JP6246078B2 - 偏光膜の製造方法およびその応用 - Google Patents
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Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
Description
以下の[1]〜[9]を提供するものである。
[1]光吸収異方性層を含む偏光膜の製造方法であって、
光吸収異方性層を一般式(II)で表される二色性色素ポリマーを含む二色性色素組成物を基板上に形成された配向層表面に塗布することを含む方法で形成することを含み、
二色性色素組成物が一般式(II)で表される二色性色素ポリマーを二色性色素組成物の総質量に対して70質量%より多く含む、製造方法;
Lは、単結合、−(CH2)x1O−、−(CH2)x2OC(=O)−、−(CH2)x3N(−Rb)−、−(CH2CH2O)y1−、−(CH2CH2O)y2−C(=O)−、または−(CH2CH2O)y3−C(=O)を表し、ここで、x1〜x3はそれぞれ独立に2〜10の整数を表し、Rbはアルキル基または置換基を有してもよいフェニル基を表し、y1〜y3はそれぞれ独立に1〜5の整数を表し;
AおよびBは、それぞれ独立に、置換基を有してもよいフェニレン基、置換基を有してもよいナフチレン基、置換基を有してもよいアントラニレン基、置換基を有してもよい2価のフルオレン基、置換基を有してもよい2価のチアゾール基、置換基を有してもよい2価のチエノチアゾール基、または置換基を有してもよい2価のベンゾチアゾール基を表し;
R2は置換基を有していてもよいフェニレン基、置換基を有してもよいナフチレン基、または置換基を有してもよいアントラニレン基を表し;
mは1〜3の整数を表し、nは2以上の整数を表し、mが2以上のとき、複数のBは互いに異なっていてもよい。
[2]一般式(II)で表される二色性色素ポリマーが、一般式(III)または一般式(IV)で表される二色性色素ポリマーである[1]に記載の製造方法;
[3]一般式(II)で表される二色性色素ポリマーが、一般式(V)または(VI)で表される二色性色素ポリマーである[1]に記載の製造方法;
[4]一般式(II)で表される二色性色素ポリマーが、一般式(VII)または(VIII)で表される二色性色素ポリマーである[1]に記載の製造方法;
[5]二色性色素組成物が一般式(II)で表される二色性色素ポリマーを二色性色素組成物の総質量に対して90〜100質量%含む[1]〜[4]のいずれか一項に記載の製造方法。
[6]上記塗布により得られた塗布膜を加熱することをさらに含む[1]〜[5]のいずれか一項に記載の製造方法。
[7]配向層が、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール誘導体、ポリイミド、ポリイミド誘導体、(メタ)アクリル重合体、およびポリシロキサン誘導体からなる群から選択されるポリマー材料を含む請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法。
[8]基板上にポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール誘導体、ポリイミド、ポリイミド誘導体、(メタ)アクリル重合体、およびポリシロキサン誘導体からなる群から選択されるポリマー材料を含む溶液を塗布すること、
上記塗布により得られた塗布膜を加熱すること、
上記加熱後に得られた層表面のラビング処理を行ってラビング処理配向層を形成することをこの順で含み、
ラビング処理配向層のラビング処理面に二色性色素組成物が塗布される[1]〜[7]のいずれか一項に記載の製造方法。
[9]液晶表示装置用基板の製造方法であって、
液晶表示装置用基板は、カラーフィルタ層および一般式(II)で表される二色性色素ポリマーを含む二色性色素組成物から形成された光吸収異方性層を含み、
上記製造方法は、光吸収異方性層を一般式(II)で表される二色性色素ポリマーを含む二色性色素組成物を、カラーフィルタ層を含む基板上に形成された配向層表面に塗布することを含む方法で形成することを含む、製造方法;
Lは、単結合、−(CH2)x1O−、−(CH2)x2OC(=O)−、−(CH2)x3N(−Rb)−、−(CH2CH2O)y1−、−(CH2CH2O)y2−C(=O)−、または−(CH2CH2O)y3−C(=O)を表し、ここで、x1〜x3はそれぞれ独立に2〜10の整数を表し、Rbはアルキル基または置換基を有してもよいフェニル基を表し、y1〜y3はそれぞれ独立に1〜5の整数を表し、;
AおよびBは、それぞれ独立に、置換基を有してもよいフェニレン基、置換基を有してもよいナフチレン基、置換基を有してもよいアントラニレン基、置換基を有してもよい2価のフルオレン基、置換基を有してもよい2価のチアゾール基、置換基を有してもよい2価のチエノチアゾール基、または置換基を有してもよい2価のベンゾチアゾール基を表し;
R2は置換基を有していてもよいフェニレン基、置換基を有してもよいナフチレン基、または置換基を有してもよいアントラニレン基を表し、
mは1〜3の整数を表し、nは2以上の整数を表し、mが2以上のとき、複数のBは互いに異なっていてもよい。
本明細書において「二色性色素」とは、方向によって吸光度が異なる分子からなる色素を意味する。
本明細書において、「偏光膜」は、特別な記述がない限り、長尺の偏光板、および表示装置に組み込まれる大きさに裁断された偏光膜の両者を含む意味で用いている。なお、ここでいう「裁断」には「打ち抜き」および「切り出し」等も含むものとする。また、本明細書において、「偏光板」のうち、特に、λ/4板と偏光膜との積層体を含む形態を「円偏光板」と呼ぶ。
本明細書において、偏光膜は、光吸収異方性層を含む、光吸収異方性を示す膜を意味する。偏光膜は光吸収異方性層のみからなっていてもよく、基板、配向層、透明樹脂硬化層等の他の層を含んでいてもよい。
光吸収異方性層または偏光膜の光吸収異方性は、「二色比」によって評価される。「二色比」は、偏光軸方向の偏光の吸光度に対する、吸収軸方向の偏光の吸光度の比で計算される。本明細書では、特に可視光に対する光吸収異方性層または偏光膜に着目しているため、400nm〜700nmの波長領域における二色比を評価する。本明細書において、「偏光軸」は「透過軸」を意味する。
本発明の製造方法で製造される偏光膜の厚さは、例えば、0.01〜3000μm、または、0.05〜200μmであり、0.05〜20μmが好ましく、0.07〜1μmがより好ましく、0.1〜0.6μmが特に好ましい。
本発明の偏光膜の製造方法において、光吸収異方性層は、一般式(II)で表される二色性色素ポリマーを含む組成物を基板上に形成された配向層表面に塗布することを含む方法で形成される。本明細書において、一般式(II)で表される二色性色素ポリマーを含む組成物を「二色性色素組成物」ということがある。光吸収異方性層は、典型的には、まず、溶剤を含む塗布液として調製された二色性色素組成物を基板上に形成された配向層表面に塗布し塗布膜とし、その後塗布膜を乾燥させることにより形成することができる。必要に応じて上記塗布膜を加熱してもよい。
加熱後の膜をすぐにステンレス製のバットなどに移し、急激に表面温度を低下させることにより、その配向状態を固定することができる。
製造される光吸収異方性層の厚さは、0.01〜2μmであることが好ましく、0.05〜2μmであることがさらに好ましい。
光吸収異方性層の形成に使用される二色性色素組成物は、一般式(II)で表される二色性色素ポリマーを含む。本発明の製造方法においては、二色性色素としてポリマーを用いることにより、耐熱性の高い偏光膜を得ることを可能とした。また、ポリマーを含む組成物から光吸収異方性層を形成する方法であるため、硬化のための光照射などを必ずしも要しないため、容易に偏光膜を製造することができる。
二色性色素組成物は、一般式(II)で表される二色性色素ポリマー以外の二色性色素、添加剤などを含んでいてもよい。
二色性色素組成物中の総質量(溶剤を除いた固形分質量)に対する一般式(II)で表される二色性色素ポリマーの含有量は、70%質量より多く、80質量%以上であることが好ましく、90質量%以上であることがより好ましく、95質量%以上であることがさらに好ましく、98〜100質量%であることが特に好ましい。光吸収異方性層は溶剤を除く固形分として、二色性色素ポリマーのみを含んでいることも好ましい。
一般式(II)で表される二色性色素ポリマーは、ポリエチレン主鎖に対し、光吸収特性にかかる側鎖を有する。一般式(II)で表される二色性色素ポリマーは、サーモトロピック液晶性を有し、液晶相に転移する温度以上に加熱することによって、側鎖が一定方向に配向し、光吸収異方性を有する膜を形成できる。一般式(II)で表される二色性色素ポリマーは、側鎖に芳香環を介してアゾ結合を2つ以上有し、2つ以上のアゾ結合の間にはフェニレン基等の芳香族環から形成される2価の基を有して、マゼンタまたはシアンの領域で光吸収を示すことができる。一般式(II)で表される二色性色素ポリマーの、液晶相−等方相相転移温度は、200℃以上である。特に、液晶相−等方相相転移温度が230℃以上のものが好ましく用いられ、260℃以上のものがより好ましく用いられる。
また、一般式(II)で表される二色性色素ポリマーの分子量については特に制限はないが、塗布液として調製する際の溶解性などの観点から、重量平均分子量Mwが5,000〜100,000であるものが好ましく用いられ、10,000〜30,000であるものがより好ましく用いられる。数平均分子量Mnは1,000〜20,000であればよく、1,500〜10,000であるものが好ましい。重量平均分子量および数平均分子量は、それぞれゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)(検出器:RI,溶媒:THF(テトラヒドロフラン)、標準:ポリスチレン)で測定した値とする。ゲル浸透クロマトグラフィーには、例えば、東ソー社製HLC−8320GPCEcoSECを用いることができる。
Lは、単結合、−(CH2)x1O−、−(CH2)x2OC(=O)−、−(CH2)x3N(−Rb)−、−(CH2CH2O)y1−、−(CH2CH2O)y2−C(=O)−、または−(CH2CH2O)y3−C(=O)を表す。ここで、x1〜x3はそれぞれ独立に2〜10の整数を表し、Rbはアルキル基または置換基を有してもよいフェニレン基を表し、y1〜y3はそれぞれ独立に1〜5の整数を表す。
Lは、−(CH2)x1O−、−(CH2)x2OC(=O)−、または−(CH2)x3N(−Rb)−であることが好ましい。このとき、x1は3〜5が好ましく、x2は3〜5が好ましく、Rbはメチル基が好ましい。
R2は置換基を有していてもよいフェニレン基、置換基を有してもよいナフチレン基、置換基を有してもよいアントラニレン基を表す。
上記A、BおよびR2それぞれにおいて、フェニレン基は1,4−フェニレン基であることが好ましく、ナフチレン基は1,4−ナフチレン基であることが好ましく、アントラニレン基は1,4−アントラニレン基であることが好ましく、2価のフルオレン基はフルオレンの1位および4位の水素原子を除いて形成される2価の基であることが好ましく、2価のチアゾール基はチアゾールの2位および5位の位置の水素原子を除いて形成される2価の基であることが好ましく、2価のチエノチアゾール基はチエノチアゾールの2位および5位の位置の水素原子を除いて形成される2価の基であることが好ましく、2価のベンゾチアゾール基はベンゾチアゾールの2位および5位の位置の水素原子を除いて形成される2価の基であることが好ましい。
mは1〜3の整数を表し、2または3が好ましい。nは2以上の整数を表し、5〜1000であることが好ましく、10〜500であることがより好ましい。
mが2以上のとき、複数のBは互いに異なっていてもよい。
アルキル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、特に好ましくは炭素数1〜8のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、n−オクチル基、n−デシル基、n−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、特に好ましくは炭素数2〜8のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリール基、2−ブテニル基、3−ペンテニル基などが挙げられる)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、特に好ましくは炭素数2〜8のアルキニル基であり、例えば、プロパルギル基、3−ペンチニル基などが挙げられる)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12のアリール基であり、例えば、フェニル基、2,6−ジエチルフェニル基、3,5−ジトリフルオロメチルフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などが挙げられる)、置換もしくは無置換のアミノ基(好ましくは炭素数0〜20、より好ましくは炭素数0〜10、特に好ましくは炭素数0〜6のアミノ基であり、例えば、無置換アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、アニリノ基などが挙げられる)、
これらの置換基はさらにこれらの置換基によって置換されていてもよい。また、置換基が二つ以上有する場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに結合して環を形成していてもよい。
R31〜R34、R41〜R45で表される基としては、それぞれ、好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、またはハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、またはアルコキシ基であり、さらに好ましくは水素原子またはメチル基であり、特に好ましくは水素原子である。
R35〜R36、R46〜R49はそれぞれ水素原子または無置換のアルキル基であることが好ましく水素原子または炭素数1〜3のアルキル基であることがより好ましい。R35およびR36は結合してR35およびR36が結合する窒素原子とともに形成する環としては、モリホリンなどが挙げられる。R47およびR48が結合して形成する環一部を構成する2価の置換基としては、炭素数1〜3の直鎖のアルキレン基が挙げられる。
R501、R601はそれぞれ好ましくは水素原子またはアルキル基である。R502〜R508、R510〜R511、R602〜R608、R610〜R611は、それぞれ、好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、またはハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、またはアルコキシ基であり、さらに好ましくは水素原子またはメチル基であり、特に好ましくは水素原子である。
R509、R609は、それぞれ、好ましくは無置換アルキル基、無置換アルケニル基、無置換アルコキシ基、アルキルアミノ基、ニトロ基、イミノ基、シアノ基である。
R701〜R707、R709〜R710、R801〜R809、R811〜R812は、それぞれ、好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、またはハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、またはアルコキシ基であり、さらに好ましくは水素原子またはメチル基であり、特に好ましくは水素原子である。
R708、R810は、それぞれ、好ましくは無置換アルキル基、無置換アルケニル基、無置換アルコキシ基、アルキルアミノ基、ニトロ基、イミノ基、シアノ基である。
(他の二色性色素)
二色性色素組成物は一般式(II)で表される二色性色素ポリマー以外の二色性色素を含んでいてもよい。このような二色性色素はサーモトロピック液晶性を有していてもいなくてもよい。サーモトロピック液晶性を有する二色性色素の例としては、特開2011−237513号公報の段落0056〜0251に記載の二色性色素が挙げられる。
二色性色素組成物中の二色性色素の総質量に対する一般式(II)で表される二色性色素ポリマーの含有量は、90質量%以上が好ましく、95質量%以上であることがより好ましい。
二色性色素組成物は、溶剤を含んでいてもよい。溶剤としては、有機溶剤が好ましく用いられる。有機溶剤の例には、アミド(例、N,N−ジメチルホルムアミド)、スルホキシド(例、ジメチルスルホキシド)、ヘテロ環化合物(例、ピリジン)、炭化水素(例、ベンゼン、ヘキサン)、アルキルハライド(例、クロロホルム、ジクロロメタン)、エステル(例、酢酸メチル、酢酸ブチル)、ケトン(例、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン)、エーテル(例、テトラヒドロフラン、1,2−ジメトキシエタン)が含まれる。アルキルハライドおよびケトンが好ましい。溶剤は、1種類のみでも、2種類以上の有機溶剤を併用してもよい。溶剤は、組成物の固形分濃度が0.1〜10質量%となるように調製されることが好ましい。
光吸収異方性層は、基板上で形成される。基板は、そのまま、偏光膜を構成する層となっていてもよく、光吸収異方性層の形成後剥離等によって除去されていてもよい。
偏光膜を構成する層となる場合の基板は、偏光膜の用途に応じて選択すればよい。液晶表示素子、OLED素子等に用いられる無アルカリガラス、ソーダガラス、パイレックス(登録商標)ガラス、石英ガラス、プラスチックフィルムなどが挙げられる。プラスチックフィルムの例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)などのポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、アクリル樹脂フィルム、エポキシ樹脂フィルム、ポリウレタンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリオレフィンフィルム、セルロース誘導体フィルム、シリコーンフィルムなどが挙げられる。基板は、密着促進等のための透明樹脂層を有していてもよい。プラスチックフィルムは、光吸収異方性層を形成する側の表面にガスバリア層および/または耐溶剤性層を有していることも好ましい。
基板の膜厚は特に限定されないが、ガラス等の剛直な基板の膜厚は、例えば、100〜3000μm、または300〜1500μmであればよい。フレキシブルな基板の膜厚は、3〜500μm、または10〜200μmであればよい。
光吸収異方性層の形成の際は、配向層が利用される。配向層はそのまま、偏光膜を構成する層となっていてもよく、光吸収異方性層の形成後、剥離等によって除去されていてもよい。
配向層としては、液晶性二色性色素ポリマーを所望の配向状態とすることができるものであれば、どのような配向層でもよい。有機化合物(好ましくはポリマー)の膜表面へのラビング処理、無機化合物の斜方蒸着、マイクログルーブを有する層の形成、あるいはラングミュア・ブロジェット法(LB膜)による有機化合物(例、ω−トリコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウムクロライド、ステアリル酸メチル)の累積のような手段で、設けることができる。さらに、電場の付与、磁場の付与あるいは光照射により、配向機能が生じる配向層も知られている。配向層のプレチルト角の制御し易さの点からはラビング処理により形成する配向層が好ましく、配向の均一性の点からは光照射により形成する光配向層が好ましい。
ラビング処理により形成される配向層に用いられるポリマー材料としては、多数の文献に記載があり、多数の市販品を入手することができる。特に、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール誘導体、ポリイミド、ポリイミド誘導体、(メタ)アクリル重合体、またはポリシロキサン誘導体から選択されるポリマー材料が好ましく用いられる。なお、本明細書において(メタ)アクリルとはアクリル酸エステルおよびメタクリル酸エステルのいずれか一方または双方を意味するものとする。
上記のポリマー材料を含む配向層塗布液を基板上に塗布したのち、加熱乾燥等を行うことにより配向層(ラビング処理前)を作製することができる。WO01/88574A1号公報の45頁〜47頁に記載されているような架橋性基を有する場合、加熱乾燥は20℃〜110℃の範囲の加熱温度で行うことができる。ポリマー間の架橋を十分に形成させるために加熱温度は60℃〜100℃の範囲にあることが好ましく、80℃〜100℃の範囲にあることがより好ましい。加熱乾燥時間は例えば1分〜36時間であればよく、5〜30分がより好ましい。
配向層の厚さは、0.01〜10μmであることが好ましく、0.01〜1μmであることがさらに好ましい。配向層についてはWO01/88574A1号公報の43頁24行〜49頁8行の記載を参照することができる。
ラビング密度を変える方法としては、「液晶便覧」(丸善社発行)に記載されている方法を用いることができる。ラビング密度(L)は、下記式(A)で定量化されている。
式(A) L=Nl(1+2πrn/60v)
式(A)中、Nはラビング回数、lはラビングローラーの接触長、rはローラーの半径、nはローラーの回転数(rpm)、vはステージ移動速度(秒速)である。
ラビング密度と配向層のプレチルト角との間には、ラビング密度を高くするとプレチルト角は小さくなり、ラビング密度を低くするとプレチルト角は大きくなる関係がある。
光照射により形成される光配向層に用いられる光配向材料としては、多数の文献等に記載がある。本発明の配向層では、例えば、特開2006−285197号公報、特開2007−76839号公報、特開2007−138138号公報、特開2007−94071号公報、特開2007−121721号公報、特開2007−140465号公報、特開2007−156439号公報、特開2007−133184号公報、特開2009−109831号公報、特許第3883848号、特許第4151746号に記載のアゾ化合物、特開2002−229039号公報に記載の芳香族エステル化合物、特開2002−265541号公報、特開2002−317013号公報に記載の光配向性単位を有するマレイミドおよび/またはアルケニル置換ナジイミド化合物、特許第4205195号、特許第4205198号に記載の光架橋性シラン誘導体、特表2003−520878号公報、特表2004−529220号公報、特許第4162850号に記載の光架橋性ポリイミド、ポリアミド、またはエステルが好ましい例として挙げられる。特に好ましくは、アゾ化合物、光架橋性ポリイミド、ポリアミド、またはエステルである。
本明細書において、「直線偏光照射」とは、光配向材料に光反応を生じせしめるための操作である。用いる光の波長は、用いる光配向材料により異なり、その光反応に必要な波長であれば特に限定されるものではない。好ましくは、光照射に用いる光のピーク波長が200nm〜700nmであり、より好ましくは光のピーク波長が400nm以下の紫外光である。
非偏光を利用する場合には、斜めから非偏光を照射する。その入射角度は、10〜80°、好ましくは20〜60、特に好ましくは30〜50°である。
照射時間は好ましくは1分〜60分、さらに好ましくは1分〜10分である。
パターン化が必要な場合には、フォトマスクを用いた光照射をパターン作製に必要な回数施す方法や、レーザー光走査によるパターンの書き込みによる方法を採用できる。
本発明の製造方法で製造される偏光膜は、TN、STN、VA、ECB、IPS、もしくはOCB等の種々のモードの透過型、反射型、または半透過型の液晶表示装置、OLEDなどの構成部材として用いることができる。
上記の偏光膜の製造方法において、基板として、固体撮像素子等に用いられる光電変換素子基板、シリコン基板、透明導電膜、カラーフィルタ基板を用いることにより、偏光機能付き光電変換素子基板、偏光機能付きシリコン基板、偏光機能付き透明導電膜、および偏光機能付きカラーフィルタ基板をそれぞれ製造することもできる。例えば、液晶表示装置用基板を作製する際の基板上に、上記の偏光膜の製造方法における光吸収異方性層の形成の手順と同様の手順で光吸収異方性層を形成してもよい。このように光吸収異方性層を設けた液晶表示装置用基板を用いた液晶表示装置においては、光吸収異方性層をインセル偏光子として機能させることができる。さらに、カラーフィルタ層を有する基板に同様の手順で光吸収異方性層を形成してもよい。このような液晶表示装置用基板を用いた液晶表示装置においては偏光解消に起因して生じる散乱光によるコントラストの低下を軽減することができる。
<二色比>
二色比は、Nikon製顕微鏡ECLIPSE E600 POLの光源側偏光子のみを挿入した状態で、OceanOptics社製マルチチャンネル分光器QE65000を用いて400〜700nmの波長域での偏光膜の吸光度を測定し、次式により計算した。
二色比:D0=Az0/Ay0
Az0:色素膜の吸収軸方向の偏光に対する吸光度
Ay0:色素膜の偏光軸方向の偏光に対する吸光度
偏光膜の耐熱性評価はホットプレートで230℃30分加熱後に同様にして二色比D1を求め、その減衰率E(%)を次式により計算した。
加熱後の二色比 D1=Az1/Ay1
Az1:色素膜の吸収軸方向の偏光に対する吸光度
Ay1:色素膜の偏光軸方向の偏光に対する吸光度
減衰率E(%)=D1/D0 ×100
以下の合成スキームに従い合成した。
4−ブロモ−1−ブタノール(東京化成工業製)25質量部、ピリジン16質量部、無水酢酸18質量部を混合し、氷冷下30分攪拌した。水50質量部を加え、分液したのち下層を飽和食塩水25質量部で洗浄し、27質量部の化合物A−1−2を得た。
(A−1−3の合成)
P−ニトロフェノール(和光純薬製)14質量部、炭酸カリウム21質量部、25質量部の化合物A−1−2をDMF(ジメチルホルムアミド)95質量部に仕込み、75℃で4時間攪拌した。酢酸エチル180質量部、水200質量部を加え抽出分液した。上層を、水200質量部、飽和食塩水80質量部で洗浄後、減圧濃縮し、25質量部の化合物A−1−3を得た。
2−プロパノール298質量部および水85質量部の混合物中に、還元鉄49質量部および塩化アンモニウム1.3質量部を加え、1時間還流した。還流後の混合物に、25質量部の化合物A−1−3を2−プロパノール24質量部に溶かした溶液を70℃で滴下し、その後70〜75℃で30分間 攪拌した。得られた混合物を冷却後、セライトろ過処理により還元鉄を除去した。ろ液を減圧濃縮し、23質量部の化合物A−1−4を得た。
(A−1−6の合成)
塩化錫二水和物57質量部を濃塩酸125質量部に溶かした溶液に、2−ニトロチオフェン(東京化成工業製)13質量部をメタノール40質量部に溶かした溶液を50℃〜65℃で滴下、2時間攪拌した。10℃以下まで冷却し、析出した結晶を濾過、アセトニトリルにて結晶を掛け洗いした。結晶を一晩室温で乾燥し、13質量部の化合物A−1−6を得た。
23質量部の化合物A−1−4を酢酸105質量部および塩酸60質量部の混合物に溶解させ、亜硝酸ナトリウム8質量部と水33質量部を混合して得られた亜硝酸ナトリウム水溶液を10℃以下で滴下、10℃以下で1時間半攪拌し、アミド硫酸0.5質量部を加えることによりA−1−7溶液を得た。13質量部の化合物A−1−6をメタノール160質量部に溶解させ、0℃以下に冷却した。これに先に得たA−1−7溶液を0℃以下で滴下し、−10〜0℃で4時間攪拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で中和し、生成物を酢酸エチルにて抽出した。抽出液を減圧濃縮、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し29質量部のA−1−8を得た。
17質量部の化合物A−1−8、イソチオシアン酸ベンゾイル11質量部をアセトン300質量部に溶解し、混合物を5時間還流攪拌した。冷却後減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/n−ヘキサン)にて精製し、15質量部の化合物A−1−9を得た。
(A−1−10の合成)
15質量部の化合物A−1−9をメタノール300質量部に溶解させ、13質量部の水酸化ナトリウムを300質量部の水に溶解させて得た水溶液を加え50℃で3時間攪拌した。希塩酸で中和し、析出した固体を濾過、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/n−ヘキサン)にて精製し、化合物A−1−10を10質量部得た。
10質量部の化合物A−1−10をクロロホルム300質量部に溶解させた。得られた溶液に、臭素5質量部を室温で滴下した。2時間攪拌後、亜硫酸水素ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え分液した。クロロホルム層を減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/n−ヘキサン)で精製、減圧濃縮し化合物A−1−11を7質量部得た。
(A−1−12の合成)
5質量部の化合物A−1−11、N,N−ジエチルアニリン2.5質量部をプロピオン酸100質量部、酢酸90質量部、DMAc(ジメチルアセトアミド)90質量部に溶解させた。溶液に0℃以下で亜硝酸イソペンチル2.5質量部を滴下した。
10℃まで昇温後、2時間攪拌し、400質量部のメタノールを加えて析出した結晶を濾過した。
得られた結晶をクロロホルムで再結晶し、化合物A−1−12を5質量部得た。
5質量部の化合物A−1−12をN,N−ジメチルアセトアミド30質量部に溶かし、トリエチルアミン3質量部を加えた後、塩化アクロイル1.3質量部を10℃以下で滴下した。室温まで昇温後2時間攪拌し、ジクロロメタン200質量部、飽和食塩水100質量部を加え、分液抽出した。ジクロロメタン層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール)で精製、減圧濃縮により化合物A−1−Mを4質量部得た。
7.95(d,2H), 7.90(s,1H),7.85(d,2H),7.35(d,2H),7.20(d,2H),6.40(d,1H),6.15(dd,1H),5.83(d,1H),4.25(t,2H),4.05(t,2H),3.47(q,4H),1.90(m,4H),1.22(t,6H)。
化合物A−1−M 2質量部をN,N−ジメチルアセトアミド 10質量部に溶解させ、重合開始剤V−601(和光純薬製)を0.11質量部加え、窒素雰囲気下85℃で8時間反応させた。メタノールで再沈し、得られた結晶をジクロロメタン/メタノールで再沈精製することにより化合物A−1を1.2質量部得た。GPCで確認した化合物A−1の平均分子量はMn=6,500、Mw=13,800であった。
例示化合物A−2は以下の合成スキームに従い合成した。
4−アミノ安息香酸エチル(東京化成工業製)33質量部を酢酸105質量部、濃塩酸77質量部に溶解させた後、氷冷下10℃以下で亜硝酸ナトリウム15質量部を水66質量部に溶かした溶液を滴下し、1時間10℃以下で攪拌した。アミド硫酸1質量部を加え、化合物A−2−2溶液を得た。30質量部の化合物A−1−6をメタノール320質量部に溶解させ、10℃以下に冷却、先に得た化合物A−2−2溶液を10℃以下で滴下した。混合物に、10℃以下1時間攪拌後アセトニトリル320質量部加え、結晶を析出させたのち結晶を濾過した。得られた結晶を酢酸ナトリウム水溶液にて中和し、酢酸エチルで抽出・濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/n−ヘキサン)にて精製し、減圧濃縮にて50質量部の化合物A−2−3を得た。
31質量部の化合物A−2−3、イソチオシアン酸ベンゾイル20質量部をアセトン400質量部に溶解させ、溶液を室温3時間攪拌した。反応液を減圧濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(酢酸エチル/n−ヘキサン)、減圧濃縮し35質量部の化合物A−2−4を得た。
(A−2−5の合成)
26質量部の化合物A−2−4をメタノール600質量部に溶解させ、溶液に、水酸化ナトリウム26質量部を600質量部の水に溶解させて得た水溶液を加え50℃で3時間攪拌した。希塩酸で中和し、析出した固体を濾過、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/n−ヘキサン)にて精製し、14質量部の化合物A−2−5を得た。
(A−2−6の合成)
14質量部の化合物A−2−5をクロロホルム400質量部に溶解させ、得られた溶液に、臭素8質量部を室温で滴下した。2時間室温攪拌後、混合物に、亜硫酸水素ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、その後分液した。クロロホルム層を減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/n−ヘキサン)で精製、減圧濃縮し7質量部の化合物A−2−6を得た。
7質量部の化合物A−2−6、N,N−ジエチルアニリン3.8質量部をプロピオン酸60質量部、酢酸59質量部、N,N−ジメチルアセトアミド55質量部に溶解させ、溶液に0℃以下で亜硝酸イソペンチル3.8質量部を滴下した。混合物を10℃まで昇温し、5時間攪拌したのち水を加え、析出した固体を濾過、一晩乾燥し、7質量部の化合物A−2−7を得た。
(A−2−Mの合成)
7質量部の化合物A−2−7をTHF45質量部に溶解させ、メタンスルホン酸クロリド1.9質量部を0℃以下で滴下した。混合物を0℃以下で30分攪拌後、N−エチルジイソプロピルアミン2.1質量部とTHF4質量部の混合液を0℃以下で滴下した。0℃以下で30分攪拌後、混合物にアクリル酸4−ヒドロキシブチル2.2質量部とTHF4質量部との混合液を0℃以下で滴下し、2,6−ジメチルアミノピリジンを触媒量添加した。0℃以下で30分攪拌後、混合物にN−エチルジイソプロピルアミン2.1質量部とTHF4質量部の混合液を0℃以下で滴下した。さらに0℃以下で30分攪拌後、室温まで昇温した混合物にメタノール80質量部を加えた。析出した結晶を濾過した。得られた結晶をクロロホルム/メタノールで再結晶し、7質量部の化合物A−2−Mを得た。
化合物A−2−Mの1H−NMR(d−DMSO):8.05(d,2H),7.95(d,2H),7.90(s,1H),7.85(d,2H),7.40(d,2H),6.40(d,1H),6.15(dd,1H),5.83(d,1H),4.25(t,2H), 4.05(t,2H),3.47(q,4H),1.90(m,4H),1.22(t,6H)
2質量部の化合物A−2−M、重合開始剤V−601(和光純薬製)0.12質量部をDMAc10質量部に加え、混合物を窒素雰囲気下85℃で8時間攪拌した。反応液をDMAcで希釈し、メタノールにて再沈、得られた結晶を濾過・乾燥することにより1.3質量部の化合物A−2を得た。
得られた化合物A−2のGPCで確認した平均分子量はMn=8,400、Mw=14.200であった。
例示化合物A−3は例示化合物A−1合成スキームでA−1−3を合成する際に使用するp−ニトロフェノールの代わりに4−ニトロ−1−ナフトールを使用することにより同様のスキームにて合成した。
8.90(d,1H),8.25(d,2H),7.95(d,2H),7.90(s,1H),7.80(d,2H),7.35(d,1H),7.20(d,2H),6.40(d,1H), 6.15(dd,1H),5.83(d,1H),4.25(t,2H),4.05(t,2H),3.47(q,4H),1.90(m,4H),1.22(t,6H)
GPCで確認した化合物A−3の平均分子量はMn=6,500、Mw=18,000であった。
以下の合成スキームに従い化合物A−4を合成した。
p−ニトロフェニルアゾフェノール(東京化成工業製)4.9質量部、炭酸カリウム4.2質量部、5.1質量部の化合物A−1−2をDMF24質量部中に仕込み、85℃3時間反応させた。反応液を水300質量部に注ぎ、析出した結晶を濾過、乾燥させ、化合物A−4−2を7.1質量部得た。
(A−4−3の合成)
7.1質量部の化合物A−4−2 をメタノール160質量部に溶解させ、10wt%水酸化ナトリウム水溶液40質量部を60℃で加え、60℃1時間反応させた。室温まで冷却、水を加え析出してきた結晶を濾過、乾燥し、化合物−4−3を5.4質量部得た。
(A−4−4の合成)
還元鉄9.8質量部、塩化アンモニウム0.37質量部をIPA(イソプロパノール)60質量部、水17質量部に仕込み、混合物を1時間還流した。反応液に5.4質量部の化合物A−4−3とIPA78質量部を混合させたスラリ液を滴下し、1時間還流させた。反応液を、室温まで冷却し、クロロホルム300質量部で希釈した。不溶物をセライト濾過した後、クロロホルム、続いて酢酸エチルで濾過物を洗い、濾液を減圧濃縮し化合物A−4−4を5.2質量部得た。
5.2質量部の化合物A−4−4を酢酸11質量部、濃塩酸4質量部、水35質量部の混合液に溶解させた。溶液に、亜硝酸ナトリウム1.4質量部を水30質量部に溶解させた水溶液を氷冷下10℃以下で滴下した。10℃以下で1時間攪拌後、混合物にアミド硫酸を0.4質量部加え、化合物A−4−5を含む溶液を得た。
1−ナフチルアミン2.4質量部をメタノール80質量部に溶解させ、氷冷却下10℃以下で先に得た化合物A−4−5を含む溶液を滴下し、混合物を10℃以下1時間攪拌した。室温まで昇温後、混合物にアセトニトリル240質量部を加えた。析出した固体を濾過、乾燥し化合物A−1−6を6質量部得た。
(A−4−8の合成)
1質量部の化合物A−4−6をジメチルスルホキシド380質量部、酢酸370質量部の混合液に溶解させた。混合物に亜硝酸ナトリウム0.17質量部を水1質量部に溶解させた溶液を氷冷却下10℃以下で滴下した。10℃以下1時間攪拌後、混合物にアミド硫酸0.04質量部加え、化合物A−4−7を含む溶液を得た。
N,N−ジエチルアニリン0.34質量部をジメチルスルホキシド22質量部、酢酸11質量部の混合液に溶解させ、先に得た化合物A−1−7を含む溶液を10℃以下で滴下した。10℃以下1時間攪拌後、10%酢酸ナトリウム水で中和し、酢酸エチル、飽和食塩水を加え、分液抽出を行った。酢酸エチル層を減圧濃縮し、得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム/n−ヘキサン)にて精製し、減圧濃縮により化合物A−4−8を1質量部得た。
1質量部の化合物A−4−8をDMF100質量部に溶解させた。溶液にトリエチルアミン3質量部を加え、氷冷下10℃以下で塩化アクロイル0.3質量部を滴下した。混合物を室温まで昇温し、5時間反応後クロロホルム、飽和食塩水を加え、抽出分液した。クロロホルム層を希塩酸、続いて、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。無水硫酸マグネシウムを濾過で除去し、クロロホルム層を減圧濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム/n−ヘキサン)で精製し、減圧濃縮により化合物A−4−Mを0.5質量部得た。
9.0(m,2H),8.2(d,2H),8.0(m、8H),7.8(m,2H),7.0(d,2H),6.8(d,2H),6.4(d,1H),6.1(dd,1H),5.8(d,1H),4.2(t,2H),4.1(t,2H),3.4(q,4H),1,9(m,4H),1.3(t,6H)
(A−4の合成)
2質量部の化合物A−4−M、重合開始剤V−601(和光純薬製)0.1質量部をDMAc20質量部に加え、窒素雰囲気下85℃で8時間攪拌した。反応後DMAcで希釈し、メタノールにて再沈、得られた結晶を濾過・乾燥することにより1.5質量部のA−4を得た。
GPCで確認した化合物A−4の平均分子量はMn=6,200、Mw=18,000であった。
例示化合物A−5は例示化合物A−4合成スキームでA−4−Mを合成する際に使用するN,N−ジエチルアニリンの代わりに4−フェニルモルホリン(東京化成工業製)を使用することにより同様のスキームにて合成した。
9.0(m,2H),8.2(d,2H),8.0(m、8H),7.8(m,2H),7.0(d,2H),6.8(d,2H),6.4(d,1H),6.1(dd,1H),5.8(d,1H),4.2(t,2H),4.1(t,2H),3.7(t,4H),3.2(t,2H),1,9(m,4H)
GPCで確認した化合物A−5の平均分子量はMn=6,000、Mw=18,000であった。
例示化合物A−6は以下の合成スキームに従い合成した。
4−ブロモ−1−ブタノール(東京化成工業製)15質量部、ピリジン9質量部、2,6−ビス(tert−ブチル)−4−メチルフェノール 0.1質量部をジクロロメタン66質量部に加えた。得られた混合物に、氷冷下で塩化アクロイル11質量部を1時間かけて滴下した。混合物を8〜12℃で3時間攪拌した。その後、混合物に、酢酸エチル、塩化アンモニウム、飽和食塩水を加えて、抽出分液を行った。酢酸エチル層を硫酸マグネシウムで脱水乾燥後、濾過、減圧濃縮し、化合物A−6−1を18質量部得た。
4−アミノフェノール13質量部を塩酸30質量部および水50質量部の混合液に加えた。得られた混合物に亜硝酸ナトリウム水溶液(亜硝酸ナトリウム8質量部を水25質量部に溶解させたもの)5℃以下で滴下した。混合物を約30分10℃以下で攪拌したのちアミド硫酸を3質量部加えることにより化合物A−6−3を含む溶液を得た。次に2−アミノ−4−メチルチアゾール(東京化成工業製)および酢酸ナトリウムを、メタノール40質量部と水100質量部との混合液に加えた。得られた混合物に、先に得た化合物A−6−3を含む溶液を氷冷下10℃以下で滴下した。10℃以下で2時間半攪拌後、水を加え、析出した固体を濾取した。この固体をシリカゲルカラムで精製(酢酸エチル/n−ヘキサン)、減圧濃縮し、目的中間体A−6−4を9質量部得た。
9質量部の化合物A−6−4およびN,N−ジエチルアニリン6質量部を、プロピオン酸75質量部と酢酸79質量部とN,N−ジメチルアセトアミド70質量部との混合液に溶解させた。得られた溶液に、0℃以下で亜硝酸イソペンチル5質量部を滴下した。溶液を10℃まで昇温し、5時間攪拌した。その後、溶液に水を加えた。析出した固体を濾過、一晩乾燥し、化合物A−6−6を4.8質量部得た。
化合物A−6−6 2質量部、化合物A−6−1 1.1質量部、炭酸カリウム 1質量部、ヨウ化カリウム触媒量及び2,6−ビス(tert−ブチル)−4−メチルフェノール微量をN,N−ジメチルホルムアミドに加え、90℃1時間攪拌を行った。生成物に、酢酸エチルおよび塩酸水を加えて分液抽出を行った。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、続いて飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水乾燥させた。
減圧濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/n−ヘキサン)で精製し、減圧濃縮により化合物A−6−Mを1.7質量部得た。
0.4質量部の化合物A−6−M 、重合開始剤V−601(和光純薬製)0.006質量部をDMAc1質量部に加え、混合物を窒素雰囲気下85℃で4時間30分攪拌した。攪拌後の溶液をDMAcで希釈し、メタノールにて再沈した。得られた結晶を濾過・乾燥することによりA−6を0.2質量部得た。
なおGPCで確認した化合物A−6の平均分子量はMn=8,400、Mw=13.800であった。
<配向層の形成>
ガラス基板(セントラル硝子社製 青板ガラス(300mm×300mm 厚み1.1m))をアルカリ洗剤で洗浄し、純水ですすいで、その後乾燥させた。乾燥させたガラス基板の表面に、日産化学社製のポリイミドであるSE−130の2質量% N−メチルピロリドン溶液をバー(#4)で塗布した。その後、80℃のオーブンで15分間乾燥を行った後、250℃で1時間加熱し、表面に配向層が形成された基板を作製した。
上記の配向層表面を、1000rpm, ステージ移動速度 1.8m/minの条件で1回ラビング処理を行った。
クロロホルム98質量部に上記化合物A−1(重量平均分子量Mw=13,800)を2質量部加え、撹拌溶解後、濾過して二色性色素組成物を塗布液として得た。次に配向層の上記ラビング処理面に塗布液を塗布した。その後、室温で自然乾燥しクロロホルムを除去し光吸収異方性層を形成して、偏光膜を得た。
次にこの偏光膜をホットプレート上で230℃に加熱し、30分経過後にAz1,Ay1を測定し、加熱後の二色比D1および減衰率E(%)を求めた。D1および減衰率E(%)を表1に示す。230℃30分間加熱前後での二色比の変化は小さく、加熱後も偏光膜として充分機能し得る高い二色比を有していた。
化合物A−1を上記化合物A−2に変更した以外は、実施例1と同様の手順で偏光膜を作製し、二色比を測定した。230℃30分加熱前後の二色比および減衰率Eを表1に示す。230℃30分間加熱前後での二色比の変化は小さく、加熱後も偏光膜として充分機能し得る高い二色比を有していた。
化合物A−1を上記化合物A−3に変更した以外は、実施例1と同様の手順で偏光膜を作製し、二色比を測定した。230℃30分加熱前後の二色比および減衰率Eを表1に示す。230℃30分間加熱前後での二色比の変化は小さく、加熱後も偏光膜として充分機能し得る高い二色比を有していた。
化合物A−1を上記化合物A−4に変更した以外は、実施例1と同様の手順で偏光膜を作製し、二色比を測定した。230℃30分加熱前後の二色比および減衰率Eを表1に示す。230℃30分間加熱前後での二色比の変化は小さく、加熱後も偏光膜として充分機能し得る高い二色比を有していた。
化合物A−1を上記化合物A−5に変更した以外は、実施例1と同様の手順で偏光膜を作製し、二色比を測定した。230℃30分加熱前後の二色比および減衰率Eを表1に示す。230℃30分間加熱前後での二色比の変化は小さく、加熱後も偏光膜として充分機能し得る高い二色比を有していた。
化合物A−1を上記化合物A−6に変更した以外は、実施例1と同様の手順で偏光膜を作製し、二色比を測定した。230℃30分加熱前後の二色比および減衰率Eを表1に示す。230℃30分間加熱前後での二色比の変化は小さく、加熱後も偏光膜として充分機能し得る高い二色比を有していた。
<光吸収異方性層の作製>
クロロホルム98質量部に化合物A−1(重量平均分子量Mw=13,800) 1.9質量部と特開2011−237513号公報に記載の二色性色素C−23(0.1質量部)とを加え、撹拌溶解後、濾過して二色性色素組成物を塗布液として得た。次に実施例1と同様の手法で作製した配向層のラビング処理面に塗布液を塗布した。塗布膜を、室温で自然乾燥しクロロホルムを除去し、光吸収異方性層を形成して、偏光膜を得た。
実施例1と同様の手順でガラス基板上に配向層を形成してラビング処理を行った。このラビング処理面に、化合物A−1を下記化学式C−1の化合物(特開2011−150162記載の化合物R-02)に変更した以外は、実施例1と同様の手順で光吸収異方性層を形成して、偏光膜を得た。得られた偏光膜の二色比を測定した。230℃30分加熱前後の二色比および減衰率Eを表1に示す。加熱後は二色比が大幅に低下し、偏光膜として充分機能しないレベルであった。
実施例1と同様の手順でガラス基板上に配向層を形成してラビング処理を行った。このラビング処理面に、化合物A−1を下記化学式C−2の化合物(特開2012−153866記載の化合物2)に変更した以外は、実施例1と同様の手順で光吸収異方性層を形成して、偏光膜を得た。得られた偏光膜の二色比を測定した。230℃30分加熱前後の二色比および減衰率Eを表1に示す。加熱後は二色比が大幅に低下し、偏光膜として充分機能しないレベルであった。
実施例1と同様の手順でガラス基板上に配向層を形成してラビング処理を行った。このラビング処理面に、化合物A−1を下記化学式C−3の化合物に変更した以外は、実施例1と同様の手順で光吸収異方性層を形成して、偏光膜を得た。得られた偏光膜の二色比を測定した。230℃30分加熱前後の二色比および減衰率Eを表1に示す。加熱後は実施例6に対し大幅に吸光度が低下し、偏光膜として充分機能しないレベルであった。
実施例7において、化合物A−1を1.9質量部から1.0質量部に、二色性色素C−23を0.1質量部から1.0質量部に変更した以外は実施例7同様の手法で光吸収異方性膜を形成して、偏向膜を得た。得られた偏光膜の記載の方法で二色比を測定した。230℃30分加熱前後の二色比および減衰率Eを表1に示す。加熱後は実施例7に対し大幅に吸光度が低下し、偏光膜として充分機能しないレベルであった。
Claims (9)
- 光吸収異方性層を含む偏光膜の製造方法であって、
前記光吸収異方性層を一般式(II)で表される二色性色素ポリマーを含む二色性色素組成物を基板上に形成された配向層表面に塗布することを含む方法で形成することを含み、
前記二色性色素組成物が一般式(II)で表される二色性色素ポリマーを前記二色性色素組成物の総質量に対して70質量%より多く含む、製造方法;
Lは、単結合、−(CH2)x1O−、−(CH2)x2OC(=O)−、−(CH2)x3N(−Rb)−、−(CH2CH2O)y1−、−(CH2CH2O)y2−C(=O)−、または−(CH2CH2O)y3−C(=O)を表し、ここで、x1〜x3はそれぞれ独立に2〜10の整数を表し、Rbはアルキル基または置換基を有してもよいフェニル基を表し、y1〜y3はそれぞれ独立に1〜5の整数を表し;
AおよびBは、それぞれ独立に、置換基を有してもよいフェニレン基、置換基を有してもよいナフチレン基、置換基を有してもよいアントラニレン基、置換基を有してもよい2価のフルオレン基、置換基を有してもよい2価のチアゾール基、置換基を有してもよい2価のチエノチアゾール基、または置換基を有してもよい2価のベンゾチアゾール基を表し;
R2は置換基を有していてもよいフェニレン基、置換基を有してもよいナフチレン基、または置換基を有してもよいアントラニレン基を表し;
mは1〜3の整数を表し、nは2以上の整数を表し、mが2以上のとき、複数のBは互いに異なっていてもよい。 - 一般式(II)で表される二色性色素ポリマーが、一般式(III)または一般式(IV)で表される二色性色素ポリマーである請求項1に記載の製造方法;
- 一般式(II)で表される二色性色素ポリマーが、一般式(V)または(VI)で表される二色性色素ポリマーである請求項1に記載の製造方法;
- 一般式(II)で表される二色性色素ポリマーが、一般式(VII)または(VIII)で表される二色性色素ポリマーである請求項1に記載の製造方法;
- 前記二色性色素組成物が一般式(II)で表される二色性色素ポリマーを前記二色性色素組成物の総質量に対して90〜100質量%含む請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記塗布により得られた塗布膜を加熱することをさらに含む請求項1〜5のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記配向層が、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール誘導体、ポリイミド、ポリイミド誘導体、(メタ)アクリル重合体、およびポリシロキサン誘導体からなる群から選択されるポリマー材料を含む請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法。
- 基板上にポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール誘導体、ポリイミド、ポリイミド誘導体、(メタ)アクリル重合体、およびポリシロキサン誘導体からなる群から選択されるポリマー材料を含む溶液を塗布すること、
前記塗布により得られた塗布膜を加熱すること、
前記加熱後に得られた層表面のラビング処理を行ってラビング処理配向層を形成することをこの順で含み、
前記ラビング処理配向層のラビング処理面に前記二色性色素組成物が塗布される請求項1〜7のいずれか一項に記載の製造方法。 - 液晶表示装置用基板の製造方法であって、
前記液晶表示装置用基板は、カラーフィルタ層および一般式(II)で表される二色性色素ポリマーを含む二色性色素組成物から形成された光吸収異方性層を含み、
前記製造方法は、光吸収異方性層を一般式(II)で表される二色性色素ポリマーを含む二色性色素組成物を、カラーフィルタ層を含む基板上に形成された配向層表面に塗布することを含む方法で形成することを含む、製造方法;
Lは、単結合、−(CH2)x1O−、−(CH2)x2OC(=O)−、−(CH2)x3N(−Rb)−、−(CH2CH2O)y1−、−(CH2CH2O)y2−C(=O)−、または−(CH2CH2O)y3−C(=O)を表し、ここで、x1〜x3はそれぞれ独立に2〜10の整数を表し、Rbはアルキル基または置換基を有してもよいフェニル基を表し、y1〜y3はそれぞれ独立に1〜5の整数を表し、;
AおよびBは、それぞれ独立に、置換基を有してもよいフェニレン基、置換基を有してもよいナフチレン基、置換基を有してもよいアントラニレン基、置換基を有してもよい2価のフルオレン基、置換基を有してもよい2価のチアゾール基、置換基を有してもよい2価のチエノチアゾール基、または置換基を有してもよい2価のベンゾチアゾール基を表し;
R2は置換基を有していてもよいフェニレン基、置換基を有してもよいナフチレン基、または置換基を有してもよいアントラニレン基を表し、
mは1〜3の整数を表し、nは2以上の整数を表し、mが2以上のとき、複数のBは互いに異なっていてもよい。
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JP2014122075A JP6246078B2 (ja) | 2014-06-13 | 2014-06-13 | 偏光膜の製造方法およびその応用 |
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