CN103560182A - 一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，包括如下步骤，采用金属有机物化学气相沉积方法，在图形化蓝宝石衬底上外延InGaN/GaN结构；InGaN/GaN结构通过等离子体增强化学气相沉积、光刻、ICP刻蚀、电子束蒸发后制备成LED芯片；LED芯片再通过刺晶、引线、灌胶、烘烤，被封装成LED管座；向LED管座注入荧光粉封，装成GaN基低色温高显色白光LED。本发明制备方法，操作简单，成本低廉，所得GaN基低色温高显色白光LED可以满足对色温和演色性要求较高的领域。
Description
技术领域
本发明涉及半导体设计及制造技术领域，尤其涉及一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法。
背景技术
发光二极管(LED)作为一种新型光源，具有体积小、效率高、寿命长、节能、抗震动能力强、响应时问快、无污染等优点，这些优点都会给人带来便利，被人们称为第四代固体照明光源，广泛应用于医疗，电子通讯，科研，显示等领域。目前，在相同的照明条件下，其能耗仅为白炽灯的20％，荧光灯的50％。到2020年，即使只将50％的白炽灯和荧光灯替换为白光LED，至少可以节约一半的照明用电，减少C02排放3亿5千万吨，节能和环保效果将十分明显。
理想的白光LED是采用红、绿、蓝三基色发光二极管来合成，三色二极管的光强度可分开控制，形成全彩的变色效果，并可通过波长和强度的选择来得到较佳的演色性，但由于使用的三个二极管都是热源，散热是其他封装形式的三倍，芯片光效更会随温度的上升而明显的下降，并造成其寿命的缩短。为了解决散热，多个小组研制出单芯片型白光LEDs，中国台湾Chen等采用有源层中不同的量子阱，用不同的In组分来控制发光波长（Chen C H，ChangS J，Su Y K，et a1.IEEE Photonics TeehnoI.Lett.，2002，14(7)：908），他们在蓝宝石衬底上依次生长InGaN／GaN蓝光LEDs和InGaN／GaN绿光LEDs结构，当注入电流小于200mA时，得到了接近白光的发射光谱，但色温却高达9000K。北京工业大学Guo等则采用键合技术制作GaAs／GaN白光LEDs（Guo X，Shen G D，Guan B L，et a1.Appl.Phys.Lett,2008，92(1)：013507）。然而，由于三种i卷片的量子效率各不相同，衰减也不同，最终造成出光颜色不稳定。日本日亚公司(Nichia Co.)首先提出采用460nm蓝光激发YAG黄光荧光粉来得到白光LED（Park J K，Lira M A，Kim C H，eta1.Appl.Phys.Lett；2003，82(5)：683.Allen S C，Steckl Aj.Appl.Phys.Lett.,2008，92(14)：143309），YAG荧光粉通过吸收一部分蓝光来激发黄光，黄光与没被吸收的蓝光混合产生白光，这种方法因其结构简单，容易制作，加上YAG荧光粉制作工艺的成熟，已经广泛应用到自光LED的生产领域，但也存在几个重要问题很长时问无法解决，首先是均匀度问题，由于参与自光配色的蓝光芯片波长的偏移、强度的变化以及荧光粉涂料厚度的改变均会影响其出光均匀度，其次由于激发的发光光谱中缺少红色波段成分，其白光色温偏高(4000～7000K)、演色性偏低等问题，限制其在医疗、显示等对色域要求高的领域中的应用。用紫外光配上三色(RGB)荧光粉提供了另一个研发方向，其方法主要是利用实际上不参与配出白光的紫外LEDs激发红、绿、蓝荧光粉，再由三色荧光粉发出的三色光配成白光。由于紫外二极管不参与白光的配色，因此其波长与强度的波动对出光稳定性而言不会影响太大，通过调整各色荧光粉的配比，虽然可得到理想的色温和演色性，但激发三色荧光粉的紫外光波长(荧光粉最佳转换效率之激发波长)很难选择，由于荧光粉在Stocks变换中存在能量损失，用高能量的UV光子激发低能量的红、绿、蓝光子造成光效比较低，且封装材料在紫外光下易老化，寿命短，还存在紫外线泄露的安全隐患。
采用440nm短波长InGaN／GaN蓝光LED芯片激发高效红、绿荧光粉制得低色温高显色性白光LED是实现白光LED的又一途径，用这种方法即可避免紫外光激发带来的一系列问题，又可得到较好的色温和演色性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
采用金属有机物化学气相沉积方法，在图形化蓝宝石衬底上外延InGaN/GaN结构；
InGaN/GaN结构通过等离子体增强化学气相沉积、光刻、ICP刻蚀、电子束蒸发后制备成LED芯片；
LED芯片再通过刺晶、引线、灌胶、烘烤，被封装成LED管座；
向LED管座注入荧光粉封，装成GaN基低色温高显色白光LED。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，所述GaN基低色温高显色白光LED在20mA工作电流下，工作电压为3.19V，发光波长为440nm。
所述GaN基低色温高显色白光LED在20mA工作电流下，工作电压为3.19V，发光波长为440nm时，色温变化受电流变化的影响小，并且色温与演色性最佳对人眼更有益。
进一步，所述图形化蓝宝石尺寸大小为2英寸。
进一步，所述制备的GaN基低色温高显色白光LED芯片尺寸大小为14x14mil。
进一步，选用封装材料有双酚A/B型环氧树脂、日本信越SCR1012/AB型弹性硅胶、2.5μm金丝引线、0.94±0.05mm支架银杯杯底。
进一步，烘烤温度为800～1400℃，在烘烤时气氛中含有氢气。
进一步，所述荧光粉由A胶、B胶、绿粉、红粉按照质量比为0.5：0.5：0.2：0.03混合而成，其中颗粒尺寸为7～8μm。
所述荧光粉（A胶、B胶、绿粉、红粉）按照质量比为0.5：0.5：0.2：0.03时，所述GaN基低色温高显色白光LED显色指数较高，色温最低可到3251k，比传统的蓝光激发YAG荧光粉制得的白光LED显色指数要高。
本发明的有益效果是：本发明制备方法操作简单，成本低廉，所得GaN基低色温高显色白光LED可以满足对色温和演色性要求较高的领域。
附图说明
图1为本发明一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法流程图；
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
如图1所示，一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，包括如下步骤：
采用金属有机物化学气相沉积方法，在图形化蓝宝石衬底上外延InGaN/GaN结构；
InGaN/GaN结构通过等离子体增强化学气相沉积、光刻、ICP刻蚀、电子束蒸发后制备成LED芯片；
LED芯片再通过刺晶、引线、灌胶、烘烤，被封装成LED管座；
向LED管座注入荧光粉封，装成GaN基低色温高显色白光LED。
实施例1：
采用金属有机物化学气相沉积方法，在2英寸图形化蓝宝石衬底上外延InGaN/GaN结构；InGaN/GaN结构通过等离子体增强化学气相沉积、光刻、ICP刻蚀、电子束蒸发工艺制备成GaN基低色温高显色白光LED芯片；LED芯片再通过双酚A/B型环氧树脂、日本信越SCR1012/AB型弹性硅胶、2.5μm金丝引线、0.94±0.05mm支架银杯杯底、在氢气气氛中800℃温度下烘烤，被封装成LED管座；注入荧光粉（A胶、B胶、绿粉、红粉质量比为0.5g：0.5g：0.2g：0.03g,颗粒大小平均为7μm）封装成GaN基低色温高显色白光LED。
实施例2：
采用金属有机物化学气相沉积方法，在2英寸图形化蓝宝石衬底上外延InGaN/GaN结构；InGaN/GaN结构通过等离子体增强化学气相沉积、光刻、ICP刻蚀、电子束蒸发工艺制备成GaN基低色温高显色白光LED芯片；LED芯片再通过双酚A/B型环氧树脂、日本信越SCR1012/AB型弹性硅胶、2.5μm金丝引线、0.94±0.05mm支架银杯杯底、在氢气气氛中1000℃温度下烘烤，被封装成LED管座；注入荧光粉（A胶、B胶、绿粉、红粉质量比为1g：1g：0.4g：0.06g，颗粒大小平均为7.8μm）封装成GaN基低色温高显色白光LED。
实施例3：
采用金属有机物化学气相沉积方法，在2英寸图形化蓝宝石衬底上外延InGaN/GaN结构；InGaN/GaN结构通过等离子体增强化学气相沉积、光刻、ICP刻蚀、电子束蒸发工艺制备成GaN基低色温高显色白光LED芯片；LED芯片再通过双酚A/B型环氧树脂、日本信越SCR1012/AB型弹性硅胶、2.5μm金丝引线、0.94±0.05mm支架银杯杯底、在氢气气氛中1400℃温度下烘烤，被封装成LED管座；注入荧光粉（A胶、B胶、绿粉、红粉质量比为2g：2g：0.8g：0.12g，颗粒大小平均为8μm）封装成GaN基低色温高显色白光LED。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
采用金属有机物化学气相沉积方法，在图形化蓝宝石衬底上外延InGaN/GaN结构；
InGaN/GaN结构通过等离子体增强化学气相沉积、光刻、ICP刻蚀、电子束蒸发后制备成LED芯片；
LED芯片再通过刺晶、引线、灌胶、烘烤，被封装成LED管座；
向LED管座注入荧光粉封，装成GaN基低色温高显色白光LED。
2.根据权利要求1所述一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，其特征在于，GaN基低色温高显色白光LED在20mA工作电流下，工作电压为3.19V，发光波长为440nm。
3.根据权利要求1所述一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，其特征在于，所述图形化蓝宝石衬底尺寸为2英寸。
4.根据权利要求1所述一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，其特征在于，所述LED芯片尺寸为14x14mil。
5.根据权利要求1所述一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，其特征在于，选用封装材料有双酚A/B型环氧树脂、弹性硅胶、2.5μm金丝引线、0.94±0.05mm支架银杯杯底。
6.根据权利要求1所述一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，其特征在于，烘烤温度为800～1400℃，在烘烤时气氛中含有氢气。
7.根据权利要求1所述一种GaN基低色温高显色白光LED制备方法，其特征在于，所述荧光粉由A胶、B胶、绿粉、红粉按照质量比为0.5：0.5：0.2：0.03混合而成，其中颗粒尺寸为7～8μm。
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| CN (1) | CN103560182A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105826451A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-08-03 | 中山市利光电子有限公司 | 一种高显色指数的led灯珠制作工艺 |
| CN111755582A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-09 | 泉州市康电光电科技有限公司 | 一种光源配光高显生鲜照明制备工艺 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102403426A (zh) * | 2011-12-09 | 2012-04-04 | 江苏康纳思光电科技有限公司 | 一种制造宽色域白光led的方法 |
| CN102719250A (zh) * | 2012-06-13 | 2012-10-10 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 蓝光基单一荧光粉及其在制备白光led中的应用 |
| US20130168724A1 (en) * | 2010-09-07 | 2013-07-04 | Civilight Shenzhen Semiconductor Lighting Co., Ltd | Warm white light led chip with high brightness and high color rendering |
-
2013
- 2013-11-07 CN CN201310549164.5A patent/CN103560182A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130168724A1 (en) * | 2010-09-07 | 2013-07-04 | Civilight Shenzhen Semiconductor Lighting Co., Ltd | Warm white light led chip with high brightness and high color rendering |
| CN102403426A (zh) * | 2011-12-09 | 2012-04-04 | 江苏康纳思光电科技有限公司 | 一种制造宽色域白光led的方法 |
| CN102719250A (zh) * | 2012-06-13 | 2012-10-10 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 蓝光基单一荧光粉及其在制备白光led中的应用 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
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| 王峰等: ""GaN基低色温高显色白光LED"", 《光谱学与光谱分析》, vol. 31, no. 6, 30 June 2011 (2011-06-30), pages 1446 - 1449 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105826451A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-08-03 | 中山市利光电子有限公司 | 一种高显色指数的led灯珠制作工艺 |
| CN111755582A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-09 | 泉州市康电光电科技有限公司 | 一种光源配光高显生鲜照明制备工艺 |
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