JP6250309B2 - Manufacturing method of multilayer wiring board - Google Patents
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Description
本発明は、コア基板を準備するコア基板準備工程と、配線基板積層部をコア主面上及びコア裏面上の両方に形成する配線積層部形成工程とを含む多層配線基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board, including a core board preparation step for preparing a core substrate, and a wiring laminated portion forming step for forming a wiring substrate laminated portion on both the core main surface and the core back surface. is there.
近年、電気機器、電子機器の小型化に伴い、これらの機器に搭載される多層配線基板にも小型化や高密度化が要求されている。このような多層配線基板としては、例えば、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造を有するビルドアップ層をコア基板の両面に形成したものが実用化されている。そして、従来では、多層配線基板の内部の密着性を向上させるための技術が種々提案されている(例えば特許文献1〜3参照)。具体的に言うと、特許文献1には、低温焼成セラミック基板(コア基板)と樹脂絶縁層との間にダミーメタライズ層(ダミー電極)を設けることにより、樹脂絶縁層のデラミネーションを防止する技術が提案されている。また、特許文献2には、銅張積層板(コア基板)の両面全体にダミー導体(ダミー電極)を形成することにより、絶縁シート(樹脂絶縁層)との密着性を向上させる技術が提案されている。さらに、特許文献3には、エッチング等によって導体層の表面を粗化して微細な凹凸を形成し、凹凸によって得られるアンカー効果により、樹脂絶縁層との密着性を向上させる技術が提案されている。
In recent years, with the miniaturization of electrical equipment and electronic equipment, miniaturization and high density are demanded for multilayer wiring boards mounted on these equipments. As such a multilayer wiring substrate, for example, a substrate in which a buildup layer having a structure in which a resin insulating layer and a conductor layer are laminated is formed on both surfaces of a core substrate has been put into practical use. Conventionally, various techniques for improving the internal adhesion of the multilayer wiring board have been proposed (see, for example,
ところで、近年、多層配線基板のさらなる小型化や高密度化が要求されており、例えば、コア基板をガラス基板にすることが考えられている。ガラス基板は、コア主面及びコア裏面の平坦度が高いため、寸法精度が高く、配線の微細化に有利だからである。 Incidentally, in recent years, there has been a demand for further downsizing and higher density of the multilayer wiring board. For example, it is considered that the core board is made of a glass substrate. This is because the glass substrate has high flatness of the core main surface and the core back surface, and therefore has high dimensional accuracy and is advantageous for miniaturization of wiring.
しかし、コア基板がガラス基板である場合、特許文献1〜3に記載の従来技術を採用すると、以下の問題が生じてしまう。即ち、特許文献1,2に記載の従来技術を採用して、コア基板と樹脂絶縁層との間にダミー電極を形成する場合、コア基板が割れやすいガラスからなるため、ダミー電極近傍のガラス部分にクラックが発生するおそれがある。しかも、ガラス部分に発生したクラックは進展しやすいために、コア基板そのものの破損を招いてしまうが、コア基板内のクラックを検査することは困難である。この場合、不具合があるコア基板を用いて多層配線基板が製造される可能性が高いため、多層配線基板の歩留まりが低下するという問題がある。なお、一般的には、クラックを超音波探傷によって検査することができるが、水中で検査する必要がある上、検査に時間が掛かるという問題もある。また、特許文献3に記載の従来技術を採用する場合、ダミー電極と樹脂絶縁層との密着性は向上するが、平滑なガラスに対する樹脂の密着力は小さいため、ビルドアップ層を形成する工程中に、コア基板から樹脂絶縁層が徐々に剥離する可能性が高い。以上のことから、多層配線基板に必要とされる所定の信頼性を付与できないという問題がある。
However, when the core substrate is a glass substrate, the following problems occur when the conventional techniques described in
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、歩留まりを向上させることにより、信頼性に優れた多層配線基板を製造することが可能な多層配線基板の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board capable of manufacturing a multilayer wiring board with excellent reliability by improving yield. There is.
上記課題を解決するための手段(手段1)としては、コア主面及びコア裏面を有し、前記コア主面及び前記コア裏面の両方にて開口する複数の貫通孔が形成され、絶縁性を有する無機材料を含むコア基板を準備するコア基板準備工程と、前記コア基板準備工程後、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部を、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方に形成する配線積層部形成工程とを含む多層配線基板の製造方法において、前記コア基板準備工程後かつ前記配線積層部形成工程前に、ダミー電極を、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方において前記コア基板を介して互いに向かい合うように形成するダミー電極形成工程を行い、前記ダミー電極形成工程では、前記貫通孔内に導体柱を形成し、前記コア主面に対して、前記導体柱に電気的に接続される主面側表面電極を形成すると同時に前記ダミー電極を形成し、前記コア裏面に対して、前記導体柱に電気的に接続される裏面側表面電極を形成すると同時に前記ダミー電極を形成し、前記配線積層部形成工程では、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方にそれぞれ少なくとも1層の前記樹脂絶縁層を積層した状態で、前記コア主面側のダミー電極と前記コア裏面側のダミー電極との間の静電容量を測定し、前記コア主面側の前記ダミー電極に、前記主面側表面電極を露出させる主面側開口部が形成され、前記コア裏面側の前記ダミー電極に、前記裏面側表面電極を露出させる裏面側開口部が形成され、前記主面側開口部の平面視の形状が、前記主面側表面電極の平面視の形状と相似形をなし、前記裏面側開口部の平面視の形状が、前記裏面側表面電極の平面視の形状と相似形をなしていることを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。 As means (means 1) for solving the above-mentioned problems, a plurality of through-holes having a core main surface and a core back surface that are open at both the core main surface and the core back surface are formed. A core substrate preparation step of preparing a core substrate including an inorganic material having, and a wiring laminate portion having a structure in which a resin insulating layer and a conductor layer are laminated after the core substrate preparation step, on the core main surface and the core back surface In the manufacturing method of the multilayer wiring board including the wiring laminated portion forming step formed on both, the dummy electrode is disposed on the core main surface and the core back surface after the core substrate preparing step and before the wiring laminated portion forming step. in both above through the core substrate subjected to the dummy electrode formation step of forming so as to face each other, in the dummy electrode formation step, the conductor posts is formed in the through-hole, with respect to the core main surface When forming the main surface side surface electrode electrically connected to the conductor pillar and simultaneously forming the dummy electrode, and forming the back surface surface electrode electrically connected to the conductor pillar on the back surface of the core At the same time, the dummy electrode is formed, and in the wiring laminated portion forming step, at least one resin insulating layer is laminated on both the core main surface and the core back surface, The capacitance between the dummy electrode and the dummy electrode on the back side of the core is measured, and the main surface side opening for exposing the main surface side surface electrode is formed in the dummy electrode on the core main surface side, A back side opening that exposes the back side surface electrode is formed in the dummy electrode on the core back side, and a shape of the main surface side surface electrode in plan view is a shape of the main surface side surface electrode in plan view And the back side Plan view of the shape of the opening, it is a method for manufacturing a multilayer wiring board, characterized in that a shape and similar shape in plan view of the back side surface electrode.
従って、手段1に記載の発明によると、ダミー電極形成工程を行うことにより、コア基板に形成されたダミー電極と樹脂絶縁層との接触面積が大きくなり、コア基板と樹脂絶縁層との密着性が向上するため、樹脂絶縁層の剥離(デラミネーション)が発生しにくくなる。また、配線積層部形成工程において、コア主面側のダミー電極とコア裏面側のダミー電極との間の静電容量を測定することにより、得られた測定値に基づいて不具合(具体的には、ダミー電極の剥離や、コア基板内でのクラックの発生)が生じているか否かを検出することができる。ゆえに、不具合があるコア基板を用いて多層配線基板が製造されてしまう、といった問題が未然に防止されるため、多層配線基板の歩留まりを向上させることができる。以上のことから、信頼性に優れた多層配線基板を製造することができる。
Therefore, according to the invention described in the
以下、多層配線基板の製造方法について説明する。 Hereinafter, a method for manufacturing a multilayer wiring board will be described.
コア基板準備工程では、コア主面及びコア裏面を有し、絶縁性を有する無機材料を含むコア基板を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。コア基板の形成材料は、絶縁性を有する材料であれば特に限定されるものではなく、コスト性、加工性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。よって、コア基板としては、例えば、セラミック基板やガラス基板などが挙げられる。なお、セラミック基板の形成材料としては、低温焼成ガラスセラミック、ガラスセラミック等が好適に使用される。また、ガラス基板の形成材料としては、ホウケイ酸ガラス、低温焼成ガラスセラミック、ガラスセラミック等が好適に使用される。なお、コア基板が、絶縁性及び平滑性に優れたガラスからなるガラス基板であれば、コア基板が例えば樹脂基板である場合よりも狭ピッチでコア基板に貫通孔を形成できるため、多層配線基板に設けられる配線の自由度が大きくなる。しかも、後述するダミー電極形成工程においてダミー電極を形成するのに伴い、平滑なガラス(コア基板)と樹脂(樹脂絶縁層)との接触面積が低下するため、樹脂絶縁層の剥離が生じにくくなる。 In the core substrate preparation step, a core substrate having a core main surface and a core back surface and including an insulating inorganic material is prepared by a conventionally known technique and prepared in advance. The material for forming the core substrate is not particularly limited as long as it is an insulating material, and can be appropriately selected in consideration of cost, workability, mechanical strength, and the like. Therefore, examples of the core substrate include a ceramic substrate and a glass substrate. As a material for forming the ceramic substrate, low-temperature fired glass ceramic, glass ceramic, or the like is preferably used. Further, borosilicate glass, low-temperature fired glass ceramic, glass ceramic or the like is preferably used as a material for forming the glass substrate. If the core substrate is a glass substrate made of glass having excellent insulating properties and smoothness, through-holes can be formed in the core substrate at a narrower pitch than when the core substrate is, for example, a resin substrate. The degree of freedom of the wiring provided in is increased. In addition, the contact area between the smooth glass (core substrate) and the resin (resin insulating layer) decreases as the dummy electrode is formed in the dummy electrode forming step described later, and therefore the resin insulating layer is less likely to be peeled off. .
ここで、コア基板の厚さは特に限定されないが、例えば10μm以上400μm以下であることがよい。仮に、コア基板の厚さが10μm未満になると、コア基板が薄くなりすぎるため、コア基板の強度が低下して破損する可能性がある。一方、コア基板の厚さが400μmよりも大きくなると、配線積層部形成工程において静電容量を測定したとしても、測定される静電容量が小さくなり、ダミー電極が剥離するなどした際の測定値の変化が僅かになるため、測定値に基づいて良否を判定することが困難になる。 Here, the thickness of the core substrate is not particularly limited, but may be, for example, 10 μm or more and 400 μm or less. If the thickness of the core substrate is less than 10 μm, the core substrate becomes too thin, so that the strength of the core substrate may be reduced and damaged. On the other hand, when the thickness of the core substrate is larger than 400 μm, even if the capacitance is measured in the wiring laminated portion forming step, the measured capacitance is reduced, and the measured value when the dummy electrode is peeled off. Therefore, it becomes difficult to determine pass / fail based on the measured value.
続く配線積層部形成工程では、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部を、コア主面上及びコア裏面上の両方に形成する。樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。また、導体層は、主として銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。 In the subsequent wiring laminated portion forming step, a wiring laminated portion having a structure in which a resin insulating layer and a conductor layer are laminated is formed on both the core main surface and the core back surface. The resin insulation layer can be appropriately selected in consideration of insulation, heat resistance, moisture resistance, and the like. Preferred examples of the polymer material for forming the resin insulation layer include thermosetting resins such as epoxy resin, phenol resin, urethane resin, silicone resin, polyimide resin, polycarbonate resin, acrylic resin, polyacetal resin, polypropylene resin, etc. And other thermoplastic resins. The conductor layer is mainly made of copper and is formed by a known method such as a subtractive method, a semi-additive method, or a full additive method.
なお、コア基板準備工程後かつ配線積層部形成工程前には、ダミー電極を、コア主面上及びコア裏面上の両方においてコア基板を介して互いに向かい合うように形成するダミー電極形成工程を行う。ここで、「ダミー電極」とは、導電体で形成されているものの、基本的に電極としては機能しないものをいい、他の電極と電気的及び物理的に接続されないものである。ダミー電極は主として銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。具体的に言うと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやCVD等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことでダミー電極を形成したり、導電性ペースト等の印刷によりダミー電極を形成したりすることも可能である。 In addition, after the core substrate preparation step and before the wiring laminated portion formation step, a dummy electrode formation step is performed in which dummy electrodes are formed to face each other via the core substrate on both the core main surface and the core back surface. Here, the “dummy electrode” is formed of a conductor, but basically does not function as an electrode, and is not electrically and physically connected to other electrodes. The dummy electrode is mainly made of copper, and is formed by a known method such as a subtractive method, a semi-additive method, or a full additive method. Specifically, for example, techniques such as etching of copper foil, electroless copper plating, or electrolytic copper plating are applied. Note that a dummy electrode can be formed by etching after forming a thin film by a technique such as sputtering or CVD, or a dummy electrode can be formed by printing a conductive paste or the like.
ここで、コア主面及びコア裏面の少なくとも一方においてダミー電極が占める割合は、50%以上98%以下であることがよい。仮に、ダミー電極が占める割合が50%未満になると、コア基板と樹脂絶縁層との接触面積が大きくなるため、特にコア基板が平滑なガラス基板である場合には、樹脂絶縁層の剥離が生じやすくなる。また、配線積層部形成工程において静電容量を測定したとしても、測定される静電容量が小さくなり、ダミー電極が剥離するなどした際の測定値の変化が僅かになるため、測定値に基づいて良否を判定することが困難になる。一方、ダミー電極が占める割合が98%よりも大きくなると、コア基板にコア主面及びコア裏面を貫通する導体柱が設けられ、コア主面及びコア裏面に導体柱に電気的に接続される表面電極が形成される場合に、ダミー電極と表面電極との隙間が小さくなるため、短絡を招くおそれがある。 Here, the proportion of the dummy electrode in at least one of the core main surface and the core back surface is preferably 50% or more and 98% or less. If the proportion of the dummy electrode is less than 50%, the contact area between the core substrate and the resin insulating layer becomes large. Therefore, particularly when the core substrate is a smooth glass substrate, the resin insulating layer is peeled off. It becomes easy. Moreover, even if the capacitance is measured in the wiring layer forming step, the measured capacitance becomes small, and the measured value changes slightly when the dummy electrode is peeled off. It becomes difficult to judge pass / fail. On the other hand, when the proportion occupied by the dummy electrode is greater than 98%, the core substrate is provided with conductor columns penetrating the core main surface and the core back surface, and the core main surface and the core back surface are electrically connected to the conductor columns. When the electrode is formed, the gap between the dummy electrode and the surface electrode becomes small, which may cause a short circuit.
さらに、ダミー電極形成工程では、ダミー電極を、コア主面の外周部全体及びコア裏面の外周部全体の少なくとも一方を覆うように形成することがよい。なお、樹脂絶縁層の剥離は、コア基板の外周部で最も生じやすくなっている。また、多層配線基板の製造時には、コア基板の側面(コア側面)に衝撃が加わることが多い。よって、コア主面の外周部全体及びコア裏面の外周部全体をダミー電極で覆うようにすれば、樹脂絶縁層の剥離や製造時におけるコア基板の破損を防止できるため、多層配線基板の歩留まりを向上させることができる。 Furthermore, in the dummy electrode forming step, the dummy electrode is preferably formed so as to cover at least one of the entire outer peripheral portion of the core main surface and the entire outer peripheral portion of the core back surface. In addition, peeling of the resin insulating layer is most likely to occur at the outer peripheral portion of the core substrate. Further, when a multilayer wiring board is manufactured, an impact is often applied to the side surface (core side surface) of the core substrate. Therefore, if the entire outer periphery of the core main surface and the entire outer periphery of the core back surface are covered with dummy electrodes, it is possible to prevent peeling of the resin insulation layer and damage to the core substrate during manufacturing. Can be improved.
また、配線積層部形成工程では、コア主面上及びコア裏面上の両方にそれぞれ少なくとも1層の樹脂絶縁層を積層した状態で、コア主面側のダミー電極とコア裏面側のダミー電極との間の静電容量を測定する。以上のプロセスを経て、多層配線基板が製造される。 Further, in the wiring laminated portion forming step, the dummy electrode on the core main surface side and the dummy electrode on the core back surface side are formed in a state where at least one resin insulating layer is laminated on both the core main surface and the core back surface. Measure the capacitance between. A multilayer wiring board is manufactured through the above processes.
なお、配線積層部形成工程は、コア主面上及びコア裏面上の両方にそれぞれ少なくとも1層の樹脂絶縁層を積層した状態で、樹脂絶縁層に、ダミー電極に電気的に接続される測定用配線を形成する測定用配線形成工程を含み、測定用配線形成工程後、コア主面側の測定用配線及びコア裏面側の測定用配線の両方に対してそれぞれ検査用治具を当接させた状態で、静電容量を測定してもよい。このようにした場合、ダミー電極とは別に形成した測定用配線に検査用治具を当接させることによって、静電容量を測定するため、得られた測定値に基づいて不具合を確実に検出することができる。 In addition, the wiring laminated portion forming step is for measurement in which at least one resin insulating layer is laminated on both the core main surface and the core back surface, and the resin insulating layer is electrically connected to the dummy electrode. Including a measurement wiring formation process for forming a wiring, and after the measurement wiring formation process, the inspection jig was brought into contact with both the measurement wiring on the core main surface side and the measurement wiring on the core back surface side. In the state, the capacitance may be measured. In this case, since the capacitance is measured by bringing the inspection jig into contact with the measurement wiring formed separately from the dummy electrode, the defect is reliably detected based on the obtained measurement value. be able to.
また、静電容量を測定した後、測定用配線を、配線積層部内に設けられた電源配線またはグランド配線と電気的に接続するようにしてもよい。このようにすれば、完成後の多層配線基板において、測定用配線を有効に利用することができる。 Further, after measuring the capacitance, the measurement wiring may be electrically connected to a power supply wiring or a ground wiring provided in the wiring laminated portion. In this way, the measurement wiring can be effectively used in the completed multilayer wiring board.
以下、本発明の多層配線基板10を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
Hereinafter, an embodiment embodying the
図1に示されるように、本実施形態の多層配線基板10は、ICチップ搭載用のガラスインターポーザ(ガラス中継基板)である。多層配線基板10は、略矩形板状のコア基板11と、コア基板11のコア主面12(図1では上面)上に形成される主面側ビルドアップ層31(配線積層部)と、コア基板11のコア裏面13(図1では下面)上に形成される裏面側ビルドアップ層32(配線積層部)とからなる。
As shown in FIG. 1, the
図1,図2に示されるように、コア基板11は、1つのコア主面12、1つのコア裏面13、及び、4つのコア側面14を有し、略矩形板状をなしている。本実施形態のコア基板11は、絶縁性を有する無機材料(本実施形態ではホウケイ酸ガラス)からなるガラス基板である。なお、コア基板11の大きさは、縦10mm×横10mmに設定されている。また、コア基板11の厚さは、10μm以上400μm以下(本実施形態では100μm)に設定されている。本実施形態において、コア基板11の熱膨張係数は、15ppm/℃未満、具体的には4〜5ppm/℃程度となっている。なお、コア基板11の熱膨張係数は、30℃〜400℃間の測定値の平均値をいう。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
また、コア基板11には、コア主面12及びコア裏面13の両方にて開口する複数の貫通孔15が格子状に形成されている。各貫通孔15は、平面視円形状をなし、コア主面12側及びコア裏面13側のそれぞれに向かうに従って徐々に内径が大きくなる両テーパ状をなしている。そして、かかる貫通孔15内には、銅からなる導体柱16が設けられている。なお、本実施形態では、説明の便宜上、導体柱16を3列×3列で図示したが、実際にはさらに多くの列(具体的には、10列×10列)が存在している。また、隣接する導体柱16の中心間距離(ピッチ)は、400μmに設定されている。
The
図1,図2に示されるように、コア基板11のコア主面12上には、平面視円形状をなす主面側表面電極21がコア主面12の面方向に沿って縦横に複数配列され、コア基板11のコア裏面13上には、同じく平面視円形状をなす裏面側表面電極22がコア裏面13の面方向に沿って縦横に複数配列されている。各表面電極21,22は、導体柱16に電気的に接続されている。なお、各表面電極21,22の外径は、導体柱16の最大径(本実施形態では100μm)よりも大きく(本実施形態では150μm)設定されている。また、本実施形態における各表面電極21,22の厚さは、10μmに設定されている。
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, a plurality of main surface
さらに、コア基板11のコア主面12上には、厚さ10μmの銅からなるダミー電極51がパターン形成され、コア基板11のコア裏面13上には、同じく厚さ10μmの銅からなるダミー電極52がパターン形成されている。ダミー電極51及びダミー電極52は、コア基板11を介して互いに向かい合うように配置されている。詳述すると、ダミー電極51は、コア主面12をほぼ全体的に覆っており、特には、コア主面12の外周部全体を覆っている。同様に、ダミー電極52は、コア裏面13をほぼ全体的に覆っており、特には、コア裏面13の外周部全体を覆っている。なお、コア主面12においてダミー電極51が占める割合、及び、コア裏面13においてダミー電極52が占める割合は、いずれも96.9%である。
Further, a
図1,図2に示されるように、ダミー電極51には、主面側表面電極21を露出させる複数の主面側開口部53が形成され、ダミー電極52には、裏面側表面電極22を露出させる複数の裏面側開口部54が形成されている。なお、開口部53,54は、平面視円形状をなし、内径が200μmに設定されている。従って、開口部53,54の平面視の形状は、表面電極21,22の平面視の形状と相似形をなしている。また、主面側表面電極21は、外側面が主面側開口部53の内側面と向かい合うように主面側開口部53内に配置され、裏面側表面電極22は、外側面が裏面側開口部54の内側面と向かい合うように裏面側開口部54内に配置されている。そして、主面側表面電極21の外側面と主面側開口部53の内側面との隙間の大きさ(本実施形態では25μm)は均一になっており、裏面側表面電極22の外側面と裏面側開口部54の内側面との隙間の大きさ(本実施形態では25μm)は均一になっている。即ち、ダミー電極51,52は、表面電極21,22からは電気的に独立している。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
図1に示されるように、主面側ビルドアップ層31は、厚さ17.5μmの熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる2層の樹脂絶縁層33,35と、銅からなる導体層41,42とを積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層33,35の完全硬化状態での熱膨張係数は、10〜60ppm/℃程度であり、具体的には46ppm/℃となっている。なお、樹脂絶縁層33,35の完全硬化状態での熱膨張係数は、25℃〜150℃間の測定値の平均値をいう。また、樹脂絶縁層33,35内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体43が設けられている。さらに、樹脂絶縁層35の表面は、ソルダーレジスト37によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト37の所定箇所には、導体層42を露出させる開口部46が形成されている。導体層42の表面上には、複数のはんだバンプ45が配設されている。
As shown in FIG. 1, the main surface
なお、図1に示されるように、主面側ビルドアップ層31内には、コア主面12側のダミー電極51に電気的に接続される測定用配線61が複数箇所に設けられている。各測定用配線61は、測定用ビア導体62及び測定用導体層63からなっている。測定用ビア導体62は、銅めっきによって形成されており、樹脂絶縁層33内に設けられるとともに、ダミー電極51の表面に接続されている。測定用導体層63は、銅からなり、樹脂絶縁層33の表面に形成されるとともに、測定用ビア導体62の端面に電気的に接続されている。
As shown in FIG. 1, measurement wirings 61 that are electrically connected to the
そして、各はんだバンプ45は、ICチップ(半導体集積回路素子)の面接続端子に電気的に接続されている。本実施形態のICチップは、縦12.0mm×横12.0mm×厚さ0.9mmの平面視矩形状をなす板状物であって、熱膨張係数が3〜4ppm/℃程度(具体的には3.5ppm/℃程度)のシリコンからなる。
Each
図1に示されるように、裏面側ビルドアップ層32は、上述した主面側ビルドアップ層31とほぼ同じ構造を有している。即ち、裏面側ビルドアップ層32は、厚さ17.5μmの熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる2層の樹脂絶縁層34,36と、銅からなる導体層41,42とを積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層34,36の完全硬化状態での熱膨張係数は、10〜60ppm/℃程度であり、具体的には46ppm/℃となっている。なお、樹脂絶縁層34,36の完全硬化状態での熱膨張係数は、25℃〜150℃間の測定値の平均値をいう。また、樹脂絶縁層34,36内には、それぞれ銅めっきによって形成されたビア導体47が設けられている。さらに、樹脂絶縁層36の下面は、ソルダーレジスト38によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト38の所定箇所には、樹脂絶縁層36の下面上に配設された導体層42を露出させる開口部48が形成されている。そして、導体層42の表面上には、図示しないマザーボード側との電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ49が配設されている。
As shown in FIG. 1, the back surface
なお、図1に示されるように、裏面側ビルドアップ層32内には、コア裏面13側のダミー電極52に電気的に接続される測定用配線71が複数箇所に設けられている。各測定用配線71は、測定用ビア導体72及び測定用導体層73からなっている。測定用ビア導体72は、銅めっきによって形成されており、樹脂絶縁層34内に設けられるとともに、ダミー電極52の表面に接続されている。測定用導体層73は、銅からなり、樹脂絶縁層34の表面に形成されるとともに、測定用ビア導体72の端面に電気的に接続されている。
As shown in FIG. 1, measurement wirings 71 that are electrically connected to the
次に、本実施形態の多層配線基板10の製造方法を説明する。
Next, the manufacturing method of the
まず、コア基板準備工程では、コア基板11を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく(図3参照)。なお、本実施形態のコア基板準備工程では、コア基板11となるべき基板形成領域が平面方向に沿って縦横に複数配置された多数個取り用コア基板を準備する。
First, in the core substrate preparation step, the
コア基板11は以下のように作製される。まず、市販の薄ガラス基板(日本電気硝子株式会社製 OA−10G)を用意する。次に、レーザー照射、ドリル加工、サンドブラストなどといった周知の手法によって薄ガラス基板に貫通孔15を多数個貫通形成する(図4参照)。さらに、コア主面12側からチタン(Ti)のスパッタリングを行ってチタン層を形成し、コア主面12に形成されるチタン層と、貫通孔15のコア主面12側の内側面に形成されるチタン層とを、分断されることなく連続した層とする。また、コア裏面13側からチタンのスパッタリングを行ってチタン層を形成し、コア裏面13に形成されるチタン層と、貫通孔15のコア裏面13側の内側面に形成されるチタン層とを、分断されることなく連続した層とする。さらに、コア主面12側及びコア裏面13側から銅(Cu)のスパッタリングを行い、チタン層上に銅層を形成する。
The
また、コア基板準備工程後かつ後述する配線積層部形成工程前にダミー電極形成工程を行い、コア主面12上にダミー電極51を形成するとともに、コア裏面13上にダミー電極52を形成する(図5参照)。具体的に言うと、チタン層及び銅層が形成されたコア主面12及びコア裏面13にそれぞれドライフィルムをラミネートして、めっきレジスト(図示略)を形成する。次に、フォトリソグラフィーによるパターニングを行った後、貫通孔15の内側面に形成された銅層の表面、コア主面12に形成された銅層の表面、及び、コア裏面13に形成された銅層の表面に対してそれぞれ電解銅めっきを行う。この時点で、貫通孔15内に導体柱16が形成され、コア主面12上にダミー電極51が主面側表面電極21と同時に形成されるとともに、コア裏面13上にダミー電極52が裏面側表面電極22と同時に形成される(図5参照)。その後、めっきレジストを剥離し、めっきレジストで保護されていたチタン層及び銅層をエッチングにより除去する。なお、ガラスセラミックのグリーンシートに導体柱を形成する場合には、銅層を形成した後に、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、導体柱用銅ペーストを各貫通孔15内に充填する。この後、グリーンシートの乾燥を行い、グリーンシートをある程度固化させる。次に、グリーンシートを脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、ガラスセラミック及びペースト中の銅が同時焼結し、複数の導体柱が形成されたコア基板となる。
Further, a dummy electrode forming step is performed after the core substrate preparation step and before the wiring laminated portion forming step, which will be described later, to form the
なお、ダミー電極51,52を別の方法で形成してもよい。詳述すると、めっきレジストを形成せずに、コア主面12に形成された銅層の表面、及び、コア裏面13に形成された銅層の表面に対してそれぞれ電解銅めっきを行う。この時点で、コア主面12全体を覆うベタパターンが形成されるとともに、コア裏面13全体を覆うベタパターンが形成される。その後、サブトラクティブ法でパターニングを行う。具体的には、コア主面12上及びコア裏面13上に対してドライフィルムをラミネートし、ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、所定パターンのエッチングレジストを形成する。この状態で、コア主面12側及びコア裏面13側のベタパターンに対して、エッチングによるパターニングを行う。この時点で、コア主面12上にダミー電極51及び主面側表面電極21が形成されるとともに、コア裏面13上にダミー電極52及び裏面側表面電極22が形成される(図5参照)。その後、エッチングレジストを剥離する。
The
続く配線積層部形成工程では、従来周知の手法に基づいて、コア主面12上に主面側ビルドアップ層31を形成するとともに、コア裏面13上に裏面側ビルドアップ層32を形成する(図6,図7参照)。具体的に言うと、まず、厚さ17.5μmの熱硬化性エポキシ樹脂をコア主面12上に被着(貼付)することにより、樹脂絶縁層33を形成する。また、厚さ17.5μmの熱硬化性エポキシ樹脂をコア裏面13上に被着(貼付)することにより、樹脂絶縁層34を形成する。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマー(LCP:Liquid Crystalline Polymer)を被着してもよい。
In the subsequent wiring laminated portion forming step, the main surface
なお、配線積層部形成工程は、測定用配線形成工程及び検査工程を含んでいる。測定用配線形成工程では、コア主面12上に1層の樹脂絶縁層33を積層した状態で、樹脂絶縁層33に測定用配線61を形成するとともに、コア裏面13上に1層の樹脂絶縁層34を積層した状態で、樹脂絶縁層34に測定用配線71を形成する。詳述すると、YAGレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体43,47及び測定用ビア導体62,72が形成されるべき位置にビア孔を形成する。具体的には、樹脂絶縁層33を貫通するビア孔を形成し、主面側表面電極21の表面及びダミー電極51の表面を露出させる。また、樹脂絶縁層34を貫通するビア孔を形成し、裏面側表面電極22の表面及びダミー電極52の表面を露出させる。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、ビア孔の内部にビア導体43,47及び測定用ビア導体62,72を形成するとともに、樹脂絶縁層33,34上に導体層41及び測定用導体層63,73を形成する。この時点で、測定用ビア導体62及び測定用導体層63からなる測定用配線61と、測定用ビア導体72及び測定用導体層73とからなる測定用配線71が形成される(図6参照)。
The wiring laminated portion forming process includes a measurement wiring forming process and an inspection process. In the measurement wiring formation step, the
測定用配線形成工程後に行われる検査工程では、コア主面12側の測定用導体層63に対してプローブ64(検査用治具)を当接させるとともに、コア裏面13側の測定用導体層73に対してプローブ74(検査用治具)を当接させる(図6参照)。そして、この状態で、コア主面12側のダミー電極51とコア裏面13側のダミー電極52との間の静電容量を測定する。そして、静電容量を測定して得られた測定値に基づいて、良否を判定する。具体的に言うと、得られた測定値が、ダミー電極51,52が剥離していない場合の測定値(基準値)の範囲内にある場合には、コア基板11に不具合がないと判定する(良)。一方、得られた測定値が、基準値の範囲よりも低い場合には、コア基板11に不具合があると判定する(否)。
In the inspection process performed after the measurement wiring formation process, the probe 64 (inspection jig) is brought into contact with the
検査工程後、厚さ17.5μmの熱硬化性エポキシ樹脂を樹脂絶縁層33,34上に被着して、樹脂絶縁層35,36を形成する。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、樹脂絶縁層35,36においてビア導体43,47が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、樹脂絶縁層35,36のビア孔内にビア導体43,47を形成するとともに、樹脂絶縁層35,36上に導体層42を形成する。この時点で、図7に示すビルドアップ層31,32が完成する。
After the inspection process, a thermosetting epoxy resin having a thickness of 17.5 μm is deposited on the resin insulation layers 33 and 34 to form the resin insulation layers 35 and 36. Instead of depositing the thermosetting epoxy resin, a photosensitive epoxy resin, an insulating resin, or a liquid crystal polymer may be deposited. In this case, via holes are formed in the
配線積層部形成工程後、樹脂絶縁層35,36上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト37,38を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト37,38に開口部46,48をパターニングする。
After the wiring laminated portion forming step, a solder resist 37, 38 is formed by applying and curing a photosensitive epoxy resin on the
さらに、樹脂絶縁層35上に形成された導体層42上に、はんだペーストを印刷する。また、樹脂絶縁層36上に形成された導体層42上に、はんだペーストを印刷する。次に、はんだペーストが印刷された多数個取り用基板をリフロー炉内に配置して、はんだの融点より10〜40℃高い温度に加熱する。この時点で、はんだペーストが溶融し、半球状に盛り上がった形状のICチップ搭載用のはんだバンプ45が形成されるとともに、同じく半球状に盛り上がった形状のマザーボード実装用のはんだバンプ49が形成される。
Further, a solder paste is printed on the
さらに、従来周知の切断装置(レーザー加工機やダイシング装置等)を用いて、多数個取り用基板を基板形成領域の外形線に沿って切断することにより、基板形成領域同士が分割され、図1の多層配線基板10が複数個同時に得られる。
Further, the substrate forming regions are divided by cutting the multi-piece substrate along the outline of the substrate forming region using a conventionally known cutting device (laser processing machine, dicing device, etc.). A plurality of
その後、多層配線基板10を構成する主面側ビルドアップ層31の表面にICチップを載置する。このとき、ICチップ側の面接続端子と各はんだバンプ45とを位置合わせする。そして、220〜240℃程度の温度に加熱して各はんだバンプ45をリフローすることにより、各はんだバンプ45と面接続端子とが接合し、多層配線基板10側とICチップ側とを電気的に接続する。その結果、多層配線基板10にICチップが搭載される。
Thereafter, an IC chip is placed on the surface of the main surface
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。 Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1)本実施形態の多層配線基板10の製造方法によれば、ダミー電極形成工程を行うことにより、コア基板11に形成されたダミー電極51,52と樹脂絶縁層33,34との接触面積が大きくなり、コア基板11と樹脂絶縁層33,34との密着性が向上するため、樹脂絶縁層33,34の剥離(デラミネーション)が発生しにくくなる。また、配線積層部形成工程(検査工程)において、コア主面12側のダミー電極51とコア裏面13側のダミー電極52との間の静電容量を測定することにより、得られた測定値に基づいて不具合(具体的には、ダミー電極51,52の剥離や、コア基板11内でのクラックの発生)が生じているか否かを知ることができる。ゆえに、不具合があるコア基板11を用いて多層配線基板10が製造されてしまう、といった問題が未然に防止されるため、多層配線基板10の歩留まりを向上させることができる。以上のことから、信頼性に優れた多層配線基板10を製造することができる。
(1) According to the method for manufacturing the
(2)本実施形態では、コア主面12上にダミー電極51が形成されるとともにコア裏面13上にダミー電極52が形成されることによって、コア基板11の剛性が高くなるため、コア基板11のハンドリング性が向上する。即ち、多層配線基板10の製造時において、コア基板11を前工程から後工程に搬送する際に、コア基板11が破損しにくくなる。
(2) In this embodiment, since the
(3)本実施形態では、コア基板11に設けられた貫通孔15が、基板主面12側及びコア裏面13側のそれぞれに向かうに従って徐々に内径が大きくなる両テーパ状をなしている。このため、貫通孔15の内側面は、コア主面12及びコア裏面13に対して垂直な面となるのではなく、コア主面12及びコア裏面13に対して傾斜した面となる。その結果、異方性の薄膜形成方法であるチタンまたは銅のスパッタリングをコア主面12側及びコア裏面13側から行う際に、貫通孔15の内側面にチタンや銅を付着させやすくなる。しかも、めっきの充填により、効率良くかつ確実に導体柱16を形成することができる。従って、導体柱16による導通を確実に確保できるため、よりいっそう信頼性に優れた多層配線基板10を製造することができる。
(3) In the present embodiment, the through
(4)本実施形態のICチップはコア基板11の真上に配置される。その結果、ICチップとコア基板11とを電気的に接続する導通経路が最短となる。ゆえに、ICチップに対する電源供給をスムーズに行うことができる。また、ICチップとコア基板11との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
(4) The IC chip of the present embodiment is disposed immediately above the
また、ICチップは、高剛性であって、樹脂絶縁層33〜36よりも熱膨張率が小さく、ICチップに熱膨張率が近いガラス基板(コア基板11)によって支持される。よって、コア基板11が変形しにくくなるため、コア基板11に実装されるICチップをより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するICチップのクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ICチップとして、熱膨張差による応力(歪)が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい10mm角以上の大型のICチップや、脆いとされるLow−k(低誘電率)のICチップを用いることができる。
In addition, the IC chip is supported by a glass substrate (core substrate 11) that is highly rigid, has a smaller thermal expansion coefficient than the
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。 In addition, you may change this embodiment as follows.
・上記実施形態では、コア主面12上及びコア裏面13上の両方にそれぞれ1層の樹脂絶縁層33,34を積層した状態で、ダミー電極51,52に電気的に接続される測定用配線61,71を形成し、両方の測定用配線61,71に対してそれぞれプローブ64,74を当接させた状態で、静電容量を測定していた。しかし、コア主面12上及びコア裏面13上にそれぞれ2層以上の樹脂絶縁層を積層した状態で測定用配線61,71を形成し、両方の測定用配線61,71に対してそれぞれプローブ64,74を当接させた状態で、静電容量を測定するようにしてもよい。また、コア主面12上及びコア裏面13上に樹脂絶縁層を積層する前の段階で、ダミー電極51,52に直接プローブ64,74を当接させ、この状態で、静電容量を測定するようにしてもよい。
In the embodiment described above, the measurement wiring electrically connected to the
・上記実施形態のコア基板11では、ダミー電極51,52が、表面電極21,22を回避するための開口部53,54を有するベタパターン(広面積パターン)となるように形成されていたが、ダミー電極の形状を適宜変更してもよい。例えば、図8のコア基板111に示されるように、全ての表面電極112が配置される平面視矩形状の開口部113を中央部に有し、平面視で矩形枠状をなすダミー電極114であってもよい。なお、コア主面115(及びコア裏面)においてダミー電極114が占める割合は、50%以上98%以下であることがよい。例えば、ダミー電極114の幅を2mmに設定することにより、コア主面115においてダミー電極114が占める割合を64%にしてもよい。また、ダミー電極114の幅を1.5mmに設定にすることにより、コア主面115においてダミー電極114が占める割合を51%にしてもよい。
In the
・上記実施形態のコア基板11では、ダミー電極51がコア主面12の外周部全体を覆うように形成され、ダミー電極52がコア裏面13の外周部全体を覆うように形成されていた。しかし、図9のコア基板121に示されるように、ダミー電極122を、コア主面123の外周部を覆わずに、コア主面123の中央部のみを覆うように形成してもよい。なお、コア主面123(及びコア裏面)においてダミー電極122が占める割合は、50%以上98%以下であることがよい。例えば、ダミー電極122を縦8mm×横8mmの平面視矩形状に形成することにより、コア主面123においてダミー電極122が占める割合を60.9%にしてもよい。
In the
・上記実施形態のコア基板11では、ダミー電極51,52の開口部53,54の形状(平面視円形状)と、表面電極21,22の形状(平面視円形状)とが、互いに等しくなっていたが、ダミー電極の開口部の形状と表面電極の形状とを、互いに異なる形状にしてもよい。例えば、図10のコア基板131に示されるように、ダミー電極132の開口部133を平面視矩形状にするとともに、表面電極134を平面視円形状にしてもよい。
In the
・上記実施形態において、検査工程において静電容量を測定した後、測定用配線61,71を、ビルドアップ層31,32内に設けられた電源配線(図示略)またはグランド配線(図示略)と電気的に接続するようにしてもよい。このようにすれば、完成後の多層配線基板10において、測定用配線61,71を有効に利用することができる。
In the above embodiment, after the capacitance is measured in the inspection process, the
・上記実施形態において、コア基板11に設けられる貫通孔15は、コア主面12側及びコア裏面13側のそれぞれに向かうに従って徐々に内径が大きくなる両テーパ状をなしていたが、コア主面12側またはコア裏面13側に向かうに従って徐々に内径が大きくなる片テーパ状をなしていてもよい。なお、貫通孔は、テーパ状をなしていなくてもよい。
In the above embodiment, the through
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。 Next, the technical ideas grasped by the embodiment described above are listed below.
(1)上記手段1において、前記コア主面及び前記コア裏面の少なくとも一方において前記ダミー電極が占める割合は、50%以上98%以下であることを特徴とする多層配線基板の製造方法。 (1) In the said means 1, the ratio for which the said dummy electrode occupies in at least one of the said core main surface and the said core back surface is 50% or more and 98% or less, The manufacturing method of the multilayer wiring board characterized by the above-mentioned.
(2)上記手段1において、前記コア基板準備工程後かつ前記ダミー電極形成工程前に、チタンのスパッタリングを行うことにより、前記コア主面及び前記コア裏面に対してチタン層を形成するチタン層形成工程と、銅のスパッタリングを行うことにより、前記チタン層上に銅層を形成する銅層形成工程とを行い、前記ダミー電極形成工程では、前記銅層の表面に対して前記ダミー電極を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。 (2) In the above means 1, a titanium layer is formed by sputtering titanium after the core substrate preparation step and before the dummy electrode formation step, thereby forming a titanium layer on the core main surface and the core back surface. And a copper layer forming step of forming a copper layer on the titanium layer by performing copper sputtering, and in the dummy electrode forming step, the dummy electrode is formed on the surface of the copper layer. A method for manufacturing a multilayer wiring board.
(3)上記手段1において、前記ダミー電極形成工程では、前記コア主面上に対して、前記導体層に電気的に接続される主面側表面電極を形成すると同時に前記ダミー電極を形成し、前記コア裏面に対して、前記導体層に電気的に接続される裏面側表面電極を形成すると同時に前記ダミー電極を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。 (3) In the above means 1, in the dummy electrode forming step, the dummy electrode is formed simultaneously with the formation of the main surface side surface electrode electrically connected to the conductor layer on the core main surface. A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising forming a back surface side surface electrode electrically connected to the conductor layer simultaneously with forming the dummy electrode on the back surface of the core.
10…多層配線基板
11,111,121,131…コア基板
12,115,123…コア主面
13…コア裏面
31…配線積層部としての主面側ビルドアップ層
32…配線積層部としての裏面側ビルドアップ層
33,34,35,36…樹脂絶縁層
41,42…導体層
51,52,114,122,132…ダミー電極
61,71…測定用配線
64,74…検査用治具としてのプローブ
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記コア基板準備工程後、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部を、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方に形成する配線積層部形成工程と
を含む多層配線基板の製造方法において、
前記コア基板準備工程後かつ前記配線積層部形成工程前に、ダミー電極を、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方において前記コア基板を介して互いに向かい合うように形成するダミー電極形成工程を行い、
前記ダミー電極形成工程では、前記貫通孔内に導体柱を形成し、前記コア主面に対して、前記導体柱に電気的に接続される主面側表面電極を形成すると同時に前記ダミー電極を形成し、前記コア裏面に対して、前記導体柱に電気的に接続される裏面側表面電極を形成すると同時に前記ダミー電極を形成し、
前記配線積層部形成工程では、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方にそれぞれ少なくとも1層の前記樹脂絶縁層を積層した状態で、前記コア主面側のダミー電極と前記コア裏面側のダミー電極との間の静電容量を測定し、
前記コア主面側の前記ダミー電極に、前記主面側表面電極を露出させる主面側開口部が形成され、前記コア裏面側の前記ダミー電極に、前記裏面側表面電極を露出させる裏面側開口部が形成され、
前記主面側開口部の平面視の形状が、前記主面側表面電極の平面視の形状と相似形をなし、前記裏面側開口部の平面視の形状が、前記裏面側表面電極の平面視の形状と相似形をなしている
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 A core substrate preparing step of preparing a core substrate including an inorganic material having an insulating property, wherein the core substrate includes a core main surface and a core back surface, and a plurality of through holes that are open on both the core main surface and the core back surface are formed; ,
A multilayer wiring board including a wiring laminated portion forming step of forming a wiring laminated portion having a structure in which a resin insulating layer and a conductor layer are laminated after the core substrate preparation step on both the core main surface and the core back surface In the manufacturing method of
A dummy electrode forming step of forming a dummy electrode so as to face each other through the core substrate on both the core main surface and the core back surface after the core substrate preparation step and before the wiring laminated portion forming step. Done
In the dummy electrode forming step, a conductor column is formed in the through hole, and a main surface side surface electrode electrically connected to the conductor column is formed simultaneously with the core main surface, and the dummy electrode is formed at the same time And, with respect to the core back surface, forming the back surface side surface electrode electrically connected to the conductor pillar and simultaneously forming the dummy electrode,
In the wiring laminated portion forming step, in the state where at least one resin insulating layer is laminated on both the core main surface and the core back surface, the core main surface side dummy electrode and the core back surface side measuring the capacitance between the dummy electrode,
A main surface side opening that exposes the main surface side surface electrode is formed in the dummy electrode on the core main surface side, and a back surface side opening that exposes the back surface side surface electrode to the dummy electrode on the core back surface side. Part is formed,
The shape in plan view of the main surface side opening is similar to the shape in plan view of the main surface side surface electrode, and the shape in plan view of the back surface side opening is in plan view of the back surface electrode. A method of manufacturing a multilayer wiring board, characterized in that it is similar in shape to the above .
前記測定用配線形成工程後、前記コア主面側の測定用配線及び前記コア裏面側の測定用配線の両方に対してそれぞれ検査用治具を当接させた状態で、前記静電容量を測定する
ことを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板の製造方法。 In the wiring laminated portion forming step, at least one resin insulating layer is laminated on both the core main surface and the core back surface, and the resin insulating layer is electrically connected to the dummy electrode. Including a measurement wiring forming step of forming a measurement wiring to be performed,
After the measurement wiring formation step, the capacitance is measured in a state where the inspection jig is in contact with both the measurement wiring on the core main surface side and the measurement wiring on the core back surface side. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1.
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