JP6268693B2 - 光電変換素子、画像読取装置及び信号処理方法 - Google Patents
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Description
図2は、光電変換素子22の構成の第1例を示す図である。光電変換素子22の第1例は、PD(フォトダイオード)部40、アンプ部(増幅部)42及び画素加算部44を有する。PD部40は、入射光を受光して光電変換を行うPD(フォトダイオード)がラインセンサの全画素数分(N個)配置されている。PD部40は、光を画素毎の電荷に変換する。アンプ部42は、注目画素位置及び注目画素に隣接する(1つ以上の)画素位置からそれぞれ取り出した複数の画素信号(電荷に対応する)をそれぞれ個別のアンプで増幅又は減衰させる。つまり、アンプ部42は、各画素位置においてそれぞれ複数個のアンプを有している。画素加算部44は、アンプ部42の各アンプでそれぞれ増幅又は減衰された注目画素位置の画素信号と、注目画素に隣接する画素位置の画素信号とをそれぞれ複数の加算器により加算し、注目画素位置における画素信号としてそれぞれ後段に出力する。
図4は、光電変換素子22の構成の第2例を示す図である。光電変換素子22の第2例は、PD(フォトダイオード)部40、第1CCD(アナログシフトレジスタ)部46、第2CCD(アナログシフトレジスタ)部48、第1アンプ部(第1増幅部)50、第2アンプ部(第2増幅部)52及び画素加算部54を有する。PD部40は、図2に示したN個のPDと同じである。第1CCD部46及び第2CCD部48は、注目画素位置及び注目画素に隣接する(1つ以上の)画素位置からそれぞれ取り出した複数の画素信号を蓄積し、順次転送する。
図6は、図2に示した光電変換素子22の第1例を用いた場合における、画素信号の流れを示す図である。例えば、注目画素位置nにおける位置ずれ量が5/8(pix)であった場合、図3に例示した各アンプに設定する増幅量又は減衰量に従って、アンプnBには0.375×g(倍)、アンプ(n+1)Aには0.625×g(倍)を設定する。その結果、図6に示すように、光電変換素子出力画像は、原稿の画像とほぼ一致しており、後段にて画像処理による位置ずれ補正を実施する必要がない。即ち、実施の形態にかかる光電変換素子22によれば、光電変換素子内においてアナログ信号処理により光学系収差を補正するので、メモリ等の記憶手段を用いることなく、より低コストな構成で光学系収差の影響を補正することができる。
図7は、比較例の光電変換素子を用いた場合における、画素信号の流れを示す図である。比較例の光電変換素子を用いた場合、光学系の収差の影響による位置ずれにより、原稿画像と光電変換素子出力画像が一致していない。このため、後段にて画像処理による位置ずれ補正が必要となっていた。
20 光源部
21 光源点灯回路
22 光電変換素子
23 光電変換素子駆動回路
24 信号処理回路
25 モータ
26 モータ駆動回路
30 制御部
31 ROM
32 RAM
36 画像処理部
38 CPU
40 PD部
42 アンプ部
44 画素加算部
46 第1CCD部
48 第2CCD部
50 第1アンプ部
52 第2アンプ部
54 画素加算部
Claims (4)
- 光を画素毎の電荷に変換する受光部と、
注目画素及び前記注目画素に隣接する1つ以上の画素位置からそれぞれ取り出した前記電荷に対応する複数の画素信号を、前記注目画素の位置ずれ量に対応して各増幅器に設定される増幅量又は減衰量を用いて、それぞれ個別の増幅器で増幅又は減衰する増幅部と、
前記増幅器が増幅又は減衰させた複数の画素信号を加算し、前記注目画素の位置における画素信号とする画素加算部と、を有し、
前記受光部は、前記増幅部が画素信号を増幅又は減衰させる対象とする画素数よりも多くの数のフォトダイオードを有し、
前記増幅部は、前記フォトダイオードが変換した電荷に対応する複数の画素信号をそれぞれ個別に増幅又は減衰させること、を特徴とする光電変換素子。 - 前記増幅部は、
前記受光部が光を電荷に変換した各画素の位置毎に、複数の画素信号をそれぞれ個別に増幅又は減衰させること
を特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。 - 請求項1または2に記載の光電変換素子により画像を読取る画像読取装置。
- 受光部により光を画素毎の電荷に変換する変換工程と、
増幅部により注目画素及び前記注目画素に隣接する1つ以上の画素位置からそれぞれ取り出した前記電荷に対応する複数の画素信号を、前記注目画素の位置ずれ量に対応して各増幅器に設定される増幅量又は減衰量を用いて、それぞれ個別の増幅器で増幅又は減衰する増幅工程と、
増幅又は減衰させた複数の画素信号を加算し、前記注目画素の位置における画素信号とする画素加算工程と、
を含み、
前記受光部は、前記増幅部が画素信号を増幅又は減衰させる対象とする画素数よりも多くの数のフォトダイオードを有し、
前記増幅工程は、前記フォトダイオードが変換した電荷に対応する複数の画素信号をそれぞれ個別に増幅又は減衰させること、を含む信号処理方法。
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