JP6235662B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
即ち、従来、MOSトランジスタは、ポリシリコンでゲートを作成した後、ポリシリコンの上から層間絶縁膜を堆積し、CMP(化学機械研磨)によりポリシリコンゲートを露出する。そして、そのポリシリコンゲートをエッチングで加工した後、メタルを堆積する製造方法によって製造されている。このため、SGTにおいても、メタルゲートプロセスと高温プロセスとを両立させるために、高温プロセス後にメタルゲートを作成するメタルゲートラストプロセスを用いることが必要となる。SGTでは、柱状シリコン層の上部がゲートよりも高い位置にあるため、メタルゲートラストプロセスを用いるにあたって何らかの工夫が必要となる。
半導体基板上に形成されたフィン状半導体層と、
前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、
前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属ゲート電極と、
前記金属ゲート電極に接続され、前記フィン状半導体層に直交する方向に延在する金属ゲート配線と、
前記金属ゲート配線に接続された金属ゲートパッドと、
前記金属ゲートパッド上に形成されたコンタクトと、を有し、
前記金属ゲート電極の幅と前記金属ゲートパッドの幅とは前記金属ゲート配線の幅よりも広くされており、
前記コンタクトの底の領域を除いた、前記金属ゲート電極上面と前記金属ゲート配線上面と前記金属ゲートパッド上面の全ての上面上に窒化膜が形成されており、
前記金属ゲート電極上面上の前記窒化膜の高さと前記金属ゲート配線上面上の全面の前記窒化膜の高さと前記金属ゲートパッド上面上の前記コンタクトの底面を除く部分の前記窒化膜の高さは同じであることを特徴とする。
まず、図2に示すように、シリコン基板101上にフィン状シリコン層を形成するための第1のレジスト102を形成する。
以上の工程を経ることで、ポリシリコンでポリシリコンゲート電極114a、ポリシリコンゲート配線114b及びポリシリコンゲートパッド114cが形成される。
以上の工程を経ることにより、フィン状シリコン層103の上部にシリサイドが形成される。
即ち、まず、図36に示すように、金属130を堆積する。
以上の工程を経ることにより、金属配線層である金属配線134、135、136が形成される。
図1に示す半導体装置は、基板101上に形成されたフィン状シリコン層103と、フィン状シリコン層103の周囲に形成された第1の絶縁膜104と、フィン状シリコン層103上に形成された柱状シリコン層106と、柱状シリコン層106の幅はフィン状シリコン層103の幅と等しく、フィン状シリコン層103の上部と柱状シリコン層106の下部に形成された拡散層112とを備える。
シリコン基板上にフィン状シリコン層を形成し、前記フィン状シリコン層の周囲に第一の絶縁膜を形成し、前記フィン状シリコン層の上部に柱状シリコン層をその幅が前記フィン状シリコン層の幅と等しくなるように形成する第1工程と、
前記第1工程に続いて、前記柱状シリコン層上部、前記フィン状シリコン層上部、及び前記柱状シリコン層下部にそれぞれ不純物を注入し拡散層を形成する第2工程と、
前記第2工程に続いて、ゲート絶縁膜、ポリシリコンゲート電極、ポリシリコンゲート配線、及びポリシリコンゲートパッドを作成するとともに、前記ゲート絶縁膜が前記柱状シリコン層の周囲と上部を覆い、前記ポリシリコンゲート電極が前記ゲート絶縁膜を覆い、前記ポリシリコンゲート電極と、前記ポリシリコンゲート配線と前記ポリシリコンゲートパッドとを形成した後のポリシリコンの上面とを、前記柱状シリコン層上部の前記拡散層上に位置する前記ゲート絶縁膜よりも高い位置とし、前記ポリシリコンゲート電極と前記ポリシリコンゲートパッドの幅とは前記ポリシリコンゲート配線の幅よりも広くする第3工程と、
前記第3工程に続いて、前記フィン状シリコン層上部の前記拡散層上部にシリサイドを形成する第4工程と、
前記第4工程に続いて、層間絶縁膜を堆積し、前記ポリシリコンゲート電極と、前記ポリシリコンゲート配線と、前記ポリシリコンゲートパッドとを露出し、前記ポリシリコンゲート電極と、前記ポリシリコンゲート配線と、前記ポリシリコンゲートパッドとをエッチングし、その後、金属層を堆積し、金属ゲート電極、金属ゲート配線及び金属ゲートパッドを形成するとともに、前記金属ゲート配線は、前記金属ゲート電極に接続され、前記フィン状シリコン層に直交する方向に延在させるように形成する第5工程と、
前記第5工程に続いて、前記柱状シリコン層上部の前記拡散層を直接接続するコンタクトを形成する第6工程と、を有する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
[付記2]
前記シリコン基板上にフィン状シリコン層を形成するための第1のレジストを形成し、前記第1のレジストを用いて、前記シリコン基板をエッチングし、前記フィン状シリコン層を形成し、その後に前記第1のレジストを除去し、
前記フィン状シリコン層の周囲に第1の絶縁膜を堆積し、前記第1の絶縁膜をエッチバックし、前記フィン状シリコン層の上部を露出させ、
前記フィン状シリコン層に直交するように第2のレジストを形成し、前記第2のレジストを用いて、前記フィン状シリコン層をエッチングすると共に、前記第2のレジストを除去することにより、前記フィン状シリコン層と前記第2のレジストとが直交する部分が前記柱状シリコン層となるように前記柱状シリコン層を形成する、
ことを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
[付記3]
前記シリコン基板上に形成されたフィン状シリコン層と、前記フィン状シリコン層の周囲に形成された第1の絶縁膜と、前記フィン状シリコン層の上部に形成された柱状シリコン層とを有する構造の上から、第2の酸化膜を堆積し、前記第2の酸化膜上に第1の窒化膜を形成し、前記第1の窒化膜をエッチングすることにより、サイドウォール状に残存させ、
その後、不純物を注入することで、前記柱状シリコン層上部と前記フィン状シリコン層上部とに拡散層を形成すると共に、前記第1の窒化膜と前記第2の酸化膜とを除去し、しかる後に熱処理を行う、
ことを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
[付記4]
前記シリコン基板上に形成されたフィン状シリコン層と、前記フィン状シリコン層の周囲に形成された第1の絶縁膜と、前記フィン状シリコン層の上部に形成された柱状シリコン層と、前記フィン状シリコン層の上部と前記柱状シリコン層の下部とに形成された拡散層と、前記柱状シリコン層の上部に形成された拡散層と、を有する構造において、
ゲート絶縁膜を形成し、ポリシリコンを堆積すると共に、当該ポリシリコンを平坦化した後のポリシリコンの上面が前記柱状シリコン層上部にある拡散層上の前記ゲート絶縁膜よりも高い位置となるように平坦化し、
第2の窒化膜を堆積し、前記ポリシリコンゲート電極、前記ポリシリコンゲート配線及び前記ポリシリコンゲートパッドとを形成するための第3のレジストを形成し、前記第3のレジストを用いて前記第2の窒化膜と前記ポリシリコンとをエッチングし、前記ポリシリコンゲート電極、前記ポリシリコンゲート配線及び前記ポリシリコンゲートパッドを形成するとともに、前記ゲート絶縁膜をエッチングし、しかる後に、第3のレジストを除去する、
ことを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
[付記5]
第3の窒化膜を堆積し、前記第3の窒化膜をエッチングすることで、サイドウォール状に残存させた後、金属層を堆積し、シリサイドを前記フィン状シリコン層の上部にある拡散層の上部に形成する、ことを特徴とする付記4に記載の半導体装置の製造方法。
[付記6]
第4の窒化膜を堆積し、層間絶縁膜を堆積すると共に平坦化し、前記ポリシリコンゲート電極、前記ポリシリコンゲート配線及び前記ポリシリコンゲートパッドを露出させ、前記ポリシリコンゲート電極、前記ポリシリコンゲート配線及び前記ポリシリコンゲートパッドを除去し、前記ポリシリコンゲート電極及び前記ポリシリコンゲート配線と前記ポリシリコンゲートパッドが存在していた部分に金属を埋めこみ、前記金属をエッチングすることにより、前記柱状シリコン層上部における前記拡散層上のゲート絶縁膜を露出させ、前記金属ゲート電極、前記金属ゲート配線及び前記金属ゲートパッドを形成する、
ことを特徴とする付記5に記載の半導体装置の製造方法。
[付記7]
前記ポリシリコンゲート配線の幅の半分よりも厚く、前記ポリシリコンゲート電極の幅の半分、かつ、前記ポリシリコンゲートパッドの幅の半分よりも薄い第5の窒化膜を堆積することにより、前記柱状シリコン層上と前記金属ゲートパッド上とにコンタクト孔を形成する、ことを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造方法。
[付記8]
半導体基板上に形成されたフィン状半導体層と、
前記フィン状半導体層の周囲に形成された第1の絶縁膜と、
前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、
前記柱状半導体層の幅は前記フィン状半導体層の幅と同じであって、前記フィン状半導体層の上部と前記柱状半導体層の下部とに形成された拡散層と、
前記柱状半導体層の上部に形成された拡散層と、
前記フィン状半導体層の上部にある拡散層の上部に形成されたシリサイドと、
前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属ゲート電極と、
前記金属ゲート電極に接続され、前記フィン状半導体層に直交する方向に延在する金属ゲート配線と、
前記金属ゲート配線に接続された金属ゲートパッドと、を有し、
前記金属ゲート電極の幅と前記金属ゲートパッドの幅とは前記金属ゲート配線の幅よりも広くされており、
前記柱状半導体層上部に形成された前記拡散層上に形成されたコンタクトと、をさらに有し、
前記柱状半導体層上部に形成された前記拡散層と前記コンタクトとは直接接続されている、
ことを特徴とする半導体装置。
102.第1のレジスト
103.フィン状シリコン層
104.第1の絶縁膜
105.第2のレジスト
106.柱状シリコン層
107.第2の酸化膜
108.第1の窒化膜
109.拡散層
110.拡散層
111.拡散層
112.拡散層
113.ゲート絶縁膜
114.ポリシリコン
114a.ポリシリコンゲート電極
114b.ポリシリコンゲート配線
114c.ポリシリコンゲートパッド
115.第2の窒化膜
116.第3のレジスト
117.第3の窒化膜
118.シリサイド
119.第4の窒化膜
120.層間絶縁膜
121.金属層(金属)
121a.金属ゲート電極
121b.金属ゲート配線
121c.金属ゲートパッド
122.第5の窒化膜
123.コンタクト孔
124.コンタクト孔
125.第4のレジスト
126.コンタクト孔
127.コンタクト
128.コンタクト
129.コンタクト
130.金属
131.第5のレジスト
132.第5のレジスト
133.第5のレジスト
134.金属配線
135.金属配線
136.金属配線
Claims (1)
- 半導体基板上に形成されたフィン状半導体層と、
前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、
前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属ゲート電極と、
前記金属ゲート電極に接続され、前記フィン状半導体層に直交する方向に延在する金属ゲート配線と、
前記金属ゲート配線に接続された金属ゲートパッドと、
前記金属ゲートパッド上に形成されたコンタクトと、を有し、
前記金属ゲート電極の幅と前記金属ゲートパッドの幅とは前記金属ゲート配線の幅よりも広くされており、
前記コンタクトの底の領域を除いた、前記金属ゲート電極上面と前記金属ゲート配線上面と前記金属ゲートパッド上面の全ての上面上に窒化膜が形成されており、
前記金属ゲート電極上面上の前記窒化膜の高さと前記金属ゲート配線上面上の全面の前記窒化膜の高さと前記金属ゲートパッド上面上の前記コンタクトの底面を除く部分の前記窒化膜の高さは同じであることを特徴とする半導体装置。
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