JP6268169B2 - サンプルの表面を検査する装置および方法 - Google Patents
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Description
一次荷電粒子ビームのアレイを生成するマルチビーム荷電粒子生成器と、
すべての荷電粒子ビームを、共通交差部に方向づける集光レンズと、
一次荷電粒子ビームを、共通交差部から、サンプル表面に向けて方向づけ、すべての一次荷電粒子ビームを、サンプル表面上の個々のスポットのアレイに収束するレンズシステムと、
マルチビーム荷電粒子生成器を使用して、一次荷電粒子ビームのアレイを生成するステップと、
集光レンズを使用して、すべての荷電粒子ビームを、共通交差部に方向づけるステップと、
α=√ESE/ERL
Claims (17)
- サンプルの表面を検査する装置であって、
前記装置は、
一次荷電粒子ビームのアレイを生成するマルチビーム荷電粒子生成器と、
すべての荷電粒子ビームを、共通交差部に方向づける集光レンズと、
前記一次荷電粒子ビームを、前記共通交差部から、前記サンプル表面に向けて方向づけ、すべての一次荷電粒子ビームを、前記サンプル表面上の個々のスポットのアレイに収束するレンズシステムとを備え、
前記装置が、前記共通交差部を含み、光軸に垂直な面に位置づけられる検出面を備える、位置感応二次電子検出器を備え、
前記レンズシステムは、前記検出面において、前記サンプルの個々のスポットからの二次電子のビームを収束することを特徴とする、
装置。 - 前記レンズシステムが、前記二次電子を、前記サンプル表面上の前記個々のスポットから、前記二次電子検出器上の個々のスポットに投射するよう配置される、
請求項1に記載の装置。 - 前記レンズシステムが、前記サンプル表面を、前記二次電子を使用して、前記二次電子検出器上に結像するよう配置される、
請求項2に記載の装置。 - 前記レンズシステムが、前記サンプル表面を、5から400倍の範囲の光学倍率で、前記二次電子検出器上に結像するよう配置される、
請求項3に記載の装置。 - 前記二次電子検出器が、前記一次荷電粒子ビームを通すための穴を備える、
請求項1から4のいずれか一項に記載の装置。 - 前記レンズシステムが、磁気対物レンズを備える、
請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。 - 前記装置が、前記サンプル表面を、前記対物レンズの磁場中に位置づけるよう配置されるサンプルホルダを備える、
請求項6に記載の装置。 - 前記レンズシステムが、単一対物レンズを備える、
請求項1から7のいずれか一項に記載の装置。 - 前記レンズシステムが、小型対物レンズのアレイを有する対物レンズアレイを備え、好ましくは、各一次電子ビームに対して1つのレンズを備える、
請求項1から7のいずれか一項に記載の装置。 - 前記装置が、電磁場生成器を備え、前記二次電子を前記サンプル表面から前記二次電子検出器に向けて加速する静電場をもたらす、
請求項1から9のいずれか一項に記載の装置。 - 請求項6の従属請求項である場合、前記電磁場生成器が、静電場を、前記サンプルと、前記磁気対物レンズの極片との間にもたらすよう配置される、
請求項10に記載の装置。 - 前記サンプル表面の前記スポット間のピッチが、0.3から30マイクロメートルの間である、
請求項1から11のいずれか一項に記載の装置。 - 前記検出器が、CCDカメラ、CMOSカメラ、または二次電子から信号を直接取得する、アバランシェフォトダイオードもしくは光電子増倍管もしくはPN接合半導体検出器のアレイである、
請求項1から12のいずれか一項に記載の装置。 - 前記検出器が、前記共通交差部を備える面か、または面付近に、少なくとも実質的に配置される蛍光板と、前記蛍光板から、CCDカメラ、CMOSカメラ、アバランシェフォトダイオードもしくは光電子増倍管のアレイに光子を運ぶ光学構成とを備える、
請求項1から12のいずれか一項に記載の装置。 - サンプルの表面を検査する方法であって、
前記方法は、
マルチビーム荷電粒子生成器を使用して、一次荷電粒子ビームのアレイを生成するステップと、
集光レンズを使用して、すべての荷電粒子ビームを、共通交差部に方向づけるステップと、
レンズシステムを使用して、前記一次荷電粒子ビームを、前記共通交差部から、前記サンプル表面に向けて方向づけ、すべての一次荷電粒子ビームを、前記サンプル表面上の個々のスポットのアレイに収束するステップと、
前記共通交差部を含み、光軸に垂直な面に位置づけられる検出面を備える、位置感応二次電子検出器を使用して、前記サンプル表面上の前記個々のスポットから生じる二次電子を検出するステップとを備え、
前記レンズシステムは、前記検出面において、前記サンプルの個々のスポットからの二次電子のビームを収束する、
方法。 - 前記サンプル表面が、第1の方向に一定速度で移動し、一方、前記一次荷電粒子ビームが、前記第1の方向に少なくとも実質的に垂直な第2の方向に繰り返し走査される、
請求項15に記載の方法。 - 前記レンズシステムが、前記一次荷電粒子ビームを走査するスキャナを備え、前記方法は、前記スキャナによる前記一次荷電粒子ビームの前記走査の設定に応じて、1つの特定の二次電子ビームを検出するようピクセルを選択するステップを備える、
請求項16に記載の方法。
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