JP6280349B2 - 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、及び磁気ディスク用基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、アルミノシリケートガラスからなる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、及び磁気ディスク用基板の製造方法に関する。

ハードディスクドライブ装置等の磁気記録装置に搭載される情報記録媒体の一つとして磁気ディスクがある。磁気ディスクは、基板上に磁性層等の薄膜を形成して構成されたものであり、その基板としてガラス基板が用いられている。ガラス基板の表面は磁気記録装置の磁気ヘッドの浮上高さを極力下げることができるように、高精度に研磨して高記録密度化を実現している。近年、ハードディスクドライブ装置の更なる大記録容量化、低価格化の要求に応じて、磁気ディスク用ガラス基板においても更なる高品質化、低コスト化が要求されている。
近年の磁気ディスク用ガラス基板の高品質化として、例えばガラス基板の表面粗さを低くすること、および、表面の凹状の線状の傷や微小付着物等の欠陥がないようにすること、が求められている。

このような高品質化が要求される磁気ディスク用ガラス基板では、酸化セリウムやコロイダルシリカ等の金属酸化物の砥粒を含有する研磨スラリを用いて研磨してガラス基板の表面が研磨される。このとき、ポリウレタン等のポリシャの研磨パッドを用いて研磨が行われる。より具体的には、高い平滑性を有する磁気ディスク用ガラス基板は、たとえば酸化セリウム系研磨剤を用いて研磨した後、さらにコロイダルシリカ砥粒を用いた仕上げ研磨（鏡面研磨）によって得られる。
この仕上げ研磨においては、ガラス基板の研磨を継続して進めると研磨パッドの開孔部分に研磨スラリに含有される砥粒が入り込み、研磨パッドの目詰まりを引き起こす。これらの目詰まりは研磨を阻害し加工レートの低下を引き起こすのみならず、ガラス基板への凹状の傷欠陥つまりダメージを形成する原因となりうる。具体的には、研磨パッドの開口部分内で研磨スラリの砥粒が凝集し、さらに、ガラススラッジが凝集し、微粒子を形成しやすい。この微粒子の一部が脱落して、研磨パッドとガラス基板との間に入り込み、この微粒子がガラス基板に凹状の傷欠陥、すなわち、ガラス基板へのダメージを形成する。このような研磨パッドの目詰まりを防止するため、研磨パッドの表面を削り、新たな研磨面を出させるドレス処理が頻繁に行われる。しかしながら、ドレス処理は研磨パッド表層を削り取ってしまうため、研磨パッドの寿命を短くする。さらには、ドレス処理は、研磨パッドの開孔部分の奥深くまで進行した目詰まりには届かないため、ドレス処理を行っても目詰まりの全てが解消できず、ガラス基板へのダメージを完全に抑制することはできない。

これに対して、ガラス基板の主平面の研磨工程での研磨パッドの目詰まりを抑制して、ドレス処理の頻度を低減するとともに研磨速度を安定させ、主平面の平滑性に優れ、異なるロットのガラス基板間の板厚のばらつきが小さい磁気記録媒体用ガラス基板を得るための製造方法が知られている（特許文献１）
上記製造方法は、具体的には、形状付与工程と、主平面研磨工程と、洗浄工程とを備える。主平面研磨工程は、ガラス基板の主平面を両面で５μｍ以上の研磨量で研磨する粗研磨工程を有する。そして、粗研磨工程では、気泡を含有し、研磨面に開口する気泡の平均直径が８０〜３００μｍであり、かつ１．１〜２．５％の圧縮率を有する研磨パッドと、砥粒を含有する研磨液を用いて主平面を研磨する。

特開２０１３−２５８４４号公報

近年、例えば７５０ギガバイト等の大記録容量の磁気ディスク向けのガラス基板が求められており、ガラス基板の表面の表面粗さ、および、表面の凹状の線状の傷や付着物等による欠陥について従来に比べてより厳しい要求がガラス基板に求められている。
しかし、上述の特許文献１に記載される製造方法を用いて得られるガラス基板では、ガラス基板の表面に微小な凹状の傷が依然として形成され、ガラス基板への厳しい要求を満足することができなかった。この結果、磁気記録装置におけるサーマルアスペリティ障害の原因となる可能性が高い。

そこで、本発明は、アルミノシリケートガラスからなる大記録容量の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、サーマルアスペリティ障害の原因となるような微小の凹状の傷等の欠陥が磁気ディスク用ガラス基板の表面に形成されることを抑制することができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法を提供し、さらに、磁気ディスク用基板の製造方法を提供することを目的とする。

本願発明者は、サーマルアスペリティ障害の原因となる微小の凹状の傷等の欠陥をガラス基板に形成させる原因となる研磨パッドの目詰まりについて調査したところ、目詰まりの程度と研磨パッドを構成するポリウレタン中のウレア基及び研磨スラリを構成するコロイダルシリカに関係があることを見出した。すなわち、研磨パッドを構成するポリウレタン中のウレア基の量によって目詰まりの程度が変化し、研磨パッドを構成するポリウレタン中のウレア基の量が少ないほど目詰まりが起きにくくなり、ガラス基板上に形成される微小の凹状の傷等の欠陥が少なくなることを知見した。特に、アルミノシリケートガラスは、研磨スラリ中のコロイダルシリカやガラス基板の研磨によりできるスラッジを凝集させ易いアルミニウム成分を含む。このため、研磨中、研磨スラリにアルミニウム成分が溶出すると、研磨パッドを構成するポリウレタンを容易に目詰まりさせる。この目詰まりの原因となるコロイダルシリカやスラッジの凝集体の一部が凝集体から離脱してガラス基板の表面に押し付けられてガラス基板上の傷をつくる。
そこで、上記知見に基づき、研磨パッドを構成するポリウレタンの目詰まりを起こし難くすることにより、ガラス基板の表面に欠陥が形成されることを抑制することができる本発明を想到するに至った。

本発明の一態様は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。当該方法は、アルミノシリケートガラスからなるガラス基板の両側の主表面を、研磨パッドで押圧し、ガラス基板と前記研磨パッドとの間にシリカ砥粒を含む研磨スラリを供給しながら、前記主表面と前記研磨パッドとを相対的に移動させることにより、前記主表面を研磨する研磨処理を含む。
前記研磨処理で用いる前記研磨パッドの、少なくとも前記主表面と接触する表面は、ウレア基を含まない発泡ポリウレタン樹脂で構成され、
前記シリカ砥粒の平均粒径は３０ｎｍ以下であり、
前記研磨処理では、ガラス基板の算術平均粗さＲａを０．２ｎｍ以下にする 。

前記研磨処理は、アルカリ条件下の研磨である、ことが好ましい。

前記シリカは、オルトケイ酸エステルからゾルゲル法にて作製されたものである、ことが好ましい。

前記発泡ポリウレタン樹脂の表面の開口径は５〜５０μｍである、ことが好ましい。

また、本発明の他の一形態は、前記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法で作製された磁気ディスク用ガラス基板の前記主表面に少なくとも磁性層を形成する、磁気ディスクの製造方法である。

上述の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、サーマルアスペリティ障害の原因となるような微小の凹状の傷等の欠陥が磁気ディスク用ガラス基板の表面に形成されることを抑制できる。この磁気ディスク用ガラス基板を用いてサーマルアスペリティ障害の少ない磁気ディスクを作製することができる。

本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法で行う研磨処理を実行する研磨装置の構成を説明する図である。 本実施形態の研磨装置の要部を説明する図である。

以下、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法について詳細に説明する。
以下の明細書で記載する表面粗さである算術平均粗さＲａ，Ｒmaxは、ＪＩＳ Ｂ０６０１に規定される表面粗さである。この表面粗さは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて１μｍ×１μｍの範囲を５１２×２５６ピクセルの解像度で測定したデータに基づいて得られるものである。

図１は、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法で行う研磨処理を実行する研磨装置の構成を説明する図である。図２は、研磨装置１の要部を説明する図である。

図１に示すように、研磨装置１は、研磨本体部１８と、研磨本体部１８を支持する上部支持台１２と下部支持台１４、を主に有する。
上部支持台１２及び下部支持台１４には、研磨本体部１８の下部回転シャフト６６および上部回転シャフト６５を駆動するための図示されない駆動機構が設けられており、この駆動機構により、下部回転シャフト６６および上部回転シャフト６５は自在に回転するようになっている。

研磨本体部１８は、上定盤４０と、下定盤６０と、太陽歯車６１と、内歯車６２と、供給管６３と、上部板材６４と、上部回転シャフト６５と、下部回転シャフト６６と、を主に含む。
研磨装置１において、図２に示すように、下定盤６０の上面および上定盤４０の底面には、研磨パッド１０が貼り付けられている。図２では、研磨パッド１０はシート状に記されている。研磨パッド１０には、例えば、発泡ウレタン樹脂からなるウレタンパッドを用いることができる。

下定盤６０の上面と上定盤４０の下面には、円板状のガラス基板Ｇを２つの定盤で挟んで研磨対象のガラス基板Ｇの主表面を研磨処理する際に、ガラス基板Ｇを保持するための保持穴を有するキャリア３０が配されている。図２では、１つのキャリア３０しか記されていないが、複数のキャリア３０が用いられる。具体的には、キャリア３０は、外周部に設けられて太陽歯車６１及び内歯車６２に噛合する歯部３１と、ガラス基板Ｇを収容し保持するための１または複数の保持穴３２とを有する。太陽歯車６１、外縁に設けられた内歯車６２および円板状のキャリア３０は全体として、上部回転シャフト６５と下部回転シャフト６６の回転中心軸Ｏを中心とする遊星歯車機構を構成する。円板状のキャリア３０は、内周側で太陽歯車６１に噛合し、かつ外周側で内歯車６２に噛合するともに、ガラス基板Ｇ（ワーク）を１または複数を収容し保持する。下定盤６０上では、キャリア３０が遊星歯車として自転しながら公転し、ガラス基板Ｇと下定盤６０とが相対的に移動させられる。例えば、太陽歯車６１がＣＣＷ（反時計回り）の方向に回転すれば、キャリア３０はＣＷ（時計回り）の方向に回転し、内歯車６２はＣＣＷの方向に回転する。その結果、下定盤６０とガラス基板Ｇの間に相対運動が生じる。同様にして、ガラス基板Ｇと上定盤４０とを相対的に移動させてもよい。

上記相対運動の動作中には、上定盤４０がキャリア３０に保持されたガラス基板Ｇに対して（つまり、鉛直方向に）所定の圧力で押圧し、これによりガラス基板Ｇに対して研磨パッド１０が押圧される。また、研磨中、ポンプ（不図示）によって研磨スラリが、図示されない供給タンクからまたは複数の供給管６３を経由してガラス基板Ｇと研磨パッド１０との間に供給される。供給管６３は、上部板材６４を通して上定盤４０に延びている。研磨スラリは、酸化セリウムやコロイダルシリカ等の研磨砥粒が水溶液に分散した液体である。

下定盤６０には、図示されない駆動モータに接続された下部回転シャフト６６が固定されている。上定盤４０には、図示されない駆動モータに接続された上部回転シャフト６５が固定されている。したがって、上定盤４０及び下定盤６０は自在に回転することができる。

研磨対象のガラス基板Ｇは、アルミノシリケートガラスが用いられる。アルミノシリケートガラスは、Ｓｉ，Ａｌを主成分とする。
このような研磨装置１に用いる研磨スラリは、コロイダルシリカが用いられる。コロイダルシリカの平均粒径（ｄ５０）は、例えば１０〜１００ｎｍである。このような研磨スラリが、研磨パッド１０で押圧されたガラス基板Ｇと研磨パッド１０との間に供給されながら、ガラス基板１０と研磨パッド１０を相対的に移動させながら、ガラス基板Ｇの両側の主表面が研磨される。
このとき、研磨パッド１０の、少なくともガラス基板Ｇの主表面と接触する表面は、ウレア基を含まない発泡ポリウレタン樹脂で構成されている。研磨パッド１０は、ウレア基を含まない発泡ポリウレタン樹脂材料でつくられていることが好ましい。
このように、少なくとも研磨パッド１０のガラス基板Ｇと接触する表面を、ウレア基を含まない発泡ポリウレタン樹脂で構成するのは、研磨パッド１０の目詰まりを抑制するためである。

具体的には、コロイダルシリカは一部に求電子性を有する成分を含む。特に、シラノール基は、極性を有するウレア基と結びつき易い。したがって、コロイダルシリカ中の求電子性を有する成分、特にシラノール基はウレア基に接近する。また、研磨中、アルミノシリケートガラスのガラス基板Ｇからアルミニウム成分が溶出する。このアルミニウム成分は、コロイダルシリカやガラス基板Ｇの研磨により生成されるガラススラッジを凝集させる。したがって、研磨パッド１０のウレア基に近づいて凝集したシラノール基を有する凝集体とさらにガラススラッジとが、ガラス基板Ｇから溶出したアルミニウムの作用によってより凝集し易くなる。これが研磨パッド１０の微小凹凸の凹部内に形成し目詰まりの原因となる。特に発泡ウレタン樹脂である研磨パッド１０の表面の微小凹凸の凹部で上記凝集により凝集体が生成され易い。このような凝集体の一部が分離して、微粒子として研磨スラリに含まれ、ガラス基板Ｇと研磨パッド１０の間に挟まれてガラス基板Ｇの表面を傷つける。
このため、研磨処理で用いる研磨パッド１０の、少なくともガラス基板Ｇの主表面と接触する表面は、ウレア基を含まない発泡ポリウレタン樹脂で構成されている。

このとき、研磨処理は、アルカリ条件下の研磨であることが好ましい。研磨を酸性条件で行う場合、ガラス基板Ｇ中のアルミニウム成分を含む金属成分の一部が溶出して研磨速度を速くすることができる。しかし、アルミニウム成分は研磨によって生成されたガラススラッジやコロイダルシリカの一部を凝集させ易いこととから、アルミニウム成分の溶出を抑制することが好ましい。また、アルカリ条件下による研磨は、酸性条件下による研磨に比べて表面粗さを低くすることができる。これらの点で、研磨処理は、アルカリ条件下の研磨であることが好ましい。この場合、研磨スラリには、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）や、水酸化テトラエチルアンモニウム等を用いてアルカリ条件にする。

また、研磨スラリ中のシリカ砥粒の平均粒径（ｄ５０）は３０ｎｍ以下であることが、ガラス基板Ｇの算術平均粗さＲａを０．２ｎｍ以下にする点で好ましい。
また、研磨パッド１０に用いる発泡ポリウレタン樹脂の表面の開口径は５〜５０μｍであることが、コロイダルシリカやガラススラッジの凝集体が研磨パッド１０の表面の凹部で生成されることを抑制する点で好ましい。

また、コロイダルシリカは、オルトケイ酸エステルからゾルゲル法にて作製されたものであることが、コロイダルシリカ中に、凝集体をつくり易い金属成分を含まない点で好ましい。例えばＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）などに含まれるアルコキシドを、酸性、若しくは塩基性条件で、加水分解、重縮合反応を行わせる事によって、アルコールを脱離させてコロイダルシリカを合成する。ケイ酸ナトリウム等の水ガラス原料を用いてイオン交換法で行う場合、凝集体をつくり易い金属成分を多く含むため好ましくない。

（ガラス基板の製造方法）
このようなコロイダルシリカを用いて研磨処理を行うガラス基板は、以下のガラス基板の製造方法により作製される。本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法では、まず、一対の主表面を有する板状の磁気ディスク用ガラス基板の素材となるガラスブランクの成形処理が行われる。次に、このガラスブランクの粗研削処理が行われる。この後、ガラスブランクに形状加工処理及び端面研磨処理が施される。この後、ガラスブランクから得られたガラス基板に固定砥粒を用いた精研削処理が行われる。この後、第１研磨処理、化学強化処理、及び、第２研磨処理がガラス基板に施される。なお、本実施形態では、上記流れで行うが、上記処理全てがある必要はなく、これらの処理は適宜行われなくてもよい。以下、各処理について、説明する。なお、上述した研磨パッド１０、すなわち、ガラス基板Ｇの主表面と接触する表面がウレア基を含まない発泡ポリウレタン樹脂で構成される研磨パッド１０は、第２研磨処理で行われる。

（ａ）ガラスブランクの成形処理
ガラスブランクの成形では、例えばプレス成形法を用いることができる。プレス成形法により、円形状のガラスブランクを得ることができる。さらに、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することができる。これらの公知の製造方法で作られた板状ガラスブランクに対し、適宜形状加工を行うことによって磁気ディスク用ガラス基板の元となる円板状のガラス基板が得られる。

（ｂ）粗研削処理
粗研削処理では、具体的には、ガラスブランクを、周知の両面研削装置に装着される保持部材（キャリア）に設けられた保持穴内に保持しながらガラスブランクの両側の主表面の研削が行われる。この時、上記記載のキャリアを用いてもよい。研磨材として、例えば遊離砥粒が用いられる。粗研削処理では、ガラスブランクが目標とする板厚寸法及び主表面の平坦度に略近づくように研削される。なお、粗研削処理は、成形されたガラスブランクの寸法精度あるいは表面粗さに応じて行われるものであり、場合によっては行われなくてもよい。

（ｃ）形状加工処理
次に、形状加工処理が行われる。形状加工処理では、ガラスブランクの成形処理後、公知の加工方法を用いて円孔を形成することにより、円孔があいた円盤形状のガラス基板を得る。その後、ガラス基板の端面の面取りを実施する。これにより、ガラス基板の端面には、主表面と直交している側壁面と、側壁面と主表面を繋ぐ傾斜面（介在面）が形成される。

（ｄ）端面研磨処理
次にガラス基板の端面研磨処理が行われる。端面研磨処理は、研磨ブラシとガラス基板の端面との間に遊離砥粒を含む研磨液を供給して研磨ブラシとガラス基板とを相対的に移動させることにより研磨を行う処理である。端面研磨では、ガラス基板の内周側端面及び外周側端面を研磨対象とし、内周側端面及び外周側端面を鏡面状態にする。

（ｅ）精研削処理
次に、ガラス基板の主表面に精研削処理が施される。具体的には、周知の両面研削装置を用いて、ガラス基板の主表面に対して研削を行う。この場合、固定砥粒を定盤に設けて研削する。具体的には、ガラス基板を、両面研削装置の保持部材であるキャリアに設けられた保持穴内に保持しながらガラス基板の両側の主表面の研削を行う。
本実施形態の研削処理では、固定砥粒を含んだ研削面とガラス基板の主表面とを接触させてガラス基板の主表面を研削するが、遊離砥粒を用いた研削を行ってもよい。

（ｆ）第１研磨処理
次に、ガラス基板の主表面に第１研磨処理が施される。具体的には、ガラス基板の外周側端面を、図１，２に示される研磨装置と同様の構成の研磨装置のキャリアに設けられた保持穴内に保持しながらガラス基板の両側の主表面の研磨が行われる。第１研磨処理は、遊離砥粒を用いて、定盤に貼り付けられた研磨パッドを用いる。第１研磨は、ガラス基板の板厚を調整しつつ、例えば固定砥粒による研削を行った場合に主表面に残留したクラックや歪みの除去をする。第１研磨では、主表面端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面の表面粗さ、例えば算術平均粗さＲａを低減することができる。なお、第１研磨処理では、研磨スラリとしてコロイダルシリカを用いず、例えば、酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒などが用いられる。このため、第１研磨処理では、上述のガラス基板Ｇの主表面と接触する表面がウレア基を含まない発泡ポリウレタン樹脂で構成される研磨パッド１０を用いる必要はない。
なお、研磨パッドの種類は特に制限されないが、例えば、硬質発泡ウレタン樹脂ポリッシャが用いられる。

（ｇ）化学強化処理
ガラス基板は適宜化学強化することができる。化学強化液として、例えば硝酸カリウム，硝酸ナトリウム、またはそれらの混合物を加熱して得られる溶融液を用いることができる。そして、ガラス基板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス基板の表層にあるガラス組成中のリチウムイオンやナトリウムイオンが、それぞれ化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオンやカリウムイオンにそれぞれ置換されることで表層部分に圧縮応力層が形成され、ガラス基板が強化される。
化学強化処理を行うタイミングは、適宜決定することができるが、化学強化処理の後に研磨処理を行うようにすると、表面の平滑化とともに化学強化処理によってガラス基板の表面に固着した異物を取り除くことができるので特に好ましい。また、化学強化処理は、必要に応じて行われればよく、行われなくてもよい。

（ｈ）第２研磨（鏡面研磨）処理
次に、化学強化処理後のガラス基板に第２研磨が施される。第２研磨は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第２研磨においても、図１，２に示される両面研磨装置が用いられる。こうすることで、ガラス基板Ｇの板厚を微調整しつつ主表面の端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面の粗さを低減することができる。第２研磨処理では、第１研磨処理に比べて、研磨パッドの樹脂ポリッシャの硬度が軟らかい。

第２研磨処理に用いる遊離砥粒として、コロイダルシリカ等の微粒子が用いられる。研磨されたガラス基板を洗浄することで、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。
第２研磨処理では、ガラス基板Ｇの主表面と接触する表面がウレア基を含まない発泡ポリウレタン樹脂で構成される研磨パッド１０が用いられる。このため、コロイダルシリカ中の例えばシリノール基等が研磨パッド１０の表面に近づいて凝集体を形成することは抑制される。したがって、凝集体の一部が離脱して、研磨パッド１０とガラス基板Ｇとの間に挟まってガラス基板Ｇの主表面に欠陥をつくることは抑制される。

こうして作製された磁気ディスク用ガラス基板の主表面には、例えば、付着層、軟磁性層、下地層、垂直磁気記録層、カーボン保護層、潤滑層を順次成膜される。これにより、磁気ディスクが作製される。カーボン保護層は、磁気記録層が磁気ヘッドとの接触によって劣化することを防止するためのもので、例えば、水素化カーボンからなり、耐磨耗性が得られる。また、潤滑層には、例えばアルコール変性パーフルオロポリエーテルの液体潤滑剤が用いられる。

［実験例］
本実施形態の効果を確認するために、研磨パッドの種類を変えてガラス基板を作製し、このガラス基板を用いて磁気ディスクを作製した。
まず、アルミノシリケートガラスのガラス基板Ｇを、上述した（ｇ）の化学強化処理まで行った後、本実施形態の研磨パッド１０（実施例）と、ウレア基を有する研磨パッド（従来例）を用いて、第２研磨処理を行った。
実施例及び従来例に用いた研磨パッドは、スウェードの研磨パッドで、アスカーＣ硬度で７５の発泡ポリウレタン樹脂を用いた。
この第２研磨処理は、第１研磨処理で得られた平坦な表面を維持しつつ、平滑な鏡面に仕上げるための鏡面研磨である。研磨スラリとしてはコロイダルシリカ（平均粒径（ｄ５０）３０ｎｍ）を水に分散させたものを使用した。研磨スラリのｐＨは２となるようにＨ_２ＳＯ_４を用いて調整した。そして、荷重１００ｇ／ｃｍ^２、研磨による取代量を５μｍとした。上記第２研磨処理を終えたガラス基板を、洗浄し、乾燥した。
作製された磁気ディスク用ガラス基板にそれぞれ以下の成膜工程を施して、垂直磁気記録用磁気ディスクを得た。すなわち、上記ガラス基板上に、Ｔｉ系合金薄膜からなる付着層、ＣｏＴａＺｒ合金薄膜からなる軟磁性層、Ｒｕ薄膜からなる下地層、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる垂直磁気記録層、カーボン保護層、潤滑層を順次成膜した。保護層は、水素化カーボンで形成し、潤滑層は、アルコール変性パーフルオロポリエーテルの液体潤滑剤をディップ法により形成した。
得られた磁気ディスクについて、ＨＤＩ（Head Disc Interface）センサを備えたＤＦＨヘッドを用いて、グライド特性試験を行った.

（実施例）
実施例に用いた研磨パッドでは、ＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光光度計）による化学構造解析を行った所、ウレア基の含有を示すウレア結合のピークは検出されなかった。
上記第２研磨処理後の実施例のガラス基板の主表面の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定したところ、Ｒmax＝１．４３ｎｍ、Ｒa＝０．１３ｎｍと超平滑な表面を持つガラス基板を得た。また、そのガラス基板の表面を目視及び光学式表面分析装置で測定し、見つかった欠陥を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）及びＡＦＭで分析したところ、ガラス基板の主表面は鏡面状であり、問題となる微小な欠陥は発見されなかった。
また、得られた実施例のガラス基板の外径は６５ｍｍ、内径は２０ｍｍ、板厚は０．６３５ｍｍであった。こうして、本実施例の磁気ディスク用ガラス基板を得た。
また、グライド特性試験では、実施例のガラス基板を用いた磁気ディスクではサーマルアスペリティ障害も起こらず良好な結果が得られた。

（従来例）
上記実施例の第２研磨処理において、従来から用いてきた研磨パッドを使用したこと以外は、実施例と同様にして第２研磨処理を行った。そして、第２研磨処理以外は実施例と同様の方法でガラス基板を作製した。従来例に用いた研磨パッドでは、ＦＴ−ＩＲによる化学構造解析を行った所、ウレア基の含有を示すウレア結合のピークが検出された。
上記第２研磨処理後のガラス基板の表面を光学式表面分析装置で分析したところ、問題となる微小の欠陥が多数発見された。また、グライド特性試験では、従来例のガラス基板を用いた磁気ディスクでは、途中でサーマルアスペリティ障害が発生した。

上記実施例および従来例の第２研磨処理は、酸性条件下で行ったが、研磨スラリのｐＨは１０となるようにＴＭＡＨを用いてアルカリ性に調整した。アルカリ性条件化の研磨においても、実施例では研磨による微小の欠陥が確認されず、従来例では、研磨による微小の欠陥は確認された。また、グライド特性試験では、実施例のガラス基板を用いた磁気ディスクではサーマルアスペリティ障害も起こらず良好な結果が得られたが、従来例のガラス基板を用いた磁気ディスクでは、途中でサーマルアスペリティ障害が発生した。
これにより、本実施形態の効果は明らかである。

以上、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、及び磁気ディスク用基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態および実施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。

１ 研磨装置
１０ 研磨パッド
１２ 上部支持台
１４ 下部支持台
１８ 研磨本体部
３０ キャリア
３１ 歯部
３２ 保持穴
４０ 上定盤
６０ 下定盤
６１ 太陽歯車
６２ 内歯車
６３ 供給管
６４ 上部板材
６５ 上部回転シャフト
６６ 下部回転シャフト

Claims (8)

1. アルミノシリケートガラスからなるガラス基板の両側の主表面を、研磨パッドで押圧し、ガラス基板と前記研磨パッドとの間にシリカ砥粒を含む研磨スラリを供給しながら、前記主表面と前記研磨パッドとを相対的に移動させることにより、前記主表面を研磨する研磨処理を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
   前記研磨処理で用いる前記研磨パッドの、少なくとも前記主表面と接触する表面は、ウレア基を含まない発泡ポリウレタン樹脂で構成され、
   前記シリカ砥粒の平均粒径は３０ｎｍ以下であり、
   前記研磨処理では、ガラス基板の算術平均粗さＲａを０．２ｎｍ以下にする、ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
2. 前記研磨処理は、アルカリ条件下の研磨である、請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
3. オルトケイ酸エステルからゾルゲル法にて作製されたものである、請求項１または２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
4. 前記発泡ポリウレタン樹脂の表面の開口径は５〜５０μｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法で作製された磁気ディスク用ガラス基板の前記主表面に少なくとも磁性層を形成する、磁気ディスクの製造方法。
6. 研磨装置の下定盤の上面および上定盤の底面にそれぞれ研磨パッドが貼り付けられ、磁気ディスク用基板の主表面を両側から押圧するとともに、シリカ砥粒を含む研磨スラリを供給しながら前記基板の主表面と前記研磨パッドの表面を相対的に移動させることにより、前記基板の主表面を研磨する研磨処理と、
   前記研磨処理後に前記基板を洗浄し、乾燥させる洗浄工程と、を少なくとも有し、
   前記研磨パッドの、少なくとも前記主表面と接触する表面は、ウレア基を含まない発泡ポリウレタン樹脂で構成され、
   前記シリカ砥粒の平均粒径は３０ｎｍ以下であり、
   前記研磨処理では、ガラス基板の算術平均粗さＲａを０．２ｎｍ以下にする、ことを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。
7. 前記研磨処理は、アルカリ条件下で行う、請求項６に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
8. 請求項６または７に記載の製造方法で作成された磁気ディスク用基板の前記基板の主表面に少なくとも磁性層を形成する、磁気ディスクの製造方法。

Images