JP6276048B2 - アミン化合物の製造方法 - Google Patents
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Description
RaN(XCN)3−a (1)
(式(1)中、Rは水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基、Xは炭素数1〜6のアルキレン基、aは0〜2の整数を示す。)
で表されるニトリル化合物(以下、ニトリル化合物(1)という。)を接触水素化することを特徴とする、式(2):
RaN(XCH2NH2)3−a (2)
(式(2)中、R、X及びaは前記に同じ。)
で表されるアミン化合物(以下、アミン化合物(2)という。)の製造方法に関する。
装置:島津製作所社製ガスクロマトグラフィー装置「GC−2010」
カラム:J&B社製DB−1(長さ30m、内径0.25mm、膜厚0.25μm)
キャリアガス:ヘリウム、100kPa
スプリット比:1:100
カラム温度:100℃(0分ホールド)→10℃/分→300℃(5分ホールド)
検出方法:FID(水素炎イオン検出器)
分析合計時間:25分
検出器温度:300℃
注入口温度:300℃
注入量:1.0μL(20vol%メタノール溶液)
ビーカーに、触媒としてスポンジコバルト触媒41.7g(乾燥重量27.6g)、遷移金属を含有する添加物としてスポンジニッケル1.1g(乾燥重量0.6g)、及びメタノール約80gを量り取り、これらを撹拌混合した後、デカンテーションする操作を4回繰り返してスポンジコバルト触媒及びスポンジニッケルをメタノール置換した。オートクレーブ反応器に、メタノール置換したスポンジコバルト触媒及びスポンジニッケルとMIBPN178.4gを入れ、反応器内を窒素で置換した。次いで反応器内を水素で置換し、撹拌しながら、内温35℃において反応器内の圧力が0.5MPaになるまで、アンモニアを導入した。その後、さらに水素を導入して反応器内の圧力を1.0MPaとした後、反応器内の温度が80℃になるまで昇温した。昇温後、反応器内の圧力が4.5MPaとなるように水素を導入しながら、80℃で水素吸収がなくなるまで反応させた(反応時間3.9時間)。反応終了後、反応器内の温度が40℃になるまで冷却し、さらに撹拌を行いながら内圧を少しずつ下げて、水素とアンモニアを反応器外に排出した。反応器内の圧力が常圧に達したところで、反応混合物を取り出し、スポンジコバルト触媒及びスポンジニッケルをろ過し、得られたろ液をGCで分析し、内部標準法でMIBPAの収率を、面積百分率法でMIBPA、MAPA及び2MIBPAの生成比率を算出した。その結果を表1に示す。
触媒としてスポンジコバルト触媒83.4g(乾燥重量55.3g)、遷移金属を含有する添加物としてスポンジニッケル4.6g(乾燥重量2.7g)、MIBPN353.4gを用いた以外は、実施例1と同様に操作した(反応時間3.6時間)。その結果を表1に示す。
触媒としてスポンジコバルト触媒83.4g(乾燥重量55.3g)、遷移金属を含有する添加物としてスポンジニッケル9.2g(乾燥重量5.5g)、MIBPN357.2gを用いた以外は、実施例1と同様に操作した(反応時間3.5時間)。その結果を表1に示す。
触媒としてスポンジコバルト触媒41.6g(乾燥重量27.6g)、遷移金属を含有する添加物としてスポンジニッケルに代えて酢酸マンガン(II)四水和物4.2g(金属マンガン分1.1g)、MIBPN178.5gを用いた以外は、実施例1と同様に操作した(反応時間5.0時間)。その結果を表1に示す。
触媒としてスポンジコバルト触媒41.7g(乾燥重量27.6g)、遷移金属を含有する添加物としてスポンジニッケルに代えて炭酸マンガン(II)2.2g(金属マンガン分1.1g)、MIBPN179.2gを用いた以外は、実施例1と同様に操作した(反応時間3.9時間)。その結果を表1に示す。
遷移金属を含有する添加物を用いず、触媒としてスポンジコバルト触媒41.3g(乾燥重量27.6g)、MIBPN177.4gを用いた以外は、実施例1と同様に操作した(反応時間4.9時間)。その結果を表1に示す。
触媒としてスポンジコバルト触媒49.5g(乾燥重量32.8g)、遷移金属を含有する添加物としてスポンジニッケル1.3g(乾燥重量0.76g)、MIBPN268.4gを用い、反応器内の圧力を8.0MPaとしたこと以外は、実施例1と同様に操作した(反応時間4.7時間)。反応終了後、反応器内の温度が40℃になるまで冷却し、さらに撹拌を行いながら内圧を少しずつ下げて、水素及びアンモニアを反応器外に排出した。反応器内の圧力が常圧に達したところで撹拌を止めて、1時間静置して触媒を沈降させた後、反応混合物の上澄みを抜き出した。得られた上澄みのGC分析の結果を表2に示す。
実施例6で反応器内に残存させたスポンジコバルト触媒及びスポンジニッケルに、MIBPN270.1gを加えた後、実施例6と同様に操作した(反応時間4.5時間)。その結果を表2に示す。
実施例7で反応器内に残存させたスポンジコバルト触媒及びスポンジニッケルに、MIBPN270.0gを加えた後、実施例6と同様に操作した(反応時間4.8時間)。その結果を表2に示す。
Claims (6)
- コバルト触媒と、スポンジニッケル触媒、酢酸マンガン又は炭酸マンガンの存在下、式(1):
RaN(XCN)3−a (1)
(式(1)中、Rは水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基、Xは炭素数1〜6のアルキレン基、aは0〜2の整数を示す。)
で表されるニトリル化合物を接触水素化することを特徴とする、式(2):
RaN(XCH2NH2)3−a (2)
(式(2)中、R、X及びaは前記に同じ。)
で表されるアミン化合物の製造方法。 - コバルト触媒がスポンジコバルト触媒である請求項1に記載のアミン化合物の製造方法。
- aが0又は1である請求項1又は2のいずれかに記載のアミン化合物の製造方法。
- Rが炭素数1〜3のアルキル基であり、Xが炭素数1〜3のアルキレン基である請求項1
〜3のいずれかに記載のアミン化合物の製造方法。 - コバルト触媒と、スポンジニッケル触媒、酢酸マンガン又は炭酸マンガンを反応後の反応混合物から分離し、前記接触水素化に繰り返し使用することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のアミン化合物の製造方法。
- コバルト触媒と、スポンジニッケル触媒、酢酸マンガン又は炭酸マンガンを反応後の反応混合物中で沈降させた後、前記反応混合物の上澄みの一部又は全部を抜き出して得られる残渣を前記接触水素化に繰り返し使用することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のアミン化合物の製造方法。
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