JP6301595B2 - Wiring board and method for manufacturing multilayer wiring board - Google Patents

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Description

本発明は、基板本体とビア導体とランドとを備える配線基板、及び、基板本体を準備する基板本体準備工程と、ビア導体を形成するビア導体形成工程と、ランドを形成するランド形成工程と、配線積層部を形成する配線積層部形成工程とを含む多層配線基板の製造方法に関するものである。   The present invention is a wiring board comprising a substrate body, a via conductor and a land, a substrate body preparation step for preparing the substrate body, a via conductor formation step for forming a via conductor, a land formation step for forming a land, The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board including a wiring laminated portion forming step for forming a wiring laminated portion.

近年、電気機器、電子機器の小型化に伴い、これらの機器に搭載される多層配線基板にも小型化や高密度化が要求されている。このような多層配線基板としては、例えば、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造を有するビルドアップ層をコア基板の両面に形成したものが実用化されている。そして、従来では、信頼性を向上させるために、クラック等の不具合を検出する技術が種々提案されている(例えば特許文献1,2参照)。具体的に言うと、特許文献1には、半導体集積回路素子の表面外周部に設けた検査用配線(導電体パターン)を用いて、半導体集積回路素子に発生する割れや欠けを検出する技術が提案されている。また、特許文献2には、配線基板の表面外周部に設けた検査用配線(配線パターン)を用いて、多数個取り用基板を個々の配線基板に分割する工程において発生するクラックを検出する技術が提案されている。   In recent years, with the miniaturization of electrical equipment and electronic equipment, miniaturization and high density are demanded for multilayer wiring boards mounted on these equipments. As such a multilayer wiring substrate, for example, a substrate in which a buildup layer having a structure in which a resin insulating layer and a conductor layer are laminated is formed on both surfaces of a core substrate has been put into practical use. Conventionally, various techniques for detecting defects such as cracks have been proposed in order to improve reliability (see, for example, Patent Documents 1 and 2). Specifically, Patent Document 1 discloses a technique for detecting cracks and chips generated in a semiconductor integrated circuit element using inspection wiring (conductor pattern) provided on the outer periphery of the surface of the semiconductor integrated circuit element. Proposed. Patent Document 2 discloses a technique for detecting a crack generated in a process of dividing a multi-chip substrate into individual wiring boards using inspection wiring (wiring patterns) provided on the outer periphery of the surface of the wiring board. Has been proposed.

特開平6−244254号公報(図1等)JP-A-6-244254 (FIG. 1 etc.) 特開2005−347651号公報(図2等)Japanese Patent Laying-Open No. 2005-347651 (FIG. 2 etc.)

ところで、近年、多層配線基板のさらなる小型化や高密度化が要求されており、例えば、コア基板をガラス基板にすることが考えられている。ガラス基板は、基板主面及び基板裏面の平坦度が高いため、寸法精度が高く、配線の微細化に有利だからである。   Incidentally, in recent years, there has been a demand for further downsizing and higher density of the multilayer wiring board. For example, it is considered that the core board is made of a glass substrate. This is because the glass substrate has high flatness on the main surface and the back surface of the substrate, and therefore has high dimensional accuracy and is advantageous for miniaturization of wiring.

しかし、コア基板がガラス基板である場合、特許文献1,2に記載の従来技術を採用すると、以下の問題が生じてしまう。即ち、コア基板に基板主面及び基板裏面にて開口する貫通孔を設け、貫通孔内にビア導体を形成する場合、コア基板が割れやすいガラスからなるため、ガラス部分に貫通孔を起点としたクラックが発生するおそれがある。よって、特許文献1,2に記載の従来技術を採用して、基板主面の外周部に検査用配線を形成したとしても、コア基板の中央部(貫通孔の形成領域)に発生したクラックを検出するには不十分である。この場合、不具合があるコア基板を用いて多層配線基板が製造される可能性が高いため、多層配線基板の歩留まりが低下し、多層配線基板に必要とされる所定の信頼性を付与できないという問題がある。   However, when the core substrate is a glass substrate, the following problems occur when the conventional techniques described in Patent Documents 1 and 2 are adopted. That is, when the core substrate is provided with through holes that open on the main surface and the back surface of the substrate, and via conductors are formed in the through holes, the core substrate is made of glass that is easily broken, so the through hole is the starting point in the glass portion. There is a risk of cracking. Therefore, even if the conventional technology described in Patent Documents 1 and 2 is employed and the inspection wiring is formed on the outer peripheral portion of the substrate main surface, the cracks generated in the central portion (through hole formation region) of the core substrate are not generated. Not enough to detect. In this case, since there is a high possibility that a multilayer wiring board is manufactured using a defective core substrate, the yield of the multilayer wiring board is reduced, and the predetermined reliability required for the multilayer wiring board cannot be provided. There is.

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その第1の目的は、不具合を確実に検出することにより、信頼性の向上を図ることが可能な配線基板を提供することにある。また、第2の目的は、歩留まりを向上させることにより、信頼性に優れた多層配線基板を製造することが可能な多層配線基板の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and a first object of the present invention is to provide a wiring board capable of improving reliability by reliably detecting defects. A second object is to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board capable of manufacturing a multilayer wiring board having excellent reliability by improving the yield.

上記課題を解決するための手段(手段1)としては、基板主面及び基板裏面を有し、前記基板主面及び前記基板裏面にて開口する複数の貫通孔を有し、絶縁性を有する無機材料を含む基板本体と、前記複数の貫通孔内に形成される複数のビア導体と、前記複数のビア導体における前記基板主面側端部及び前記基板裏面側端部に接続される複数のランドとを備える配線基板であって、前記基板主面及び前記基板裏面の少なくとも一方の上に、基板面方向に沿って延びる延設配線が形成され、前記延設配線の少なくとも一部は隣接する前記複数のランド間に配置され、前記延設配線の厚さが前記ランドの厚さよりも薄くなっており、前記基板主面の外周部全体及び前記基板裏面の外周部全体に、前記基板本体を介して互いに向かい合うようにダミー電極が形成され、前記ダミー電極が、前記延設配線及び前記ランドから電気的に独立し、前記基板主面側のダミー電極と前記基板裏面側のダミー電極とが互いに電気的に独立していることを特徴とする配線基板がある。 As means (means 1) for solving the above-mentioned problem, the substrate has a substrate main surface and a substrate back surface, and has a plurality of through holes opened at the substrate main surface and the substrate back surface, and has an insulating property. A substrate body including a material; a plurality of via conductors formed in the plurality of through holes; and a plurality of lands connected to the substrate main surface side end and the substrate back surface side end of the plurality of via conductors. An extended wiring extending along a substrate surface direction is formed on at least one of the substrate main surface and the back surface of the substrate, and at least a part of the extended wiring is adjacent to the wiring substrate. The extended wiring is disposed between a plurality of lands, and the thickness of the extended wiring is thinner than the thickness of the lands. The entire outer periphery of the substrate main surface and the entire outer periphery of the back surface of the substrate are interposed through the substrate body. Dami to face each other Electrodes are formed, the dummy electrode is electrically independent of the extension設配line and the land, and the dummy electrodes of the substrate main surface and the back surface side of the substrate of the dummy electrode are electrically independent of each other There is a wiring board characterized by this.

従って、手段1に記載の発明によると、延設配線の少なくとも一部が隣接する複数のランド間に配置されている。即ち、延設配線は、基板本体において不具合(具体的には、貫通孔を起点としたクラックの発生など)が生じやすい箇所の近傍に配置されている。このため、延設配線が検査用の配線であれば、延設配線の導通状態を測定して得られた測定結果に基づいて、不具合が生じているか否かを確実に検出することができる。ゆえに、配線基板の信頼性を向上させることができる。   Therefore, according to the invention described in the means 1, at least a part of the extended wiring is arranged between a plurality of adjacent lands. That is, the extended wiring is disposed in the vicinity of a location where a defect (specifically, generation of a crack starting from the through hole) is likely to occur in the substrate body. For this reason, if the extended wiring is a wiring for inspection, it is possible to reliably detect whether or not a failure has occurred based on the measurement result obtained by measuring the conduction state of the extended wiring. Therefore, the reliability of the wiring board can be improved.

配線基板は、基板主面及び基板裏面を有し、基板主面及び基板裏面にて開口する複数の貫通孔を有する基板本体を備える。基板本体の形成材料は、絶縁性を有する無機材料を含むものであれば特に限定される訳ではなく、コスト性、加工性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。よって、基板本体としては、例えば、セラミック基板やガラス基板などが挙げられる。なお、セラミック基板の形成材料としては、低温焼成ガラスセラミック、ガラスセラミック等が好適に使用される。また、ガラス基板の形成材料としては、ホウケイ酸ガラス、低温焼成ガラスセラミック、ガラスセラミック等が好適に使用される。なお、基板本体が、絶縁性及び平滑性に優れたガラスからなるガラス基板であれば、基板本体が例えば樹脂基板である場合よりも狭ピッチで基板本体に貫通孔を形成できるため、配線基板に設けられる配線の自由度が大きくなる。   The wiring board includes a substrate body having a substrate main surface and a substrate back surface, and having a plurality of through-holes that open at the substrate main surface and the substrate back surface. The material for forming the substrate body is not particularly limited as long as it includes an inorganic material having an insulating property, and can be appropriately selected in consideration of cost, workability, mechanical strength, and the like. Therefore, examples of the substrate body include a ceramic substrate and a glass substrate. As a material for forming the ceramic substrate, low-temperature fired glass ceramic, glass ceramic, or the like is preferably used. Further, borosilicate glass, low-temperature fired glass ceramic, glass ceramic or the like is preferably used as a material for forming the glass substrate. If the substrate body is a glass substrate made of glass having excellent insulation and smoothness, through holes can be formed in the substrate body at a narrower pitch than when the substrate body is, for example, a resin substrate. The degree of freedom of wiring provided is increased.

ここで、基板本体の厚さは特に限定されないが、例えば10μm以上400μm以下であることがよい。仮に、基板本体の厚さが10μm未満になると、基板本体が薄くなりすぎるため、基板本体の強度が低下して破損する可能性がある。一方、基板本体の厚さが400μmよりも大きくなると、基板本体、ひいては配線基板が肉厚になってしまう。   Here, the thickness of the substrate main body is not particularly limited, but may be, for example, 10 μm or more and 400 μm or less. If the thickness of the substrate main body is less than 10 μm, the substrate main body becomes too thin, so that the strength of the substrate main body may be reduced and damaged. On the other hand, when the thickness of the substrate main body is larger than 400 μm, the substrate main body, and consequently the wiring substrate, becomes thick.

上記配線基板を構成する複数のビア導体は、複数の貫通孔内に形成される。かかるビア導体は、例えば、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ニッケル(Ni)、スズ(Sn)、鉛(Pb)、タングステン(W)などからなる導電性金属を用いてめっきを施すことにより形成される。   The plurality of via conductors constituting the wiring board are formed in the plurality of through holes. Such via conductors are, for example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), platinum (Pt), palladium (Pd), nickel (Ni), tin (Sn), lead (Pb), tungsten (W ) Or the like.

上記配線基板を構成する複数のランドは、複数のビア導体における基板主面側端部及び基板裏面側端部に接続される。ランドは主として銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。具体的に言うと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやCVD等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことでランドを形成したり、導電性ペースト等の印刷によりランドを形成したりすることも可能である。   The plurality of lands constituting the wiring board are connected to the substrate main surface side end and the substrate back surface side end of the plurality of via conductors. The land is mainly made of copper, and is formed by a known method such as a subtractive method, a semi-additive method, or a full additive method. Specifically, for example, techniques such as etching of copper foil, electroless copper plating, or electrolytic copper plating are applied. Note that a land can be formed by etching after forming a thin film by a technique such as sputtering or CVD, or a land can be formed by printing a conductive paste or the like.

さらに、基板主面及び基板裏面の少なくとも一方の上には、基板面方向に沿って延びる延設配線が形成される。延設配線は主として銅からなり、スパッタ、CVDなどといった公知の手法によって形成される。また、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっき等の手法により延設配線を形成したり、導電性ペースト等の印刷により延設配線を形成したりすることも可能である。なお、延設配線は、ランドと同じ導電性材料を主体として形成されることが好ましい。このようにすれば、延設配線の形成に際してランドとは別の材料を準備しなくても済む。よって、配線基板の製造に必要な材料が少なくなるため、配線基板の低コスト化を図ることが可能となる。   Furthermore, an extended wiring extending along the substrate surface direction is formed on at least one of the substrate main surface and the substrate back surface. The extended wiring is mainly made of copper and is formed by a known method such as sputtering or CVD. It is also possible to form an extended wiring by a technique such as etching of copper foil, electroless copper plating or electrolytic copper plating, or to form an extended wiring by printing a conductive paste or the like. The extended wiring is preferably formed mainly of the same conductive material as the land. In this way, it is not necessary to prepare a material different from the land when forming the extended wiring. Therefore, since the material necessary for manufacturing the wiring board is reduced, the cost of the wiring board can be reduced.

ここで、延設配線の幅は特に限定されないが、例えば10μm以下であることがよい。また、延設配線の厚さも特に限定されないが、例えば1μm以下であることがよい。延設配線の幅が10μm以下、延設配線の厚さが1μm以下になると、基板本体の変形に伴ってクラック等の不具合が生じる際に切断されやすくなるため、延設配線の導通状態が変化しやすくなり、基板本体の不具合を検出しやすくなる。   Here, the width of the extended wiring is not particularly limited, but is preferably 10 μm or less, for example. Also, the thickness of the extended wiring is not particularly limited, but is preferably 1 μm or less, for example. If the width of the extended wiring is 10 μm or less and the thickness of the extended wiring is 1 μm or less, it becomes easy to be cut when a defect such as a crack occurs due to the deformation of the substrate body, so the conduction state of the extended wiring changes. This makes it easier to detect defects in the board body.

なお、延設配線は、基板主面及び基板裏面の両方に形成されていることがよい。このようにすれば、クラック等の不具合が、基板本体の基板主面付近及び基板裏面付近のどちらに生じたとしても、確実に不具合を検出することができる。また、延設配線は、基板主面及び基板裏面の少なくとも一方において複数系統存在していてもよい。このようにすれば、不具合を検査する前の時点で既に破損している延設配線があったとしても、他の延設配線を用いて不具合を確実に検出することができる。   The extended wiring is preferably formed on both the substrate main surface and the substrate back surface. In this way, even if a defect such as a crack occurs near the substrate main surface or near the back surface of the substrate body, the defect can be reliably detected. Moreover, the extended wiring may exist in a plurality of systems on at least one of the substrate main surface and the substrate back surface. In this way, even if there is an extended wiring that has already been damaged before the defect is inspected, it is possible to reliably detect the defect using another extended wiring.

さらに、延設配線は、検査用治具が当接可能な幅広の検査部を複数有していてもよい。このようにした場合、延設配線よりも幅広の検査部に検査用治具を当接させることによって、延設配線の導通状態を測定するため、得られた測定値に基づいて不具合を確実に検出することができる。なお、検査部の位置は特に限定される訳ではない。例えば、検査部は、延設配線の端部に設けられていてもよいし、延設配線の中間部分に設けられていてもよいが、特には、延設配線の端部に設けられていることがよく、さらには、基板主面の外周部及び基板裏面の外周部の少なくとも一方に配置されていることがよい。このようにすれば、基板主面上や基板裏面上に位置するランドを避けて検査部を配置できるため、検査部に検査用治具を当接させやすくなる。   Furthermore, the extended wiring may have a plurality of wide inspection portions that can contact the inspection jig. In this case, since the inspection jig is brought into contact with the inspection section wider than the extension wiring, the conduction state of the extension wiring is measured, so that the defect is surely determined based on the obtained measurement value. Can be detected. Note that the position of the inspection unit is not particularly limited. For example, the inspection section may be provided at the end of the extended wiring, or may be provided at an intermediate portion of the extended wiring, but is particularly provided at the end of the extended wiring. Further, it is preferable that they are arranged on at least one of the outer peripheral portion of the substrate main surface and the outer peripheral portion of the substrate back surface. In this way, since the inspection part can be arranged avoiding the lands located on the main surface of the substrate or the back surface of the substrate, the inspection jig can be easily brought into contact with the inspection part.

また、基板主面の外周部全体及び基板裏面の外周部全体に、基板本体を介して互いに向かい合うようにダミー電極が形成され、ダミー電極が、延設配線及びランドから電気的に独立し、基板主面側のダミー電極と基板裏面側のダミー電極とが互いに電気的に独立してい。このようにすれば、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部を、基板主面上及び基板裏面上の少なくとも一方に形成した場合に、基板本体に形成されたダミー電極と樹脂絶縁層との接触面積が大きくなり、基板本体と樹脂絶縁層との密着性が向上するため、樹脂絶縁層の剥離(デラミネーション)が発生しにくくなる。また、延設配線の導通状態を測定して得られた測定値に基づいて不具合を検出するだけでなく、基板主面側のダミー電極と基板裏面側のダミー電極との間の静電容量を測定することによっても、得られた測定値に基づいて不具合(具体的には、ダミー電極の剥離や、基板本体内でのクラックの発生)を検出することができる。ゆえに、配線基板の信頼性をよりいっそう向上させることができる。さらに、樹脂絶縁層の剥離は、基板本体の外周部で最も生じやすくなっている。また、配線基板の製造時には、基板本体の側面(基板側面)に衝撃が加わることが多い。そこで、上記のように、基板主面の外周部全体及び基板裏面の外周部全体をダミー電極で覆うようにすれば、樹脂絶縁層の剥離や製造時における基板本体の破損を防止できるため、配線基板の信頼性をよりいっそう向上させることができる。 Also, dummy electrodes are formed on the entire outer peripheral portion of the substrate main surface and the entire outer peripheral portion of the back surface of the substrate so as to face each other via the substrate body, and the dummy electrodes are electrically independent from the extended wiring and the land, the dummy electrode and the substrate rear surface side of the dummy electrodes on the main surface side is that not electrically independent of each other. In this case, when the wiring laminated portion having a structure in which the resin insulating layer and the conductor layer are laminated is formed on at least one of the main surface of the substrate and the back surface of the substrate, the dummy electrode formed on the substrate body and the resin are formed. Since the contact area with the insulating layer is increased and the adhesion between the substrate body and the resin insulating layer is improved, peeling (delamination) of the resin insulating layer is less likely to occur. In addition to detecting defects based on the measured values obtained by measuring the conductive state of the extended wiring, the capacitance between the dummy electrode on the substrate main surface side and the dummy electrode on the back surface side of the substrate is Also by measuring, it is possible to detect a defect (specifically, peeling of a dummy electrode or generation of a crack in the substrate body) based on the obtained measurement value. Therefore, the reliability of the wiring board can be further improved. Furthermore, peeling of the resin insulating layer is most likely to occur at the outer peripheral portion of the substrate body. Further, when manufacturing a wiring board, an impact is often applied to the side surface (substrate side surface) of the substrate body. Therefore, if the entire outer periphery of the substrate main surface and the entire outer periphery of the back surface of the substrate are covered with dummy electrodes as described above, it is possible to prevent peeling of the resin insulation layer and damage to the substrate body during manufacturing. The reliability of the substrate can be further improved.

ここで、「ダミー電極」とは、導電体で形成されているものの、基本的に電極としては機能しないものをいい、他の電極と電気的及び物理的に接続されないものである。ダミー電極は主として銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。具体的に言うと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやCVD等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことでダミー電極を形成したり、導電性ペースト等の印刷によりダミー電極を形成したりすることも可能である。   Here, the “dummy electrode” is formed of a conductor, but basically does not function as an electrode, and is not electrically and physically connected to other electrodes. The dummy electrode is mainly made of copper, and is formed by a known method such as a subtractive method, a semi-additive method, or a full additive method. Specifically, for example, techniques such as etching of copper foil, electroless copper plating, or electrolytic copper plating are applied. Note that a dummy electrode can be formed by etching after forming a thin film by a technique such as sputtering or CVD, or a dummy electrode can be formed by printing a conductive paste or the like.

上記課題を解決するための別の手段(手段2)としては、基板主面及び基板裏面を有し、前記基板主面及び前記基板裏面にて開口する複数の貫通孔を有し、絶縁性を有する無機材料を含む基板本体を準備する基板本体準備工程と、前記基板本体準備工程後、前記複数の貫通孔内に複数のビア導体を形成するビア導体形成工程と、前記ビア導体形成工程後、前記複数のビア導体における前記基板主面側端部及び前記基板裏面側端部に接続される複数のランドを形成するランド形成工程と、前記ランド形成工程後、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部を、前記基板主面上及び前記基板裏面上の少なくとも一方に形成する配線積層部形成工程とを含む多層配線基板の製造方法において、前記基板本体準備工程後かつ前記配線積層部形成工程前に、前記基板主面及び前記基板裏面の少なくとも一方に、基板面方向に沿って延び、隣接する前記複数のランド間に少なくとも一部が位置する延設配線を形成する延設配線形成工程を行い、前記延設配線形成工程後かつ前記配線積層部形成工程前に、前記延設配線の導通状態を検査する検査工程を行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。 As another means (means 2) for solving the above-mentioned problem, the substrate has a substrate main surface and a substrate back surface, and has a plurality of through holes opened in the substrate main surface and the substrate back surface, and has an insulating property. Substrate body preparation step of preparing a substrate body containing an inorganic material having, after the substrate body preparation step, via conductor formation step of forming a plurality of via conductors in the plurality of through holes, after the via conductor formation step, A land forming step for forming a plurality of lands connected to the substrate main surface side end portion and the substrate back surface side end portion in the plurality of via conductors, and after the land forming step, a resin insulating layer and a conductor layer are laminated. In a method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising: a wiring laminated part forming step of forming a wiring laminated part having a structure on at least one of the substrate main surface and the substrate back surface. Before the part forming step, the extended wiring that extends along at least one of the substrate main surface and the back surface of the substrate along the substrate surface direction and at least part of which is located between the adjacent lands is formed. There is a manufacturing method of a multilayer wiring board characterized in that a forming process is performed, and an inspection process for inspecting a conductive state of the extended wiring is performed after the extended wiring forming process and before the wiring laminated portion forming process .

従って、手段2に記載の発明によると、延設配線形成工程において、隣接する複数のランド間に少なくとも一部が位置する延設配線を形成することにより、延設配線が、基板本体において不具合(具体的には、貫通孔を起点としたクラックの発生など)が生じやすい箇所の近傍に配置されるようになる。このため、延設配線の導通状態を測定して得られた測定結果に基づいて、不具合が生じているか否かを確実に検出することができる。ゆえに、不具合がある基板本体を用いて多層配線基板が製造されてしまう、といった問題が未然に防止されるため、多層配線基板の歩留まりを向上させることができる。以上のことから、信頼性に優れた多層配線基板を製造することができる。   Therefore, according to the invention described in the means 2, in the extended wiring forming step, the extended wiring is formed in the substrate main body by forming at least a part of the extended wiring between the adjacent lands. Specifically, it is arranged in the vicinity of a place where a crack is likely to occur). For this reason, based on the measurement result obtained by measuring the conductive state of the extended wiring, it is possible to reliably detect whether or not a failure has occurred. Therefore, the problem that the multilayer wiring board is manufactured using the defective substrate body is prevented in advance, so that the yield of the multilayer wiring board can be improved. From the above, a multilayer wiring board with excellent reliability can be manufactured.

以下、多層配線基板の製造方法について説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing a multilayer wiring board will be described.

基板本体準備工程では、基板主面及び基板裏面を有し、基板主面及び基板裏面にて開口する複数の貫通孔を有し、絶縁性を有する無機材料を含む基板本体を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。続くビア導体形成工程では、複数の貫通孔内に複数のビア導体を形成し、続くランド形成工程では、複数のビア導体における基板主面側端部及び基板裏面側端部に接続される複数のランドを形成する。   In the substrate main body preparation step, a substrate main body having a substrate main surface and a substrate back surface, having a plurality of through-holes opened on the substrate main surface and the substrate back surface, and including an insulating inorganic material by a conventionally known method Prepare and prepare in advance. In the subsequent via conductor forming step, a plurality of via conductors are formed in the plurality of through holes, and in the subsequent land forming step, a plurality of via conductors connected to the substrate main surface side end and the substrate back surface side end. Form a land.

続く配線積層部形成工程では、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部を、基板主面上及び基板裏面上の少なくとも一方に形成する。樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。また、導体層は、主として銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。   In the subsequent wiring laminated portion forming step, a wiring laminated portion having a structure in which a resin insulating layer and a conductor layer are laminated is formed on at least one of the substrate main surface and the substrate back surface. The resin insulation layer can be appropriately selected in consideration of insulation, heat resistance, moisture resistance, and the like. Preferred examples of the polymer material for forming the resin insulation layer include thermosetting resins such as epoxy resin, phenol resin, urethane resin, silicone resin, polyimide resin, polycarbonate resin, acrylic resin, polyacetal resin, polypropylene resin, etc. And other thermoplastic resins. The conductor layer is mainly made of copper and is formed by a known method such as a subtractive method, a semi-additive method, or a full additive method.

なお、基板本体準備工程後かつ配線積層部形成工程前には、基板主面及び基板裏面の少なくとも一方に、基板面方向に沿って延び、隣接する複数のランド間に少なくとも一部が位置する延設配線を形成する延設配線形成工程が行われる。以上のプロセスを経て、多層配線基板が製造される。   Note that after the substrate body preparation step and before the wiring laminated portion formation step, the extension extends along at least one of the substrate main surface and the substrate back surface along the substrate surface direction, and at least a part thereof is positioned between a plurality of adjacent lands. An extended wiring forming process for forming the installed wiring is performed. A multilayer wiring board is manufactured through the above processes.

本実施形態における多層配線基板を示す概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view showing a multilayer wiring board in the present embodiment. 延設配線が形成されたコア基板を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the core board | substrate with which the extended wiring was formed. 多層配線基板の製造方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing method of a multilayer wiring board. 多層配線基板の製造方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing method of a multilayer wiring board. 多層配線基板の製造方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing method of a multilayer wiring board. 多層配線基板の製造方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing method of a multilayer wiring board. 多層配線基板の製造方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing method of a multilayer wiring board. 多層配線基板の製造方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing method of a multilayer wiring board. 他の実施形態において延設配線が形成されたコア基板を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the core board | substrate with which the extended wiring was formed in other embodiment. 他の実施形態において延設配線が形成されたコア基板を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the core board | substrate with which the extended wiring was formed in other embodiment. 他の実施形態において延設配線が形成されたコア基板を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the core board | substrate with which the extended wiring was formed in other embodiment.

以下、本発明の多層配線基板10を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。   Hereinafter, an embodiment embodying the multilayer wiring board 10 of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1に示されるように、本実施形態の多層配線基板10は、ICチップ搭載用のガラスインターポーザ(ガラス中継基板)である。多層配線基板10は、略矩形板状のコア基板11(基板本体)と、コア基板11の基板主面12(図1では上面)に形成される主面側ビルドアップ層31(配線積層部)と、コア基板11の基板裏面13(図1では下面)上に形成される裏面側ビルドアップ層32(配線積層部)とからなる。   As shown in FIG. 1, the multilayer wiring board 10 of the present embodiment is a glass interposer (glass relay board) for mounting an IC chip. The multilayer wiring substrate 10 includes a substantially rectangular plate-shaped core substrate 11 (substrate body) and a main surface side build-up layer 31 (wiring laminated portion) formed on the substrate main surface 12 (upper surface in FIG. 1) of the core substrate 11. And a back-side buildup layer 32 (wiring laminate) formed on the substrate back surface 13 (the lower surface in FIG. 1) of the core substrate 11.

図1,図2に示されるように、コア基板11は、1つの基板主面12、1つの基板裏面13、及び、4つの基板側面14を有し、略矩形板状をなしている。本実施形態のコア基板11は、絶縁性を有する無機材料(本実施形態ではホウケイ酸ガラス)からなるガラス基板である。なお、コア基板11の大きさは、縦10mm×横10mmに設定されている。また、コア基板11の厚さは、10μm以上400μm以下(本実施形態では100μm)に設定されている。本実施形態において、コア基板11の熱膨張係数は、15ppm/℃未満、具体的には4〜5ppm/℃程度となっている。なお、コア基板11の熱膨張係数は、30℃〜400℃間の測定値の平均値をいう。   As shown in FIGS. 1 and 2, the core substrate 11 has one substrate main surface 12, one substrate back surface 13, and four substrate side surfaces 14, and has a substantially rectangular plate shape. The core substrate 11 of this embodiment is a glass substrate made of an insulating inorganic material (in this embodiment, borosilicate glass). The size of the core substrate 11 is set to 10 mm long × 10 mm wide. The thickness of the core substrate 11 is set to 10 μm or more and 400 μm or less (100 μm in this embodiment). In this embodiment, the thermal expansion coefficient of the core substrate 11 is less than 15 ppm / ° C., specifically about 4 to 5 ppm / ° C. In addition, the thermal expansion coefficient of the core board | substrate 11 says the average value of the measured value between 30 degreeC-400 degreeC.

また、コア基板11には、基板主面12及び基板裏面13の両方にて開口する複数の貫通孔15が格子状に形成されている。各貫通孔15は、平面視円形状をなし、基板主面12側及び基板裏面13側のそれぞれに向かうに従って徐々に内径が大きくなる両テーパ状をなしている。そして、かかる貫通孔15内には、銅からなるビア導体16が設けられている。なお、本実施形態では、説明の便宜上、ビア導体16を3列×3列で図示したが、実際にはさらに多くの列(具体的には、10列×10列)が存在している。また、隣接するビア導体16の中心間距離(ピッチ)は、400μmに設定されている。   The core substrate 11 is formed with a plurality of through-holes 15 that are open in both the substrate main surface 12 and the substrate back surface 13 in a lattice shape. Each through-hole 15 has a circular shape in plan view, and has a double taper shape in which the inner diameter gradually increases toward the substrate main surface 12 side and the substrate back surface 13 side. A via conductor 16 made of copper is provided in the through hole 15. In the present embodiment, for convenience of explanation, the via conductors 16 are illustrated in 3 columns × 3 columns, but actually there are more columns (specifically, 10 columns × 10 columns). The distance (pitch) between the centers of adjacent via conductors 16 is set to 400 μm.

図1,図2に示されるように、コア基板11の基板主面12上には、平面視円形状をなす主面側ランド21が基板主面12の面方向に沿って縦横に複数配列され、コア基板11の基板裏面13上には、同じく平面視円形状をなす裏面側ランド22が基板裏面13の面方向に沿って縦横に複数配列されている。各主面側ランド21は、各ビア導体16における基板主面12側端部に電気的に接続され、各裏面側ランド22は、各ビア導体16における基板裏面13側端部に電気的に接続されている。なお、各ランド21,22の外径は、ビア導体16の最大径(本実施形態では100μm)よりも大きく(本実施形態では150μm)設定されている。また、本実施形態における各ランド21,22の厚さは、10μmに設定されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, on the substrate main surface 12 of the core substrate 11, a plurality of main surface side lands 21 having a circular shape in plan view are arranged vertically and horizontally along the surface direction of the substrate main surface 12. On the substrate back surface 13 of the core substrate 11, a plurality of back surface lands 22 having a circular shape in plan view are arranged vertically and horizontally along the surface direction of the substrate back surface 13. Each main surface side land 21 is electrically connected to an end portion of each via conductor 16 on the substrate main surface 12 side, and each back surface land 22 is electrically connected to an end portion of each via conductor 16 on the substrate back surface 13 side. Has been. The outer diameters of the lands 21 and 22 are set to be larger (150 μm in this embodiment) than the maximum diameter of the via conductor 16 (100 μm in this embodiment). In addition, the thickness of each land 21 and 22 in this embodiment is set to 10 μm.

また、コア基板11の基板主面12の上には、銅からなる主面側延設配線81がパターン形成され、コア基板11の基板裏面13の上には、同じく銅からなる裏面側延設配線82がパターン形成されている。即ち、延設配線81,82は、基板主面12及び基板裏面13の両方に形成されている。また、延設配線81,82は、幅5μm×厚さ1μmの線状をなし、基板面方向に沿って延びている。詳述すると、主面側延設配線81は、基板主面12において1系統のみ存在しており、基板面方向に沿って一直線に延びる複数の直線部86と、直線部86同士を直交した状態で接続する複数の接続部87とからなっている。主面側延設配線81は、隣接する主面側ランド21間に一部が配置され、主面側ランド21と述するダミー電極51との間に残りの部分が配置されている。一方、裏面側延設配線82は、基板裏面13において1系統のみ存在しており、基板面方向に沿って一直線に延びる直線部(図示略)と、直線部同士を直交した状態で接続する接続部(図示略)とを有している。裏面側延設配線82は、隣接する裏面側ランド22間に一部が配置され、裏面側ランド22と後述するダミー電極52との間に残りの部分が配置されている。なお、裏面側延設配線82は、主面側延設配線81と同じ平面形状をなしている。 A main surface side extended wiring 81 made of copper is patterned on the substrate main surface 12 of the core substrate 11, and a back surface side extension made of copper is also formed on the substrate back surface 13 of the core substrate 11. The wiring 82 is patterned. That is, the extended wirings 81 and 82 are formed on both the substrate main surface 12 and the substrate back surface 13. The extended wirings 81 and 82 have a linear shape with a width of 5 μm and a thickness of 1 μm, and extend along the substrate surface direction. More specifically, the main surface side extended wiring 81 exists only in one system on the substrate main surface 12, and a plurality of straight portions 86 extending in a straight line along the substrate surface direction and the straight portions 86 are orthogonal to each other. And a plurality of connecting portions 87 to be connected. Major surface extending設配line 81 is disposed a portion between the adjacent main-surface-side lands 21, the remaining portion is disposed between the dummy electrode 51 discussed later with the main surface-side lands 21. On the other hand, the back surface side extended wiring 82 exists in only one system on the back surface 13 of the substrate, and a straight line portion (not shown) that extends straight along the substrate surface direction and a connection that connects the straight line portions in an orthogonal state. Part (not shown). A part of the back side extended wiring 82 is arranged between the adjacent back side lands 22, and the remaining part is arranged between the back side land 22 and a dummy electrode 52 described later. The back surface side extended wiring 82 has the same planar shape as the main surface side extended wire 81.

図2に示されるように、主面側延設配線81は、検査用治具であるプローブ85(図6参照)が当接可能な主面側検査部83,84を2箇所に有している。主面側検査部83,84は、縦1mm×横1mmの平面視矩形状をなし、主面側延設配線81における他の部分よりも幅広になっている。主面側検査部83,84は、主面側延設配線81の両端部にそれぞれ設けられている。また、主面側検査部83,84は、基板主面12の外周部において、1つの基板側面14の近傍に配置されている。   As shown in FIG. 2, the main surface side extended wiring 81 has main surface side inspection portions 83 and 84 that can contact a probe 85 (see FIG. 6) that is an inspection jig at two locations. Yes. The main surface side inspection portions 83 and 84 have a rectangular shape in plan view of 1 mm in length × 1 mm in width, and are wider than other portions in the main surface side extending wiring 81. The main surface side inspection portions 83 and 84 are provided at both ends of the main surface side extending wiring 81, respectively. Further, the main surface side inspection portions 83 and 84 are disposed in the vicinity of one substrate side surface 14 in the outer peripheral portion of the substrate main surface 12.

同様に、裏面側延設配線82は、プローブ85が当接可能な裏面側検査部(図示略)を2箇所に有している。裏面側検査部は、縦1mm×横1mmの平面視矩形状をなし、裏面側延設配線82における他の部分よりも幅広になっている。裏面側検査部は、裏面側延設配線82の両端部にそれぞれ設けられている。また、裏面側検査部は、基板裏面13の外周部において、1つの基板側面14の近傍に配置されている。   Similarly, the back surface side extended wiring 82 has back surface side inspection parts (not shown) with which the probe 85 can come into contact at two locations. The back surface side inspection portion has a rectangular shape in plan view of 1 mm in length × 1 mm in width, and is wider than other portions in the back surface side extended wiring 82. The back side inspection portions are provided at both ends of the back side extended wiring 82, respectively. Further, the back surface side inspection portion is disposed in the vicinity of one substrate side surface 14 in the outer peripheral portion of the substrate back surface 13.

図1,図2に示されるように、コア基板11の基板主面12上には、厚さ10μmの銅からなるダミー電極51がパターン形成され、コア基板11の基板裏面13上には、同じく厚さ10μmの銅からなるダミー電極52がパターン形成されている。ダミー電極51及びダミー電極52は、コア基板11を介して互いに向かい合うように配置されている。詳述すると、ダミー電極51は基板主面12の外周部全体を覆っており、ダミー電極52は基板裏面13の外周部全体を覆っている。なお、基板主面12においてダミー電極51が占める割合、及び、基板裏面13においてダミー電極52が占める割合は、いずれも51.0%である。   As shown in FIGS. 1 and 2, a dummy electrode 51 made of copper having a thickness of 10 μm is patterned on the substrate main surface 12 of the core substrate 11, and on the substrate back surface 13 of the core substrate 11, similarly. A dummy electrode 52 made of copper having a thickness of 10 μm is patterned. The dummy electrode 51 and the dummy electrode 52 are arranged to face each other with the core substrate 11 interposed therebetween. More specifically, the dummy electrode 51 covers the entire outer peripheral portion of the substrate main surface 12, and the dummy electrode 52 covers the entire outer peripheral portion of the substrate back surface 13. The ratio of the dummy electrode 51 in the substrate main surface 12 and the ratio of the dummy electrode 52 in the substrate back surface 13 are both 51.0%.

また、ダミー電極51には、主面側ランド21及び主面側延設配線81を露出させる主面側開口部53が形成され、ダミー電極52には、裏面側ランド22及び裏面側延設配線82を露出させる裏面側開口部54が形成されている。なお、開口部53,54は、縦7mm×横7mmの平面視矩形状をなしている。また、主面側ランド21及び主面側延設配線81は、それぞれの外側面が主面側開口部53の内側面と向かい合うように主面側開口部53内に配置され、裏面側ランド22及び裏面側延設配線82は、それぞれの外側面が裏面側開口部54の内側面と向かい合うように裏面側開口部54内に配置されている。即ち、ダミー電極51,52は、ランド21,22及び延設配線81,82からは電気的に独立している。また、基板主面12側のダミー電極51、及び、基板裏面13側のダミー電極52は、互いに電気的に独立している。   The dummy electrode 51 is formed with a main surface side opening 53 exposing the main surface side land 21 and the main surface side extended wiring 81, and the rear surface side land 22 and the back surface side extended wiring are formed on the dummy electrode 52. A back-side opening 54 that exposes 82 is formed. The openings 53 and 54 have a rectangular shape in plan view of 7 mm length × 7 mm width. The main surface side land 21 and the main surface side extended wiring 81 are arranged in the main surface side opening 53 so that the respective outer surfaces thereof face the inner surface of the main surface side opening 53, and the back surface side land 22. And the back side extended wiring 82 is disposed in the back side opening 54 so that the outer side faces the inner side of the back side opening 54. That is, the dummy electrodes 51 and 52 are electrically independent from the lands 21 and 22 and the extended wirings 81 and 82. The dummy electrode 51 on the substrate main surface 12 side and the dummy electrode 52 on the substrate back surface 13 side are electrically independent from each other.

図1に示されるように、主面側ビルドアップ層31は、厚さ17.5μmの熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる2層の樹脂絶縁層33,35と、銅からなる導体層41,42とを積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層33,34の完全硬化状態での熱膨張係数は、10〜60ppm/℃程度であり、具体的には46ppm/℃となっている。なお、樹脂絶縁層33,35の完全硬化状態での熱膨張係数は、25℃〜150℃間の測定値の平均値をいう。また、樹脂絶縁層33,35内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体43が設けられている。さらに、樹脂絶縁層35の表面は、ソルダーレジスト37によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト37の所定箇所には、導体層42を露出させる開口部46が形成されている。導体層42の表面上には、複数のはんだバンプ45が配設されている。   As shown in FIG. 1, the main surface side buildup layer 31 includes two resin insulating layers 33 and 35 made of a thermosetting resin (epoxy resin) having a thickness of 17.5 μm, and a conductor layer 41 made of copper. , 42 are laminated. In the present embodiment, the thermal expansion coefficient of the resin insulating layers 33 and 34 in a completely cured state is about 10 to 60 ppm / ° C., specifically 46 ppm / ° C. In addition, the thermal expansion coefficient in the completely cured state of the resin insulating layers 33 and 35 is an average value of measured values between 25 ° C. and 150 ° C. In the resin insulating layers 33 and 35, via conductors 43 formed by copper plating are provided. Further, the surface of the resin insulating layer 35 is almost entirely covered with a solder resist 37. An opening 46 for exposing the conductor layer 42 is formed at a predetermined position of the solder resist 37. A plurality of solder bumps 45 are provided on the surface of the conductor layer 42.

なお、図1に示されるように、主面側ビルドアップ層31内には、基板主面12側のダミー電極51に電気的に接続される測定用配線61が複数箇所に設けられている。各測定用配線61は、測定用ビア導体62及び測定用導体層63からなっている。測定用ビア導体62は、銅めっきによって形成されており、樹脂絶縁層33内に設けられるとともに、ダミー電極51の表面に接続されている。測定用導体層63は、銅からなり、樹脂絶縁層33の表面に形成されるとともに、測定用ビア導体62の端面に電気的に接続されている。   As shown in FIG. 1, in the main surface side buildup layer 31, measurement wirings 61 that are electrically connected to the dummy electrodes 51 on the substrate main surface 12 side are provided at a plurality of locations. Each measurement wiring 61 includes a measurement via conductor 62 and a measurement conductor layer 63. The measurement via conductor 62 is formed by copper plating, is provided in the resin insulating layer 33, and is connected to the surface of the dummy electrode 51. The measurement conductor layer 63 is made of copper, is formed on the surface of the resin insulating layer 33, and is electrically connected to the end face of the measurement via conductor 62.

そして、各はんだバンプ45は、ICチップ(半導体集積回路素子)の面接続端子に電気的に接続されている。本実施形態のICチップは、縦6.0mm×横6.0mm×厚さ0.9mmの平面視矩形状をなす板状物であって、熱膨張係数が3〜4ppm/℃程度(具体的には3.5ppm/℃程度)のシリコンからなる。   Each solder bump 45 is electrically connected to a surface connection terminal of an IC chip (semiconductor integrated circuit element). The IC chip of this embodiment is a plate-like object having a rectangular shape in plan view of 6.0 mm in length, 6.0 mm in width, and 0.9 mm in thickness, and has a thermal expansion coefficient of about 3 to 4 ppm / ° C. (specifically (About 3.5 ppm / ° C.).

図1に示されるように、裏面側ビルドアップ層32は、上述した主面側ビルドアップ層31と略同じ構造を有している。即ち、裏面側ビルドアップ層32は、厚さ17.5μmの熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる2層の樹脂絶縁層34,36と、銅からなる導体層41,42とを積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層34,36の完全硬化状態での熱膨張係数は、10〜60ppm/℃程度であり、具体的には46ppm/℃となっている。なお、樹脂絶縁層34,36の完全硬化状態での熱膨張係数は、25℃〜150℃間の測定値の平均値をいう。また、樹脂絶縁層34,36内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体47が設けられている。さらに、樹脂絶縁層36の下面は、ソルダーレジスト38によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト38の所定箇所には、樹脂絶縁層36の下面上に配設された導体層42を露出させる開口部48が形成されている。そして、導体層42の表面上には、図示しないマザーボード側との電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ49が配設されている。   As shown in FIG. 1, the back surface side buildup layer 32 has substantially the same structure as the main surface side buildup layer 31 described above. That is, the back-side buildup layer 32 has a structure in which two resin insulating layers 34 and 36 made of a thermosetting resin (epoxy resin) having a thickness of 17.5 μm and conductor layers 41 and 42 made of copper are laminated. have. In the present embodiment, the thermal expansion coefficient of the resin insulating layers 34 and 36 in a completely cured state is about 10 to 60 ppm / ° C., specifically 46 ppm / ° C. In addition, the thermal expansion coefficient in the completely cured state of the resin insulating layers 34 and 36 is an average value of measured values between 25 ° C. and 150 ° C. Further, via conductors 47 formed by copper plating are provided in the resin insulating layers 34 and 36, respectively. Further, the lower surface of the resin insulating layer 36 is almost entirely covered with a solder resist 38. An opening 48 that exposes the conductor layer 42 disposed on the lower surface of the resin insulating layer 36 is formed at a predetermined location of the solder resist 38. On the surface of the conductor layer 42, a plurality of solder bumps 49 are provided for electrical connection with a mother board (not shown).

なお、図1に示されるように、裏面側ビルドアップ層32内には、基板裏面13側のダミー電極52に電気的に接続される測定用配線71が複数箇所に設けられている。各測定用配線71は、測定用ビア導体72及び測定用導体層73からなっている。測定用ビア導体72は、銅めっきによって形成されており、樹脂絶縁層34内に設けられるとともに、ダミー電極52の表面に接続されている。測定用導体層73は、銅からなり、樹脂絶縁層34の表面に形成されるとともに、測定用ビア導体72の端面に電気的に接続されている。   As shown in FIG. 1, measurement wiring 71 that is electrically connected to the dummy electrode 52 on the substrate back surface 13 side is provided in a plurality of locations in the back surface side buildup layer 32. Each measurement wiring 71 includes a measurement via conductor 72 and a measurement conductor layer 73. The measurement via conductor 72 is formed by copper plating, is provided in the resin insulating layer 34, and is connected to the surface of the dummy electrode 52. The measurement conductor layer 73 is made of copper, is formed on the surface of the resin insulating layer 34, and is electrically connected to the end face of the measurement via conductor 72.

次に、本実施形態の多層配線基板10の製造方法を説明する。   Next, the manufacturing method of the multilayer wiring board 10 of this embodiment is demonstrated.

まず、基板本体準備工程では、コア基板11を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく(図3参照)。なお、本実施形態の基板本体準備工程では、コア基板11となるべき基板形成領域が平面方向に沿って縦横に複数配置された多数個取り用コア基板を準備する。   First, in the substrate body preparation step, the core substrate 11 is prepared by a conventionally known technique and prepared in advance (see FIG. 3). In the substrate body preparation step of the present embodiment, a multi-piece core substrate is prepared in which a plurality of substrate formation regions to be the core substrate 11 are arranged vertically and horizontally along the plane direction.

コア基板11は以下のように作製される。まず、市販の薄ガラス基板(日本電気硝子株式会社製 OA−10G)を用意する。本実施形態の薄ガラス基板は、縦100mm×横100mm×厚さ100μmの平面視矩形状をなす板状物である。次に、レーザー照射、ドリル加工、サンドブラストなどといった周知の手法によって薄ガラス基板に貫通孔15を多数個貫通形成する(図4参照)。さらに、基板主面12側からチタン(Ti)のスパッタリングを行ってチタン層を形成し、基板主面12に形成されるチタン層と、貫通孔15の基板主面12側の内側面に形成されるチタン層とを、分断されることなく連続した層とする。また、基板裏面13側からチタンのスパッタリングを行ってチタン層を形成し、基板裏面13に形成されるチタン層と、貫通孔15の基板裏面13側の内側面に形成されるチタン層とを、分断されることなく連続した層とする。さらに、基板主面12側及び基板裏面13側から銅(Cu)のスパッタリングを行い、チタン層上に銅層を形成する。   The core substrate 11 is manufactured as follows. First, a commercially available thin glass substrate (OA-10G manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) is prepared. The thin glass substrate of the present embodiment is a plate-like object having a rectangular shape in plan view of 100 mm length × 100 mm width × 100 μm thickness. Next, a large number of through holes 15 are formed through the thin glass substrate by a known method such as laser irradiation, drilling, sandblasting, etc. (see FIG. 4). Further, titanium (Ti) is sputtered from the substrate main surface 12 side to form a titanium layer, and is formed on the titanium layer formed on the substrate main surface 12 and the inner surface of the through hole 15 on the substrate main surface 12 side. The titanium layer is a continuous layer without being divided. Further, sputtering of titanium is performed from the substrate back surface 13 side to form a titanium layer, and the titanium layer formed on the substrate back surface 13 and the titanium layer formed on the inner surface of the through hole 15 on the substrate back surface 13 side, It is a continuous layer without being divided. Further, copper (Cu) is sputtered from the substrate main surface 12 side and the substrate back surface 13 side to form a copper layer on the titanium layer.

基板本体準備工程後のビア導体形成工程及びランド形成工程では、貫通孔15内にビア導体16を形成し、ビア導体16における基板主面12側端部に接続される複数の主面側ランド21を形成するとともに、ビア導体16における基板裏面13側端部に接続される複数の裏面側ランド22を形成する。具体的に言うと、チタン層及び銅層が形成された基板主面12及び基板裏面13にそれぞれドライフィルムをラミネートして、めっきレジスト(図示略)を形成する。次に、フォトリソグラフィーによるパターニングを行った後、貫通孔15の内側面に形成された銅層の表面、基板主面12に形成された銅層の表面、及び、基板裏面13に形成された銅層の表面に対してそれぞれ電解銅めっきを行う。この時点で、貫通孔15内にビア導体16が形成され、基板主面12上に主面側ランド21がダミー電極51と同時に形成されるとともに、基板裏面13上に裏面側ランド22がダミー電極52と同時に形成される(図5参照)。その後、めっきレジストを剥離し、めっきレジストで保護されていたチタン層及び銅層をエッチングにより除去する。なお、ガラスセラミックのグリーンシートにビア導体を形成する場合には、銅層を形成した後に、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用銅ペーストを各貫通孔15内に充填する。この後、グリーンシートの乾燥を行い、グリーンシートをある程度固化させる。次に、グリーンシートを脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、ガラスセラミック及びペースト中の銅が同時焼結し、複数のビア導体が形成されたコア基板となる。   In the via conductor formation process and land formation process after the substrate body preparation process, the via conductor 16 is formed in the through hole 15, and a plurality of main surface side lands 21 connected to the end of the via conductor 16 on the substrate main surface 12 side. And a plurality of backside lands 22 connected to the end of the via conductor 16 on the substrate backside 13 side. Specifically, a dry film is laminated on each of the substrate main surface 12 and the substrate back surface 13 on which the titanium layer and the copper layer are formed to form a plating resist (not shown). Next, after patterning by photolithography, the surface of the copper layer formed on the inner surface of the through hole 15, the surface of the copper layer formed on the substrate main surface 12, and the copper formed on the substrate back surface 13 Electrolytic copper plating is performed on the surface of each layer. At this time, the via conductor 16 is formed in the through hole 15, the main surface side land 21 is formed simultaneously with the dummy electrode 51 on the substrate main surface 12, and the back surface land 22 is formed on the substrate back surface 13 with the dummy electrode. 52 (see FIG. 5). Thereafter, the plating resist is peeled off, and the titanium layer and the copper layer protected by the plating resist are removed by etching. In addition, when forming a via conductor in the glass-ceramic green sheet, after forming a copper layer, it fills in each through-hole 15 with the copper paste for via conductors using the paste press injection filling apparatus which is not shown in figure. Thereafter, the green sheet is dried to solidify the green sheet to some extent. Next, the green sheet is degreased and further fired at a predetermined temperature for a predetermined time. As a result, the glass ceramic and the copper in the paste are simultaneously sintered to form a core substrate on which a plurality of via conductors are formed.

なお、ランド21,22を別の方法で形成してもよい。詳述すると、めっきレジストを形成せずに、基板主面12に形成された銅層の表面、及び、基板裏面13に形成された銅層の表面に対してそれぞれ電解銅めっきを行う。この時点で、基板主面12全体を覆うベタパターンが形成されるとともに、基板裏面13全体を覆うベタパターンが形成される。その後、サブトラクティブ法でパターニングを行う。具体的には、基板主面12上及び基板裏面13上に対してドライフィルムをラミネートし、ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、所定パターンのエッチングレジストを形成する。この状態で、基板主面12側及び基板裏面13側のベタパターンに対して、エッチングによるパターニングを行う。この時点で、基板主面12上に主面側ランド21及びダミー電極51が形成されるとともに、基板裏面13上に裏面側ランド22及びダミー電極52が形成される(図5参照)。その後、エッチングレジストを剥離する。   The lands 21 and 22 may be formed by another method. More specifically, electrolytic copper plating is performed on the surface of the copper layer formed on the substrate main surface 12 and the surface of the copper layer formed on the substrate back surface 13 without forming a plating resist. At this point, a solid pattern covering the entire substrate main surface 12 is formed and a solid pattern covering the entire substrate back surface 13 is formed. Thereafter, patterning is performed by a subtractive method. Specifically, a dry film is laminated on the substrate main surface 12 and the substrate back surface 13, and an etching resist having a predetermined pattern is formed by exposing and developing the dry film. In this state, patterning by etching is performed on the solid pattern on the substrate main surface 12 side and the substrate back surface 13 side. At this time, the main surface side land 21 and the dummy electrode 51 are formed on the substrate main surface 12, and the back surface side land 22 and the dummy electrode 52 are formed on the substrate back surface 13 (see FIG. 5). Thereafter, the etching resist is peeled off.

また、基板本体準備工程後かつ後述する配線積層部工程前に延設配線形成工程を行い、リフトオフ法によって、基板主面12に主面側延設配線81を形成するとともに、基板裏面13に裏面側延設配線82を形成する(図6参照)。具体的に言うと、基板主面12及び基板裏面13にそれぞれフォトレジスト材(図示略)をラミネートし、フォトレジスト材に対して露光及び現像を行うことにより、基板主面12及び基板裏面13を露出させる開口部を複数箇所に形成する。次に、基板主面12側からチタンのスパッタリングを行うことにより、基板主面12側のフォトレジスト材の開口部を介して露出した面に対してチタン層を形成する。また、基板裏面13側からチタンのスパッタリングを行い、基板裏面13側のフォトレジスト材の開口部を介して露出した面に対してチタン層を形成する。さらに、基板主面12側及び基板裏面13側から銅のスパッタリングを行い、チタン層上に銅層を形成する。この時点で、基板主面12上に主面側延設配線81が形成されるとともに、基板裏面13上に裏面側延設配線82が形成される(図6参照)。その後、コア基板11を除去液に浸したり、基板主面12及び基板裏面13に対して剥離液を高圧で吹き付けたりすることにより、フォトレジスト材を除去する。   Further, an extended wiring forming step is performed after the substrate main body preparation step and before the wiring layer stacking step described later, and the main surface side extended wiring 81 is formed on the substrate main surface 12 by the lift-off method, and the back surface on the substrate back surface 13 is formed. Side extension wiring 82 is formed (see FIG. 6). Specifically, a photoresist material (not shown) is laminated on the substrate main surface 12 and the substrate back surface 13, respectively, and exposure and development are performed on the photoresist material, whereby the substrate main surface 12 and the substrate back surface 13 are formed. Openings to be exposed are formed at a plurality of locations. Next, by sputtering titanium from the substrate main surface 12 side, a titanium layer is formed on the surface exposed through the opening of the photoresist material on the substrate main surface 12 side. Further, sputtering of titanium is performed from the substrate back surface 13 side, and a titanium layer is formed on the surface exposed through the opening of the photoresist material on the substrate back surface 13 side. Further, copper is sputtered from the substrate main surface 12 side and the substrate back surface 13 side to form a copper layer on the titanium layer. At this time, the main surface side extended wiring 81 is formed on the substrate main surface 12, and the back surface side extended wiring 82 is formed on the substrate back surface 13 (see FIG. 6). Thereafter, the photoresist material is removed by immersing the core substrate 11 in a removing solution or spraying a peeling solution on the substrate main surface 12 and the substrate back surface 13 at a high pressure.

さらに、延設配線形成工程後かつ配線積層部形成工程前に第1検査工程を行い、延設配線81,82の導通状態を検査する(図6参照)。即ち、延設配線81,82は検査用の配線である。詳述すると、第1検査工程では、主面側延設配線81の両端部にある主面側検査部83,84に対してそれぞれプローブ85を当接させる。そして、この状態で、主面側延設配線81の電気抵抗値を測定し、電気抵抗値を測定して得られた測定値に基づいて、導通状態の良否を判定する。具体的に言うと、得られた測定値が、主面側延設配線81が変形していない場合の測定値(第1基準値)の範囲内にある場合には、コア基板11に不具合がないと判定する(良)。一方、得られた測定値が第1基準値の範囲よりも高い場合(即ち、主面側延設配線81が変形して延びるなどした場合)、または、電気抵抗値を測定できない場合(即ち、主面側延設配線81が切断された場合)には、コア基板11に不具合があると判定する(否)。   Further, a first inspection step is performed after the extended wiring forming step and before the wiring laminated portion forming step to inspect the conductive state of the extended wires 81 and 82 (see FIG. 6). That is, the extended wirings 81 and 82 are inspection wirings. More specifically, in the first inspection step, the probe 85 is brought into contact with the main surface side inspection portions 83 and 84 at both ends of the main surface side extending wiring 81. And in this state, the electrical resistance value of the main surface side extension wiring 81 is measured, and the quality of the conduction state is determined based on the measured value obtained by measuring the electrical resistance value. Specifically, if the obtained measured value is within the range of the measured value (first reference value) when the main surface side extended wiring 81 is not deformed, the core substrate 11 has a problem. Not good (good). On the other hand, when the obtained measured value is higher than the range of the first reference value (that is, when the main surface side extending wiring 81 is deformed and extended), or when the electrical resistance value cannot be measured (that is, In the case where the main surface side extended wiring 81 is cut), it is determined that the core substrate 11 is defective (No).

また、第1検査工程では、裏面側延設配線82の両端部にもそれぞれプローブ85を当接させる。そして、この状態で、裏面側延設配線82の電気抵抗値を測定し、電気抵抗値を測定して得られた測定値に基づいて、導通状態の良否を判定する。具体的に言うと、得られた測定値が、裏面側延設配線82が変形していない場合の測定値(第1基準値)の範囲内にある場合には、コア基板11に不具合がないと判定する(良)。一方、得られた測定値が第1基準値の範囲よりも高い場合(即ち、裏面側延設配線82が変形して延びるなどした場合)、または、電気抵抗値を測定できない場合(即ち、裏面側延設配線82が切断された場合)には、コア基板11に不具合があると判定する(否)。   Further, in the first inspection process, the probes 85 are also brought into contact with both end portions of the back surface side extended wiring 82. And in this state, the electrical resistance value of the back surface side extended wiring 82 is measured, and the quality of the conduction state is determined based on the measured value obtained by measuring the electrical resistance value. Specifically, when the obtained measurement value is within the range of the measurement value (first reference value) when the back-side extended wiring 82 is not deformed, there is no defect in the core substrate 11. (Good). On the other hand, when the obtained measured value is higher than the range of the first reference value (that is, when the back surface side extended wiring 82 is deformed and extended), or when the electrical resistance value cannot be measured (that is, the back surface). When the side extension wiring 82 is cut), it is determined that the core substrate 11 has a problem (No).

続く配線積層部形成工程では、従来周知の手法に基づいて、基板主面12上に主面側ビルドアップ層31を形成するとともに、基板裏面13上に裏面側ビルドアップ層32を形成する(図7,図8参照)。具体的に言うと、まず、厚さ17.5μmの熱硬化性エポキシ樹脂を基板主面12上に被着(貼付)することにより、樹脂絶縁層33を形成する。また、厚さ17.5μmの熱硬化性エポキシ樹脂を基板裏面13上に被着(貼付)することにより、樹脂絶縁層34を形成する。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマー(LCP:Liquid Crystalline Polymer)を被着してもよい。   In the subsequent wiring laminated portion forming step, the main surface side buildup layer 31 is formed on the substrate main surface 12 and the back surface side buildup layer 32 is formed on the substrate back surface 13 based on a conventionally known technique (FIG. 7, see FIG. Specifically, first, a resin insulating layer 33 is formed by depositing (attaching) a thermosetting epoxy resin having a thickness of 17.5 μm on the substrate main surface 12. Also, a resin insulating layer 34 is formed by depositing (attaching) a thermosetting epoxy resin having a thickness of 17.5 μm on the back surface 13 of the substrate. Instead of depositing a thermosetting epoxy resin, a photosensitive epoxy resin, an insulating resin, or a liquid crystal polymer (LCP) may be deposited.

なお、配線積層部形成工程は、測定用配線形成工程及び第2検査工程を含んでいる。測定用配線形成工程では、基板主面12上に1層の樹脂絶縁層33を積層した状態で、樹脂絶縁層33に測定用配線61を形成するとともに、基板裏面13上に1層の樹脂絶縁層34を積層した状態で、樹脂絶縁層34に測定用配線71を形成する。詳述すると、YAGレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体43,47及び測定用ビア導体62,72が形成されるべき位置にビア孔を形成する。具体的には、樹脂絶縁層33を貫通するビア孔を形成し、主面側ランド21の表面及びダミー電極51の表面を露出させる。また、樹脂絶縁層34を貫通するビア孔を形成し、裏面側ランド22の表面及びダミー電極52の表面を露出させる。次に、従来周知の手法に従って電解銅めっきを行い、ビア孔の内部にビア導体43,47及び測定用ビア導体62,72を形成するとともに、樹脂絶縁層33,34上に導体層41及び測定用導体層63,73を形成する。この時点で、測定用ビア導体62及び測定用導体層63からなる測定用配線61と、測定用ビア導体72及び測定用導体層73からなる測定用配線71とが形成される(図7参照)。   The wiring laminated portion forming process includes a measurement wiring forming process and a second inspection process. In the measurement wiring formation step, the measurement wiring 61 is formed on the resin insulation layer 33 in a state where the single resin insulation layer 33 is laminated on the substrate main surface 12, and one layer of resin insulation is formed on the substrate back surface 13. With the layer 34 laminated, the measurement wiring 71 is formed on the resin insulating layer 34. More specifically, laser drilling is performed using a YAG laser or a carbon dioxide gas laser to form via holes at positions where the via conductors 43 and 47 and the measurement via conductors 62 and 72 are to be formed. Specifically, a via hole penetrating the resin insulating layer 33 is formed, and the surface of the main surface side land 21 and the surface of the dummy electrode 51 are exposed. Further, a via hole penetrating the resin insulating layer 34 is formed to expose the surface of the back surface side land 22 and the surface of the dummy electrode 52. Next, electrolytic copper plating is performed according to a conventionally known method to form via conductors 43 and 47 and measurement via conductors 62 and 72 inside the via holes, and the conductor layer 41 and the measurement on the resin insulating layers 33 and 34. Conductor layers 63 and 73 are formed. At this time, the measurement wiring 61 composed of the measurement via conductor 62 and the measurement conductor layer 63 and the measurement wiring 71 composed of the measurement via conductor 72 and the measurement conductor layer 73 are formed (see FIG. 7). .

測定用配線形成工程後に行われる第2検査工程では、基板主面12側の測定用導体層63に対してプローブ64を当接させるとともに、基板裏面13側の測定用導体層73に対してプローブ74を当接させる(図7参照)。そして、この状態で、基板主面12側のダミー電極51と基板裏面13側のダミー電極52との間の静電容量を測定する。そして、静電容量を測定して得られた測定値に基づいて、良否を判定する。具体的に言うと、得られた測定値が、ダミー電極51,52が剥離していない場合の測定値(第2基準値)の範囲内にある場合には、コア基板11に不具合がないと判定する(良)。一方、得られた測定値が、第2基準値の範囲よりも低い場合には、コア基板11に不具合があると判定する(否)。   In the second inspection process performed after the measurement wiring formation process, the probe 64 is brought into contact with the measurement conductor layer 63 on the substrate main surface 12 side, and the probe is made on the measurement conductor layer 73 on the substrate back surface 13 side. 74 is brought into contact (see FIG. 7). In this state, the capacitance between the dummy electrode 51 on the substrate main surface 12 side and the dummy electrode 52 on the substrate back surface 13 side is measured. And the quality is determined based on the measured value obtained by measuring the capacitance. Specifically, when the obtained measurement value is within the range of the measurement value (second reference value) when the dummy electrodes 51 and 52 are not peeled off, there is no defect in the core substrate 11. Judge (good). On the other hand, when the obtained measured value is lower than the range of the second reference value, it is determined that the core substrate 11 is defective (No).

第2検査工程後、厚さ17.5μmの熱硬化性エポキシ樹脂を樹脂絶縁層33,34上に被着して、樹脂絶縁層35,36を形成する。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、樹脂絶縁層35,36においてビア導体43,47が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、樹脂絶縁層35,36のビア孔内にビア導体43,47を形成するとともに、樹脂絶縁層35,36上に導体層42を形成する。この時点で、図8に示すビルドアップ層31,32が完成する。   After the second inspection step, a thermosetting epoxy resin having a thickness of 17.5 μm is deposited on the resin insulating layers 33 and 34 to form the resin insulating layers 35 and 36. Instead of depositing the thermosetting epoxy resin, a photosensitive epoxy resin, an insulating resin, or a liquid crystal polymer may be deposited. In this case, via holes are formed in the resin insulating layers 35 and 36 at positions where the via conductors 43 and 47 are to be formed by a laser processing machine or the like. Next, electrolytic copper plating is performed in accordance with a conventionally known technique to form via conductors 43 and 47 in the via holes of the resin insulating layers 35 and 36 and to form a conductor layer 42 on the resin insulating layers 35 and 36. At this point, the buildup layers 31 and 32 shown in FIG. 8 are completed.

配線積層部形成工程後、樹脂絶縁層35,36上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト37,38を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト37,38に開口部46,48をパターニングする。   After the wiring laminated portion forming step, a solder resist 37, 38 is formed by applying and curing a photosensitive epoxy resin on the resin insulating layers 35, 36. Next, exposure and development are performed with a predetermined mask placed, and the openings 46 and 48 are patterned in the solder resists 37 and 38.

さらに、樹脂絶縁層35上に形成された導体層42上に、はんだペーストを印刷する。また、樹脂絶縁層36上に形成された導体層42上に、はんだペーストを印刷する。次に、はんだペーストが印刷された多数個取り用基板をリフロー炉内に配置して、はんだの融点より10〜40℃高い温度に加熱する。この時点で、はんだペーストが溶融し、半球状に盛り上がった形状のICチップ搭載用のはんだバンプ45が形成されるとともに、同じく半球状に盛り上がった形状のマザーボード実装用のはんだバンプ49が形成される。   Further, a solder paste is printed on the conductor layer 42 formed on the resin insulating layer 35. A solder paste is printed on the conductor layer 42 formed on the resin insulating layer 36. Next, the multi-chip substrate on which the solder paste is printed is placed in a reflow furnace and heated to a temperature 10 to 40 ° C. higher than the melting point of the solder. At this time, the solder paste is melted to form the IC chip mounting solder bumps 45 having a hemispherical shape, and the motherboard mounting solder bumps 49 having the same hemispherical shape are formed. .

さらに、従来周知の切断装置(レーザー加工機やダイシング装置等)を用いて、多数個取り用基板を基板形成領域の外形線に沿って切断することにより、基板形成領域同士が分割され、図1の多層配線基板10が複数個同時に得られる。   Further, the substrate forming regions are divided by cutting the multi-piece substrate along the outline of the substrate forming region using a conventionally known cutting device (laser processing machine, dicing device, etc.). A plurality of multilayer wiring boards 10 can be obtained simultaneously.

その後、多層配線基板10を構成する主面側ビルドアップ層31の表面にICチップを載置する。このとき、ICチップ側の面接続端子と各はんだバンプ45とを位置合わせする。そして、220〜240℃程度の温度に加熱して各はんだバンプ45をリフローすることにより、各はんだバンプ45と面接続端子とが接合し、多層配線基板10側とICチップ側とを電気的に接続する。その結果、多層配線基板10にICチップが搭載される。   Thereafter, an IC chip is placed on the surface of the main surface side buildup layer 31 constituting the multilayer wiring board 10. At this time, the surface connection terminals on the IC chip side and the solder bumps 45 are aligned. Then, each solder bump 45 is reflowed by heating to a temperature of about 220 to 240 ° C., whereby each solder bump 45 and the surface connection terminal are joined, and the multilayer wiring board 10 side and the IC chip side are electrically connected. Connecting. As a result, an IC chip is mounted on the multilayer wiring board 10.

次に、コア基板11の評価方法及びその結果を説明する。   Next, the evaluation method and result of the core substrate 11 will be described.

まず、測定用サンプルを次のように準備した。本実施形態と同じ条件下で、各工程(基板本体準備工程、ビア導体形成工程、ランド形成工程、延設配線形成工程)を行うことによって得られたコア基板を準備し、これを実施例とした。次に、基板主面側が凸となるようにコア基板を曲げることにより、コア基板内に意図的にクラックを発生させた。また、クラックの発生に伴い、主面側延設配線の電気抵抗値を測定した。なお、電気抵抗値の測定は、10個の測定用サンプル(コア基板)に対して行った。   First, a measurement sample was prepared as follows. A core substrate obtained by performing each step (substrate body preparation step, via conductor formation step, land formation step, extended wiring formation step) under the same conditions as in this embodiment is prepared. did. Next, a crack was intentionally generated in the core substrate by bending the core substrate so that the main surface side of the substrate is convex. Moreover, the electrical resistance value of the main surface side extended wiring was measured with generation | occurrence | production of a crack. The electrical resistance value was measured on 10 measurement samples (core substrate).

その結果、一部の測定サンプルでは、得られた測定値が上昇したため、主面側延設配線が変形して延びるなどしたことが確認された。また、それ以外のサンプルでは、電気抵抗値を測定できなくなったため、主面側延設配線が切断されたことが確認された。従って、基板主面上や基板裏面上に延設配線を形成すれば、クラックなどの不具合の発生を確実に検出できることが証明された。   As a result, in some of the measurement samples, it was confirmed that the obtained measurement value increased, so that the main surface side extended wiring was deformed and extended. Moreover, since it became impossible to measure an electrical resistance value with the sample other than that, it was confirmed that the main surface side extension wiring was cut | disconnected. Therefore, it has been proved that the occurrence of defects such as cracks can be reliably detected if the extended wiring is formed on the main surface of the substrate or on the back surface of the substrate.

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。   Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本実施形態の多層配線基板10によれば、主面側延設配線81の少なくとも一部が隣接する主面側ランド21間に配置され、裏面側延設配線82の少なくとも一部が隣接する裏面側ランド22間に配置されている。即ち、延設配線81,82は、コア基板11において不具合(具体的には、貫通孔15を起点としたクラックの発生など)が生じやすい箇所の近傍に配置されているため、延設配線81,82の電気抵抗値を測定して得られた測定値に基づいて、不具合が生じているか否かを確実に検出することができる。ゆえに、不具合があるコア基板11を用いて多層配線基板10が製造されてしまう、といった問題が未然に防止されるため、多層配線基板10の歩留まりを向上させることができる。以上のことから、信頼性に優れた多層配線基板10を製造することができる。   (1) According to the multilayer wiring board 10 of the present embodiment, at least a part of the main surface side extended wiring 81 is disposed between the adjacent main surface side lands 21 and at least a part of the back surface side extended wiring 82 is provided. It arrange | positions between the back surface lands 22 adjacent. In other words, the extended wirings 81 and 82 are disposed in the vicinity of a location where a defect (specifically, generation of a crack starting from the through hole 15) is likely to occur in the core substrate 11. , 82 can be reliably detected based on the measured values obtained by measuring the electric resistance values. Therefore, since the problem that the multilayer wiring board 10 is manufactured using the defective core substrate 11 is prevented in advance, the yield of the multilayer wiring board 10 can be improved. From the above, the multilayer wiring board 10 having excellent reliability can be manufactured.

(2)本実施形態では、コア基板11に延設配線81,82(及びダミー電極51,52)を形成することにより、延設配線81,82(及びダミー電極51,52)と樹脂絶縁層33,34との接触面積が大きくなり、コア基板11と樹脂絶縁層33,34との密着性が向上するため、樹脂絶縁層33,34の剥離(デラミネーション)が発生しにくくなる。ゆえに、不具合があるコア基板11を用いて多層配線基板10が製造されてしまう、といった問題をより確実に防止できるため、多層配線基板10の歩留まりがよりいっそう向上する。   (2) In the present embodiment, the extended wirings 81 and 82 (and the dummy electrodes 51 and 52) are formed on the core substrate 11, so that the extended wirings 81 and 82 (and the dummy electrodes 51 and 52) and the resin insulating layer are formed. Since the contact area with 33 and 34 is increased and the adhesion between the core substrate 11 and the resin insulating layers 33 and 34 is improved, peeling (delamination) of the resin insulating layers 33 and 34 hardly occurs. Therefore, since the problem that the multilayer wiring board 10 is manufactured using the defective core substrate 11 can be prevented more reliably, the yield of the multilayer wiring board 10 is further improved.

(3)本実施形態では、コア基板11に設けられた貫通孔15が、基板主面12側及び基板裏面13側のそれぞれに向かうに従って徐々に内径が大きくなる両テーパ状をなしている。このため、貫通孔15の内側面は、基板主面12及び基板裏面13に対して垂直な面となるのではなく、基板主面12及び基板裏面13に対して傾斜した面となる。その結果、異方性の薄膜形成方法であるチタンまたは銅のスパッタリングを基板主面12側及び基板裏面13側から行う際に、貫通孔15の内側面にチタンや銅を付着させやすくなる。しかも、めっきの充填により、効率良くかつ確実にビア導体16を形成することができる。従って、ビア導体16による導通を確実に確保できるため、よりいっそう信頼性に優れた多層配線基板10を製造することができる。また、貫通孔15が両テーパ状をなすことにより、貫通孔15の内側面にチタン層及び銅層を形成できるため、チタン層及び銅層によってコア基板11の貫通孔15付近を補強することができる。その結果、貫通孔15を起点としたクラックの発生をより確実に防止することができる。仮に、クラックが発生した場合であっても、延設配線81,82の導通状態を測定することにより、クラックを確実に検出できるため、多層配線基板10の歩留まりがよりいっそう向上する。   (3) In this embodiment, the through-hole 15 provided in the core substrate 11 has a double taper shape in which the inner diameter gradually increases toward the substrate main surface 12 side and the substrate back surface 13 side. For this reason, the inner side surface of the through-hole 15 is not a surface perpendicular to the substrate main surface 12 and the substrate back surface 13 but is a surface inclined with respect to the substrate main surface 12 and the substrate back surface 13. As a result, when sputtering of titanium or copper, which is an anisotropic thin film forming method, is performed from the substrate main surface 12 side and the substrate back surface 13 side, titanium and copper are easily attached to the inner surface of the through hole 15. Moreover, the via conductor 16 can be formed efficiently and reliably by filling the plating. Therefore, since the conduction by the via conductor 16 can be surely ensured, the multilayer wiring board 10 having even higher reliability can be manufactured. In addition, since the through hole 15 has both tapered shapes, a titanium layer and a copper layer can be formed on the inner surface of the through hole 15, so that the vicinity of the through hole 15 of the core substrate 11 can be reinforced by the titanium layer and the copper layer. it can. As a result, the generation of cracks starting from the through hole 15 can be more reliably prevented. Even if a crack is generated, the yield of the multilayer wiring board 10 is further improved because the crack can be reliably detected by measuring the conduction state of the extended wirings 81 and 82.

(4)本実施形態のICチップはコア基板11の真上に配置される。その結果、ICチップとコア基板11とを電気的に接続する導通経路が最短となる。ゆえに、ICチップに対する電源供給をスムーズに行うことができる。また、ICチップとコア基板11との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。   (4) The IC chip of the present embodiment is disposed immediately above the core substrate 11. As a result, the conduction path for electrically connecting the IC chip and the core substrate 11 is the shortest. Therefore, it is possible to smoothly supply power to the IC chip. In addition, since noise entering between the IC chip and the core substrate 11 can be suppressed to a very low level, high reliability can be obtained without causing malfunction such as malfunction.

また、ICチップは、高剛性であって、樹脂絶縁層33〜36よりも熱膨張率が小さく、ICチップに熱膨張率が近いガラス基板(コア基板11)によって支持される。よって、コア基板11が変形しにくくなるため、コア基板11に実装されるICチップをより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するICチップのクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ICチップとして、熱膨張係数差による応力(歪)が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい10mm角以上の大型のICチップや、脆いとされるLow−k(低誘電率)のICチップを用いることができる。   In addition, the IC chip is supported by a glass substrate (core substrate 11) that is highly rigid, has a smaller thermal expansion coefficient than the resin insulating layers 33 to 36, and has a thermal expansion coefficient close to that of the IC chip. Therefore, since the core substrate 11 becomes difficult to deform, the IC chip mounted on the core substrate 11 can be supported more stably. Therefore, it is possible to prevent IC chip cracks and poor connections due to large thermal stress. Therefore, as an IC chip, the stress (strain) due to the difference in thermal expansion coefficient becomes large, the influence of thermal stress is large, the calorific value is large and the thermal shock during use is severe, and it is said that it is brittle. A low-k (low dielectric constant) IC chip can be used.

なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。   In addition, you may change this embodiment as follows.

・上記実施形態のコア基板11では、基板主面12の上に形成された主面側延設配線81が、一部の隣接する主面側ランド21間に配置され、基板裏面13の上に形成された裏面側延設配線82が、一部の隣接する裏面側ランド22間に配置されていた。しかし、延設配線の配置態様を変更してもよい。例えば、図9のコア基板111(基板本体)に示されるように、主面側延設配線112を、全ての隣接する主面側ランド113間を通過するように形成してもよい。また、図10のコア基板121(基板本体)に示されるように、主面側延設配線122を、全ての主面側ランド123を包囲するように形成してもよい。なお、主面側延設配線122において主面側ランド123を包囲する部分(包囲部124)は、円形状をなしているが、四角形状などの他の形状であってもよい。   In the core substrate 11 of the above-described embodiment, the main surface side extended wiring 81 formed on the substrate main surface 12 is disposed between some adjacent main surface side lands 21 and is formed on the substrate back surface 13. The formed backside extended wiring 82 was disposed between some adjacent backside lands 22. However, the arrangement of the extended wiring may be changed. For example, as shown in the core substrate 111 (substrate body) in FIG. 9, the main surface side extended wiring 112 may be formed so as to pass between all adjacent main surface side lands 113. Further, as shown in the core substrate 121 (substrate body) in FIG. 10, the main surface side extended wiring 122 may be formed so as to surround all the main surface side lands 123. In addition, although the part (envelopment part 124) which surrounds the main surface side land 123 in the main surface side extension wiring 122 has comprised circular shape, other shapes, such as square shape, may be sufficient.

・上記実施形態のコア基板11では、基板主面12に1系統の主面側延設配線81が存在し、基板裏面13に1系統の裏面側延設配線82が存在していた。しかし、延設配線81,82は、基板主面12及び基板裏面13において複数系統存在していてもよい。例えば、図11のコア基板131(基板本体)に示されるように、主面側延設配線132は、基板主面133において2系統存在していてもよい。   In the core substrate 11 of the above embodiment, one main surface side extended wiring 81 exists on the substrate main surface 12, and one system rear surface side extended wiring 82 exists on the substrate back surface 13. However, the extended wirings 81 and 82 may exist in a plurality of systems on the substrate main surface 12 and the substrate back surface 13. For example, as shown in the core substrate 131 (substrate body) in FIG. 11, two main surface side extended wirings 132 may exist on the substrate main surface 133.

・上記実施形態のコア基板11では、主面側検査部83,84が、基板主面12の外周部において、1つの基板側面14の近傍に配置されていた。しかし、検査部を、異なる場所に配置するようにしてもよい。例えば、図9に示されるように、一方の主面側検査部114を、1つの基板側面115の近傍に配置するとともに、他方の主面側検査部116を、コア基板111において基板側面115の反対側に位置する基板側面117の近傍に配置してもよい。   In the core substrate 11 of the above embodiment, the main surface side inspection portions 83 and 84 are disposed in the vicinity of one substrate side surface 14 in the outer peripheral portion of the substrate main surface 12. However, you may make it arrange | position an inspection part in a different place. For example, as shown in FIG. 9, one main surface side inspection unit 114 is disposed in the vicinity of one substrate side surface 115, and the other main surface side inspection unit 116 is disposed on the substrate side surface 115 in the core substrate 111. You may arrange | position in the vicinity of the board | substrate side surface 117 located in the other side.

・上記実施形態の第1検査工程では、延設配線81,82の電気抵抗値を測定し、電気抵抗値を測定して得られた測定値に基づいて、導通状態の良否を判定するようになっていた。しかし、他の方法によって延設配線81,82の導通状態の良否を判定するようにしてもよい。例えば、延設配線81,82が通電状態にあるか否かを測定し、通電状態にあれば、延設配線81,82の導通状態が「良」であると判定し、通電状態になければ、延設配線81,82の導通状態が「否」であると判定するようにしてもよい。   In the first inspection process of the above embodiment, the electrical resistance values of the extended wirings 81 and 82 are measured, and the quality of the conduction state is determined based on the measurement values obtained by measuring the electrical resistance values. It was. However, the quality of the conductive state of the extended wires 81 and 82 may be determined by other methods. For example, it is determined whether or not the extended wires 81 and 82 are in an energized state. If the extended wires 81 and 82 are in an energized state, it is determined that the conductive state of the extended wires 81 and 82 is “good”. The conductive state of the extended wirings 81 and 82 may be determined as “No”.

・上記実施形態では、基板主面12上及び基板裏面13上の両方にそれぞれ1層の樹脂絶縁層33,34を積層した状態で、ダミー電極51,52に電気的に接続される測定用配線61,71を形成し、両方の測定用配線61,71に対してそれぞれプローブ64,74を当接させた状態で、静電容量を測定していた。しかし、基板主面12上及び基板裏面13上にそれぞれ2層以上の樹脂絶縁層を積層した状態で測定用配線61,71を形成し、両方の測定用配線61,71に対してそれぞれプローブ64,74を当接させた状態で、静電容量を測定するようにしてもよい。また、基板主面12上及び基板裏面13上に樹脂絶縁層を積層する前の段階で、ダミー電極51,52に直接プローブ64,74を当接させ、この状態で、静電容量を測定するようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the measurement wiring electrically connected to the dummy electrodes 51 and 52 in a state where the resin insulating layers 33 and 34 are laminated on both the substrate main surface 12 and the substrate back surface 13 respectively. 61 and 71 were formed, and the capacitance was measured in a state where the probes 64 and 74 were brought into contact with both of the measurement wires 61 and 71, respectively. However, the measurement wirings 61 and 71 are formed in a state where two or more resin insulation layers are laminated on the substrate main surface 12 and the substrate back surface 13 respectively, and the probes 64 are respectively connected to both the measurement wirings 61 and 71. , 74 may be in contact with each other, and the capacitance may be measured. In addition, the probes 64 and 74 are brought into direct contact with the dummy electrodes 51 and 52 before the resin insulating layer is laminated on the substrate main surface 12 and the substrate back surface 13, and the capacitance is measured in this state. You may do it.

・上記実施形態において、コア基板11に設けられる貫通孔15は、基板主面12側及び基板裏面13側のそれぞれに向かうに従って徐々に内径が大きくなる両テーパ状をなしていたが、基板主面12側または基板裏面13側に向かうに従って徐々に内径が大きくなる片テーパ状をなしていてもよい。なお、貫通孔は、テーパ状をなしていなくてもよい。   In the above embodiment, the through hole 15 provided in the core substrate 11 has a double taper shape in which the inner diameter gradually increases toward the substrate main surface 12 side and the substrate back surface 13 side. A single taper shape in which the inner diameter gradually increases toward the 12 side or the substrate back surface 13 side may be used. Note that the through hole does not have to be tapered.

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。   Next, the technical ideas grasped by the embodiment described above are listed below.

(1)上記手段2において、前記延設配線形成工程後かつ前記配線積層部形成工程前に、前記延設配線の導通状態を検査する検査工程を行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。   (1) The method for manufacturing a multilayer wiring board according to the above means 2, wherein an inspection step for inspecting the conductive state of the extended wiring is performed after the extended wiring forming step and before the wiring laminated portion forming step. .

(2)技術的思想(1)において、前記検査工程では、前記延設配線の両端部に対してそれぞれ検査用治具を当接させた状態で、前記導通状態を検査することを特徴とする多層配線基板の製造方法。   (2) In the technical idea (1), in the inspection step, the conduction state is inspected in a state where inspection jigs are in contact with both ends of the extended wiring. A method for manufacturing a multilayer wiring board.

(3)技術的思想(1)または(2)において、前記検査工程では、前記延設配線の電気抵抗値を測定し、測定値に基づいて前記導通状態の良否を判定することを特徴とする多層配線基板の製造方法。   (3) In the technical idea (1) or (2), in the inspection step, the electrical resistance value of the extended wiring is measured, and the quality of the conductive state is determined based on the measured value. A method for manufacturing a multilayer wiring board.

10…配線基板としての多層配線基板
11,111,121,131…基板本体としてのコア基板
12,133…基板主面
13…基板裏面
15…貫通孔
16…ビア導体
21,113,123…ランドとしての主面側ランド
22…ランドとしての裏面側ランド
31…配線積層部としての主面側ビルドアップ層
32…配線積層部としての裏面側ビルドアップ層
33,34,35,36…樹脂絶縁層
51,52…ダミー電極
41,42…導体層
81,112,122,132…延設配線としての主面側延設配線
82…延設配線としての裏面側延設配線
83,84,114,116…検査部としての主面側検査部
85…検査用治具としてのプローブ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Multilayer wiring board 11, 111, 121, 131 as a wiring board ... Core board | substrate 12,133 as a board | substrate main body ... Substrate main surface 13 ... Substrate back surface 15 ... Through-hole 16 ... Via conductor 21, 113, 123 ... As land Main surface side land 22 of the rear surface side land 31 as a land ... Main surface side buildup layer 32 as a wiring laminated portion ... Back surface side buildup layers 33, 34, 35, 36 as a wiring laminated portion ... Resin insulating layer 51 52 ... Dummy electrodes 41, 42 ... Conductor layers 81, 112, 122, 132 ... Main surface side extended wires 82 as extended wires ... Back side extended wires 83, 84, 114, 116 ... as extended wires. Main surface side inspection part 85 as an inspection part ... Probe as an inspection jig

Claims (8)

基板主面及び基板裏面を有し、前記基板主面及び前記基板裏面にて開口する複数の貫通孔を有し、絶縁性を有する無機材料を含む基板本体と、
前記複数の貫通孔内に形成される複数のビア導体と、
前記複数のビア導体における前記基板主面側端部及び前記基板裏面側端部に接続される複数のランドと
を備える配線基板であって、
前記基板主面及び前記基板裏面の少なくとも一方の上に、基板面方向に沿って延びる延設配線が形成され、
前記延設配線の少なくとも一部は隣接する前記複数のランド間に配置され、
前記延設配線の厚さが前記ランドの厚さよりも薄くなっており、
前記基板主面の外周部全体及び前記基板裏面の外周部全体に、前記基板本体を介して互いに向かい合うようにダミー電極が形成され、
前記ダミー電極が、前記延設配線及び前記ランドから電気的に独立し、
前記基板主面側のダミー電極と前記基板裏面側のダミー電極とが互いに電気的に独立している
ことを特徴とする配線基板。
A substrate main body having a substrate main surface and a substrate back surface, having a plurality of through holes opened in the substrate main surface and the substrate back surface, and including an insulating inorganic material;
A plurality of via conductors formed in the plurality of through holes;
A wiring board comprising a plurality of lands connected to the substrate main surface side end portion and the substrate back surface side end portion of the plurality of via conductors,
An extended wiring extending along the substrate surface direction is formed on at least one of the substrate main surface and the substrate back surface,
At least a part of the extended wiring is disposed between the plurality of adjacent lands,
The thickness of the extended wiring is thinner than the thickness of the land,
Dummy electrodes are formed on the entire outer periphery of the substrate main surface and the entire outer periphery of the back surface of the substrate so as to face each other through the substrate body,
The dummy electrode is electrically independent from the extended wiring and the land;
The wiring board, wherein the dummy electrode on the substrate main surface side and the dummy electrode on the substrate back surface side are electrically independent from each other.
前記延設配線は、前記基板主面及び前記基板裏面の両方に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the extended wiring is formed on both the substrate main surface and the substrate back surface. 前記延設配線は、前記基板主面及び前記基板裏面の少なくとも一方において複数系統存在することを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein a plurality of systems of the extended wiring exist on at least one of the substrate main surface and the substrate back surface. 前記延設配線は検査用の配線であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the extended wiring is a wiring for inspection. 前記延設配線は、検査用治具が当接可能な幅広の検査部を複数有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の配線基板。   5. The wiring board according to claim 1, wherein the extended wiring includes a plurality of wide inspection portions with which an inspection jig can abut. 前記検査部は、前記延設配線の端部に設けられていることを特徴とする請求項5に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 5, wherein the inspection section is provided at an end of the extended wiring. 前記検査部は、前記基板主面の外周部及び前記基板裏面の外周部の少なくとも一方に配置されていることを特徴とする請求項5または6に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 5, wherein the inspection part is arranged on at least one of an outer peripheral part of the substrate main surface and an outer peripheral part of the back surface of the substrate. 前記基板本体はガラス基板であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の配線基板。   The wiring substrate according to claim 1, wherein the substrate body is a glass substrate.
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