JP6262204B2 - 有機電子デバイス用バンク構造 - Google Patents
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Description
本発明はさらに、有機電子デバイスにおけるバンク構造の使用に関し、前記バンク構造はポリシクロオレフィンポリマーを含む。
下記に、以下の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
し、例えばOFETでは、有機半導体の範囲が限られていることでオフ状態電流が改善される。用語「バンク構造」と「隔離構造」とは、本明細書では同義的に使用されることが理解されるであろう。従ってバンク構造への言及には、隔離構造が包含される。
本発明の好適な実施形態において、ノルボルネン系ポリマーは、2種以上の別種の繰り返し単位を組み込む。
の1種以上の別種の繰り返し単位を含む。
の1種以上の別種の繰り返し単位を含む。
ン−2−イル)−2,5,8,11−テトラオキサドデカン(NBTODD)(式中、sは3である)及び5−((2−(2−メトキシエトキシ)エトキシ)メチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−2−エン(NBTON)(式中、sは2である)を意味するものと理解される。
から選択されるものを含むノルボルネン系モノマーから重合中に形成される。
上記の構造式1〜5に関して、mは0〜3の整数であり、Aは、(CZ2)n、(CH2)n−(CH=CH)p−(CH2)n、(CH2)n−O−(CH2)n、(CH2)n−C6Q4−(CH2)nから選択され、構造1についてはさらに(CH2)n−O及びC(O)−Oから選択される結合基、スペーサ基又は架橋基であり;Rは、H、CZ3、(CZ2)nCZ3、OH、O−(O)CCH3、(CH2CH2O)nCH3、(CH2)n−C6Q5、シンナメート又はp−メトキシシンナメート、クマリン、フェニル−3−インデン、エポキシド、C≡C−Si(C2H5)3又はC≡C−Si(i−C2H5)3(各nは独立して0〜12の整数であり、pは1〜6の整数であり、C6Q4及びC6Q5は、Qにより置換されているベンゼンを表し、Qは、独立して、H、F、CH3、CF3又はOCH3であり、Zは独立してH又はFであり、但し、−A−Rは−O−O−(ペルオキシ)結合を含まないものとし、及びR’’は独立してH又はCH3である)から選択される。
、y、q、及びzは、それぞれ0〜5、0〜5、0〜9、及び1〜4から独立して選択される整数である)を有する基が挙げられる。具体的には、かかる例示的ハロゲン化若しくはパーハロゲン化アリール基としては、限定はされないが、ペンタクロロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタフルオロベンジル、4−トリフルオロメチルベンジル、ペンタフルオロフェニルエチル、ペンタフルオロフェンプロピル、及びペンタフルオロフェンブチルが挙げられる。
リマーが、バンク構造材料として、又はその構成成分として使用される。かかる架橋性を有する又は架橋されたポリマーは、ゲート誘電体層及び電子デバイスの構造的完全性、耐久性、機械的抵抗性及び耐溶剤性から選択される1つ以上の特性の向上に役立ち得ることが分かっている。極めて好適な架橋性ポリマーは、例えば、式I(式中、R1〜4のうち1つ以上が架橋性基を表す)の1つ以上の繰り返し単位、極めて好適には部分式27〜50から選択されるモノマーにより形成される単位を有するものである。
含む。かかる添加剤は、バンク構造の形成に使用されるポリシクロオレフィンポリマーのペンダント架橋性基と反応することが可能な2つ以上の官能基を含む。また、かかる架橋添加剤の使用が前述のポリマーの架橋も増進し得ることが理解されるであろう。
架橋剤の使用は、適切な波長及び紫外線線量に対するイメージワイズな露光を使用したバンク構造のパターニング能力を増進する。
P−A’’X’−A’’−P III1
H4−cC(A’’−P)c III2
[式中、X’は、O、S、NH又は単結合であり、A’’は単結合であるか、又は(CZ2)n、(CH2)n−(CH=CH)p−(CH2)n、(CH2)n−O−(CH2)n、(CH2)n−C6Q10−(CH2)n、及びC(O)(式中、各nは独立して0〜12の整数であり、pは1〜6の整数であり、Zは独立してH又はFであり、C6Q10は、Qにより置換されているシクロヘキシルであり、Qは、独立して、H、F、CH3、CF3、又はOCH3であり、Pは架橋性基であり、及びcは2、3、又は4である)から選択される結合基、スペーサ基若しくは架橋基であり、式III1においてX’及び2つのA’’基のうちの少なくとも1つが単結合ではない]から選択される。
アルキレン又は環状C5〜C30アルキレンを表し、これらの各々は非置換型であるか、又はF、Cl、Br、I若しくはCNによる一置換型若しくは多置換型であり、ここで場合により1つ以上の非隣接CH2基が、いずれの場合も互いに独立して、−O−、−S−、−NH−、−NR18−、−SiR18R19−、−C(O)−、−C(O)O−、−OC(O)−、−OC(O)−O−、−S−C(O)−、−C(O)−S−、−CH=CH−又は−C≡C−により、O及び/又はS原子が互いに直接結合しない形で置き換えられており、R18及びR19は、互いに独立して、H、メチル、エチル又はC3〜C12線状又は分枝状アルキル基である。
別の好適な実施形態において、ポリマー組成物は、架橋性ポリシクロオレフィンポリマーと反応性定着剤とを含む。反応性定着剤は、バンク構造が上に提供される基板と相互作用、例えば化学結合することが可能な界面活性基である第1の官能基と、化学結合の形成を伴い、或いは伴わずに、ポリシクロオレフィンポリマーと相互作用することが、例えばポリシクロオレフィンポリマー中のペンダント架橋性基との架橋により可能な第2の官能基とを含む。定着剤は、特にフォトリソグラフィ法が用いられる場合に、バンク構造又はさらなる機能層を提供する際に使用され得る。
G1−A’’−G2 IV
[式中、G1は界面活性基、好適にはシラン基又はシラザン基であり、A’’は単結合であるか又は好適には上記の式III1に定義されるとおりの、結合基、スペーサ基若しくは架橋基であり、G2は、好適には上記の式III1に定義されるとおりの架橋性基であるか、又はG2は、ポリシクロオレフィンポリマー用の非反応性相溶化基である]の化合物である。本明細書で使用されるとき、用語「相溶化」は、通常は不混和性であるポリマーの均一なブレンドの形成を促進する界面剤又は基を意味することが理解されるであろう。例えば、ポリシクロオレフィンポリマーがハロゲン化又はパーハロゲン化部分を含む場合(例えばモノマー15〜26)、相溶化基G2は、ハロゲン化又はパーハロゲン化アルキル基、アリール基又はアラルキル基から選択されてもよい。
ート型トランジスタであってよい)、有機発光ダイオード(OLED)又は有機光起電力(OPV)デバイスが含まれる。例えば、本発明におけるポリマー又はポリマー組成物を使用して作製されるボトムゲート型及びトップゲート型トランジスタを、図1及び図2に概略的に示す。
a)図示されるとおり基板(1)上にゲート電極(2)を形成する工程、
b)ゲート電極(2)上に誘電体材料の層(3)を堆積させる工程、
c)誘電体層(3)上にソース電極及びドレイン電極(4)を、それらが離間されていて間にチャネル領域(7)が位置するように形成する工程、
d)ポリシクロオレフィンポリマーを含むか、又はポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物を含むバンク構造材料をソース電極及びドレイン電極(4)上に堆積させることによりバンク構造(5a、5b)を形成する工程であって、それによりチャネル領域(7)にわたって延在するウェル(8)を画成する工程、
e)バンク構造(5a、5b)により形成されたウェル(8)内且つソース電極及びドレイン電極(4)上に半導体材料の層(6)を堆積させる工程。
a)基板(1)上にソース電極及びドレイン電極(4)を、それらが離間されていて間にチャネル領域が位置するように形成する工程、
b)ポリシクロオレフィンポリマー又はポリシクロオレフィンポリマーを含むポリマー組成物を含むバンク構造材料をソース電極及びドレイン電極(4)上に堆積させることによりバンク構造(5a、5b)を形成する工程であって、それによりチャネル領域にわたって延在するウェル(8)を画成する工程、
c)バンク構造(5a、5b)により形成されたウェル(8)内且つソース電極及びドレイン電極(4)上に半導体材料の層(6)を堆積させる工程、
d)半導体層(6)上に誘電体材料の層(3)を堆積させる工程、
e)誘電体層(3)上にゲート電極(2)を形成する工程。
けられ、エッチング及び/又はリソグラフィパターニングによりパターニングすることができる。バンク構造(5a、5b)は例えば印刷法で溶液加工し、乾燥させて任意選択で硬化させることにより所望の形状に設けることができ、又はリソグラフィ法により所望の形状に設けてパターニングすることができる。OSC層(6)及び誘電体層(3)は、コーティング又は印刷法により設けることができる。
ラスティックス(Modern Fluoroplastics)」、編者ジョン・シェリス(John Scheris)、ジョン・ワイリー・アンド・サンズリミテッド(John Wiley&Sons Ltd.)、1997年、章:「環化重合により得られる全フッ素化ポリマー(Perfluoropolymers Obtained by
Cyclopolymerisation)」、N.スギヤマ(N.Sugiyama)著、541ff頁に記載されている。テフロンAF(Teflon AF)については、「モダン・フルオロプラスティックス(Modern Fluoroplastics)」、編者ジョン・シェリス(John Scheris)、ジョン・ワイリー・アンド・サンズリミテッド(John Wiley&Sons Ltd.)、1997年、章:「テフロンAFアモルファスフッ素化ポリマー(Teflon AF amorphous fluoropolymers)」、P.R.レスニク(P.R.Resnick)著、397ff頁に記載されている。ハイフロンAD(Hyflon AD)については、「高性能全フッ素化ポリマーフィルム及び膜(High Performance Perfluoropolymer Films and Membranes)」、V.アルセラ(V.Arcella)ら、ニューヨーク科学アカデミー年報(Ann.N.Y.Acad.Sci.)、第984巻、226〜244頁(2003年)に記載されている。
極は、スプレー、ディップ、ウェブ又はスピンコーティングなどの液体コーティングによるか、又は限定はされないが物理蒸着(PVD)法、化学蒸着(CVD)法又は熱蒸着法を含む真空蒸着法により、堆積させ、又は形成することができる。好適な電極材料及び堆積方法は当業者に公知である。好適な電極材料としては、限定なしに、無機若しくは有機材料、又はこれらの2つの複合材料が挙げられる。例示的電極材料としては、ポリアニリン、ポリピロール、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)又はドープ共役ポリマー、さらにグラファイト又はAu、Ag、Cu、Al、Niなどの金属の粒子又はこれらの混合物の分散体又はペースト、並びにスパッタ被覆又は蒸発した金属、例えばCu、Cr、Pt/Pd、Ag、Au又は金属酸化物、例えばインジウムスズ酸化物(ITO)FドープITO又はAlドープZnOが挙げられる。有機金属前駆体もまた使用することができ、液相から堆積させ得る。
15及びR16がアルキル又はアリールである場合、これらは場合によりフッ素化されていてもよい。
b’]ジチオフェン−2,5−ジイル単位を含み、且つA群及びB群から選択される1つ以上のアリール単位又はヘテロアリール単位をさらに含む、好適にはA群の少なくとも1つの単位とB群の少なくとも1つ単位とを含むコポリマーであり、ここでA群は、電子供与体特性を有するアリール基又はヘテロアリール基からなり、B群は、電子受容体特性を有するアリール基又はヘテロアリール基からなり、及び好適には、
A群は、セレノフェン−2,5−ジイル、チオフェン−2,5−ジイル、チエノ[3,2−b]チオフェン−2,5−ジイル、チエノ[2,3−b]チオフェン−2,5−ジイル、セレノフェノ[3,2−b]セレノフェン−2,5−ジイル、セレノフェノ[2,3−b]セレノフェン−2,5−ジイル、セレノフェノ[3,2−b]チオフェン−2,5−ジイル、セレノフェノ[2,3−b]チオフェン−2,5−ジイル、ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェン−2,6−ジイル、2,2−ジチオフェン、2,2−ジセレノフェン、ジチエノ[3,2−b:2’,3’−d]シロール−5,5−ジイル、4H−シクロペンタ[2,1−b:3,4−b’]ジチオフェン−2,6−ジイル、2,7−ジ−チエン−2−イル−カルバゾール、2,7−ジ−チエン−2−イル−フルオレン、インダセノ[1,2−b:5,6−b’]ジチオフェン−2,7−ジイル、ベンゾ[1’’,2’’:4,5;4’’,5’’:4’,5’]ビス(シロロ[3,2−b:3’,2’−b’]チオフェン)−2,7−ジイル、2,7−ジ−チエン−2−イル−インダセノ[1,2−b:5,6−b’]ジチオフェン、2,7−ジ−チエン−2−イル−ベンゾ[1’’,2’’:4,5;4’’,5’’:4’,5’]ビス(シロロ[3,2−b:3’,2’−b’]チオフェン)−2,7−ジイル、及び2,7−ジ−チエン−2−イル−フェナントロ[1,10,9,8−c,d,e,f,g]カルバゾール(これらは全て、上記に定義するとおりの1つ以上、好適には1つ又は2つのR基により場合により置換されている)からなり、及び
B群は、ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール−4,7−ジイル、5,6−ジアルキル−ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール−4,7−ジイル、5,6−ジアルコキシベンゾ[2,1,3]チアジアゾール−4,7−ジイル、ベンゾ[2,1,3]セレナジアゾール−4,7−ジイル、5,6−ジアルコキシ−ベンゾ[2,1,3]セレナジアゾール−4,7−ジイル、ベンゾ[1,2,5]チアジアゾール−4,7,ジイル、ベンゾ[1,2,5]セレナジアゾール−4,7,ジイル、ベンゾ[2,1,3]オキサジアゾール−4,7−ジイル、5,6−ジアルコキシベンゾ[2,1,3]オキサジアゾール−4,7−ジイル、2H−ベンゾトリアゾール−4,7−ジイル、2,3−ジシアノ−1,4−フェニレン、2,5−ジシアノ,1,4−フェニレン、2,3−ジフルオロ(difluro)−1,4−フェニレン、2,5−ジフルオロ−1,4−フェニレン、2,3,5,6−テトラフルオロ−1,4−フェニレン、3,4−ジフルオロチオフェン−2,5−ジイル、チエノ[3,4−b]ピラジン−2,5−ジイル、キノキサリン−5,8−ジイル、チエノ[3,4−b]チオフェン−4,6−ジイル、チエノ[3,4−b]チオフェン−6,4−ジイル、及び3,6−ピロロ[3,4−c]ピロール−1,4−ジオン(これらは全て、上記に定義するとおりの1つ以上、好適には1つ又は2つのR基により場合により置換されている)からなる。
バインダーはまた、架橋性バインダー、例えば、アクリレート、エポキシ、ビニルエーテル、及びチオレンから選択されてもよく、好適には十分に低い誘電率、極めて好適には3.3以下の誘電率を有する。バインダーはまた、メソゲン結晶又は液晶であってもよい。
本発明の前述の実施形態に変形を加えることができ、それでもなお本発明の範囲内に含まれることは理解されるであろう。本明細書に開示される各特徴は、特に明記しない限り、同じ、均等な又は類似の目的を果たす代替的な特徴に置き換えることができる。従って、特に明記しない限り、開示される各特徴は、包括的な一連の均等な又は類似の特徴のうちの一例に過ぎない。
排他的である組み合わせを除き、任意の組み合わせで組み合わせることができる。詳細には、本発明の特徴は、本発明の全ての態様に適用可能であり、任意の組み合わせで用いられ得る。同様に、不可欠でない組み合わせに記載される特徴が、(組み合わせで用いるのでなく)別々に用いられてもよい。
上記及び下記で、特に明記しない限り、百分率は重量パーセントであり、温度はセ氏温度(℃)で示す。比誘電率ε(「誘電率」)の値は、20℃及び1,000Hzで取った値を指す。
(実施例)
実施例1〜3:ボトムゲート型有機トランジスタデバイスにおけるバンク構造ポリマー
コーニングイーグルXG(Eagle XG)ガラスの基板を、3%デコン90(Decon90)中70℃で30分間超音波処理し、水で2回洗浄し、MeOH中で超音波処理し、次にスピンコータでスピン液切りすることにより乾燥させる。次にシャドウマスクを介して基板上に30nmアルミニウム層を熱蒸着させることにより、ゲート電極を形成する。リシコンD207(Lisicon D207)(登録商標)誘電体を塗布し、説明(メルク・カー・ゲー・アー・アー(Merck KGaA)、独国ダルムシュタットから入手可能)に従い処理する。次に、ゲート電極及び誘電体を有するこの基板を、それぞれ以下の実施例1、2又は3に記載するとおりのボトムゲート型OFETデバイスの作製に以降使用する。
実施例1
30nm厚さの銀ソース電極及びドレイン電極を、シャドウマスクを介して基板上に熱蒸着させて、長さL=50μm及び幅W=1000μmのチャネルを作成する。
実施例2
NBC4F9とDMMIBuNBとのコポリマー、コモノマーの比36/64、Mw118,000のMAK中の15%溶液を基板上に1500rpmでスピン塗布し、厚さ5
00nmの膜を作成する。
実施例3
30nm厚さの銀ソース電極及びドレイン電極を、シャドウマスクを介して基板上に熱蒸着させて、長さL=50μm及び幅W=1000μmのチャネルを作成する。
比較例1
ボトムゲート型OFETデバイスを、実施例1に記載されるとおり、但しバンク構造は含まず作製する。
実施例4:トップゲート型有機トランジスタデバイスにおけるバンク構造ポリマー
トップゲート型OFETを以下のとおり作製する。コーニング1737ガラスの基板を、3%デコン90(Decon90)中70℃で30分間超音波処理し、水で2回洗浄し、MeOH中で超音波処理し、次にスピンコータでスピン液切りすることにより乾燥させる。30nm厚さの金ソース電極及びドレイン電極を、シャドウマスクを介して基板上に熱蒸着させて、L=50μm及びW=1000μmのチャネルを形成する。基板を表面処
理配合物リシコンM001(Lisicon M001)(登録商標)で1分間処理し、イソプロピルアルコールで洗浄し、スピンコータでスピン液切りすることにより乾燥させる。
バンク構造を作成した後、OSC配合物リシコンS1200(Lisicon S1200)(登録商標)を基板上にスピン塗布し、次に100℃のホットプレートで1分間アニールする。次にリシコンD139(Lisicon D139)誘電体(メルク・カー・ゲー・アー・アー)をスピン塗布し、100℃のホットプレートで2分間アニールする。次に銀を、ゲート電極としてシャドウマスクを使用して蒸着させる。
比較例2
トップゲート型OFETデバイスを、実施例4に記載されるとおり、但しバンク構造は含まず作製する。
実施例5:OLEDデバイスにおける光パターニングされたバンク構造ポリマー材料
この評価には、DMMIMeNBとPPVENBとのコポリマー、コモノマーの比54/46、Mw=49,000を使用した。
aに示す。
フォトレジストの画像(ここではピクセルのサイズが250μ×75μである)を、図11bに示す。
実施例6:OLEDデバイスにおけるインクジェットパターニングされたバンク構造ポリマー材料
この評価には、DMMIBuNBとNBC4F9とのコポリマー、コモノマー比64/36、Mw102,000を使用した。
90)溶液を使用して10分間超音波処理することにより清浄にした。超音波処理後、これを水で6回洗浄し、次に水中で5分間超音波処理し、次に基板を乾燥させて、次にメタノール中で5分間超音波処理した;全ての超音波処理は60℃で実施した。圧縮空気を送ることにより基板を乾燥させ、次に150℃のホットプレートに5分間置いた。
Claims (29)
- 1つ以上のバンク構造を含んでなる有機電子デバイスにおいて、前記バンク構造がノルボルネン系ポリマーのポリシクロオレフィンポリマーを含む、有機電子デバイス。
- 前記ポリシクロオレフィンポリマーが2種以上の別種の繰り返し単位を含む、請求項1に記載の有機電子デバイス。
- 前記ポリシクロオレフィンポリマーが、ペンダント架橋性基を有する第1の種の繰り返し単位を含む、請求項1〜2のいずれか一項に記載の有機電子デバイス。
- 前記ペンダント架橋性基が潜伏性の架橋性基である、請求項3に記載の有機電子デバイス。
- 前記ペンダント架橋性基が、置換又は非置換マレイミド部分、エポキシド部分、ビニル部分、アセチレン部分、インデニル部分、シンナメート部分又はクマリン部分を含む、請求項4に記載の有機電子デバイス。
- ペンダント架橋性基を有する前記第1の種の繰り返し単位が、以下のモノマー:
のうちの1つから重合中に得られる、請求項5に記載の有機電子デバイス。 - 前記ポリシクロオレフィンポリマーが、式I
の1種以上の別種の繰り返し単位を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の有機電子デバイス。 - 前記ポリシクロオレフィンポリマーが、以下の式:
から独立して選択されるノルボルネン系モノマーから形成される1種以上の別種の繰り返し単位を含む、請求項7に記載の有機電子デバイス。 - 前記ポリシクロオレフィンポリマーが、以下の式:
- 前記バンク構造が、式I
C1〜C25ハロヒドロカルビル基又はC1〜C25パーハロカルビル基から独立して選択される]の1種以上の別種の繰り返し単位を有する2種以上の別個のポリシクロオレフィンポリマーを含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の有機電子デバイス。 - 前記バンク構造が、溶媒、架橋剤、任意選択の反応性溶媒、安定化剤、紫外線増感剤、定着剤、及び熱増感剤の1つ以上を含むポリマー組成物から得られる、請求項1〜10のいずれか一項に記載の有機電子デバイス。
- 前記ポリマー組成物が、式III1又はIII2
P−A’’−X’−A’’−P III1
H4−cC(A’’−P)c III2
[式中、X’は、O、S、NH又は単結合であり、A’’は単結合であるか又は(CZ2)n、(CH2)n−(CH=CH)p−(CH2)n、(CH2)n−O−(CH2)n、(CH2)n−C6Q10−(CH2)n、及びC(O)(式中、各nは独立して0〜12の整数であり、pは1〜6の整数であり、Zは独立してH又はFであり、C6Q10は、Qにより置換されているシクロヘキシルであり、Qは、独立して、H、F、CH3、CF3又はOCH3であり、Pは請求項5に定義されるとおりの架橋性基であり、及びcは2、3又は4である)から選択される結合基、スペーサ基又は架橋基であり、式III1においてX’及び2つのA’’基のうちの少なくとも1つが単結合ではない]
から選択される化合物を含む、請求項11に記載の有機電子デバイス。 - 前記式III1の化合物が式C1
から選択される、請求項12に記載の有機電子デバイス。 - 前記ポリマー組成物が、式IV
G−A’’−P IV
[式中、G1は界面活性基であり、A’’は単結合又は結合基、スペーサ基若しくは架橋基であり、G2は架橋性基又は非反応性相溶化基である]
の化合物を含む、請求項11〜13のいずれか一項に記載の有機電子デバイス。 - G1が、式−SiR12R13R14の界面活性基、又は式−NH−SiR12R13R14の基(式中、R12、R13及びR14は、各々、ハロゲン、シラザン、C1〜C12アルコキシ、C1〜C12アルキルアミノ、場合により置換されているC5〜C20アリールオキシ及び場合により置換されているC2〜C20ヘテロアリールオキシから独立して選択され、式中、R12、R13及びR14の1つ又は2つはまた、C1〜C12アルキル、場合により置換されているC5〜C20アリール又は場合により置換されているC2〜C20ヘテロアリールも表す)であり、
G2が、マレイミド基、3−モノアルキルマレイミド基、3,4−ジアルキルマレイミド基、エポキシ基、ビニル基、アセチル基、インデニル基、シンナメート基若しくはクマリ
ン基から選択される架橋性基であるか、又は置換若しくは非置換マレイミド部分、エポキシド部分、ビニル部分、アセチレン部分、インデニル部分、シンナメート部分若しくはクマリン部分を含み、及び
A’’が、単結合であるか、又は(CZ2)n、(CH2)n−(CH=CH)p−(CH2)n、(CH2)n−O、(CH2)n−O−(CH2)n、(CH2)n−C6Q4−(CH2)n、(CH2)n−C6Q10−(CH2)n及びC(O)−O(式中、各nは独立して0〜12の整数であり、pは1〜6の整数であり、Zは独立してH又はFであり、C6Q4は、Qにより置換されているフェニルであり、C6Q10は、Qにより置換されているシクロヘキシルであり、Qは、独立して、H、F、CH3、CF3又はOCH3である)から選択される結合基、スペーサ基又は架橋基である、
請求項14に記載の有機電子デバイス。 - 前記式IVの化合物が、式A1:
から選択される、請求項15に記載の有機電子デバイス。 - 有機電界効果トランジスタ(OFET)、有機薄膜トランジスタ(OTFT)、有機発光ダイオード(OLED)又は有機光起電力(OPV)デバイスである、請求項1〜16のいずれか一項に記載の有機電子デバイス。
- トップゲート型OFET又はボトムゲート型OFETである、請求項17に記載の有機電子デバイス。
- 離間されていて間に位置するチャネル領域を画成する1つ以上の電極を含む、請求項1〜18のいずれか一項に記載の有機電子デバイスであって、前記バンク構造が前記電極の上に重なり、且つ有機半導体層を堆積させるウェル又はウェルのパターンを画成し、従って前記バンク構造が前記電極及び前記有機半導体層と接触するようにして前記バンク構造が提供される、有機電子デバイス。
- 基板(1)と、ゲート電極(2)と、ゲート絶縁体として働く誘電体層(3)と、離間されていて間にチャネル領域(7)が位置するソース電極及びドレイン電極(4)と、前記チャネル領域(7)にわたって延在するウェル(8)を画成するようにパターニングされる第1及び第2のバンク構造(5a、5b)と、前記チャネル領域(7)に提供されるOSC層(6)とを含む、請求項17〜19のいずれか一項に記載の有機電子デバイスであって、前記バンク構造(5a、5b)が、請求項1〜16のいずれか一項に定義されるとおりのポリシクロオレフィンポリマー又はポリマー組成物から得られる、有機電子デバイス。
- 請求項20に記載の電子デバイスの作製方法において、
a)基板(1)上にゲート電極(2)を形成する工程と、
b)前記ゲート電極(2)上に誘電体材料の層(3)を堆積させる工程と、
c)前記誘電体層(3)上にソース電極及びドレイン電極(4)を、それらが離間されていて間にチャネル領域(7)が位置するように形成する工程と、d)請求項1〜16のいずれか一項に定義されるとおりのポリシクロオレフィンポリマー又はポリマー組成物を含むバンク構造材料を前記ソース電極及びドレイン電極(4)上に堆積させることによりバンク構造(5a、5b)を形成する工程であって、それにより前記チャネル領域(7)にわたって延在するウェル(8)を画成する、バンク構造(5a、5b)を形成する工程と、
e)前記バンク構造(5a、5b)により形成された前記ウェル(8)内且つ前記ソース電極及びドレイン電極(4)上に半導体材料の層(6)を堆積させる工程と
を備える方法。 - 基板(1)と、離間されていて間にチャネル領域(図示せず)が位置するソース電極及びドレイン電極(4)と、前記チャネル領域にわたって延在するウェル(8)を画成するようにパターニングされる第1及び第2のバンク構造(5a、5b)と、前記チャネル領域(7)に提供されるOSC層(6)と、ゲート絶縁体として働く誘電体層(3)と、ゲート電極(2)とを含む、請求項17〜19のいずれか一項に記載の有機電子デバイスであって、前記バンク構造(5a、5b)が、請求項1〜16のいずれか一項に定義されるとおりのポリシクロオレフィンポリマー又はポリマー組成物から得られる、有機電子デバイス。
- 請求項22に記載の電子デバイスの作製方法において、
a)基板(1)上にソース電極及びドレイン電極(4)を、それらが離間されていて間にチャネル領域が位置するように形成する工程と、
b)請求項1〜15のいずれか一項に定義されるとおりのポリシクロオレフィンポリマー又はポリマー組成物を含むバンク構造材料を前記ソース電極及びドレイン電極(4)上に堆積させることによりバンク構造(5a、5b)を形成する工程であって、それにより前記チャネル領域にわたって延在するウェル(8)を画成する、バンク構造(5a、5b)を形成する工程であって工程と、
c)前記バンク構造(5a、5b)により形成された前記ウェル(8)内且つ前記ソース電極及びドレイン電極(4)上に半導体材料の層(6)を堆積させる工程と、
d)前記半導体層(6)上に誘電体材料の層(3)を堆積させる工程と、
e)前記誘電体層(3)上にゲート電極(2)を形成する工程と
を備える方法。 - 前記バンク構造が、ポリシクロオレフィンポリマーを含む単層として形成される、請求項1〜20,22のいずれか一項に記載の有機電子デバイス。
- 前記バンク構造が、ポリシクロオレフィンポリマーを含む単層として形成される、請求項21又は23のいずれか一項に記載の方法。
- 集積回路(IC);無線周波数識別(RFID)タグ、RFIDタグを含むセキュリティマーキング又はセキュリティデバイス、フラットパネルディスプレイ(FPD)、FPDのバックプレーン、FPDのバックライト、電子写真デバイス、電子写真記録デバイス、有機メモリデバイス、センサ、バイオセンサー又はバイオチップである、請求項1〜20、22又は24のいずれか一項に記載の有機電子デバイスを含む製品又はアセンブリ。
- 有機電子デバイスにおけるバンク構造であって、請求項1〜10のいずれか一項に定義されるとおりのポリシクロオレフィンポリマーを含むか、又は請求項11〜16のいずれか一項に定義されるとおりのポリマー組成物から得られる、バンク構造。
- 前記有機電子デバイスが、有機電界効果トランジスタ(OFET)、有機薄膜トランジスタ(OTFT)、有機発光ダイオード(OLED)又は有機光起電力(OPV)デバイスである、請求項27に記載のバンク構造。
- 有機電子デバイスの隔離構造又はバンク構造における構造画成材料としての請求項1〜10のいずれか一項に定義されるとおりのポリシクロオレフィンポリマーの使用方法。
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