JP6255340B2 - 構成部品の接続方法及び複合構造 - Google Patents

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Description

関連出願のクロスリファレンス
本願は、米国特許法第１１９条（ａ）の下に、独国特許出願第１０２０１１０８０６３５号（特許文献１）、２０１１年８月９日出願に基づいて優先権を主張し、その全文を参照する形で本願に含める。
発明の背景
本発明は、異なる剛性を有する２つ（以上）の構成部品を接続する方法、及び複合構造に関するものである。
ウェハーの形態のプレート（平板）状物体を装着するために、ウェハーを適切に位置決めまたは固定することを意図したいわゆるウェハーチャックを使用する。この場合に、ウェハー自体は一般に、ウェハーテーブルとして指定された同様にプレート形状のマウント（架台）状に装着する。ウェハーを操作するために、ウェハーをウェハーテーブルと共に、ウェハーチャックの上面側に固定するか、ウェハーチャックに接続する。
２つの物体を接続する複数の方法が、例えば出願人による国際公開第２００８／０１７４４９号（特許文献２）に開示されている。２つ以上の物体または構成部品を接続するために、例えば、これら２つの構成部品を重ねて固着することが知られている。固着は２つの材料の接続であり、それらの表面どうしを付け合わせて、分子間力（分子引力）のみによって保持し、従って、この接続は（例えば、湿気またはくさび効果の影響下で）部分的に、あるいは完全に分離され得る。しかし、固着は、必ずしもすべての材料または材料の組合せについて可能ではなく、互いに固着させようとする表面の大きさも重要である。困難を伴って初めて固着することのできる構成部品間の接続を行うために、これら２つの構成部品どうしを直接接着することができる。
しかし、構成部品どうしを接着する際には、接着剤が硬化して、その結果接着剤に収縮が生じるという問題が発生する。その結果、これらの構成部品に応力が発生することがあり、この応力が変形を生じさせる。このことは、互いに接着された構成部品どうしが（大幅に）異なる剛性を有する場合に問題となる、というのは、この場合に、接着によって生じる変形が、より小さい剛性の構成部品に大きく伝わるからである。
このように、より小さい剛性の構成部品に変形が伝わることは、特に、この構成部品ができる限り高い寸法安定性を持つことを意図されている場合に、不都合である。このことは例えば、大部分は比較的高い剛性を有する材料で構成される「ウェハーテーブル」を、一般により低い剛性を有する「ウェハーチャック」に接着する場合に当てはまる。「ウェハーチャック」は一般に、少なくとも一方の側面に、レーザーを用いてこの「ウェハーチャック」の位置を定めるためのミラーまたはミラーコーティング（反射塗膜）を有し、従って、高い寸法安定性を有すべきである。
ウェハーチャックは一般に、移動中または位置決め中の慣性を低減するために、比較的軽い材料で形成され、全体的または部分的に、例えばZerodur（登録商標）またはコージーライトで製造され、これらは相対密度が低く、かつ剛性が低い。従って、接着剤の収縮によって生じる変形は、不正確な位置決めをもたらし、従って、（複数回連続する露光の場合に）オーバーレイ（重ね合わせ）の大幅な誤差をもたらすことがあり、「ウェハーチャック」をマイクロリソグラフィーでの使用に堪えないものとすることがある。
独国特許出願第１０２０１１０８０６３５．０明細書 国際公開第２００８／０１７４４９号 米国特許第６２８４０８５号明細書 米国特許出願公開第２００４／０２４７８２６号明細書
発明の目的
本発明の目的は、異なる剛性を有する構成部品どうしを、小さい変形が生じる方法で接続する方法を提供することにある。
発明の主題
この目的は、異なる剛性を有する２つの構成部品を接続する方法によって達成され、この方法は、プレート状物体を、より高い剛性を有する構成部品上に接着するステップであって、この接着を、好適にはプレート状物体上への接着によって生じる変形を修正する結合剤、特に接着剤を用いて実行するステップと、より低い剛性を有する構成部品を、上記プレート状物体に接続するステップとを含む。
本発明は、プレート状物体を、より高い剛性を有する構成部品に接着することを提案する。この場合、プレート状物体が第１構成部品より低い剛性を有して、接着によって生じる、例えば接着剤による接着の場合は接着剤の硬化または接着剤の滑りによって生じる機械的応力または変形が、プレート状物体に伝わるようにすることができる。結果的にプレート状物体に生じる変形は、例えば、第２構成部品をプレート状物体に接続する表面を平滑化することによって修正する。
１つの変形例では、より低い剛性を有する構成部品を、固着、陽極接合、または融着によってプレート状物体に接続する。こうした固着、接合または融着によって、構成部品には、追加的変形が生じないか、非常に小さい追加的変形しか生じないので、上述した方法で、小さい変形しか生じない接合方法を実現することができる。上述した結合方法は、結合剤（「直接接着」）を用いずに遂行されるので、こうしたことが可能である。「融着」では、ガラス相の遷移温度に達するかこれを超えると、接続される表面が最初に融解し、いわゆる陽極接合では、電荷輸送が、この表面の領域内で接続される物質どうしの化学反応を促進し、このため陽極接合は、「融着」よりも低い温度で実行することができる。陽極接合では、概ね金属のコーティング（被覆）を、接続される表面の少なくとも一方に付加することが有利であり得る。
これとは対照的に、結合剤を用いて行う接続は一般に、生じる変形が小さい方法での接続には適していない。従って、シリコンを含む２つの構成部品の接続については、結合される表面どうしを、これらの表面間に化学（共有）結合が形成されるほど十分に近づける前に、これらの表面の少なくとも一方に水酸化物イオンを加えることによる、水酸化物を触媒とする水和／脱水による接続を室温で実行することが、米国特許第６２８４０８５号明細書（特許文献３）より知られる。米国特許出願公開第２００４／０２４７８２６号明細書（特許文献４）はさらに、複合構造を作製する方法を開示し、この方法では、２つの構成部品間の接続を、ケイ酸塩（シリケート）含有接着剤の室温での硬化によって、あるいは、所定の、低速の温度上昇で接続部を脱水する熱処理によって生成する。これらの方法は共に、原則として、より高い剛性を有する構成部品とプレート状物体とを接続するために用いることもできるが、この場合に生じる変形、あるいは変形のゆらぎは、本発明にとっては大き過ぎることがあり、このため、より高い剛性を有する構成部品のプレート状物体への接着が好ましい。
本発明の場合、物体の剛性とは、構成部品の（物質固有の）弾性係数（例えばN/mm2単位）を意味する。本発明の場合、プレート状物体とは、その厚さが１０mm以下、標準値が一般に約５mm以下である物体を意味する。シリコン含有の構成部品への接続を促進するためには、プレート状物体自体がシリコンを含有し、かつ、例えば石英ガラスで形成されることが有利である。
１つの展開では、洗浄ステップが固着に先行し、及び／または、液体によって固着を支援する。固着のためには、結合される構成部品にできる限り粒子が存在せぬべきであり、このことは表面洗浄によって実現することができ、表面洗浄は、アセトンでの洗浄またはバックスキン（鹿革）での研磨のような洗浄方法を含む。適切であれば、固着の前に一方または両方の表面に直接塗布する液体によって、固着を支援することができる。一例として、ポリジメチルシロキサンが、固着を促進する液体として適切であることが証明されている。固着可能な材料は、例えば石英ガラス、ＵＬＥ（登録商標）、またはZerodur（登録商標）である。
１つの変形例では、プレート状物体がガラス、特に石英ガラスで構成され、この物体に、接着後に熱処理を施して、機械的応力を低減し、かつ機械的安定性を増加させることが好ましい。第１構成部品上に接着された薄いガラスプレート（ガラス板）の使用が、機械的応力を吸収するために特に有利であることが証明されている、というのは、このガラスプレートに伝わる機械的応力を、例えば、熱処理及び／または後処理によって良好に低減または補償することができるからである。
他の変形例では、プレート状物体の変形を修正する前に、接着によってプレート状物体に生じる機械的応力が（事実上）もはや変化しないまで待機する。このようにして、まだ物体内に存在する応力が、修正ステップ後に再び変形を生じさせ得る状況、及び適切であれば、固着または接着後に、こうした応力が、それぞれの表面における接続を不安定にする結果をもたらし得る不所望な変形を生じさせ得る状況を、回避することができる。
１つの変形例では、プレート状物体を接着することと、プレート状物体の変形を修正することとの間に、少なくとも１週間、好適には少なくとも３週間継続する待機が存在する。より高い剛性を有する構成部品とプレート状物体とで構成される複合体を、少なくとも１週間貯蔵し、プレート状物体の厚さ及び材料次第では、３週間以上にわたる貯蔵が有利なこともある。長期の貯蔵によって、プレート状物体内の機械的応力に平衡状態への遷移が生じて、修正を実行した際にもはや変化しないことを保証することができる。
１つの変形例では、修正することが、第２構成部品を接続するプレート状物体の表面を平滑化することを含む。プレート状物体内の応力は変形を生じさせ、この変形は特に、第２構成部品を接続しようとするプレート状物体の表面にも生じる。この表面における変形は平滑化によって修正することができ、この平滑化は、１つ以上機械的研磨ステップを含む。これに加えて、あるいはその代わりに、この表面をイオンビーム処理によって平滑化することもできる。両者の場合において、この平滑化は、事実上完全な表面平坦性が達成されるまで実行することができ、これにより、より低い剛性を有する構成部品の固着または接着が促進される。
他の変形例では、より高い剛性を有する構成部品の、少なくともプレート状物体に接続する領域が、シリコンカーバイド（炭化ケイ素）を含有し、特にSiSiCで形成される。SiSiCは、反応結合されるシリコン浸潤のシリコンカーバイドである。SiSiCは、高比率のシリコンカーバイド（一般に＞８５％）、及びこれに応じたより低比率の金属シリコン（一般に＜１５％）で構成され、製造する方法に起因して、事実上残留孔を有しない。こうした材料は、さらに（約４０００００N/mm2の）高い硬度及び剛性を有し、ウェハー用の支持体として、またはウェハーテーブルとして、あるいは冷却機能を有する担体として機能するのに特に適している。
他の変形例では、より低い剛性を有する構成部品の、少なくともプレート状物体に接続される領域が、コージーライト、ガラスセラミック、石英ガラス、またはドーピングしたケイ酸塩ガラスで形成される。コージーライトも、特にその低い相対密度により、ウェハーチャックに適した材料であることが証明されている。ガラスセラミック及びドーピングしたケイ酸ガラスも、その低い熱膨張係数により、特にウェハーチャックとして、あるいはＥＵＶ（Extreme UltraViolet：極紫外線）ミラー用の基板としての使用に有利であることが証明されているが、シリコンカーバイドのような材料に比べて大幅に低い剛性を有し、第２構成部品の構造及び通常はより小さい厚さも、接着剤の収縮により始まった変形を伝えるために重要である。適切であれば、プレート状物体に接続されるより低剛性の構成部品の表面にコーティングを施して、プレート状物体への接続を促進することもできる。一例として、陽極接合の場合に、例えばアルミニウムから成る金属コーティングを、より低剛性の構成部品に施すことができる。
ガラスセラミックは一般に二酸化シリコンから成り、例えばリチウム（Li）、マグネシウム（Mg）またはアルミニウム（Al）のような他の種々の物質の酸化物が混合されている。こうしたセラミックにおける結晶相対ガラス相の比率は一般に、異なる相の熱膨張係数が、いわゆるゼロクロス温度付近で実質的に互いに相殺し合って、これらの材料が、その動作温度範囲で、極めて小さい熱膨張によって同様に区別されるように設定する。こうしたガラスセラミックは、例えばSchott AG（独ショット社）によってZerodur（ゼロデュア）（登録商標）の商標名で、あるいはオハラ社によってクリアセラム（Clearceram）（登録商標）の商標名で提供されている。
低い熱膨張係数の要件を満たす材料の他のグループは、ドーピングしたケイ酸塩ガラス、例えば二酸化チタニウムでドーピングしたケイ酸塩ガラスまたは石英ガラスであり、一般に９０％以上の比率のケイ酸塩ガラスを有する。市場で入手可能なケイ酸塩ガラスは、Corning Inc.（米コーニング社）によってＵＬＥ（登録商標）（Ultra Low Expansion Glass：超低熱膨張ガラス）の商標名で市販されている。この材料では、二酸化チタニウム分対ケイ酸塩ガラス分の比率を、生産中に、これら２つの部分の熱膨張係数がおよそ互いに補償し合うように選定する。
本発明の他の態様は複合体に関するものであり、この複合体は：異なる剛性を有する第１及び第２構成部品と、好適には結合剤、特に接着剤を用いて、より高い剛性を有する構成部品に接着されたプレート状物体とを具え、より低い剛性を有する構成部品が、プレート状物体の、より高い剛性を有する構成部品とは反対側を向いた表面に、結合剤を用いずに接続される。こうした複合体の形成中に、より低い剛性を有する構成部品には少数の変形しか生じない、というのは、接着中に生じる変形は、より低い剛性を有する構成部品が、プレート状物体の前処理されて平滑化された表面に接続される前に、プレート状物体によって吸収されるからである。
１つの好適例では、プレート状物体がガラスプレートであり、一般に約１０mm未満の厚さを有する。このことは、ガラスプレート内に生じる機械的応力を比較的急速に低減するために有利である。さらに、比較的薄いプレートの提供は、複合体の体積及び重量が無用に増加しないことを意味する。
１つの好適例では、より高い剛性を有する構成部品の剛性が、より低い剛性を有する構成部品の剛性の少なくとも２倍、適切であれば少なくとも４倍の大きさである。このことは、例えば、（少なくとも、プレート状物体に接続される領域内で）より高い剛性を有する材料が、シリコンカーバイドまたはSiSiCから成り、より低い剛性を有する材料が、コージーライト、ガラスセラミック、ドーピングしたケイ酸塩ガラスまたは石英ガラスから成る、２つの構成部品の場合に当てはまる。
以上で説明したように、この複合構造は、特に以上で指定した材料を用いる際に、ウェハー用の保持装置として機能することができる。この場合、より高い剛性を有する構成部品が、ウェハー（ウェハーテーブル）を（直接）支持する働きをする。より低い剛性を有する構成部品は、より高い剛性を有する構成部品を位置決めする働きをし、この目的のために、１つ以上のミラーを有する。これらのミラーは、例えば、より低い剛性を有する構成部品上に横方向に形成することができ、そして、レーザー放射等を反射する働きをする。特に、反射性の多層コーティングをミラーとして用いることもできるが、適切であれば、単一材料、例えばアルミニウムプレートから成るミラーを用いることもできる。
１つの代案の好適例では、より低い剛性を有する構成部品が、ＥＵＶ放射に対して反射性であるコーティングを有する。この場合、より低い剛性を有する物体を、例えばZerodur（登録商標）で構成されるかＵＬＥ（登録商標）で構成される基板を有するミラーとして具体化し、このミラーに、ＥＵＶ放射に対して反射性であるコーティングを加える。このＥＵＶミラーは、コーティングとは反対側の表面によって、プレート状物体に接続されるか、より高い剛性を有する物体に接続され、より高い剛性を有する物体は、ＥＵＶミラー用の担体を形成して、その機械的安定性を増加させるか、このミラーを冷却する。この担体が冷却機能を果たす場合、１つ以上の冷却チャネル（流路）がこの担体内に設けられる。
以上の複合体の説明は２つの構成部品について行ったが、各々が異なる剛性を有する３つ以上の構成要素を、上述した方法で互いに接続することができることは言うまでもない。
本発明の他の特徴及び利点は、以下の、本発明に欠かせない細部を示す図面を参照した本発明の好適な実施形態の説明、及び特許請求の範囲より明らかになる。各場合において、個別の特徴は、単独で個別に実現することができるか、本発明の変形例において、あらゆる所望の組合せにおける複数のものとして実現することができる。
好適な実施形態を、以下の概略的な図面に図示して、以下の記載において説明する
２つの構成部品を接着によって接続する方法の概略図である。 ２つの構成部品を、ガラスプレートを用いて接続して変形を吸収する方法の概略図である。 ２つの構成部品を、ガラスプレートを用いて接続して変形を吸収する方法の概略図である。 図２ａ、ｂに類似した方法の概略図であり、ＥＵＶミラーが担体に接続される。 図２ａ、ｂに類似した方法の概略図であり、ＥＵＶミラーが担体に接続される。
図１に、２つの構成部品を接着によって接続する方法を概略的に示す。本例では、第１構成部品１がSiSiCで形成され、約４０００００N/mm2の剛性Ｅ１（弾性係数）を有する。この例では、第２構成部品２が、９００００N/mm2の剛性を有するZerodur（登録商標）から成る。第１構成部品が、いわゆる「ウェハーテーブル」を形成し、第２構成部品２が、第１構成部品１の上面１ａ上に配置されるウェハー（図１には図示せず）用の「ウェハーチャック」を形成する。第１及び第２構成部品１、２用には、他の材料を用いることもできることは言うまでもなく、一例として、第１構成部品１はシリコンカーバイドで構成することができ、第２構成部品２は、低い熱膨張係数（ＣＴＥ：Coefficient of Thermal Expansion）を有するガラスセラミックまたはドーピングした石英ガラス、あるいはコージーライトで構成することができる。
適切であれば、第１及び／または第２構成部品１、２自体が、複数の異なる材料で構成される複合構造を形成することができる。一例として、第２構成部品２は、第１構成部品に対面する大きな領域をZerodur（登録商標）で構成することができ、そして、第１構成部品とは反対側の大きな領域を、低い熱膨張係数を有する異なる材料、例えばコージーライトで構成することができる。
図１に示す方法では、第１構成部品１を接着によって第２構成部品に接続する。接着剤（図示せず）の選定は、特に、第１構成部品の材料の種類に依存する。適切な接着剤は一般に２成分接着剤、特にエポキシ系接着剤、及びできればＵＶ（UltraViolet：紫外線）硬化性接着剤の形態の１成分接着剤である。こうした接着剤は一般に、接着後に収縮するので、局所的な変形または応力が２つの構成部品間に発生し、これらの変形または応力は、より低い剛性Ｅ２＜Ｅ１のため、本質的に第２構成部品に伝わる。第２構成部品２の変形は、図１の右側に（大幅に誇張して）例示する。
２つの構成部品１、２を、第２構成部品２の目に見える変形を発生させずに互いに接続するために、以下に図２ａ、ｂを参照してより詳細に説明する方法を用いる。この方法では、まず、第１ステップが、一般に数ミリメートル（例えば１０mm以下）の厚さｄを有する薄いガラスプレート３の形態のプレート状物体を、第１構成部品１の表面１ｂ上に接着することを含む。本例では、ガラスプレート３が、第１構成部品１の剛性Ｅ１より低い剛性を有するので、図２ａの右側に例示するように、接着中に生じる変形が本質的にガラスプレート３内に伝わる。プレート状物体３の第１構成部品１の表面１ｂへの接着を、例えば特許文献３に開示されているように水和／脱水プロセスを用いて行う際、あるいは特許文献４に記載されているように、この結合に結合剤を用いる際にも、同様の変形が生じ得ることは明らかである。
ガラスプレート３内の機械的変形を低減するために、ガラスプレート３にまず熱処理を施し、即ち、約６０℃の温度まで加熱して、数時間の期間にわたってこの温度に保って、この変形を補償する。その後に、ガラスプレート３を接着した構成部品１を、より長期間（通常は少なくとも１週間、適切であれば３週間以上）にわたって、接着剤の収縮によってガラスプレート３に生じた応力、従ってガラスプレート３の表面３ａの変形が時間的に安定するまで貯蔵する。
後続するステップは、ガラスプレート３の変形を、ガラスプレート３の第１構成部品１とは反対側の表面３ａを平滑化することによって、正確には、本例ではイオンビーム４を用いて処理することによって修正すること（「イオンビーム形状修正」）を含み、イオンビーム４は表面３ａ上を走査する様式で移動する。その代わりに、あるいはこれに加えて、他の方法を用いて表面３ａを平滑化することもできることは言うまでもなく、一例として、表面３ａを機械的に研磨することができる。この平滑化ステップの終了後に、ガラスプレート３の表面３ａはほぼ平面状になり、即ち、小さい表面粗さ、または小さい凹凸しか有しない。
このことは、後続するステップにおいて、ガラスプレート３の平滑化した表面３ａ上に第２構成部品２を固着することができることを保証するために有利である（図２ｂ参照）。ガラスプレート３は、変形または機械的応力がほとんどないので、固着後に、応力が、ガラスプレート３の表面３ａの、接続を不安定にする不所望な変形を生じさせることがあり得ない。このようにして、複合構造５が生じ、この複合構造では、図２ｂの右側からわかるように、第２の、より小さい剛性の構成部品２にほとんど変形がない。
洗浄ステップをこの固着に先行させることができ、洗浄ステップでは、ガラスプレート３の表面３ａ及び第２構成部品２の表面２ａを、例えばバックスキンで磨くかアセトンで洗浄して、これらの表面上の粒子数を最小にする。適切であれば、この固着自体を、液体、例えばポリジメチルシロキサンで支援することができる。
この好適な実施形態では、第１構成部品１はいわゆるウェハーテーブルであり、その上面１ａ上にウェハー６を装着する。第２構成部品２はいわゆるウェハーチャックであり、その上にミラー７を横方向に、即ち反射コーティングの形態で装着する。ミラー７をレーザー（図示せず）によって照射して、ウェハーチャックまたは複合構造５の正確な位置を定めることができる。このように位置決めした複合構造５は、マイクロリソグラフィー用の投影露光装置（図示せず）内で用いることができ、この投影露光装置は、ＵＶ波長範囲またはＥＵＶ波長範囲（約５nm〜約２０nm）で動作させることができる。この場合、小さい変形が生じるウェハーチャック２によって露光装置のオーバーレイを改善することができ、即ち、２回連続する露光ステップ中に、複合構造５、従ってウェハー６を全く同じ位置に位置決めすることができる。
小さい変形が生じる複合構造を製造する上述した方法は、ウェハーを装着する装置に限定されず、むしろ、異なる剛性（代表的にはＥ１＞２Ｅ２または４Ｅ２）を有する構成部品が存在する他の場合にも、有利に用いることができることは言うまでもない。
一例として、第２構成部品２をＥＵＶミラーとして具体化し、第１構成部品が、このＥＵＶミラー用の担体として機能することができる。このようにＥＵＶミラーとして具体化された構成要素２は一般に、ゼロ膨張材料で構成された、例えばZerodur（登録商標）で構成されるかＵＬＥ（登録商標）で構成された基板８を有し、この基板に多層コーティング９を付加する（図３ａ、ｂ参照）。反射される波長が５nm〜３０nmのＥＵＶ範囲内であれば、反射コーティング９は一般に個別の層９ａ、ｂを具え、これらは交互に、異なる反射率を有する材料から成る。波長が約１３．５nmであれば、これらの層は通常、モリブデン及びシリコンから成る。例えばモリブデンとベリリウム、ルテニウムとベリリウム、あるいはランタンとB4Cのような他の材料の組合せも、同様に可能である。上述した個別の層に加えて、反射コーティング９は、拡散を防止するための中間層を具えることもできる。こうした補助層の例示は省略する。
図２ａ、ｂに示すように、第１構成部品１は、第２構成部品２用の担体として機能し、SiSiCで形成することができる。特に、冷却チャネル（図示せず）を第１構成部品内に導入して、第１構成部品が、担体としての機能に加えて、冷却機能も果たすようにすることができる。本例では、図２ａ、ｂに関連して示す、固着による着脱可能な接続の代わりに、ガラスプレート３とＥＵＶミラー２との永久接続を形成することが有利である。
永久接続は、例えば陽極接合によって行うことができ、図３ａ、ｂには具体的に詳細に例示していない。陽極接合中には、構成部品１、２間に電圧を印加し、この電圧が（通常は、ガラスプレート３中に存在するアルカリ金属イオンの）電荷輸送をもたらし、この電荷輸送が、ガラスプレート３の表面３ａにあるシリコン原子と、第２構成部品２の基板８のコーティング９とは反対側の、アルミニウムでコーティングされた表面２ａにあるアルミニウム原子との化学反応を促進して、２つの構成部品１、２を過度に高い温度（例えば、４５０℃を超える温度）まで加熱しなければならないことなしに、Si-O-Alの永久結合が、接続される表面２ａ、３ａに形成される。構成部品１と２との間の小さい変形が生じる永久接続は、適切であれば異なる方法で形成することもでき、例えば、この場合に使用する温度が過度に高くなければ、融着によって形成することもできることは言うまでもない。

Claims (15)

  1. 異なる剛性(E1, E2)を有する２つの構成部品(1, 2)を接続する方法であって、
    プレート状物体(3)を、より高い剛性(E1)を有する前記構成部品(1)上に接着するステップであって、この接着を、結合剤を用いて実行するステップと、
    前記接着によって生じた前記プレート状物体(3)の変形を修正するステップと、
    より低い剛性(E2)を有する前記構成部品(2)を、前記プレート状物体(3)に接続するステップと
    を含み、
    前記変形を修正するステップが、前記プレート状物体(3)の、前記より低い剛性(E2)を有する構成部品(2)が接続される表面(3a)を平滑化することを含むことを特徴とする方法。
  2. 前記より低い剛性(E2)を有する構成部品(2)を、固着、陽極接合、または融着によって、前記プレート状物体(3)に接続することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 洗浄ステップが前記固着に先行し、及び／または、前記固着を液体で支援することを特徴とする請求項２に記載の方法。
  4. 前記プレート状物体(3)がガラスで形成され、前記接着後に、機械的応力を低減するための熱処理を施されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
  5. 前記プレート状物体(3)の変形を修正する前に、前記接着によって前記プレート状物体(3)に生じた機械的応力がもはや変化しないまで待機することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
  6. 前記プレート状物体(3)を接着するステップと、前記プレート状物体(3)の変形を修正するステップとの間に、少なくとも１週間継続する待機が存在することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
  7. 前記より高い剛性(E1)を有する構成部品(1)の、少なくとも前記プレート状物体(3)に接続される領域がシリコンカーバイドを含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
  8. 前記より低い剛性(E2)を有する構成部品(2)の、少なくとも前記プレート状物体(3)に接続される領域が、コージーライト、ガラスセラミック、石英ガラス、またはドーピングしたケイ酸ガラスで形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
  9. 異なる剛性(E1, E2)を有する２つの構成部品と、
    より高い剛性(E1)を有する前記構成部品(1)上に、結合剤を用いて接着されたプレート状物体(3)とを具え、
    より低い剛性(E2)を有する前記構成部品(2)が、前記プレート状物体(3)の表面(3a)に、結合剤を用いずに接続されていることを特徴とする複合構造(5)。
  10. 前記プレート状物体(3)がガラスプレートであることを特徴とする請求項９に記載の複合構造。
  11. 前記より高い剛性(E1)を有する構成部品(1)の剛性(E1)が、前記より低い剛性(E2)を有する構成部品(2)の剛性(E2)の少なくとも２倍の大きさであることを特徴とする請求項９または１０に記載の複合構造。
  12. 前記より高い剛性を有する構成部品(1)の、少なくとも前記プレート状物体(3)に接続される領域が、シリコンカーバイドを含有する材料で構成されることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の複合構造。
  13. 前記より低い剛性を有する構成部品(2)の、少なくとも前記プレート状物体(3)に接続される領域が、コージーライト、石英ガラス、ガラスセラミック、またはドーピングしたケイ酸ガラスから成るグループから選択した材料で構成されることを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の複合構造。
  14. ウェハー(6)用の保持装置として具体化されることを特徴とする請求項９〜１３のいずれかに記載の複合構造。
  15. 前記より低い剛性(E2)を有する構成部品(2)が、ＥＵＶ放射に対して反射性であるコーティング(9)を有することを特徴とする請求項９〜１３のいずれかに記載の複合構造。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015113041A1 (de) * 2014-12-01 2016-06-02 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur Verarbeitung von dünnen Gläsern
KR102600229B1 (ko) * 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
DE102019217389A1 (de) * 2019-10-18 2021-04-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Verbinden eines Anbauteils mit einem Grundkörper eines optischen Elements und optisches Element
DE102021203570A1 (de) 2021-04-12 2022-10-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ansprengen von Bauteilen

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4719151A (en) * 1986-05-09 1988-01-12 Corning Glass Works Laminated ceramic structure
JP3453822B2 (ja) * 1993-12-16 2003-10-06 松下電器産業株式会社 圧電体−半導体複合基板の製造方法とそれを用いた圧電デバイス
JPH0868898A (ja) * 1994-08-29 1996-03-12 Nikon Corp 反射鏡およびその製造方法
US6284085B1 (en) 1997-04-03 2001-09-04 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Ultra precision and reliable bonding method
US20040247826A1 (en) 2000-06-20 2004-12-09 Conzone Samuel David Glass ceramic composites
US7129010B2 (en) * 2002-08-02 2006-10-31 Schott Ag Substrates for in particular microlithography
US8529724B2 (en) * 2003-10-01 2013-09-10 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Anodic bonding of silicon carbide to glass
US8105457B2 (en) * 2003-12-22 2012-01-31 Asml Netherlands B.V. Method for joining at least a first member and a second member, lithographic apparatus and device manufacturing method, as well as a device manufactured thereby
DE102007005780A1 (de) 2006-08-10 2008-02-14 Carl Zeiss Smt Ag Verbundstruktur für die Mikrolithographie und optische Anordnung
JP4720808B2 (ja) * 2007-09-21 2011-07-13 セイコーエプソン株式会社 接着シート、接合方法および接合体
DE102008011354B3 (de) * 2008-02-27 2009-09-24 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum Verbinden zweier Komponenten zu einer Verbundstruktur durch "fusion bonding" sowie damit hergestellte Verbundstruktur, optisches Element, Haltevorrichtung, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage
JP5248242B2 (ja) * 2008-08-28 2013-07-31 日本発條株式会社 異材接合体の製造方法およびその方法による異材接合体
JP2010089108A (ja) * 2008-10-06 2010-04-22 Seiko Epson Corp 接合方法、接合体および光学素子

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