JP6271180B2 - アレイ基板、表示パネル及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本実施例はアレイ基板11を提供し、該アレイ基板11及び対向基板が対向に設けられて液晶セルを形成し、液晶セルに液晶材料が収納される。
本実施例は、上記実施例1のアレイ基板に対応して、図4に示すように、アレイ基板11及び対向基板13を備える表示パネルを提供する。
本実施例は、上記実施例1のアレイ基板に対応して、アレイ基板の製造方法をさらに提供する。該方法は、以下のステップを備える。
図5に示すように、基板1上に遮蔽層を堆積する。該基板1は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等である。該遮蔽層は、ゲート電極(図示せず)及びゲートラインを形成する材料と同じであってもよく、一般的にゲート金属層とも称する。例えば、クロム、アルミニウム、モリブデン、またはネオジム等の金属導電材料であってもよいし、または非金属導電材料であってもよい。遮蔽層上にフォトレジストを塗布し、パターニング工程によって、該フォトレジストを露光・現像し、露光・現像した後、該遮蔽層をエッチングし、ゲート電極及びゲートライン14を形成する。1つの例示では、遮光バーを同時に形成してもよい。該遮光バーは、例えば、ゲートラインの両側、または後続で形成されるデータラインの両側に形成されてもよい。
遮光バー2を形成した後、ステップS1を完了した基板1上に、絶縁層3を堆積して形成する。例えば、該絶縁層3の材料は、窒化ケイ素や絶縁樹脂等の材料であってもよい。
例えば、薄膜トランジスタの活性層を先に形成してもよい。例えば、絶縁層3上のゲート電極の上方に、アモルファスシリコン層(図示せず)、及びリン元素をドープしたアモルファスシリコン層(図示せず)を形成し、アモルファスシリコン層及びドープした元素を有するアモルファスシリコン層をパターニングする。活性層の材料は、上記アモルファスシリコン層に限らず、多結晶シリコン、酸化物半導体等であってもよい。その後、活性層の上方に金属層を堆積し、該パターニング工程によって薄膜トランジスタのソース電極(図示せず)、ドレイン電極(図示せず)及びデータライン4を形成し、データライン4は、例えばソース電極に接続される。
ステップS4の1つの例示は、図7に示すように、以下のステップS40〜S43を備える。
基板1上にソース電極、ドレイン電極及びデータライン4を形成した後、基板1上に感光性樹脂の溶液を塗布する。例えば、該感光性樹脂の材料は、フェノール樹脂及び感光剤の混合物である。
プリベークの温度等の条件は、必要によって設定すればよい。例えば、感光性樹脂の溶液における溶剤(例えば有機溶剤)を揮発させて感光性樹脂層5を形成するように、約110℃の環境でプリベークをする。
ハーフトーンマスクを用いると、前記ハーフトーンマスク6はハーフトーン領域61及び完全遮蔽領域60を有する。グレートーンマスクを用いると、前記グレートーンマスク7はグレートーン領域71及び完全遮蔽領域70を有する。以下、ハーフトーンマスク6を例として説明する。
基板1をポストベーク加熱し、ポストベーク加熱の温度は、実際の状況によって設定できる。ポストベーク加熱によって、感光性樹脂層5及び形成された凸起50がその内部に重合して収縮され、凸起50の縁部がさらに円滑になり、継続的に加熱する過程に、凸起50及び感光性樹脂層5が硬化される。図7に示すように、ポストベーク工程をした後、第2の絶縁層8及び集光構造80を形成する。
必要によって、保護層8を形成した後に、画素電極を形成してもよい。画素電極膜9を形成するように、保護層8上に画素電極を形成する材料、例えば、インジウムスズ酸化物や、インジウム亜鉛酸化物等を堆積する。このとき、図8に示すように、堆積された画素電極膜9は、集光構造80上を被覆する。パターニング工程によって画素電極膜9をパターニングしてもよい。画素電極膜9上にフォトレジスト9を塗布し、フォトエッチング工程によって集光構造80の上方のフォトレジストを除去し、凸レンズ構造80の上方の画素電極膜9をエッチングして、集光構造80の上方の画素電極膜9を除去し、画素電極膜9を集光構造80の両側の画素電極90に形成する。これによって、図1に示すアレイ基板11が得られる。
上述したステップで製造されるアレイ基板11では、感光性樹脂材料で保護層8を形成するため、感光性樹脂材料が感光グループ等の構造を含有する可能性があり、感光性樹脂が淡黄色等になるため、上記アレイ基板11で製造される液晶ディスプレイは、表示するとき、透過率が低下し、または光線がTFTアレイ基板11を透過するときに変色する問題が生じる可能性があり、表示する色が暗くなり、または偏差が生じられるようになる。
2 遮光バー
3 絶縁層
4 データライン
5 感光性樹脂層
6 ハーフトーンマスク
7 グレートーンマスク
8 保護層
9 画素電極膜
11 アレイ基板
12 液晶層
13 対向基板
14 ゲートライン
50 凸起
51 一部露光領域
52 露光しない領域
60 完全遮蔽領域
61 ハーフトーン領域
70 完全遮蔽領域
71 グレートーン領域
80 集光構造
90 画素電極
130 ブラックマトリクス
Claims (10)
- アレイ基板であって、基板と、前記基板上に設けられるゲートライン及びデータラインと、前記ゲートライン及び/又は前記データラインを被覆する保護層と、を備え、
前記保護層上における、前記ゲートライン及び/又は前記データラインの上方に集光構造が設けられ、
前記集光構造の両側に、画素電極が設けられることを特徴とするアレイ基板。 - 前記集光構造及び前記保護層は、一体に成形される感光性樹脂層であることを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板。
- 前記集光構造は、凸レンズ構造であることを特徴とする請求項1または2に記載のアレイ基板。
- 前記凸レンズ構造の断面高さは0.5〜1.5μmであり、前記保護層の表面方向に沿った前記凸レンズ構造の断面幅は1.5〜4.5μmであることを特徴とする請求項3に記載のアレイ基板。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のアレイ基板を備えることを特徴とする表示パネル。
- 前記アレイ基板に対向して設けられる対向基板をさらに備え、前記対向基板はブラックマトリクスを備えることを特徴とする請求項5に記載の表示パネル。
- アレイ基板の製造方法であって、
基板上にゲートライン及びデータラインを形成する工程と、
ゲートライン及びデータライン上に保護層を形成する工程と、
ゲートライン及び/又はデータラインの上方で保護層上に集光構造を形成する工程と、
前記保護層上に画素電極を形成する工程と、を備え、
前記画素電極は前記集光構造の両側に位置することを特徴とするアレイ基板の製造方法。 - 保護層及び保護層上の集光構造を形成する工程は、
前記ゲートライン及び前記データラインが形成された基板に感光性樹脂の溶液を塗布する工程と、
前記感光性樹脂の溶液をプリベークして感光性樹脂層を形成する工程と、
前記保護層及び保護層上の凸起を形成するように、ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクによって前記感光性樹脂層を露光・現像する工程と、
ポストベーク加熱して、前記感光性樹脂層を硬化し、前記凸起を前記集光構造としての凸レンズ構造に変形する工程と、を備えることを特徴とする請求項7に記載のアレイ基板の製造方法。 - ポストベーク加熱して、前記感光性樹脂層を硬化し、前記凸起を前記集光構造としての凸レンズ構造に変形する工程の後、
紫外線によって硬化後の前記保護層及び前記集光構造を漂白して、前記保護層及び前記集光構造を脱色する工程をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載のアレイ基板の製造方法。 - 前記ポストベーク加熱の温度は110〜150℃であることを特徴とする請求項8に記載のアレイ基板の製造方法。
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