JP2001004988A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実質的に開口率を向上させる。
【解決手段】 液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に信号線で囲
まれる画素領域を有するとともに、前記信号線とともに
画素領域を被って透光性の積層体を備え、この積層体
は、他方の透明基板側から前記画素領域内の積層体を透
過する光が信号線に入射することなくその内側に屈折す
るように構成されていることを特徴とする。
基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に信号線で囲
まれる画素領域を有するとともに、前記信号線とともに
画素領域を被って透光性の積層体を備え、この積層体
は、他方の透明基板側から前記画素領域内の積層体を透
過する光が信号線に入射することなくその内側に屈折す
るように構成されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、たとえばアクティブ・マトリックス型と称される液
晶表示装置に関する。
り、たとえばアクティブ・マトリックス型と称される液
晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブ・マトリックス型と称される
液晶表示装置は、液晶を介して互いに対向配置される透
明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に
延在しｙ方向に並設されるゲート信号線と、このゲート
信号線に絶縁されｙ方向に延在しｘ方向に並設されるド
レイン信号線とが形成されている。
液晶表示装置は、液晶を介して互いに対向配置される透
明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に
延在しｙ方向に並設されるゲート信号線と、このゲート
信号線に絶縁されｙ方向に延在しｘ方向に並設されるド
レイン信号線とが形成されている。
【０００３】そして、これら各信号線で囲まれる領域を
画素領域として、この画素領域には、ゲート信号線から
の走査信号の供給によって駆動する薄膜トランジスタ
（スイッチング素子）と、この薄膜トランジスタを介し
てドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
とが備えられている。
画素領域として、この画素領域には、ゲート信号線から
の走査信号の供給によって駆動する薄膜トランジスタ
（スイッチング素子）と、この薄膜トランジスタを介し
てドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
とが備えられている。
【０００４】また、この画素電極との間で液晶に電界を
発生せしめる対向電極が形成され、この対向電極として
は、透明基板に対して垂直（縦）方向に電界を発生させ
るため他方の透明基板側に形成されたもの、あるいは、
透明基板に対して平行（横）方向に電界を発生させるた
め画素電極が形成された透明基板側に形成されたものが
ある。
発生せしめる対向電極が形成され、この対向電極として
は、透明基板に対して垂直（縦）方向に電界を発生させ
るため他方の透明基板側に形成されたもの、あるいは、
透明基板に対して平行（横）方向に電界を発生させるた
め画素電極が形成された透明基板側に形成されたものが
ある。
【０００５】そして、前記各信号線、薄膜トランジス
タ、および電極等は、いわゆるフォトリソグラフィ技術
による選択エッチングにより形成され、各透明基板の液
晶側の面は、所定パターンの導電膜、絶縁膜、および半
導体膜等の積層体が形成されるようになっている。
タ、および電極等は、いわゆるフォトリソグラフィ技術
による選択エッチングにより形成され、各透明基板の液
晶側の面は、所定パターンの導電膜、絶縁膜、および半
導体膜等の積層体が形成されるようになっている。
【０００６】ここで、このようにして構成される液晶表
示装置は、その液晶が電界によって光の透過率を変化さ
せるだけで、それ自体に発光機能がないことから、たと
えば透明基板の背面側に配置されるバックライト等が組
み込まれて使用されるようになっている。
示装置は、その液晶が電界によって光の透過率を変化さ
せるだけで、それ自体に発光機能がないことから、たと
えば透明基板の背面側に配置されるバックライト等が組
み込まれて使用されるようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成からなる液晶表示装置は、バックライトからの光が液
晶を通過する経路において、透明基板の液晶側の面に形
成された積層体（特に絶縁膜）を通過する際に、周辺側
に発散する方向で屈折することが確認されるに到った。
このような現象は、各画素領域を通過する光は、積層体
によって屈折された後に、その一部が該画素領域を囲ん
で形成される信号線上に入射されてしまうことを意味す
る。このため、バックライトからの光のうち画素領域を
通過する光の一部が観察者側にとどくことがないため、
実質上、開口率を減少させていたことになる。本発明
は、このような事情に基づいてなされたもので、その目
的は、開口率を増大させた液晶表示装置を提供すること
にある。
成からなる液晶表示装置は、バックライトからの光が液
晶を通過する経路において、透明基板の液晶側の面に形
成された積層体（特に絶縁膜）を通過する際に、周辺側
に発散する方向で屈折することが確認されるに到った。
このような現象は、各画素領域を通過する光は、積層体
によって屈折された後に、その一部が該画素領域を囲ん
で形成される信号線上に入射されてしまうことを意味す
る。このため、バックライトからの光のうち画素領域を
通過する光の一部が観察者側にとどくことがないため、
実質上、開口率を減少させていたことになる。本発明
は、このような事情に基づいてなされたもので、その目
的は、開口率を増大させた液晶表示装置を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。すなわち、本発明による液晶表示装
置は、基本的には、液晶を介して互いに対向配置される
透明基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に信号線
で囲まれる画素領域を有するとともに、前記信号線とと
もに画素領域を被って透光性の積層体を備え、この積層
体は、他方の透明基板側から前記画素領域内の積層体を
透過する光が信号線に入射することなくその内側に屈折
するように構成されていることを特徴とするものであ
る。このように構成された液晶表示装置は、信号線に入
射される光の無駄をなくし、画素領域に透過させる光の
量を多くすることができることから、実質的に開口率の
増大を図ることができるようになる。
発明のうち、代表なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。すなわち、本発明による液晶表示装
置は、基本的には、液晶を介して互いに対向配置される
透明基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に信号線
で囲まれる画素領域を有するとともに、前記信号線とと
もに画素領域を被って透光性の積層体を備え、この積層
体は、他方の透明基板側から前記画素領域内の積層体を
透過する光が信号線に入射することなくその内側に屈折
するように構成されていることを特徴とするものであ
る。このように構成された液晶表示装置は、信号線に入
射される光の無駄をなくし、画素領域に透過させる光の
量を多くすることができることから、実質的に開口率の
増大を図ることができるようになる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の一実施例を図面を用いて説明する。 〔実施例１〕図１（ａ）は、本発明による液晶表示装置
のマトリックス配置された各画素領域のうちの一つの画
素領域の構成を示す図で、液晶を介して互いに対向配置
される各透明基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面
を示した平面図である。このため、図に示した画素領域
の左右上下の各画素領域も同図に示した構成と全く同様
になっている。また、同図（ｂ）は同図（ａ）のｂ−ｂ
線における断面を示した図である。
の一実施例を図面を用いて説明する。 〔実施例１〕図１（ａ）は、本発明による液晶表示装置
のマトリックス配置された各画素領域のうちの一つの画
素領域の構成を示す図で、液晶を介して互いに対向配置
される各透明基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面
を示した平面図である。このため、図に示した画素領域
の左右上下の各画素領域も同図に示した構成と全く同様
になっている。また、同図（ｂ）は同図（ａ）のｂ−ｂ
線における断面を示した図である。
【００１０】各図において、透明基板１の表面に、ま
ず、ｘ方向に延在されるゲート信号線２が形成されてい
る。これらゲート信号線２はたとえばクロム（Ｃｒ）等
の材料から構成されている。
ず、ｘ方向に延在されるゲート信号線２が形成されてい
る。これらゲート信号線２はたとえばクロム（Ｃｒ）等
の材料から構成されている。
【００１１】ゲート信号線２は、後述するドレイン信号
線３（ｙ方向に延在される）とともに、矩形状の領域を
囲むようにして形成され、該領域は一つの画素領域を構
成するようになっている。
線３（ｙ方向に延在される）とともに、矩形状の領域を
囲むようにして形成され、該領域は一つの画素領域を構
成するようになっている。
【００１２】そして、このようにゲート信号線２が形成
された透明基板１の表面にはその全域にわたってたとえ
ばＳｉＯ2系からなる絶縁膜５（同図（ｂ）参照）が形
成されている。
された透明基板１の表面にはその全域にわたってたとえ
ばＳｉＯ2系からなる絶縁膜５（同図（ｂ）参照）が形
成されている。
【００１３】この絶縁膜５は、後述のドレイン信号線３
のゲート信号線２に対する層間絶縁膜としての機能、後
述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてそのゲ
ート絶縁膜としての機能、および、後述の付加容量Ｃａ
ｄｄの形成領域においてその誘電体膜としての機能を有
するものとなっている。
のゲート信号線２に対する層間絶縁膜としての機能、後
述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてそのゲ
ート絶縁膜としての機能、および、後述の付加容量Ｃａ
ｄｄの形成領域においてその誘電体膜としての機能を有
するものとなっている。
【００１４】薄膜トランジスタＴＦＴは、画素領域の図
中右下のゲート信号線２に重畳されて形成され、その領
域における絶縁膜５上にはたとえばａ−Ｓｉからなる半
導体層６が形成されている。
中右下のゲート信号線２に重畳されて形成され、その領
域における絶縁膜５上にはたとえばａ−Ｓｉからなる半
導体層６が形成されている。
【００１５】この半導体層６の表面にドイレン電極３Ａ
およびソース電極７Ａが形成されることにより、ゲート
信号線２の一部をゲート電極とし、絶縁膜５の一部をゲ
ート絶縁膜とする逆スタガ構造のＭＩＳ型トランジスタ
が形成されるようになるが、該ドイレン電極３Ａおよび
ソース電極７Ａはそれぞれ後述のドレイン信号線３と同
時に形成されるようになっている（したがって材料が同
じ）。
およびソース電極７Ａが形成されることにより、ゲート
信号線２の一部をゲート電極とし、絶縁膜５の一部をゲ
ート絶縁膜とする逆スタガ構造のＭＩＳ型トランジスタ
が形成されるようになるが、該ドイレン電極３Ａおよび
ソース電極７Ａはそれぞれ後述のドレイン信号線３と同
時に形成されるようになっている（したがって材料が同
じ）。
【００１６】そして、ドレイン信号線３はたとえばクロ
ム（Ｃｒ）によって形成され、このドイレン信号線３は
ｙ方向に延在されｘ方向に並設されて形成されている。
このドレイン信号線３には、その一部が薄膜トランジス
タＴＦＴの形成領域における半導体層６の表面にまで延
在されて該薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極３Ａ
が形成されている。
ム（Ｃｒ）によって形成され、このドイレン信号線３は
ｙ方向に延在されｘ方向に並設されて形成されている。
このドレイン信号線３には、その一部が薄膜トランジス
タＴＦＴの形成領域における半導体層６の表面にまで延
在されて該薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極３Ａ
が形成されている。
【００１７】また、該ドイレン信号線３の形成と同時に
該ドイレン電極３Ａと対向して配置される薄膜トランジ
スタＴＦＴのソース電極７Ａが形成されている。そし
て、ソース電極７Ａはゲート信号線２の長手方向に平行
に画素領域側へ延在し、その延在部７Ｂは後述の画素電
極１１とのコンタクトをとるための部分となっている。
該ドイレン電極３Ａと対向して配置される薄膜トランジ
スタＴＦＴのソース電極７Ａが形成されている。そし
て、ソース電極７Ａはゲート信号線２の長手方向に平行
に画素領域側へ延在し、その延在部７Ｂは後述の画素電
極１１とのコンタクトをとるための部分となっている。
【００１８】さらに、このように加工された透明基板１
の全域には第１保護膜８（同図（ｂ）参照）、および第
２保護膜９（同図（ｂ）参照）が形成され、この第１保
護膜８および第２保護膜９の前記ソース電極７Ａの延在
部７Ｂの中心部上にはコンタクト孔１０（同図（ａ）参
照）が形成されている。
の全域には第１保護膜８（同図（ｂ）参照）、および第
２保護膜９（同図（ｂ）参照）が形成され、この第１保
護膜８および第２保護膜９の前記ソース電極７Ａの延在
部７Ｂの中心部上にはコンタクト孔１０（同図（ａ）参
照）が形成されている。
【００１９】ここで、第１保護膜８はたとえばプラズマ
ＣＶＤで形成されたＳｉＯ2膜からなり、その光屈折率
（ｎ1）はたとえば１．４６となっている。また、第２
保護膜９は塗布によって形成されたポリイミド膜からな
り、その光屈折率（ｎ2）はたとえば１．７となってい
る。
ＣＶＤで形成されたＳｉＯ2膜からなり、その光屈折率
（ｎ1）はたとえば１．４６となっている。また、第２
保護膜９は塗布によって形成されたポリイミド膜からな
り、その光屈折率（ｎ2）はたとえば１．７となってい
る。
【００２０】このように構成することによって、第２保
護膜９の上面に形成される画素電極１１側から入射され
る光は、図１（ｂ）に示す矢印の経路を経るようにな
り、画素領域の中心側へ集光するように屈折されるよう
になる。
護膜９の上面に形成される画素電極１１側から入射され
る光は、図１（ｂ）に示す矢印の経路を経るようにな
り、画素領域の中心側へ集光するように屈折されるよう
になる。
【００２１】このため、図２に示すように、画素領域に
入射される光のうちその一部が信号線（図２ではドイレ
ン信号線３を示している）側に入射する従来の構成に比
べて実質的な開口率の向上が図れることになる。図２の
構成において、同一の符号は本実施例と同一の材料を用
いているが、第２保護膜に相当する膜１２はＳｉ3Ｎ4系
の材料から構成され、その光屈折率は２．０程度となっ
ていた。
入射される光のうちその一部が信号線（図２ではドイレ
ン信号線３を示している）側に入射する従来の構成に比
べて実質的な開口率の向上が図れることになる。図２の
構成において、同一の符号は本実施例と同一の材料を用
いているが、第２保護膜に相当する膜１２はＳｉ3Ｎ4系
の材料から構成され、その光屈折率は２．０程度となっ
ていた。
【００２２】本実施例の光屈折の詳細を図１（ｂ）の丸
枠Ｃの部分について詳述すると、まず、図３はポリイミ
ドＰＩＱ（ｎ2＝１．７）とＰＳＩＯ（ｎ1＝１．４６）
との界面を角度θ３の平面で近似し、該界面への光の入
射角をθ１、屈折角をθ２としている。
枠Ｃの部分について詳述すると、まず、図３はポリイミ
ドＰＩＱ（ｎ2＝１．７）とＰＳＩＯ（ｎ1＝１．４６）
との界面を角度θ３の平面で近似し、該界面への光の入
射角をθ１、屈折角をθ２としている。
【００２３】入射光Ｉの入射点Ｏを基準に屈折光IIが進
行して垂直方向にｈ’、水平方向にｄの点Ｏ’に達する
ものとし、このＯ’と界面との垂直距離をｈとすると、
次式（１）の関係を有する。
行して垂直方向にｈ’、水平方向にｄの点Ｏ’に達する
ものとし、このＯ’と界面との垂直距離をｈとすると、
次式（１）の関係を有する。
【００２４】
【数１】 ｄ／ｈ＝tan（θ2−θ1）／（tan（θ2−θ1）tan（θ3）＋1） ………（１） そして、θ1＝θ3およびスネルの法則ｎ2×sin（θ1）
＝ｎ1×sin（θ2）の関係を用い、ｄ／ｈの関係をθ3を
パラメータとしてプロットすると図４のようになる。図
４では、θ3の傾斜角が大きくなるにつれてｄ／ｈが大
きくなるが、ｎ1／ｎ2＝sin（θ1）＝sin（θ3）を満た
す傾斜角（約５９°)で入射角が反射することを示して
いる。
＝ｎ1×sin（θ2）の関係を用い、ｄ／ｈの関係をθ3を
パラメータとしてプロットすると図４のようになる。図
４では、θ3の傾斜角が大きくなるにつれてｄ／ｈが大
きくなるが、ｎ1／ｎ2＝sin（θ1）＝sin（θ3）を満た
す傾斜角（約５９°)で入射角が反射することを示して
いる。
【００２５】このことから、θ3＜５９°の範囲で傾斜
角θ3を設けることにより、開口周辺部の入射光Ｌある
いは入射光Ｒは開口中央方向に屈折し、それぞれ出射光
Ｌおよび出射光Ｒとなって通過することが判る。
角θ3を設けることにより、開口周辺部の入射光Ｌある
いは入射光Ｒは開口中央方向に屈折し、それぞれ出射光
Ｌおよび出射光Ｒとなって通過することが判る。
【００２６】しかも、上式（１）にしたがえば、ｈを信
号線の直上の第１保護膜の厚さとして、信号線の内側ｄ
に入射する光は、屈折によって水平方向にｄだけずれる
ため、該信号線に妨げられることなく通過でき、見かけ
の開口面積は距離ｄの分だけ増大する効果をもたらす。
号線の直上の第１保護膜の厚さとして、信号線の内側ｄ
に入射する光は、屈折によって水平方向にｄだけずれる
ため、該信号線に妨げられることなく通過でき、見かけ
の開口面積は距離ｄの分だけ増大する効果をもたらす。
【００２７】さらに、第２保護膜９の上面には、各画素
領域を充分に被うようにして、たとえばＩＴＯ（Indium
-Tin-Oxide：屈折率＝１．７）からなる透明の画素電極
１１が形成されている。この場合、画素電極１１は、そ
の形成時に前記コンタクト孔１０を通してソース電極７
Ａの延在部７Ｂとの接続が図れるようになっている。
領域を充分に被うようにして、たとえばＩＴＯ（Indium
-Tin-Oxide：屈折率＝１．７）からなる透明の画素電極
１１が形成されている。この場合、画素電極１１は、そ
の形成時に前記コンタクト孔１０を通してソース電極７
Ａの延在部７Ｂとの接続が図れるようになっている。
【００２８】そして、画素電極１１のうち、この画素電
極１１に映像信号を供給する薄膜トラシンジスタＴＦＴ
下のゲート信号線２と隣接する他のゲート信号線２の一
部に重畳するようにして延在され、この重畳部に容量素
子Ｃａｄｄが構成されるようになっている。
極１１に映像信号を供給する薄膜トラシンジスタＴＦＴ
下のゲート信号線２と隣接する他のゲート信号線２の一
部に重畳するようにして延在され、この重畳部に容量素
子Ｃａｄｄが構成されるようになっている。
【００２９】この容量素子Ｃａｄｄは前記ゲート信号線
２と画素電極１１の間の絶縁膜５、第１保護膜８、およ
び第２保護膜９を誘電体膜とするもので、薄膜トランジ
スタＴＦＴがオフした際に、画素電極１１に比較的長く
映像信号を蓄積させる等の機能を有するものとなってい
る。
２と画素電極１１の間の絶縁膜５、第１保護膜８、およ
び第２保護膜９を誘電体膜とするもので、薄膜トランジ
スタＴＦＴがオフした際に、画素電極１１に比較的長く
映像信号を蓄積させる等の機能を有するものとなってい
る。
【００３０】そして、このように画素電極１１が形成さ
れた第２保護膜９の上面には、該画素電極１１を被って
配向膜（図示せず）が形成されている。この配向膜は、
液晶と直接に当接し該液晶の初期配向を決定する膜とな
っている。
れた第２保護膜９の上面には、該画素電極１１を被って
配向膜（図示せず）が形成されている。この配向膜は、
液晶と直接に当接し該液晶の初期配向を決定する膜とな
っている。
【００３１】なお、このように構成された透明基板１は
通常ＴＦＴ基板と称され、このＴＦＴ基板と液晶を介し
てフィルタ基板が対向配置されるようになっている。す
なわち、フィルタ基板は、透明基板の液晶側の面に、ゲ
ート信号線２およびドレイン電極３等を遮蔽して各画素
領域を画するブラックマトリックスが形成され、このブ
ラックマトリックスの開口部には所定の色のカラーフィ
ルタが形成されている。
通常ＴＦＴ基板と称され、このＴＦＴ基板と液晶を介し
てフィルタ基板が対向配置されるようになっている。す
なわち、フィルタ基板は、透明基板の液晶側の面に、ゲ
ート信号線２およびドレイン電極３等を遮蔽して各画素
領域を画するブラックマトリックスが形成され、このブ
ラックマトリックスの開口部には所定の色のカラーフィ
ルタが形成されている。
【００３２】そして、該ブラックマトリックスおよびカ
ラーフィルタを被って平坦膜が形成され、この平坦膜の
面の全域に、各画素領域に共通な共通電極（対向電極）
がたとえばＩＴＯによって形成されている。そして、こ
の共通電極の面の全域に液晶と当接する配向膜が形成さ
れている。
ラーフィルタを被って平坦膜が形成され、この平坦膜の
面の全域に、各画素領域に共通な共通電極（対向電極）
がたとえばＩＴＯによって形成されている。そして、こ
の共通電極の面の全域に液晶と当接する配向膜が形成さ
れている。
【００３３】〔実施例２〕図５は本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す断面図で、図１（ｂ）に対応し
た図となっている。図１（ｂ）に異なる構成は、第１保
護膜８の上面に形成する第２保護膜９を樹脂系の材料と
し、その屈折率を１．５５程度とし、さらに第２保護膜
９の上面に第３保護膜１３を形成し、この第３保護膜１
３をＳｉ2Ｎ4系の材料とし、その屈折率を１．９程度と
したものである。
装置の他の実施例を示す断面図で、図１（ｂ）に対応し
た図となっている。図１（ｂ）に異なる構成は、第１保
護膜８の上面に形成する第２保護膜９を樹脂系の材料と
し、その屈折率を１．５５程度とし、さらに第２保護膜
９の上面に第３保護膜１３を形成し、この第３保護膜１
３をＳｉ2Ｎ4系の材料とし、その屈折率を１．９程度と
したものである。
【００３４】第２保護膜９の上面に僅かな凹凸がある場
合に、他方の透明基板側からの光は、第３保護膜１３と
の界面で開口中心方向に僅かに屈折し、さらに第１保護
膜８と第２保護膜９との界面でも開口中心方向に向かっ
て屈折することが判る。
合に、他方の透明基板側からの光は、第３保護膜１３と
の界面で開口中心方向に僅かに屈折し、さらに第１保護
膜８と第２保護膜９との界面でも開口中心方向に向かっ
て屈折することが判る。
【００３５】なお、上述した各実施例では、そのいずれ
においてもいわゆるＴＦＴ基板と称される透明基板側の
構成について示したものである。しかし、ＴＦＴ基板と
液晶を介して対向配置されるいわゆるフィルタ基板と称
される透明基板側においても同様に適用できることはい
うまでもない。
においてもいわゆるＴＦＴ基板と称される透明基板側の
構成について示したものである。しかし、ＴＦＴ基板と
液晶を介して対向配置されるいわゆるフィルタ基板と称
される透明基板側においても同様に適用できることはい
うまでもない。
【００３６】すなわち、ゲート信号線およびドレイン信
号線とほぼ同様のパターンとなるブラックマトリックス
を被ってＳｉＯ2系の膜およびこの膜の上にアクリル系
の樹脂を形成することによって、該ブラックマトリック
スの開口周辺における入射光が該開口中央部に集光する
方向で屈折するようになり、実質的に開口率が向上する
効果を奏する。
号線とほぼ同様のパターンとなるブラックマトリックス
を被ってＳｉＯ2系の膜およびこの膜の上にアクリル系
の樹脂を形成することによって、該ブラックマトリック
スの開口周辺における入射光が該開口中央部に集光する
方向で屈折するようになり、実質的に開口率が向上する
効果を奏する。
【００３７】なお、上述した各実施例では、ａ−ＳｉＴ
ＦＴ（非結晶シリコン薄膜トランジスタ；amorphous-cr
ystalline Silicon Thin Film Transistor）液晶パネル
で標準的な逆スタガ構造のボトムゲート型トランジスタ
で形成された縦電解方式の液晶表示装置に適用させたも
のである。この点、ｐ−ＳｉＴＦＴ（多結晶シリコン薄
膜トランジスタ；poly-crystalline Silicon Thin Film
Transistor）液晶パネルで標準的なプレーナ構造のト
ップゲート型トランジスタで形成された縦電解方式の液
晶表示装置に適用できることはもちろんである。また縦
電解方式だけでなく横電解方式の液晶表示装置にも適用
できることはもちろんである。画素電極とこの画素電極
と対になる対向電極の構成が異なる他はほぼ同じ構成を
採用し、同様の課題が生じているからである。
ＦＴ（非結晶シリコン薄膜トランジスタ；amorphous-cr
ystalline Silicon Thin Film Transistor）液晶パネル
で標準的な逆スタガ構造のボトムゲート型トランジスタ
で形成された縦電解方式の液晶表示装置に適用させたも
のである。この点、ｐ−ＳｉＴＦＴ（多結晶シリコン薄
膜トランジスタ；poly-crystalline Silicon Thin Film
Transistor）液晶パネルで標準的なプレーナ構造のト
ップゲート型トランジスタで形成された縦電解方式の液
晶表示装置に適用できることはもちろんである。また縦
電解方式だけでなく横電解方式の液晶表示装置にも適用
できることはもちろんである。画素電極とこの画素電極
と対になる対向電極の構成が異なる他はほぼ同じ構成を
採用し、同様の課題が生じているからである。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、実質的に開口率を
向上させることができるようになる。
本発明による液晶表示装置によれば、実質的に開口率を
向上させることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の効果を明瞭にする
ための従来の構成を示した図である。
ための従来の構成を示した図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の効果を解析するた
めの図である。
めの図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の効果を示す図であ
る。
る。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
１…透明基板、２…ゲート信号線、３…ドレイン信号
線、３Ａ…ドレイン電極、５…絶縁膜、６…半導体層、
７Ａ…ソース電極、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、８…第
１保護膜、９…第２保護膜、１１…画素電極。
線、３Ａ…ドレイン電極、５…絶縁膜、６…半導体層、
７Ａ…ソース電極、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、８…第
１保護膜、９…第２保護膜、１１…画素電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１９Ａ Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HB03X HD06 LA04 LA16 2H091 FA50Y FB02 FB06 GA16 HA06 HA07 LA30 2H092 JA24 JA25 JA26 JB57 KA04 KA05 KA12 KA22 KB04 KB24 NA07 PA07 PA08 PA13 QA06 QA07 5C094 AA10 BA03 BA43 CA19 DA13 EA03 EA04 EA07 EB02 ED01 ED20 5F110 AA30 CC07 DD13 EE04 FF02 GG02 GG15 HK04 NN02 NN03 NN23 NN24 NN27 NN35 NN72 NN73
Claims (5)
- 【請求項１】 液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に他方の透明
基板側から光が透過される積層体が形成され、 この積層体は、それを透過する光がそれらが集光する方
向に屈折するように構成されていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に信号線で囲
まれる画素領域を有するとともに、前記信号線とともに
画素領域を被って透光性の積層体を備え、 この積層体は、他方の透明基板側から前記画素領域内の
積層体を透過する光が信号線に入射することなくその内
側に屈折するように構成されていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項３】 液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に、一方向に
延在して並設されるゲート信号線とこのゲート信号線と
交差して並設されるドレイン信号線とで囲まれる各画素
領域を備え、 これら各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号の供
給によって駆動されるスイッチング素子と、このスイッ
チング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供
給される画素電極が形成されているとともに、 前記ゲート信号線とドレイン信号線との間に形成された
絶縁膜、前記スイッチング素子を被って形成される第１
保護膜、およびこの第１保護膜を被って形成される第２
保護膜が形成され、 この第２保護膜は、画素領域内にて第２保護膜から第１
保護膜へ透過する光が前記ゲート信号線およびドレイン
信号線に入射することなくその内側へ進路変更する材料
で構成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に、一方向に
延在して並設されるゲート信号線とこのゲート信号線と
交差して並設されるドレイン信号線とで囲まれる各画素
領域を備え、 これら各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号の供
給によって駆動されるスイッチング素子と、このスイッ
チング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供
給される画素電極が形成されているとともに、 前記ゲート信号線とドレイン信号線との間に形成された
絶縁膜、前記スイッチング素子を被って形成される第１
保護膜、およびこの第１保護膜を被って形成される第２
保護膜が形成され、 かつ、前記絶縁膜、第１保護膜、および第２保護膜は、
他方の透明基板側から前記画素領域内の前記第２保護
膜、第１保護膜、および第１保護膜を透過する光が集光
する方向に屈折するように、それらの屈折率が設定され
ていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に、各画素領
域を画するブラックマトリックスと、このブラックマト
リックスを被って形成される透光性の積層体を備え、 この積層体は、他方の透明基板側から前記画素領域内の
積層体を透過する光がブラックマトリックスに入射する
ことなくその内側に屈折するように構成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11177956A JP2001004988A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 液晶表示装置 |
| KR1020000034744A KR20010007500A (ko) | 1999-06-24 | 2000-06-23 | 액정 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11177956A JP2001004988A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001004988A true JP2001004988A (ja) | 2001-01-12 |
Family
ID=16040030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11177956A Pending JP2001004988A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 液晶表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001004988A (ja) |
| KR (1) | KR20010007500A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100446386B1 (ko) * | 2001-06-14 | 2004-09-01 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치 |
| JP2007183633A (ja) * | 2005-12-29 | 2007-07-19 | Au Optronics Corp | 液晶ディスプレイ |
| US7403239B2 (en) | 2002-05-27 | 2008-07-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for liquid crystal display |
| US7468765B2 (en) | 2003-12-03 | 2008-12-23 | Nec Corporation | Electro-optical display device and image projection unit |
| CN102866550A (zh) * | 2012-09-24 | 2013-01-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及其制备方法 |
| JP2019028207A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の製造方法 |
| JP2021096363A (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 京セラ株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1999
- 1999-06-24 JP JP11177956A patent/JP2001004988A/ja active Pending
-
2000
- 2000-06-23 KR KR1020000034744A patent/KR20010007500A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100446386B1 (ko) * | 2001-06-14 | 2004-09-01 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치 |
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| KR100848099B1 (ko) * | 2002-05-27 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 |
| US7468765B2 (en) | 2003-12-03 | 2008-12-23 | Nec Corporation | Electro-optical display device and image projection unit |
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| CN102866550A (zh) * | 2012-09-24 | 2013-01-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及其制备方法 |
| US9425369B2 (en) | 2012-09-24 | 2016-08-23 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate, display panel and preparing method thereof |
| JP2019028207A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の製造方法 |
| JP2021096363A (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 京セラ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP7407585B2 (ja) | 2019-12-17 | 2024-01-04 | 京セラ株式会社 | 液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010007500A (ko) | 2001-01-26 |
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