JP6242134B2 - 太陽光を用いた水素製造システム - Google Patents
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- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 67
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims description 50
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 48
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 47
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 32
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 claims description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 claims description 7
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 241000135309 Processus Species 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004577 artificial photosynthesis Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011148 calcium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011147 magnesium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
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Description
第1の実施形態の水素製造装置104は、図5のように、光触媒3の層31が少なくとも片面に配置された光化学電極板(以下、光化学電極板3と呼ぶ)を複数枚、図3のように容器2内に配置した構造である。複数の光化学電極板3は、光触媒層31が対向するように容器2内に間隙をあけて配列される。導光部材4は板状であり、対向して配列された光化学電極板3の間隙にそれぞれ配置され、光化学電極板3の表面に向かって光を照射する。導光部材4と光化学電極板3との間には、水を含む液体1が配置される空間がある。
第2の実施形態の水素製造装置104について図16を用いて説明する。第2の実施形態では、光触媒3は粒子状であり、水を含む液体1に分散されて容器2内に収容されている。複数の導光部材4は、光触媒3が分散された液体1中に挿入されている。複数の導光部材4の端部には、光ファイバ42の端部が接続されている。導光部材4の構造は、第1の実施形態と同様に、表面に凹凸構造43を備えている。導光部材4は、間隔をあけて並べて容器2内に配置されている。
Claims (7)
- 太陽光を集光する複数のレンズと、前記複数のレンズが集光した光をそれぞれ伝搬する複数の光ファイバと、前記複数の光ファイバの一端が接続された水素製造装置とを有し、
前記水素製造装置は、容器と、前記容器内に配置された、水を含む液体、光触媒、および、端部に入射した光を導光しながら出射する複数の導光部材を含み、
前記複数の光ファイバの一端は、前記複数の導光部材の端部に接続されており、
前記水素製造装置は、前記光触媒の層が少なくとも片面に配置された光化学電極板を複数含み、
複数の前記光化学電極板は、前記光触媒の層が対向するように前記容器内に間隙をあけて配列され、
前記導光部材は板状であり、対向して配列された前記光化学電極板の間隙にそれぞれ配置され、前記光化学電極板の表面に向かって光を照射できるようになっており、
前記導光部材と前記光化学電極板との間には、前記水を含む液体が配置される空間があり、
前記光化学電極板の前記光触媒層は、窒化物半導体層であり、前記窒化物半導体層は、表面に複数の六角錐形状の突起を備えることを特徴とする太陽光を用いた水素製造システム。 - 請求項1に記載の水素製造システムにおいて、前記複数のレンズは、光入射面を上面に向けて配列して配置されていることを特徴とする太陽光を用いた水素製造システム。
- 請求項1または2に記載の水素製造システムにおいて、前記複数のレンズと前記光ファイバとの間には、導光棒がそれぞれ配置されていることを特徴とする太陽光を用いた水素製造システム。
- 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の水素製造システムにおいて、前記容器は、水を含む液体を供給する供給口と、前記光触媒が前記水を分解して生成したガスを取り出すガス取り出し口とを備えることを特徴とする太陽光を用いた水素製造システム。
- 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の水素製造システムにおいて、前記導光部材の表面には、出射する光を拡散させる凹凸が形成されていることを特徴とする太陽光を用いた水素製造システム。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の水素製造システムにおいて、複数の前記光化学電極板の光触媒層の表面は、一部がGaNで形成され、他の一部は、InGaNで形成されていることを特徴とする太陽光を用いた水素製造システム。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の水素製造システムにおいて、前記容器は、いずれも前記水を含む液体を収容する第1室と第2室に仕切られ、
前記光化学電極板と前記導光部材は、前記第1室に配置され、
前記第2室には、金属電極が配置され、前記光化学電極板と前記金属電極とは、導線により接続されていることを特徴とする太陽光を用いた水素製造システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013197490A JP6242134B2 (ja) | 2013-09-24 | 2013-09-24 | 太陽光を用いた水素製造システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013197490A JP6242134B2 (ja) | 2013-09-24 | 2013-09-24 | 太陽光を用いた水素製造システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015063425A JP2015063425A (ja) | 2015-04-09 |
JP6242134B2 true JP6242134B2 (ja) | 2017-12-06 |
Family
ID=52831670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013197490A Active JP6242134B2 (ja) | 2013-09-24 | 2013-09-24 | 太陽光を用いた水素製造システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6242134B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101912535B1 (ko) * | 2017-07-27 | 2018-10-26 | 정호갑 | 태양광을 이용한 수소 발생 장치 |
KR101912536B1 (ko) * | 2017-07-27 | 2018-10-26 | 정호갑 | 태양광을 이용한 수소 발생 장치 |
US11300031B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-12 | Saudi Arabian Oil Company | Thermal- and photo-assisted aftertreatment of nitrogen oxides |
US11097222B2 (en) * | 2019-10-21 | 2021-08-24 | Saudi Arabian Oil Company | Thermal- and photo-assisted aftertreatment of nitrogen oxides |
US11085344B2 (en) | 2019-10-21 | 2021-08-10 | Saudi Arabian Oil Company | Thermal- and photo-assisted aftertreatment of nitrogen oxides |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0235782Y2 (ja) * | 1985-04-19 | 1990-09-28 | ||
JPH06233929A (ja) * | 1992-03-02 | 1994-08-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光分解方法及び装置 |
JPH07328351A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-19 | Chiyoda Kohan Kk | 光触媒反応装置 |
JP2001061948A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-13 | Matsushita Seiko Co Ltd | 空気浄化材料 |
JP3730142B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2005-12-21 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ガス発生装置、及びガス発生方法 |
JP4447404B2 (ja) * | 2004-08-25 | 2010-04-07 | 株式会社フジクラ | 光触媒装置、励起光の照射方法、分解対象物分解方法及び光触媒装置の利用 |
JPWO2006082801A1 (ja) * | 2005-02-02 | 2008-08-07 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ガスの製造方法、酸性水及びアルカリ水の製造方法、並びにそれらの製造装置 |
JP5332099B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2013-11-06 | 日産自動車株式会社 | 自動車用光触媒システム |
-
2013
- 2013-09-24 JP JP2013197490A patent/JP6242134B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015063425A (ja) | 2015-04-09 |
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|
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