JP6224958B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013176416A JP6224958B2 (ja) | 2013-02-20 | 2013-08-28 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
TW103105191A TWI601206B (zh) | 2013-02-20 | 2014-02-18 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
KR1020140019300A KR102168064B1 (ko) | 2013-02-20 | 2014-02-19 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US14/183,723 US9875881B2 (en) | 2013-02-20 | 2014-02-19 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013030932 | 2013-02-20 | ||
JP2013030932 | 2013-02-20 | ||
JP2013176416A JP6224958B2 (ja) | 2013-02-20 | 2013-08-28 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014186994A JP2014186994A (ja) | 2014-10-02 |
JP6224958B2 true JP6224958B2 (ja) | 2017-11-01 |
Family
ID=51834362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013176416A Active JP6224958B2 (ja) | 2013-02-20 | 2013-08-28 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6224958B2 (zh) |
TW (1) | TWI601206B (zh) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6439335B2 (ja) * | 2014-09-12 | 2018-12-19 | サミー株式会社 | ぱちんこ遊技機 |
JP6407694B2 (ja) | 2014-12-16 | 2018-10-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP6396822B2 (ja) * | 2015-02-16 | 2018-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のサセプタの電位を制御する方法 |
JP6524753B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
JP6397805B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2018-09-26 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置およびその運転方法 |
JP6479698B2 (ja) * | 2016-02-18 | 2019-03-06 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
CN107256821B (zh) * | 2016-03-23 | 2019-02-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 阻抗匹配系统、阻抗匹配方法及半导体加工设备 |
CN107256820B (zh) * | 2016-03-23 | 2019-02-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 匹配装置、匹配方法及半导体加工设备 |
WO2017161641A1 (zh) | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 阻抗匹配系统、阻抗匹配方法及半导体加工设备 |
JP7238780B2 (ja) | 2017-09-29 | 2023-03-14 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP6965776B2 (ja) * | 2018-02-08 | 2021-11-10 | トヨタ自動車株式会社 | 静電吸着搬送装置およびその方法 |
JP7134695B2 (ja) * | 2018-04-27 | 2022-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び電源制御方法 |
JP6846384B2 (ja) | 2018-06-12 | 2021-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の高周波電源を制御する方法 |
US11171007B2 (en) * | 2018-06-22 | 2021-11-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma etching method |
US10910197B2 (en) * | 2018-10-19 | 2021-02-02 | Mks Instruments, Inc. | Impedance matching network model based correction scheme and performance repeatability |
JP7297795B2 (ja) * | 2019-01-09 | 2023-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP7234036B2 (ja) * | 2019-05-28 | 2023-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP6972386B2 (ja) * | 2019-07-02 | 2021-11-24 | 株式会社アルバック | 吸着装置及び真空処理装置 |
JP7458287B2 (ja) | 2020-10-06 | 2024-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN112345814A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 直流偏压检测方法、装置、治具以及下电极系统 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0730468B2 (ja) * | 1988-06-09 | 1995-04-05 | 日電アネルバ株式会社 | ドライエッチング装置 |
JP3733448B2 (ja) * | 1994-04-27 | 2006-01-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理方法および装置並びに基板脱離方法及び印加電圧の制御装置 |
US5573597A (en) * | 1995-06-07 | 1996-11-12 | Sony Corporation | Plasma processing system with reduced particle contamination |
JP3208044B2 (ja) * | 1995-06-07 | 2001-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP3792865B2 (ja) * | 1997-10-30 | 2006-07-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造装置およびドライエッチング方法 |
JP4240259B2 (ja) * | 2000-08-21 | 2009-03-18 | 富士電機システムズ株式会社 | プラズマ電位測定方法と測定用プローブ |
TWI246873B (en) * | 2001-07-10 | 2006-01-01 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device |
JP2004047696A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマドーピング方法及び装置、整合回路 |
JP2004095663A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP4704087B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US7754615B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-07-13 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for detecting endpoint in a dry etching system by monitoring a superimposed DC current |
JP4833890B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2011-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ分布補正方法 |
JP5315942B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台機構、これを用いたプラズマ処理装置及び静電チャックへの電圧印加方法 |
JP5063520B2 (ja) * | 2008-08-01 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US8313664B2 (en) * | 2008-11-21 | 2012-11-20 | Applied Materials, Inc. | Efficient and accurate method for real-time prediction of the self-bias voltage of a wafer and feedback control of ESC voltage in plasma processing chamber |
JP2010261761A (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Japan Radio Co Ltd | 出力電圧測定装置 |
JP2013511814A (ja) * | 2009-11-19 | 2013-04-04 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムを制御するための方法および装置 |
JP5405504B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
2013
- 2013-08-28 JP JP2013176416A patent/JP6224958B2/ja active Active
-
2014
- 2014-02-18 TW TW103105191A patent/TWI601206B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI601206B (zh) | 2017-10-01 |
TW201440140A (zh) | 2014-10-16 |
JP2014186994A (ja) | 2014-10-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160408 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171006 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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