JP6256431B2

JP6256431B2 - 磁気センサ装置

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Inventors: 善光和田; 上田　国博; 国博上田
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Description

本発明は、磁気センサチップをダイパッドに搭載してなる磁気センサ装置に関する。

従来、工作機械等において、移動体の回転移動や直線的移動による位置を検出するための位置検出装置が用いられている。この位置検出装置としては、磁気信号が記録された媒体と磁気センサ装置とを備えるものが知られており、この磁気センサ装置は、媒体と磁気センサ装置とが相対的に移動したときの磁界の方向の変動により、それらの相対的位置関係を示す信号を出力することができる。

かかる位置検出装置において用いられる磁気センサ装置としては、自由層と磁化固定層とを有する積層体であって、外部磁界に応じた自由層の磁化方向の変化に伴い抵抗が変化する磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を含む磁気センサチップと、磁気センサチップを搭載する搭載面を有するダイパッドと、ダイパッドの周囲に配置され、磁気センサチップの端子に電気的に接続される複数のリードとを有し、これらをトランスファー成形により樹脂封止してパッケージ化したものが知られている。

このような磁気センサ装置において、作動時の発熱等により磁気センサチップに対して応力（熱応力）が印加されることがある。特に、平面視において略方形状を有する磁気センサチップの４つの角部の少なくともいずれかに応力が集中してしまう。磁気センサチップ及びそれが搭載されるダイパッドを変形させる方向の上記熱応力が上記角部に印加される結果、磁気センサ装置の検出誤差が大きくなってしまうという問題がある。

従来、樹脂封止型半導体装置に関する技術ではあるものの、その実装時における加熱により封止樹脂にクラックが発生するのを防止することを目的として、半導体チップを載置するダイパッドの周辺部に、切欠や貫通孔が形成されている半導体装置が提案されている（特許文献１参照）。

特開平１１−１５０２１３号公報

上記特許文献１においては、半導体チップ（半導体素子）を載置するダイパッドの周辺部に切欠や貫通孔が形成されている。しかし、上記特許文献１において半導体チップに代えて磁気センサチップを用いたとき、ダイパッドの面積に対する切欠や貫通孔の面積比によっては、磁気センサ装置における検出誤差を低減できる程度に、作動時の発熱によって磁気センサチップに印加される応力（熱応力）を低減することは困難であるという問題がある。

そこで、本発明は、作動時の発熱等により磁気センサチップに対して応力が印加されたときであっても、検出誤差が増大するのを防止することのできる磁気センサ装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、平面視方形状の磁気センサチップと、前記磁気センサチップが搭載される搭載面を有するダイパッドとを備え、前記ダイパッドには、前記搭載面に搭載されている前記磁気センサチップの４つの角部のそれぞれが重なる位置に開口部が形成されており、前記ダイパッドの面積に対する前記開口部の面積比が、２０％以上であり、前記ダイパッドの平面視において、前記磁気センサチップと前記開口部との重なり部分の面積が、前記開口部の面積に対して４０％以上であることを特徴とする磁気センサ装置を提供する（発明１）。

上記発明（発明１）によれば、磁気センサチップが搭載されるダイパッドに、磁気センサチップの４つの角部に対応する開口部が形成されており、その開口部の面積が、所定の数値範囲内であることで、作動時の発熱等により磁気センサチップに対して応力が印加されたときであっても、検出誤差が増大するのを防止することができる。

上記発明（発明１）において、前記ダイパッドの面積に対する前記開口部の面積比が、２０〜４０％であるのが好ましい（発明２）。かかる発明（発明２）によれば、磁気センサチップに熱応力が印加されたときであっても検出誤差が増大するのを防止することができるとともに、ダイパッドの搭載面と磁気センサチップとが接触する面積を十分に確保することができるため、当該搭載面に磁気センサチップを確実に固定することができる。

上記発明（発明１，２）において、前記開口部が、前記磁気センサチップの４つの角部のそれぞれに対応して、前記ダイパッドに独立して形成されてなり、略円形状又は略楕円形状を有するのが好ましい（発明３）。

上記発明（発明１〜３）において、前記磁気センサチップと前記ダイパッドとの間には、それらを互いに固定する接着層が介在し、前記接着層は、平面視略十字状であるのが好ましい（発明４）。

上記発明（発明１〜４）において、少なくとも前記磁気センサチップと前記ダイパッドとを一体として封止する封止樹脂体をさらに備えることができ（発明５）、前記磁気センサチップとしては、ＴＭＲ素子又はＧＭＲ素子を含む磁気センサチップを用いることができる（発明６）。

本発明によれば、作動時の発熱等により磁気センサチップに対して応力が印加されたときであっても、検出誤差が増大するのを防止することのできる磁気センサ装置を提供することができる。

図１（Ａ）は、本発明の一実施形態に係る磁気センサ装置の概略構成を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、本発明の一実施形態におけるダイパッドの概略構成を示す平面図である。図２は、本発明の一実施形態に係る磁気センサ装置の概略構成を示す、図１（Ａ）におけるＩ−Ｉ線断面図である。図３は、本発明の一実施形態における磁気センサチップの回路構成を概略的に示す回路図である。図４は、本発明の一実施形態における磁気検出素子としてのＭＲ素子の概略構成を示す断面図である。図５は、本発明の一実施形態におけるリードフレームの概略構成を示す平面図である。図６は、本発明の一実施形態に係る磁気センサ装置の製造工程の一部を概略的に示す切断端面図である。図７は、実施例及び比較例の磁気センサ装置における試験結果を示すグラフである。

本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１（Ａ）は、本実施形態に係る磁気センサ装置の概略構成を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、本実施形態におけるダイパッドの概略構成を示す平面図であり、図２は、本実施形態に係る磁気センサ装置の概略構成を示す、図１（Ａ）におけるＩ−Ｉ線断面図であり、図３は、本実施形態における磁気センサチップの回路構成を概略的に示す回路図であり、図４は、本実施形態における磁気検出素子としてのＭＲ素子の概略構成を示す断面図であり、図５は、本実施形態におけるリードフレームの概略構成を示す平面図であり、図６は、本実施形態に係る磁気センサ装置の製造工程の一部を概略的に示す切断端面図である。

図１及び図２に示すように、本実施形態に係る磁気センサ装置１は、回転体等の相対的移動による回転角度等を検出するために用いられるものであって、平面視略方形状の磁気センサチップ２と、磁気センサチップ２が接着層３を介して接着固定されているダイパッド４と、ダイパッド４の周囲に配置されており、インナーリード５１及びアウターリード５２をそれぞれ含む複数（本実施形態においては８個）のリード５と、磁気センサチップ２の端子パッド２２とインナーリード５１とを電気的に接続するワイヤ６と、磁気センサチップ２、ダイパッド４、各インナーリード５１及びワイヤ６を一体として封止する封止樹脂体７とを備える。

ダイパッド４は、平面視略方形状であって、磁気センサチップ２が搭載される搭載面４１と、ダイパッド４の４つの角に連続し、後述するリードフレーム１０（図５参照）のフレーム部１１にダイパッド４を支持するための吊りリード４２とを有する。

ダイパッド４の搭載面４１には、搭載された磁気センサチップ２の４つの角部２１のそれぞれが重なる４つの開口部４３が独立して（互いに連続することなく）形成されている。ダイパッド４及びその搭載面４１に搭載された磁気センサチップ２の平面視において、磁気センサチップ２の４つの角部２１のそれぞれは、ダイパッド４の搭載面４１に形成されている４つの開口部４３のそれぞれに物理的に包含される。磁気センサチップ２の角部２１が開口部４３に重なっていないと、作動時の発熱等により応力が印加されたときに検出誤差が増大してしまう。なお、開口部４３の形状としては、特に限定されるものではないが、例えば、略円形状、略楕円形状等が挙げられる。

ダイパッド４に形成されている４つの開口部４３の総面積は、ダイパッド４の面積の２０％以上であり、好ましくは２０〜４０％である。後述する実施例からも明らかなように、ダイパッド４の面積に対する開口部４３の総面積の比（開口部４３の開口率）が２０％未満となると、検出誤差が大きくなってしまう。また、当該開口部４３の開口率が４０％を超えると、ダイパッド４の搭載面４１に対する磁気センサチップ２の接着強度が低下してしまうおそれが生じたり、平面視略方形状のダイパッド４の辺４ａ，４ｂに沿った方向（図１（Ｂ）に示す例の縦方向及び横方向）に隣接する開口部４３の間の長さが小さくなり、ダイパッド４の強度が低下してしまうおそれが生じたりする。なお、ダイパッド４の面積は、ダイパッド４の一方向（図１（Ｂ）に示す例では横方向）にて対向する略平行な２辺４ａ，４ａ間の長さＬａと当該一方向に直交する他方向（図１（Ｂ）に示す例では縦方向）にて対向する略平行な２辺４ｂ，４ｂ間の長さＬｂとの積（Ｌａ×Ｌｂ）で表される。

磁気センサチップ２が搭載されたダイパッド４の当該磁気センサチップ２側からの平面視において、４つの開口部４３のそれぞれの面積に対する磁気センサチップ２の４つの角部２１のそれぞれが重なっている部分（図１（Ａ）において斜線にて示す部分）の面積の比（オーバーラップ率）は、４０％以上である。当該面積比（オーバーラップ率）が４０％未満となると、磁気センサ装置１における検出誤差が大きくなってしまう。なお、当該面積比（オーバーラップ率）の上限値は、磁気センサチップ２の角部２１が開口部４３上に位置している限りにおいて特に制限されるものではない。例えば、開口部４３が円形状である場合、当該面積比が７０％を超えると、略方形状の磁気センサチップ２の角部２１を開口部４３上に位置させることができず、作動時の発熱に伴い磁気センサチップ２の角部２１に集中して印加される応力によって、検出誤差が増大してしまう。

ダイパッド４を構成する材料としては、特に限定されるものではなく、公知の導電性材料を用いることができる。当該導電性材料としては、例えば、銅、ステンレス、アルミニウム、鉄、ルテニウム、銀等が挙げられる。

磁気センサチップ２は、少なくとも１つの磁気検出素子を含む。磁気センサチップ２は、少なくとも１つの磁気検出素子として、直列に接続された一対の磁気検出素子を含んでいてもよい。この場合において、磁気センサチップ２は、直列に接続された第１の一対の磁気検出素子と、直列に接続された第２の一対の磁気検出素子とを含むホイートストンブリッジ回路を２つ有する。

図３に示すように、磁気センサチップ２が有する第１のホイートストンブリッジ回路２Ａは、電源ポートＶ１と、グランドポートＧ１と、２つの出力ポートＥ１１，Ｅ１２と、直列に接続された第１の一対の磁気検出素子Ｒ１１，Ｒ１２と、直列に接続された第２の一対の磁気検出素子Ｒ１３，Ｒ１４とを含む。磁気検出素子Ｒ１１，Ｒ１３の各一端は、電源ポートＶ１に接続されている。磁気検出素子Ｒ１１の他端は、磁気検出素子Ｒ１２の一端と出力ポートＥ１１とに接続されている。磁気検出素子Ｒ１３の他端は、磁気検出素子Ｒ１４の一端と出力ポートＥ１２とに接続されている。磁気検出素子Ｒ１２，Ｒ１４の各他端は、グランドポートＧ１に接続されている。電源ポートＶ１には、所定の大きさの電源電圧が印加され、グランドポートＧ１はグランドに接続される。

第２のホイートストンブリッジ回路２Ｂは、電源ポートＶ２と、グランドポートＧ２と、２つの出力ポートＥ２１，Ｅ２２と、直列に接続された第１の一対の磁気検出素子Ｒ２１，Ｒ２２と、直列に接続された第２の一対の磁気検出素子Ｒ２３，Ｒ２４とを含む。磁気検出素子Ｒ２１，Ｒ２３の各一端は、電源ポートＶ２に接続されている。磁気検出素子Ｒ２１の他端は、磁気検出素子Ｒ２２の一端と出力ポートＥ２１とに接続されている。磁気検出素子Ｒ２３の他端は、磁気検出素子Ｒ２４の一端と出力ポートＥ２２とに接続されている。磁気検出素子Ｒ２２，Ｒ２４の各他端は、グランドポートＧ２に接続されている。電源ポートＶ２には、所定の大きさの電源電圧が印加され、グランドポートＧ２はグランドに接続される。

本実施形態において、第１及び第２のホイートストンブリッジ回路２Ａ，２Ｂに含まれるすべての磁気検出素子Ｒ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４として、ＴＭＲ素子、ＧＭＲ素子等のＭＲ素子を用いることができ、特にＴＭＲ素子を用いるのが好ましい。ＴＭＲ素子、ＧＭＲ素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、印加される磁界の方向に応じて磁化方向が変化する自由層と、磁化固定層及び自由層の間に配置される非磁性層とを有する。

具体的には、図４に示すように、ＭＲ素子は、複数の下部電極９１と、複数のＭＲ膜８０と、複数の上部電極４２とを有する。複数の下部電極９１は、基板（図示せず）上に設けられている。各下部電極９１は細長い形状を有する。下部電極９１の長手方向に隣接する２つの下部電極９１の間には、間隙が形成されている。下部電極９１の上面における、長手方向の両端近傍にそれぞれＭＲ膜８０が設けられている。ＭＲ膜８０は、下部電極９１側から順に積層された自由層８１、非磁性層８２、磁化固定層８３及び反強磁性層８４を含む。なお、下部電極９１と自由層８１との間には、それらを電気的に接続するキャップ層（図示せず）が設けられ、反強磁性層８４と上部電極９２との間には、下地層（図示せず）が設けられている。反強磁性層８４は、反強磁性材料により構成され、磁化固定層８３との間で交換結合を生じさせることで、磁化固定層８３の磁化の方向を固定する役割を果たす。複数の上部電極９２は、複数のＭＲ膜８０上に設けられている。各上部電極９２は細長い形状を有し、下部電極９１の長手方向に隣接する２つの下部電極９１上に配置され、隣接する２つのＭＲ膜８０の反強磁性層８４同士を電気的に接続する。なお、ＭＲ膜８０は、上部電極９２側から順に自由層８１、非磁性層８２、磁化固定層８３及び反強磁性層８４が積層されてなる構成を有していてもよい。

ＴＭＲ素子においては、非磁性層８２はトンネルバリア層である。ＧＭＲ素子においては、非磁性層８２は非磁性導電層である。ＴＭＲ素子、ＧＭＲ素子において、自由層８１の磁化の方向が磁化固定層８３の磁化の方向に対してなす角度に応じて抵抗値が変化し、この角度が０°（互いの磁化方向が平行）のときに抵抗値が最小となり、１８０°（互いの磁化方向が反平行）のときに抵抗値が最大となる。

図３において、磁気検出素子Ｒ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４の磁化固定層８３の磁化の方向を塗りつぶした矢印で表す。磁気センサチップ２において、磁気検出素子Ｒ１１，Ｒ１４，Ｒ２１，Ｒ２４の磁化固定層８３の磁化の方向と、磁気検出素子Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ２２，Ｒ２３の磁化固定層８３の磁化の方向とは、互いに反平行方向である。磁気センサチップ２において、外部磁場の変化に伴う自由層８１の磁界方向の変化に応じて、出力ポートＥ１１，Ｅ１２から磁界強度を表す正弦波の信号Ｓ１１，Ｓ１２が出力され、出力ポートＥ２１，Ｅ２２から磁界強度を表す余弦波の信号Ｓ２１，Ｓ２２が出力される。

本実施形態において、磁気センサチップ２は、ダイパッド４の搭載面４１に接着層３を介して接着固定されている。当該接着層３を構成する材料としては、例えば、導電性ペースト、絶縁性ペースト、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）等が用いられ得る。

磁気センサチップ２をダイパッド４の搭載面４１に接着固定する接着層３は、平面視略十字状である。本実施形態において、磁気センサチップ２に印加される熱応力による検出誤差の増大を防止すべく、ダイパッド４の搭載面４１に４つの開口部４３が形成されている。そのため、磁気センサチップ２とダイパッド４の搭載面４１との間に介在する接着層３を平面視略十字状とすることにより、開口部４３から接着層３を構成する材料が漏出するのを防止しつつ、磁気センサチップ２をダイパッド４の搭載面４１に確実に接着固定することができる。

ワイヤ６は、磁気センサチップ２の端子パッド２２とインナーリード５１とを電気的に接続するものであり、本実施形態においては、ボンディングワイヤが用いられている。リード５は、磁気センサチップ２にて生成される信号を磁気センサ装置１の外部に取り出すために用いられる電極であって、ワイヤ６を介して磁気センサチップ２の端子パッド２２と電気的に接続されるインナーリード５１と、磁気センサ装置１の実装用部材として機能するアウターリード５２とを含む。インナーリード５１は、リード５のうち、封止樹脂体７内に封止されている部分であり、アウターリード５２は、封止樹脂体７外に露出している部分である。

リード５を構成する材料としては、ダイパッド４と同一材料であって、公知の導電性材料（例えば、銅、ステンレス、アルミニウム、鉄、ルテニウム、銀等）等が用いられ得る。

本実施形態において、リード５（インナーリード５１及びアウターリード５２）は、ダイパッド４の搭載面４１に搭載（接着固定）されている磁気センサチップ２の厚さ方向の略中心位置を含む平面であって、搭載面４１と平行な平面上に位置するが（図２参照）、このような態様に限定されるものではなく、リード５（インナーリード５１及びアウターリード５２）は、ダイパッド４と同一平面上に位置していてもよい。リード５（インナーリード５１及びアウターリード５２）が当該平面上に位置することで、磁気センサ装置１の厚さ方向の略中心にアウターリード５２を位置させたときに、磁気センサチップ２の厚さ方向上下に位置する封止樹脂体７（樹脂材料）の厚さを略同一にすることができるため、磁気センサ装置１における検出誤差をより低減することができる。なお、リード５とダイパッド４とが同一平面上に位置する場合においても、磁気センサチップ２の厚さ方向上下に位置する封止樹脂体７（樹脂材料）の厚さを略同一にすることで、磁気センサ装置１における検出誤差をより低減することができる。

本実施形態において、封止樹脂体７を構成する樹脂材料としては、特に限定されるものではなく、樹脂封止型半導体装置等において一般的に用いられている樹脂材料を用いることができる。

上述した構成を有する磁気センサ装置１において、その作動時の発熱により、応力が印加され、磁気センサチップ２の４つの角部２１に対し、ダイパッド４側に変形する方向の応力が集中する。このとき、ダイパッド４に開口部４３が形成されていないと、当該応力の作用する方向（磁気センサチップ２からダイパッド４に向かう方向）とは反対方向の力がダイパッド４側から磁気センサチップ２の角部２１に作用するため、角部２１に集中する熱応力が弱まったときなどに、角部２１がダイパッド４から離れる方向に変形してしまうことがある。しかしながら、本実施形態においては、熱応力の集中する角部２１が、ダイパッド４の搭載面４１の開口部４３上に位置することで、当該開口部４３が熱応力の緩衝作用として機能し得るため、磁気センサチップ２の変形を抑制することができる。よって、本実施形態に係る磁気センサ装置１によれば、作動時の発熱による熱応力が印加されたとしても、検出誤差が増大するのを防止することができる。

上記磁気センサ装置１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
まず、フレーム部１１と、フレーム部１１内に位置するダイパッド４と、ダイパッド４及びフレーム部１１を連続する吊りリード４２と、フレーム部１１に連続し、ダイパッド４の周囲に配置されている複数のリード５とを備えるリードフレーム１０（図５参照）を準備する。なお、本実施形態において、リードフレーム１０としては、１つのダイパッド４を有するものを例に挙げているが、かかる態様に限定されるものではなく、複数のダイパッド４を有する、いわゆる多面付けのものであってもよい。

そして、当該リードフレーム１０のダイパッド４の搭載面４１に接着層３を構成する材料を略十字状に塗布し、接着層３により磁気センサチップ２を固定接着し、磁気センサチップ２の端子パッド２２とインナーリード５１とをワイヤ（金等の金属細線）６で電気的に接続する（図６（Ａ）参照）。ダイパッド４に磁気センサチップ２を固定接着する際、磁気センサチップ２の角部２１のすべてを、ダイパッド４に形成されている開口部４３上に位置させるようにする。

次に、リードフレーム１０を成形金型内に収容し、アウターリード５２を外部に露出させるようにして、磁気センサチップ２、ダイパッド４、インナーリード５１、吊りリード４２及びワイヤ６を封止樹脂体７により封止する（図６（Ｂ）参照）。

その後、封止樹脂体７により封止されたリードフレーム１０を成形金型から取り出し、アウターリード５２を外部に露出させるようにして、リード５及び吊りリード４２を切断する。このようにして、本実施形態に係る磁気センサ装置１が製造される。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。

〔実施例１〕
図１及び図２に示す構成を有する磁気センサ装置１を準備した。かかる磁気センサ装置１において、円形状の４つの開口部４３の直径を０．４６ｍｍ、ダイパッド４の面積を１．６９ｍｍ²、オーバーラップ率（開口部４３の面積に対する磁気センサチップ２の角部２１が重なっている部分（図１（Ａ）において斜線にて示す部分）の面積の比）を４５％とした。実施例１の磁気センサ装置１を用いた回転角度検出装置にて、磁気センサ装置１における回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔実施例２〕
４つの開口部４３の直径を０．４０ｍｍとした以外は、実施例１と同様の構成を有する磁気センサ装置１を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔実施例３〕
４つの開口部４３の直径を０．３６ｍｍとした以外は、実施例１と同様の構成を有する磁気センサ装置１を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔実施例４〕
４つの開口部４３の直径を０．３３ｍｍとした以外は、実施例１と同様の構成を有する磁気センサ装置１を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔実施例５〕
オーバーラップ率を４０％とした以外は、実施例４と同様の構成を有する磁気センサ装置１を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔実施例６〕
オーバーラップ率を５５％とした以外は、実施例４と同様の構成を有する磁気センサ装置１を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔実施例７〕
オーバーラップ率を７０％とした以外は、実施例１と同様の構成を有する磁気センサ装置１を準備し、回転角度の測定誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔実施例８〕
オーバーラップ率を４０％とした以外は、実施例２と同様の構成を有する磁気センサ装置１を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔実施例９〕
オーバーラップ率を４０％とした以外は、実施例１と同様の構成を有する磁気センサ装置１を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔実施例１０〕
オーバーラップ率を７０％とした以外は、実施例１と同様の構成を有する磁気センサ装置１を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔比較例１〕
４つの開口部４３の直径を０．３０ｍｍとした以外は、実施例１と同様の構成を有する磁気センサ装置を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔比較例２〕
４つの開口部４３の直径を０．２０ｍｍとした以外は、実施例１と同様の構成を有する磁気センサ装置を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔比較例３〕
４つの開口部４３の直径を０．１０ｍｍとした以外は、実施例１と同様の構成を有する磁気センサ装置を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔比較例４〕
オーバーラップ率を３５％とした以外は、比較例１と同様の構成を有する磁気センサ装置を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔比較例５〕
オーバーラップ率を２５％とした以外は、比較例１と同様の構成を有する磁気センサ装置を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

〔比較例６〕
オーバーラップ率を１３％とした以外は、比較例１と同様の構成を有する磁気センサ装置を準備し、回転角度の検出誤差（ｄｅｇ）を求めた。結果を表１及び図７に示す。

表１及び図７に示す結果から明らかなように、開口率が２０％以上のダイパッド４の搭載面４１に、ダイパッド４の各開口部４３に各角部２１が重なるように、かつオーバーラップ率が４０％以上となるように磁気センサチップ２を搭載してなる磁気センサ装置１であれば、検出誤差を格段に低減可能であることが確認された。

１…磁気センサ装置
２…磁気センサチップ
２１…角部
３…接着層
４…ダイパッド
４１…搭載面
４３…開口部
５…リード
７…封止樹脂体

Claims

平面視方形状の磁気センサチップと、
前記磁気センサチップが搭載される搭載面を有するダイパッドと
を備え、
前記ダイパッドには、前記搭載面に搭載されている前記磁気センサチップの４つの角部のそれぞれが重なる位置に開口部が形成されており、
前記ダイパッドの面積に対する前記開口部の面積比が、２０％以上であり、
前記ダイパッドの平面視において、前記磁気センサチップと前記開口部との重なり部分の面積が、前記開口部の面積に対して４０％以上であることを特徴とする磁気センサ装置。
前記ダイパッドの面積に対する前記開口部の面積比が、２０〜４０％であることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ装置。
前記開口部が、前記磁気センサチップの４つの角部のそれぞれに対応して、前記ダイパッドに独立して形成されてなり、略円形状又は略楕円形状を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサ装置。
前記磁気センサチップと前記ダイパッドとの間には、それらを互いに固定する接着層が介在し、
前記接着層は、平面視略十字状であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の磁気センサ装置。
少なくとも前記磁気センサチップと前記ダイパッドとを一体として封止する封止樹脂体をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の磁気センサ装置。
前記磁気センサチップは、ＴＭＲ素子又はＧＭＲ素子を含む磁気センサチップであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の磁気センサ装置。