KR101110573B1 - 발광체의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

상온 및 상압 조건 하에서, 스트론튬 티타네이트(SrTiO3)에 이온빔을 조사하여 발광체를 제조한다. 진공 장비 없이 상온 및 상압 상태에서 레드 광, 그린 광 및 블루 광을 방출하는 발광체를 용이하게 제조하여 생산성을 향상시킬 수 있다.
발광, 형광, STO, 스트론튬 티타네이트, 비진공, 충돌, 블루, 상온, 상압

Description

발광체의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING LIGHT-EMITTING BODY}
본 발명은 발광체의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 표시 장치용 광원으로 이용될 수 있는 발광체의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 발광 기술은 발광 물질이 외부광, 전계, 전자선, 열, 음향파, 물리적인 힘 등에 의한 에너지를 받아 여기되어 에너지 레벨이 높은 상태가 되고, 상기 에너지 레벨이 높은 상태에서 상대적으로 낮은 상태가 되면서 특정 파장의 광을 방출하는 것을 이용하는 기술로서, 산업 전반에 이용되고, 차세대 디스플레이 산업의 기초가 되는 핵심 기술이다. 특히, 광 발광(photoluminescence, PL)은 여기된 전자가 고체의 밴드 갭 사이의 국소화된 전자 준위에서 전이될 때 광이 방출되는 것을 말한다.
상기 발광 기술에서, 레드, 그린 및 블루를 포함하는 삼원색 중에서 레드 광 및 그린 광을 생성하는 발광 기술은 오래 전에 개발되어 현재까지도 디스플레이 및 광원용 장치 등에 폭넓게 쓰이고 있다. 반면, 블루 광을 생성하는 발광 기술은 기술적인 한계로 그 개발이 미진하다가, 1990년대에 이르러서야 반도체 기술 분야에서 비로소 질화갈륨(GaN)을 이용한 청색 발광다이오드가 개발되었고, 현재까지는 일반적으로 질화갈륨을 블루 발광 물질로서 디스플레이 및 광원용 장치에 널리 이용되고 있다.
그러나, 현재까지 개발된 블루 광을 생성하는 발광 기술을 적용하기 위해서는 고도화된 기술과 고가의 장비를 이용하여야 한다. 이 경우, 대량 생산에 제약이 따르고, 기하급수적으로 늘어나는 블루 광을 생성하는 발광 기술을 이용한 제품에 대한 시장의 수요를 공급이 감당하고 있지 못하는 문제가 있다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 진공 장비 없이 상온 및 상압 상태에서 레드 광, 그린 광 및 블루 광을 방출하는 발광체의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 발광체의 제조 방법이 제공된다. 상기 발광체는 상온 및 상압 조건 하에서, 스트론튬 티타네이트(SrTiO3)에 이온빔을 조사하여 형성한다.
상기 이온빔은 양성자(proton), 중양성자(deuterium) 또는 알파 입자 중에서 선택된 어느 하나의 핵 입자이거나, 중이온 입자일 수 있다. 상기 핵 입자는 약 1MeV 내지 약 50MeV의 에너지를 가질 수 있다. 상기 중이온 입자는 약 1KeV 내지 약 100KeV의 에너지를 가질 수 있다.
상기 발광체는 화이트 광을 방출한다. 상기 발광체는 그린 광을 방출하는 제1 발광부, 블루 광을 방출하는 제2 발광부 및 레드 광을 방출하는 제3 발광부를 포함한다. 상기 제1 발광부는 상온 및 상압 조건 하에서 스트론튬 티타네이트(SrTiO3)에 제1 이온빔을 조사하여 형성한다. 상기 제2 발광부는 상기 스트론튬 티타네이트에 제2 이온빔을 조사하여 형성한다. 상기 제3 발광부는 상기 스트론튬 티타네이트에 제3 이온빔을 조사하여 형성한다.
상기 제1 및 제2 이온빔들 각각은 양성자(proton), 중양성자(deuterium) 또는 알파 입자 중에서 선택된 어느 하나의 핵 입자를 포함할 수 있다. 상기 제3 이온빔은 중이온 입자를 포함할 수 있다.
이와 달리, 상기 제1, 제2 및 제3 이온빔들은 각각 중이온 입자들을 포함할 수 있다.
이와 같은 발광체의 제조 방법에 따르면, 진공 장비 없이 상온 및 상압 상태에서 스트론튬 티타네이트(SrTiO3)에 고에너지를 갖는 핵 입자 또는 중이온 입자를 충돌시킴으로써 상기 스트론튬 티타네이트 내부의 구조적 결함을 유도한다. 이에 따라, 상기 구조적 결함에 의해 스트론튬 티타네이트의 레드, 그린 또는 블루를 나타내는 광을 방출하는 국소화된 전자 준위가 형성될 수 있다. 따라서, 비진공 조건 하에서 사용자가 원하는 컬러를 나타내는 광을 방출하는 발광체를 용이하게 제조할 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용 어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
발광체
본 발명에 따른 발광체는 자외선을 제공받아, 그린을 나타내는 그린 광, 블루를 나타내는 블루 광 또는 레드를 나타내는 레드 광을 포함하는 가시광을 방출한다. 상기 발광체는, 상기 발광체의 밴드 갭 사이의 국소화된 전자 준위에서, 여기 된 전자가 상기 전자 준위에서 전이됨으로써 상기 그린 광, 상기 블루 광 또는 상기 레드 광을 방출한다.
상기 발광체는 내부의 구조적 결함을 갖는 스트론튬 티타네이트(SrTiO3, 이하"STO"로 나타냄) 단결정을 포함한다. 상기 STO 단결정의 내부의 구조적 결함에 의해서 상기 국소화된 전자 준위가 형성된다. 상기 발광체는 상기 자외선을 흡수하면, 특정 파장을 가져 특정 컬러를 나타내는 광을 방출한다.
이하에서는, 상기 발광체를 제조하는 방법에 대해서 구체적인 실시예들과 함께 설명하도록 한다. 도 1, 도 2a, 도 2b 및 도 3에서, x축은 파장(단위 nm)을 나타내고, y축은 발광 강도(이하, PL 강도라고 함)를 나타낸다.
발광체의 제조 방법
상기 발광체는 상온 및 상압 조건 하에서 STO 단결정에 이온빔을 조사함으로써 형성할 수 있다. 상기 상온은 약 18℃ 이상 약 30℃ 이하의 통상의 실내 온도로 정의한다. 상기 상압은 특별히 압력을 높이거나 낮추지 않은 비진공 상태를 의미한다. 구체적으로, 상기 상압은 대기압과 유사한 약 1기압 정도의 압력을 의미한다.
상기 이온빔은 소정의 에너지를 가진 상태로 상기 STO 단결정에 충돌된다. 상기 이온빔이 상기 STO 단결정에 충돌됨으로써, 상기 STO 단결정은 상기 이온빔에 의해 그 내부에 구조적 결함을 가지게 된다. 이에 따라, 구조적 결함을 갖는 STO 단결정은 국소화된 전자 준위를 가지게 되고, 상기 자외선을 흡수하여 상기 전자 준위에서 전자가 전이될 때 특정 컬러를 나타내는 광을 방출할 수 있다. 즉, 상기 이온빔을 제공받은 상기 STO 단결정이 상기 발광체로 정의되고, 상기 발광체에 상기 자외선이 가해지면 상기 발광체는 상기 자외선을 흡수하여 특정 컬러를 나타내는 광을 방출하는 것으로 정의된다. 상기 발광체가 상기 자외선을 흡수하여 방출하는 광은 가시광이다.
상기 이온빔은 핵 입자를 포함할 수 있다. 상기 핵 입자는 양성자(proton), 중양성자(deuterium) 또는 알파 입자를 포함할 수 있다. 상기 핵 입자의 에너지는 약 1MeV 내지 약 50MeV일 수 있다. 상기 핵 입자를 이용하여 형성한 상기 발광체는 그린 광, 블루 광 또는 레드 광을 방출할 수 있다. 상기 핵 입자가 상기 STO 단결정에 조사되는 시간은 약 3분 내지 약 1000분일 수 있다. 조사 시간은 조사빔의 흐름량(current)을 늘려서 줄일 수 있다. 즉, 흐름량을 10배로 늘리면 시간이 10분의 1로 줄일 수 있다. 이때 발광의 효과는 같다. 구체적으로, 상기 핵 입자의 에너지가 약 1MeV 내지 약 50MeV이고 상기 시간이 약 3분 내지 약 1000분일 때, 상기 발광체는 약 380nm 내지 약 550nm 파장의 광을 방출할 수 있다.
상기 핵 입자의 에너지가 동일할 때, 상기 핵 입자가 상기 STO 단결정에 조사하는 시간에 따라 상기 발광체가 방출하는 우세한 광의 파장이 다를 수 있다. 구체적으로, 상기 핵 입자가 상기 STO 단결정에 조사하는 시간이 길수록 상기 발광체가 방출하는 면적이 넓어지고 방출하는 우세한 파장이 다를 수 있다. 예를 들어, 양성자의 에너지가 약 5MeV일 때, 약 3분 내지 약 10분 동안 상기 양성자를 제공받아 형성된 발광체가 방출하는 제1 광의 파장은, 조사 시간이 늘어남에 따라 방출하는 강도가 높아지는 경향이 있다. 또한, 상기 핵 입자가 상기 STO 단결정에 동일한 시간동안 제공될 때, 상기 핵 입자의 에너지에 따라 상기 발광체가 방출하는 광의 파장이 다를 수 있다. 구체적으로, 상기 핵 입자의 에너지가 낮을수록 상기 발광체가 방출하는 광의 파장이 길어질 수 있다.
실시예 1
상온 및 상압 조건의 챔버 내부에서, 약 5MeV의 에너지를 갖는 양성자를 STO 단결정에 조사하였다. 약 600분이 경과한 후, 제조된 발광체의 파장에 따른 PL 강도를 측정하여 그 결과를 도 1에 나타내었다.
도 1을 참조하면, 실시예 1에 따라 제조된 발광체는 약 450nm의 파장에서 다른 파장에 비해 상대적으로 강한 세기를 나타내는 피크(peak)를 나타냄을 알 수 있다.
실시예 2
상온 및 상압 조건의 챔버 내부에서, 약 5MeV의 에너지를 갖는 중양성자를 STO 단결정에 조사하였다. 약 10분 및 약 20분이 경과한 후, 제조된 발광체들의 파장에 따른 PL 강도를 측정하여 그 결과를 도 2에 나타내었다.
도 2를 참조하면, 약 10분 동안 중양성자를 조사하여 제조한 발광체는 약 500nm 의 파장에서 다른 파장에 비해 상대적으로 강한 세기를 나타내는 피크를 나타냄을 알 수 있다. 약 20분 동안 중양성자를 조사하여 제조한 발광체는 약 500nm의 파장에서 다른 파장에 비해 상대적으로 강한 세기를 나타내는 피크를 나타냄을 알 수 있고 전체적으로 발광의 세기가 증가함을 알 수 있다. 또한, 상기 중양성자의 조사시간이 길수록 전체적인 발광의 세기가 증가함을 알 수 있다.
실시예 3
상온 및 상압 조건의 챔버 내부에서, 약 5MeV의 에너지를 갖는 알파 입자를 STO 단결정에 조사하였다. 약 10분이 경과한 후, 제조된 발광체들의 파장에 따른 PL 강도를 측정하여 그 결과를 도 3에 나타내었다.
도 3을 참조하면, 실시예 3에 따라 제조된 발광체는 약 500nm의 파장에서 다른 파장에 비해 상대적으로 강한 세기를 나타내는 피크를 나타냄을 알 수 있다. 약 400nm의 파장에서도 피크가 나타나지만 약 500nm에서 나오는 피크의 강도보다 작음을 알 수 있다.
도 1에 도시된 그래프와 도 2 및 도 3에 도시된 그래프들을 비교하면, 실시예 1에 따라 제조된 발광체는, 실시예 2 및 실시예 3 각각에 따라 제조된 발광체에 비해 상대적으로 장파장의 광을 방출한다. 구체적으로, 실시예 1에 따라 제조된 발광체가 방출하는 광을 "그린 광"으로 정의할 때, 실시예 2 및 실시예 3 각각에 따라 제조된 발광체가 방출하는 광은 상기 그린 광에 비해 상대적으로 "블루 광"을 방출하는 것을 알 수 있다.
이와 달리, 상기 이온빔은 중이온 입자를 포함할 수 있다. 상기 중이온 입자는 예를 들어, 탄소 음이온(C-)을 포함할 수 있다. 상기 중이온 입자의 에너지는 약 1KeV 내지 약 100KeV일 수 있다. 상기 발광체는 그린 광, 블루 광 또는 레드 광을 방출할 수 있다. 상기 중이온 입자가 상기 STO 단결정에 조사되는 시간은 약 3분 내지 약 1000분일 수 있다. 상기 중이온 입자의 에너지가 약 1KeV 내지 약 100KeV 이고 상기 시간이 약 3분 내지 약 50분일 때, 상기 발광체는 약 380nm 내지 약 550nm 파장의 광을 방출할 수 있다. 상기 중이온 입자의 에너지가 약 1KeV 내지 약 100KeV이고 상기 시간이 약 100분 내지 1500분일 때, 상기 발광체는 약 550nm 내지 약 750nm 파장의 광을 방출할 수 있다.
상기 중이온 입자의 에너지는 약 1KeV 내지 약 100KeV로 약 1MeV에 비해 상대적으로 낮은 에너지에 속하지만, 상대적으로 낮은 에너지의 상기 중이온 입자는 상기 STO 단결정을 관통하지 못하고 상기 STO 단결정의 내부에 축적될 수 있으므로 상기 STO 단결정의 내부의 구조적 결함을 생성할 수 있는 가능성이, 약 1MeV 내지 약 50MeV의 에너지를 갖는 핵 입자를 이용하여 발광체를 형성하는 경우에 비해 상대적으로 크다. 즉, 동일한 시간동안 이온빔이 가해지더라도 약 1KeV 내지 약 100KeV의 에너지를 갖는 중이온 입자가 약 1MeV 내지 약 50MeV의 에너지를 갖는 핵 입자에 비해 상대적으로 STO 단결정의 내부에 용이하게 구조적 결함을 생성할 수 있다. 따라서, 상기 중이온 입자를 이용하는 경우에는 약 550nm 내지 약 750nm 파장의 광을 방출하는 발광체를 용이하게 제조할 수 있다.
실시예 4
상온 및 상압 조건의 챔버 내부에서, 약 60KeV의 에너지를 갖는 탄소 음이온(C-)을 STO 단결정에 조사하였다. 약 10분 및 약 1000분이 경과한 후, 제조된 발광체들의 파장에 따른 PL 강도를 측정하여 그 결과를 도 4에 나타내었다.
도 4를 참조하면, 약 10분 동안 탄소 음이온을 조사하여 제조한 발광체는 약 480nm의 파장에서 다른 파장에 비해 상대적으로 강한 세기를 나타내는 피크를 나타냄을 알 수 있다. 약 1000분 동안 탄소 음이온을 조사하여 제조한 발광체는 약 650nm의 파장에서 다른 파장에 비해 상대적으로 강한 세기를 나타내는 피크를 나타냄을 알 수 있다. 또한, 상기 탄소 음이온의 조사시간이 길수록 상대적으로 강한 세기를 나타내는 피크를 갖는 파장이 길어짐을 알 수 있다. 구체적으로, 약 10분 동안 탄소 음이온을 조사하여 제조한 발광체가 방출하는 광을 "그린 광"으로 정의할 때, 약 1000분 동안 탄소 음이온을 조사하여 제조한 발광체가 방출하는 광은 상기 그린 광에 비해 상대적으로 "레드 광"을 방출하는 것을 알 수 있다.
이하, 화이트 광을 방출하는 발광체 및 이의 제조 방법에 대해서 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 화이트 광을 방출하는 발광체는 그린 광을 방출하는 제1 발광부, 블루 광을 방출하는 제2 발광부 및 레드 광을 방출하는 제3 발광부를 포함한다. 상기 발광체는 빛의 삼원색을 나타내는 광을 방출하는 상기 제1 내지 제3 발광부들을 포함함으로써, 상기 제1 내지 제3 발광부들이 방출하는 광의 혼합으로 인해 실질적으로 화이트 광을 방출하는 결과를 갖는다. 상기 발광체는 상온 및 상압 조건 하에서 이온빔을 조사하여 형성한다.
일례로, 상온 및 상압 조건 하에서, STO 단결정을 포함하는 제1 기판에, 제1 이온빔을 조사하여 그린 광을 방출하는 제1 발광부를 형성한다. 상기 제1 이온빔은 핵 입자를 포함할 수 있다. 상기 제1 이온빔은 예를 들어, 약 5MeV의 에너지를 갖는 양성자일 수 있다. 상기 제1 이온빔은 약 1000분 동안 상기 기판에 조사될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 기판에 그린 광을 방출하는 상기 제1 발광부가 형성된다.
상온 및 상압 조건 하에서, 상기 제1 기판과 독립적인 제2 기판에 제2 이온빔을 조사하여 블루 광을 방출하는 제2 발광부를 형성한다. 상기 제2 기판은 STO 단결정을 포함한다. 상기 제2 이온빔은 핵 입자를 포함할 수 있다. 상기 제2 이온빔은 예를 들어, 약 5MeV의 에너지를 갖는 중양성자일 수 있다. 상기 제1 이온빔을 조사하는 제1 시간은 상기 제2 이온빔을 조사하는 제2 시간에 비해 상대적으로 길다. 상기 제2 이온빔은 약 10분 동안 상기 기판에 조사될 수 있다. 이와 달리, 상기 제2 이온빔은 상기 제1 이온빔과 동일하게 양성자를 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 기판에 블루 광을 방출하는 상기 제2 발광부가 형성된다.
상온 및 상압 조건 하에서, 상기 제1 및 제2 기판들과 독립적인 제3 기판에 제3 이온빔을 조사하여 레드 광을 방출하는 제3 발광부를 형성한다. 상기 제3 이온빔은 중이온 입자를 포함할 수 있다. 상기 제3 이온빔은 예를 들어, 약 60KeV의 에너지를 갖는 탄소 음이온일 수 있다. 상기 제3 이온빔은 약 1000분 동안 상기 기판에 조사될 수 있다. 이에 따라, 상기 제3 기판에 레드 광을 방출하는 상기 제3 발광부가 형성된다.
이어서, 상기 제1, 제2 및 제3 기판들을 어셈블리한다. 상기 제1, 제2 및 제3 기판들은 병렬로 배치시킬 수 있고, 모자이크 방식으로 배치시킬 수 있다. 상기 제1, 제2 및 제3 기판들을 어셈블리함으로써 상기 제1, 제2 및 제3 발광부들을 포함하고, 화이트 광을 방출하는 하나의 발광체가 제조될 수 있다.
이와 달리, 상기 제1, 제2 및 제3 이온빔들 각각이 탄소 음이온(C-)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 발광부를 형성하기 위해서 상기 탄소 음이온을 상기 제1 기판으로 조사하는 제1 시간은, 상기 제2 발광부를 형성하기 위해서 상기 탄소 음이온을 상기 제2 기판으로 조사하는 제2 시간에 비해 상대적으로 길다. 또한, 상기 제3 발광부를 형성하기 위해서 상기 탄소 음이온을 상기 제3 기판으로 조사하는 제3 시간은 상기 제1 및 제2 시간들에 비해 상대적으로 길다.
다른 예로서, 상온 및 상압 조건 하에서, 하나의 기판의 일부에 제1 발광부를 형성하고, 상기 제1 발광부가 형성된 상기 기판의 다른 영역에 제2 발광부를 형성한 후, 상기 제1 및 제2 발광부들을 포함하는 상기 기판의 또 다른 영역에 제3 발광부를 형성하여 화이트 광을 방출하는 하나의 발광체를 제조할 수도 있다. 상기 제2 발광부를 형성할 때, 상기 제1 발광부가 형성된 상기 기판의 일 영역에는 제2 이온빔이 도달하지 않도록 마스크를 이용할 수 있다.
상기에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 진공 장비 없이 상온 및 상압 상태에서 STO 단결정에 고에너지를 갖는 핵 및/또는 중이온 입자를 충돌시킴으로써 상기 STO 단결정 내부의 구조적 결함을 유도할 수 있다. 이에 따라, 상기 구조적 결함을 포함하는 STO 단결정에, 레드 광, 그린 광 또는 블루 광을 방출하는 국소화된 전자 준위가 형성될 수 있다. 따라서, 상온 및 상온 조건 하에서 사용자가 원하는 컬러를 나타내는 광을 방출하는 발광체를 용이하게 제조할 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 진공 장비 없이 상온 및 상압 상태에서 사용자가 원하는 컬러를 나타내는 광을 방출하는 발광체를 용이하게 제조할 수 있다. 이에 따라, 생산성이 향상된 발광체를 제조할 수 있다. 본 발명은 애노드, 발광층 및 캐소드를 포함하는 발광 다이오드의 상기 발광층을 형성하는데 이용되어 표시 장치의 화이트 광원, 표시 장치의 픽셀에 구비되는 컬러필터 등으로 산업 전반에 이용될 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 발광체의 파장에 따른 강도를 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예 2에 따라 제조된 발광체의 파장에 따른 강도를 나타낸 그래프들이다.
도 3은 본 발명의 실시예 3에 따라 제조된 발광체의 파장에 따른 강도를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시예 4에 따라 제조된 발광체의 파장에 따른 강도를 나타낸 그래프이다.

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  9. 상온 및 상압 조건 하에서, 스트론튬 티타네이트(SrTiO3)에 제1 이온빔을 조사하여 그린 광을 방출하는 제1 발광부를 형성하는 단계;
    상기 스트론튬 티타네이트에 제2 이온빔을 조사하여 블루 광을 방출하는 제2 발광부를 형성하는 단계; 및
    상기 스트론튬 티타네이트에 제3 이온빔을 조사하여 레드 광을 방출하는 제3 발광부를 형성하는 단계를 포함하는 화이트 광을 방출하는 발광체를 형성하는 단계를 포함하는 발광체의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2 이온빔들은 각각
    양성자(proton), 중양성자(deuterium) 및 알파 입자 중에서 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광체의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 이온빔을 조사하는 제1 시간은
    상기 제2 이온빔을 조사하는 제2 시간에 비해 상대적으로 긴 것을 특징으로 하는 발광체의 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제3 이온빔은 탄소 음이온(C-)을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 유닛의 제조 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3 이온빔들은 각각 탄소 음이온(C-)을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광체의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 이온빔을 조사하는 제1 시간은 상기 제2 이온빔을 조사하는 제2 시간에 비해 상대적으로 길고,
    상기 제3 이온빔을 조사하는 제3 시간은 상기 제1 및 제2 시간들에 비해 상대적으로 긴 것을 특징으로 하는 발광체의 제조 방법.
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JPS5991129A (ja) 1982-11-17 1984-05-25 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 導電層を有する高分子製品
KR20060094187A (ko) * 2005-02-23 2006-08-29 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 유기 전기 발광소자 형성방법

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Title
IAEA-TECDOC-1670 2008년 12월 43-52쪽*
Japanese Journal of Applied Physics 2007년 46권 19호 L471-L473쪽*

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