JP6220972B2 - 集積回路およびプログラマブルデバイス - Google Patents
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Description
2,3,4 3重化モジュール
5 多数決回路
6 RAMアクセス訂正回路
7 エラー制御回路
8 M0におけるLCの出力信号
9 M1におけるLCの出力信号
10 M2におけるLCの出力信号
11 多数決回路(5)のエラー検出信号
12 RAMアクセス訂正回路のエラー検出信号
17 FPGA内部のユーザ論理回路
50 部分再構成制御回路
54 CRAMアクセスインタフェース回路
55 CRAM
59 フラッシュROM
Claims (13)
- 少なくとも3重に多重化された論理回路と,
前記多重化された論理回路それぞれに設けられ,前記論理回路がデータの書き込み及び読み出しを行うRAMと,
前記論理回路から前記RAMへのアクセス信号を比較して,誤ったアクセス信号を検出すると,誤ったアクセス信号を受信した前記RAMに対して,他の前記RAMに書き込まれたライトデータを用いてエラー訂正を行うRAMアクセス訂正手段と,
を有する集積回路。
- 請求項1に記載の集積回路において,
前記RAMアクセス訂正手段は,前記多重化された論理回路から前記RAMへのアクセス信号を比較して不一致を検出した場合に,一致する数が最も多い値を正常な信号とみなし,それ以外の値を異常な信号とみなし,前記正常とみなしたアクセス信号と前記異常とみなしたアクセス信号とから前記RAMのエラー種別を特定し,そのエラーを訂正することを特長とする集積回路。
- 請求項2に記載の集積回路において,
前記RAMアクセス訂正手段は,誤ったデータ書き込みのエラー種別を保持するエラー検出レジスタを有し,
前記エラー検出レジスタは,エラー無し,書き込み不実行,不正書き込み,アドレス誤りの少なくとも4つの種別を表すことを特長とする集積回路。
- 請求項1に記載の集積回路において,
前記論理回路は,所定のクロックに従って前記RAMへのアクセスを行うものであって,
前記RAMアクセス訂正手段は,あるクロックでアクセス信号を検出すると,次のクロックで,当該RAMのエラー訂正処理を行うことを特徴とする集積回路。
- 請求項1に記載の集積回路において,
前記RAMアクセス訂正手段は,誤ったデータ書き込みを検出した場合に,一致する数が最も多いアクセス信号のアドレス値を保持する正常アドレスレジスタと,一致する数が最も多いアクセス信号のライトデータ値を設定する正常ライトデータレジスタを有することを特長とする集積回路。
- 請求項1に記載の集積回路において,
前記RAMアクセス訂正手段は,誤ったデータ書き込みを検出した場合に,一致する数が最も多いアクセス信号以外のアクセス信号のアドレス値を設定する異常アドレスレジスタと,前記多重化した論理回路に接続されるRAMの前記異常アドレスレジスタに設定されたアドレスからデータを読み出して,その一致する数が最も多いデータを正常データとして設定する正常リードデータレジスタ有することを特長とする集積回路。
- 請求項1に記載の集積回路において,
前記RAMアクセス訂正手段は,前記多重化した論理回路から前記RAMへのアクセス信号を比較して不一致を検出した場合に,正常とみなしたアクセス信号のコマンドがライトで,異常とみなしたアクセス信号のコマンドがライトで無い場合に,正常とみなしたアクセス信号のアドレスとライトデータを使って,異常とみなしたアクセスが実行されたRAMへのライトアクセスを行うことによりエラーを訂正することを特長とする集積回路。
- 請求項1に記載の集積回路において,
前記RAMアクセス訂正手段は,前記多重化した論理回路から前記RAMへのアクセス信号を比較して不一致を検出した場合に,正常とみなしたアクセス信号と異常とみなしたアクセス信号のコマンドがライトで一致し,アドレスが一致し,ライトデータが不一致の場合に,正常とみなしたRAMアクセス信号のアドレスとライトデータを使って,異常とみなしたRAMアクセスが実行されたRAMへのライトアクセスを行うことによりエラーを訂正することを特長とする集積回路。
- 請求項1に記載の集積回路において,
前記RAMアクセス訂正手段は,前記多重化した論理回路から前記RAMへのアクセス信号を比較して不一致を検出した場合に,正常とみなしたアクセス信号のコマンドがライトなく,異常とみなしたアクセス信号のコマンドがライトの場合に,異常とみなしたアクセス信号のアドレスを使って,前記多重化した論理回路に接続されるRAMからデータを読み出して,その一致する数が最も多いデータを正常データとして,異常とみなしたRAMアクセスが実行されたRAMへのライトアクセスを行うことによりエラーを訂正することを特長とする集積回路。
- 請求項1に記載の集積回路において,
前記RAMアクセス訂正手段は,前記多重化した論理回路から前記RAMへのアクセス信号を比較して不一致を検出した場合に,正常とみなしたアクセス信号と異常とみなしたアクセス信号のコマンドがライトで一致し,アドレスが不一致の場合に,正常とみなしたRAMアクセス信号のアドレスとライトデータを使って,異常とみなしたRAMアクセスが実行されたRAMへのライトアクセスを行い,異常とみなしたアクセス信号のアドレスを使って,前記多重化した論理回路に接続されるRAMからデータを読み出して,その一致する数が最も多いデータを正常データとして,異常とみなしたRAMアクセスが実行されたRAMへのライトアクセスを行うことによりエラーを訂正することを特長とする集積回路。
- 請求項1に記載の集積回路において,
前記RAMアクセス訂正手段は,前記多重化した論理回路から前記RAMへのアクセス信号を一時記憶する3段以上のバッファを有し,異常とみなしたRAMアクセスが実行されたRAMのエラーを訂正中にアクセス信号を一時記憶しておき,異常とみなしたRAMアクセスが実行されたRAMのエラーの訂正が終了した後に比較を行うことを特長とする集積回路。
- 請求項1に記載の集積回路において,
前記RAMアクセス訂正手段が誤ったデータ書き込みを検出した場合に,そのエラー訂正が終了するまでエラーを発生した論理回路のRAMアクセスが無効化することを特長とする集積回路。
- 電源が投入されると外部の記憶媒体に保持された論理回路情報を内部のコンフィギュレーションRAMにロードして論理回路を構成して動作するプログラマブルデバイスにおいて,
動作中に論理回路の一部を外部の記憶媒体から再ロードする動的部分再構成部と,
少なくとも3重に多重化した論理回路と,
前記多重化した論理回路にそれぞれ接続される複数のRAMと,
前記多重化した論理回路から前記RAMへのアクセス信号を比較して誤ったアクセス信号を検出し,前記RAMのエラーを訂正するRAMアクセス訂正手段を有し,
前記RAMアクセス訂正手段が誤ったデータ書き込みを検出した場合に,そのエラー訂正が終了するまでエラーを発生した論理回路のRAMアクセスを無効化し,前記動的部分再構成部を用いてエラー発生した論理回路の部分再構成を行い,部分再構成が完了した後,前記多重化した論理回路から前記RAMへのアクセスが無く,誤ったデータ書き込みが検出されていない条件でRAMアクセスの無効化を解除することを特長とするプログラマブルデバイス。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/066092 WO2015193984A1 (ja) | 2014-06-18 | 2014-06-18 | 集積回路およびプログラマブルデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015193984A1 JPWO2015193984A1 (ja) | 2017-04-20 |
JP6220972B2 true JP6220972B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=54935016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016528704A Expired - Fee Related JP6220972B2 (ja) | 2014-06-18 | 2014-06-18 | 集積回路およびプログラマブルデバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10318376B2 (ja) |
JP (1) | JP6220972B2 (ja) |
WO (1) | WO2015193984A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020046840A (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置、情報処理方法及びプログラム |
FR3104798B1 (fr) * | 2019-12-17 | 2022-02-18 | Thales Sa | Registre a triplication comportant un dispositif de securisation |
CN112838857B (zh) * | 2021-01-27 | 2022-07-22 | 复旦大学 | 一种应用于组合逻辑电路的软错误加固方法 |
US11861181B1 (en) | 2022-08-10 | 2024-01-02 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Triple modular redundancy (TMR) radiation hardened memory system |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3665173A (en) * | 1968-09-03 | 1972-05-23 | Ibm | Triple modular redundancy/sparing |
US3780276A (en) * | 1972-06-20 | 1973-12-18 | Ibm | Hybrid redundancy interface |
JPS55119753A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-13 | Nippon Signal Co Ltd:The | Information input method in electronic computer system |
JPS6161299A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-29 | Fujitsu Ltd | 記憶装置 |
JPH08212093A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-08-20 | Toshiba Corp | フォールトトレラント計算機システム |
JP2001175545A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Nec Corp | サーバシステムおよび障害診断方法ならびに記録媒体 |
US6963217B2 (en) * | 2003-02-21 | 2005-11-08 | University Of South Florida | Method and apparatus for creating circuit redundancy in programmable logic devices |
US20060236168A1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Honeywell International Inc. | System and method for dynamically optimizing performance and reliability of redundant processing systems |
WO2008078355A1 (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Fujitsu Limited | メモリ回路、半導体装置及び情報処理装置並びにデータ書込み方法 |
US7863733B2 (en) * | 2007-07-11 | 2011-01-04 | Arm Limited | Integrated circuit with multiple layers of circuits |
US8271912B2 (en) * | 2008-03-19 | 2012-09-18 | International Business Machines Corporation | Radiation tolerance by clock signal interleaving |
JP5507830B2 (ja) | 2008-11-04 | 2014-05-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | マイクロコントローラ及び自動車制御装置 |
US9112536B2 (en) * | 2011-01-31 | 2015-08-18 | Everspin Technologies, Inc. | Method of reading and writing to a spin torque magnetic random access memory with error correcting code |
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JP5699057B2 (ja) * | 2011-08-24 | 2015-04-08 | 株式会社日立製作所 | プログラマブルデバイス、プログラマブルデバイスのリコンフィグ方法および電子デバイス |
WO2014205114A1 (en) * | 2013-06-18 | 2014-12-24 | Brigham Young University | Automated circuit triplication method and system |
-
2014
- 2014-06-18 US US15/317,230 patent/US10318376B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-18 WO PCT/JP2014/066092 patent/WO2015193984A1/ja active Application Filing
- 2014-06-18 JP JP2016528704A patent/JP6220972B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2015193984A1 (ja) | 2017-04-20 |
US20180165153A1 (en) | 2018-06-14 |
US10318376B2 (en) | 2019-06-11 |
WO2015193984A1 (ja) | 2015-12-23 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161107 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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