JP6258236B2 - 流体温度およびフローの制御のための方法および装置 - Google Patents
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Description
本出願は、本明細書に参照として組み込まれる、2008年9月30日に出願された米国特許仮出願第61/101,227号に基づく優先権を主張する。
本発明に一致するデバイスに関する測定を行った。デバイスは、100個の並列マイクロチャネルで構成される30×30×1ミリメートルMEMSデバイスである。各マイクロチャネルは、スロートが約10×10マイクロメートルまで狭くなる流入開口を備える。スロートは、ソースガス(空気)に対して開いており、気体のマスフロー(質量流量:mass flow)を制限するために小さい断面を有する。スロート部分は、また、音速のガスフローを可能にするために(フローの方向に)短くなる。流入開口と流出開口との間の距離は、約30mmである。それは、ソースガスからマイクロチャネルに入る分子とマイクロチャネルの壁との間の多数の衝突を可能にするように構成される。
300K−300K×((340m/s×340m/s)/(500m/s×500m/s))=162K
まで低減される。
本発明の実施の態様としては以下のものが含まれる。
(態様1)
壁部分、流入開口、および流出開口を含むマイクロチャネルと、
構成粒子を含む流体と、を含む装置であって、
前記マイクロチャネルが、前記マイクロチャネルの断面に実質的に直交する第1の方向の前記流入開口から前記流出開口への流体のフローに適応するように構成され、
前記壁部分および前記構成粒子が、前記構成粒子と前記壁部分との間の衝突が実質的に鏡面衝突となるように構成される、装置。
(態様2)
前記流体が気体である、態様1に記載の装置。
(態様3)
前記気体が空気を含む、態様2に記載の装置。
(態様4)
前記流入開口の断面が、前記流出開口の断面よりも小さい態様1に記載の装置。
(態様5)
前記粒子が、分子または原子の少なくとも1つから選択される、態様1に記載の装置。
(態様6)
前記断面の少なくとも一部分が、前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じて変動する、態様1に記載の装置。
(態様7)
前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記断面の前記変動が、実質的に線形であり、実質的に増加している、態様6に記載の装置。
(態様8)
前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記断面の前記変動が、
前記流入開口に近接している領域では実質的に急激であり、
前記流入開口に近接している前記領域と前記流出開口との間では実質的に一定であり、
前記流入開口に近接している前記領域と前記流出開口との間の前記断面が、前記流入開口に近接している前記領域の前記断面よりも大きい、態様6に記載の装置。
(態様9)
前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記断面の前記変動が、実質的に線形であり、実質的に減少している、態様6に記載の装置。
(態様10)
前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記断面の前記変動が、
前記流出開口に近接している領域では実質的に急激であり、
前記流出開口に近接している前記領域と前記流入開口との間では実質的に一定であり、
前記流入開口と前記流出開口との間の前記断面が、前記流出開口に近接している前記領域の前記断面より大きい、態様6に記載の装置。
(態様11)
前記断面が実質的に長方形である、態様7に記載の装置。
(態様12)
前記断面が実質的に長方形である、態様8に記載の装置。
(態様13)
前記断面が実質的に長方形である、態様9に記載の装置。
(態様14)
前記断面が実質的に長方形である、態様10に記載の装置。
(態様15)
前記断面が実質的に正方形である、態様7に記載の装置。
(態様16)
前記断面が実質的に正方形である、態様8に記載の装置。
(態様17)
前記断面が実質的に正方形である、態様9に記載の装置。
(態様18)
前記断面が実質的に正方形である、態様10に記載の装置。
(態様19)
前記断面が実質的に円形である、態様7に記載の装置。
(態様20)
前記断面が実質的に円形である、態様8に記載の装置。
(態様21)
前記断面が実質的に円形である、態様9に記載の装置。
(態様22)
前記断面が実質的に円形である、態様10に記載の装置。
(態様23)
前記断面が実質的に楕円形である、態様7に記載の装置。
(態様24)
前記断面が実質的に楕円形である、態様8に記載の装置。
(態様25)
前記断面が実質的に楕円形である、態様9に記載の装置。
(態様26)
前記断面が実質的に楕円形である、態様10に記載の装置。
(態様27)
前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記断面の前記変動が、
第1の領域では実質的に線形であり、実質的に増加しており、
第2の領域では実質的に線形であり、実質的に減少しており、
前記第1の領域は前記流入開口に近接しており、前記第2の領域は前記流出開口に近接している、態様6に記載の装置。
(態様28)
前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記断面の前記変動が、
前記流入開口に近接している領域では実質的に急激であり、
前記流出開口に近接している領域では実質的に急激であり、
前記流入開口に近接している前記領域と前記流出開口に近接している前記領域との間では実質的に一定であり、
前記流入開口に近接している前記領域と前記流出開口に近接している前記領域との間の前記断面が、前記流入開口に近接している前記領域の前記断面よりも大きい、態様6に記載の装置。
(態様29)
前記流出開口に近接している熱電デバイスをさらに含む、態様27に記載の装置。
(態様30)
前記流出開口に近接している熱電デバイスをさらに含む、態様28に記載の装置。
(態様31)
前記流出開口に近接している光電デバイスをさらに含む、態様27に記載の装置。
(態様32)
前記流出開口に近接している光電デバイスをさらに含む、態様28に記載の装置。
(態様33)
前記流体が、
実質的に第1の圧力の前記流体の第1の部分と、
前記第1の圧力より低い実質的に第2の圧力の前記流体の第2の部分と、をさらに含み、
前記流入開口が、前記流体の前記第1の部分と流体連通し、
前記流出開口が、前記流体の前記第2の部分と流体連通する、
態様1に記載の装置。
(態様34)
前記壁部分が、スパッタリングを使用して堆積させた材料を含む、態様1に記載の装置。
(態様35)
前記壁部分が高融点の材料を含む、態様1に記載の装置。
(態様36)
前記壁部分が高密度の材料を含む、態様1に記載の装置。
(態様37)
前記壁部分がコーティング材料をさらに含む、態様1に記載の装置。
(態様38)
前記壁部分が、スパッタリングを使用して基板材料に堆積させたコーティング材料を含み、前記構成粒子と前記壁部分との間の前記実質的に鏡面衝突が、前記構成粒子と前記コーティング材料との間の実質的に鏡面衝突を含む、態様1に記載の装置。
(態様39)
前記基板が銅である、態様38に記載の装置。
(態様40)
前記コーティング材料がタングステンである、態様39に記載の装置。
(態様41)
前記壁部分が全体的に滑らかになるように製造される、態様1に記載の装置。
(態様42)
壁部分を含む表面を提供することと、
構成粒子を含む流体を提供することと、
前記壁部分に隣接して前記流体のフローを誘起することと、
前記構成粒子と前記壁部分との間の衝突が実質的に鏡面衝突となるように、前記壁部分および前記構成粒子の少なくとも1つを構成することと、
を含む、方法。
(態様43)
壁部分を含む表面を提供する前記ステップが、
前記表面、流入開口、および流出開口を含むマイクロチャネルを提供することを含み、
前記壁部分に隣接して前記流体のフローを誘起する前記ステップが、
前記流入開口から前記流出開口への前記流体のフローが、前記壁部分に隣接する前記流体の前記フローを含むように、前記マイクロチャネルの断面に実質的に直交する第1の方向の前記流入開口から前記流出開口への前記流体の前記フローを誘起することを含む、
態様42に記載の方法。
(態様44)
壁部分を含む表面を提供する前記ステップが、第1の時間に第1の温度の前記表面を提供することを含み、
前記第1の時間と前記第1の時間よりも後の第2の時間との間期間中に、前記流体の一部分が前記流入開口から記流出開口に流れ、
前記表面が、前記第2の時間において前記第1の温度よりも低い第2の温度を示す、
態様43に記載の方法。
(態様45)
前記流入開口における流体の前記一部分が第1の流体温度であり、前記流出開口における流体の前記一部分が第2の流体温度であり、
前記第2の流体温度が前記第1の流体温度よりも高い、
態様44に記載の方法。
(態様46)
前記流入開口から前記流出開口への流体のフローを誘起する前記ステップが、前記流入開口と前記流出開口との間に圧力差を提供することを含む、
態様43に記載の方法。
(態様47)
前記構成粒子が、振動状態のセットをもつ分子であり、
構成粒子を含む流体を提供する前記ステップが、
複数の前記分子を含む前記流体の一部分を提供することを含み、
前記複数の分子が、前記第1の流体温度に関連する振動状態の第1の分布を示し、
前記複数の分子が、前記第2の流体温度に関連する振動状態の第2の分布を示す、
態様45に記載の方法。
(態様48)
前記流体が気体である、態様42に記載の方法。
(態様49)
前記気体が空気を含む、態様48に記載の方法。
(態様50)
前記流入開口の断面が、前記流出開口の断面よりも小さい、態様43に記載の方法。
(態様51)
前記粒子が、分子または原子の少なくとも1つから選択される、態様42に記載の方法。
(態様52)
前記断面の少なくとも一部分が、前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じて変動する、態様43に記載の方法。
(態様53)
前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記断面の前記変動が、実質的に線形であり、実質的に増加している、態様52に記載の方法。
(態様54)
前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記断面の前記変動が、
前記流入開口に近接している領域では実質的に急激であり、
前記流入開口に近接している前記領域と前記流出開口との間では実質的に一定であり、
前記流入開口に近接している前記領域と前記流出開口との間の前記断面が、前記流入開口に近接している前記領域の前記断面よりも大きい、態様52に記載の方法。
(態様55)
前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記断面の前記変動が、実質的に線形であり、実質的に減少している、態様52に記載の方法。
(態様56)
前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記断面の前記変動が、前記流出開口に近接している領域では実質的に急激であり、前記流出開口に近接している前記領域と前記流入開口との間では実質的に一定であり、
前記流入開口と前記流出開口との間の前記断面が、前記流出開口に近接している前記領域の前記断面より大きい、態様52に記載の方法。
(態様57)
前記断面が実質的に長方形である、態様53に記載の方法。
(態様58)
前記断面が実質的に長方形である、態様54に記載の方法。
(態様59)
前記断面が実質的に長方形である、態様55に記載の方法。
(態様60)
前記断面が実質的に長方形である、態様56に記載の方法。
(態様61)
前記断面が実質的に正方形である、態様53に記載の方法。
(態様62)
前記断面が実質的に正方形である、態様54に記載の方法。
(態様63)
前記断面が実質的に正方形である、態様55に記載の方法。
(態様64)
前記断面が実質的に正方形である、態様56に記載の方法。
(態様65)
前記断面が実質的に円形である、態様53に記載の方法。
(態様66)
前記断面が実質的に円形である、態様54に記載の方法。
(態様67)
前記断面が実質的に円形である、態様55に記載の方法。
(態様68)
前記断面が実質的に円形である、態様56に記載の方法。
(態様69)
前記断面が実質的に楕円形である、態様53に記載の方法。
(態様70)
前記断面が実質的に楕円形である、態様54に記載の方法。
(態様71)
前記断面が実質的に楕円形である、態様55に記載の方法。
(態様72)
前記断面が実質的に楕円形である、態様56に記載の方法。
(態様73)
前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記断面の前記変動が、
第1の領域では実質的に線形であり、実質的に増加しており、
第2の領域では実質的に線形であり、実質的に減少しており、
前記第1の領域は前記流入開口に近接しており、前記第2の領域は前記流出開口に近接している、態様52に記載の方法。
(態様74)
前記第1の方向の前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記断面の前記変動が、
前記流入開口に近接している領域では実質的に急激であり、
前記流出開口に近接している領域では実質的に急激であり、
前記流入開口に近接している前記領域と前記流出開口に近接している前記領域との間では実質的に一定であり、
前記流入開口に近接している前記領域と前記流出開口に近接している前記領域との間の前記断面が、前記流入開口に近接している前記領域の前記断面よりも大きい、態様52に記載の方法。
(態様75)
前記流出開口に近接している熱電デバイスを提供することをさらに含む、態様73に記載の方法。
(態様76)
前記流出開口に近接している熱電デバイスを提供することをさらに含む、態様74に記載の方法。
(態様77)
前記流出開口に近接している光電デバイスを提供することをさらに含む、態様73に記載の方法。
(態様78)
前記流出開口に近接している光電デバイスを提供することさらに含む、態様74に記載の方法。
(態様79)
前記壁部分を含む表面を提供することが、スパッタリングを使用して前記表面に材料を堆積させることを含む、態様42に記載の方法。
(態様80)
前記壁部分が高融点の材料を含む、態様42に記載の方法。
(態様81)
前記壁部分が高密度の材料を含む、態様42に記載の方法。
(態様82)
前記壁部分を含む表面を提供することが、スパッタリングを使用して前記表面にコーティング材料を堆積させることをさらに含む、態様42に記載の方法。
(態様83)
前記表面が銅である、態様82に記載の方法。
(態様84)
前記コーティング材料がタングステンである、態様83に記載の方法。
(態様85)
前記壁部分が全体的に滑らかになるように製造される、態様42に記載の方法。
Claims (12)
- 鏡面壁部分、流入開口、および流出開口を備えるマイクロチャネルと、
構成粒子を含む気体と、から実質的に成る冷却用システムであって、
前記マイクロチャネルを通る前記気体のフローは、第1の圧力と第2の圧力との間の圧力差の作用によって誘起させられ、前記流入開口に近接している前記気体の前記第1の圧力が大気圧であり、
前記マイクロチャネルが、前記マイクロチャネルの断面に実質的に直交する第1の方向の前記流入開口から前記流出開口への前記気体のフローに適応するように構成され、
前記流入開口は第1の断面積を有し、前記流出開口は、前記第1の断面積と実質的に異なる第2の断面積を有し、
前記第1の断面積が、0.01×10 −12 m 2 〜500×10 −12 m 2 の第1の範囲内にある値を有し、
前記第2の断面積が、0.1×10 −12 m 2 〜50,000×10 −12 m 2 の第2の範囲内にある値を有し、
前記鏡面壁部分および前記構成粒子が、前記構成粒子と前記鏡面壁部分との間の衝突の前の前記構成粒子の前記壁部分と平行な速度成分が、衝突後のそれと実質的に同じ値となるように構成され、さらに前記鏡面壁部分および前記構成粒子が、前記鏡面壁部分と前記鏡面壁部分の冷却に関連する前記構成粒子との間のエネルギー移動が前記構成粒子の前記鏡面壁部分に垂直な速度成分の増加によって生じるように構成される、システム。 - 前記マイクロチャネルの前記断面の少なくとも一部分が、前記第1の方向における前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じて変動する、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の方向における前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記マイクロチャネルの前記断面の前記変動が、線形で増加している、請求項2に記載のシステム。
- 前記第1の方向における前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記マイクロチャネルの前記断面の前記変動が、
前記流入開口に近接している領域では急激であり、
前記流入開口に近接している前記領域と前記流出開口との間では一定であり、前記流入開口に近接している前記領域において前記気体が少なくとも音速に加速され、
前記流入開口に近接している前記領域と前記流出開口との間の前記マイクロチャネルの前記断面が、前記流入開口に近接している前記領域の前記マイクロチャネルの前記断面よりも大きい、請求項2に記載のシステム。 - 前記流出開口に近接している前記気体の前記第2の圧力が実質的に大気圧よりも小さく、
前記流入開口と前記流出開口との間の前記マイクロチャネルの長さに沿った直線距離は、0.01mm〜10mの範囲内にある値を有する、
請求項1に記載のシステム。 - 前記気体が空気を含む、請求項5に記載のシステム。
- 表面、流入開口、および流出開口を含むマイクロチャネルを提供することであって、前記表面が、鏡面壁部分を備え、前記流入開口が第1の断面積を有し、前記流出開口が、前記第1の断面積と実質的に異なる第2の断面積を有する、マイクロチャネルを提供することと、
構成粒子を含む気体を提供することと、
前記マイクロチャネルの断面に実質的に直交する第1の方向の前記流入開口から前記流出開口への前記気体のフローを、第1の圧力と第2の圧力との間の圧力差の作用により、誘起することと
を含む、冷却する方法であって、
前記流入開口に近接している前記気体の前記第1の圧力が大気圧であり、
前記第1の断面積が、0.01×10 −12 m 2 〜500×10 −12 m 2 の第1の範囲内にある値を有し、
前記第2の断面積が、0.1×10 −12 m 2 〜50,000×10 −12 m 2 の第2の範囲内にある値を有し、
前記鏡面壁部分および前記構成粒子の少なくとも1つが、前記構成粒子と前記鏡面壁部分との間の衝突の前の前記構成粒子の前記鏡面壁部分と平行な速度成分が、衝突後のそれと実質的に同じ値となるように構成され、さらに前記鏡面壁部分および前記構成粒子が、前記鏡面壁部分と前記鏡面壁部分の冷却に関連する前記構成粒子との間のエネルギー移動が前記構成粒子の前記鏡面壁部分に垂直な速度成分の増加によって生じるように構成される、方法。 - 前記マイクロチャネルの前記断面の少なくとも一部分が、前記第1の方向における前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じて変動する、請求項7に記載の方法。
- 前記第1の方向における前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記マイクロチャネルの前記断面の前記変動が、線形で増加している、請求項8に記載の方法。
- 前記第1の方向における前記流入開口と前記流出開口の間の長さに応じた前記マイクロチャネルの前記断面の前記変動が、
前記流入開口に近接している領域では急激であり、
前記流入開口に近接している前記領域と前記流出開口との間では一定であり、前記流入開口に近接している前記領域において前記気体が少なくとも音速に加速され、
前記流入開口と前記流出開口との間の前記マイクロチャネルの前記断面が、前記流入開口に近接している前記領域の前記マイクロチャネルの前記断面より大きい、請求項8に記載の方法。 - 前記流出開口に近接している前記気体の前記第2の圧力が実質的に大気圧よりも小さく、
前記流入開口と前記流出開口との間の前記マイクロチャネルの長さに沿った直線距離は、0.01mm〜10mの範囲内にある値を有する、
請求項7に記載の方法。 - 前記気体が空気を含む、請求項11に記載の方法。
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