JP6221762B2 - 記憶装置、記憶方法及び制御装置 - Google Patents

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Description

本発明は、記憶装置、記憶方法及び制御装置に関する。
パーソナルコンピュータ等の情報処理装置の小型化に伴って、メインメモリの小型化が求められている。メインメモリの小型化の要求に対応したメモリとして、3次元積層メモリ(3Dメモリ)がある。
特開2011−159192号公報 特開2002−319296号公報
積層メモリに不良が発生した場合、不良が発生した積層メモリを交換していた。積層メモリの不良は、積層メモリが有するメモリブロック(記憶領域)部に、データの格納が不可能な不良ブロック(不良領域)が発生することにより起こる。
積層メモリは、基板に対して半田付けされているため、積層メモリに不良が発生した場合、半田リフロー等によって、基板から積層メモリを取り外している。したがって、積層メモリに不良が発生した場合、積層メモリの交換が容易ではないという問題がある。積層メモリに不良が発生した場合であっても、積層メモリを交換せずに、積層メモリの動作が継続することが求められている。
不良が発生したメモリブロック部を特定の冗長ブロックで代替することにより、積層メモリの動作を継続する方法がある。この方法の場合、特定の冗長ブロックに空き容量が無い場合、積層メモリの動作を継続することができないという問題がある。
本件は、積層メモリに不良が発生した場合における積層メモリの動作の継続を向上する技術の提供を目的とする。
本件の一観点による記憶装置は、各々平面方向に配列された複数のメモリブロックと、各々平面方向に配列された複数の冗長ブロックとを有する半導体チップが、複数積層された記憶部と、前記記憶部における各々の前記メモリブロックの不良を検出する検出部と、前記記憶部における各々の前記冗長ブロックの空き容量を判定する判定部と、前記判定部により空き容量があると判定された前記冗長ブロックから、不良が検出された前記メモリブロックを代替する代替ブロックを決定する決定部と、を備える。
本件によれば、積層メモリに不良が発生した場合における積層メモリの動作の継続を向上することができる。
図1は、情報処理装置のハードウェア構成の一例を示す図である。 図2は、情報処理装置のメモリシステムの一例を示す図である。 図3は、メモリとして3次元積層メモリを用いた場合の模式図である。 図4は、メモリにおけるメモリ部及び冗長部を有する記憶部の一例を示す構成図である。 図5は、制御部とメモリ部との接続及び制御部と冗長部との接続を示す図である。 図6は、構成テーブルの一例を示す図である。 図7は、初期設定処理(1)のフロー図である。 図8は、管理テーブルの一例を示す図である。 図9は、冗長処理(1)のフロー図である。 図10は、管理テーブルの更新処理の一例を示す図である。 図11は、管理テーブルの更新処理の一例を示す図である。 図12は、冗長処理(1)の一例を示す図である。 図13は、冗長処理(2)のフロー図である。 図14は、管理テーブルの更新処理の一例を示す図である。 図15は、管理テーブルの更新処理の一例を示す図である。 図16は、冗長処理(2)の一例を示す図である。 図17は、初期設定処理(2)のフロー図である。 図18は、情報処理装置のメモリシステムの一例を示す図である。 図19は、情報処理装置のメモリシステムの一例を示す図である。 図20は、参考例における冗長処理を示す図である。
以下、図面を参照して、実施形態を説明する。実施形態の構成は例示であり、本装置の構成は、実施形態の構成に限定されない。本装置の構成の実施にあたって、実施形態に応じた具体的構成が適宜採用されてもよい。
図1は、情報処理装置1のハードウェア構成の一例を示す図である。情報処理装置1は、例えば、PC(Personal Computer)、PDA(Personal Digital Assistant)、スマ
ートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、電子ブック、ゲーム装置等の電子機器である。
情報処理装置1は、処理装置2、メモリ3、通信インターフェース4、表示装置5、操作インターフェース6、補助記憶装置7及び可搬記録媒体駆動装置8を備える。これらは、相互にバスを介して接続されている。図1に示す情報処理装置1の構成要素は例示であり、情報処理装置1を実現する上で、適宜、情報処理装置1の構成要素の追加又は削除がされてもよい。
図2は、情報処理装置1のメモリシステムの一例を示す図である。処理装置2は、CPU(Central Processing Unit:中央演算処理装置)21及びチップセット22を有する
。CPU21は、チップセット22に接続されており、チップセット22を介して、メモリ3と接続されている。CPU21は、例えば、チップセット22を介してメモリ3との間でデータの読み出し、消去又は書き込みを行いながら、演算処理を実行する。
メモリ3は、情報処理装置1のメインメモリ(主記憶装置)であり、例えば、図3に示すように、複数のDRAM(Dynamic Random Access Memory)チップを積層した3次元積層メモリを用いることができる。メモリ3は、「記憶装置」の一例である。DRAMチップは、「半導体チップ」の一例である。図3は、メモリ3として3次元積層メモリを用いた場合の模式図である。図3に示すように、メモリ3は、積層された複数のDRAMチップを有している。メモリ3は、チップセット22を介してCPU21に接続されており、CPU21によってデータの読み出し、消去又は書き込みが行われる。
メモリ3は、制御装置31と、複数のメモリ部32‐1‐1‐1〜32‐n‐n‐nと、複数の冗長部33‐1‐1〜33‐n‐nとを有する。
以下の説明において、メモリ部32‐1‐1‐1〜32‐n‐n‐nの全てを示す場合又はメモリ部32‐1‐1‐1〜32‐n‐n‐nのうちの一つを示す場合、メモリ部32と記述する場合がある。メモリ部32‐1‐1‐1〜32‐n‐n‐nの其々を示す場合、各メモリ部32と記述する場合がある。冗長部33‐1‐1〜33‐n‐nの全てを示す場合又は冗長部33‐1‐1〜33‐n‐nのうちの一つを示す場合、冗長部33と記述する場合がある。冗長部33‐1‐1〜33‐n‐nの其々を示す場合、各冗長部33と記述する場合がある。
図4は、メモリ3におけるメモリ部32及び冗長部33を有する記憶部の一例を示す構成図である。図4では、メモリ部32‐1‐1‐1〜32‐n‐n‐1が第1層に配列され、メモリ部32‐1‐1‐2〜32‐n‐n‐2が第2層に配列され、メモリ部32‐1‐1‐3〜32‐n‐n‐3が第3層に配列されている。図4では、メモリ部32‐1‐1‐n〜32‐n‐n‐nが第n層に配列されている。図4では、第4層〜第n−1層の図示を省略している。図4では、冗長部33‐1‐1〜33‐n‐nが第n+1層に配列されている。メモリ部32‐1‐1‐1〜32‐n‐n‐nの其々が、一つのDRAMチップであってもよい。冗長部33‐1‐1〜33‐n‐nの其々が、一つのDRAMチップであってもよい。また、第1層〜第n+1層の各層に、一つのDRAMチップを配置してもよい。例えば、一つのDRAMチップが、メモリ部32‐1‐1‐1〜32‐n‐n‐1を有してもよい。このように、メモリ3が備える記憶部は、DRAMチップの平面方向に複数のメモリ部32及び複数の冗長部33が配列されている。
図2に示すように、制御装置31は、制御部311、通信部(無線部)312、格納部313、管理部314及びチェック部315を有する。制御装置31の制御部311は、チップセット22からの指示に従い、メモリ部32のデータの読み出し、消去又はメモリ部32へのデータの書き込み(アクセス)を行う。
メモリ部32‐1‐1‐1は、メモリブロック部321‐1‐1‐1、冗長ブロック部322‐1‐1‐1、受信部(無線部)323‐1‐1‐1及び格納部324‐1‐1‐1を有する。同様に、メモリ部32‐1‐1‐2〜32‐n‐n‐nは、メモリブロック部321‐1‐1‐2〜321‐n‐n‐n及び冗長ブロック部322‐1‐1‐2〜322‐n‐n‐nを有する。同様に、メモリ部32‐1‐1‐2〜32‐n‐n‐nは、受信部323‐1‐1‐2〜323‐n‐n‐n及び格納部324‐1‐1‐2〜324‐n‐n‐nを有する。
以下の説明において、メモリブロック部321‐1‐1‐1〜321‐n‐n‐nの全てを示す場合又はメモリブロック部321‐1‐1‐1〜321‐n‐n‐nのうちの一つを示す場合、メモリブロック部321と記述する場合がある。メモリブロック部321は、複数のメモリセルを有しており、制御部311がメモリ部32に対してアクセスする際に、データの書き込み、読み出し及び消去等が行われる記憶領域である。メモリブロック部321は、「メモリブロック」の一例である。冗長ブロック部322‐1‐1‐1〜322‐n‐n‐nの全てを示す場合又は冗長ブロック部322‐1‐1‐1〜322‐n‐n‐nのうちの一つを示す場合、冗長ブロック部322と記述する場合がある。冗長ブロック部322は、不良が発生したメモリ部32のメモリブロック部321を代替する記憶領域である。冗長ブロック部322は、「冗長ブロック」の一例である。受信部323‐1‐1‐1〜323‐n‐n‐nの全てを示す場合又は受信部323‐1‐1‐1〜323‐n‐n‐nのうちの一つを示す場合、受信部323と記述する場合がある。受信
部323‐1‐1‐1〜323‐n‐n‐nの其々を示す場合、各受信部323と記述する場合がある。格納部324‐1‐1‐1〜324‐n‐n‐nの全てを示す場合又は格納部324‐1‐1‐1〜324‐n‐n‐nのうちの一つを示す場合、格納部324と記述する場合がある。格納部324‐1‐1‐1〜324‐n‐n‐nの其々を示す場合、各格納部324と記述する場合がある。 冗長部33‐1‐1は、受信部(無線部)331‐1‐1、冗長ブロック部332‐1‐1及び格納部333‐1‐1を有する。同様に、冗長部33‐1‐2〜33‐n‐nは、受信部331‐1‐2〜331‐n‐n、冗長ブロック部332‐1‐1〜332‐n‐n及び格納部333‐1‐1〜333‐n‐nを有する。
以下の説明において、受信部331‐1‐1〜331‐n‐nの全てを示す場合又は受信部331‐1‐1〜331‐n‐nのうちの一つを示す場合、受信部331と記述する場合がある。受信部331‐1‐1〜331‐n‐nの全てを示す場合又は受信部331‐1‐1〜331‐n‐nの其々を示す場合、各受信部331と記述する場合がある。冗長ブロック部332‐1‐1〜332‐n‐nの全てを示す場合又は冗長ブロック部332‐1‐1〜332‐n‐nのうちの一つを示す場合、冗長ブロック部332と記述する場合がある。冗長ブロック部332は、「冗長ブロック」の一例である。冗長ブロック部332‐1‐1〜332‐n‐nの其々を示す場合、各冗長ブロック部332と記述する場合がある。格納部333‐1‐1〜333‐n‐nの全てを示す場合又は格納部333‐1‐1〜333‐n‐nのうちの一つを示す場合、格納部333と記述する場合がある。格納部333‐1‐1〜333‐n‐nの其々を示す場合、各格納部333と記述する場合がある。
メモリ部32及び冗長部33は、複数のグループにグループ化されている。DRAMチップの積層方向(図4では、Z方向)において複数のメモリ部32と一つの冗長部33とが一つのグループとしてグループ化されている。すなわち、DRAMチップの積層方向に配列された(積み重なった)複数のメモリ部32及び一つの冗長部33を一つのグループとしている。例えば、図4では、メモリ部32‐1‐1‐1〜32‐1‐1‐n及び冗長部33‐1‐1を一つのグループとし、メモリ部32‐n‐n‐1〜32‐n‐n‐n及び冗長部33‐n‐nを一つのグループとしている。したがって、DRAMチップの積層方向に配列された複数のメモリ部32及び一つの冗長部33をグループ化したグループが、DRAMチップの平面方向に複数配置されている。DRAMチップの平面方向は、例えば、列方向(図4では、X方向)及び行方向(図4では、Y方向)である。DRAMチップの積層方向に配列された複数のメモリ部32及び一つの冗長部33が、TSV(Through Silicon Via)等の有線を介して接続されている。TSVは、積層されたチップに孔を
形成し、孔に金属を充填して、充填した金属により各チップ間を電気的に接続する。
図5は、制御装置31とメモリ部32との接続及び制御装置31と冗長部33との接続を示す図である。制御装置31とメモリ部32とは、有線を介して接続されているとともに、無線を介して接続されている。図5では、有線接続を太い実線で示し、無線接続を点線で示している。
例えば、TSV等の有線を介して制御装置31とメモリ部32とが接続されている。制御装置31は、有線によってAD(アドレス)信号、BA(バンクアドレス)信号、DQ(データ)信号等をメモリ部32に送信する。メモリ部32は、有線によってDQ信号を制御装置31に送信する。制御装置31の通信部312は、無線によってCS(チップセレクト)信号をメモリ部32の受信部323に送信する。CS信号は、メモリ部32にアクセスを行うための制御信号である。
例えば、TSV等の有線を介して制御装置31と冗長部33とが接続されている。制御
装置31は、有線によってAD信号、BA信号、DQ信号等を冗長部33に送信する。冗長部33は、有線によってDQ信号を制御装置31に送信する。制御装置31の通信部312は、無線によってCS信号を冗長部33の受信部331に送信する。CS信号は、冗長部33にアクセスを行うための制御信号である。
制御装置31の格納部313には、メモリ部32の構成が記録(登録)された構成テーブルが記憶されている。構成テーブルには、各メモリ部32の名称と、各メモリ部32のIDとが対応付けて記録されている。また、構成テーブルには、各冗長部33の名称と、各冗長部33のIDとが対応付けて記録されている。図6は、構成テーブルの一例を示す図である。
図6の構成テーブルの「メモリ部の名称」のフィールドに各メモリ部32の名称が記録され、「メモリ部のID」のフィールドに各メモリ部32のIDが記録されている。図6の構成テーブルの項1には、「メモリ部の名称」のフィールドに「メモリ部32‐1‐1‐1」が記録され、「メモリ部のID」のフィールドに「MEM XXXXX111」が記録されている。図6の構成テーブルの項2には、「メモリ部の名称」のフィールドに「メモリ部32‐1‐1‐2」が記録され、「メモリ部のID」のフィールドに「MEM XXXXX112」が記録されている。図6の構成テーブルの項nには、「メモリ部の名称」のフィールドに「メモリ部32‐1‐1‐n」が記録され、「メモリ部のID」のフィールドに「MEM XXXXX11
n」が記録されている。
図6の構成テーブルの「冗長部の名称」のフィールドに各冗長部33の名称が記録され、「冗長部のID」のフィールドに各冗長部33のIDが記録されている。図6の構成テーブルの項1001には、「冗長部の名称」のフィールドに「冗長部33‐1‐1」が記録され、「冗長部のID」のフィールドに「Expand XXXXXX11」が記録されている。図6
の構成テーブルの項1002には、「冗長部の名称」のフィールドに「冗長部33‐1‐2」が記録され、「冗長部のID」のフィールドに「Expand XXXXXX12」が記録されてい
る。図6の構成テーブルの項100nには、「冗長部の名称」のフィールドに「冗長部33‐1‐n」が記録され、「冗長部のID」のフィールドに「Expand XXXXXX1n」が記録
されている。
制御装置31のチェック部315は、メモリ部32における不良(エラー)を検出する。すなわち、制御装置31のチェック部315は、メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生したか否かを検出する。チェック部315は、「検出部」の一例である。
制御装置31の管理部314は、メモリ部32で不良が発生した場合、メモリ部32のアクセス先を変更するために、管理テーブルを作成又は更新する。制御装置31の制御部311は、管理テーブルに基づいて、不良が発生したメモリ部32に替えて、空き容量を有するメモリ部32又は冗長部33にアクセス先を変更する。
〈初期設定処理(1)〉
図7を参照して、初期設定処理(1)について説明する。図7は、初期設定処理(1)のフロー図である。図7に示す初期設定処理(1)のフローは、情報処理装置1の電源がONになることにより開始される。例えば、情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、図7に示す初期設定処理(1)のフローが行われる。
管理部314は、構成テーブル及びメモリ3の基本構成図に基づいて、メモリ部32のアクセス先を管理するための管理テーブルを作成する(S101)。例えば、メモリ3の基本構成図は、図4に示す構成図であってもよい。作成された管理テーブルは、格納部313に記憶される。
管理部314は、DRAMチップの積層方向において複数のメモリ部32と一つの冗長部33とを一つのグループとしてグループ化して、管理テーブルでメモリ部32及び冗長部33を管理する。管理部314は、DRAMチップの平面方向に配置された、複数のメモリ部32及び一つの冗長部33を、グループ毎に管理する。管理テーブルには、メモリ部32が複数のグループに分けられて、各メモリ部32の名称と、各メモリ部32のIDとが対応付けて記録される。また、管理テーブルには、冗長部33が複数のグループに分けられて、各冗長部33の名称が記録される。
メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生し、メモリ部32のメモリブロック部321に替えてメモリ部32の冗長ブロック部322を使用する場合がある。この場合、管理テーブルには、メモリ部32の冗長ブロック部322の使用状況が記録される。メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生し、メモリ部32のメモリブロック部321に替えて冗長部33の冗長ブロック部332を使用する場合がある。この場合、管理テーブルには、冗長部33の使用状況と、冗長部33のIDとが記録される。
図8は、管理テーブルの一例を示す図である。図8の管理テーブルの「メモリ部の名称」のフィールドに各メモリ部32の名称が記録され、「メモリ部のID」のフィールドに各メモリ部32のIDが記録されている。図8の管理テーブルの「冗長部の名称」のフィールドに各冗長部33の名称が記録され、図8の管理テーブルの「G」のフィールドにグループの番号が記録されている。図8の管理テーブルの「G」のフィールドに記録されたグループの番号が同じ場合、同じ番号が割り当てられた各メモリ部32及び各冗長部33は、同一のグループに属する。
図8の管理テーブルの項111には、「メモリ部の名称」のフィールドに「メモリ部32‐1‐1‐1」が記録され、「メモリ部のID」のフィールドに「MEM XXXXX111」が記録され、「G」のフィールドに「1」が記録されている。図8の管理テーブルの項112には、「メモリ部の名称」のフィールドに「メモリ部32‐1‐1‐2」が記録され、「メモリ部のID」のフィールドに「MEM XXXXX112」が記録され、「G」のフィールドに「1」が記録されている。図8の管理テーブルの項11nには、「メモリ部の名称」のフィールドに「メモリ部32‐1‐1‐n」が記録され、「メモリ部のID」のフィールドに「MEM XXXXX11n」が記録され、「G」のフィールドに「1」が記録されている。図8の管理テーブルの項11n1には、「冗長部の名称」のフィールドに「冗長部33‐1‐1」が記録され、「G」のフィールドに「1」が記録されている。
通信部312は、管理テーブルに従って、メモリ部32の受信部323との無線の設定を行う(S102)。すなわち、通信部312は、メモリ部32の受信部323との間でネゴシエーションを確立する。通信部312とメモリ部32の受信323との無線の設定が行われることにより、通信部312とメモリ部32の受信部323との間で無線による通信が可能となる。
管理部314は、通信部312とメモリ部32の受信部323との無線の設定が行われているかを判定する(S103)。通信部312と、メモリ部32の受信部323との無線の設定が行われている場合(S103;YES)、処理がステップS104に進む。一方、通信部312と、メモリ部32の受信部323との無線の設定が行われていない場合(S103;NO)、処理がステップS102に戻る。
制御部311は、チップセット22からの指示があるか否かを判定する(S104)。チップセット22からの指示は、例えば、メモリ部32のデータの読み出し指示、消去指示又はメモリ部32へのデータの書き込み指示等のアクセス指示である。
チップセット22からの指示がある場合(S104;YES)、処理がステップS105に進む。一方、チップセット22からの指示がない場合(S104;NO)、処理がステップS108に進む。
制御部311は、チップセット22からの指示に従い、メモリ部32にアクセスする(S105)。すなわち、制御部311は、チップセット22からの指示に従い、メモリ部32のメモリブロック部321のデータの読み出し、消去又はメモリ部32へのデータの書き込み等を行う。以下では、アクセスの対象となるメモリ部32を、対象メモリ部32と記述する。
管理部314は、対象メモリ部32の受信部323のIDを管理テーブルから抽出し、抽出したIDを通信部312に送る。通信部312は、管理部314から対象メモリ部32の受信部323のIDを受け取る。通信部312は、対象メモリ部32の受信部323のIDをCS信号として、無線によってメモリ部32に送信する。制御部311は、AD信号、BA信号及びDQ信号等を有線によってメモリ部32に送信する。
メモリ部32の受信部323は、CS信号を受信する。メモリ部32の受信部323は、メモリ部32の格納部324に記憶されているIDと、CS信号として受信したIDとが一致するかを判定する。対象メモリ部32の格納部324に記憶されているIDと、CS信号として受信したIDとは一致するので、対象メモリ部32は、AD信号、BA信号及びDQ信号等を受信する。一方、対象メモリ部32以外のメモリ部32の格納部324に記憶されているIDと、CS信号として受信したIDとは一致しないので、対象メモリ部32以外のメモリ部32は、AD信号、BA信号及びDQ信号等を受信しない。
S105の処理が行われると、処理がステップS106に進む。チェック部315は、対象メモリ部32のメモリブロック部321に不良(エラー)が発生したか否かをチェックする(S106)。不良は、例えば、データの修復が可能なコレクタブルエラー(CE)又はデータの修復が不可能なアンコレクタブルエラー(UE)である。
対象メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生した場合(S106;YES)、冗長処理が行われる(S107)。冗長処理については、後述する。一方、対象メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生していない場合(S106;NO)、処理がS108に進む。
制御部311は、情報処理装置1の電源がOFFになったか否かを判定する(S108)。情報処理装置1の電源がOFFの場合(S108;YES)、図7に示す初期設定処理(1)のフローが終了する。一方、情報処理装置1の電源がOFFでない場合(S108;NO)、処理がステップS104に戻る。また、ステップS108の処理でNOの場合、処理がステップS101又はS103に戻るようにしてもよい。
〈冗長処理(1)〉
図9を参照して、冗長処理(1)について説明する。図9は、冗長処理(1)のフロー図である。
制御部311は、不良が発生したメモリブロック部321を有するメモリ部32の冗長ブロック部322の空き容量をチェックする。制御部311は、不良が発生したメモリブロック部321を有するメモリ部32の冗長ブロック部322に空き容量が有るか否かを判定する(S201)。制御部311は、「判定部」の一例である。以下では、不良が発生したメモリブロック部321を有するメモリ部32を、メモリ部32(不良発生)と記
述する。例えば、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の空き容量が所定値よりも大きいか否かにより、制御部311は、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322に空き容量が有るか否かを判定してもよい。
メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322に空き容量が有る場合(S201;YES)、処理がステップS202に進む。制御部311は、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321の不良が発生した箇所に替えて、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322を使用することを決定する(S202)。すなわち、制御部311は、メモリ部32(不良発生)における空き容量が有る冗長ブロック部322を、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として決定する。ステップS202の処理が行われると、処理がステップS208に進む。
メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322に空き容量が無い場合(S201;NO)、処理がステップS203に進む。制御部311は、冗長部33の冗長ブロック部332の空き容量をチェックし、冗長部33の冗長ブロック部332のうちの少なくとも一つに空き容量が有るか否かを判定する(S203)。例えば、冗長部33の冗長ブロック部332の空き容量が所定値よりも大きいか否かにより、制御部311は、冗長部33の冗長ブロック部332に空き容量が有るか否かを判定してもよい。判定の対象となる冗長部33は、メモリ部32(不良発生)と同一グループ(自グループ)における冗長部33と、メモリ部32(不良発生)と異なるグループ(他グループ)における冗長部33とを含む。
なお、図9に示す冗長処理(1)のフローにおいて、ステップS201及びS202の処理を省略してもよい。すなわち、図9に示す冗長処理(1)のフローが、ステップS203の処理から開始されてもよい。
冗長部33の冗長ブロック部332のうちの少なくとも一つに空き容量が無い場合、すなわち、冗長部33の冗長ブロック部332の全てに空き容量が無い場合(S203;NO)、処理がステップS204に進む。
制御部311は、冗長部33の冗長ブロック部332に空き容量が無いことを示す信号を、処理装置2に送る。処理装置2は、メモリ3の交換又はメモリ3の容量低下(不良通知)を、表示装置5に表示する(S204)。ステップS204の処理が行われると、図9に示す冗長処理(1)のフローが終了する。
冗長部33の冗長ブロック部332のうちの少なくとも一つに空き容量が有る場合(S203;YES)、処理がステップS205に進む。通信部312は、管理テーブルに従って、冗長部33の受信部331との無線の設定を行う(S205)。すなわち、通信部312は、冗長部33の受信部331との間でネゴシエーションを確立する。通信部312と冗長部33の受信部331との無線の設定が行われることにより、通信部312と冗長部33の受信部331との間で無線による通信が可能となる。
管理部314は、通信部312と冗長部33の受信部331との無線の設定が行われているかを判定する(S206)。通信部312と冗長部33の受信部331との無線の設定が行われていない場合(S206;NO)、処理がステップS205に戻る。
通信部312と冗長部33の受信部331との無線の設定が行われている場合(S206;YES)、処理がステップS207に進む。制御部311は、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321の不良が発生した箇所に替えて、冗長部33の冗長ブロック部332を使用することを決定する(S207)。すなわち、制御部311は、冗長部
33における空き容量が有る冗長ブロック部332を、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として決定する。空き容量が有る冗長ブロック部332が複数の場合、制御部311は、複数の冗長ブロック部332のうちから何れか一つを選択する。制御部311は、「決定部」の一例である。
代替ブロック部は、メモリ部32(不良発生)と同一グループ(自グループ)における冗長部33の冗長ブロック部332及びメモリ部32(不良発生)と異なるグループ(他グループ)における冗長部33の冗長ブロック部332のうちから決定される。
管理部314は、管理テーブルを更新する(S208)。ステップS202の処理において、制御部311が、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322を使用することを決定した場合、管理部314は、以下の更新処理(1A)を行う。ステップS207の処理において、制御部311が、冗長部33の冗長ブロック部332を使用することを決定した場合、管理部314は、以下の更新処理(1B)を行う。
更新処理(1A):管理部314は、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報を、管理テーブルに記録する。メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322が使用される。したがって、管理部314は、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報として、管理テーブルに「使用」を記録する。
図10は、管理テーブルの更新処理の一例を示す図である。図10は、メモリ部32‐1‐1‐1のメモリブロック部321‐1‐1‐1に不良が発生し、メモリ部32‐1‐1‐1の冗長ブロック部322‐1‐1‐1を使用する場合における更新処理を示している。メモリ部32‐1‐1‐1の冗長ブロック部322‐1‐1‐1が使用されるため、図10の管理テーブルの項111における「冗長ブロック部の使用状況」のフィールドに、「使用」が記録される。
更新処理(1B):管理部314は、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報、冗長部33の使用状況を示す情報及び冗長部33のIDを、管理テーブルに記録する。メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の空き容量が無い。したがって、管理部314は、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報として、管理テーブルに「空き無し」を記録する。冗長部33の冗長ブロック部332が使用される。したがって、管理部314は、冗長部33の使用状況を示す情報として、管理テーブルに「冗長部33の名称」を記録する。
図11は、管理テーブルの更新処理の一例を示す図である。図11は、メモリ部32‐1‐1‐1のメモリブロック部321‐1‐1‐1に不良が発生し、冗長部33‐1‐1の冗長ブロック部332‐1‐1を使用する場合における更新処理を示している。
メモリ部32‐1‐1‐1の冗長ブロック部322‐1‐1‐1の空き容量が無いため、図11の管理テーブルの項111における「冗長ブロック部の使用状況」のフィールドに、「空き無し」が記録される。冗長部33‐1‐1の冗長ブロック部332‐1‐1が使用されるため、図11の管理テーブルの項111における「冗長部の使用状況」のフィールドに、「冗長部33‐1‐1」が記録され、「冗長部のID」のフィールドに、「Expand XXXXXX11」が記録される。このように、管理テーブルには、代替ブロック部として
用いられる冗長ブロック部332を有する冗長部33の名称及びIDが記録される。
制御部311は、更新後の管理テーブルに基づいて、ステップS202又はS207の処理で決定された代替ブロック部に対してアクセスを行う(S209)。以後、チップセ
ット22からメモリ部32(不良発生)に対するアクセス指示がある場合、制御部311は、更新後の管理テーブルに基づいて、ステップS202又はS207の処理で決定された代替ブロック部に対してアクセスを行う。このように、制御部311は、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321と、代替ブロック部との対応関係が定義された管理テーブルを参照して、メモリ部32にアクセスする。なお、冗長部33に対するアクセスは、図7のステップS105における対象メモリ部32に対するアクセスと同様の処理によって行われる。ステップS209の処理が行われると、図9に示す冗長処理(1)のフローが終了する。
例えば、図12に示すように、3層目のメモリ部32‐1‐1‐3のメモリブロック部321‐1‐1‐3に不良が発生した場合、メモリ部32‐1‐1‐3の冗長ブロック部322‐1‐1‐3の空き容量の有無が判定される。例えば、メモリ部32‐1‐1‐3の冗長ブロック部322‐1‐1‐3に空き容量が有る場合、メモリ部32‐1‐1‐3の冗長ブロック部322‐1‐1‐3が使用される。
冗長処理(1)によれば、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322を、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として使用することができる。
メモリ部32‐1‐1‐3の冗長ブロック部322‐1‐1‐3に空き容量が無い場合、冗長部33の冗長ブロック部332の空き容量がチェックされる。例えば、n+1層目の冗長部33‐1‐1の冗長ブロック部332‐1‐1に空き容量が有る場合、冗長部33‐1‐1の冗長ブロック部332‐1‐1が使用される。したがって、不良が発生したメモリブロック部321‐1‐1‐3を有するメモリ部32‐1‐1‐3と同一グループにおける冗長部33‐1‐1の冗長ブロック部332‐1‐1が使用される。例えば、n+1層目の冗長部33‐2‐1の冗長ブロック部332‐2‐1に空き容量が有る場合、冗長部33‐2‐1の冗長ブロック部332‐2‐1が使用される。したがって、不良が発生したメモリブロック部321‐1‐1‐3を有するメモリ部32‐1‐1‐3と異なるグループにおける冗長部33‐2‐1の冗長ブロック部332‐2‐1が使用される。
冗長処理(1)によれば、メモリ部32(不良発生)と同一及び異なるグループにおける冗長部33の冗長ブロック部332を、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として使用することができる。
本実施形態によれば、メモリ部32及び冗長部33に対して無線によりCS信号が送られるため、メモリ部32及び冗長部33に対して容易にアクセスすることができる。本実施形態によれば、メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生した場合において、メモリ部32のメモリブロック部321における不良の発生に容易に対処することができ、メモリ3の動作の継続を向上させることができる。
〈冗長処理(2)〉
図13を参照して、冗長処理(2)について説明する。図13は、冗長処理(2)のフロー図である。
制御部311は、不良が発生したメモリブロック部321を有するメモリ部32の冗長ブロック部322の空き容量をチェックする。制御部311は、不良が発生したメモリブロック部321を有するメモリ部32の冗長ブロック部322に空き容量が有るか否かを判定する(S301)。以下では、不良が発生したメモリブロック部321を有するメモリ部32を、メモリ部32(不良発生)と記述する。例えば、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の空き容量が所定値よりも大きいか否かにより、制御部311は
、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322に空き容量が有るか否かを判定してもよい。
メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322に空き容量が有る場合(S301;YES)、処理がステップS302に進む。制御部311は、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321の不良が発生した箇所に替えて、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322を使用することを決定する(S302)。すなわち、制御部311は、メモリ部32(不良発生)における空き容量が有る冗長ブロック部322を、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として決定する。ステップS302の処理が行われると、処理がステップS310に進む。
メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322に空き容量が無い場合(S301;NO)、処理がステップS303に進む。制御部311は、他のメモリ部32の冗長ブロック部322の空き容量をチェックし、他のメモリ部32の冗長ブロック部322のうちの少なくとも一つに空き容量が有るか否かを判定する(S303)。他のメモリ部32は、メモリ部32(不良発生)を除く全てのメモリ部32である。他のメモリ部32は、メモリ部32(不良発生)と同一グループ(自グループ)における複数のメモリ部32と、メモリ部32(不良発生)と異なるグループ(他グループ)における複数のメモリ部32とを含む。
なお、図13に示す冗長処理(2)のフローにおいて、ステップS301及びS302の処理を省略してもよい。すなわち、図13に示す冗長処理(2)のフローが、ステップS303の処理から開始されてもよい。
他のメモリ部32の冗長ブロック部322のうちの少なくとも一つに空き容量が有る場合(S303;YES)、処理がステップS304に進む。制御部311は、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321の不良が発生した箇所に替えて、他のメモリ部32の冗長ブロック部322を使用することを決定する(S304)。すなわち、制御部311は、他のメモリ部32における空き容量が有る冗長ブロック部322を、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として決定する。空き容量が有る冗長ブロック部322が複数の場合、制御部311は、複数の冗長ブロック部322のうちから何れか一つを選択する。ステップS304の処理が行われると、処理がステップS310に進む。
他のメモリ部32の冗長ブロック部322のうちの少なくとも一つに空き容量が無い場合、すなわち、他のメモリ部32の冗長ブロック部322の全てに空き容量が無い場合(S303;NO)、処理がステップS305に進む。制御部311は、冗長部33の冗長ブロック部332の空き容量をチェックし、冗長部33の冗長ブロック部332のうちの少なくとも一つに空き容量が有るか否かを判定する(S305)。
冗長部33の冗長ブロック部332のうちの少なくとも一つに空き容量が無い場合、すなわち、冗長部33の冗長ブロック部332の全てに空き容量が無い場合(S305;NO)、処理がステップS306に進む。
制御部311は、冗長部33の冗長ブロック部332に空き容量が無いことを示す信号を、処理装置2に送る。処理装置2は、メモリ3の交換又はメモリ3の容量低下(不良通知)を、表示装置5に表示する(S306)。ステップS306の処理が行われると、図13に示す冗長処理(2)のフローが終了する。
冗長部33の冗長ブロック部332のうちの少なくとも一つに空き容量が有る場合(S
305;YES)、処理がステップS307に進む。通信部312は、管理テーブルに従って、冗長部33の受信部331との無線の設定を行う(S307)。すなわち、通信部312は、冗長部33の受信部331との間でネゴシエーションを確立する。通信部312と冗長部33の受信部331との無線の設定が行われることにより、通信部312と冗長部33の受信部331との間で無線による通信が可能となる。
管理部314は、通信部312と冗長部33の受信部331との無線の設定が行われているかを判定する(S308)。通信部312と冗長部33の受信部331との無線の設定が行われていない場合(S308;NO)、処理がステップS307に戻る。
通信部312と冗長部33の受信部331との無線の設定が行われている場合(S308;YES)、処理がステップS309に進む。制御部311は、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321の不良が発生した箇所に替えて、冗長部33の冗長ブロック部332を使用することを決定する(S309)。すなわち、制御部311は、冗長部33における空き容量が有る冗長ブロック部332を、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として決定する。
代替ブロック部は、メモリ部32(不良発生)と同一グループ(自グループ)における冗長部33の冗長ブロック部332及びメモリ部32(不良発生)と異なるグループ(他グループ)における冗長部33の冗長ブロック部332のうちから決定される。空き容量を有する冗長ブロック部332が複数の場合、制御部311は、複数の冗長ブロック部332のうちから何れか一つを選択する。
管理部314は、管理テーブルを更新する(S310)。ステップS302の処理において、制御部311が、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322を使用することを決定した場合、管理部314は、以下の更新処理(2A)を行う。ステップS304の処理において、制御部311が、他のメモリ部32の冗長ブロック部322を使用することを決定した場合、管理部314は、以下の更新処理(2B)を行う。ステップS309の処理において、制御部311が、冗長部33の冗長ブロック部332を使用することを決定した場合、管理部314は、以下の更新処理(2C)を行う。
更新処理(2A):管理部314は、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報を、管理テーブルに記録する。メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322が使用されるため、管理部314は、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報として、管理テーブルに「使用」を記録する。
更新処理(2B):管理部314は、メモリ部32の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報を、管理テーブルに記録する。この場合、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報と、他のメモリ部32の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報とが、管理テーブルに記録される。
メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の空き容量が無い。したがって、管理部314は、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報として、管理テーブルに「空き無し」を記録する。
他のメモリ部32の冗長ブロック部322のうちの少なくとも一つに空き容量が有る。したがって、管理部314は、メモリ部32の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報として、管理テーブルに「空き有り」又は「空き無し」を記録する。空き容量が有る冗長ブロック部322については、メモリ部32の冗長ブロック部322の使用状況について、管理テーブルに「空き有り」が記録される。空き容量が無い冗長ブロック部322に
ついては、メモリ部32の冗長ブロック部322の使用状況について、管理テーブルに「空き無し」が記録される。
他のメモリ部32の冗長ブロック部322が使用される。したがって、管理部314は、他のメモリ部32の使用状況を示す情報と、他のメモリ部32のIDとを、管理テーブルに記録する。
図14は、管理テーブルの更新処理の一例を示す図である。図14は、メモリ部32‐1‐1‐1のメモリブロック部321‐1‐1‐1に不良が発生し、メモリ部32‐1‐1‐2のメモリブロック部321‐1‐1‐2を使用する場合における更新処理を示している。
メモリ部32‐1‐1‐1の冗長ブロック部322‐1‐1‐1の空き容量が無いため、図14の管理テーブルの項111における「冗長ブロック部の使用状況」のフィールドに、「空き無し」が記録される。図14の管理テーブルの項111における「他のメモリ部の使用状況」のフィールドに、「メモリ部32‐1‐1‐2」が記録され、「他のメモリ部のID」のフィールドに、「Expand XXXXXX11」が記録される。このように、管理テ
ーブルには、代替ブロック部として用いられる冗長ブロック部322を有する他のメモリ部32の名称及びIDが記録される。
更新処理(2C):管理部314は、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報、冗長部33の使用状況を示す情報及び冗長部33のIDを、管理テーブルに記録する。
メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の空き容量が無い。したがって、管理部314は、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報として、管理テーブルに「空き無し」を記録する。冗長部33の冗長ブロック部332が使用される。したがって、管理部314は、冗長部33の使用状況を示す情報として、管理テーブルに「冗長部33の名称」を記録する。
図15は、管理テーブルの更新処理の一例を示す図である。図15は、メモリ部32‐1‐1‐1のメモリブロック部321‐1‐1‐1に不良が発生し、冗長部33‐1‐1の冗長ブロック部332‐1‐1を使用する場合における更新処理を示している。
メモリ部32‐1‐1‐1〜32‐1‐1‐nの冗長ブロック部322‐1‐1‐1〜322‐1‐1‐nの空き容量が無いため、図15の管理テーブルの項111〜11nにおける「冗長ブロック部の使用状況」のフィールドに、「空き無し」が記録される。冗長部33‐1‐1の冗長ブロック部332‐1‐1が使用されるため、図15の管理テーブルの項111における「冗長部の使用状況」のフィールドに、「冗長部33‐1‐1」が記録され、「冗長部のID」のフィールドに、「Expand XXXXXX11」が記録される。この
ように、管理テーブルには、代替ブロック部として用いられる冗長ブロック部332を有する冗長部33の名称及びIDが記録される。
メモリ部32‐1‐1‐2〜32‐1‐1‐nのメモリブロック部321‐1‐1‐2〜321‐1‐1‐nは使用されない。そのため、図15の管理テーブルの項111〜11nにおける「他のメモリ部の使用状況」及び「メモリ部32‐1‐1‐2」のフィールドには何も記録されない。
制御部311は、更新後の管理テーブルに基づいて、ステップS302、S304又はS309の処理で決定された代替ブロック部に対してアクセスを行う(S311)。以後
、チップセット22からメモリ部32(不良発生)に対するアクセス指示がある場合、制御部311は、更新後の管理テーブルに基づいて、ステップS302、S304又はS309の処理で決定された代替ブロック部に対してアクセスを行う。なお、冗長部33に対するアクセスは、図7のステップS105における対象メモリ部32に対するアクセスと同様の処理によって行われる。ステップS311の処理が行われると、図13に示す冗長処理(2)のフローが終了する。
例えば、図16に示すように、3層目のメモリ部32‐1‐1‐3のメモリブロック部321‐1‐1‐3に不良が発生した場合、メモリ部32‐1‐1‐3の冗長ブロック部322‐1‐1‐3の空き容量の有無が判定される。例えば、メモリ部32‐1‐1‐3の冗長ブロック部322‐1‐1‐3に空き容量が有る場合、メモリ部32‐1‐1‐3の冗長ブロック部322‐1‐1‐3が使用される。
冗長処理(2)によれば、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322を、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として使用することができる。
メモリ部32‐1‐1‐3の冗長ブロック部322‐1‐1‐3に空き容量が無い場合、メモリ部32の冗長ブロック部322の空き容量がチェックされる。例えば、2層目のメモリ部32‐1‐1‐2の冗長ブロック部322‐1‐1‐2に空き容量が有る場合、メモリ部32‐1‐1‐2の冗長ブロック部322‐1‐1‐2が使用される。したがって、不良が発生したメモリブロック部321‐1‐1‐3を有するメモリ部32‐1‐1‐3と同一グループにおけるメモリ部32‐1‐1‐2の冗長ブロック部322‐1‐1‐2が使用される。例えば、3層目のメモリ部32‐2‐1‐3の冗長ブロック部322‐2‐1‐3に空き容量が有る場合、メモリ部32‐2‐1‐3の冗長ブロック部322‐2‐1‐3が使用される。したがって、不良が発生したメモリブロック部321‐1‐1‐3を有するメモリ部32‐1‐1‐3と異なるグループにおけるメモリ部32‐2‐1‐3の冗長ブロック部322‐2‐1‐3が使用される。
冗長処理(2)によれば、メモリ部32(不良発生)と同一及び異なるグループにおけるメモリ部32の冗長ブロック部322を、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として使用することができる。
メモリ部32の冗長ブロック部322の全てに空き容量が無い場合、冗長部33の冗長ブロック部332の空き容量がチェックされる。例えば、n+1層目の冗長部33‐1‐1の冗長ブロック部332‐1‐1に空き容量が有る場合、冗長部33‐1‐1の冗長ブロック部332‐1‐1が使用される。したがって、不良が発生したメモリブロック部321‐1‐1‐3を有するメモリ部32‐1‐1‐3と同一グループにおける冗長部33‐1‐1の冗長ブロック部332‐1‐1が使用される。例えば、n+1層目の冗長部33‐2‐1の冗長ブロック部332‐2‐1に空き容量が有る場合、冗長部33‐2‐1の冗長ブロック部332‐2‐1が使用される。したがって、不良が発生したメモリブロック部321‐1‐1‐3を有するメモリ部32‐1‐1‐3と異なるグループにおける冗長部33‐2‐1の冗長ブロック部332‐2‐1が使用される。
冗長処理(2)によれば、メモリ部32(不良発生)と同一及び異なるグループにおける冗長部33の冗長ブロック部332を、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として使用することができる。
上記では、メモリ部32の冗長ブロック部322の全てに空き容量が無い場合、冗長部33の冗長ブロック部332の空き容量がチェックされる例を示しているが、本実施形態
では、この例に限定されない。例えば、メモリ部32の冗長ブロック部322の空き容量がチェックされる前に、冗長部33の冗長ブロック部332の空き容量がチェックされてもよい。そして、冗長部33の冗長ブロック部332の空き容量が有る場合、冗長部33の冗長ブロック部332が使用されてもよい。また、同一の処理によって、メモリ部32の冗長ブロック部322の空き容量と、冗長部33の冗長ブロック部332の空き容量とをチェックしてもよい。そして、メモリ部32の冗長ブロック部322の空き容量が有るととともに、冗長部33の冗長ブロック部332の空き容量が有る場合、空き容量が有る冗長ブロック部322及び332のうちから何れか一つを選択してもよい。
本実施形態によれば、メモリ部32及び冗長部33に対して無線によりCS信号が送られるため、メモリ部32及び冗長部33に対して容易にアクセスすることができる。本実施形態によれば、メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生した場合において、メモリ部32のメモリブロック部321における不良の発生に容易に対処することができ、メモリ3の動作の継続を向上させることができる。
〈初期設定処理(2)〉
図17を参照して、初期設定処理(2)について説明する。図17は、初期設定処理(2)のフロー図である。
図17に示す初期設定処理(2)では、予め、メモリ部の冗長ブロック部322の空き容量の有無をチェックしておき、メモリ部の冗長ブロック部322の空き容量の有無を管理テーブルに記録しておく。
図17に示す初期設定処理(2)のフローにおけるステップS401〜S405の処理については、図7に示す初期設定処理(1)のフローにおけるステップS101〜S105の処理と同様であるので、その説明を省略する。したがって、図17に示す初期設定処理(2)のフローにおけるステップS406〜S410の処理について説明する。
制御部311は、メモリ部32の冗長ブロック部322の空き容量をチェックし、メモリ部32の冗長ブロック部322の空き容量の有無を判定する(S406)。例えば、メモリ部32の冗長ブロック部322の空き容量が所定値よりも大きいか否かにより、制御部311は、メモリ部32の冗長ブロック部322の空き容量が有るか否かを判定してもよい。判定の対象となるメモリ部32は、対象メモリ部32が属するグループ(自グループ)のメモリ部32と、対象メモリ部32が属するグループと異なるグループ(他グループ)に属するメモリ部32とを含む。
管理部314は、メモリ部32の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報を、管理テーブルに記録することにより、管理テーブルを更新する(S407)。この場合、対象メモリ部32の冗長ブロック部322の使用状況と、対象メモリ部32を除く全てのメモリ部32の冗長ブロック部322の使用状況とが、管理テーブルに記録される。
チェック部315は、対象メモリ部32のメモリブロック部321に不良(エラー)が発生したか否かをチェックする(S408)。対象メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生した場合(S408;YES)、冗長処理が行われる(S409)。一方、対象メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生していない場合(S408;NO)、処理がS410に進む。
制御部311は、情報処理装置1の電源がOFFになったか否かを判定する(S410)。情報処理装置1の電源がOFFの場合(S410;YES)、図17に示す初期設定処理(2)のフローが終了する。一方、情報処理装置1の電源がOFFでない場合(S4
10B;NO)、処理がステップS404に戻る。また、ステップS410の処理でNOの場合、処理がステップS401又はS403に戻るようにしてもよい。
図17に示す初期設定処理(2)が行われる場合、図9のステップS201の処理及び図13のステップS301の処理において、制御部311は、管理テーブルを参照し、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322に空き容量が有るか否かを判定する。管理テーブルには、メモリ部32の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報が記録されている。したがって、制御部311は、管理テーブルを参照し、メモリ部32(不良発生)の冗長ブロック部322に空き容量が有るか否かを判定することができる。
図17に示す初期設定処理(2)が行われる場合、図13のステップS303の処理において、制御部311は、管理テーブルを参照し、他のメモリ部32の冗長ブロック部322のうちの少なくとも一つに空き容量が有るか否かを判定する。管理テーブルには、メモリ部32の冗長ブロック部322の使用状況を示す情報が記録されている。したがって、制御部311は、管理テーブルを参照し、他のメモリ部32の冗長ブロック部322のうちの少なくとも一つに空き容量が有るか否かを判定することができる。
上記では、メモリ部32に対してアクセスが行われる場合、通信部312は、対象メモリ部32の受信部323のIDをCS信号として、メモリ部32に無線送信する例を示している。この例に限らず、通信部312は、対象メモリ部32にCS信号を無線送信し、対象メモリ部32以外のメモリ部32にCS信号を無線送信しないようにしてもよい。例えば、通信部312が、各メモリ部32に対して異なる周波数によってCS信号を無線送信することで、対象メモリ部32の受信部323がCS信号を受信し、対象メモリ部32以外のメモリ部32の受信部323はCS信号を受信しない。
対象メモリ部32の受信部323が受信するCS信号を、対象メモリ部32の格納部324に記憶するようにしてもよい。この場合、対象メモリ部32の格納部324にCS信号が記憶された後、通信部312は、対象メモリ部32にCS信号を無線送信しないようにしてもよい。また、通信部312は、対象メモリ部32にCS信号を継続的に無線送信し、対象メモリ部32の受信部323が継続的にCS信号を受信するようにしてもよい。
対象メモリ部32の受信部323は、CS信号を受信するため、対象メモリ部32は、制御部311から送られるAD信号、BA信号及びDQ信号等を受信する。一方、対象メモリ部32以外のメモリ部32の受信部323は、CS信号を受信しないため、対象メモリ部32以外のメモリ部32は、制御部311から送られるAD信号、BA信号及びDQ信号等を受信しない。この場合、メモリ部32の格納部324には、受信部323のIDを記憶しない。
上記では、制御装置31のチェック部315が、メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生したか否かをチェックする例を示している。これに限らず、各メモリ部32が、各メモリ部32の各メモリブロック部321に不良が発生したか否かをチェックしてもよい。例えば、図18に示すように、メモリ部32‐1‐1‐1が、チェック部325‐1‐1‐1を有してもよい。同様に、メモリ部32‐1‐1‐2〜32‐n‐n‐nが、チェック部325‐1‐1‐2〜325‐n‐n‐nを有してもよい。図18は、情報処理装置1のメモリシステムの一例を示す図である。
以下の説明において、チェック部325‐1‐1‐1〜325‐n‐n‐nの全てを示す場合又はチェック部325‐1‐1‐1〜325‐n‐n‐nのうちの一つを示す場合、チェック部325と記述する場合がある。チェック部325‐1‐1‐1〜325‐n‐n‐nの其々を示す場合、各チェック部325と記述する場合がある。
各メモリ部32の各チェック部325は、各メモリ部32の各メモリブロック部321に不良が発生したか否かをチェックする。各メモリ部32の各チェック部325は、各メモリ部32の各メモリブロック部321における不良の発生の有無を、各メモリ部32の各格納部324に記憶する。図7に示す初期設定処理(1)のフローでは、ステップS106において、対象メモリ部32のチェック部325が、対象メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生したか否かをチェックする。図17に示す初期設定処理(2)のフローでは、ステップS408において、対象メモリ部32のチェック部325が、対象メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生したか否かをチェックする。
上記では、処理装置2とメモリ3とがバスを介して接続されている例を示している。これに限らず、処理装置2が、メモリ3内に組み込まれていてもよい。例えば、図19に示すように、メモリ3が、処理装置2を有し、処理装置2が、CPU21、チップセット22及び制御装置31を有してもよい。図19は、情報処理装置1のメモリシステムの一例を示す図である。また、図18に示す情報処理装置1のメモリシステムと、図19に示す情報処理装置1のメモリシステムとを組み合わせてもよい。例えば、図19に示す情報処理装置1のメモリシステムにおいて、各メモリ部32が、各チェック部325を有してもよい。
上記では、制御部311が、メモリ部32にアクセスした後に、チェック部315が、対象メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生したか否かをチェックしている(図7のS106、図17のS408)。本実施形態ではこれらの例に限定されず、情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、チェック部315が、対象メモリ部32のメモリブロック部321に不良が発生したか否かをチェックしてもよい。すなわち、情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、チェック部315が、対象メモリ部32のメモリブロック部321の不良を検出してもよい。
上記では、制御部311が、メモリ部32にアクセスした後に、冗長処理が行われている(図7のS107、図17のS409)。本実施形態ではこれらの例に限定されず、情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、冗長処理が行われてもよい。
情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、制御部311は、不良が発生したメモリブロック部321を有するメモリ部32の冗長ブロック部322に空き容量が有るか否かを判定してもよい。すなわち、情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、図9のS201の処理又は図13のS301の処理が行われてもよい。情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、制御部311は、メモリ部32(不良発生)における空き容量が有る冗長ブロック部322を、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として決定してもよい。すなわち、情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、図9のS202の処理又は図13のS302の処理が行われてもよい。
情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、制御部311は、冗長部33の冗長ブロック部332のうちの少なくとも一つに空き容量が有るか否かを判定してもよい。すなわち、情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、図9のS203の処理又は図13のS305の処理が行われてもよい。情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、制御部311は、冗長部33における空き容量が有る冗長ブロック部332を、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として決定してもよい。すなわち、情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、図9のS207の処理又は図13のS309の処理が行われてもよい。
情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、制御部311は、他のメモリ部32の冗長ブロック部322のうちの少なくとも一つに空き容量が有るか否かを判定してもよい。すなわち、情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、図13のS303の処理が行われてもよい。情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、制御部311は、他のメモリ部32における空き容量が有る冗長ブロック部322を、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロックとして決定してもよい。すなわち、情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、図13のS304の処理が行われてもよい。
情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、管理部314は、管理テーブルを更新してもよい。すなわち、情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、図9のS208の処理又は図13のS310の処理が行われてもよい。
情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、通信部312は、管理テーブルに従って、冗長部33の受信部331との無線の設定を行ってもよい。すなわち、情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、図9のS205の処理又は図13のS307の処理が行われてもよい。
情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、管理部314は、通信部312と冗長部33の受信部331との無線の設定が行われているかを判定してもよい。すなわち、情報処理装置1の起動時又はメモリ3の起動時に、図9のS206の処理又は図13のS308の処理が行われてもよい。 図20は、参考例における冗長処理を示す図である。参考例では、3層目のメモリ部32‐1‐1‐3のメモリブロック部321‐1‐1‐3に不良が発生している。メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として、メモリ部32(不良発生)と同一グループにおける冗長部33の冗長ブロック部332のみが使用できる。すなわち、参考例では、メモリ部32(不良発生)のメモリブロック部321を代替する代替ブロック部として、メモリ部32(不良発生)と異なるグループにおける冗長部33の冗長ブロック部332を使用できない。参考例では、3層目のメモリ部32‐1‐1‐3のメモリブロック部321‐1‐1‐3に不良が発生し、冗長部33‐1‐1の冗長ブロック部332‐1‐1に空き容量がない場合、メモリ3を交換することになる。
以上の実施形態に関し、更に以下の付記を示す。
(付記1)
各々平面方向に配列された複数のメモリブロックと、各々平面方向に配列された複数の冗長ブロックとを有する半導体チップが、複数積層された記憶部と、
前記記憶部における各々の前記メモリブロックの不良を検出する検出部と、
前記記憶部における各々の前記冗長ブロックの空き容量を判定する判定部と、
前記判定部により空き容量があると判定された前記冗長ブロックから、不良が検出された前記メモリブロックを代替する代替ブロックを決定する決定部と、
を備える記憶装置。
(付記2)
前記記憶部をアクセスする制御部を備え、
前記検出部は、前記記憶装置の起動時に前記不良を検出し、
前記判定部は、前記記憶装置の起動時に前記冗長ブロックの空き容量を判定し、
前記決定部は、前記記憶装置の起動時に前記代替ブロックを決定するとともに、不良が検出された前記メモリブロックと前記代替ブロックとの対応関係が定義されたテーブルを作成し、
前記制御部は、前記テーブルを参照して前記記憶部にアクセスする、
付記1に記載の記憶装置。
(付記3)
前記記憶部にアクセスするための制御信号が無線により送信される、
付記2に記載の記憶装置。
(付記4)
記憶装置が、
各々平面方向に配列された複数のメモリブロックと、各々平面方向に配列された複数の冗長ブロックとを有する半導体チップが、複数積層された記憶部における各々の前記メモリブロックの不良を検出し、
前記記憶部における各々の前記冗長ブロックの空き容量を判定し、
空き容量があると判定された前記冗長ブロックから、不良が検出された前記メモリブロックを代替する代替ブロックを決定する、
処理を実行する記憶方法。
(付記5)
記憶装置が、
前記記憶装置の起動時に前記不良を検出し、
前記記憶装置の起動時に前記冗長ブロックの空き容量を判定し、
前記記憶装置の起動時に前記代替ブロックを決定するとともに、不良が検出された前記メモリブロックと前記代替ブロックとの対応関係が定義されたテーブルを作成し、
前記テーブルを参照して前記記憶部にアクセスする、
処理を実行する付記4に記載の記憶方法。
(付記6)
前記記憶部にアクセスするための制御信号が無線により送信される、
付記5に記載の記憶方法。
(付記7)
各々平面方向に配列された複数のメモリブロックと、各々平面方向に配列された複数の冗長ブロックとを有する半導体チップが、複数積層された記憶部と、
前記記憶部における各々の前記メモリブロックの不良を検出する検出部と、
前記記憶部における各々の前記冗長ブロックの空き容量を判定する判定部と、
前記判定部により空き容量があると判定された前記冗長ブロックから、不良が検出された前記メモリブロックを代替する代替ブロックを決定する決定部と、
を備える制御装置。
(付記8)
前記記憶部をアクセスする制御部を備え、
前記検出部は、前記記憶装置の起動時に前記不良を検出し、
前記判定部は、前記記憶装置の起動時に前記冗長ブロックの空き容量を判定し、
前記決定部は、前記記憶装置の起動時に前記代替ブロックを決定するとともに、不良が検出された前記メモリブロックと前記代替ブロックとの対応関係が定義されたテーブルを作成し、
前記制御部は、前記テーブルを参照して前記記憶部にアクセスする、
付記7に記載の制御装置。
(付記9)
前記記憶部にアクセスするための制御信号が無線により送信される、
付記8に記載の制御装置。
1 情報処理装置
2 処理装置
3 メモリ
21 CPU
22 チップセット
31 制御装置
32−1−1−1〜32−n−n−n メモリ部
33−1−1〜33−n−n 冗長部
311 制御部
312 通信部
313 格納部
314 管理部
315 チェック部
321−1−1−1〜321−n−n−n メモリブロック部
322−1−1−1〜322−n−n−n 冗長ブロック部
323−1−1−1〜323−n−n−n 受信部
324−1−1−1〜324−n−n−n 格納部
325−1−1−1〜325−n−n−n チェック部
331−1−1〜331−n−n 受信部
332−1−1〜332−n−n 冗長ブロック部
333−1−1〜333−n−n 格納部

Claims (4)

  1. 各々平面方向に配列された複数のメモリブロックと、各々平面方向に配列された複数の第1冗長ブロックとを有する複数の第1半導体チップ及び各々平面方向に配列された複数の第2冗長ブロックを有し、前記メモリブロックを有していない第2半導体チップが、積層された記憶部と、
    前記記憶部における前記メモリブロックの不良を検出する検出部と、
    前記記憶部における前第1冗長ブロック及び前記第2冗長ブロックの空き容量を判定する判定部と、
    前記判定部により空き容量があると判定された前記第1冗長ブロック及び前記第2冗長ブロックから、不良が検出された前記メモリブロックを代替する代替ブロックを決定する決定部と、
    前記記憶部にアクセスする制御部と、
    を備え
    前記記憶部にアクセスするための制御信号が無線により送信される、
    記憶装置。
  2. 記検出部は、前記記憶装置の起動時に前記不良を検出し、
    前記判定部は、前記記憶装置の起動時に前記第1冗長ブロック及び前記第2冗長ブロックの空き容量を判定し、
    前記決定部は、前記記憶装置の起動時に前記代替ブロックを決定するとともに、不良が検出された前記メモリブロックと前記代替ブロックとの対応関係が定義されたテーブルを作成し、
    前記制御部は、前記テーブルを参照して前記記憶部にアクセスする、
    請求項1に記載の記憶装置。
  3. 記憶装置が、
    各々平面方向に配列された複数のメモリブロックと、各々平面方向に配列された複数の第1冗長ブロックとを有する複数の第1半導体チップ及び各々平面方向に配列された複数の第2冗長ブロックを有し、前記メモリブロックを有していない第2半導体チップが、積層された記憶部における前記メモリブロックの不良を検出し、
    前記記憶部における前第1冗長ブロック及び前記第2冗長ブロックの空き容量を判定し、
    空き容量があると判定された前記第1冗長ブロック及び前記第2冗長ブロックから、不良が検出された前記メモリブロックを代替する代替ブロックを決定し、
    前記記憶部にアクセスする、
    処理を実行し、
    前記記憶部にアクセスするための制御信号が無線により送信される、
    記憶方法。
  4. 各々平面方向に配列された複数のメモリブロックと、各々平面方向に配列された複数の第1冗長ブロックとを有する複数の第1半導体チップ及び各々平面方向に配列された複数の第2冗長ブロックを有し、前記メモリブロックを有していない第2半導体チップが、積層された記憶部と、
    前記記憶部における前記メモリブロックの不良を検出する検出部と、
    前記記憶部における前第1冗長ブロック及び前記第2冗長ブロックの空き容量を判定する判定部と、
    前記判定部により空き容量があると判定された第1前記冗長ブロック及び前記第2冗長ブロックから、不良が検出された前記メモリブロックを代替する代替ブロックを決定する決定部と、
    前記記憶部にアクセスする制御部と、
    を備え
    前記記憶部にアクセスするための制御信号が無線により送信される、
    制御装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US11151006B2 (en) * 2018-07-02 2021-10-19 Samsung Electronics Co., Ltd. HBM RAS cache architecture

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3020077B2 (ja) * 1993-03-03 2000-03-15 株式会社日立製作所 半導体メモリ
US5491664A (en) * 1993-09-27 1996-02-13 Cypress Semiconductor Corporation Flexibilitiy for column redundancy in a divided array architecture
JP2003045196A (ja) * 2001-08-02 2003-02-14 Fujitsu Ltd ブロックアドレス切替機能を有するメモリ回路
JP2002319296A (ja) 2001-04-19 2002-10-31 Nec Corp 半導体装置及びシステム及び方法
US6889305B2 (en) * 2003-02-14 2005-05-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Device identification using a memory profile
KR100608592B1 (ko) * 2004-01-27 2006-08-03 삼성전자주식회사 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법
WO2006026645A2 (en) * 2004-08-30 2006-03-09 Silicon Storage Technology, Inc. Systems and methods for providing nonvolatile memory management in wireless phones
US7106639B2 (en) * 2004-09-01 2006-09-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Defect management enabled PIRM and method
KR101373183B1 (ko) * 2008-01-15 2014-03-14 삼성전자주식회사 3차원 어레이 구조를 갖는 메모리 장치 및 그것의 리페어방법
KR101471574B1 (ko) * 2008-04-10 2014-12-24 삼성전자주식회사 반도체 칩과 반도체 장치
JP4982778B2 (ja) * 2008-07-04 2012-07-25 学校法人慶應義塾 電子回路装置
US7936622B2 (en) * 2009-07-13 2011-05-03 Seagate Technology Llc Defective bit scheme for multi-layer integrated memory device
JP2011159192A (ja) 2010-02-03 2011-08-18 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびプログラムのデバッグ方法
JP2011018371A (ja) * 2010-10-08 2011-01-27 Renesas Electronics Corp メモリ記憶装置
KR20140137668A (ko) * 2013-05-23 2014-12-03 삼성전자주식회사 적층된 칩들을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법

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