JP6270323B2 - 計測モジュール、電子機器、電源タップ及び電源ユニット、並びに組込型計測モジュール - Google Patents

Description

本発明は、電流、電圧または電力を計測する計測モジュール、電子機器、電源タップ、及び電源ユニット、並びに組込型計測モジュールに関する。

近年、地球温暖化を抑制するために、ＣＯ２の排出削減や電力利用の効率化が必須となっている。そのため、家庭電化製品やＯＡ機器、加工機械等の装置内で電流もしくは電力を監視し、無駄な電力を使用しないように心掛けることが重要であろう。究極的には、各装置に監視装置を組み込まれることが望ましい（特許文献１参照）。

特開平０８−３３０６４４号公報

しかしながら、上述したように各装置に監視装置を組み込む場合においては、各装置内に監視装置を実装するスペースを別途用意する必要がある。そのため、装置が大掛かりな構成となったり、装置の仕様変更や改造を必要としたりする場合がある。また、各装置の近傍に監視装置を配置する場合であっても、監視装置をコンパクトに実現することが望ましい。

そこで、本発明は、省スペース化も可能な、電流、電圧または電力を計測する計測モジュールを提供することを目的とする。

本発明は、たとえば、電流を計測する計測モジュールであって、
電流を入力する一対の入力端子と、
前記一対の入力端子に接続される電流路と、
前記電流路に接続され、前記一対の入力端子により入力される前記電流を出力する一対の出力端子と、
前記電流路に沿って設けられた絶縁部と、
一方の前記電流路のみに設けられ、流れる電流を主方向から迂回させる方向変更領域と、
前記方向変更領域によって迂回させられた電流によって生じ、前記絶縁部を透過してくる前記電流路からの磁界を検知するために前記主方向に検知感度を有するように配置されることで、当該電流路に流れる電流を検知する磁気検知素子と
を備え、
前記絶縁部は、前記計測モジュールの内側の空間を、一方面側の空間である第１の空間と、他方面側の空間である第２の空間とに仕切る仕切り部として機能し、
前記電流路は前記第１の空間に配置され、前記磁気検知素子は前記第２の空間に配置されており、
前記磁気検知素子は、前記絶縁部の他方面側に配置された回路基板に実装され、
前記電流路のうち一方の前記電流路に設けられた前記方向変更領域を覆うように前記第１の空間に配置された前記第１の磁気シールドと、
前記磁気検知素子を覆うように前記第２の空間に配置された第２の磁気シールドを有し、
前記第１の磁気シールドと前記第２の磁気シールドは、一方の前記電流路と前記磁気検知素子を囲むように対向して配置され、前記第１の磁気シールドは一方の前記電流路の上流側および下流側の端部に前記主方向と直交する方向に延びるシールド面を有することを特徴とする。

さらに、本発明は、たとえば、電圧を計測する計測モジュールであって、
電流を入力する一対の入力端子と、
前記一対の入力端子に接続される電流路と、
前記電流路に接続され、前記一対の入力端子により入力される前記電流を出力する一対の出力端子と、
前記電流路に沿って設けられた絶縁部と、
前記一対の入力端子に印加される電圧を検知する電圧検知回路と
を備え、
前記電圧検知回路は、
前記一対の入力端子のうち第１入力端子に一端が接続された第１分圧素子と、
前記一対の入力端子のうち第２入力端子に一端が接続された第２分圧素子と、
前記第１分圧素子の他端が接続された第３分圧素子と、
前記第２分圧素子の他端が接続された第４分圧素子と、
前記第１分圧素子と前記第３分圧素子とによって分圧された電圧と前記第２分圧素子と前記第４分圧素子とによって分圧された電圧とを差動増幅する差動増幅回路と
を備え、
前記絶縁部には、前記第１分圧素子の他端と前記第２分圧素子の他端とが挿し通される孔部が設けられており、
前記電流路、前記第１分圧素子および前記第２分圧素子は、前記絶縁部の一方面側に設けられており、
前記第３分圧素子、前記第４分圧素子おおび前記差動増幅回路は、前記絶縁部の他方面側に配置されていることを特徴とする。

本発明によれば、省スペース化も可能な、電流、電圧または電力を計測する計測モジュール、計測モジュールを備えた電子機器、電源タップ、電源ユニット、あるいは、計測モジュールを電子機器に組み込むためのモジュールとした組込型計測モジュールを提供できる。

計測モジュールの外観斜視図である。 計測モジュールの側断面図である。 計測モジュールの底面図である。 計測モジュールの平面図である。 計測モジュールの平面図である。 計測モジュールの平面図である。 計測モジュールの側断面図である。 計測モジュールの底面図である。 計測モジュールの平面図である。 計測モジュールの平面図である。 計測モジュールの平面図である。 電圧検知回路を示す回路図である。 電子機器の一例を示す外観図である。 電子機器のブロック図である。 電源タップの構成図である。 電源タップの構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う実施例１の構成図である。 一次導体内の電流と磁場の様子の説明図である。 一次導体と磁気検知素子の関係の断面図である。 検知回路の構成図である。 直径２ｍｍの貫通孔を用いたＹ軸方向磁界成分の分布等高線図である。 直径３ｍｍの貫通孔を用いたＹ軸方向磁界成分の分布等高線図である。 貫通孔の直径とＹ軸方向磁界成分のピーク位置との関係図である。 貫通孔の直径とＹ軸方向磁界成分のピーク値との関係図である。 被測定電流に対する電流測定を行う変形例の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う変形例の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う変形例の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う変形例の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う実施例２の構成図である。 磁気インピーダンス素子の特性図である。 検知電流と測定誤差のグラフ図である。 被測定電流に対する電流測定を行う変形例の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う実施例３の電流センサの基本的な構成の斜視図である。 一次導体内の電流との磁場の様子の説明図である。 一次導体と磁気検知素子の関係の断面図である。 検知回路の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う変形例の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う実施例４の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う変形例の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う他の変形例の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う実施例５の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う変形例の構成図である。 実施例６の電流センサの基本的な構成の斜視図である。 一次導体内の電流との磁場の様子の説明図である。 一次導体と磁気検知素子の関係の断面図である。 電流の出入口の幅を変えたＹ軸方向磁界成分の分布等高線図である。 電流の出入口の幅を変えたＹ軸方向磁界成分の分布等高線図である。 電流の出入口の幅を変えたＹ軸方向磁界成分の分布等高線図である。 電流の出入口の幅を変えたＹ軸方向磁界成分の分布等高線図である。 電流の出入口の幅とＹ軸方向磁界成分のピーク値の関係図である。 被測定電流に対する電流測定を行う変形例の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う変形例の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う変形例の構成図である。 被測定電流に対する電流測定を行う実施例７の構成図である。 電流の出入口の位置とＹ軸方向磁界成分(固定点)の関係図である。 被測定電流に対する電流測定を行う実施例８の構成図である。 出入口の幅を変えた際の測定電流と出力の関係のグラフ図である。 電流路に非通電領域を設ける例を示す図である。 端子台の外観斜視図である。 端子台の断面図である。 端子台の分解斜視図である。

本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。

＜実施例Ａ＞
図１ないし図４を用いて実施例の電流または電力を計測するモジュール（以下、計測モジュール１００と略す）について説明する。

図１において、本体１０６は、絶縁性の樹脂部材を素材として形成されており、その外形は概ね直方体である。本体１０６の一側面には計測対象の電源ケーブルまたは端子を接続する一対の入力端子１０１ａ，１０１ｂが設けられている。また、その反対面には出力端子１０２ａ，１０２ｂが設けられている。本体１０６は入力端子１０１ａ，１０１ｂと出力端子１０２ａ，１０２ｂの近傍を除いて、磁気シールド１０３で囲われている。つまり、磁気シールド１０３は、６面のパネルからなり、概ね直方体をしている。図１が示すように、磁気シールド１０３には、本体１０６の内部に設けられたコネクタ１０４に本体１０６の外部からアクセスするための窓部１０５が設けられている。このコネクタ１０４には、本体１０６の内部に設けられた回路に電力を供給するための端子と、電流、電圧または電力の検知結果を出力する端子とが備えられている。

図２において、計測モジュール１００の本体１０６は一部が開口した箱状に形成されている。仕切り１０７は、非磁性の絶縁部であり、計測モジュール１００の内側の空間を一方面側の空間である第１の空間１０８と、他方面側の空間である第２の空間１１４とに仕切る仕切り部または仕切り部材として機能する。この仕切り１０７は本体１０６と別体であっても構わないが、絶縁性を有利にするために仕切り１０７と本体１０６とが一体に成型されてもよい。

第１の空間１０８は、一対の電流路１０９ａ，１０９ｂが配置されている。つまり、一対の電流路１０９ａ，１０９ｂは、絶縁部である仕切り１０７の一方面側に配置されている。一対の電流路１０９ａ，１０９ｂは、商用電源などから電流を入力する一対の入力端子１０１ａ，１０１ｂと、一対の入力端子１０１ａ，１０１により入力される電流を出力する一対の出力端子１０２ａ，１０２ｂとを接続する導電体である。図２が示すように、仕切り１０７は、一対の電流路１０９ａ，１０９ｂに沿って設けられている。一対の入力端子１０１ａ，１０１ｂ、一対の出力端子１０２ａ，１０２ｂおよび電流路１０９ａ，１０９ｂは、たとえば、銅または銅合金により一体成型した部材である。また、入力端子１０１ａ、出力端子１０２ａおよび電流路１０９ａは、一体に形成されていてもよい。入力端子１０１ｂ、出力端子１０２ｂおよび電流路１０９ｂも、一体に形成されていてもよい。

電流路１０９ａ，１０９ｂは、本体１０６の側面に開けられた穴もしくは溝を通して、仕切り１０７上へ圧入もしくは接着剤にて固定されている。また、電流路１０９ａ，１０９ｂは、本体１０６の樹脂成型の際にインサート成型されてもよい。この場合、電流路１０９ａ，１０９ｂは、仕切り１０７に埋め込まれるようになる。

第２の空間１１４には、磁気検知素子１１０や、電流、電圧より電力を計算するマイクロプロセッサ１１１など、直流電流を供給されて動作する弱電部品が実装されている。このように、磁気検知素子１１０は、仕切り１０７の他方面側に配置されている。これらの弱電部品は、商用交流電源からの高電圧および大電流から仕切り１０７によって保護されている。なお、磁気シールド１０３は、仕切り１０７と共に第２の空間１１４を覆うように配置されている。

磁気検知素子１１０は、仕切り１０７を透過してくる電流路１０９ｂからの磁界を検知することで、電流路１０９ｂに流れる電流を検知する。磁気検知素子１１０は、回路基板１１２に実装されている。磁気検知素子１１０は、電流路１０９ｂからの磁界を直接検知するため、マイクロテスラオーダーの磁界が検知できる高感度の磁気センサが採用されてもよい。たとえば、特許文献１（特開平０８−３３０６４４号公報）や特開２００３−１６３３９１号公報に示されているような、磁気インピーダンス素子、フラックスゲートセンサ、または、巨大磁気抵抗素子が採用されてもよい。

磁気検知素子１１０が出力した信号は回路基板１１２に実装されている増幅回路で増幅処理され、端子１１６を介して回路基板１１３に送られる。図２が示すように、端子１１６は、回路基板１１２と回路基板１１３とを電気的に接続している。図４Ｃが示すように、回路基板１１３にはマイクロプロセッサ１１１が実装され、回路基板１１２によって取得された電圧、電流の値より電力を演算して、コネクタ１０４より計測モジュール１００の外部へデータを出力する。たとえば、マイクロプロセッサ１１１は、磁気検知素子１１０によって計測された電流に一定の電圧値を乗算することで、電力を求めることができる。後述するように、計測モジュール１００が電圧検知回路も備えている場合、マイクロプロセッサ１１１は、磁気検知素子１１０によって計測された電流に対して、電圧検知回路により検知された電圧を乗算することで、電力を求めることができる。

回路基板１１２、１１３に必要な電力は、コネクタ１０４を通して、計測モジュール１００の外部より受け取る。なお、回路規模を小さくできれば、回路基板１１２と回路基板１１３を一体化してもよい。

図３が示すように、磁気検知素子１１０の磁界検知方向は矢印ｍの方向である。なお、図３においては、磁気シールド１０３の底面の記載を省略している。磁気検知素子１１０は、仕切り１０７を挟んで、電流路１０９ｂに対向するように、回路基板１１２の上に実装されている。

電流路１０９ｂから発生する磁界の大きさは電流路１０９ｂに流れる電流量と磁気検知素子１１０との距離に依存する。よって、磁気検知素子１１０に適した磁界範囲になるように、上記の距離を定める。また、電流路１０９ａ，１０９ｂは互いに逆方向へ電流が流れる。よって、それぞれの影響を考慮して、磁気検知素子１１０の置く位置を設定する。

磁気検知素子１１０の寸法関係を維持するために、電流路１０９ａ，１０９ｂを仕切り１０７に固定する。さらに回路基板１１２は、仕切り１０７に取り付けられた脚部材である高さ規制凸部１１５ａ、１１５ｂによって支持される。

図４Ａに示すように、高さ規制凸部１１５ａの上部には突起が設けられている。また、回路基板１１２には、高さ規制凸部１１５ａの突起が嵌入される穴１１７が設けられている。高さ規制凸部１１５ａの突起を回路基板１１２の穴１１７に嵌入することで、回路基板１１２を水平に位置決めしやすくなり、かつ、取付精度が確保される。図４Ａにおいて、高さ規制凸部１１５ｂの上部は平面になっているが、高さ規制凸部１１５ａと同様に、突起が設けられていてもよい。この場合、回路基板１１２は、高さ規制凸部１１５ｂの突起が嵌入される穴が追加されることになる。なお、これらの穴は貫通孔であってもよいし、底のある穴であってもよい。穴に代えて切り欠きないしは溝であってもよい。

これらにより、磁気検知素子１１０は、電流路１０９ａ，１０９ｂに対して、距離変動が制限されるため、ばらつきの少ない電流センサを実現できる。

なお、図２および図４Ａが示すように、第２の空間１１４には、回路基板１１３を支持するための支持部１３０が設けられている。これにより、回路基板１１３を水平に位置決めできる。

図４Ｂが示すように、回路基板１１２には、端子１１６を半田付けするためのランド１３１が設けられている。同様に、図４Ｃが示すように、回路基板１１３には、端子１１６を半田付けするためのランド１３２が設けられている。

実施例Ａでは、磁気検知素子１１０が回路基板１１２に実装されている。しかし、十分な長さの端子が出ている磁気検知素子１１０では、回路基板１１２上で磁気検知素子１１０を保持する代わりに、直接的に仕切り１０７に磁気検知素子１１０が接着されて固定されてもよい。これにより、磁気検知素子１１０を電流路１０９ｂの近くに配置することができる。磁気検知素子１１０の感度が低い場合には、この取り付け方法は有効であろう。

一方で、高感度の磁気検知素子１１０を使う場合、周囲のトランスや磁気を帯びた磁性体の影響が問題となる。上述したように、入力端子１０１ａ，１０１ｂと出力端子１０２ａ，１０２ｂを絶縁するために、磁気シールド１０３の一部は開放されているが、その他の部分は、磁気シールド１０３によって遮蔽されている。よって、計測モジュール１００の周囲に存在するトランスや磁気を帯びた磁性体の影響を低減できる。磁気シールド１０３は、パーマロイ等の高透磁率を有する薄板で箱状に形成できる。あるいは、鉄系の材量で深絞り加工をして筒状にすることで、磁気シールド１０３を形成できる。

計測モジュール１００の設置される環境が、磁気的ノイズや電界的ノイズが少ない環境であれば、これらを遮蔽するための磁気シールド１０３を省いてもよい。これは、計測モジュール１００自体の性能に関しては、磁気シールド１０３は関与しないためである。この場合は、磁気シールド１０３を省略できるため、製造工程の簡略化、製造時間の短縮、および、部品点数の削減といった効果が得られる。

本実施例によれば、絶縁性のある仕切り１０７で第１の空間１０８に電流路１０９ａ，１０９ｂを配置し、第２の空間１１４には磁気検知素子１１０を配置している。つまり、電流路１０９ａ，１０９ｂの高電圧および大電流から、磁気検知素子１１０を仕切り１０７によって保護することができる。一つの空間で電流路１０９ａ，１０９ｂと回路基板１１２，１１３が混在してしまうと、絶縁を確保するために空間距離や沿面距離を長くとらなければならず、計測モジュール１００のサイズを小型化するのが困難になる。このような課題を解決できる本実施例の構成は非常に有利であるといえる。

高感度の磁気検知素子１１０を用いることで、非磁性の仕切り１０７を透過する磁界を検知することができ、極めて小型に計測モジュール１００を構成できる。

また、本実施例では、回路基板１１２において電流の検知信号を増幅し、端子１１６を介して、短い距離でマイクロプロセッサ１１１に送ることができる。よって、計測モジュール１００が設置される環境からのノイズの影響を小さくでき、マイクロプロセッサ１１１の誤動作を抑制できるであろう。

さらに、この計測モジュール１００を電源部や電子機器に対して実装する前に、単体のままの計測モジュール１００の入力端子１０１ａ，１０１ｂに基準電流を通電することで、マイクロプロセッサ１１１のパラメータを調整できる。つまり、電源部に計測モジュール１００を組み込んでからのパラメータの調整を省略できる利点もある。

＜実施例Ｂ＞
実施例Ｂでは、さらに電圧検知回路を計測モジュール１００に付与することで、実施例Ａよりも正確に電力を検知できることを特徴としている。実施例Ａで説明したように電力を評価する上では電流計測だけでも大まかには評価が可能である、しかし、電圧は負荷に依存して変動してしまう。よって、電流だけでは電力を正確に評価できない。そこで、電流と電圧を検知すれば、より正確に電力を求めることができる。以下の説明で、実施例Ａと同じ部品のものは、同じ引用番号を付与することで説明の簡潔化を図る。

ところで、商用交流電源などの外部電源に対して一対の入力端子１０１ａ，１０１ｂが接続されるが、入力端子１０１ａ，１０１ｂのどちらがＨＯＴでＣＯＬＤかが明確に決まっていないことが多い。そこで、実施例Ｂでは、入力端子１０１ａ，１０１ｂそれぞれの電圧を計測し、その差を取ることで、ＨＯＴとＣＯＬＤの極性に関係なく、正確に電圧を検知する。

図５は計測モジュール１００の側断面図である。図６は計測モジュール１００の第１の空間１０８での断面図である。図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃは計測モジュール１００の第２の空間１１４での断面図である。図８は容量分圧方式で電圧を検知する電圧検知回路を示す図である。

図５、図６が示すように、コンデンサＣ１ａは、電流路１０９ａに対して一端が半田付けで接続された第１分圧素子である。このように、コンデンサＣ１ａの一端は、一対の入力端子１０１ａ，１０１ｂのうち第１入力端子１０１ａに電流路１０９ａを介して接続されている。コンデンサＣ１ｂは、電流路１０９ｂに対して一端が半田付けで接続された第２分圧素子である。このように、コンデンサＣ１ｂは、一対の入力端子１０１ａ，１０１ｂのうち第２入力端子１０１ｂに電流路１０９ｂを介して接続されている。コンデンサＣ１ａ，Ｃ１ｂの容量は、それぞれ低容量（例：１５ｐＦ）である。コンデンサＣ１ａ，Ｃ１ｂは、第１の空間１０８に設けられている。電流路１０９ａ，１０９ｂにそれぞれ接続されるコンデンサＣ１ａ，Ｃ１ｂを第１の空間１０８に配置しているのは、絶縁の観点から有利だからである。コンデンサＣ１ａ，Ｃ１ｂとしては、端子の引き回しの観点から、リード付のコンデンサが適している。また、コンデンサＣ１ａ，Ｃ１ｂとしては、サージ耐性の観点から、耐圧の高いものを使う必要がある。そのため、コンデンサＣ１ａ，Ｃ１ｂのサイズが大きくなりがちであるが、これらを寝かせて並べて組み込むことで、第１の空間１０８に収めることができる。

一方で、図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃが示すように、第２の空間１１４においては、第３分圧素子であるコンデンサＣ２ａと、第４分圧素子であるコンデンサＣ２ｂが回路基板１１２に実装されている。コンデンサＣ２ａ，Ｃ２ｂは、大容量（例：１５０００ｐＦ）のコンデンサである。コンデンサＣ２ａ，Ｃ２ｂの一端はそれぞれコンデンサＣ１ａ，Ｃ１ｂの他端に接続されている。また、コンデンサＣ２ａ，Ｃ２ｂの他端はそれぞれアースに接続されている。

コンデンサＣ１ａ，Ｃ１ｂの２つの端子のうち電流路１０９ａ，１０９ｂと接続されない他端は、仕切り１０７に設けられた貫通孔部１１８に挿し通され、第２の空間１１４の回路の端子穴１１９に接続されている。コンデンサＣ１ａ，Ｃ１ｂは、この端子穴１１９を通じて、コンデンサＣ２ａ，Ｃ２ｂに接続されている。

なお、電流路１０９ａ，１０９ｂに対するコンデンサＣ１ａ，Ｃ１ｂの他端の沿面距離が不足する場合、図６に示したように、囲み壁１２０を設けてもよい。囲み壁１２０も絶縁性を有する部材で形成される。囲み壁１２０は、仕切り１０７と一体に成形されてもよい。

図８が示すように、コンデンサＣ１ａ，Ｃ２ａは第１分圧回路を形成しており、コンデンサＣ１ｂ，Ｃ２ｂは第２分圧回路を形成している。これらの分圧点の電圧をＶａ，Ｖｂとする。たとえば、電流路１０９ａ，１０９ｂにＡＣ１００Ｖが印加されると、分圧点の電圧Ｖａ，Ｖｂには、インピーダンス比に応じた電圧が現れる。インピーダンス比が１０００：１であれば、±０．２８Ｖｐｐの電圧が現れる。

分圧回路の後段にはブートストラップ回路のようなインピーダンス変換回路１２３が設けられている。さらに、インピーダンス変換回路１２３の後段には差動増幅回路１２４が設けられている。差動増幅回路１２４は、第１分圧素子と第３分圧素子とによって分圧された電圧と第２分圧素子と第４分圧素子とによって分圧された電圧とを差動増幅する差動増幅回路である。インピーダンス変換回路１２３や差動増幅回路１２４も第２の空間１１４に設けられている。これらにより、電圧検知回路の出力としてＳＶｏｕｔが得られる。ＳＶｏｕｔは、マイクロプロセッサ１１１のＡ／Ｄポートに入力される。マイクロプロセッサ１１１が備える別のＡ／Ｄポートには磁気検知素子１１０から増幅回路１２２を経た検知結果ＳＩｏｕｔが入力される。マイクロプロセッサ１１１は、検知された電流と電圧とから電力を算出し、コネクタ１０４を通じて、表示装置や外部のコンピュータに検知結果を示す信号を出力する。このように、マイクロプロセッサ１１１は、磁気検知素子１１０により検知された電流と、電圧検知回路により検知された電圧とから電力を決定する電力決定回路として機能する。

コンデンサの容量に僅かなばらつきがあり、ＶａとＶｂで感度差が気になることもある。この場合、インピーダンス変換回路１２３と差動増幅回路１２４の間にアッテネーターを挿入することで、感度バランスを微調整してもよい。また、図８に示した電圧検知回路を単電源で動作させる場合、図８に示したアースをセンサＧＮＤ（中点電位）に設定してもよい。

実施例Ｂでは電圧検知をコンデンサで行ったが、コンデンサを抵抗に置換することで、抵抗分圧回路が採用されてもよい。

ところで、実施例Ｂの計測モジュール１００は、電流検知回路と電圧検知回路を備えている。しかし、マイクロプロセッサ１１１は、電流検知データを、計測モジュール１００の外部からコネクタ１０４を介して取得してもよい。この場合、電流検知回路は計測モジュール１００から省略されてもよい。つまり、電圧検知回路だけが内蔵された計測モジュール１００が提供されてもよい。さらに、電力を計測せずに、電圧だけを計測する計測モジュール１００が提供されてもよい。

本発明によれば、一対の入力端子１０１ａ，１０１ｂに印加される電圧を検知する電圧検知回路を計測モジュール１００に設けることで、電圧検知機能を備えた計測モジュール１００を提供できる。さらに、上述した電流検知回路と一緒に搭載すれば、電圧と電流の検知結果からより正確に電力を測定できるようになる。

とりわけ、電圧検知回路のうち、第１分圧素子であるコンデンサＣ１ａと第２分圧素子であるコンデンサＣ１ｂを第１の空間１０８に配置している。一方で、第３分圧素子であるコンデンサＣ２ａと第４分圧素子であるコンデンサＣ１ｂを第２の空間１１４に配置している。分圧回路を形成するためにこれらの分圧素子は接続されなければならない。そこで、仕切り１０７には、第１容量素子の他端と第２容量素子の他端とが挿し通される貫通孔部１１８が設けられている。これにより、絶縁距離を確保しつつ、電圧を測定しやすくなる。また、分圧素子を複数の部屋に分散配置することで、省スペース化を図っている。

＜実施例Ｃ＞
実施例Ｃでは実施例Ａ、Ｂで説明した計測モジュール１００の応用例を説明する。実施例Ａ、Ｂで説明した計測モジュール１００を採用することにより、電源回路の設計にほとんど影響を与えずに、電源部へ電力の監視や制御の機能を容易に付与することができる。

たとえば、図９に示すような電子機器の一例である画像形成装置２００では、電源部に計測モジュール１００を設ける。そのブロック図を図１０に示す。画像形成装置２００の壁面にはＡＣインレット２０２が設けられている。外部電源からの電源コード２０３をＡＣインレット２０２に接続することで、画像形成装置２００の電源回路２０１へ電力が供給される。

電源回路２０１には、計測モジュール１００が搭載され、外部電源から供給された電流、電圧または電力を計測する。マイクロプロセッサ１１１が交流の電流、電圧および電力などを求め、ＵＡＲＴ(Universal Asynchronous Receiver Transmitter)やＳＰＩ(System Packet Interface)等のインターフェイスを介して、求めた値を制御回路２０４へ出力する。制御回路２０４は、画像形成装置２００が消費するトータルでの電力量を把握して、事前に設定した上限を超えないように駆動部２０５を制御する。あるいは、制御回路２０４は、電力量を示す表示データを表示部２０６に送り、電力の使用量を可視化してもよい。また、ＬＡＮコネクタ２０７により、電力データを外部のコンピュータ等に配信してもよい。これにより、ネットワークより電力量を管理することも可能となる。ＬＡＮコネクタ２０７に代えて、ＵＳＢ等の有線通信モジュールや、ブルートゥース(登録商標)等の無線通信モジュールが採用されてもよい。

このように電源部へ計測モジュール１００を搭載することによって、電流や電圧を計測したり、さらには電力を計測したりすることで、電子機器本体のハード設計にほとんど負担を掛けずに、電源の状況を容易に把握することが可能となる。

＜実施例Ｄ＞
実施例Ｄでは、電源タップに組み込んだ例を示す。図１１Ａに差し込みプラグとプラグ受けとをそれぞれ１つずつ備えた電源タップ３００の斜視図を示す。図１１Ｂに側断面図で内部構成を示す。

計測モジュール１００は小型であり、極めてコンパクトに電源タップ３００を構成できる。コンセントに挿し込む端子対３０１は計測モジュール１００の入力端子１０１ａ，１０１ｂに直付けされる。計測モジュール１００の出力端子１０２ａ、１０２ｂは、コンセントモジュール３０２の端子対３０３に対して半田付けで結合される。

ＡＣ／ＤＣコンバータ電源３０４は、入力端子１０１ａ，１０１ｂから供給される交流を、計測モジュール１００を動作させるための直流に変換する。ＡＣ／ＤＣコンバータ電源３０４は、コネクタ１０４を通じて電力を計測モジュール１００に供給する。

マイクロプロセッサ１１１が出力する計測結果を示すデータは無線モジュール３０５により外部のコンピュータ等へ送信される。無線モジュール３０５は、無線ＬＡＮやその他小電力無線等の通信モジュールである。なお、無線モジュール３０５に代えて、ＵＳＢやＰＬＣなどの有線通信モジュールが採用されてもよい。

このように、計測モジュール１００が小型であるため、電源タップ３００も小型になり、組込みの自由度も高くなる。電源タップ３００をマルチタップにしてもその本質的な効果は同様である。

家庭やオフィス等の電力監視もこのような小型の電源タップ３００を提供できれば、場所を取らずに容易に電力監視のネットワークを確立できる。

なお、上述した計測モジュール１００を備えた電源ユニットを提供してもよい。また、計測モジュール１００を電子機器に組み込むための組込型計測モジュールとしてもよい。

ところで、計測モジュール１００に対して上述の電流検知回路を組み込むためには、磁気シールド１０３内の第２の空間１１４の内部に十分に収まるほど、電流検知回路を小型化しなければならない。また、磁気シールド１０３内にノイズフィルターとともに電流検知回路などを組み込むためには、さらに、スペースの制約が厳くしなる。電流検知回路としては、たとえば、カレントトランスを用いる回路がある。しかし、磁性体コアを飽和させないためにカレントトランスはある程度の大きさが必要となってしまう。よって、カレントトランスを用いる電流検知回路は、計測モジュール１００に組み込む用途には向かない。また、ホール素子を用いる電流検知回路も集磁コアを必要とするため、磁気飽和の観点から、そのコアを小さくできない。シャント抵抗をＡＣラインに挿入すればサイズの問題は生じにくい。しかし、取り出す信号に対して絶縁が必要であるため、フォトカプラ等が必須となる。そのため、コンパクトには課題がある。また、シャント抵抗は、電流が多いと発熱が多くなるため、数Ａ程度の電流までしか対応できない。そこで、本発明では、電流路からの磁界を直接検知することで、電流を検知する磁気検知素子について提供する。

なお、以下において、電流路１０９ｂは一次導体と呼ぶことにする。

＜実施例１＞
図１２は被測定電流に対する電流測定を行う実施例１の基本的な構成図である。一次導体１には検知対象の被測定電流Ｉが流れ、一次導体１は例えばプリント基板上の銅箔パターン又は銅板で形成されたバスバー等の形態とされている。

一次導体１のほぼ中央には、電流の遮断を部分的に行うために、非導電領域である円形の貫通孔２が設けられており、このため被測定電流Ｉの一部は図１３に示すようにこの貫通孔２の両側において外側を対称的に回り込む迂回電流Ｉａとなっている。説明の便宜のために、一次導体１に座標軸を設定し、貫通孔２の中心を原点Ｏとして、被測定電流Ｉが流れる主方向をＹ軸、その直交軸である幅方向をＸ軸、厚み方向をＺ軸とする。

一次導体１上には、一方向にのみ磁界検知感度を有する磁気検知素子３が配置されている。磁気検知素子３の検知部４をＹ軸方向が磁界検知方向となるようにし、検知部４の中心位置は、貫通孔２の中心よりもＸ軸方向に距離ｄｘ、Ｙ軸方向にはＸ軸を挟んで距離ｄｙずらした個所に配置されている。

本来、電流により発生する磁束は電流方向と直交する方向を向くので、一次導体１の貫通孔２の影響がない個所では、被測定電流Ｉは主方向であるＹ軸方向に流れる。従って、図１３に示す磁界ベクトル成分Ｈｃ０のように、一次導体１の幅ｗ内ではＸ軸方向のベクトル成分Ｈｘしか持たない磁場となる。

しかし貫通孔２の近傍では、迂回電流ＩａはＹ軸方向に対し傾くことから、この迂回電流Ｉａにより貫通孔２の両側で磁場が歪んだ磁界ベクトル成分Ｈｃ１が発生する。つまり、迂回電流Ｉａの傾き部分においては、Ｙ軸方向のベクトル成分Ｈｙ及びＸ軸方向のベクトル成分Ｈｘが発生する。ベクトル成分Ｈｙとベクトル成分Ｈｘのベクトル和は被測定電流Ｉの大きさに比例し、貫通孔２のＹ軸の正負両側では電流方向が対称形のため、ベクトル成分ＨｙはＸ軸を挟んで対称となり、極性は逆になる。

また図１２に示すように、異なる相の電流が流れる一次導体１’が近接し、近接電流Ｉ’の方向が被測定電流Ｉと平行していても、近接電流Ｉ’による磁界ベクトル成分はＸ軸方向のみの成分であり、Ｙ軸方向成分を持たない。検知部４の磁界検知方向をＹ軸方向とすると、磁気検知素子３は近接電流Ｉ’による磁界による干渉は受けず、迂回電流Ｉａのベクトル成分Ｈｙのみを検知できる。従って、このベクトル成分Ｈｙを校正して換算すれば、被測定電流Ｉの電流量を求めることができる。

使用する磁気検知素子３として、Ｘ軸方向の磁界ベクトル成分Ｈｘを検知することは望ましくない。従って、指向性の高い磁気インピーダンス素子や直交フラックスゲート素子が好適であり、実施例１では磁気インピーダンス素子を用い、Ｙ軸方向にのみ磁界検知が可能とされている。検知部４として磁性薄膜のパターンが磁界検知方向のＹ軸方向につづら折りにより並列され、両端の電極５にＭＨｚ帯の高周波パルスを印加し、磁界の変化による検知部４の両端からの電圧振幅変化をセンサ信号として得ている。図示は省略しているが、検知部４の動作には、バイアス磁界が必要となるものがあり、必要に応じて近くにバイアス磁石の設置又はバイアスコイルを巻き付けて電流を流して設定する。

図１４に示すように、一次導体１に対する磁気検知素子３の検知部４の高さｈは、一次導体１と磁気検知素子３の位置関係を保持する構造上、必要なスペースと空間距離、沿面距離等の絶縁耐圧の関係で決められる。

図１５は電流測定装置として機能する検知回路１００Ａの構成図を示す。ＣＲパルス発振回路３０に対しブリッジを構成する抵抗Ｒに、磁気検知素子３の検知部４が接続されている。検波回路３１は、検知部４の検知信号である両端電圧からの振幅変化を取り出して増幅回路３２へ出力する。増幅回路３２は、振幅変化を増幅して出力する。推定回路３３は、増幅回路３２の出力から被測定電流の電流量を推定する回路である。

図１６、図１７は貫通孔２による迂回電流Ｉａに係わるＹ軸方向の磁界成分Ｈｙのシミュレーションの結果を示している。一次導体１はＸ軸方向の幅ｗ＝１０ｍｍ、Ｚ軸方向の厚さｔ＝７０μｍの断面で、Ｙ軸方向に計算上は無限長とした十分に長い銅板であり、Ｘ軸方向の中央に貫通孔２を穿けてある。検知部４は一次導体１から１．６ｍｍの高さｈに固定し、Ｙ軸方向に被測定電流Ｉを１アンペア（Ａ）流した際のＹ軸方向の磁界ベクトル成分Ｈｙの変化を調べた。

図１６は貫通孔が２ｍｍの場合、図１７は３ｍｍの場合におけるＹ軸方向磁界のベクトル成分Ｈｙの磁界分布の計算結果を等高線の分布として示している。座標はＸ≧０、Ｙ≧０の第１象限で、ベクトル成分Ｈｙの頂点を１００％として、１０％刻みで等高線を描いている。他の象限ではＸ軸又はＹ軸に関し対称な磁界分布が形成され、第３象限は第１象限と同一極性で、第２、第４象限は第１象限と逆極性の磁場が形成される。

図１６、図１７から磁界が最大となるピーク位置は、貫通孔２から約４５度方向にあり、直径２ｍｍの貫通孔２では（Ｘ、Ｙ）＝（１．５ｍｍ、１．６２５ｍｍ）、３ｍｍの貫通孔２では（Ｘ、Ｙ）＝（１．７５ｍｍ、１．７５ｍｍ）辺りにある。これらの磁界のピーク位置での磁界成分Ｈｙは、それぞれ電流１アンペア（Ａ）に対して、Ｈｙ＝２５．６ｍガウス（Ｇ）、Ｈｙ＝４７．９ｍガウス（Ｇ）となっている。

図１８は貫通孔２の直径とＹ軸方向の磁界ベクトル成分Ｈｙのピーク位置の関係のグラフ図である。図１６、図１７に示す等高線図では図示を省略しているが、直径１ｍｍ、４ｍｍでの結果も併せて記載している。図１８から分るように、貫通孔２の直径の大きさはピーク部の位置に殆ど依存することはない。幅ｗ＝５ｍｍでの貫通孔２の直径１ｍｍの結果も併せて考えると、実用的な一次導体１の使用範囲では、ベクトル成分Ｈｙのピークの範囲は、Ｘ、Ｙ軸方向共に１〜２ｍｍ程度であると云える。

また、ピーク位置から１０％下がった９０％の範囲が、半径０．５ｍｍ程度のサークルとなっていることから、設計的には図１の距離ｄｘ、ｄｙは共に０．５〜２．５ｍｍの範囲で、この範囲に磁気検知素子３の検知部４が掛かるようにすればよい。

図１９は一次導体１の貫通孔２の径とＹ軸方向のベクトル成分Ｈｙのピーク値とのグラフ図であり、径が大となるにつれて、２次関数的にベクトル成分Ｈｙが大きくなってゆくことが分かる。つまり、図１２で示す距離ｄｘ＝１．５ｍｍ、ｄｙ＝１．５ｍｍ辺りに、磁気検知素子３の検知部４を固定し、貫通孔２の径の大きさを変えるだけで、数倍もの測定レンジを選択できることが可能となる。

図１２においては、磁気検知素子３はＸＹ平面上の第１象限に設けているが、対称性から当然のことながら、その他の象限に配置することもできる。

図２０は変形例を示し、貫通孔２’を貫通孔２のある原点ＯからＸ軸方向に対して４５度方向に設けて、その中間位置に磁気検知素子３を配置することで、両貫通孔２、２’による迂回電流Ｉａによる効果を重ねＹ軸方向成分の磁界を増加し、感度を上げている。２つの貫通孔２、２’は同一の大きさである必要はなく、更に貫通孔２の数を増やすこともできるし、設置する角度位置は電流の検知仕様に応じて設計すればよい。

電流を迂回させる手段としては、貫通孔２だけではなく切欠孔を用いることにより非導電領域を形成し、大小の電流に対応させることができる。例えば、図２１に示すように、一次導体１の幅方向の端部に切欠孔８を設けることでも迂回電流を生成できる。大電流により迂回電流による磁界を抑制したい場合には、この構成が好適である。

また、逆に図２２に示すように切欠孔８を深くし、迂回電流を集中させ、Ｙ軸方向成分の磁界を大きくし、小電流に対応させることも可能である。更に、図２３に示すように反対側からの端部からも切欠孔８をずらして設けることで、更に迂回電流を強めて、より小さな電流にも対応させることができる。

＜実施例２＞
図２４は実施例２の構成図である。例えば、厚さ１．６ｍｍのガラスエポキシ材のセンサ基板１１の片面に、Ｘ軸方向の幅１０ｍｍ、Ｚ軸方向の厚さ７０μｍ、Ｙ軸方向の長手方向５０ｍｍの銅パターンから成る一次導体１２が設けられている。そして、一次導体１２のＸ軸方向の中央に例えば直径２ｍｍの貫通孔１３がエッチングにより形成されている。センサ基板１１の他面には、図２５と同様の位置に、一体型の磁気検知ユニット１４が配置され、半田付けのための電極１５ａ〜１５ｂがセンサ基板１１上に引き出されている。

磁気検知ユニット１４には磁気インピーダンス素子が用いられ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ系の磁性薄膜から成る検知部１６は、それぞれ例えば幅１８μｍ、厚さ２．６５μｍ、長さ１．２ｍｍの細長い１１本のパターンが並列に配置されている。そして、検知部１６の磁界検知方向はＹ軸方向のみとされている。

検知部１６の位置は、貫通孔１３の中心からＸ軸及びＹ軸方向に距離ｄｘ＝１．５ｍｍ、ｄｙ＝１．５ｍｍだけオフセットされて配置されている。検知部１６の複数本の磁性薄膜パターンは、図示は省略しているが電気的にはつづら折りで直列につながれて、両端はそれぞれの電極に接続され、センサ基板１１上の電極１５ａ、１５ｂに半田接合され、図示しないセンサ回路に接続されている。図２４では、電極１５ａ→１５ｂの流れにより高周波パルスを印加する。

磁気検知ユニット１４の磁性薄膜にはＸ軸方向の幅方向に磁化容易軸が設けられており、高周波のパルスを磁性薄膜のパターンに通電することで、外部磁界によりインピーダンスが変化し、磁気検知ユニット１４の両端電圧を振幅検波によりセンサ信号に変換する。

平行して流れる被測定電流Ｉ以外の電流の影響評価では、図２４に示すように、一次導体１２から１０ｍｍの間隔をおいて直径２ｍｍの銅棒１８を並行に配置し、１０Ａｒｍｓの５０Ｈｚの電流Ｉ’を流して、一次導体１２には電流を流さない条件で測定した。すると、磁気検知ユニット１４では銅棒１８を流れる電流Ｉ’の影響は観測されず、ノイズレベル以下（１０ｍＶｐｐ以下）であった。

隣接する平行な電流線からの磁界はＸ軸又はＺ軸方向となり、Ｙ軸方向の成分は持たないことと、磁気インピーダンス素子がＸ軸方向には感度を持たないことが効果的に作用し、隣接の電流による磁界の影響は問題とはならないレベルであることが確認された。

この磁気検知ユニット１４は５Ｖの５ＭＨｚのパルス駆動では、図２５に示すように磁界に対してＶ字のインピーダンス変化の特性を示し、感度のよい傾きの個所を利用している。そのためには、図２４に示すように磁気検知ユニット１４の背面にバイアス用磁石１７を配置して、検知部１６に１０ガウス（Ｇ）程度のバイアス磁界が掛かるように設定している。直線性の良好な範囲は、この磁気検知ユニット１４の場合ではバイアス動作点を挟んで±３ガウス（Ｇ）程度である。

図２６は一次導体１にＡＣ電流（５０Ｈｚ）を０．１〜４０Ａｒｍｓまで可変で通電させて、電流測定したデータを示している。１０Ａｒｍｓは２８．２８Ａｐｐの正弦波であり、そのときの磁界はシミュレーション結果から、７２４ｍＧｐｐとなる。図１５はこの１０Ａｒｍｓを基準に理想値と実測値の誤差を示し、５Ｖ電源で１０Ａｒｍｓ時に１Ｖｐｐとなるように調整したため、上限は４０Ａｒｍｓとした。精度として、０．２Ａｒｍｓ以上で±１％以内の誤差が保証される。

貫通孔１３の直径を２ｍｍとし、磁気検知ユニット１４の直線性範囲が６ガウス（Ｇ）の特性のものを使用した場合では、８０Ａｒｍｓ強の個所で越えてしまう。仮に、２００Ａｒｍｓまで対応させる場合では、貫通孔１３の直径を１ｍｍにするだけで、磁気検知ユニット１４に掛かる磁界は１／３になり、２７０Ａｒｍｓのような大電流にも同じレイアウトで可能になる。また、逆に小電流の仕様には、貫通孔１３を大きくするだけで対応できる。

実施例２では、一次導体１２をセンサ基板１１上に配置している例を想定している。しかし、図２７の変形例に示すように、一次導体が銅板から成るバスバー１９の場合は、図２４の形態から一次導体１２を除いたものをセンサ基板２０の上にモジュール化することもできる。この場合には、バスバー１９に穿けた貫通孔２１にセンサ基板２０を位置合わせして、センサ基板２０をバスバー１９に貼り合わせなどにより固定して使用することが可能である。なお、２２はセンサ基板２０上に設けられた回路素子、２３は磁気検知ユニット１４の信号を引き出す信号線である。

このような構成とすることにより、予めバスバー１９を布設した後においても、磁気検知ユニット１４をモジュール化してバスバー１９に組み付けることにより容易に組立てが可能となる。

なお、上述の各実施例においては、貫通孔、切欠孔による非導電領域を設けて電流を迂回させたが、必ずしも孔部ではなく、絶縁材料を配置することによっても電流を迂回させることができる。

＜実施例３＞
特開２００６−１８４２６９号公報によれば、２個の磁気検知素子を使用することで、差動検知により外乱磁界を回避しようとする提案がなされている。この特許文献では、被測定電流による磁界検知を単一の磁気センサで検知する場合の外部磁界の影響を回避するために、一次導体としてのバスバーの中央部に開口部を形成して被測定電流を分流している。そして、開口部内に２つの導体部近傍に電流からの磁界がそれぞれ逆相になるようにそれぞれ磁気検知素子を配し、差動増幅によりバスバーから発生する磁界のみを検知している。

しかしながら、この方法でも一様な磁界に対する影響は低減できても、隣接して電流線が平行して流れる場合には、２つの磁気検知素子にはその外乱となる磁界が等しく印加されず、結局は磁気シールドが不可欠となる。この点を解決する方法として、非導電領域を一次導体に設けるとともに、非導電領域の近傍に１つの磁気検知素子を設けることを実施例１、２で提案した。ここで、磁気検知素子は複数であってもよい。そこで、実施例３では、複数の磁気検知素子を設ける案について説明する。

図２８は被測定電流に対する電流測定を行う実施例３の基本的な電流センサの構成図である。一次導体１には検知対象の被測定電流Ｉが流れ、一次導体１は例えばプリント基板上の銅箔パターン又は銅板で形成されたバスバー等の形態とされている。

一次導体１のほぼ中央には、電流の遮断を部分的に行うため非導電領域である円形の貫通孔２が設けられており、このため被測定電流Ｉの一部は図２９に示すようにこの貫通孔２の両側において外側を対称的に回り込む迂回電流Ｉａとなっている。説明の便宜のために、一次導体１に座標軸を設定し、貫通孔２の中心を原点Ｏとして、被測定電流Ｉが流れる主方向をＹ軸、その直交軸である幅方向をＸ軸、厚み方向をＺ軸とする。

一次導体１上には、２つの磁気検知素子３ａ、３ｂがＹ軸方向に向けて直列的に配置されて差動検知が行われる。磁気検知素子３ａ、３ｂの検知部４ａ、４ｂをＹ軸方向が磁界検知方向となるようにし、検知部４ａ、４ｂの中心位置は、貫通孔２の中心よりもＸ軸方向に距離ｄｘ、Ｙ軸方向にはＸ軸を挟んで距離ｄｙずらした個所に配置されている。図２８に示すように、異なる相の電流が流れる一次導体１’が近接し近接電流Ｉ’の方向が被測定電流Ｉと平行していても、近接電流Ｉ’の磁束Ｆによる磁界の影響はＸ軸方向のベクトル成分となり、Ｙ軸方向成分を持たない。検知部４ａ、４ｂの磁界検知方向をＹ軸方向に取ると、磁気検知素子３ａ、３ｂは近接電流Ｉ’による磁界による干渉は受けず、被測定電流Ｉのベクトル成分Ｈｙのみを検知できる。従って、このベクトル成分Ｈｙを校正して換算すれば、被測定電流Ｉの電流量を求めることができる。

使用する磁気検知素子３ａ、３ｂとして、Ｘ軸方向の磁界ベクトル成分Ｈｘを検知することは望ましくないため、指向性の高い磁気インピーダンス素子や直交フラックスゲート素子が好適であり、実施例１では磁気インピーダンス素子を用いている。検知部４ａ、４ｂとして磁性薄膜のパターンが磁界検知方向のＹ軸方向につづら折りにより並列され、両端の電極５にＭＨｚ帯の高周波パルスを印加し、磁界の変化による検知部４ａ、４ｂの両端からの電圧振幅変化をセンサ信号として得ている。

図３０に示すように、一次導体１に対する磁気検知素子３ａ、３ｂの検知部４ａ、４ｂの高さｈは、一次導体１と磁気検知素子３ａ、３ｂの位置関係を保持する構造上、必要なスペースと空間距離、沿面距離等の絶縁耐圧の関係で決められる。

図３１は検知回路１００Ａの構成図を示し、ＣＲパルス発振回路３０に対しブリッジを構成する抵抗Ｒに、磁気検知素子３ａ、３ｂの検知部４ａ、４ｂが接続されている。検知部４ａ、４ｂの両端電圧からの振幅変化を検波回路３１により取り出した後に、差動増幅回路３２で検知部４ａ、４ｂの出力に対し差動増幅が行われて、電流センサとしての出力を得る。

この場合に、検知部４ａ、４ｂの出力は、感度が同じでＸ軸を挟んで対称な位置にあれば絶対値は同じになり、極性が異なるため、差動的に検知すると、出力は検知部４ａ又は４ｂの絶対値の２倍となる。また、外来の磁界ノイズは狭い範囲にある検知部４ａ、４ｂでは同相となり、検知部４ａ、４ｂの出力を差動的に捉えることにより、磁界ノイズは相殺されて、電流センサの出力に重畳されることはなく、迂回電流のベクトル成分Ｈｙのみが測定されることになる。なお、磁気検知素子の出力を差動的に検知するには、少なくとも２個の検知部を用いればよい。 なお、図３１と図１５とを比較すれば明らかなように、ブリッジ回路を形成している４つの抵抗が検知部に置き換わることになる。たとえば、３つの検知部を採用するのであれば、４つある抵抗のうちの３つの抵抗が検知部に置換される。さらに、４つの検知部を採用するのであれば、すべての抵抗が検知部に置換されることになる。

図２８においては、磁気検知素子３ａ、３ｂはＸＹ平面上の第１、第４象限にそれぞれ設けているが、対称性から当然のことながら、その他の象限に隣接して配置することもできる。

図３２はこの場合の変形例を示し、磁気検知素子３ａは第１象限に、磁気検知素子３ｂは第２象限に設け、Ｙ軸に対して対称的に配置した場合においても同様の結果が得られる。迂回電流Ｉａによる磁界ベクトル成分Ｈｃ１は第１象限と第２象限においてＹ軸に関して対象ともなっている。従って、磁気検知素子３ａ、３ｂを第１象限、第２象限にそれぞれ配置し、絶対値が等しく極性が逆のＹ軸方向のベクトル成分Ｈｙをそれぞれ検知することができる。この場合においては、隣接して平行する電流線の影響は僅かに受けるが、磁気検知素子３同士の間隔が狭いために、ほぼ磁界ノイズを差動検知により相殺することができる。

＜実施例４＞
磁気検知素子である磁気インピーダンス素子や直交フラックスゲートセンサ等のように、磁気飽和や直線性の点で、検知磁界範囲を或る範囲内で管理しなくてはならない場合には、一次導体１の貫通孔２の径だけで測定レンジを調整できることが好ましい。

図３３は実施例４の電流センサの構成図である。図２８における磁気検知素子３、４の検知部４ａ、４ｂの距離は短いことから、同一の素子基板６にＸ軸に関して対称に配置した磁気検知素子３ａ、３ｂを一体型として取り付けた磁気検知ユニット７とされ、性能のばらつきが抑制可能となっている。

図３４の変形例に示すように、一次導体１のＸ軸の正の領域だけ使う発想で、幅方向の端部に切欠孔８を設けることでも迂回電流を利用できる。この切欠孔８によっても、図２８に示すように貫通孔２を設けた場合と同様に測定が可能である。なお、迂回電流をＸ軸に関して対称的に流すためには、切欠孔８はＸ軸に関して対称形であることが必要である。

図３５は他の変形例の構成図である。４個の磁気検知素子３ａ〜３ｄを一体化した磁気検知ユニット７において、第１、第２、第３、第４象限にそれぞれ検知部４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを配置し、４素子によりブリッジ構成として動作させると、更にＳ／Ｎを向上させることができる。このように、貫通孔２の両側に検知部４ａ〜４ｄをＸ軸、Ｙ軸に対称に配置すると、ベクトル成分ＨｙがＸ軸、Ｙ軸にそれぞれ対称となる。

従って、Ｘ軸に関して検知部４ａと４ｄの出力を差動検知、検知部４ｂと４ｃの差動検知、Ｙ軸に関して検知部４ａと４ｂの差動検知、検知部４ｄと４ｃの差動検知を同時に行うことができ、これらの検知結果の平均を求めれば更に測定精度が向上する。

＜実施例５＞
図３６は実施例３の電流センサの構成図である。厚さ１．６ｍｍのガラスエポキシ材のセンサ基板１１の片面に、Ｘ軸方向の幅１０ｍｍ、Ｚ軸方向の厚さ７０μｍ、Ｙ軸方向の長手方向５０ｍｍの銅パターンから成る一次導体１２が設けられている。そして、一次導体１２のＸ軸方向の中央に直径２ｍｍの貫通孔１３がエッチングにより形成されている。センサ基板１１の他面には、図３３と同様の位置に、一体型の磁気検知ユニット１４が配置され、半田付けのための電極１５ａ〜１５ｃがセンサ基板１１上に引き出されている。

磁気検知ユニット１４には磁気インピーダンス素子が用いられ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ系の磁性薄膜から成る検知部１６ａ、１６ｂは、それぞれ幅１８μｍ、厚さ２．６５μｍ、長さ１．２ｍｍの細長い１１本のパターンが並列に配置されている。そして、検知部１６ａ、１６ｂの磁界検知方向はＹ軸方向とされている。

検知部１６ａ、１６ｂの位置は、貫通孔１３の中心からＸ軸方向に距離ｄｘ＝１．５ｍｍだけオフセットされ、検知部１６ａ、１６ｂの中心間隔は、ｄｙ＝３ｍｍとし、貫通孔１３の中心Ｏから幅方向に延びるＸ軸に対して対称的に配置されている。

検知部１６ａ、１６ｂの複数本の磁性薄膜パターンは、図示は省略しているが電気的にはつづら折りで直列につながれて、両端はそれぞれの電極に接続され、センサ基板１１上の電極１５ａ〜１５ｃに半田接合され、図示しないセンサ回路に接続されている。図３６では、センサ基板１１に引き出された電極１５ａ→１５ｃ及び電極１５ｂ→１５ｃの流れにより高周波パルスを印加する。

磁気検知ユニット１４はＸ軸方向の幅方向に磁化容易軸を設けておき、高周波のパルスを磁性薄膜のパターンに通電することで、外部磁界によりインピーダンスが変化し、磁気検知ユニット１４の両端電圧を振幅検波によりセンサ信号に変換する。

平行して流れる被測定電流Ｉ以外の電流の影響評価では、一次導体１２から１０ｍｍの間隔を離して直径２ｍｍの銅棒１８を並列に配置し、１０Ａｒｍｓの５０Ｈｚの電流Ｉ’を流して、一次導体１２には電流を流さない条件で測定した。すると、磁気検知ユニット１４では銅棒１８を流れる電流Ｉ’の影響は観測されず、ノイズレベル以下（１０ｍＶｐｐ以下）であった。隣接する平行な電流線からの磁界はＸ又はＺ軸方向となり、Ｙ軸方向の成分は持たないことと、検知部１６ａ、１６ｂと隣接する銅棒１８との距離が等しいことで差動除去機能が効果的に働き、ノイズ的な磁界の影響もほぼ除去できていることが確認された。

実施例５では、一次導体１２をセンサ基板１１上に配置している例を想定した。しかし、図３７の変形例に示すように一次導体が銅板から成るバスバー１９の場合は、図３６の形態から一次導体１２を除いたものをセンサ基板２０の上にモジュール化することもできる。この場合には、バスバー１９に穿けた貫通孔２１にセンサ基板２０を位置合わせして、センサ基板２０をバスバー１９に貼り合わせなどにより固定して使用することが可能である。なお、２２はセンサ基板２０上に設けられた回路素子、２３は磁気検知ユニット１４の信号を引き出す信号線である。

このような構成とすることにより、予めバスバー１９を布設した後においても、磁気検知ユニット１４をモジュール化してバスバー１９に組み付けることにより容易に組立てが可能となる。

なお、上述の各実施例においては、貫通孔、切欠孔による非導電領域を設けて電流を迂回させたが、必ずしも孔部ではなく、絶縁材料を配置することによっても電流を迂回させることができる。そして、これらの非導電領域はＸ軸に関しその両側で形状が対称であることが必要である。

＜実施例６＞
実施例１ないし実施例５では、方向変更領域として非導電領域を採用した。つまり、実施例１ないし実施例５は、電流が非導電領域を迂回して流れることで発生する歪み磁界を検知し、検知した磁界から電流量を推定する発明である。実施例１ないし実施例５において共通した概念は、電流が非直線的に流れることを促進する領域を一次導体に設けることである。つまり、電流の流れる方向を曲げることができるのであれば、必ずしも非導電領域である必要はない。そこで、実施例６では、方向変更領域についての他の例について説明する。

図３８は被測定電流に対する電流測定を行う実施例６の基本的な電流センサの構成図である。一次導体１には検知対象の被測定電流Ｉが流れる。一次導体１の形態は例えばプリント基板上の銅箔パターン又は銅板で形成されたバスバー等の形態とされている。

一次導体１のうち磁界の検知対象とする部分（主要部）は、長さがＬで幅がＷ０で形成された矩形状の部分である。主要部において、電流が流れる後方と前方にはそれぞれ幅Ｗ１、Ｗ２の入口９ａ、出口９ｂが形成されている。幅Ｗ１、Ｗ２はいずれも幅Ｗ０よりも狭い。説明を判りやすくするため、入口９ａ、出口９ｂを幅Ｗ０に対して中央に設置しておく。

一次導体１に座標軸を設定する。ここでは、磁気検知部の中心を原点Ｏとする。図３８および図３９が示すように、入口９ａ、出口９ｂを結ぶ線であって、磁気検知部の幅Ｗ０を２分割する直線と、磁気検知部の長さＬを２分割する直線との交点を原点Ｏとしている。他の実施例と同様に、被測定電流Ｉが流れる主方向をＹ軸、その直交軸である幅方向をＸ軸、厚み方向をＺ軸とする。

一次導体１上には、２つの磁気検知素子３ａ、３ｂがＹ軸方向に向けて直列的に配置されて差動検知が行われる。なお、実施例１、２と同様に、磁気検知素子は１つでもよい。磁気検知素子３ａ、３ｂの構成は実施例１乃至５と同様である。磁気検知素子３ａ、３ｂの検知部４ａ、４ｂをＹ軸方向が磁界検知方向となるようにし、磁気検知素子３ａ、３ｂが配置される。検知部４ａ、４ｂの中心位置は、原点Ｏの中心よりもＸ軸方向に距離ｄｘ、Ｙ軸方向にはＸ軸を挟んで距離ｄｙ１、ｄｙ２ずつずらした個所に配置されている。

本来、電流により発生する磁束は電流方向と直交する方向を向く。そのため、一次導体１の幅方向を向く電流成分がない個所、つまり原点Ｏを通るＸ軸上ではＸ軸方向のベクトル成分Ｈｘしか持たない磁場ＨＣ１ができる。

しかし、原点Ｏよりもその電流が流れる前後方向でずれた位置での電流は、入口９ａ、出口９ｂに向けてＹ軸方向に対し傾いて流れる電流成分を持っている。これによって、Ｙ軸方向のベクトル成分Ｈｙが発生し、Ｈｃ２、Ｈｃ３のように磁場が蛇行する。Ｈｃ２、Ｈｃ３の磁場は、Ｘ軸に対して線対称である。ベクトル成分ＨｙはＸ軸を挟んで逆極性になっている。

図３８に示すように、異なる相の電流が流れる一次導体１’が近接し近接電流Ｉ’の方向が被測定電流Ｉと平行していても、近接電流Ｉ’による磁界の影響はＸ軸方向のベクトル成分となり、Ｙ軸方向成分を持たない。検知部４ａ、４ｂの磁界検知方向をＹ軸方向に取ると、磁気検知素子３ａ、３ｂは近接電流Ｉ’による磁界による干渉は受けず、被測定電流Ｉのベクトル成分Ｈｙのみを検知できる。従って、このベクトル成分Ｈｙを校正して換算すれば、被測定電流Ｉの電流量を求めることができる。

磁気検知素子３ａ、３ｂが、Ｘ軸方向の磁界ベクトル成分Ｈｘを検知すると電流の推定精度が低下する。そのため、磁気検知素子３ａ、３ｂとしては、たとえば、指向性の高い磁気インピーダンス素子や直交フラックスゲート素子がある。実施例６では磁気検知素子３ａ、３ｂとして磁気インピーダンス素子を用いている。検知部４ａ、４ｂとして磁性薄膜のパターンが磁界検知方向のＹ軸方向につづら折りにより並列されている。両端の電極５にＭＨｚ帯の高周波パルスを印加し、磁界の変化による検知部４ａ、４ｂの両端からの電圧振幅変化がセンサ信号として得られる。バイアス磁界が必要な場合は、不図示ではあるが、磁気検知素子３ａ、３ｂに近接した磁石または巻回したコイルにより印加する。

図４０に示すように、一次導体１に対する磁気検知素子３ａ、３ｂの検知部４ａ、４ｂの高さｈは、たとえば、発生する磁界の大小調整、一次導体１と磁気検知素子３ａ、３ｂの位置関係を保持する構造上必要なスペース、空間距離、および、沿面距離等の絶縁耐圧の関係で決められる。

電流検知装置として機能する検知回路１００Ａの構成は、図３１に示した回路構成を採用できる。なぜなら、電流の流れる方向を変更する領域方向変更領域の具体的な構成が変わったとしても、本発明の電流検知装置の基本的な部分はそのまま使用できるからである。

図４１，図４２，図４３及び図４４、並びに、図４５は狭い出入口からの拡散電流に係わるＹ軸方向の磁界成分Ｈｙのシミュレーションの結果を示している。一次導体１はＸ軸方向の幅Ｗ０＝８ｍｍ、Ｚ軸方向の厚さｔ＝０．８ｍｍの断面で、入口９ａ、出口９ｂは間隔Ｌを７．５ｍｍとし、その幅方向の位置を幅Ｗ０の中央にする。入口９ａ、出口９ｂの幅をＷ１＝Ｗ２＝ｄとして、ｄ＝０．８、 １．２、 ２．４、 ３．６ｍｍと振って、一次導体の表面（高さＨ＝１．６ｍｍ）で、電流が流れる主方向の磁界Ｈｙを計算した。被測定電流Ｉは１アンペア（Ａ）とした。

図４１ないし図４４は、ｄ＝０．８、 １．２、 ２．４、 ３．６ｍｍのそれぞれにおけるシミュレーション結果である。座標はＸ≧０、Ｙ≧０の第１象限で、ベクトル成分Ｈｙの頂点を１００％として、１０％刻みで等高線を描いている。他の象限ではＸ軸又はＹ軸に関し対称な磁界分布が形成され、第３象限は第１象限と同一極性で、第２、第４象限は第１象限と逆極性の磁場が形成される。

ピーク位置Ｐは、Ｙ方向が２．５ｍｍでほぼ変わらず、Ｘ方向は出入口の幅が広くなるに連れて１．７ｍｍから２．１５ｍｍまで緩やかに移動している。

出入口からのＹ方向の距離をＬとする。ピーク位置Ｐは、Ｌ＝７．５ｍｍで１．２５（＝Ｌ／２−２．５）ｍｍにあるが、Ｌ＝１１．５ｍｍで計算したところでも１．３５ｍｍとなり、両者は大きくは変わらない。実用的な距離Ｌの寸法としては、ピークが明確に形成でき、かつ、隣接の逆相となるピークと干渉しないことを考慮して決定する。たとえば、距離Ｌは、１．２５ｍｍの４倍の５ｍｍ以上は確保すべきである。

図４５はピーク位置での磁界Ｈｙを示したグラフである。図４５によれば、入口９ａ、出口９ｂの幅Ｗ１とＷ０との比が１０％（Ｗ０＝８ｍｍ、ｄ＝０．８ｍｍ）では、１Ａあたり０．０８ガウスの磁界を発生していることがわかる。ミリガウス以下を検知できる磁気検知素子では、ピーク位置に置くことで１Ａ以下の小さな被対象電流でも十分なＳ／Ｎで検知できる。

入口９ａ、出口９ｂの幅Ｗ１、Ｗ２を広げていくと、幅方向に広がる電流成分が減ることで、急激に磁界Ｈｙが下がる。よって、大電流を検知するには幅Ｗ１、Ｗ２を広げればよい。幅Ｗ１とＷ０との比が１００％、つまりｄ＝８ｍｍでは、磁界がゼロになる。これは、大電流に対しての調整範囲を広く取れることを意味する。以上のことより、Ｘ＝２ｍｍ、Ｙ＝２．５ｍｍのところに磁気検知素子を固定すれば、幅Ｗ１、Ｗ２を変えるだけでいろいろな電流検知範囲の仕様に対応できることを意味する。

このような特性は、磁気インピーダンス素子や直交フラックスゲートセンサ等のように、磁気飽和や直線性の点で、検知磁界範囲を或る範囲内で管理しなくてはならない素子には極めて都合がよい。生産性でも、素子の位置を固定しておいて、一次導体の出入口の幅を変えたものを数種類用意しておくことで、各種電流仕様に対応でき、電流センサのコスト低減に大きく寄与するだろう。

図３８においては、磁気検知素子３ａ、３ｂはＸＹ平面上の第１、第４象限にそれぞれ設けている。しかし、対称性から当然のことながら、その他の象限に隣接して配置することもできる。図４６は、磁気検知素子３ａを第１象限に配置し、磁気検知素子３ｂを第２象限に配置した例を紙滅している。図４７は、全ての象限に磁気検知素子を設けた例を示している。

図４７では、４個の磁気検知素子３ａ〜３ｄを一体化した磁気検知素子ユニットにおいて、第１、第２、第３、第４象限にそれぞれ検知部４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを配置している。さらに、図３１に示したように検知部４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄをブリッジ構成として動作させると、検知回路１００ＡのＳ／Ｎを向上させることができる。このように、２原点Ｏの両側に検知部４ａ〜４ｄをＸ軸、Ｙ軸に対称に配置すると、ベクトル成分ＨｙがＸ軸、Ｙ軸にそれぞれ対称となる。

従って、Ｘ軸に関して検知部４ａと４ｄの出力を差動検知、検知部４ｂと４ｃの差動検知、Ｙ軸に関して検知部４ａと４ｂの差動検知、検知部４ｄと４ｃの差動検知を同時に行うことができ、これらの検知結果の平均を求めれば更に測定精度が向上する。

入口９ａ、出口９ｂが一次導体１の幅方向の中央にある場合は、素子の感度を同等に調整した素子をＸ軸又はＹ軸に対称に設置して差動動作させることで、一次導体１からの磁界による出力は２倍となり、同相の外部磁界はキャンセルされることになる。

図４８は変形例を示している。入口９ａに至る導体の幅や、出口９ｂ以降の導体の幅が細すぎると、大電流印加時に発熱の問題が発生するかもしれない。そこで、図４８が示すように、電流の出入口をスリット溝７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄで規制することで、発熱自体を抑えることができるとともに、熱拡散も良くすることができるだろう。なお、図４８から、一次導体１にスリット溝７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄを入れることで、上述した主要部、入口９ａ、および、出口９ｂが形成されていることを理解できよう。

＜実施例７＞
実施例６では、座標位置で（２， ２．５）と（２， −２．５）の付近にそれぞれ磁気検知素子３ａ、３ｂの検知部４ａ、４ｂを置けば、入口９ａ、出口９ｂの幅Ｗ１、Ｗ２を変えることだけで被測定電流の仕様に対応できることを示した。別の方法としては入口９ａ、出口９ｂの配置位置を一次導体１の幅方向にオフセットさせてもよい。図４９にそのレイアウトを示す。図３９のレイアウトから、入口９ａ、出口９ｂを幅方向にｄｗだけずらしたものである。これにより、電流の広がりが変わるため、磁気検知素子３ａ、３ｂの検知部４ａ、４ｂが配置された位置での磁界の方向を変えることができる。

図５０は、実施例７についてＹ軸方向の磁界成分Ｈｙのシミュレーションの結果を示している。一次導体１のＸ軸方向の幅Ｗ０＝８ｍｍ、Ｚ軸方向の厚さｔ＝０．８ｍｍである。入口９ａ、出口９ｂは幅Ｗ１、Ｗ２ともに１．２ｍｍである。磁気検知部である一次導体１のＹ軸方向の長さＬを７．５ｍｍとしている。実施例６のように入口９ａ、出口９ｂの位置が幅Ｗ０の中央にした状態では、オフセット量ｄｗ＝０である。実施例７ではオフセット量ｄｗ＝−２、 −１、 ０、 １、 ２ｍｍのそれぞれについてシミュレーションを行った。

磁気検知素子３ａの座標位置をＸ＝２、Ｙ＝２．５ｍｍに固定している。電流が主に流れる方向の磁界成分Ｈｙの磁界は、図５０が示すとおり、オフセット量がマイナスになると調整シロが少ない。一方、オフセット量がプラスになると、つまり入口９ａ、出口９ｂと磁気検知素子との距離が縮まると、急激に磁界が低下し、反対の極性にまでいたる。よって、オフセット量がプラスになる領域では、磁界成分Ｈｙを大幅に調整可能である。

＜実施例８＞
図５１は実施例８の電流センサの構成図である。センサ基板１１は、ガラスエポキシ材であり、その厚さ１．６ｍｍである。センサ基板１１の片面に一次導体１２が設けられている。一次導体１２は、Ｘ軸方向の幅８ｍｍ、Ｙ軸方向の長さが７．５ｍｍで、Ｚ軸方向の厚さ７０μｍの銅パターンである。Ｘ、Ｙ軸の原点Ｏは一次導体１２の中心に設定する。

一次導体１２の入口９ａ、出口９ｂは、Ｘ軸方向の幅Ｗの中央から幅Ｗ１＝Ｗ２＝１．２ｍｍでＹ軸に沿って引き出されている。入口９ａ、出口９ｂを１．２ｍｍの幅のままで長く引き出すと、大電流側では発熱が発生するかもしれない。そこで、実験では入口９ａ、出口９ｂの直ぐ近くで、芯線径１．６ｍｍのケーブル線を半田付けして、被測定電流を印加した。

センサ基板１１の他面には、２つの磁気検知素子が一体化された磁気検知ユニット１４が配置されている。磁気検知ユニット１４からは半田付けのための電極１５ａ〜１５ｃがセンサ基板１１上に引き出されている。

磁気検知ユニット１４には磁気インピーダンス素子が用いられている。Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ系の磁性薄膜から成る検知部１６ａ、１６ｂは、それぞれ幅１８μｍ、厚さ２．６５μｍ、長さ１．２ｍｍの細長い並列に配置された１１本のパターンにより構成されている。そして、検知部１６ａ、１６ｂの磁界検知方向はＹ軸方向とされている。

図５１が示すように、検知部１６ａ、１６ｂの位置は、貫通孔１３の中心からＸ軸方向に距離ｄｘ＝２ｍｍだけオフセットされている。検知部１６ａ、１６ｂの中心間隔ｄｙは５ｍｍとしている。このように、磁気検知ユニット１４はＸ軸に対して対称的に配置されている。

検知部１６ａ、１６ｂの複数本の磁性薄膜パターンは、図示は省略しているが電気的にはつづら折りで直列につながれている。直列につながれた磁性薄膜パターンの両端はそれぞれの電極に接続されている。図５１が示すように、磁性薄膜パターンの端部は、センサ基板１１上の電極１５ａ〜１５ｃに半田接合され、検知回路１００Ａに接続されている。図５１では、センサ基板１１に引き出された電極１５ａから電極１５ｃと、電極１５ｂから電極１５ｃとをペアとして高周波パルスを印加する。

磁気検知ユニット１４にはＸ軸方向（幅方向）に磁化容易軸を設けておく。高周波のパルスを磁性薄膜のパターンに通電することで、外部磁界によりインピーダンスが変化し、磁気検知ユニット１４の両端電圧を振幅検波によりセンサ信号に変換する。それぞれの素子のバイアス磁界や回路ゲインを、相対的に差が出ないよう合わせておくと、差動検知の効果が高まる。

平行して流れる被測定電流Ｉ以外の電流の影響評価では、一次導体１２の端から１０ｍｍの間隔を離して直径２ｍｍの銅棒１８を並列に配置した。１０Ａｒｍｓの５０Ｈｚの電流Ｉ’を銅棒１８に流して、一次導体１２には電流を流さない条件で測定を行った。磁気検知ユニット１４では銅棒１８を流れる電流Ｉ’の影響は、ノイズレベル以下（１０ｍＶｐｐ以下）であった。隣接する平行な電流線からの磁界はＸ又はＺ軸方向となり、Ｙ軸方向の成分は持たないことと、検知部１６ａ、１６ｂと隣接する銅棒１８との距離が等しいことで、差動除去機能が効果的に働き、ノイズ的な磁界の影響もほぼ除去できていることが確認された。

図５２には、一次導体１の入口９ａ、出口９ｂの幅Ｗ１（＝Ｗ２）を１．２ｍｍと４．８ｍｍとしたときの測定電流と出力電圧との関係を示す。なお、検知回路１００Ａを５Ｖの単電源で駆動したため、測定電流０Ａに対する出力電圧を２．５Ｖに合わせてある。

図４５で示したように素子に掛かるＹ方向の磁界Ｈｙは、１Ａあたり０．０７８ガウスであり、前述の直線性が±３ガウスの範囲で確保されたセンサでは、±３８．５Ａを越えると直線性が低下することになる。図５２に示した実測データでも４０Ａを越えたあたりから直線精度が低下していることが判る。この条件では、±４０Ａの仕様となる。

直線性のよい範囲を広げるためには、入口９ａ、出口９ｂの幅を大きくすればよい。幅Ｗ１、Ｗ２を４．８ｍｍにしたものは、磁界Ｈｙは１Ａあたり０．０３８ガウスとなり、±７９Ａまでは直線精度が確保されることになり、実測のデータでも±８０Ａで直線精度が確保されていることが判る。感度の差は、差動増幅のゲインで調整すればよい。

このことは使用する磁気検知素子や回路構成を同じにして、電流の出入口の幅だけを変えることで、所望の測定電流範囲で直線精度を確保することができることを意味する。

このように、実施例１ないし８に記載の電流検知回路であれば、カレントトランス等と比較して、非常にサイズを小さくできる。

また、磁気検知素子１１０の感度が高すぎると、電流路からの磁界が相対的に大きすぎることがある。この場合、磁気検知素子１１０と電流路と間の距離を十分に長くすればよい。しかし、磁気検知素子１１０と電流路と間の距離を十分に長くすると、計測モジュール１００のサイズが大きくなってしまう。そこで、実施例１ないし８で示した電流経路を幅方向（長さ方向に直交する方向）へ迂回させる手法を用いれば、磁気検知素子１１０と電流路と間の距離を長くする必要がなく、計測モジュール１００のサイズを小型にできる。

一例として図５３が示すように、電流路１０９ｂに対して非通電領域として機能する切り欠き１３１，１３２を設ける。これにより、電流路１０９ｂから発生する磁界の方向を、図３に示した磁界検知方向ｍとは９０度異なる方向に変更することができる。なお、９０度は、単なる例示であって、６０度でも４５度であってもよい。磁気検知素子１１０の感度に対する電流路が発生する磁界の大きさとの関係を十分に調整できればよいからである。なお、磁気検知素子１１０の磁界検知方向ｎが磁界の方向に沿うように、磁気検知素子１１０が配置される。

このように、磁気検知素子１１０の感度に対して、電流路が発生する磁界が大きすぎる場合、切り欠き等の非通電領域のサイズと配置とで電流の迂回量を調整すればよい。これにより、磁気検知素子１１０と電流路と間の距離を長くするためのスペースが不要となるため、計測モジュール１００を小型にすることができる。

＜実施例９＞
実施例９は、実施例１を変形した端子台に関する。この端子台は、実施例１の構造を基本とし、入力端子と出力端子の両端をネジ止めができるようになっている。

図５４Ａは端子台の外観斜視図である。図５４ＢはＡ−Ｂ切断面により端子台の断面図である。図５５は端子台の分解斜視図である。電流路４０１の両端には、ネジ止め部４０３ａ，４０３ｄが設けられている。電流路４０２の両端には、ネジ止め部４０３ｂ，４０３ｃが設けられている。ネジ止め部４０３ａ，４０３ｂには、電源と接続されたケーブルがネジ４１７によりネジ止めされる。ネジ止め部４０３ｃ，４０３ｄには、負荷側とを接続するケーブルがネジ４１７によりネジ止めされる。

電流路４０１は、磁気検出素子で磁界を検知するための工夫がなされている。すなわち、電流路４０１には、Ｔ字状の切り欠き４０４や直線状の切り欠き４０５が設けられている。よって、電流は、電流路４０１の幅方向へ迂回するため、ポイント４０６，４０７の付近で互いに逆方向の磁界（電流が流れる方向にしたがった方向の磁界）が発生する。

電流路４０１、４０２はモールド部材により形成された端子台の本体４０８に接着剤やネジ止め等で固定される。本体４０８において電流路４０１、４０２の設置された面と反対側の面には回路基板４１０が設置される。回路基板４１０には、磁気検出素子４０９ａ、４０９ｂが面実装されている。

図５４Ｂのように、本体４０８には、電流路４０１、４０２が設置される仕切り４１８が設けられている。仕切り４１８により、大電流の流れる電流路４０１、４０２の１次側とＤＣ電源で動作する回路基板４１０が明確に絶縁される。

磁気検出素子４０９ａ，４０９ｂは、仕切り４１８を挟んでポイント４０６，４０７に対向した位置に配置されている。図５５が示すように、異なる方向に流れる２つの電流が発生する磁界Ｈａ，Ｈｂの方向は互いに逆方向となる。よって、差動検知の動作によりＳ／Ｎを稼ぐことができる。

電流路４０１、４０２の端面から伸びる端子４１２ａ、４１３ａが回路基板４１０に引き出されている。端子４１２ａ、４１３ａは、電圧検知用のコンデンサ４１１ａ、４１１ｂにそれぞれ接続される。コンデンサ４１１ａとコンデンサ４１１ｂとの容量分圧により電圧検知が実行される。

図５５が示すように、１次側の電流路４０１、４０２から２次側の回路基板４１０に端子４１２ａ、４１３ａが引き出されている。しかし、端子４１２ａ、４１３ａの位置は回路基板４１０の端であり、この場所は空間および沿面の距離を取ることが容易な場所である。よって、絶縁を取ることになんら問題はない。

回路基板４１０上には電力演算のマイコンは不図示であるが、回路基板４１０に設置されたマイコンはコネクタ４１６から電力演算の結果を出力する。また、本体４０８の外部に設けられた電源は、このコネクタ４１６を通じて回路基板４１０に動作用の電力を供給する。

図５４Ｂなどに示すように、磁気シールドが設置されてもよい。電流路４０１、４０２をカバーするようにシールド４１４が設けられている。また、回路基板４１０をカバーするシールド４１５が設置されてもよい。シールド４１４、４１５は磁気検出素子４０９ａ，４０９ｂを挟み込むように磁気シールドを形成する。シールド４１４、４１５の挟み込みにより、箱型シールドと同様のシールド効果を稼ぐことができる。

実施例９でも実施例１などの効果は維持される。すなわち、実施例９でも、電力演算のマイコンも含めて、電流検知と電圧検知のセンサが１枚の基板に実装され、組み込み性が極めて高くなり、コストを低減できる。

Claims (10)

1. 電流を計測する計測モジュールであって、
   電流を入力する一対の入力端子と、
   前記一対の入力端子に接続される電流路と、
   前記電流路に接続され、前記一対の入力端子により入力される前記電流を出力する一対の出力端子と、
   前記電流路に沿って設けられた絶縁部と、
   一方の前記電流路のみに設けられ、流れる電流を主方向から迂回させる方向変更領域と、
   前記方向変更領域によって迂回させられた電流によって生じ、前記絶縁部を透過してくる前記電流路からの磁界を検知するために前記主方向に検知感度を有するように配置されることで、当該電流路に流れる電流を検知する磁気検知素子と
   を備え、
   前記絶縁部は、前記計測モジュールの内側の空間を、一方面側の空間である第１の空間と、他方面側の空間である第２の空間とに仕切る仕切り部として機能し、
   前記電流路は前記第１の空間に配置され、前記磁気検知素子は前記第２の空間に配置されており、
   前記磁気検知素子は、前記絶縁部の他方面側に配置された回路基板に実装され、
   前記電流路のうち一方の前記電流路に設けられた前記方向変更領域を覆うように前記第１の空間に配置された第１の磁気シールドと、
   前記磁気検知素子を覆うように前記第２の空間に配置された第２の磁気シールドを有し、
   前記第１の磁気シールドと前記第２の磁気シールドは、一方の前記電流路と前記磁気検知素子を囲むように対向して配置され、前記第１の磁気シールドは一方の前記電流路の上流側および下流側の端部に前記主方向と直交する方向に延びるシールド面を有することを特徴とする計測モジュール。
2. 
   前記第２の磁気シールドは、前記仕切り部と共に前記第２の空間を覆うように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の計測モジュール。
3. 前記第２の空間には、直流電流を供給されて動作する弱電部品が実装されていることを特徴とする請求項１または２に記載の計測モジュール。
4. 前記第２の空間に設けられた、前記絶縁部に取り付けられた脚部材をさらに備え、
   前記回路基板は、前記脚部材によって支持されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の計測モジュール。
5. 前記一対の入力端子に印加される電圧を検知する電圧検知回路をさらに備え、
   前記電圧検知回路は、
   前記一対の入力端子のうち第１入力端子に一端が接続された第１分圧素子と、
   前記一対の入力端子のうち第２入力端子に一端が接続された第２分圧素子と、
   を備えていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の計測モジュール。
6. 前記第１分圧素子および前記第２分圧素子は前記一方面側に設けられており、
   前記絶縁部には、前記第１分圧素子の他端と前記第２分圧素子の他端とが挿し通される孔部が設けられており、
   前記第１分圧素子の他端は、前記他方面側において第３分圧素子の一端と接続されており、
   前記第２分圧素子の他端は、前記他方面側において第４分圧素子の一端と接続されており、
   前記他方面側には、前記第１分圧素子と前記第３分圧素子とによって分圧された電圧と前記第２分圧素子と前記第４分圧素子とによって分圧された電圧とを差動増幅する差動増幅回路がさらに設けられていることを特徴とする請求項５に記載の計測モジュール。
7. 前記他方面側に設けられ、前記磁気検知素子により検知された電流と、前記電圧検知回路により検知された電圧とから電力を決定する電力決定回路をさらに備えることを特徴とする請求項５または６に記載の計測モジュール。
8. 前記磁気検知素子は、磁気インピーダンス素子、フラックスゲートセンサ、または、巨大磁気抵抗素子であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の計測モジュール。
9. 前記電流路のうち少なくとも一方の電流路は、当該電流路の伸びる方向に磁界を発生させるための非通電領域を備え、
   前記磁気検知素子の磁界検知方向が前記電流路の伸びる方向に沿うように、当該磁気検知素子が配置されていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の計測モジュール。
10. 請求項１ないし９のいずれか１項に記載の計測モジュールを電子機器に組み込むためのモジュールとしたことを特徴とする組込型計測モジュール。

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