JP6262361B2 - 多機能層の製造方法、電気泳動基板、電気泳動基板の使用、変換プレートおよびオプトエレクトロニクス装置 - Google Patents
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Claims (15)
- 多機能層(100)の製造方法であって、
A) 前面(11)および前記前面(11)とは反対側の後面(12)を備え、第1の導電層(13)および第2の導電層(14)が前記前面(11)に設けられかつ横方向(L)において互いに離間して諸所に配置されているキャリア(15)を有する電気泳動基板(10)を設けるステップと、
B) 第1の材料(1)を前記第1の導電層(13)上に電気泳動によって成膜するステップと、
C) 第2の材料(2)を前記第2の導電層(14)上に電気泳動によって成膜するステップと、
D) 前記第1の材料(1)と前記第2の材料(2)との間に充填材(3)を配置するステップであって、前記充填材(3)は、前記第1の材料(1)および前記第2の材料(2)との共通の境界面(4)を形成し、横方向(L)における前記第1の材料(1)と前記第2の材料(2)との間の空間(A)は、前記連続的多機能層(100)が形成されるように前記充填材(3)によって充填される、ステップと、
E) 前記多機能層(100)を前記電気泳動基板(10)から分離するステップと、を含み、
前記横方向(L)は前記電気泳動基板(10)が延在する主方向に対して平行な方向である、方法。 - − 前記第1の導電層(13)および前記第2の導電層(14)は互いに電気的に絶縁され、電圧が互いに独立して前記第1の導電層(13)および前記第2の導電層(14)に印加され、
− ステップB)およびステップC)は、互いに独立してかつ順に実行され、
− 前記方法は、上述のAからEへの順序で行われる、
請求項1に記載の方法。 - 前記ステップE)の後に、前記多機能層(100)は個々のプレート(5)に個片化され、
個片化時、分割線(6)が前記充填材(3)を貫通して延在する、
請求項1または2に記載の方法。 - 前記第1の材料(1)は、1種類の発光材料(7)または複数種類の発光材料の混合物を含む、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第2の材料(2)は、光散乱粒子(8)および/または光吸収粒子(9)を含む、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。 - 前記充填材(3)は、パリレンまたはシリコーンであるか、または、パリレンまたはシリコーンを含む、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記充填材(3)は、透光性を有する、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。 - − 前面(11)および前記前面(11)とは反対側の後面(12)を備えるキャリア(15)と、
− 第1の導電層(13)と、
− 第2の導電層(14)と、を有し、
− 前記第1の導電層(13)および前記第2の導電層(14)は、前記キャリア(15)の前記前面(11)上に配置されており、
− 前記第1の導電層(13)および前記第2の導電層(14)は、横方向(L)において互いに並置され、かつ、互いに距離(A)離間しており、前記横方向(L)は前記電気泳動基板(10)が延在する主方向に対して平行な方向であり、
− 前記第1の導電層(13)および前記第2の導電層(14)は、電圧が互いに独立して前記第1の導電層(13)および前記第2の導電層(14)に印加されるべく、互いに電気的に絶縁されており、
− 前記第2の導電層(14)の領域は、前記前面(11)上で格子状パターン(17)を形成し、前記第1の導電層(13)は、前記格子状パターン(17)内に島状に諸所に配置されている、
電気泳動基板(10)。 - 前記第1の導電層(13)と前記第2の導電層(14)との間の前記距離(A)は、3μm〜15μm(両端値を含む)である、
請求項8に記載の電気泳動基板(10)。 - 前記第1の導電層(13)および前記第2の導電層(14)の厚さは、50nm〜500nm(両端値を含む)である、
請求項8または9に記載の電気泳動基板(10)。 - 前記第1の導電層(13)および前記第2の導電層(14)の電気的接触のための電極(19)が前記キャリア(15)の同一の面上に配置されている、
請求項8〜10のいずれか一項に記載の電気泳動基板(10)。 - 前記電極(19)は、前記前面(11)上に配置されている、
請求項11に記載の電気泳動基板(10)。 - 貫通ビア(16)が前記キャリア(15)を貫通して延在し、前記電極(19)を前記第1の導電層(13)に電気的に接続している、
請求項12に記載の電気泳動基板(10)。 - 前記キャリア(15)は、PET、または、エポキシ材料を含む、もしくは、電気絶縁材料からなる、
請求項8〜13のいずれか一項に記載の電気泳動基板(10)。 - 請求項1〜7に記載の前記方法のための、請求項8〜14に記載の前記電気泳動基板(10)の使用。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013112687.1A DE102013112687A1 (de) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | Verfahren zur Herstellung einer multifunktionellen Schicht, Elektrophorese-Substrat, Konverterplättchen und optoelektronisches Bauelement |
DE102013112687.1 | 2013-11-18 | ||
PCT/EP2014/074666 WO2015071434A1 (de) | 2013-11-18 | 2014-11-14 | Verfahren zur herstellung einer multifunktionellen schicht, elektrophorese-substrat, konverterplättchen und optoelektronisches bauelement |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017238577A Division JP2018060219A (ja) | 2013-11-18 | 2017-12-13 | 変換プレートおよびオプトエレクトロニクス装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016540900A JP2016540900A (ja) | 2016-12-28 |
JP6262361B2 true JP6262361B2 (ja) | 2018-01-17 |
Family
ID=51900448
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016553731A Expired - Fee Related JP6262361B2 (ja) | 2013-11-18 | 2014-11-14 | 多機能層の製造方法、電気泳動基板、電気泳動基板の使用、変換プレートおよびオプトエレクトロニクス装置 |
JP2017238577A Pending JP2018060219A (ja) | 2013-11-18 | 2017-12-13 | 変換プレートおよびオプトエレクトロニクス装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017238577A Pending JP2018060219A (ja) | 2013-11-18 | 2017-12-13 | 変換プレートおよびオプトエレクトロニクス装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10253950B2 (ja) |
JP (2) | JP6262361B2 (ja) |
CN (1) | CN105723806B (ja) |
DE (2) | DE102013112687A1 (ja) |
WO (1) | WO2015071434A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018111417A1 (de) | 2018-05-14 | 2019-11-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Konversionselement, optoelektronisches bauteil, verfahren zur herstellung einer vielzahl von konversionselementen, verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen bauteilen und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0222152A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-25 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 短波長光線遮断性合せガラス用中間膜 |
JPH07104516B2 (ja) * | 1989-06-14 | 1995-11-13 | セイコー電子工業株式会社 | 多色表示装置の製造方法 |
JPH0342602A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-22 | Seiko Instr Inc | 多色表示装置の製造方法 |
US5582703A (en) * | 1994-12-12 | 1996-12-10 | Palomar Technologies Corporation | Method of fabricating an ultra-high resolution three-color screen |
JP3588879B2 (ja) * | 1995-11-09 | 2004-11-17 | 松下電器産業株式会社 | 微細パターン形成方法 |
US5824374A (en) | 1996-07-22 | 1998-10-20 | Optical Coating Laboratory, Inc. | In-situ laser patterning of thin film layers during sequential depositing |
JP3456143B2 (ja) * | 1998-05-01 | 2003-10-14 | 信越半導体株式会社 | 積層材料および光機能素子 |
EP1093600B1 (en) | 1998-07-08 | 2004-09-15 | E Ink Corporation | Methods for achieving improved color in microencapsulated electrophoretic devices |
JP3667242B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2005-07-06 | キヤノン株式会社 | 電気泳動表示方法及び電気泳動表示装置 |
JP4240773B2 (ja) | 2000-07-13 | 2009-03-18 | パロマ工業株式会社 | 燃焼制御装置 |
JP2003042602A (ja) | 2001-05-24 | 2003-02-13 | Nakajima Jidosha Denso:Kk | フルオロカーボンの回収装置 |
US6576488B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-06-10 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor |
KR100438828B1 (ko) | 2001-11-08 | 2004-07-05 | 삼성전자주식회사 | 칩 상의 전기적 미세 검출기 |
JP2005531026A (ja) | 2002-06-25 | 2005-10-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電気泳動表示パネル |
US8563339B2 (en) | 2005-08-25 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | System for and method for closed loop electrophoretic deposition of phosphor materials on semiconductor devices |
JP4810977B2 (ja) * | 2005-11-08 | 2011-11-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその形成方法 |
DE102007042642A1 (de) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
KR101263659B1 (ko) | 2009-12-18 | 2013-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전기영동 표시 장치 및 그 제조방법 |
US20110305000A1 (en) | 2010-06-09 | 2011-12-15 | Bukesov Sergey A | Display screen with low-index region surrounding phospors |
JP2012069577A (ja) | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
DE102010048162A1 (de) * | 2010-10-11 | 2012-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Konversionsbauteil |
WO2012161010A1 (ja) | 2011-05-20 | 2012-11-29 | シャープ株式会社 | 色変換基板、照明装置およびカラー表示装置 |
JP2013037336A (ja) | 2011-07-13 | 2013-02-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶表示装置 |
DE102011056810B4 (de) * | 2011-12-21 | 2022-01-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
DE102012104035A1 (de) * | 2012-05-08 | 2013-11-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und derart hergestelltes Halbleiterbauelement |
DE102012105691B4 (de) | 2012-06-28 | 2018-10-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Abscheidung einer elektrophoretisch abgeschiedenen partikulären Schicht, strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und optisches Element |
-
2013
- 2013-11-18 DE DE102013112687.1A patent/DE102013112687A1/de not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-11-14 WO PCT/EP2014/074666 patent/WO2015071434A1/de active Application Filing
- 2014-11-14 CN CN201480062844.7A patent/CN105723806B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-14 DE DE112014005235.3T patent/DE112014005235A5/de not_active Ceased
- 2014-11-14 US US15/035,384 patent/US10253950B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-14 JP JP2016553731A patent/JP6262361B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-12-13 JP JP2017238577A patent/JP2018060219A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015071434A1 (de) | 2015-05-21 |
US20160273736A1 (en) | 2016-09-22 |
DE112014005235A5 (de) | 2016-09-15 |
CN105723806A (zh) | 2016-06-29 |
CN105723806B (zh) | 2017-07-21 |
JP2018060219A (ja) | 2018-04-12 |
DE102013112687A1 (de) | 2015-05-21 |
US10253950B2 (en) | 2019-04-09 |
JP2016540900A (ja) | 2016-12-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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