JP6277351B2 - デジタルx線センサ - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 39
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 9
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 9
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 7
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 7
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 5
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M mercury(1+);iodide Chemical compound [Hg]I QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- 241000287463 Phalacrocorax Species 0.000 claims 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 18
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- MPZNMEBSWMRGFG-UHFFFAOYSA-N bismuth indium Chemical compound [In].[Bi] MPZNMEBSWMRGFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150064205 ESR1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000270322 Lepidosauria Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000326 densiometry Methods 0.000 description 1
- 229920005994 diacetyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000002405 diagnostic procedure Methods 0.000 description 1
- 230000013742 energy transducer activity Effects 0.000 description 1
- 229940011871 estrogen Drugs 0.000 description 1
- 239000000262 estrogen Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000009607 mammography Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/247—Detector read-out circuitry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/17—Circuit arrangements not adapted to a particular type of detector
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
Description
− センサにより生成される「暗電流」(すなわち他の照射も強力な収集電場もまったく存在しない場合に検出され得る固有の電流)の発生と(暗電流は、量子ノイズに加えて、追加的ノイズの最も重要な成分のうちの1つである)、
− ピクセル素子の導入段階(すなわち前増幅段階)の、およびゲイン段階の、出口における直流レベルのオフセットと、
− 弁別器/計数器ユニットの導入口における直流レベルのオフセットと、
である。
−X線光子を受け取り、X線光子を電荷へと変換するよう構成された半導体変換層、
−変換層と一体化された半導体収集層であって、事前決定されたバターン状に配置された複数の収集ピクセルにより形成され、収集層の各収集ピクセルは変換層から電子を受け取るよう構成された、収集層、および、
−収集ピクセルにより収集されたデータを取得素子に転送するためのデータ出力手段、
を含み、
−各収集ピクセルには、変換層により生成された電子を含む電荷を、導入電荷として受け取るよう構成された電荷増幅手段であって、導入口電荷に比例するピーク値を有する電圧信号を生成するよう構成された電荷増幅手段が含まれ、
−各収集ピクセルには、複数のN個の窓弁別器が含まれ、各弁別器は下方閾値(L i )および上方閾値(U i )を含む2つの電荷閾値(L i 、U i )を有しており、各弁別器(24i)は、
−前記ピーク値と、2つの電荷閾値と、を比較することと、
−前記ピーク値が前記下方閾値よりも高く、且つ
−前記ピーク値が前記上方閾値よりも低い、場合に、0−レベルと1−レベルとの間の即時遷移を実行することと、
を行うよう構成され、
前記N個の弁別器のうちのそれぞれの弁別器に対して、
−上方閾値が、前記各弁別器とは異なる前記弁別器のうちの少なくとも1つの下方閾値よりも低低いか、あるいは上方閾値が、前記各弁別器とは異なる弁別器のうちの少なくとも1つの下方閾値に等しいことと、
−下方閾値が、前記各弁別器とは異なる弁別器のうちの少なくとも1つの上方閾値よりも高いか、あるいは下方閾値が前記各弁別器とは異なる弁別器のうちの少なくとも1つの上方閾値に等しいことと、
間で選択される少なくとも1つの状況が生じ、
複数のN個の計数器が各収集ピクセルに含まれ、前記計数器のうちのそれぞれはそれぞれの弁別器に連結され、
各計数器は、
−ピーク値がそれぞれの弁別器の下方閾値よりも高く、且つ、
−ピーク値がそれぞれの弁別器の上方閾値よりも低い、場合、
1単位だけ自身の計数の値を増加させるよう構成され、
一方で、前記各計数器とは異なる計数器は、自身の計数器を不変に保つよう構成され、
データ出力手段は、各電荷閾値に対してN個のエネルギー窓に格納された計数に対応するN個の「カラー」における入射する放射の測定データを各収集ピクセルから受け取るよう構成される、
デジタルX線センサにより達成される。
−事前決定された数値のビットの組み合わせを受け取ることと、当該ビットの組み合わせに対応する電流値を生成することと、を行うよう構成された、収集層の各ピクセルの少なくとも1つの弁別器に対するDAC(すなわちデジタル・アナログ変換器)と、
−各収集ピクセルの増幅手段に電流を供給するよう構成された電流供給手段と、
−オフセット補正電流値を計算する手順を実行するよう構成された、各収集ピクセルに存在する論理手段と、
を含む。
−ビットの組み合わせを生成するステップと、
−デジタル・アナログ変換器が対応するトライアル電流値を生成するよう、ビットの組み合わせをデジタル・アナログ変換器に転送するステップと、
−供給手段を通してトライアル電流を増幅手段に供給するステップと、
−計数器の計数値を受け取るステップと、
−計数値がトライアル電流のために増加する場合、上記のステップを反復するステップと、
−計数値がトライアル電流により増加しない場合、トライアル電流値を補正電流値として定義するステップと、
を含む、オフセット補正電流値を計算するための反復手順を実行するよう構成される。
−各弁別器/計数器ユニットにおいて計数事象を生じさせるよう適応された初期トライアル電流値から始まる、減少する強度の電流を各ピクセル(すなわち各ピクセルの電荷増幅手段)に供給することと、
−ピクセルに供給される各強度電流値に対して、収集ピクセルの各弁別器/計数器ユニットが計数するステップを実行しているかどうかをチェックすることと、
−各収集ピクセルに対して、計数事象を生じさせない最大供給電流強度を特定し、センサの後続動作において各弁別器/計数器ユニットに供給されるべきオフセット補正電流値として、計数事象を生じさせない当該最大供給電流強度を、ピクセルのメモリユニットに格納することと、
を行うよう構成される。
−初期トライアル電流値は、DACにより得られ得る最大電流値(すなわちその最大値に設定されたDACにより得られ得る電流値)に等しく、なおこの最大値は、弁別器/計数器ユニットの接地基準に対応する最小値に閾値が設定されると、各弁別器/計数器ユニットにおいて計数事象を生じさせるよう適応され、
−較正手段の論理手段は、後続トライアル電流を各ピクセルに供給するよう構成され、前記後続トライアル電流は、
−先行トライアル電流が各弁別器/計数器ユニットにおいて計数事象を生じさせる場合には、先行トライアル電流よりも低い強度と、
−先行トライアル電流が各弁別器/計数器ユニットにおいて計数事象を生じさない場合には、先行トライアル電流によりも高い強度と、
を有し、
−較正手段の論理手段は、弁別器/計数器ユニットにおいて計数事象を生じさせないトライアル電流値、特に第1供給トライアル電流値を、後続動作において各弁別器/計数器ユニットに供給されるべき補正電流として格納するよう構成される。
−通常、一般的な放射線用途で使用される、8個のエネルギー窓に対する弁別器および計数器が提供された200−μm収集ピクセル、
−大部分の放射線用途に対して十分に満足できる、6個のエネルギー窓に対する弁別器および計数器が提供された100−μm収集ピクセル、
−2個のエネルギー窓に対する弁別器および計数器が提供された50−μm収集ピクセル、
が考えられ得る。
−32個のエネルギー窓に対する弁別器および計数器が提供された200−μm収集ピクセル、
−16個のエネルギー窓に対する弁別器および計数器が提供された100−μm収集ピクセル、
−8個のエネルギー窓に対する弁別器および計数器が提供された50−μm収集ピクセル、
が考えられ得る。
[1]Sindre Mikkelsenら: ”An ASIC for multi−energy x−ray counting”, Nuclear science symposium conference record, 2008. NSS ’08. IEEE (19−25 October 2008), IEEE, Piscataway, NJ, USA, 19 October 2008, pp. 1996−2001, XP031419139, ISBN: 978−1−4244−271 4−7
[2]Roberto Dinapollら: ”EIGER: Next generation only photon−counting detector for X−ray applications”, Nuclear instruments & methods in physics research. Section A: Accelerators, spectrometers, detectors, and associated equipment, vol. 650, n. 1, 201 1, pp. 79−83, XP028273505, ISSN: 0168−9002, DOl: 10.1 01 6lJ.NIMA.2010.12.005 [retrieved on 2010−12−141]
[3]Radicci V.ら: ”EIGER to in the only photon−counting detector for X−ray applications: performance of the chip”, Journal of instrumentation, institution of physics publishing, Bristol, GB, vol. 7, n. 2, 9 February 2012, page C0201 9, XP020218873, ISSN: 1748−0221, DOl: 10.108811/748−0221 /7/02/C02019
[4]Matteo Perenzoniら: ”A Multispectral Analog Photon−Counting Readout Circuit for X−ray Hybrid Pixel Detectors”, IEEE Transactions on instrumentation and measurement, IEEE Service Centre, Piscataway, NJ, US, vol. 57, n. 7, 1° July 2008, pp. 1438−1444, XP011205122, ISSN: 001 8−9456
Claims (26)
- − X線光子(2)を受け取ることと、前記X線光子(2)を電荷(16)に変換することと、を行うよう構成された半導体変換層(10)、
− 前記変換層(10)と一体化された半導体収集層(20)であって、事前決定されたパターン状に配置された複数の収集ピクセル(22)から形成され、前記収集層(20)の各収集ピクセル(22)は、前記電荷(16)の電子を前記変換層(10)から受け取るよう構成された、半導体収集層(20)、および
− 前記収集ピクセル(22)により収集されたデータを取得素子(50)に転送するためのデータ出力手段(213)、
を含み、
各収集ピクセル(22)は
− 前記変換層(10)により生成された前記電子を含む前記電荷(16)を導入口電荷として受け取るために配置された増幅手段(203)であって、前記導入口電荷(16)に比例するピーク値(21)を有する電圧信号(17)を生成するよう構成された増幅手段(203)、および、
− 複数のN個の窓弁別器(24i)であって、各弁別器(24i)は複数のCMOSトランジスタを含み、各弁別器は下方閾値(L i )および上方閾値(U i )を含む2つの電荷閾値(L i 、U i )を有しており、各弁別器(24i)は、
− 前記ピーク値(21)と、前記2つの電荷閾値(L i 、U i )と、を比較することと、
− 前記ピーク値(21)が前記下方閾値(L i )よりも高く、且つ
− 前記ピーク値(21)が前記上方閾値(U i )よりも低い、場合に、 0−レベルと1−レベルとの間の即時遷移を実行することと、
を行うよう構成された、弁別器(24i)
を含み、
各弁別器(24i)に対して、
− 前記上方閾値(U i )が、前記各弁別器(24i)とは異なる前記弁別器(24k、k≠i)のうちの少なくとも1つの前記下方閾値(L k )よりも低いか、あるいは前記上方閾値(U i )が前記各弁別器(24i)とは異なる前記弁別器(24k、k≠i)のうちの少なくとも1つの前記下方閾値(L k )に等しいことと、
− 前記下方閾値(L i )が、前記各弁別器(24i)とは異なる前記弁別器(24k、k≠i)のうちの少なくとも1つの前記上方閾値(U k )よりも高いか、あるいは前記下方閾値(L i )が前記各弁別器(24i)とは異なる前記弁別器(24k、k≠i)のうちの少なくとも1つの前記上方閾値(U k )に等しいことと、
の間で選択される少なくとも1つの状況が生じ、
各収集ピクセル(22)は複数のN個の計数器(26i)を含み、前記計数器(26i)のうちのそれぞれは前記弁別器(24i)のそれぞれの弁別器に連結され、
各カウンタ(26i)は、
− 前記ピーク値(21)が前記それぞれの弁別器(24i)の前記下方閾値(L i )よりも高く、且つ
− 前記ピーク値(21)が前記それぞれの弁別器(24i)の前記上方閾値(U i )よりも低い、場合、
1単位だけ自身の計数の値を増加させるよう構成され、
その一方、前記各計数器(26i)とは異なる前記計数器(26k、k≠i)は、自身の計数値を不変に保つよう構成され、
前記データ出力手段(213)は、各収集ピクセル(22)の前記計数器(26i)から、各電荷閾値に対してN個のエネルギー窓に格納された前記計数に対応するN個の「カラー」における入射する放射(2)の測定データを受け取るよう構成され、
− 各収集ピクセル(22)の少なくとも1つの弁別器(24i)に対するデジタル・アナログ変換器(DAC)(28i)であって、事前決定された数値のビットの組み合わせを受け取ることと、前記ビットの組み合わせに対応する電流値を生成することと、を行うよう構成されたDAC(28i)、
− 電流を各収集ピクセル(22)に供給するための電流供給手段(206)であって、前記少なくとも1つの弁別器(24i)の前記ビットの組み合わせに応答する電流を前記増幅手段(203)に供給するよう構成された、電流供給手段(206)、および
− 前記収集ピクセル(22)のうちのそれぞれに存在し、オフセット補正電流値を判定するよう構成された論理手段(34)であって、前記または各デジタル・アナログ変換器(28i)の前記ビットの組み合わせのうちのどのビットの組み合わせが前記補正電流を供給するために使用されるべきかを確立するために、前記収集ピクセル(22)の全部に対して同時に前記論理手段(34)により各ピクセルにおいて事前に実行される較正ステップを各収集ピクセル内で実行するよう構成された、論理手段(34)、
を含むことを特徴とし、
前記収集ピクセル(22)のうちのそれぞれは、前記オフセット補正電流値のメモリユニット(35)を含み、
前記論理手段(34)も前記補正電流値を前記メモリユニット(35)に格納するよう構成され、
前記論理手段は、前記収集ピクセル(22)のうちのそれぞれに存在し、前記オフセット補正電流値を計算する反復手順(80)により前記較正ステップを各収集ピクセル内で実行するよう構成され、前記手順は、
− 前記ビットの組み合わせを生成すること、
− 前記デジタル・アナログ変換器(28 i )が対応するトライアル電流値を生成するよう、前記ビットの組み合わせを前記デジタル・アナログ変換器(28 i )に転送すること、
− 前記トライアル電流を前記供給手段(206)を通して前記増幅手段(203)に供給すること、
− 前記計数器(28 i )の計数値を受け取ること、
− 前記計数値が前記トライアル電流のために増加した場合、上記のステップを反復すること、および、
− 前記計数値が前記トライアル電流により増加しない場合、前記トライアル電流値を前記補正電流値として定めること、
を含む、デジタルX線センサ(100)。 - 前記トライアル電流は、各弁別器/計数器ユニット(24i/26i)において計数事象を生じさせるよう適応された初期トライアル電流値から始まって、前記弁別器/計数器ユニット(24i/26i)において計数事象を生じさせない最終トライアル電流値が到達されるまで、前記反復手順(80)の前記ステップの各反復において減少する値を有し、各収集ピクセル(22)の前記論理手段は、前記最終トライアル電流値を、前記収集ピクセル(22)の前記メモリユニット(35)における前記収集ピクセル(22)の前記補正電流値として定めるよう構成された、請求項1に記載のデジタルセンサ。
- 前記収集ピクセル(22)は六角形平面形状を有し、ハニカム状パターンで配置される、請求項1に記載のデジタルX線センサ。
- 前記デジタル・アナログ変換器(28i)は5よりも大きいかまたは5に等しいビット数を有し、特に前記デジタル・アナログ変換器(28i)は5−ビットデジタル・アナログ変換器である、請求項1に記載のデジタルX線センサ。
- 前記弁別器(24i)の前記下方電荷閾値(L i 、U i )は、5〜15keV、15〜25keV、25〜40keV、40〜60keVからなる群から選択される光子エネルギー場、すなわち光子エネルギー窓、が画成されるよう選択される、請求項1に記載のデジタルX線センサ。
- 前記計数器(26i)は通常の15−ビットシリコンレジスタを含む、請求項1に記載のデジタルX線センサ。
- 前記センサは、2〜4cmの範囲に設定された側部寸法、特に約2.5×3.0cmの寸法を有する、請求項1に記載のデジタルX線センサ。
- 前記収集ピクセル(22)は300μm〜25μmの範囲に、具体的には150μm〜25μmの範囲に、さらに具体的には75μm〜25μmの範囲に、設定されたサイズを有する、請求項1に記載のデジタルX線センサ。
- 前記CMOSトランジスタは0.18−μmCMOSトランジスタであり、前記収集ピクセルは約200μmのサイズを有し、8つのエネルギー窓が画成されるよう、いくつかの前記弁別器(24i)および前記計数器(28i)を含む、請求項8に記載のデジタルX線センサ。
- 前記CMOSトランジスタは0.18−μmCMOSトランジスタであり、前記収集ピクセルは約100μmのサイズを有し、6つのエネルギー窓が画成されるよう、いくつかの前記弁別器(24i)および前記計数器(28i)を含む、請求項8に記載のデジタルX線センサ。
- 前記CMOSトランジスタは0.18−μmCMOSトランジスタであり、前記収集ピクセルは約50μmのサイズを有し、2つのエネルギー窓が画成されるよう、いくつかの前記弁別器(24i)および前記計数器(28i)を含む、請求項8に記載のデジタルX線センサ。
- 前記CMOSトランジスタは0.045−μmCMOSトランジスタであり、前記収集ピクセルは約200μmのサイズを有し、32個のエネルギー窓が画成されるよう、いくつかの前記弁別器(24i)および前記計数器(28i)を含む、請求項8に記載のデジタルX線センサ。
- 前記CMOSトランジスタは0.045−μmCMOSトランジスタであり、前記収集ピクセルは約100μmのサイズを有し、16個のエネルギー窓が画成されるよう、いくつかの前記弁別器(24i)および前記計数器(28i)を含む、請求項8に記載のデジタルX線センサ。
- 前記CMOSトランジスタは0.045−μmCMOSトランジスタであり、前記収集ピクセルは約50μmのサイズを有し、8つのエネルギー窓が画成されるよう、いくつかの前記弁別器(24i)および前記計数器(28i)を含む、請求項8に記載のデジタルX線センサ。
- 前記半導体変換層(10)は、前記収集層(20)の前記収集ピクセル(22)の前記パターンに対応するパターンで配置された複数の変換ピクセル(11)を含み、各変換ピクセル(11)はそれぞれの収集ピクセル(22)に一義的に対応し、電気接続が各変換ピクセル(11)と前記それぞれの収集ピクセル(22)との間に提供される、請求項1に記載のデジタルX線センサ(100)。
- 前記変換層(10)は結晶性物質製である、請求項1に記載のデジタルX線センサ。
- 前記結晶性物質は、ピクセル構造体(11)を有する前記収集層(10)に対向する金属被覆層(13)を有する、請求項16に記載のデジタルX線センサ。
- 前記収集層(20)の前記ピクセル(22)に対向する前記変換層(10)の前記ピクセル(11)は、光リソグラフ技術により、特に薄い半導体の堆積およびパターン形成と、金属膜の絶縁とにより、得られる、請求項16に記載のデジタルX線センサ。
- 前記変換層(10)はバンプボンディング技術により、すなわち前記変換層(10)と前記収集層(20)との間に配置された導電性物質製の複数のバンプを通して、前記収集層(20)とピクセル毎に接合(11−22)され、各バンプはそれぞれの収集ピクセル(22)に配置された、請求項1に記載のデジタルX線センサ。
- 前記変換層(10)は、蒸着および堆積技術により、特に前記収集層(20)上における多結晶質半導体物質または非晶質半導体物質のスクリーン印刷技術により、前記収集層(20)をコーティングすることにより得られる、請求項1に記載のデジタルX線センサ。
- 前記変換層(10)は、テルル化カドミウム、セレン、ヨウ化鉛、ヨウ化水銀、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、または前記物質の組み合わせ、からなる群から選択される物質を含む、請求項1に記載のデジタルX線センサ。
- 使用時に前記変換層(10)を事前決定された最大動作温度よりも低い温度にし、前記温度に維持するよう構成された変換層冷却手段(40)が提供され、特に前記冷却手段は前記変換層を摂氏20度〜摂氏40度の範囲にし、前記範囲に維持するよう構成され、
特に、前記冷却手段(40)は、前記収集層(20)に接触する低温表面(41)と、熱除去手段(43)に対して露出された高温表面(42)と、を有するペルチェセル装置を含む、
請求項1に記載のデジタルX線センサ。 - 前記収集層(20)は各収集ピクセルに対して伝導性パッド(201)、特にアルミニウムパッドを有し、特に前記パッド(201)は、各ピクセル(22)の前記素子(200)の前記導入段階を形成する、前記電荷増幅手段(203)に向かう境界面を形成する、請求項1に記載のデジタルX線センサ。
- 前記収集層(20)内に電場を形成するための手段(4、5、12、13)を含み、前記手段は、
− 前記センサ(100)の周囲に配置され、且つ、第1事前決定された電圧に達するよう構成された第1金属薄膜(12)、および
− 前記収集層(20)に接続された前記側部における前記変換層(10)上に配置され、且つ、前記変換層(10)の前記導入口パッド(201)の電圧に達するよう構成された第2薄膜(13)、
を含む、請求項23に記載のデジタルX線センサ。 - 第2薄膜(13)は、特に前記変換層(20)の同一表面上に配置されたさらなる金属膜とともに、ショットキー型接合部を提供するよう構成された、請求項24に記載のデジタルX線センサ。
- − X線光子(2)を半導体変換層(10)に照射し、前記変換層(10)により前記X線光子(2)を電荷(16)に変換することと、
− 前記変換層(10)と一体化された半導体収集層(20)であって、事前決定されたパターンで配置された複数の収集ピクセル(22)により形成される半導体収集層(20)を事前配置することと、
− 前記収集層(20)の各収集ピクセル(22)により前記変換層(10)から前記電荷(16)の電子を受け取ることと、
− 各収集ピクセル(22)において前記電荷を増幅(203)し、前記電荷(16)に比例するピーク値(21)を有する電圧信号(17)を生成することと、
− 複数のN個の窓弁別器(24i)により各収集ピクセル(22)における前記ピーク値を弁別することであって、各弁別器(24i)は複数のCMOSトランジスタを含み、各弁別器は下方閾値(L i )および上方閾値(U i )を含む2つの電荷閾値(L i 、U i )を有しており、各弁別器(24i)は、
− 前記ピーク値(21)と、前記2つの電荷閾値(L i 、U i )と、を比較することと、
− 前記ピーク値(21)が前記下方閾値(L i )よりも高く、且つ
− 前記ピーク値(21)が前記上方閾値(U i )よりも低い、場合に、
− 0−レベルと1−レベルとの間の即時遷移を実行することと、
を実行し、
各弁別器(24i)に対して、
− 前記上方閾値(U i )が、前記各弁別器(24i)とは異なる前記弁別器(24k、k≠i)のうちの少なくとも1つの前記下方閾値(L k )よりも低いか、あるいは前記上方閾値(U i )が前記各弁別器(24i)とは異なる前記弁別器(24k、k≠i)のうちの少なくとも1つの前記下方閾値(L k )に等しいことと、
− 前記下方閾値(L i )が、前記各弁別器(24i)とは異なる前記弁別器(24k、k≠i)のうちの少なくとも1つの前記上方閾値(U k )よりも高いか、あるいは前記下方閾値(L i )が前記各弁別器(24i)とは異なる前記弁別器(24k、k≠i)のうちの少なくとも1つの前記上方閾値(U k )に等しいことと、
の間で選択される少なくとも1つの状況が生じることと、
− 各収集ピクセル(22)において、複数のN個の計数器(26i)により各弁別器において分別された前記ピーク値を計数することであって、前記計数器(26i)のうちのそれぞれは前記弁別器(24i)のそれぞれの弁別器に連結され、
各カウンタ(26i)において前記計数することは、
− 前記ピーク値(21)が前記それぞれの弁別器(24i)の前記下方閾値(L i )よりも高く、且つ
− 前記ピーク値(21)が前記それぞれの弁別器(24i)の前記上方閾値(U i )よりも低い、場合、
1単位だけ自身の計数の値を増加させることにより実行され、
その一方、前記各計数器(26i)とは異なる前記計数器(26k、k≠i)は、自身の計数値を不変に保つことと、
− 前記データを取得素子(50)に転送するために、前記収集ピクセル(22)により収集されたデータを、データ出力手段(213)により、取得することと、
を含む、X線センサ(100)による放射線撮像方法であって、前記方法は、
− 事前決定された数値のビットの組み合わせを受け取ることと、前記ビットの組み合わせに対応する電流値を生成することと、を行うよう構成されたデジタル・アナログ変換器(DAC)(28i)を、各収集ピクセル(22)の少なくとも1つの弁別器(24i)に対して事前配置することと、
− 前記少なくとも1つの弁別器(24i)の前記ビットの組み合わせに応答して供給される補正電流(206)を前記収集ピクセル(22)のうちのそれぞれの前記増幅手段(203)に供給することと、
を含むことを特徴とし、
前記または各デジタル・アナログ変換器(28i)の前記ビットの組み合わせのうちのどのビットの組み合わせが前記補正電流を供給するために使用されるべきかを確立するために各収集ピクセル内で実行される較正ステップであって、前記収集ピクセル(22)のうちのそれぞれに存在する論理手段(34)により各ピクセルにおいて事前に実行される較正ステップも含むことを特徴とし、
前記較正ステップは、前記収集ピクセル(22)全部に対して同時に各収集ピクセル内で実行され、
前記較正ステップは、
− 前記ビットの組み合わせを生成すること、
− 前記デジタル・アナログ変換器(28 i )が対応するトライアル電流値を生成するよう、前記ビットの組み合わせを前記デジタル・アナログ変換器(28 i )に転送すること、
− 前記トライアル電流を前記供給手段(206)を通して前記増幅手段(203)に供給すること、
− 前記計数器(28 i )の計数値を受け取ること、
− 前記計数値が前記トライアル電流のために増加した場合、上記のステップを反復すること、および、
− 前記計数値が前記トライアル電流により増加しない場合、前記トライアル電流値を前記補正電流値として定めること、
を含む、オフセット補正電流値を計算する反復手順(80)を含む、放射線撮像方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ITPI2012A000060 | 2012-05-15 | ||
IT000060A ITPI20120060A1 (it) | 2012-05-15 | 2012-05-15 | Sensore radiologico digitale |
PCT/IB2013/053993 WO2013190401A2 (en) | 2012-05-15 | 2013-05-15 | A digital x-ray sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015523554A JP2015523554A (ja) | 2015-08-13 |
JP6277351B2 true JP6277351B2 (ja) | 2018-02-14 |
Family
ID=46584124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015512186A Active JP6277351B2 (ja) | 2012-05-15 | 2013-05-15 | デジタルx線センサ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9753160B2 (ja) |
EP (1) | EP2850458B1 (ja) |
JP (1) | JP6277351B2 (ja) |
CN (1) | CN104285164B (ja) |
IT (1) | ITPI20120060A1 (ja) |
WO (1) | WO2013190401A2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105765406B (zh) * | 2014-09-26 | 2018-01-05 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有加热设备的辐射探测器 |
JP6355598B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2018-07-11 | 株式会社リガク | X線データ処理装置、その方法およびプログラム |
DE102015213911B4 (de) * | 2015-07-23 | 2019-03-07 | Siemens Healthcare Gmbh | Verfahren zum Erzeugen eines Röntgenbildes und Datenverarbeitungseinrichtung zum Ausführen des Verfahrens |
US10098595B2 (en) * | 2015-08-06 | 2018-10-16 | Texas Instruments Incorporated | Low power photon counting system |
EP3341755B1 (en) * | 2015-08-27 | 2020-01-08 | Koninklijke Philips N.V. | Photon counting device and method |
JP6517664B2 (ja) * | 2015-10-28 | 2019-05-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 読み出し回路 |
CN107295277A (zh) * | 2016-04-13 | 2017-10-24 | 合肥芯福传感器技术有限公司 | 基于错位增像的蜂巢形像元阵列、图像传感器及采集方法 |
US10555711B2 (en) | 2016-09-16 | 2020-02-11 | NanoX-Medical Corp | Apparatus and method for low dose mammography using auger imager |
EP3516426B1 (en) * | 2016-09-23 | 2021-04-28 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | Systems with multiple layers of semiconductor x-ray detectors |
US10151845B1 (en) | 2017-08-02 | 2018-12-11 | Texas Instruments Incorporated | Configurable analog-to-digital converter and processing for photon counting |
JP6951158B2 (ja) * | 2017-09-05 | 2021-10-20 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その駆動方法および放射線撮像システム |
WO2019080041A1 (en) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | X-RAY DETECTOR WITH COOLING SYSTEM |
US10024979B1 (en) | 2017-11-01 | 2018-07-17 | Texas Instruments Incorporated | Photon counting with coincidence detection |
EP3508887A1 (en) * | 2018-01-09 | 2019-07-10 | Koninklijke Philips N.V. | Charge sharing calibration method and system |
CN109194331B (zh) * | 2018-08-29 | 2021-10-26 | 苏州瑞迈斯医疗科技有限公司 | 电子装置以及校正该电子装置中比较器的方法 |
US10890674B2 (en) | 2019-01-15 | 2021-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Dynamic noise shaping in a photon counting system |
JP7368948B2 (ja) * | 2019-03-12 | 2023-10-25 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置、放射線撮影装置および画像処理方法 |
JPWO2021153107A1 (ja) * | 2020-01-27 | 2021-08-05 | ||
SE543756C2 (en) * | 2020-06-26 | 2021-07-13 | Direct Conv Ab | Sensor unit, radiation detector, method of manufacturing sensor unit, and method of using sensor unit |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59218981A (ja) * | 1983-05-27 | 1984-12-10 | Nippon Atom Ind Group Co Ltd | 電荷パルサ |
JPS60122382A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-29 | Shimadzu Corp | 放射線結像装置 |
US5528043A (en) | 1995-04-21 | 1996-06-18 | Thermotrex Corporation | X-ray image sensor |
JP2000105278A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-11 | Konica Corp | X線画像形成システム |
DE19945757A1 (de) * | 1999-09-24 | 2001-03-29 | Philips Corp Intellectual Pty | Röntgendetektor |
JP4582022B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2010-11-17 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出器,放射線検出素子及び放射線撮像装置 |
EP2037505B1 (en) * | 2003-01-10 | 2010-07-14 | Paul Scherrer Institut | Photon counting imaging device |
CN2681211Y (zh) * | 2004-01-08 | 2005-02-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 扩充卡固定装置 |
US7129883B2 (en) * | 2004-02-23 | 2006-10-31 | Sony Corporation | Method and apparatus for AD conversion, semiconductor device for detecting distribution of physical quantity, and electronic apparatus |
JP2006101926A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | M & C:Kk | 放射線検出装置、放射線画像診断装置、及び放射線画像の生成方法 |
JP5136736B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2013-02-06 | 株式会社アクロラド | 放射線画像検出モジュールおよび放射線画像検出装置 |
US7829860B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-11-09 | Dxray, Inc. | Photon counting imaging detector system |
US8384038B2 (en) * | 2009-06-24 | 2013-02-26 | General Electric Company | Readout electronics for photon counting and energy discriminating detectors |
US9000385B2 (en) * | 2009-12-30 | 2015-04-07 | General Electric Company | Method and apparatus for acquiring radiation data |
JP2012047550A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Hitachi Cable Ltd | 放射線検出器ユニット |
DE102013200021B4 (de) * | 2013-01-02 | 2016-01-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Kalibrierung eines zählenden digitalen Röntgendetektors, Röntgensysteme zur Durchführung eines solchen Verfahrens und Verfahren zur Aufnahme eines Röntgenbildes |
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-
2012
- 2012-05-15 IT IT000060A patent/ITPI20120060A1/it unknown
-
2013
- 2013-05-15 JP JP2015512186A patent/JP6277351B2/ja active Active
- 2013-05-15 WO PCT/IB2013/053993 patent/WO2013190401A2/en active Application Filing
- 2013-05-15 CN CN201380025271.6A patent/CN104285164B/zh active Active
- 2013-05-15 EP EP13783378.6A patent/EP2850458B1/en active Active
- 2013-05-15 US US14/399,358 patent/US9753160B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2850458A2 (en) | 2015-03-25 |
EP2850458B1 (en) | 2018-07-18 |
JP2015523554A (ja) | 2015-08-13 |
WO2013190401A2 (en) | 2013-12-27 |
WO2013190401A3 (en) | 2014-03-13 |
ITPI20120060A1 (it) | 2013-11-16 |
US9753160B2 (en) | 2017-09-05 |
CN104285164A (zh) | 2015-01-14 |
CN104285164B (zh) | 2017-12-26 |
US20150139390A1 (en) | 2015-05-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160506 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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