JP6239056B2 - 抵抗性メモリおよびそのメモリセル - Google Patents
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Description
300 抵抗性メモリ
BL ビット線信号
BLS ビット線選択信号
BSW1、BSW2 ビット線スイッチ
CTR 制御信号
FF1 ラッチ
Iref 基準電流
LDR インピーダンス
LDT データ読み出し端末
M1〜M6 トランジスタ
OUT 読み出し結果
R1、R2 レジスタ
RDR 読み出しデータ
SA1 センスアンプ
SL0 ソース線
WL0 ワード線信号
WSW1、WSW2 ワード線スイッチ
SLs ソース線選択信号
VPP 電源電圧
Claims (9)
- ビット線信号を受信する第1端を有し、ビット線選択信号によってオンまたはオフになるよう制御される第1ビット線スイッチと、
前記第1ビット線スイッチの第2端に結合された第1端を有する第1レジスタと、
前記第1レジスタの第2端とソース線の間に直列に接続され、ワード線信号によってオンまたはオフになるよう制御される第1ワード線スイッチと、
前記ビット線信号を受信する第1端を有し、前記ビット線選択信号によってオンまたはオフになるよう制御される第2ビット線スイッチと、
前記第2ビット線スイッチの第2端に結合された第1端を有する第2レジスタと、
前記第2レジスタの第2端と前記ソース線の間に直列に接続され、前記ワード線信号によってオンまたはオフになるよう制御される第2ワード線スイッチと、
を含み、プログラムされる時、前記第1および第2レジスタの抵抗値が、高インピーダンスに同時にプログラムされるか、または低インピーダンスに同時にプログラムされ、
前記第1レジスタと前記第1ビット線スイッチの間のノードをデータ読み出し端末として使用し、前記抵抗性メモリセルを読み出す時、前記第1および第2ビット線スイッチおよび前記第1および第2ワード線スイッチがオンになり、前記データ読み出し端末が第1インピーダンスをセンスアンプに提供する抵抗性メモリセル。 - 前記第1インピーダンスが、前記第1レジスタおよび前記第2レジスタの並列抵抗値に等しい請求項1に記載の抵抗性メモリセル。
- 前記第1ビット線スイッチが、第1トランジスタであり、前記第1トランジスタの第1端が、前記ビット線信号を受信し、前記第1トランジスタの第2端が、前記第1レジスタの前記第1端に結合され、前記第1トランジスタの制御端が、前記ビット線選択信号を受信し、前記第1ワード線スイッチが、第2トランジスタであり、前記第2トランジスタの第1端が、前記第1レジスタの前記第2端に結合され、前記第2トランジスタの第2端が、前記ソース線に結合され、前記第2トランジスタの制御端が、前記ワード線信号を受信する請求項1または2に記載の抵抗性メモリセル。
- 前記第2ビット線スイッチが、第1トランジスタであり、前記第1トランジスタの第1端が、前記ビット線信号を受信し、前記第1トランジスタの第2端が、前記第2レジスタの前記第1端に結合され、前記第1トランジスタの制御端が、前記ビット線選択信号を受信し、前記第2ワード線スイッチが、第2トランジスタであり、前記第2トランジスタの第1端が、前記第2レジスタの前記第2端に結合され、前記第2トランジスタの第2端が、前記ソース線に結合され、前記第2トランジスタの制御端が、前記ワード線信号を受信する請求項1または2に記載の抵抗性メモリセル。
- ビット線信号を受信する第1端を有し、ビット線選択信号によってオンまたはオフになるよう制御される第1ビット線スイッチと、
前記第1ビット線スイッチの第2端に結合された第1端を有する第1レジスタと、
前記第1レジスタの第2端とソース線の間に直列に接続され、ワード線信号によってオンまたはオフになるよう制御される第1ワード線スイッチと、
前記ビット線信号を受信する第1端を有し、前記ビット線選択信号によってオンまたはオフになるよう制御される第2ビット線スイッチと、
前記第2ビット線スイッチの第2端に結合された第1端を有する第2レジスタと、
前記第2レジスタの第2端と前記ソース線の間に直列に接続され、前記ワード線信号によってオンまたはオフになるよう制御される第2ワード線スイッチと、
を含み、プログラムされる時、前記第1および第2レジスタの抵抗値が、高インピーダンスに同時にプログラムされるか、または低インピーダンスに同時にプログラムされる少なくとも1つの抵抗性メモリセルと、
前記第1レジスタの前記第1端に結合された第1入力端、および基準信号を受信する第2入力端を有し、出力端が読み出しデータを生成するセンスアンプと、
を含む抵抗性メモリ。 - 前記センスアンプが、前記第1入力端および前記第2入力端の信号に基づいてそれぞれ第1電流および第2電流を生成し、前記第1電流と前記第2電流を比較することによって前記読み出しデータを生成する電流型センスアンプである請求項5に記載の抵抗性メモリ。
- 前記第1レジスタと前記第1ビット線スイッチの間のノードをデータ読み出し端末として使用し、前記抵抗性メモリセルを読み出す時、前記第1および第2ビット線スイッチおよび前記第1および第2ワード線スイッチがオンになり、前記データ読み出し端末が第1インピーダンスをセンスアンプに提供する請求項5または6に記載の抵抗性メモリ。
- 前記第1インピーダンスが、前記第1レジスタおよび前記第2レジスタの並列抵抗値に等しい請求項7に記載の抵抗性メモリ。
- 前記基準信号が、基準電流である請求項5〜8のいずれか1項に記載の抵抗性メモリ。
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