JP6267602B2 - レジストパターン形成方法及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ドライフィルムレジストを用いたレジストパターン形成方法、及び、このレジストパターン形成方法を用いた配線基板の製造方法に関する。

従来から、プリント配線基板などの製造に、ドライフィルムレジストが用いられている。このドライフィルムレジストは、支持体層とフォトレジスト層とが積層された構造をなし、通常、ドライフィルムレジストを使用する前までは、支持体層とは反対側のフォトレジスト層の表面に保護層がさらに積層されている。

ドライフィルムレジストを用いたレジストパターンの形成は、通常、以下のような方法で行われる。

まず、ドライフィルムレジストから保護層を剥がし、基板（例えば、表面に導電体層が形成された基板）上に、フォトレジスト層を基板表面に密着させて、ドライフィルムレジストを貼り付ける。次に、支持体層に密着させてフォトマスクを配置し、フォトマスクを用いて、フォトレジスト層を露光する。次に、フォトマスクと支持体層とを取り除き、フォトレジスト層を現像する。このとき、フォトレジスト層がネガ型の場合、フォトレジスト層の未露光部分が除去されて、フォトレジスト層がパターニングされる。

さらに、パターニングされたフォトレジスト層（レジストパターン）を用いて、基板表面に形成された導電体層をエッチングすることによって、配線パターンが形成された配線基板が製造される。

ドライフィルムレジストを用いたレジストパターンの形成では、支持体層を通してフォトレジスト層が露光される。そのため、フォトレジスト層を支持する支持体層には、透過性に優れたポリエステルフィルムが主に使用されている。

一方、ドライフィルムレジストを製造する際の取り扱い性や、ドライフィルムレジスト自体の取り扱い性を良好なものにするために、支持体層のポリエステルフィルムは、適度な滑り性と巻取り性とを有していることが要求される。そこで、従来、ポリエステルフィルムの滑り性や巻取り性を維持するために、ポリエステルフィルム中に、微細粒子（滑剤粒子）を含有させて、表面に微細な突起を形成する方法が採用されている（例えば、特許文献１等）。

特開平７−３３３８５３号公報

電子機器に対する小型化等の要求に応じて、プリント配線基板に対しても、配線パターンの狭ピッチ化の要求が高まっている。

しかしながら、ドライフィルムレジストを用いて、配線パターンの狭ピッチ化に対応して、微細なレジストパターンを形成するのは、限界に近づいている。例えば、幅／間隔が５μｍ／５μｍの微細なレジストパターンを形成した場合、レジストパターンの幅方向全体に亘るパターン不良が発生するおそれがある。このようなパターン不良は、配線パターンの断線やショートを招き、プリント配線基板の信頼性を著しく低下させてしまう。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その主な目的は、ドライフィルムレジストの支持体層中に含有する滑剤粒子に起因するパターン不良の発生を抑制したレジストパターン形成方法を提供することにある。

本発明に係るレジストパターン形成方法は、支持体層及びフォトレジスト層が積層されたドライフィルムレジストを用意する工程（ａ）と、基板上にフォトレジスト層を基板表面に密着させて、ドライフィルムレジストを貼り付ける工程（ｂ）と、支持体層を除去して、フォトレジスト層を露出させる工程（ｃ）と、フォトレジスト層上に、透明膜を塗布する工程（ｄ）と、透明膜側にフォトマスクを配置し、フォトマスクを用いてフォトレジスト層を露光・現像して、フォトレジスト層をパターニングする工程（ｅ）とを含む。

上記レジストパターン形成方法において、支持体層は、平均粒径が５μｍ以下の滑剤粒子を含有しており、支持体層の少なくともフォトレジスト層側の表面には、滑剤粒子による複数の突起部が形成されており、工程（ｃ）において、露出したフォトレジスト層の表面には、突起部が転写された複数の凹部が形成されており、工程（ｄ）において、フォトレジスト層の表面に形成された凹部は、透明膜で埋められており、かつ、透明膜の表面は平坦化されている。

本発明に係る配線基板の製造方法は、支持体層及びフォトレジスト層が積層されたドライフィルムレジストを用意する工程（ａ）と、表面に導電体層が形成された基板を用意する工程（ｂ）と、導電体層上に、フォトレジスト層を導電体層に密着させて、ドライフィルムレジストを貼り付ける工程（ｃ）と、支持体層を除去して、フォトレジスト層を露出させる工程（ｄ）と、フォトレジスト層上に、透明膜を塗布する工程（ｅ）と、透明膜側にフォトマスクを配置し、フォトマスクを用いて、フォトレジスト層を露光・現像して、フォトレジスト層をパターニングする工程（ｆ）と、透明膜を除去する工程（ｇ）と、パターニングされたフォトレジスト層を用いて、導電体層をエッチングして、該導電体層をパターニングする工程（ｈ）とを含む。

上記配線基板の製造方法において、支持体層は、平均粒径が５μｍ以下の滑剤粒子を含有しており、支持体層の少なくともフォトレジスト層側の表面には、滑剤粒子による複数の突起部が形成されており、工程（ｄ）において、露出したフォトレジスト層の表面には、突起部が転写した複数の凹部が形成されており、工程（ｅ）において、フォトレジスト層の表面に形成された凹部は、透明膜で埋められており、かつ、透明膜の表面は平坦化されている。

本発明に係る他の配線基板の製造方法は、支持体層及びフォトレジスト層が積層されたドライフィルムレジストを用意する工程（ａ）と、 表面にシード層が形成された基板を用意する工程（ｂ）と、 シード層上にフォトレジスト層をシード層に密着させて、ドライフィルムレジストを貼り付ける工程（ｃ）と、 支持体層を除去して、フォトレジスト層を露出させる工程（ｄ）と、フォトレジスト層上に透明膜を塗布する工程（ｅ）と、 透明膜側にフォトマスクを配置し、フォトマスクを用いてフォトレジスト層を露光・現像して、フォトレジスト層をパターニングする工程（ｆ）と、透明膜を除去する工程（ｇ）と、パターニングされたフォトレジスト層を用いて、露出したシード層上にめっき層を選択的に形成する工程と（ｈ）と、フォトレジスト層を除去して、選択的に形成されためっき層を用いて、シード層をエッチングする工程（ｉ）とを含む。

上記配線基板の製造方法において、支持体層は、平均粒径が５μｍ以下の滑剤粒子を含有しており、支持体層の少なくともフォトレジスト層側の表面には、滑剤粒子による複数の突起部が形成されており、工程（ｄ）において、露出したフォトレジスト層の表面には、突起部が転写した凹部が形成されており、工程（ｅ）において、フォトレジスト層の表面に形成された凹部は、透明膜で埋められており、かつ、透明膜の表面は平坦化されている。

本発明によれば、ドライフィルムレジストの支持体層中に含有する滑剤粒子に起因するパターン不良の発生を抑制したレジストパターン形成方法を提供することができる。

（ａ）〜（ｃ）は、従来の方法で形成したレジストパターンのパターン不良を示した走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。 （ａ）は、従来のドライフィルムレジストの構成を示した図で、（ｂ）は、ポリエステルフィルムの表面のＳＥＭ写真、（ｃ）は、フォトレジスト層の表面のＳＥＭ写真である。 （ａ）〜（ｃ）は、従来のドライフィルムレジストを用いてレジストパターンを形成する工程を示した断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、従来のドライフィルムレジストを用いてレジストパターンを形成する工程を示した断面図である。 本発明の一実施形態におけるレジストパターン形成方法を示した工程図である。 本発明の方法で形成したレジストパターンの不良数と、従来の方法で形成したレジストパターンの不良数とを比較したグラフである。 本発明の方法で形成した配線パターンのオープン率と、従来の方法で形成した配線パターンのショート率とを比較したグラフである。 （ａ）〜（ｇ）は、本発明の一実施形態における配線基板の製造方法を示した工程図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明の他の実施形態における配線基板の製造方法を示した工程図である。

本発明を説明する前に、本発明を想到するに至った経緯を説明する。

従来、フォトレジスト層の露光は、フォトマスクを支持体層に密着させて行うコンタクト露光を用いていた。しかしながら、コンタクト露光では、支持体層の厚みによって解像度が低下するため、微細なレジストパターンを形成することが難しい。

そこで、本願発明者は、フォトレジスト層の露光に、投影レンズを介してフォトマスク像をフォトレジスト層に結像させる投影露光を用いて、微細なレジストパターンの形成を検討した。検討は、以下のような方法で行った。

１６μｍの厚みのポリエチレンフィルム（支持体層）と、１５μｍの厚みのネガ型フォトレジスト層とを積層したドライフィルムレジストを用意し、基板上に、フォトレジスト層を基板表面に密着させて、ドライフィルムレジストを貼り付けた。次に、ポリエチレンフィルムから離してフォトマスクを配置し、投影レンズを介して、フォトレジスト層を投影露光した。次に、フォトマスクとポリエチレンフィルムとを取り除き、フォトレジスト層を現像して、幅／間隔が５μｍ／５μｍのレジストパターンを形成した。

このようにして形成したレジストパターンを詳細に観察したところ、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すようなパターン不良が見られた。ここで、図１（ａ）、（ｂ）は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真で、図１（ｃ）は、図１（ｂ）をさらに拡大した写真である。

図１（ａ）に示したパターン不良Ａは、レジストパターン１１ａの膜厚方向に貫通していた。また、図１（ｂ）に示すように、レジストパターン１１ａの幅方向に切断されたパターン不良Ｂも見られた。そして、このようなパターン不良Ａ、Ｂは、レジストパターン全域に亘って、ほぼ均一に分散しており、その大きさも、ある程度揃っていた。

このようなパターン不良Ａ、Ｂは、その特異な形状から、フォトレジスト層に入射した光が、何らかの要因により遮蔽され、これにより、フォトレジスト層の未反応部分が、フォトレジスト層の膜厚方向全体に拡がったことにより発生したものと考えられる。そこで、フォトレジスト層に入射した光を遮蔽した要因をさらに検討した。

上述したように、フォトレジスト層を支持するポリエステルフィルム（支持体層）は、ポリエステルフィルムの滑り性を維持するために、ポリエステルフィルム中に、滑剤粒子が含有されている。

しかしながら、ポリエステルフィルム中に滑剤粒子を含有させると、ポリエステルフィルムの透過性が低下する。そのため、ポリエステルフィルムの透過性の低下を抑制するために、例えば、平均粒径が３〜５μｍ以下で、ある程度大きさの揃った滑剤粒子を、ポリエステルフィルム中に分散させて含有している。

本願発明者は、今回観察されたパターン不良Ａ、Ｂの形状的な特徴が、ポリエステルフィルム中に含有する滑剤粒子の分散特性と、関連性が高いことに気がついた。そして、フォトレジスト層に入射した光を遮蔽した要因が、ポリエステルフィルム中に含有する滑剤粒子であると考えた。そこで、ポリエステルフィルム中に含有する滑剤粒子に起因するパターン不良の発生をさらに検討した。

図２（ａ）は、今回、使用したドライフィルムレジスト１０において、ポリエステルフィルム（支持体層）１２を、フォトレジスト層１１から引き離した状態を示した断面図である。ここで、ポリエステルフィルム１２中には、滑剤粒子２０が分散されて含有している。なお、図２（ａ）に示した滑剤粒子２０の粒径は、実際の大きさを示したものではない。

図２（ｂ）は、フォトレジスト層１１に接していた側のポリエステルフィルム１２の表面１２ＡのＳＥＭ写真である。図２（ｂ）に示すように、ポリエステルフィルム１２の表面１２Ａには、滑剤粒子２０による複数の突起部２０ａが形成されていた。このような突起部２０ａは、ポリエステルフィルム１２の表面１２Ａ全体に亘って、分散して形成されていた。また、その大きさも、ほぼ揃っていた。

図２（ｃ）は、ポリエステルフィルム１２に接していた側のフォトレジスト層１１の表面１１ＡのＳＥＭ写真である。図２（ｃ）に示すように、フォトレジスト層１１の表面１１Ａには、複数の凹部２１が形成されていた。この凹部２１が形成されていた密度、及び大きさは、ポリエステルフィルム１２の表面１２Ａに形成されていた突起部２０ａの密度、及び大きさとほぼ一致していた。このことから、フォトレジスト層１１の表面１１Ａに形成されていた凹部２１は、ポリエステルフィルム１２の表面１２Ａに形成されていた突起部２０ａが転写して形成されたものと考えられる。

図３（ａ）〜（ｃ）は、基板１にドライフィルムレジスト１０を貼り付け、フォトマスク１４を用いて、フォトレジスト層１１を露光・現像してレジストパターンを形成した工程を模式的に示した断面図である。

図３（ａ）に示すように、ポリエステルフィルム１２から離してフォトマスク１４を配置し、フォトレジスト層１１を投影露光した。

上述したように、ポリエステルフィルム１２とフォトレジスト層１１との界面には、ポリエステルフィルム１２の表面に形成された突起部２０ａが、フォトレジスト層１１の表面に埋設している。そのため、フォトマスク１４の透明部分１４ａを透過した光は、フォトレジスト層１１の表面に埋設している突起部２０ａで、異常屈折される。

図３（ｂ）は、露光後のフォトレジスト層１１中における未反応部分２２を示した図である。異常屈折の要因である突起部２０ａが、フォトレジスト層１１の表面にあるため、未反応部分２２は、フォトレジスト層１１の膜厚方向全体に及んでいる。

図３（ｃ）は、ポリエステルフィルム１２を取り除いた後、フォトレジスト層１１を現像して形成したレジストパターン１１ａの断面図である。レジストパターン１１ａには、フォトレジスト層１１の膜厚方向に貫通するパターン不良Ａが発生している。このパターン不良Ａは、図１（ａ）に示したパターン不良Ａと、形状がほぼ一致している。

また、レジストパターン１１ａの幅が狭くなると、異常屈折による未反応部分２２は、レジストパターン１１の幅方向全体にも及ぶおそれがある。この場合、図１（ｂ）に示したように、レジストパターン１１ａを幅方向に切断するパターン不良Ｂが発生するおそれがある。

上述したように、フォトレジスト層１１を露光した際、フォトレジスト層１１の表面に埋設している突起部２０ａで異常屈折が起こり、これに起因して、フォトレジスト層の膜厚方向全体に拡がるパターン不良が発生したものと考えられる。ならば、異常屈折の要因となる突起部２０ａを取り除くことができれば、パターン不良の発生を抑制できると考え、以下のような検討をさらに行った。

図４（ａ）に示すように、基板１にドライフィルムレジスト１０を貼り付けた後、ポリエステルフィルム１２（不図示）を剥がし、この状態で、フォトマスク１４を用いて、フォトレジスト層１１を露光した。なお、従来のコンタクト露光では、フォトレジスト層１１が粘着性を有しているため、フォトマスク１４をフォトレジスト層１１に密着させて配置することができなかった。しかしながら、投影露光では、フォトマスク１４をフォトレジスト層１１から離して配置されるため、ポリエステルフィルム１２を剥がした後、露光することも可能である。

図４（ａ）に示すように、ポリエステルフィルム１２を剥がした後のフォトレジスト層１１の表面には、ポリエステルフィルム１２の表面に形成された突起部２０ａが転写された凹部２１が形成されている。しかしながら、フォトレジスト層１１と空気とは、屈折率に差があるため、フォトマスク１４の透明部分１４ａを透過した光は、フォトレジスト層１１の表面に形成された凹部２１で、異常屈折する。しかも、通常は、フォトレジスト層１１と空気との屈折率の差は、フォトレジスト層１１と突起部２０ａ（滑剤粒子）との屈折率の差よりも大きい。そのため、凹部２１での異常屈折は、図３（ａ）に示した突起部２０ａでの異常屈折よりも、大きくなる。その結果、図４（ｂ）に示すように、フォトレジスト層１１中の異常屈折による未反応部分２２は、依然発生する。従って、露光前にポリエステルフィルム１２を剥がすことによって、突起部２０ａでの異常屈折による影響は排除できるが、フォトレジスト層１１の表面に形成された凹部２１での異常屈折による影響は依然存在する。

図４（ｃ）は、フォトレジスト層１１を現像して形成したレジストパターン１１ａの断面図である。図４（ｃ）に示すように、レジストパターン１１ａに発生したパターン不良は、図３（ｃ）に示したパターン不良よりも拡大している。

以上の検討から、幅／間隔が５μｍ／５μｍのレジストパターンを形成した際に観察されたパターン不良は、フォトレジスト層１１に入射した光が、フォトレジスト層１１の表面に埋設している突起部２０ａでの異常屈折が原因であることが分かった。

このような特異なパターン不良は、レジストパターンの寸法が、ポリエステルフィルム（支持体層）１２中の滑剤粒子の存在が無視できない程度に微細化されたために、顕在化したものと考えられる。また、微細なレジストパターンを形成するために採用した投影露光は、従来のコンタクト露光に比べて、より平行光になっている。そのため、異常屈折による影響をより受けやすくなり、このような特異なパターン不良が、より顕在化したものと考えられる。

特に、レジストパターンの幅／間隔がより微細になると、異常屈折の影響が、レジストパターンの幅方向全体に及ぶおそれがある。この場合、レジストパターンを幅方向に切断するパターン不良が発生するおそれがある。もし、レジストパターンを用いて、配線パターンを形成した場合、レジストパターンのパターン不良に起因して、ショートまたは断線という重大な問題を引き起こすおそれがある。

本願発明者は、このような知見に基づき、フォトレジスト層１１の表面に存在する突起部２０ａ（あるいは凹部２１）での異常屈折に起因するパターン不良の発生を抑制する方法を検討し、本発明を想到するに至った。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。また、本発明の効果を奏する範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。

図５（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態におけるレジストパターン形成方法を模式的に示した工程図である。

図５（ａ）に示すように、支持体層１２及びフォトレジスト層１１が積層されたドライフィルムレジスト１０を用意した後、基板１上に、フォトレジスト層１１を基板１の表面に密着させて、ドライフィルムレジスト１０を貼り付ける。

ここで、支持体層１２は、フォトレジスト層を塗布、乾燥させて形成する際に必要な耐熱性、耐溶剤性を有するものであれば、特に制限されない。例えば、ポリエチレンテレフタレートを主とするポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等を用いることができる。

本実施形態において、支持体層１２中には、支持体層１２の滑り性を維持するために、滑剤粒子２０が含有されている。そして、図５（ａ）に示すように、支持体層１２の少なくともフォトレジスト層１１側の表面には、滑剤粒子２０による複数の突起部２０ａが形成されている。そして、支持体層１２とフォトレジスト層１１との界面では、支持体層１２の表面に形成された突起部２０ａが、フォトレジスト層１１の表面に埋設している。

ここで、支持体層１２中に含有する滑剤粒子２０は、特に制限されないが、例えば、シリカ、酸化チタン、アルミナ、炭酸カルシウム、硫酸バリウム等の無機粒子、あるいは、架橋高分子（例えば、シリコーン樹脂や架橋ポリスチレンなど）等の有機粒子を用いることができる。

本実施形態において、滑剤粒子２０の平均粒径は、形成するレジストパターンの幅若しくは間隔の最小寸法よりも小さいことが好ましい。例えば、フォトレジスト層１１がネガ型で、レジストパターンの最小幅が１０μｍの場合、滑剤粒子２０の平均粒径は、５μｍ以下が好ましく、１μｍ以上、５μｍ以下であることがより好ましい。平均粒径が５μｍを超えると、滑剤粒子２０の突起部２０ａによる異常屈折の影響が大きくなり、平均粒径が１μｍ未満になると、支持体層１２の滑り性が低下する。また、レジストパターンの最小幅が５μｍの場合、滑剤粒子２０の平均粒径は、３μｍ以下が好ましく、１μｍ以上、３μｍ以下であることがより好ましい。ここで、滑剤粒子２０の平均粒径は、支持体層１２を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、複数個（例えば、３０個）の滑剤粒子２０の粒径をそれぞれ測定し、それらの平均値より求めることができる。

支持体層１２の厚みは、機械的強度などに応じて適宜決めればよく、典型的には、１０〜３０μｍ程度の厚みがあればよい。

本実施形態において、フォトレジスト層１１は特に制限されず、ネガ型でも、ポジ型でもよい。また、フォトレジスト層１１の材料や厚みは、形成するレジストパターンの使用目的に応じて、適宜決めればよい。

ドライフィルムレジスト１０は、支持体層１２と反対側のフォトレジスト層１１の表面に、保護層をさらに積層しておいてもよい。この場合、保護層は、基板１上にドライフィルムレジスト１０を貼り付ける直前に剥がされる。

次に、図５（ｂ）に示すように、支持体層１２を除去して、フォトレジスト層１１を露出させる。このとき、フォトレジスト層１１の表面１１Ａには、突起部２０ａが転写して形成された複数の凹部２１が形成されいる。

次に、図５（ｃ）に示すように、フォトレジスト層１１上に、透明膜１３を塗布する。ここで、フォトレジスト層１１の表面に形成された凹部２１は、透明膜１３に埋められており、かつ、透明膜１３の表面は平坦化されている。

本実施形態において、透明膜１３は、透明性の良い材料であれば、特に制限されないが、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、カルボキシルアルキル澱粉、エチレンオキシド重合体、セルロース、ゼラチン、等を用いることができる。また、後の工程で、透明膜を除去する観点から、水溶性を有する材料であることが好ましい。また、後述する理由により、透明膜１３は、その屈折率が、フォトレジスト層１１の屈折率に近い材料を用いることが好ましい。透明膜１３の厚みは、特に制限されないが、あまり薄いと、表面が平坦化されず、また、あまり厚いと、解像度の低下を招くので好ましくない。透明膜１３は、典型的には、３〜１０μｍ程度の厚みがあればよい。

次に、図５（ｄ）に示すように、透明膜１３側に、透明膜１３から離間してフォトマスク１４を配置し、フォトマスク１４を用いて、フォトレジスト層１１を露光する。ここで、フォトレジスト層１１の露光は、投影露光により行われる。具体的には、透明膜１３とフォトマスク１４との間に投影レンズ（不図示）を配置し、投影レンズを介してフォトマスク像をフォトレジスト層１１に結像させる。

本実施形態において、フォトマスク１４の透明部分１４ａを透過した光は、図５（ｄ）に示すように、フォトレジスト層１１の表面に凹部２１が形成されていても、凹部２１での異常屈折は小さい。これは、凹部２１に埋められた透明膜１３の屈折率と、フォトレジスト層１１の屈折率との差が大きくないことに加えて、透明膜１３の表面１３Ａが平坦化されているためである。従って、フォトレジスト層１１は、露光エリアにおいて、ほぼ均一に光が照射されるため、図３（ｂ）に示したようなフォトレジスト層１１の未反応部分２２は発生しない。

そのため、図５（ｅ）に示すように、フォトレジスト層１１を現像することによって、パターン不良のないレジストパターン１１ａを形成することができる。なお、透明膜１３は、現像前に除去してもよいし、現像中あるいは現像後に除去してもよい。

本実施形態によれば、フォトレジスト層１１の表面に形成された凹部２１を、透明膜１３で埋めるとともに、透明膜１３の表面を平坦化することによって、支持体層１２中の滑剤粒子２０に由来するパターン不良の発生を抑制することができる。特に、本願発明は、パターニングされるフォトレジスト層１１の最小幅（若しくは、最小間隔）の寸法が、１０μｍ以下の場合に有効であり、５μｍ以下の場合、さらに有効である。

また、本実施形態では、支持体層１２を除去した後、フォトレジスト層１１上に透明膜１３を形成するため、露光時に、フォトレジスト層１１は露出していない。従って、フォトレジスト層１１がネガ型であっても、透明膜１３が酸素の透過を防止するため、露光中に、フォトレジスト層１１が酸素と反応して光重合反応が阻害されることはない。

本発明の効果を確認するために、幅／間隔が５μｍ／５μｍで、全長が３０００ｍｍのレジストパターンを形成して、パターン不良の発生率を測定した。

図６は、その結果を示したグラフで、棒グラフＡは、図３（ａ）〜（ｃ）に示した従来の方法でレジストパターンを作成した場合を示し、棒グラフＢは、本実施形態の方法でレジストパターンを作成した場合を示す。なお、パターン欠損が、レジストパターンの幅の半分より大きいものをパターン不良とみなして、その個数（不良数）をカウントした。

図６に示すように、従来の方法でレジストパターンを作成した場合、不良数が３８個であったのに対し、本実施形態の方法でレジストパターンを作成した場合、不良数が１個しかなかった。すなわち、本実施形態の方法でレジストパターンを作成すれば、従来の方法でレジストパターンを作成した場合に比べて、不良数を１／３０以下に低減することができる。

レジストパターンの幅方向全体に亘るパターン不良が発生すると、レジストパターンを用いて、配線パターンを形成した場合、断線やショートを招き、配線基板の信頼性を著しく低下させてしまう。そこで、本発明の効果をさらに確認するために、レジストパターンを用いて、幅／間隔が５μｍ／５μｍで、総配線長が９０ｍｍの配線パターンを後述するセミアディティブ法により形成して、ショート（短絡）の発生率（ショート率）を測定した。

図７は、その結果を示したグラフで、棒グラフＡは、図３（ａ）〜（ｃ）に示した従来の方法でレジストパターンを作成した場合のショート率を示し、棒グラフＢは、本実施形態の方法でレジストパターンを作成した場合のショート率を示す。

図７に示すように、従来の方法でレジストパターンを作成した場合、ショート率が８０％であったのに対し、本実施形態の方法でレジストパターンを作成した場合、ショート率が２０％であった。すなわち、本実施形態の方法でレジストパターンを作成すれば、従来の方法でレジストパターンを作成した場合に比べて、配線パターンのショート率を、１／４以下に低減することができる。

図８（ａ）〜（ｇ）は、本実施形態におけるレジストパターン形成方法を、配線基板の製造方法に適用した応用例を示した工程図である。

図８（ａ）に示すように、表面に導電体層３０が形成された基板１を用意した後、導電体層３０上に、フォトレジスト層１１を導電体層３０に密着させて、ドライフィルムレジスト１０を貼り付ける。ここで、ドライフィルムレジスト１０は、図５（ａ）で示した構成と同じものなので、説明は省略する。

次に、図８（ｂ）に示すように、支持体層１２を除去して、フォトレジスト層１１を露出させる。このとき、フォトレジスト層１１の表面には、支持体層１２の表面に形成された突起部が転写して形成された複数の凹部２１が形成されている。

次に、図８（ｃ）に示すように、フォトレジスト層１１上に、透明膜１３を塗布する。ここで、フォトレジスト層１１の表面に形成された凹部２１は、透明膜１３に埋められており、かつ、透明膜１３の表面は平坦化されている。

次に、図８（ｄ）に示すように、透明膜１３側にフォトマスク１４を配置し、フォトマスク１４を用いて、フォトレジスト層１１を投影露光する。

次に、図８（ｅ）に示すように、フォトレジスト層１１を現像することによって、レジストパターン１１ａを形成する。なお、透明膜１３は、現像前に除去してもよいし、現像中あるいは現像後に除去してもよい。

図８（ｂ）〜（ｅ）に示した工程は、図５（ｂ）〜（ｅ）に示した工程と同じである。そのため、図８（ｅ）に示したレジストパターン１１ａは、図５（ｅ）に示したレジストパターン１１ａと同様に、パターン不良がない、
次に、図８（ｆ）に示すように、パターニングされたフォトレジスト層１１ａを用いて、導電体層３０をエッチングして、導電体層３０をパターニングする。

最後に、図８（ｇ）に示すように、レジストパターン１１ａを除去することによって、配線パターン３０ａが形成された配線基板が完成する。

本実施形態における配線基板の製造方法によれば、滑剤粒子２０に由来するパターン不良のないレジストパターンを用いて配線パターンを形成することができる。そのため、断線または短絡の発生を抑制することができ、信頼性の高い配線基板を実現することができる。

上記の配線基板の製造方法は、レジストパターン１１ａを用いて導電体層３０をエッチングして配線パターン３０ａを形成する、所謂、サブトラクティブ法と呼ばれる方法であるが、本発明は、セミアディティブ法と呼ばれる方法にも適用することができる。

図９（ａ）〜（ｄ）は、セミアディティブ法により配線基板を製造する方法を示した工程図である。

本実施形態では、表面にシード層が形成された基板を用意する。シード層は、薄い導電体膜で構成され、例えば、無電解銅めっきで形成することができる。

その後、図８（ａ）〜（ｅ）に示した工程と同じ工程を用いて、図９（ａ）に示すように、基板１の表面に形成されたシード層４０上に、レジストパターン１１ａを形成する。このレジストパターン１１ａは、図８（ｅ）に示したレジストパターン１１ａと同様に、パターン不良がない。

次に、図９（ｂ）に示すように、パターニングされたフォトレジスト層１１ａを用いて、露出したシード層４０上に、めっき層５０を選択的に形成する。例えば、シード層４０へ給電して電解銅めっきを行うことにより、レジストパターン１１ａのないシード層４０上に、電解銅めっきを形成することができる。

次に、図９（ｃ）に示すように、フォトレジスト層１１ａを除去した後、図９（ｄ）に示すように、選択的に形成されためっき層５０をマスクにして、シード層４０をエッチングする。これにより、パターニングされためっき層５０からなる配線パターンを有する配線基板が完成する。

本実施形態においても、滑剤粒子２０に由来するパターン不良のないレジストパターン１１ａを用いて配線パターンを形成することができるため、断線または短絡のない、信頼性の高い配線基板を実現することができる。

以上、本発明を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、もちろん、種々の改変が可能である。例えば、上記実施形態では、ネガ型のフォトレジスト層を用いたレジストパターンの形成方法を説明したが、ポジ型のフォトレジスト層にも適用することができる。また、上記実施形態では、投影露光を用いたレジストパターンの形成方法を説明したが、コンタクト露光を用いたレジストパターンの形成方法にも適用することができる。

１ 基板
１０ ドライフィルムレジスト
１１ フォトレジスト層
１１ａ レジストパターン
１２ ポリエステルフィルム（支持体層）
１３ 透明膜
１４ フォトマスク
１４ａ 透明部分
２０ 滑剤粒子
２０ａ 突起部
２１ 凹部
２２ 未反応部分
３０ 導電体層
３０ａ 配線パターン
４０ シード層
５０ めっき層

Claims (7)

1. 支持体層及びフォトレジスト層が積層されたドライフィルムレジストを用意する工程（ａ）と、
   基板上に、前記フォトレジスト層を前記基板表面に密着させて、前記ドライフィルムレジストを貼り付ける工程（ｂ）と、
   前記支持体層を除去して、前記フォトレジスト層を露出させる工程（ｃ）と、
   前記フォトレジスト層上に、透明膜を塗布する工程（ｄ）と、
   前記透明膜側にフォトマスクを配置し、該フォトマスクを用いて、前記フォトレジスト層を露光・現像して、前記フォトレジスト層をパターニングする工程（ｅ）と、
   を含むレジストパターン形成方法であって、
   前記支持体層は、平均粒径が５μｍ以下の滑剤粒子を含有しており、
   前記支持体層の少なくとも前記フォトレジスト層側の表面には、前記滑剤粒子による複数の突起部が形成されており、
   前記工程（ｃ）において、前記露出したフォトレジスト層の表面には、前記突起部が転写された複数の凹部が形成されており、
   前記工程（ｄ）において、前記フォトレジスト層の表面に形成された凹部は、前記透明膜で埋められており、かつ、該透明膜の表面は平坦化されている、レジストパターン形成方法。
2. 前記工程（ｅ）において、前記フォトマスクは、前記透明膜から離間して配置され、前記フォトレジスト層は、投影露光により露光される、請求項１に記載のレジストパターン形成方法。
3. 前記透明膜は、ポリビニルアルコールを主成分とする材料で構成されている、請求項１に記載のレジストパターン形成方法。
4. 前記フォトレジスト層はネガ型レジストであって、
   前記工程（ｅ）によってパターニングされる前記フォトレジスト層の幅方向の最小寸法は、１０μｍ以下である、請求項１に記載のレジストパターン形成方法。
5. 前記フォトレジスト層はネガ型レジストであって、
   前記滑剤粒子の平均粒径は、前記工程（ｅ）によってパターニングされる前記フォトレジスト層の幅方向の最小寸法より小さい、請求項１に記載のレジストパターン形成方法。
6. 支持体層及びフォトレジスト層が積層されたドライフィルムレジストを用意する工程（ａ）と、
   表面に導電体層が形成された基板を用意する工程（ｂ）と、
   前記導電体層上に、前記フォトレジスト層を前記導電体層に密着させて、前記ドライフィルムレジストを貼り付ける工程（ｃ）と、
   前記支持体層を除去して、前記フォトレジスト層を露出させる工程（ｄ）と、
   前記フォトレジスト層上に、透明膜を塗布する工程（ｅ）と、
   前記透明膜側にフォトマスクを配置し、該フォトマスクを用いて、前記フォトレジスト層を露光・現像して、前記フォトレジスト層をパターニングする工程（ｆ）と、
   前記透明膜を除去する工程（ｇ）と、
   パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて、前記導電体層をエッチングして、該導電体層をパターニングする工程（ｈ）と、
   を含む配線基板の製造方法であって、
   前記支持体層は、平均粒径が５μｍ以下の滑剤粒子を含有しており、
   前記支持体層の前記フォトレジスト層側の表面には、前記滑剤粒子による複数の突起部が形成されており、
   前記工程（ｄ）において、露出した前記フォトレジスト層の表面には、前記突起部が転写した複数の凹部が形成されており、
   前記工程（ｅ）において、前記フォトレジスト層の表面に形成された凹部は、前記透明膜で埋められており、かつ、該透明膜の表面は平坦化されている、配線基板の製造方法。
7. 支持体層及びフォトレジスト層が積層されたドライフィルムレジストを用意する工程（ａ）と、
   表面にシード層が形成された基板を用意する工程（ｂ）と、
   前記シード層上に、前記フォトレジスト層を前記シード層に密着させて、前記ドライフィルムレジストを貼り付ける工程（ｃ）と、
   前記支持体層を除去して、前記フォトレジスト層を露出させる工程（ｄ）と、
   前記フォトレジスト層上に、透明膜を塗布する工程（ｅ）と、
   前記透明膜側にフォトマスクを配置し、該フォトマスクを用いて、前記フォトレジスト層を露光・現像して、前記フォトレジスト層をパターニングする工程（ｆ）と、
   前記透明膜を除去する工程（ｇ）と、
   パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて、露出した前記シード層上にめっき層を選択的に形成する工程と（ｈ）と、
   前記フォトレジスト層を除去して、選択的に形成された前記めっき層を用いて、前記シード層をエッチングする工程（ｉ）と、
   を含む配線基板の製造方法であって、
   前記支持体層は、平均粒径が５μｍ以下の滑剤粒子を含有しており、
   前記支持体層の少なくとも前記フォトレジスト層側の表面には、前記滑剤粒子による複数の突起部が形成されており、
   前記工程（ｄ）において、前記露出したフォトレジスト層の表面には、前記突起部が転写した凹部が形成されており、
   前記工程（ｅ）において、前記フォトレジスト層の表面に形成された凹部は、前記透明膜で埋められており、かつ、該透明膜の表面は平坦化されている、配線基板の製造方法。