77
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 73
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 73
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 32
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 23
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
CZ法により単結晶を製造する際には、例えば図3に示すような単結晶製造装置117を用いて製造される。この単結晶製造装置117は、多結晶原料を収容して溶融するための部材や、熱を遮断するための断熱部材などを有しており、これらは、メインチャンバー101内に収容されている。メインチャンバー101の天井部からは上に伸びる引上げチャンバー102が連接されており、この上部に単結晶103をワイヤー113で引上げる機構(不図示)が設けられている。
前記切電時の前記原料融液表面における前記石英ルツボの径方向の、中心と最外周との温度差ΔTrと、前記切電時の前記原料融液表面における前記石英ルツボの径方向の中心と、該中心の軸方向における前記石英ルツボの底との温度差ΔTzとを変化させたときの、前記原料融液の固化後における、前記黒鉛ルツボの割れの発生の有無との関係を求め、
該関係から、前記黒鉛ルツボの割れが発生しない前記ΔTr及び前記ΔTzの範囲を予め求めておき、
該範囲内の前記ΔTr及び前記ΔTzとなる切電条件を求め、該切電条件に基づいて、前記単結晶の引上げ後に切電し操業を終了することを特徴とする単結晶の製造方法を提供する。
CZ単結晶の製造において、経験的に、単結晶の引上げ後に、直ちに切電しても黒鉛ルツボが割れる恐れが少ない原料融液の量は、石英ルツボの口径によって異なり、石英ルツボの口径が大きいほど増加することが分かっている。
このように、黒鉛ルツボ6の割れを実際に確認することで、実用に適した、簡便な方法となる。
このようにすれば、湯漏れが発生しない条件から湯漏れが発生する条件にアプローチするので、より安全な確認方法と言える。
ただし本発明はこれに限定されず、例えば、ΔTr及びΔTzを小さくしていくように変化させてもよい。
当然、上記範囲のΔTr及びΔTzの値は限定されるものではなく、例えば、ルツボのサイズや使用する黒鉛ルツボ6の材質等に応じて変えることができる。
図2に示すような直径40インチ(約1010mm)の石英ルツボ5を装備した単結晶製造装置17を用いる場合について予備試験を行った。すなわち、切電時の原料融液4表面における石英ルツボ5の径方向の、中心と最外周との温度差ΔTrと、切電時の原料融液4表面における石英ルツボ5の径方向の中心と、該中心の軸方向における石英ルツボ5の底との温度差ΔTzとを変化させたときの、原料融液4の固化後における、黒鉛ルツボ6の割れの発生の有無との関係を求めた。
実施例1の単結晶製造装置の炉内上部のHZを変更し、予備試験も行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして、シリコン単結晶を引上げた。このとき、単結晶引上げ後の石英ルツボには、原料融液が約100kg残った。そして、ヒーターの発熱中心は実施例1と同様に原料融液の表面位置から上方に29mmとして、切電して原料融液を固化させた。
まず、比較例と同様にして単結晶の引上げを行った。その後、比較例の結果も考慮して、石英ルツボ内に残存した原料融液の表面の温度低下を防ぐため、育成した単結晶が通過する開口部先端(すなわち、図2のガス整流筒11の先端)から、石英ルツボ内に残存した原料融液の表面を50mm遠ざけ、数値解析上で、ΔTrが76.2K、ΔTzが38.7Kになるような切電条件とした。このとき、ヒーターの発熱中心は原料融液の表面位置から上方に89mmであった。そして、単結晶の引上げ後に、この切電条件で切電した。
実施例1と同様の単結晶製造装置を用いて、石英ルツボに原料融液が約150kg残ったこと以外は実施例1と同様にして、シリコン単結晶を引上げを行った。
5…石英ルツボ、 6…黒鉛ルツボ、 7…ヒーター、 8…断熱部材、
9…ガス流出口、 10… ガス導入口、 11…ガス整流筒、 12…遮熱部材、
13… ワイヤー、 14…種ホルダー、 15…種結晶、 16…シャフト、
17…単結晶製造装置。
Claims (4)
- 黒鉛ルツボにより支持された石英ルツボに収容された原料融液から、チョクラルスキー法により単結晶を引上げた後に、前記石英ルツボ内に前記原料融液が残存したままで切電し操業を終了して、前記原料融液を固化させる単結晶の製造方法であって、
前記切電時の前記原料融液表面における前記石英ルツボの径方向の、中心と最外周との温度差ΔTrと、前記切電時の前記原料融液表面における前記石英ルツボの径方向の中心と、該中心の軸方向における前記石英ルツボの底との温度差ΔTzとを変化させたときの、前記原料融液の固化後における、前記黒鉛ルツボの割れの発生の有無との関係を求め、
該関係から、前記黒鉛ルツボの割れが発生しない前記ΔTr及び前記ΔTzの範囲を予め求めておき、
該範囲内の前記ΔTr及び前記ΔTzとなる切電条件を求め、該切電条件に基づいて、前記単結晶の引上げ後に切電し操業を終了することを特徴とする単結晶の製造方法。 - 前記黒鉛ルツボの割れが発生しない前記ΔTrの範囲を77.9K以下とし、前記黒鉛ルツボの割れが発生しない前記ΔTzの範囲を41.9K以下とすることを特徴とする請求項1に記載の単結晶の製造方法。
- 前記石英ルツボの直径を、900mm以上とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の単結晶の製造方法。
- 前記切電条件を、前記黒鉛ルツボにより支持された前記石英ルツボの位置、及び、前記石英ルツボ及び前記黒鉛ルツボを囲繞するように配置されたヒーターの位置のうちのいずれか1つ以上とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015108926A JP6304127B2 (ja) | 2015-05-28 | 2015-05-28 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015108926A JP6304127B2 (ja) | 2015-05-28 | 2015-05-28 | 単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016222480A JP2016222480A (ja) | 2016-12-28 |
JP6304127B2 true JP6304127B2 (ja) | 2018-04-04 |
Family
ID=57747141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015108926A Active JP6304127B2 (ja) | 2015-05-28 | 2015-05-28 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6304127B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3109950B2 (ja) * | 1993-11-01 | 2000-11-20 | コマツ電子金属株式会社 | 半導体単結晶の育成方法 |
JPH11190662A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶引上炉内融液の表面温度測定方法及び該方法に用いる装置 |
JP2000016893A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-18 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 単結晶引上方法および単結晶引上装置 |
JP4461699B2 (ja) * | 2003-04-14 | 2010-05-12 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法 |
JP4770776B2 (ja) * | 2007-04-11 | 2011-09-14 | 信越半導体株式会社 | ルツボ内残融液の固化方法 |
JP4862826B2 (ja) * | 2008-01-08 | 2012-01-25 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置 |
-
2015
- 2015-05-28 JP JP2015108926A patent/JP6304127B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016222480A (ja) | 2016-12-28 |
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