JP6215983B2 - 磁場センサ、ならびに磁場センサにおいて温度変化に対して感度および/またはオフセットを調節する際に用いられる方法 - Google Patents
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Description
該当なし
連邦支援研究に関する明言
該当なし
発明の分野
本発明は、一般的には、磁場センサに関し、更に特定すれば、検知した温度に応答して利得および/またはオフセットを調節することができる磁場センサに関する。
る出力信号を生成する。この種の典型的な電流センサは、間隙付きドーナツ形磁束集中器(gapped toroid magnetic flux concentrator)を含み、ホール効果デバイスがドーナツ体の間隙内に配置されている。このホール効果デバイスおよびドーナツ体は、筐体内に組み込まれ、この筐体は印刷回路基板上に実装可能になっている。使用において、ワイヤのような別の電流搬送導体を、ドーナツ体の中央に通過させ、このワイヤの露出した両端を、めっきした貫通孔に半田付けすることによってというようにして、印刷回路基板に半田付けする。
いて、温度に関する利得(即ち、感度)および/またはオフセットを調節することができるものもある。このような技法によって、感度およびオフセットが温度に関してかなり変動がなくなるが、多くの場合感度またはオフセットの常温精度(room temperature accuracy)を犠牲にする。更に、アナログ補償技法は、固定されており、補償に対する生産時や
現場における変更には適していない。
セット補正係数に関係するアナログ信号である場合がある。
よって受け取るステップと、補間オフセット補正値およびユーザ・オフセット補正値を、磁場センサによって結合して、結合オフセット補正値を生成するステップと、結合オフセット補正値に関係するアナログ信号を、オフセット調節回路に印加するステップとを含む場合がある。
補正値と結合して、結合オフセット補正値を生成するように構成されており、オフセット制御信号が、結合オフセット補正値に関係するアナログ信号である場合がある。
エレメントには異なる種類、例えば、平面ホール・エレメント、垂直ホール・エレメント、および円形ホール・エレメントがある。また、周知のように、磁気抵抗エレメントには異なる種類、例えば、巨大磁気抵抗(GMR)エレメント、異方性磁気抵抗(AMR)エレメント、トンネリング磁気抵抗(TMR)エレメント、アンチモン化インジウム(InSb)センサ、および磁気トンネル接合(MTJ)エレメントがある。
板に対して平行に、最大感度の軸を有することが多く、前述の磁場検知エレメントの他のものは、磁場検知エレメントを支持する基板に対して垂直に最大感度の軸を有することが多い。具体的には、殆どの種類の磁気抵抗エレメントは基板に対して平行に最大感度の軸を有することが多く、殆どの種類のホール・エレメントは、基板に対して垂直に感度の軸を有することが多い。
ホール効果エレメントに分与される応力および歪みに対して特に敏感である傾向があり、応力および歪みはホール効果エレメントの感度に変化を及ぼす傾向があることは周知である。
説明する。尚、磁束集中器の使用は、磁場センサの感度を高める傾向があることは理解されよう。以下で説明する回路および技法は、磁束集中器を有する磁場センサとでも用いることができる。
22aを受け取るように結合されており、そして利得およびオフセット補正を有する出力信号24aを生成するように構成されている。
正係数(DQVO)と関連付けられている。
に供給するように結合されている。また、磁場センサ10は、ユーザ・オフセットEEPROM56も含むことができる。ユーザ・オフセットEEPROM56は、ユーザ・オフセット補正値56aをセグメント・プロセッサ34に供給するように結合されている。ユーザ利得EEPROM54は、ユーザ利得補正値54aを通信リンク上の信号48cによって受け取ることができる。ユーザ・オフセットEEPROM56は、ユーザ・オフセット補正値56aを通信リンク上の信号48dによって受け取ることができる。
結合プロセッサ38は、補間利得補正値36aおよび/または補間オフセット補正値36bを受け取るように結合されており、更にユーザ利得補正値54aおよび/またはユーザ・オフセット補正値56aを受け取るように結合されている。この結合プロセッサは、補間利得補正値36をユーザ利得補正値54aと結合するように、および/または補間オフセット補正値36bをユーザ・オフセット補正値56aと結合するように構成されている。したがって、結合プロセッサ38は、結合利得補正値38aおよび/または結合オフセット補正値38bを生成するように構成されており、これらの補正値は、それぞれ、利得調節レジスタ40およびオフセット調節レジスタ42に格納することができる。
路28によって受け取られ、オフセット調節回路28は、それに応じてオフセット制御信号28aを生成するように構成されている。
temp[4:0]は、ディジタル温度信号32aの最下位5ビットを表す。ディジタル温度信
号は、7ビット値とすることができる。
KDEVは、個々の種類の磁場センサの感度を表すデバイス特定定数(例えば、十進数74または十進数206)である。
temp[4:0]は、ディジタル温度信号32aの最下位5ビットを表す。ディジタル温度信
号は、7ビット値とすることができる。
施形態では、温度セグメントは、温度数が等しくないことも可能である。例えば、実施形態の中には、常温106に近い温度セグメントの方が、常温106から遠い温度セグメントよりも大きな(または小さな)温度範囲を有することができる。
内一部(または全部)を導き出す際に、特性曲線102は、同じ種類の磁場センサ全てに共通の同じ形状を保持することができるが、同じ種類の個々の磁場センサ毎に、振幅を拡大または縮小することができることは言うまでもない。例えば、個々の磁場センサの相対的感度を常温において、そして−40度においても測定した場合、そして−40度における相対的感度が特性曲線102によって表されるそれよりも低い場合、測定されている磁場センサの特性曲線が、−40度においてより下方に湾曲し、165度においてより上方に湾曲するが、それ以外では同じ形状を維持すると想定することができる。つまり、常温における感度測定、および他のいずれかの温度における相対的感度測定(常温における感度に対する)のみを行うことによって、特性曲線102と同様な(同じ形状の)特性曲線(しかし目盛りのつけ方(scaling)は異なる)を導き出すことができ、他の利得補正係数
を推論することができる。
c)間で補間を行い、特定の測定温度において用いられる、補間オフセット補正値(例えば、図1の36b)を確定することができる。補間オフセット補正値を磁場センサに適用して、磁場センサのオフセットを、常温106におけるオフセットから本質的に不変に保つことができる。
しかしながら、他の実施形態では、オフセット補間は、他の形態、例えば、二次補間とすることができる。
実施形態では、温度セグメントは、温度の数が等しくないことも可能である。例えば、実施形態の中には、常温106に近い温度セグメントの方が、常温106から遠い温度セグメントよりも大きな(または小さな)温度範囲を有することができる。
度においてより上方に湾曲するが、それ以外では同じ形状を維持すると想定することができる。つまり、常温におけるオフセット測定、および他のいずれかの温度における相対的オフセット測定(常温におけるオフセットに対する)のみを行うことによって、特性曲線122と同様な(同じ形状)の特性曲線(しかし目盛りのつけ方は異なる)を導き出すことができ、他のオフセット補正係数を推論することができる。
はない。むしろ、流れ図は、当業者が回路を製作するため、または特定の装置に必要とされる処理を実行するコンピュータ・ソフトウェアを生成するために必要な機能的情報を図示する。尚、ループおよび変数の初期化、一時変数の使用というような、多くの慣例的なプログラム・エレメントは示されていないことを注記しておく。本明細書において特に示されない限り、記述するブロックの特定のシーケンスは例示に過ぎず、本発明の主旨から逸脱することなく様々に変更可能であることは、当業者には認められよう。つまり、特段述べられていなければ、以下で説明するブロックは順序が決まっておらず、可能であれば、これらのステップは便利な順序または望ましい順序であればいずれでも実行できることを意味する。
ことができる。
Claims (24)
- 磁場センサであって、
磁場信号を生成するように構成されている磁場検知エレメントと、
前記磁場信号を表す信号を受け取るように結合されており、利得調節回路から利得制御信号を受け取るように結合されており、前記利得制御信号に応答する利得を前記磁場信号を表す信号に適用することにより利得調節信号を生成するように構成されている、利得調節可能アナログ回路と、
対応する複数の所定の較正温度に関連付けられる複数の利得補正係数を格納するように構成されている係数テーブル・メモリであって、前記複数の利得補正係数の対が、それぞれの温度セグメントの境界と関連付けられており、各温度セグメントが前記複数の所定の較正温度のうちのそれぞれ1対の較正温度によって境界が定められ、前記複数の利得補正係数のうちの部分集合が、前記磁場センサの生産中に前記複数の所定の較正温度のうちの部分集合において測定される前記磁場センサの測定感度に従って決定され、前記複数の利得補正係数のうちの他のものが、同じ種類の複数の磁場センサの感度対温度の関係の特徴によって決定される感度特性曲線を用いて導かれ、前記感度特性曲線は、前記同じ種類であるが利得補正係数が適用されていない前記複数の磁場センサを用いて測定される平均感度特性曲線を表し、前記感度特性曲線の一部は直線でない湾曲を有する、係数テーブル・メモリと、
温度を表す温度信号を生成するように構成されている温度センサと、
前記温度信号を表す信号を受け取るように結合されており、前記温度信号が該当する温度セグメントを特定するように構成されており、前記係数テーブル・メモリから、前記特定した温度セグメントと関連付けられた1対の利得補正係数を受け取るように結合されており、前記温度信号にしたがって、前記1対の利得補正係数間で補間を行い、補間利得補正値を生成するように構成されている補間プロセッサを有するセグメント・プロセッサであって、前記利得制御信号が前記補間利得補正値に基づいて生成される、セグメント・プロセッサと、
を備えている、磁場センサ。 - 請求項1記載の磁場センサであって、前記温度セグメントの温度境界は不均等に間隔を空けられており、常温に近い前記温度セグメントの温度境界は常温から遠い前記温度セグメントよりも大きな温度範囲を有する、磁場センサ。
- 請求項1記載の磁場センサであって、更に、ユーザ利得補正値を格納するように構成されているユーザ利得補正値レジスタを備えており、前記セグメント・プロセッサが、前記ユーザ利得補正値を受け取るように前記ユーザ利得補正値レジスタに結合されており、前記補間利得補正値を受け取るように前記補間プロセッサに結合されており、前記ユーザ利得補正値を前記補間利得補正値と乗算して結合利得補正値を生成するように構成されている、結合プロセッサを備えており、前記利得制御信号が、前記結合利得補正値に基づいて生成される、磁場センサ。
- 請求項1記載の磁場センサであって、更に、
前記利得調節可能アナログ回路からの信号を受け取るように結合されており、オフセット制御信号を受け取るように結合されており、前記オフセット制御信号に応答するオフセットを有するオフセット調節信号を生成するように構成されている、オフセット調節可能アナログ回路を備えており、
前記係数テーブル・メモリが、更に、複数のオフセット補正係数を格納するように構成されており、前記複数のオフセット補正係数の対が、それぞれの温度セグメントの境界と関連付けられており、
前記補間プロセッサが、更に、前記係数テーブル・メモリから、前記特定した温度セグメントと関連付けられた1対のオフセット補正係数を受け取るように結合されており、前記温度信号にしたがって前記1対のオフセット補正係数間で補間を行って、補間オフセット補正値を生成するように構成されており、前記オフセット制御信号が、前記補間オフセット補正値に基づいて生成される、磁場センサ。 - 請求項4記載の磁場センサであって、更に、ユーザ利得補正値を格納するように構成されているユーザ利得補正値レジスタを備えており、前記セグメント・プロセッサが、前記ユーザ利得補正値を受け取るように前記ユーザ利得補正値レジスタに結合されており、前記補間利得補正値を受け取るように前記補間プロセッサに結合されており、前記ユーザ利得補正値を前記補間利得補正値と乗算して結合利得補正値を生成するように構成されている、結合プロセッサを備えており、前記利得制御信号が、前記結合利得補正値に基づいて生成される、磁場センサ。
- 請求項5記載の磁場センサであって、更に、ユーザ・オフセット補正値を格納するように構成されているユーザ・オフセット補正値レジスタを備えており、前記結合プロセッサが、更に、前記ユーザ・オフセット補正値を受け取るように前記ユーザ・オフセット補正値レジスタに結合されており、前記補間オフセット補正値を受け取るように前記補間プロセッサに結合されており、更に前記ユーザ・オフセット補正値を前記補間オフセット補正値と加算して結合オフセット補正値を生成するように構成されており、前記オフセット制御信号が、前記結合オフセット補正値に基づいて生成される、磁場センサ。
- 請求項4記載の磁場センサであって、前記複数のオフセット補正係数のうちの部分集合が、前記磁場センサの生産中に前記複数の所定の較正温度のうちの部分集合において測定される前記磁場センサの測定オフセットに従って決定され、前記複数のオフセット補正係数のうちの他のものが、同じ種類の複数の磁場センサのオフセット対温度の関係の特徴によって決定されるオフセット特性曲線を用いて導かれ、前記オフセット特性曲線は、前記同じ種類であるがオフセット補正値が適用されていない前記複数の磁場センサを用いて測定される平均オフセット特性曲線を表し、前記オフセット特性曲線の一部は直線でない湾曲を有する、磁場センサ。
- 請求項1記載の磁場センサであって、更に、プログラム制御値を格納するように構成されているプログラム制御レジスタを備えており、前記セグメント・プロセッサが、前記プログラム制御値を表す信号を受け取るように前記プログラム制御レジスタに結合されており、前記プログラム制御値に応答して、前記セグメント・プロセッサが、複数の所定の補間形式の中から、1対の利得補正係数間または1対のオフセット補正係数間での補間形式を選択するように構成されている、磁場センサ。
- 磁場センサの調節方法であって、前記磁場センサは、温度センサ、磁場検知エレメント、セグメント・プロセッサおよび係数テーブル・メモリを含み、
前記磁場検知エレメントによって磁場信号を生成するステップと、
現場動作中に前記温度センサによって温度を測定するステップと、
複数の温度セグメントの内どれに前記現場動作中に測定された測定温度が入っているかを、前記セグメント・プロセッサによって特定するステップと、
前記特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対の所定の較正温度を、前記セグメント・プロセッサによって特定するステップであって、前記1対の所定の較正温度は複数の所定の較正温度内にある、特定するステップと、
前記特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対の利得補正係数を、前記係数テーブル・メモリに基づいて特定するステップであって、複数の利得補正係数のうちの前記1対の利得補正係数が前記係数テーブル・メモリ内に格納され且つ前記複数の所定の較正温度と関連付けられており、
前記磁場センサの生産中に、前記複数の所定の較正温度のうちの部分集合において、前記磁場センサの感度を測定するステップと、
前記測定にしたがって、前記複数の所定の較正温度のうちの前記部分集合において、利得補正係数を確定するステップと、
同じ種類の複数の磁場センサの感度対温度の関係の特徴によって決定される感度特性曲線を用いて、前記複数の所定の較正温度のうちの他のものにおいて、追加の利得補正係数を導くステップであって、前記感度特性曲線は、前記同じ種類であるが利得補正係数が適用されていない前記複数の磁場センサを用いて測定される平均感度特性曲線を表し、前記感度特性曲線の一部は直線でない湾曲を有する、ステップと、
前記利得補正係数および前記追加の利得補正係数を、前記複数の利得補正係数として前記磁場センサに格納するステップと
を含む、特定するステップと、
現場動作中に、前記1対の利得補正係数間で、前記磁場センサによって補間を行い、補間利得補正値を確定するステップと、
前記補間利得補正値に関係する信号を、前記磁場センサの中にある利得調節回路に印加するステップであって、前記利得調節回路は、前記磁場信号を表す信号に適用される利得を調節するための利得制御信号を生成する、印加するステップと、
を備えている、方法。 - 請求項9記載の方法であって、前記複数の温度セグメントの温度境界は不均等に間隔を空けられており、常温に近い前記温度セグメントの温度境界は常温から遠い前記温度セグメントよりも大きな温度範囲を有する、方法。
- 請求項9記載の方法であって、更に、
ユーザ利得補正値をユーザ利得補正値レジスタに格納するステップと、
前記補間利得補正値および前記ユーザ利得補正値を乗算して、結合利得補正値を生成するステップと、
前記結合利得補正値に関係する信号を、前記利得調節回路に印加するステップと、
を備えている、方法。 - 請求項9記載の方法であって、更に、
前記特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対のオフセット補正係数を、前記係数テーブル・メモリに基づいて特定するステップであって、複数のオフセット補正係数のうちの前記1対のオフセット補正係数が前記係数テーブル・メモリ内に格納される、ステップと、
現場動作中に、前記1対のオフセット補正係数間において、前記磁場センサによって補間を行い、補間オフセット補正値を確定するステップと、
前記補間オフセット補正値に関係する信号を、前記磁場センサの中にあるオフセット調節回路に印加するステップであって、前記オフセット調節回路は、利得が調節された前記磁場信号に適用されるオフセットを調節するためのオフセット制御信号を生成する、印加するステップと、
を備えている、方法。 - 請求項12記載の方法であって、更に、
ユーザ利得補正値をユーザ利得補正値レジスタに格納するステップと、
前記補間利得補正値および前記ユーザ利得補正値を乗算して、結合利得補正値を生成するステップと、
前記結合利得補正値に関係する信号を、前記利得調節回路に印加するステップと、
を備えている、方法。 - 請求項13記載の方法であって、更に、
ユーザ・オフセット補正値をユーザ・オフセット補正値レジスタに格納するステップと、
前記補間オフセット補正値および前記ユーザ・オフセット補正値を加算して、結合オフセット補正値を生成するステップと、
前記結合オフセット補正値に関係する信号を、前記オフセット調節回路に印加するステップであって、前記オフセット調節回路は、利得が調節された前記磁場信号に適用されるオフセットを調節するためのオフセット制御信号を生成する、印加するステップと、
を備えている、方法。 - 請求項9記載の方法であって、更に、
プログラム制御値を、プログラム制御レジスタに格納するステップと、
前記プログラム制御値に応答して、複数の所定の補間形式の中から、1対の利得補正係数間または1対のオフセット補正係数間での補間形式を前記磁場センサによって選択するステップと、
を備えている、方法。 - 請求項9記載の方法において、前記追加の利得補正係数を導くステップが、
前記複数の磁場センサの感度対温度の関係を特徴付けるステップを含む、方法。 - 請求項9記載の方法であって、更に、
前記磁場センサの生産中に、前記複数の所定の較正温度のうちの部分集合において、前記磁場センサのオフセットを測定するステップと、
前記測定にしたがって、前記複数の所定の較正温度のうちの前記部分集合において、オフセット補正係数を確定するステップと、
前記同じ種類の複数の磁場センサのオフセット対温度の関係の特徴によって決定されるオフセット特性曲線を用いて、前記複数の所定の較正温度のうちの他のものにおいて、追加のオフセット補正係数を導くステップであって、前記オフセット特性曲線は、前記同じ種類であるがオフセット補正係数が適用されていない前記複数の磁場センサを用いて測定される平均オフセット特性曲線を表し、前記オフセット特性曲線の一部は直線でない湾曲を有する、ステップと、
前記オフセット補正係数および前記追加のオフセット補正係数を前記磁場センサに格納するステップと、
を備えている、方法。 - 請求項17記載の方法において、前記追加のオフセット補正係数を導くステップが、
前記複数の磁場センサのオフセット対温度の関係を特徴付けるステップを含む、方法。 - 磁場センサであって、
磁場信号を生成するように構成されている磁場検知エレメントと、
前記磁場信号を表す信号を受け取るように結合されており、オフセット調節回路からオフセット制御信号を受け取るように結合されており、前記オフセット制御信号に応答するオフセットを前記磁場信号を表す信号に適用することによりオフセット調節信号を生成するように構成されている、オフセット調節可能アナログ回路と、
対応する複数の所定の較正温度に関連付けられる複数のオフセット補正係数を格納するように構成されている係数テーブル・メモリであって、前記複数のオフセット補正係数の対が、それぞれの温度セグメントの境界と関連付けられており、各温度セグメントが、前記複数の所定の較正温度のうちのそれぞれの1対の較正温度によって境界を定められ、前記複数のオフセット補正係数のうちの部分集合が、前記磁場センサの生産中に前記複数の所定の較正温度のうちの部分集合において測定される前記磁場センサの測定オフセットに従って決定され、前記複数のオフセット補正係数のうちの他のものが、同じ種類の複数の磁場センサのオフセット対温度の関係の特徴によって決定されるオフセット特性曲線を用いて導かれ、前記オフセット特性曲線は、前記同じ種類であるがオフセット補正係数が適用されていない前記複数の磁場センサを用いて測定される平均オフセット特性曲線を表し、前記オフセット特性曲線の一部は直線でない湾曲を有する、係数テーブル・メモリと、
温度を表す温度信号を生成するように構成されている温度センサと、
前記温度信号を表す信号を受け取るように結合されており、前記温度信号が該当する温度セグメントを特定するように構成されており、前記係数テーブル・メモリから、前記特定した温度セグメントと関連付けられた1対のオフセット補正係数を受け取るように結合されており、前記温度信号にしたがって前記1対のオフセット補正係数間において補間を行って、補間オフセット補正値を生成するように構成されている補間プロセッサを有するセグメント・プロセッサであって、前記オフセット制御信号が前記補間オフセット補正値に基づいて生成される、セグメント・プロセッサと、
を備えている、磁場センサ。 - 請求項19記載の磁場センサであって、前記温度セグメントの温度境界は不均等に間隔を空けられており、常温に近い前記温度セグメントの温度境界は常温から遠い前記温度セグメントよりも大きな温度範囲を有する、磁場センサ。
- 請求項19記載の磁場センサであって、更に、ユーザ・オフセット補正値を格納するように構成されているユーザ・オフセット補正値レジスタを備えており、前記セグメント・プロセッサが、前記ユーザ・オフセット補正値を受け取るように前記ユーザ・オフセット補正値レジスタに結合されており、前記補間オフセット補正値を受け取るように前記補間プロセッサに結合されており、更に、前記ユーザ・オフセット補正値を前記補間オフセット補正値と加算して、結合オフセット補正値を生成するように構成されている、結合プロセッサを備えており、前記オフセット制御信号が、前記結合オフセット補正値に基づいて生成される、磁場センサ。
- 磁場センサの調節方法であって、前記磁場センサは、温度センサ、磁場検知エレメント、セグメント・プロセッサおよび係数テーブル・メモリを含み、
前記磁場検知エレメントによって磁場信号を生成するステップと、
現場動作中に前記温度センサによって温度を測定するステップと、
複数の温度セグメントの内どれに前記現場動作中に測定された測定温度が入っているかを、前記セグメント・プロセッサによって特定するステップと、
前記特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対の所定の較正温度を、前記セグメント・プロセッサによって特定するステップであって、前記1対の所定の較正温度は複数の所定の較正温度内にある、特定するステップと、
前記特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対のオフセット補正係数を、前記係数テーブル・メモリに基づいて特定するステップであって、前記係数テーブル・メモリに格納される前記1対のオフセット補正係数が、前記係数テーブル・メモリに格納され且つ前記複数の所定の較正温度と関連付けられる複数のオフセット補正係数の中にあり、
前記磁場センサの生産中に、前記複数の所定の較正温度のうちの部分集合において、前記磁場センサのオフセットを測定するステップと、
前記測定にしたがって、前記複数の所定の較正温度のうちの前記部分集合において、オフセット補正係数を確定するステップと、
同じ種類の複数の磁場センサのオフセット対温度の関係の特徴によって決定されるオフセット特性曲線を用いて、前記複数の所定の較正温度のうちの他のものにおいて、追加のオフセット補正係数を導くステップであって、前記オフセット特性曲線は、前記同じ種類であるがオフセット補正係数が適用されていない前記複数の磁場センサを用いて測定される平均オフセット特性曲線を表し、前記オフセット特性曲線の一部は直線でない湾曲を有する、ステップと、
前記オフセット補正係数および前記追加のオフセット補正係数を、前記複数のオフセット補正係数として前記磁場センサに格納するステップと
を含む、特定するステップと、
現場動作中に、前記1対のオフセット補正係数間で、前記磁場センサによって補間を行い、補間オフセット補正値を確定するステップと、
前記補間オフセット補正値に関係する信号を、前記磁場センサの中にあるオフセット調節回路に印加するステップであって、前記オフセット調節回路は、前記磁場信号を表す信号に適用されるオフセットを調節するためのオフセット制御信号を生成する、印加するステップと、
を備えている、方法。 - 請求項22に記載の方法であって、前記複数の温度セグメントの温度境界は不均等に間隔を空けられており、常温に近い前記温度セグメントの温度境界は常温から遠い前記温度セグメントよりも大きな温度範囲を有する、方法。
- 請求項22記載の方法であって、更に、
ユーザ・オフセット補正値をユーザ・オフセット補正値レジスタに格納するステップと、
前記補間オフセット補正値および前記ユーザ・オフセット補正値を加算して、結合オフセット補正値を生成するステップと、
前記結合オフセット補正値に関係する信号を、前記オフセット調節回路に印加するステップと、
を備えている、方法。
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