JP6221914B2 - 発光デバイスの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、発光デバイスの製造方法に関する。
従来、量子ドットを用いた発光デバイスが知られている。量子ドットは、水分や酸素と接触することにより劣化する。このため、量子ドットを用いた発光デバイスでは、量子ドットを封止するセルを用いることが好ましい。例えば特許文献1には、量子ドットを用いた発光デバイスに、ガラス製のセルを用いることが記載されている。
特開2012−163936号公報
量子ドットを用いた発光デバイスの発光効率を改善したいという要望がある。
本発明は、量子ドットを用いた発光デバイスであって、高い発光効率を有する発光デバイスを製造し得る方法を提供することにある。
本発明に係る発光デバイスの製造方法は、相互に間隔をおいて対向している第1及び第2のガラス板を備えるセルと、セル内に封入された量子ドットとを備える発光デバイスの製造方法である。本発明に係る発光デバイスの製造方法では、量子ドットの封入に先立って、セルの内壁に吸着している水分を低減する低減工程を行う。
具体的には、相互に間隔をおいて対向している第1及び第2のガラス板を備えるセルを用意する。セル内に量子ドットを注入し、封止することにより、セルと、セル内に封入された量子ドットとを備える発光デバイスを得る。量子ドットの封入に先立って、セルの内壁に吸着している水分を低減する低減工程を行う。
本発明に係る発光デバイスの製造方法では、低減工程において、セルを300℃以上に加熱することが好ましい。
本発明に係る発光デバイスの製造方法では、低減工程において、セル内を減圧しながらセルを300℃以上に加熱することが好ましい。
本発明に係る発光デバイスの製造方法では、不活性ガス雰囲気下で低減工程を行うことが好ましい。
本発明に係る発光デバイスの製造方法では、低減工程を行った後、大気に暴露しないまま量子ドットの注入工程を行うことが好ましい。
本発明に係る発光デバイスの製造方法では、セルが、第1のガラス板と第2のガラス板との間に配されたガラス製の側壁部材をさらに備えることが好ましい。
本発明に係る発光デバイスの製造方法では、各ガラス板と側壁部材とを融着することによりセルを作製することが好ましい。
本発明によれば、量子ドットを用いた発光デバイスであって、高い発光効率を有する発光デバイスを製造し得る方法を提供することができる。
本発明の一実施形態に係る発光デバイスの略図的斜視図である。 本発明の一実施形態に係る発光デバイスの略図的平面図である。
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
本実施形態では、図1及び図2に示される発光デバイス1を製造する方法について説明する。
(発光デバイス1の構成)
発光デバイス1は、励起光が入射したときに励起光とは異なる波長の光を出射するデバイスである。発光デバイス1は、励起光と、励起光の照射により生じた光との混合光を出射するものであってもよい。
発光デバイス1は、セル10を備えている。セル10は、第1のガラス板11と、第2のガラス板12とを備えている。第1のガラス板11と第2のガラス板12とは、相互に間隔をおいて対向している。本実施形態では、第1及び第2のガラス板11,12のそれぞれの平面視形状は、矩形である。但し、本発明は、これに限定されない。第1及び第2のガラス板11,12のそれぞれの平面視形状は、それぞれ多角形、円形、多円形、長円形等であってもよい。第1及び第2のガラス板11,12のそれぞれの厚みは、例えば、0.1mm〜2mm程度とすることができる。
なお、第1及び第2のガラス板11,12は、それぞれ、結晶化ガラス板により構成されていてもよい。
第1のガラス板11と第2のガラス板12との間には、ガラス製の側壁部材13が配されている。側壁部材13は、第1及び第2のガラス板11,12の周縁部に設けられている。側壁部材13は、第1及び第2のガラス板11,12のそれぞれに対して融着されている。この側壁部材13と、第1及び第2のガラス板11,12とによって内部空間14が区画形成されている。側壁部材13の厚みは、例えば、0.1mm〜5mm程度とすることができる。なお、側壁部材13は額縁状だけでなく、例えば、複数のガラスリボンで構成されていてもよいし、管状のガラス等により構成されていてもよい。
側壁部材13には、内部空間14と外部とを連通している連通口15が設けられている。連通口15は、閉口材16によって閉口されている。閉口材16は、例えば、ガラスシート等により構成することができる。閉口材16がガラスシートにより構成されている場合、閉口材16がガラス板11,12及び側壁部材13に融着されていてもよい。
なお、本実施形態では、セル10の全体がガラスにより構成されている例について説明する。但し、本発明は、この構成に限定されない。本発明において、セル10は、第1及び第2のガラス板11,12を有するものである限り、特に限定されない。例えば、セル10の側壁部材13は、ガラス以外の材料からなる部材により構成されていてもよい。
セル10の内部空間14には、量子ドット17が封入されている。1種類の量子ドット17がセル10内に封入されていてもよいし、複数種類の量子ドット17がセル10内に封入されていてもよい。量子ドット17は、例えば、液体に分散した態様で内部空間14に封入されていてもよいし、樹脂に分散した態様で内部空間14に封入されていてもよい。
なお、量子ドット17は、量子ドット17の励起光が入射したときに、励起光とは異なる波長の光を出射する。量子ドット17から出射される光の波長は、量子ドット17の粒子径に依存する。すなわち、量子ドット17の粒子径を変化させることにより得られる光の波長を調整することができる。このため、量子ドット17の粒子径は、得ようとする光の波長に応じた粒子径とされている。量子ドット17の粒子径は、通常、2nm〜10nm程度である。
例えば、波長300〜440nmの紫外〜近紫外の励起光を照射すると青色の可視光(波長440〜480nmの蛍光)を発する量子ドットの具体例としては、粒子径が2.0nm〜3.0nm程度のCdSeの微結晶などが挙げられる。波長300〜440nmの紫外〜近紫外の励起光や波長440〜480nmの青色の励起光を照射すると緑色の可視光(波長が500nm〜540nmの蛍光)を発する量子ドットの具体例としては、粒子径が3.0nm〜3.3nm程度のCdSeの微結晶などが挙げられる。波長300〜440nmの紫外〜近紫外の励起光や波長440〜480nmの青色の励起光を照射すると黄色の可視光(波長が540nm〜595nmの蛍光)を発する量子ドットの具体例としては、粒子径が3.3nm〜4.5nm程度のCdSeの微結晶などが挙げられる。波長300〜440nmの紫外〜近紫外の励起光や波長440〜480nmの青色の励起光を照射すると赤色の可視光(波長が600nm〜700nmの蛍光)を発する量子ドットの具体例としては、粒子径が4.5nm〜10nm程度のCdSeの微結晶などが挙げられる。
(発光デバイス1の製造方法)
次に、発光デバイス1の製造方法の一例について説明する。
〔セル10の準備〕
まず、セル10を用意する。セル10は、例えば、第1のガラス板11と第2のガラス板12との間に額縁状のガラス板からなる側壁部材13を配し、側壁部材13とガラス板11,12とを融着することにより作製することができる。側壁部材13とガラス板11,12との融着は、例えば、レーザー光線を照射することにより行うことができる。
〔低減工程〕
次に、後述する量子ドット17の封入に先立って、セル10の内壁に吸着している水分を低減する低減工程を行う。具体的には、本実施形態では、セル10を300℃以上に加熱する。これにより、セル10に吸着している水分を低減する。
セル10を減圧雰囲気下におくなどして、セル10内を減圧しながらセル10を加熱することが好ましい。そうすることにより、セル10に吸着している水分をより効果的に除去することができる。低減工程において、セル10内の圧力が、0.1×10Pa以下、より好ましくは0.01×10Pa以下となるようにセル10内を減圧することが好ましい。
また、低減工程を不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。具体的には、例えば、乾燥窒素雰囲気下、乾燥アルゴン雰囲気下で低減工程を行うことが好ましい。これにより、セル10内の水分濃度を低減できると共に、セル10内の酸素濃度も低減することができ、より効果的に量子ドットの劣化を防止することができる。
また、減圧雰囲気下にした後、窒素やアルゴン等の乾燥ガスを導入し再度減圧する作業を、数回繰り返し行ってもよい。そうすることにより、セル10内の水分濃度及び酸素濃度をより低減することができる。
〔封入工程〕
次に、セル10内に連通口15から量子ドット17を注入し、閉口材16を用いて連通口15を閉口することによってセル10を封止する。これにより、発光デバイス1を完成させることができる。
この封入工程は、低減工程を行った後に、大気に暴露しないままの状態で行うことが好ましい。そうすることにより、内部空間14内における酸素濃度及び水分濃度を低くすることができる。
本発明者らは、鋭意検討の結果、量子ドットを用いた発光デバイス(以下、「量子ドットを用いた発光デバイス」を「量子ドット発光デバイス」とすることがある。)のセルとして、ガラス製のセルを用いた場合であっても、発光デバイスの発光効率を十分に高めることが困難であることを見出した。その理由は、定かではないが以下のことが考えられる。例えば、有機エレクトロルミネッセント素子などにおいては、素子内に侵入した水分は、有機エレクトロルミネッセント材料等と反応することにより消費される。従って、有機エレクトロルミネッセント素子においては、セル内に存在する水分等により有機エレクトロルミネッセント材料の一部が劣化することを考慮し、有機エレクトロルミネッセント材料の濃度を高くしておくことで所望の発光効率の有機エレクトロルミネッセント素子を実現することができる。それに対して量子ドット発光デバイスでは、セル内の水分は消費されず、セル内において存在し続けるものと考えられる。そのため、量子ドット発光デバイスにおいては、高い発光効率が得難いものと考えられる。
以上の量子ドット発光デバイスに特有の新たな知見に基づいて、本発明者らは、封入工程に先立って、セル10の内壁に吸着している水分を低減する低減工程を行う必要があることに想到した。低減工程を行うことにより、セル10の内壁に吸着していた吸着水分を少なくすることができる。これによって、発光効率の高い発光デバイス1を実現することができる。
セル10の内壁に吸着している吸着水分をより効果的に低減するには、セル10を300℃以上に加熱することが好ましく、350℃以上に加熱することがより好ましく、400℃以上に加熱することがさらに好ましい。第1及び第2のガラス板11,12との熱膨張係数を整合させ加熱によるセル10の変形を抑えるために、側壁部材13をガラス製とすることが好ましい。また、セル10内を減圧しながらセル10を加熱することが好ましい。具体的には、セル10内の圧力が0.1×10Pa以下となるようにセル10内を減圧しながらセル10を加熱することが好ましく、セル10内の圧力が0.01×10Pa以下となるようにセル10内を減圧しながらセル10を加熱することがより好ましい。
また、低減工程を不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。さらに、低減工程を行い、大気に暴露しないまま量子ドットの注入を行うことが好ましい。
なお、本実施形態では、セル10を作製した後に量子ドット17を注入する例について説明した。但し、本発明は、これに限定されない。例えば、まず、第1及び第2のガラス板並びに側壁部材に吸着している水分を低減した後に、第1のガラス板の上に量子ドットを配し、第2のガラス板及び側壁部材を融着してセルを作製したり、第1のガラス板の上に管状の側壁部材を配し、これらを融着して容器を作製し、作製した容器及び第2のガラス板に吸着している水分を低減した後に、容器内に量子ドットを注入し、第2のガラス板と容器とを融着してセルを作製してもよい。すなわち、量子ドットを配した後にセルを作製してもよい。セルの内壁に吸着している水分を低減する低減工程に先立ってセルを完成させる必要は必ずしも必要なく、低減工程においてセルの各構成部材に吸着している水分を低減した後にセルを作製してもよい。
1 発光デバイス
10 セル
11 第1のガラス板
12 第2のガラス板
13 側壁部材
14 内部空間
15 連通口
16 閉口材
17 量子ドット

Claims (7)

  1. 相互に間隔をおいて対向している第1及び第2のガラス板を備えるセルと、前記セル内に封入された量子ドットとを備える発光デバイスの製造方法であって、
    前記量子ドットの封入に先立って、前記セルの内壁に吸着している水分を低減する低減工程を備える、発光デバイスの製造方法。
  2. 前記低減工程において、前記セルを300℃以上に加熱する、請求項1に記載の発光デバイスの製造方法。
  3. 前記低減工程において、前記セル内を減圧しながら前記セルを300℃以上に加熱する、請求項2に記載の発光デバイスの製造方法。
  4. 不活性ガス雰囲気下で前記低減工程を行う、請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光デバイスの製造方法。
  5. 前記低減工程を行った後、大気に暴露しないまま前記量子ドットの注入工程を行う、請求項1〜4のいずれか一項に記載の発光デバイスの製造方法。
  6. 前記セルは、前記第1のガラス板と前記第2のガラス板との間に配されたガラス製の側壁部材をさらに備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光デバイスの製造方法。
  7. 前記各ガラス板と前記側壁部材とを融着することにより前記セルを作製する、請求項6に記載の発光デバイスの製造方法。
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Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63237026A (ja) * 1987-03-26 1988-10-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶セルの乾燥方法
JPH11209149A (ja) * 1998-01-23 1999-08-03 Asahi Glass Co Ltd 真空複層ガラス
JP2001284172A (ja) * 2000-03-28 2001-10-12 Kyocera Corp 電気二重層コンデンサ
US6940087B2 (en) * 2002-03-08 2005-09-06 Matsushita Electric Works, Ltd. Quantum device
WO2007143197A2 (en) * 2006-06-02 2007-12-13 Qd Vision, Inc. Light-emitting devices and displays with improved performance
JP2012514071A (ja) * 2008-12-30 2012-06-21 ナノシス・インク. ナノ結晶および生成された組成物をカプセル化するための方法
US8568184B2 (en) * 2009-07-15 2013-10-29 Apple Inc. Display modules
US20110303940A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-15 Hyo Jin Lee Light emitting device package using quantum dot, illumination apparatus and display apparatus
JP5737011B2 (ja) * 2011-01-18 2015-06-17 日本電気硝子株式会社 発光デバイス、発光デバイス用セル及び発光デバイスの製造方法
JP5724685B2 (ja) * 2011-07-01 2015-05-27 日本電気硝子株式会社 発光デバイス用セルの製造方法及び発光デバイスの製造方法
JP5724684B2 (ja) * 2011-07-01 2015-05-27 日本電気硝子株式会社 発光デバイス用セル及び発光デバイス
JP6192897B2 (ja) * 2012-04-11 2017-09-06 サターン ライセンシング エルエルシーSaturn Licensing LLC 発光装置、表示装置および照明装置
CN103226259B (zh) * 2013-04-09 2015-07-01 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示面板、显示装置及液晶显示面板的制造方法
US9335023B2 (en) * 2013-12-11 2016-05-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Quantum dot lens and manufacturing method thereof
KR102132220B1 (ko) * 2013-12-27 2020-07-10 삼성디스플레이 주식회사 양자점 광학 소자의 제조 방법 및 양자점 광학 소자를 포함한 백라이트 유닛

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