CN104488064A - 用于检查样品的表面的设备及方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于检查样品的表面的设备，其中所述设备包含用于产生一次带电粒子束阵列的至少一个带电粒子源、用于将所有的带电粒子束引导到共同相交区的聚焦透镜、用于将所述一次带电粒子束从所述共同相交区向所述样品表面引导并用于将所有的一次带电粒子束在所述样品表面聚焦成独立的点的阵列的透镜系统、和被至少大致地放置在包含所述共同相交区的平面内或附近的位置灵敏二次电子探测器。

Description

用于检查样品的表面的设备及方法

技术领域

本发明涉及一种用于检查样品的表面的设备及方法。本发明尤其涉及一种使用多个带电粒子束检查样品表面的设备，例如多束扫描电子显微镜。本发明可被应用于任何类别的带电粒子，例如电子、正电子、离子及其他。

背景技术

例如在美国专利7554094中公开了这样的装置。这个美国专利公开了一种电子显微镜，其包含用于产生一次电子束的阵列的带电粒子源。这些一次电子束通过场透镜。在此场透镜的下游，一次电子束路径是会聚束路径，其在物镜上游的中间平面内具有相交区。物镜将一次带电粒子束从共同相交区朝向样品表面引导并将一次带电粒子束在样品表面聚焦成独立的点的阵列。

从样品上的点的阵列的独立的点，二次电子从样品表面发出。为了探测这些二次电子，包含多个二次电子束的二次电子束路径被和一次电子束路径分开。为了把二次电子束路径和一次电子束路径分开，已知的设备在场透镜和相交区之间包含分束器的布置。分束器应用磁场部分来将一次电子束向右偏转β角(沿一次电子束行进方向看)并将二次电子束向右偏转γ角(沿二次电子束行进方向看)。在分束器之后，独立的二次电子束被引导向探测器。

此系统的缺点是如美国7554094中描述的分束器的使用使设备的图像质量下降。换言之，为了大体上地保持图像质量，如美国7554094中描述的设备需要多个额外的光电组件来校正由磁场部分引入的无像差、失真和/或色散。额外的光电组件被布置在一次电子束路径和二次电子束路径中。

本发明的目标是提供用于检查样品表面的多带电粒子束设备，其提供了一种用于探测二次电子的新探测布置。

发明内容

根据第一方面，本发明提供了一种用于检查样品的表面的设备，其中所述设备包含

用于产生一次带电粒子束阵列的多束带电粒子发生器，

用于将所有的带电粒子束引导到共同相交区的聚焦透镜，

用于将所述一次带电粒子束从所述共同相交区向所述样品表面引导并用于将所有的一次带电粒子束在所述样品表面聚焦成独立的点的阵列的透镜系统，和

位置灵敏二次电子探测器，其被至少大致地放置在包含所述共同相交区的平面内或附近。

这样本发明提供了一种简单的探测系统，在其中不使用分束器或维恩(Wien)滤波器来将二次带电粒子束路径和一次带电粒子束路径分开。这样避免了诸如分束器或维恩滤波器的使用所固有的缺点。

本发明利用了二次电子和一次带电粒子之间的能量差，例如在SEM中，一次电子的能量通常是从1keV到30keV，二次电子的能量通常是从0eV到50eV。此能量差的后果是透镜系统对一次带电粒子的表现与对二次电子的不同。一方面，透镜系统被布置用于将所有的一次带电粒子束在样品表面聚焦成独立的点的阵列。另一方面，同一透镜系统用于将二次电子束引导向共同相交区。由于二次电子具有比一次带电粒子的能量少得多的能量，透镜系统不需要将二次电子向后聚焦进入共同相交区，而是优选地被设计以将二次电子散布在完全环绕共同相交区的区域上。这样，在包含所述的共同相交区的平面内或附近，大多数二次电子束在空间上被和一次带电粒子束分开，一次带电粒子束都被集中在共同相交区内。通过至少大致地在包含所述的共同相交区的平面内或附近、优选地邻近和/或环绕共同相交区放置位置灵敏二次电子探测器，大多数二次电子束能被探测而对一次带电粒子束没有任何影响。

在一个实施例中，透镜系统被布置用于将来自样品表面的独立的点的二次电子投射到二次电子探测器上的独立的点。在一个实施例中，透镜系统被布置用于使用二次电子将样品表面成像在二次电子探测器上。由于二次电子仅产生于样品表面上被一次电子轰击的的点，图像是点的阵列。在这些实施例中，当位置灵敏二次电子探测器的空间分辨率被选择为足够地大时，位置灵敏二次电子探测器能够获得从样品表面的独立的一次带电粒子点中的大部分而来的独立的二次电子信号。只有被投射在或被向后成像在共同相交区的位置的二次电子不能被探测到。对于样品表面上的每一个点，可以同时且分别地探测产生于所有其他的点的二次电子。相应地，高分辨扫描带电粒子显微镜图像能被制作为n倍于单束扫描带电粒子显微镜的速度，其中n大致等于探测器同时且分别地探测的二次束的数目。例如，n能有200这么大，或更大。

在一个实施例中，透镜系统被布置用于以从5到400倍的范围内的光学放大倍率将样品表面成像在二次电子探测器上。放大倍率增加了二次电子探测器上二次电子束的独立的点间的间距，这使得分辨二次电子探测器上的图像中的独立的二次电子点更容易。

在一个实施例中，所述二次电子探测器包含用于使所述一次带电粒子束通过其中的孔。优选地，一次带电粒子束路径包含光轴，二次电子探测器被布置以使光轴通过该孔，优选地以使光轴被大致地布置在该孔的中心轴处。优选地，二次电子探测器被布置以使共同相交区在该孔内或附近。

在一个实施例中，透镜系统包含磁光学透镜。在一个实施例中，设备包含样品支撑件，样品支撑件被布置用于放置将被浸没在所述物镜的磁场中的所述样品表面。对于一次电子，这样的布置给出了低色差，这在显微镜里是有利的。在此，浸没布置是更有利的，因为样品和非浸没透镜之间必然有空间以加速向上的电子，这将进一步地增加非浸没透镜的色差。在浸没透镜中，加速是在透镜中的，这减小了色差。另外，从浸没场引出二次电子给出了将二次电子在二次电子探测器上的投射的放大倍率设定为需要值的额外的可能。

在一个实施例中，透镜系统包括单个物镜，优选地单个物镜用于所有的一次电子束。可替换地，透镜系统包含物镜阵列，物镜阵列具有小物镜的阵列，优选地每个一次电子束一个透镜。

在一个实施例中，设备包含用于提供静电场的场发生器，静电场将来自样品表面的二次电子朝向二次电子探测器加速。静电场被布置以将来自于样品的二次电子朝二次电子探测器引导并使二次电子束的孔径角(opening angle)变窄。另外，静电场被用来平衡一次带电粒子束和二次电子束的聚焦中的聚焦需求。静电场被布置以将一次带电粒子束以好的分辨率聚焦并将二次电子束以足够的放大倍率聚焦在特定的探测平面。

在一个实施例中，其中透镜系统包含磁物镜，场发生器被布置用于在样品和磁物镜的极靴(pole piece)之间提供静电场。在一个实施例中，场发生器包含静电透镜，其也被称为减速透镜(retarding lens)，其被布置在磁物镜之下以形成静电-磁物镜。

在一个实施例中，样品表面上的点间的间距在0.3到30微米之间。优选地间距小于1微米。

在一个实施例中，探测器是CCD相机、CMOS相机、雪崩光电二极管或光电倍增管或直接从二次电子得到信号的PN结半导体探测器的阵列。

在一个实施例中探测器包含荧光屏和光学装置，荧光屏被至少大致地布置在包含所述共同相交区的平面内或附近，光学装置用于将光子从荧光屏传递到CCD相机、CMOS相机、雪崩光电二极管阵列或光电倍增管阵列。在这个实施例中，CCD相机、CMOS相机、雪崩光电二极管阵列或光电倍增管阵列被布置在与带电粒子束相隔一段距离处。

根据又一个方面，本发明提供了用于检查样品的表面的方法，包含步骤：

使用多束带电粒子发生器产生一次带电粒子束阵列；

使用聚焦透镜将所有的带电粒子束引导到共同相交区；

使用透镜系统将所述一次带电粒子束从所述共同相交区朝向所述样品表面引导并将所有的一次带电粒子束在所述样品表面聚焦成独立的点的阵列；和

使用位置灵敏二次电子探测器探测产生于所述样品表面上的所述独立的点的二次电子，所述探测器被至少大致地放置在包含所述共同相交区的平面内或附近。

在此方法的一个实施例中，当一次带电粒子束在第二方向上被反复地扫描时，样品表面被以恒速在第一方向上移动，第二方向至少大致地垂直于第一方向。这提供了用扫描带电粒子束显微镜研究样品的新方法：离线显微术，其中整个样品表面，例如超过1平方毫米的面积，被以纳米的分辨率扫描及成像，在之后对专家，例如生物学家，整个样品表面是可用于在电脑上而不是在显微镜之后研究和/或检查的。

在此方法的一个实施例中，位置灵敏二次电子探测器包含被布置以探测一个特定的二次电子束并至少部分地将相邻的二次电子束分开的像素。优选地，在二次电子探测器的表面上二次电子束至少大致完全地被在空间上分开，并且像素的大小小于二次电子束在二次电子探测器的表面上的点。当二次电子束的点部分相叠时，能够通过分析两个二次电子束点的强度分布并获取这些点的中心及有效直径，将一个特定的二次电子束与和它相邻的二次电子束区分开。独立的二次电子束的强度能够从这种分析确定。

在此方法的一个实施例中，透镜系统包含用于扫描一次带电粒子束的扫描器，其中所述方法包含依靠一次带电粒子束被扫描器扫描的设定选择用于探测一个特定的二次电子束的步骤。这提供了一种撤销因一次带电粒子束在样品表面的扫描而产生的二次电子束在探测器表面的运动的方法，这可以通过提供合适的软件控制二次电子探测器来被提供。

本说明书中描述的及显示的各方面及特征能被独立地应用于任何所需之处。这些独立的方面，尤其是所附的从属权利要求中描述的方面和特征，可被作为专利分案申请的主题。

附图说明

根据附图所示的示范的实施例阐述本发明，附图中：

图1显示了本发明的多束扫描电子显微镜(MBSEM)的示例，

图2显示了图1的MBSEM中的一次电子束路径的包络图，

图3显示了图1的MBSEM中的一次电子束阵列的一个一次电子束的束路径，

图4显示了图1的MBSEM中从共同相交区到样品部分中的一次电子束，

图5显示了图1的MBSEM中的二次电子束路径的包络图，

图6显示了图1的MBSEM中二次电子束的一个束路径，

图7显示了MBSEM的一部分，其包含不同的探测器设置，以及

图8显示了MBSEM的一部分，其包含小物镜的阵列。

具体实施方式

图1显示了本发明的多束扫描电子显微镜(MBSEM)的示例。

MBSEM 1包含用于产生一次带电粒子束3的阵列的多束带电粒子发生器2，本例中为一次电子束3的阵列。多束电子发生器2包含用于产生发散电子束5的至少一个电子源4。发散电子束5被光阑透镜阵列6分成聚焦的一次电子束3的阵列。如箭头P所图示地指示的，一次电子束3被大致地引导向样品15。

源4的多个像被定位在加速透镜7的物方主平面上。加速透镜7将一次电子束3向光轴8引导并生成所有的一次电子束3的第一共同相交区9。

第一共同相交区9被磁聚焦透镜10成像在作为限流光阑的可变光阑11上。所有的一次电子束3的第二共同相交区被生成在可变光阑11上。

MBSEM包含用于将一次带电粒子束从可变光阑11处的共同相交区引导向样品表面15并用于将所有的一次带电粒子束3在样品表面15聚焦成独立的点的阵列的透镜系统13、14。透镜系统包含用于将可变光阑11成像在物镜14的无慧差(coma free)平面上的中间磁透镜13，该物镜14在样品表面15上生成聚焦的一次电子束的阵列。

另外，MBSEM具有用于使聚焦的一次电子束阵列在样品表面15上扫描的扫描线圈16。

MBSEM还具有位置灵敏二次电子探测器12，其被至少大致地放置在包含一个共同相交区的平面内或附近，在本例中，其正好在可变光阑11之下。可替换地，位置灵敏二次电子探测器12能被布置为替换可变光阑11，如图2到8所示的示例，其大致在可变光阑11的位置上。此二次电子探测器12被布置以获取样品表面15上的每一单个的二次电子束点的独立的二次电子图像。这意味着，当样品表面15在该MBSEM 1中被扫描时，在一个单独的扫描周期内能同时获取多个图像。

二次电子探测系统收集大部分的二次电子是优选的，这些二次电子在大的能量范围和大的孔径角上被发射。另外，此二次电子探测系统还应该对大的落地能量范围的一次电子有效。

二次电子束被以足够大的放大倍率聚焦在探测平面内也是优选的，例如在从5到400倍的范围内的放大倍率。该聚焦使二次电子束在二次电子探测器上具有小的光斑大小，足够大的放大倍率使探测平面内的相邻的二次电子束之间具有大的间距。为了分开不同的二次电子束的图像，相邻的二次电子束的间距优选地大于探测平面内的每个二次电子束的光斑大小。

为了取得这一目标，本发明使用了透镜内二次电子探测，下面将更详细地对它进行解释。

优选地，MBSEM包含用于提供静电场的场发生器，如箭头S所图示地指示的，该静电场将来自于样品表面的二次电子朝向二次电子探测器12加速。例如场发生器被布置用于在样品表面15和磁物镜14的极靴17之间提供静电场，如图7中所图示地显示的。例如该发生器是电压源18，其给样品表面15提供一个相对于极靴17的负电位。

场发生器18的设置提供了如静电透镜(减速透镜)般运作的静电场，其被布置在磁物镜14和样品表面15之间。该静电透镜和磁物镜14一起形成静电-磁物镜。该静电-磁物镜加速二次电子并使其孔径角变窄。

二次电子的能量相当小，例如在从0到50eV的范围内，呈余弦角分布。因此静电加速场将二次电子以向上的方向以快的速度引导，如箭头S所指示的。

通过该静电透镜后，二次电子相对于光轴的孔径角α接近于：

$\mathrm{\α}=\sqrt{E_{\mathrm{SE}}}/E_{\mathrm{RL}}$

其中，E_SE是二次电子的初始能量。E_RL是减速透镜給予二次电子的能量。众所周知，在带电粒子光学中，需要近轴条件取得好的分辨率和其他光学性能。因此为了减小由聚焦透镜引入的束散布，当二次电子通过时最好限制孔径角α。

既然在二次电子的能量和一次电子的能量之间存在巨大的能量差，该能量差通常从1KeV到30KeV，透镜系统13、14对一次电子和二次电子的聚焦条件完全不同。并且为了简化探测系统，避免使用现有技术中使用的维恩滤波器或其他分束器，在一次电子和二次电子的聚焦系统中共用同一透镜系统13、14。

另外，引入了静电透镜来平衡一次和二次电子束的聚焦中的聚焦需求。静电透镜被布置来以好的分辨率聚焦一次电子，还以足够的放大倍率把二次电子聚焦在一个特定的探测平面。

收集二次电子的最实用的平面是可变光阑11平面，因为它具有最小的一次电子光斑大小，并且为了实用的理由，在那个位置插入位置灵敏二次电子探测器是容易的。

相应地，本示例的设备包含被至少大致地放置在包含所述第二共同相交区的平面11内或附近的位置灵敏二次电子探测器。

根据原理分析，此MBSEM 1能被分成四个子系统，包括单个源系统、多个源系统，两者都用于一次电子聚焦系统和二次电子探测系统。在一定的工作距离和一定的着陆能量下，聚焦透镜使这4个子系统有效地工作。

如图2中所示的第一子系统被布置以在某些平面内形成多个束3的相交区9、11以减小整个系统的轴外像差。加速透镜7和聚焦透镜10将多个束聚焦在可变光阑平面11内。加速透镜7是可调的以对不同的应用获得不同的分辨率和间距。中间透镜13将多个束3聚焦以在物镜14的无慧差平面附近具有共同相交区来得到小的像差。

如图3中所示的第二子系统被布置以将每一单个一次电子束3′以好的分辨率聚焦。光阑透镜阵列6是两个机械的电极和光阑阵列的组合，例如其为直径18微米、间距25微米的、在硅薄膜内微加工的。其被设计以对场曲校正、具有低球面像差以及消除色偏差误差。此透镜阵列6在加速透镜平面7内生成聚焦的一次电子束阵列，该阵列具有例如95nm的几何光斑大小和例如70微米的间距。在样品上此光斑大小和间距的比率保持相同。物镜14对样品表面15上的一次电子束的最终光斑大小和像差提供了主要的聚焦贡献。

如图5中所示的第三子系统被布置以通过分析二次电子探测系统的轮廓来获得二次电子束20的大的放大倍率。中间透镜13、和物镜及减速透镜14′一起将二次电子束20以足够大的线性放大倍率投射到二次电子探测器12的探测平面内。由于在带电粒子光学中，聚焦条件是与透镜强度和电子能量相关的，一个给定的一次束能量确定中间透镜13的强度。因此为了获得需要的放大倍率或合适的放大倍率范围，二次电子束20的能量或静电透镜的电势差被限制。合适的电势差应该被优化。选择了好的电势差和透镜13、14的合适的设置之后，相邻的二次电子束能具有足够大的间距以被位置灵敏二次电子探测器12独立地探测，探测器12被大致地放置在包含如图4所示的一次电子束3的所述共同相交区的平面内。

如图6中所示的第四子系统提供了单个二次电子束21、22的聚焦环境。在透镜系统13、14的作用下，每一单个二次电子束21、22被很好地聚焦以在探测平面12内获得足够小的光斑大小。

在一个一次电子束在样品表面15上的着陆能量，二次电子的最后聚焦平面、工作距离和减速透镜的电势差是可调的。与一次电子的聚焦不同，对于一次电子的每一个着陆能量，二次电子的最后聚焦平面不必须严格地固定在同一位置。二次电子的最后聚焦平面只需要接近探测平面12，只要它不引起大的二次电子束散布。

另外，一次束的间距也是可调的。通过使用会聚透镜10来改变一次电子束3的共同相交区，一次电子束3的整体放大倍率和间距能够被改变。

如图4中图示地显示的，样品15被布置平台30之上，平台30用于相对于一次电子束3的阵列移动样品表面15。通过控制器40控制平台30的移动。控制器40还控制扫描线圈16并且，在本例中，还收集由CCD探测器12获取的图像数据。

当检查样品15的表面时，MBSEM使用多束带电粒子发生器产生一次电子束3的阵列，其中使用聚焦透镜将所有的一次电子束3引导到共同相交区，其中使用透镜系统13、14将一次电子束3从共同相交区向样品表面15引导并将所有的一次电子束3在样品表面15聚焦成独立的点的阵列，以及其中使用被至少大致地放置在包含所述的共同相交区的平面内或附近的位置灵敏二次电子探测器探测产生于样品表面15上的独立的点的二次电子。

为了获得大表面的图像，在一个示例性的实施例中，通过平台30沿第一方向移动样品15，优选地以恒速，同时通过扫描线圈16沿第二方向反复地扫描一次电子束3，该第二方向至少大致地垂直于第一方向。

当在样品表面15上扫描一次电子束3时，二次电子束20、21、21会在二次电子探测器12的探测表面上移动。例如通过选择像素补偿这一移动，该像素用于探测一个依赖于扫描线圈16对一次电子束3的偏转设定的特定的二次电子束。

在图7中，显示了替代的探测器设置。此替代的探测器设置的探测器包含荧光屏121和光学装置122、123而不使用如前面的示例中所描述的探测器12，如前面的示例中所描述的探测器12在被二次电子20、21、22直接轰击时给出信号，如CCD，探测器12能被布置在共同相交区处，此探测器包含中心轴，此中心轴被至少大致地布置在一次带电粒子束3路径的光轴处；荧光屏121被至少大致地布置在包含所述的共同相交区的平面内或附近，光学装置122、123用于将光子从荧光屏121传递到CCD相机、CMOS相机、雪崩光电二极管阵列或光电倍增管阵列124。在这个实施例中，光学装置包含反射镜122和光学透镜123，反射镜122具有允许一次电子束3通过其中的通过口，光学透镜123用于将来自于荧光屏12的电子投射到CCD相机124上。这种荧光屏12的示例是YAG晶体的薄圆盘，其具有用于一次电子通过其中的通过口。

在图8中，显示了单个物镜14的替代。在替代的设置中，透镜系统13′、14′包含物镜阵列14′，物镜阵列14′具有小物镜的阵列，优选地每个一次电子束31一个透镜。如图示地显示的，一次电子束31通过位置灵敏二次电子探测器12中的孔，并且在本示例中被准直透镜13′大致地校准。随后每个一次电子束31在物镜阵列14′中被引导向它自己的透镜，该透镜将所述的一次电子束31聚焦在样品表面15上。二次电子束32被物镜阵列14′的透镜收集并被投射在二次电子探测器12的探测表面上。

需要理解的是，以上描述被包括以阐述优选的实施例的实施，并不意味着限制本发明的范围。根据以上的讨论，很多变化对于本领域的技术人员是显然的，其将被本发明的实质和范围包含。

Claims (17)

1.一种用于检查样品的表面的设备，其中所述设备包含

用于产生一次带电粒子束阵列的多束带电粒子发生器，

用于将所有的带电粒子束引导到共同相交区的聚焦透镜，

用于将所述一次带电粒子束从所述共同相交区向所述样品表面引导并用于将所有的一次带电粒子束在所述样品表面聚焦成独立的点的阵列的透镜系统，

其特征在于，所述设备包含位置灵敏二次电子探测器，所述探测器被至少大致地放置在包含所述共同相交区的平面内或附近。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述透镜系统被布置用于将来自所述样品表面的所述独立的点的二次电子投射到所述二次电子探测器上的独立的点。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述透镜系统被布置用于使用所述二次电子将所述样品表面成像在所述二次电子探测器上。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述透镜系统被布置用于以从5到400倍的范围内的光学放大倍率将所述样品表面成像在所述二次电子探测器上。

5.如前面任何一个权利要求所述的设备，其中所述二次电子探测器包含用于使所述一次带电粒子束通过其中的孔。

6.如前面任何一个权利要求所述的设备，其中所述透镜系统包含磁物镜。

7.如权利要求6所述的设备，其中所述设备包含样品支撑件，所述样品支撑件被布置用于放置将被浸没在所述物镜的磁场中的所述样品表面。

8.如前面任何一个权利要求所述的设备，其中所述透镜系统包括单个物镜。

9.如权利要求1到7中任何一个权利要求所述的设备，其中所述透镜系统包含物镜阵列，所述物镜阵列具有小物镜的阵列，优选地每个一次电子束一个透镜。

10.如前面任何一个权利要求所述的设备，其中所述设备包含用于提供静电场的场发生器，所述静电场将来自所述样品表面的二次电子朝向所述二次电子探测器加速。

11.如权利要求10所述的设备，当从属于权利要求6时，其中所述场发生器被布置用于在所述样品和所述磁物镜的极靴之间提供静电场。

12.如前面任何一个权利要求所述的设备，其中所述样品表面上的所述点间的间距在0.3到30微米之间。

13.如前面任何一个权利要求所述的设备，其中所述探测器是CCD相机、CMOS相机、雪崩光电二极管阵列、光电倍增管阵列或直接从二次电子得到信号的PN结半导体探测器阵列。

14.如前面权利要求1到12中任何一个权利要求所述的设备，其中所述探测器包含荧光屏和光学装置，所述荧光屏被至少大致地布置在包含所述共同相交区的平面内或附近，所述光学装置用于将光子从所述荧光屏传递到CCD相机、CMOS相机、雪崩光电二极管阵列或光电倍增管。

15.一种用于检查样品的表面的方法，包含步骤：

使用多束带电粒子发生器产生一次带电粒子束阵列；

使用聚焦透镜将所有的带电粒子束引导到共同相交区；

使用透镜系统将所述一次带电粒子束从所述共同相交区朝向所述样品表面引导并将所有的一次带电粒子束在所述样品表面聚焦成独立的点的阵列；和

使用位置灵敏二次电子探测器探测产生于所述样品表面上的所述独立的点的二次电子，所述探测器被至少大致地放置在包含所述共同相交区的平面内或附近。

16.如权利要求15所述的方法，在其中当所述一次带电粒子束在第二方向上被反复地扫描时，所述样品表面被以恒速在第一方向上移动，所述第二方向至少大致地垂直于所述第一方向。

17.如权利要求16所述的方法，在其中所述透镜系统包含用于扫描所述一次带电粒子束的扫描器，其中所述方法包含依靠所述一次带电粒子束被所述扫描器扫描的设定选择用于探测一个特定的二次电子束的步骤。