JP6215457B2 - 温度補償rfピーク検出器 - Google Patents

温度補償rfピーク検出器 Download PDF

Info

Publication number
JP6215457B2
JP6215457B2 JP2016516075A JP2016516075A JP6215457B2 JP 6215457 B2 JP6215457 B2 JP 6215457B2 JP 2016516075 A JP2016516075 A JP 2016516075A JP 2016516075 A JP2016516075 A JP 2016516075A JP 6215457 B2 JP6215457 B2 JP 6215457B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
reference signal
temperature compensated
peak detector
peak
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016516075A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016528755A (ja
Inventor
ラジャビ、ヤシャー
アブドッラヒ−アリベイク、シャーラム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm Inc
Original Assignee
Qualcomm Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm Inc filed Critical Qualcomm Inc
Publication of JP2016528755A publication Critical patent/JP2016528755A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6215457B2 publication Critical patent/JP6215457B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B17/00Monitoring; Testing
    • H04B17/30Monitoring; Testing of propagation channels
    • H04B17/309Measuring or estimating channel quality parameters
    • H04B17/318Received signal strength
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B17/00Monitoring; Testing
    • H04B17/10Monitoring; Testing of transmitters
    • H04B17/101Monitoring; Testing of transmitters for measurement of specific parameters of the transmitter or components thereof
    • H04B17/104Monitoring; Testing of transmitters for measurement of specific parameters of the transmitter or components thereof of other parameters, e.g. DC offset, delay or propagation times
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B17/00Monitoring; Testing
    • H04B17/10Monitoring; Testing of transmitters
    • H04B17/11Monitoring; Testing of transmitters for calibration
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B17/00Monitoring; Testing
    • H04B17/10Monitoring; Testing of transmitters
    • H04B17/15Performance testing
    • H04B17/16Test equipment located at the transmitter
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B17/00Monitoring; Testing
    • H04B17/30Monitoring; Testing of propagation channels
    • H04B17/309Measuring or estimating channel quality parameters
    • H04B17/345Interference values
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R21/00Arrangements for measuring electric power or power factor
    • G01R21/01Arrangements for measuring electric power or power factor in circuits having distributed constants

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Description

関連出願の相互参照
[0001]本出願は、2013年7月10日に出願され、共通して所有される米国非仮特許出願第13/939,076号からの優先権を主張するものであり、それの内容全体が引用によってここにおいて明示で組み入れられている。
[0002]本出願は、概して、アナログフロントエンドの動作及び設計に関するものであり、より具体的には、アナログフロントエンドにおける使用のためのピーク検出器の動作及び設計に関するものである。
[0003]無線周波数(RF)ピーク検出器は、様々な用途において使用することができる。例えば、RFピーク検出器は、送信機から出力されたRF送信電力を検出するために又は受信されたRF信号におけるジャマー信号電力の存在を検出するために使用することができる。
[0004]従来のRFピーク検出器に関連する1つの制約は、検出器の利得が温度とともに変動することがあるということである。これは、検出の感度レベルの不確実性に直接結び付くことになる。利得変動に関して補償するための1つの典型的な解決方法は、温度が上昇するのに応じてピーク検出器内の電流を増大させることである。残念なことに、この技法は、利用可能なヘッドルームを低減させることがある。
[0005]従って、従来のRFピーク検出器に関連する問題を克服するRFピーク検出器を有することが望ましいであろう。
[0006]ここにおいて説明される上記の態様は、添付された図面と関連させて以下の説明を参照することによってより容易に明確になるであろう。
[0007]図1は、無線デバイスでの使用に適する温度補償RFピーク検出器の例示的な実施形態を備える送信機フロントエンドを示す。 [0008]図2aは、温度補償RFピーク検出器の詳細な例示的な実施形態を示す。 [0009]図2bは、温度補償RFピーク検出器の代替の詳細な例示的な実施形態を示す。 [0010]図3は、RFピーク検出器の例示的な実施形態を示す。 [0011]図4は、オフセット生成器の例示的な実施形態を示す。 [0012]図5は、温度補償スレショルド生成器の例示的な実施形態を示す。 [0013]図6は、温度補償RFピーク検出器装置の例示的な実施形態を示す。
[0014]添付された図面と関連させて以下において示される詳細な説明は、本発明の例示的な実施形態に関する説明であることが意図され、本発明を実践することができる唯一の実施形態を表すことは意図されない。この説明全体を通じて使用される語句“例示的な”は、“1つの例、事例、又は実例を提供すること”を意味するものであり、その他の例示的な実施形態よりも好ましい又は有利であるとは必ずしも解釈されるべきではない。詳細な説明は、本発明の例示的な実施形態に関する徹底的な理解を提供することを目的とした具体的な詳細を含む。本発明の例示的な実施形態は、これらの具体的な詳細なしで実践できることが当業者にとって明らかであろう。幾つかの例では、非常によく知られた構造及びデバイスは、ここにおいて提示される例示的な実施形態の新規性を曖昧にすることを回避するためにブロック図の形態で示される。
[0015]図1は、無線デバイスでの使用に適する温度補償RFピーク検出器102の例示的な実施形態を備える送信機フロントエンド100を示す。フロントエンド100は、送信機(Tx)部分106と受信機(Rx)部分108とを含むトランシーバ104を備える。ここで送信機部分106を参照すると、ベースバンド(BB)プロセッサ110は、Tx BBフィルタ112にBB送信信号を出力する。Tx BBフィルタ112の出力は、局部発振器(LO)信号に基づいてベースバンド送信信号をRF送信信号にアップコンバートするアップコンバータ114に入力される。次に、RF送信信号は、送信RF信号を増幅するドライバ増幅器(DA)116に入力される。増幅されたRF送信信号は、Tx信号を形成するために送信RF信号をさらに増幅する電力増幅器(PA)118に入力される。PA118から出力されるTx信号は、送信のためにTx信号をアンテナ122に向かわせるデュプレクサ120に入力される。
[0016]送信機部106は、温度補償RFピーク検出器102aの例示的な実施形態を含む。例えば、ピーク検出器102aは、広い温度範囲にわたって正確なピーク検出を提供する。ピーク検出器102aは、例えば、オフセット電圧を設定するために及び/又は温度補償検出スレショルドを設定するためにピーク検出器102aの動作を制御するBBプロセッサ110から制御信号124を受信する。ピーク検出器102aから出力される検出出力126は、BBプロセッサ110に入力される。例えば、ピーク検出器102aは、送信電力検出器として動作することができ、及び、ピーク検出器102aの検出出力126は、検出された電力に応答してTx信号の送信電力を調整するために及び/又はトランシーバ104のその他の機能を調整するためにBBプロセッサ110によって使用されることができる。
[0017]ここで受信機部分108を参照すると、デュプレクサ120は、RF信号を受信し、この信号を低雑音増幅器(LNA)128に向かわせる。LNA128から出力される増幅された受信されたRF信号は、LO信号(LO)に基づいてその信号をベースバンドにダウンコンバートするダウンコンバータ130に入力される。ベースバンド信号は、Rx BBフィルタ132によってフィルタリングされ、フィルタリングされたベースバンド信号は、(BB)プロセッサ110に入力される。
[0018]受信機部分108は、温度補償RFピーク検出器102bの例示的な実施形態を含む。例えば、ピーク検出器102bは、広い温度範囲にわたって正確なピーク検出を提供する。ピーク検出器102bは、例えば、電圧オフセット及び/又は温度補償検出スレショルドを設定するために、ピーク検出器102bの動作を制御するBBプロセッサ110から制御信号134を受信する。ピーク検出器102bの検出出力136は、BBプロセッサ110に入力される。例えば、ピーク検出器102bは、受信されたRF信号におけるジャマー信号エネルギーの存在を検出するためのジャマー検出器として動作することができる。BBプロセッサ110は、何らかの検出されたジャマーに応答し、LNA128及び/又はトランシーバ104のその他の機能を調整するために動作することができる。
[0019]従って、様々な例示的な実施形態において、温度補償RFピーク検出器102は、正確なRFピーク検出機能を提供するために送信機及び受信機の両方において動作する。様々な例示的な実施形態において、RFピーク検出器102は、いずれかのRF信号経路でのRFピーク検出を提供するために利用されることができる。温度補償RFピーク検出器102のより詳細な説明が以下において提供される。
[0020]図2aは、温度補償RFピーク検出器200の詳細な例示的な実施形態を示す。例えば、ピーク検出器200は、図1において示されるピーク検出器102としての使用に適する。
[0021]1つの例示的な実施形態において、温度補償RFピーク検出器200は、RF信号204を受信し及び検出信号206を生成するRFピーク検出器202を備える。検出信号206は、比較器208に入力される。例えば、動作中に、RFピーク検出器202は、入力されたRF信号204の振幅に応答して検出信号206における電圧降下を出力する。RF入力信号204の振幅が大きければ大きいほど、検出信号206における電圧降下が大きくなる。ピーク検出器202はまた温度感応性であることができ、従って、検出信号208の振幅は、温度における変化を反映させるために上下する。
[0022]1つの典型的実施形態において、複製のRFピーク検出器210がRFピーク検出器202と同じ集積回路212上に形成され、従って、RFピーク検出器202とほぼ等しいプロセス変動(PVT)を呈する。複製のピーク検出器210の入力214は、浮動状態であり、従って、どのような時間変動する信号にも接続されない。その他の例示的な実施形態において、入力214は、グランド又はその他の時間変動しない信号に接続され、従って、入力部214にはRF信号は存在しない。基準信号216が複製のRFピーク検出器210によって生成され、それは温度補償スレショルド生成器222に入力される。
[0023]1つの例示的な実施形態において、温度補償スレショルド生成器222はDACによって構成され、基準信号216及びm個の制御ビットを有するデジタルスレショルド制御信号228に基づいて温度補償スレショルド電圧226を生成する。1つの例示的な実施形態において、スレショルド生成器222は、温度補償スレショルド電圧226を生成するために絶対温度比例(PTAT)電流源及びデジタルスレショルド制御信号228によって制御される抵抗器ラダー網を備える。従って、スレショルド制御信号228の振幅は、温度に関して検出信号206の振幅を追跡する。又、温度補償スレショルド電圧226は、比較器208に入力される。1つの例示的な実施形態において、温度補償スレショルド生成器222は、ベースバンドプロセッサ又は無線デバイスにおけるその他のエンティティからスレショルド制御信号228を受信する。
[0024]1つの例示的な実施形態において、比較器208は、検出信号206と温度補償スレショルド電圧226との比較に基づいて検出出力信号230を生成する。例えば、図1を参照して論じられるように、検出出力信号230は、受信されたRF信号におけるジャマー信号を検出するために又は送信RF信号の送信電力を検出するために無線デバイスにおけるベースバンドプロセッサによって利用されることができる。
[0025]従って、様々な例示的な実施形態において、RFピーク検出器202の利得の温度への依存性が低減されるか又は排除される。複製のピーク検出器210は、基準信号216を生成するために使用され、該基準信号216は、比較ポイントとして働き、ピーク検出器202と実質的に等しいプロセス変動を有する。基準信号216は、温度補償スレショルド226を生成するためにスレショルド生成器(DAC)222を用いてシフトされる。電圧シフトの量は、ピーク検出器をトリガーすべきRF振幅を決定する。
[0026]図2bは、温度補償RFピーク検出器240の代替の詳細な例示的な実施形態を示す。例えば、図2bにおいて示されるピーク検出器240は、図1において示されるピーク検出器102としての使用に適する。
[0027]1つの例示的な実施形態において、温度補償RFピーク検出器240は、基準信号216のDCオフセットを調整して温度補償スレショルド生成器222に入力されるオフセットが調整された基準信号220を生成するように動作するオフセット生成器218を備える。例えば、オフセット生成器218は、デジタル−アナログ変換器(DAC)によって構成され、複数のn個の制御ビットを備えるデジタルオフセット制御信号224に基づいて基準信号216のオフセットを調整する。オフセット制御ビット224は、RFピーク検出器202の入力204にRF入力信号が存在しないときにオフセット調整された基準信号220が検出信号206と同じオフセットを有するように設定される。1つの例示的な実施形態において、オフセット生成器218は、ベースバンドプロセッサ又は無線デバイスにおけるその他のエンティティからオフセット制御信号224を受信する。
[0028]1つの例示的な実施形態において、温度補償スレショルド生成器222は、DACによって構成され、オフセット調整された基準信号220及びm個の制御ビットを有するデジタルスレショルド制御信号228に基づいて温度補償スレショルド電圧226を生成する。1つの例示的な実施形態において、スレショルド生成器222は、温度補償スレショルド電圧226を生成するために絶対温度比例(PTAT)電流源及びデジタルスレショルド制御信号228によって制御される抵抗器ラダー網を備える。従って、スレショルド制御信号228の振幅は、温度及びオフセットに関して検出信号206の振幅を追跡する。温度補償スレショルド電圧226は、又、比較器208に入力される。1つの例示的な実施形態において、温度補償スレショルド生成器222は、ベースバンドプロセッサ又は無線デバイスにおけるその他のエンティティからスレショルド制御信号228を受信する。
[0029]その他の1つの例示的な実施形態において、オフセット生成器218及び温度補償スレショルド生成器222は、温度補償スレショルド信号226を生成するために再配置すること又は順序を変更することができることにも注目されるべきである。
[0030]従って、様々な例示的な実施形態において、RFピーク検出器202の利得の温度への依存性が低減されるか又は排除される。複製のピーク検出器210は、基準信号216を生成するために使用され、基準信号216は、比較ポイントとして働き、ピーク検出器202と実質的に等しいプロセス変動を有する。基準信号216は、オフセット生成器(DAC)218を用いて上又は下にシフトされ、該オフセット生成器(DAC)218は、主ピーク検出器202と複製のピーク検出器210との間のオフセットを無効化するために動作する。オフセット調整された基準信号220は、温度補償スレショルド226を生成するためにスレショルド生成器(DAC)222を用いて再度シフトされる。電圧シフトの量は、ピーク検出器をトリガーすべきRF振幅を決定する。
RFピーク検出器
[0031]図3は、RFピーク検出器300の例示的な実施形態を示す。例えば、RFピーク検出器300は、図2において示されるRFピーク検出器202及び複製のRFピーク検出器210としての使用に適する。
[0032]1つの例示的な実施形態において、RFピーク検出器300は、入力端子302及び304においてRF信号を受信するように構成された切り換えデバイス(例えば、4つのFETトランジスタ)を備える。RFピーク検出器300は、RF入力信号の振幅を検出するために動作し、RF入力の振幅を表す検出信号306を生成する。例えば、入力端子302及び304におけるRF信号の振幅が増大するのに応じて、検出信号306の振幅も増大する。
[0033]1つの例示的な実施形態において、RFピーク検出器300は、集積回路上に形成され、様々なプロセス変動を呈する。1つの例示的な実施形態において、RFピーク検出器300は、RFピーク検出器202及び複製のRFピーク検出器210の両方のための使用に適しており、それらは、集積回路212上に形成される。両方のRFピーク検出器が同じ集積回路上に形成されるため、それらは、同じ(又はほぼ等しい)プロセス変動を呈し、従って、実質的に同一の性能を提供する。又、ここにおいて開示される例示的な実施形態はピーク検出器300を使用することに限定されないこと及びその他のピーク検出器構成が可能であることにも注目されるべきである。
オフセット生成器
[0034]図4は、オフセット生成器400の例示的な実施形態を示す。例えば、オフセット生成器400は、図2において示されるオフセット生成器218としての使用に適する。
[0035]1つの例示的な実施形態において、オフセット生成器400は、入力端子404において入力信号を受信する増幅器402を備える。例えば、入力信号は、図2において示される基準信号216であることができる。増幅器402の出力は、トランジスタ406のゲート端子に接続される。トランジスタ406は、グランド信号に接続されたソース端子及び抵抗器ラダー408に接続されたドレイン端子を有する。
[0036]1つの例示的な実施形態において、抵抗器ラダー408は、ノードAにおいて抵抗器412に接続された抵抗器410を備える。各抵抗器は、対応するスイッチ(S−S)に接続された複数のタップを有する。該スイッチの出力は、オフセット出力端子414で集結される。抵抗器ラダー408は、抵抗器ラダー408の特定のタップをオフセット出力端子414に接続するのを可能にするためにスイッチを閉じるために動作するn個のビットを備えるデジタルオフセット制御信号416を受信する。閉じられるスイッチによって、オフセット調整された信号を提供するために対応するタップが出力端子414に結合される。
[0037]電流源418は、電源電圧と抵抗器ラダー408との間に接続される。ノードAは、増幅器402の反転入力部にも接続される。動作中に、入力端子404における電圧は、ノードAでも生成される。トランジスタ406がオンにされ、電流源418が抵抗器410及び412を通じて電流を供給する。抵抗器ラダー408の選択されたタップは、出力端子414に現れるオフセット電圧を設定する。その他の例示的な実施形態において、アナログ制御信号に基づいて動作するアナログ回路のみによって構成されるオフセット生成器を用いてオフセット除去を行うことができることにも注目されるべきである。
温度補償スレショルド生成器
[0038]図5は、温度補償スレショルド生成器500の1つの例示的な実施形態を示す。例えば、スレッド生成器500は、図2において示される温度補償スレショルド生成器222としての使用に適する。
[0039]1つの例示的な実施形態において、温度補償スレショルド生成器500は、入力端子504において入力信号を受信する増幅器502を備える。例えば、入力信号は、図2において示されるオフセット調整された基準信号220であることができる。増幅器502の出力は、トランジスタ506のゲート端子に接続される。トランジスタ506は、グランド信号に接続されたソース端子及び抵抗器ラダー508に接続されたドレイン端子を有する。
[0040]1つの例示的な実施形態において、抵抗器ラダー508は、対応するスイッチ(S−S)に接続された複数のタップを有する抵抗器514を備える。該スイッチの出力は、スレショルド出力端子510において集結される。抵抗器ラダー514は、固定されたスレショルドステップをデシベル(dB)で提供するために対数的に分割される。抵抗器ラダー508は、抵抗器ラダー508の対応するタップをスレショルド出力端子510に接続するのを可能にするために特定のスイッチを閉じるように動作するm個のビットを備えるデジタルスレショルド制御信号512を受信する。閉じられるスイッチによって、対応するタップは、選択された電圧を提供するために出力端子510に結合される。
[0041]PTAT電流源516は、ノードAで電源電圧と抵抗器ラダー408との間に接続される。ノードAは、増幅器502の反転入力部にも接続される。動作中に、入力端子504における電圧は、ノードAでも生成される。トランジスタ506がオンにされ、PTAT電流源516が抵抗器514を通じて電流を供給する。抵抗器ラダー508の選択されたタップは、スレショルド出力端子510に現れるスレショルド電圧を設定する。温度が変化するのに応じて、電流源516からの電流及び抵抗器514をわたる電圧も変化し、従って、スレショルド出力端子510の出力は、ピーク検出器202の利得の温度変動を追跡する。
[0042]温度が変化するのに応じて、PTAT電流源516によって提供される電流も変化する。変化する電流は、温度調整されるスレショルド出力端子510における変化する電圧をもたらす。1つの例示的な実施形態において、PTAT電流源516の温度特性は、RFピーク検出器202の温度特性に合致し、従って、端子510における温度補償された出力スレショルドは、RFピーク検出器202から出力される検出信号206との関係を維持する。その他の例示的な実施形態において、PTAT電流源516は、RFピーク検出器202の温度特性に合致させるために測定及び調整されることができる調整可能な傾き特性を備えることにも注目されるべきである。
[0043]従って、温度補償ピーク検出器200の様々な例示的な実施形態は、次の特徴のうちの1つ以上を提供する。
1.主ピーク検出器202との比較のための基準信号216を生成するための複製のRFピーク検出器210の使用。
2.基準信号経路におけるカスケードでのオフセットDAC218及びスレショルドDAC222の使用。
3.スレショルドDAC222が、主ピーク検出器202の温度利得変動を追跡する。
4.RF回路におけるスパー(spur)を排除するためにクロックされない比較器208の使用。
[0044]図6は、温度補償RFピーク検出器装置600の例示的な実施形態を示す。例えば、装置600は、図2において示される温度補償RFピーク検出器200としての使用に適する。一態様において、装置600は、ここにおいて説明される機能を提供するように構成された1つ以上のモジュールによって実装される。例えば、一態様において、各モジュールは、ハードウェア及び/又はハードウェア実行ソフトウェアを備える。
[0045]装置600は、基準信号を生成するための手段(602)を備える第1のモジュールを備え、基準信号を生成するための手段(602)は、一態様において、複製のRFピーク検出器210を備える。
[0046]装置600は、基準信号に基づいて温度補償検出スレショルドを生成するための手段(604)を備える第2のモジュールを備え、温度補償検出スレショルドを生成するための手段(604)は、一態様において、温度補償スレショルド生成器222を備える。
[0047]装置600は、温度補償検出スレショルドに基づいてピーク検出出力を生成するための手段(606)を備える第3のモジュールを備え、ピーク検出出力を生成するための手段(606)は、一態様において、比較器208を備える。
[0048]情報及び信号は、様々な異なる技術及び技法のうちのいずれかを用いて表すこと又は処理することができることを当業者は理解するであろう。例えば、上記の説明全体を通じて参照されることがあるデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁場、磁粒子、光学場、光学粒子、又はそれらのあらゆる組合せによって表すことができる。トランジスタのタイプ及び技術は、同じ結果を達成するために置換すること、再編すること又はその他の形で変更することができることがさらに注目される。例えば、PMOSトランジスタを利用して示される回路は、NMOSトランジスタを使用するように変更することができ、逆も同様である。従って、ここにおいて開示される増幅器は、様々なトランジスタのタイプ及び技術を用いて実現することができ、図面において例示されるトランジスタのタイプ及び技術には限定されない。例えば、トランジスタタイプ、例えば、BJT、GaAs、MOSFET又はいずれかのその他のトランジスタ技術、を使用することができる。
[0049]ここにおいて開示される実施形態と関係させて説明される様々な例示的な論理ブロック、モジュール、回路、及びアルゴリズムのステップは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、又は両方の組み合わせとして実装可能であることを当業者はさらに認識するであろう。ハードウェアとソフトウェアのこの互換性を明確に例示するため、上記において、様々な例示的なコンポーネント、ブロック、モジュール、回路、及びステップが、それらの機能の観点から一般的に説明されている。そのような機能がハードウェアとして又はソフトウェアとして実装されるかは、特定の用途及び全体的システムに対して課せられた設計上の制約事項に依存する。当業者は、説明されている機能を各々の特定の用途に合わせて様々な形で実装することができるが、そのような実装決定は、本発明の例示的な実施形態の適用範囲からの逸脱を生じさせるものであるとは解釈されるべきではない。
[0050]ここにおいて開示される実施形態と関係させて説明される様々な例示的な論理ブロック、モジュール、及び回路は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ(DSP)、特定用途向け集積回路(ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、その他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートゲートロジック、ディスクリートトランジスタロジック、ディスクリートハードウェアコンポーネント、又はここにおいて説明される機能を果たすように設計されたそれらのあらゆる組合せ、を用いて実装又は実行することが可能である。汎用プロセッサはマイクロプロセッサであることができるが、代替において、プロセッサは、従来のどのようなプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、又はステートマシンであってもよい。プロセッサは、コンピューティングデバイスの組合せ、例えば、DSPと、1つのマイクロプロセッサとの組合せ、複数のマイクロプロセッサとの組合せ、DSPコアと関連する1つ以上のマイクロプロセッサとの組合せ、又はあらゆるその他の構成、として実装することも可能である。
[0051]ここにおいて開示される実施形態と関係させて説明される方法又はアルゴリズムのステップは、直接ハードウェア内において、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュール内において、又はそれらの2つの組み合わせ内において具現化することが可能である。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ(RAM)、フラッシュメモリ、読み取り専用メモリ(ROM)、電気的プログラマブルROM(EPROM)、電気的消去可能プログラマブルROM(EEPROM(登録商標))、レジスタ、ハードディスク、取り外し可能なディスク、CD−ROM、又は当業界において既知であるその他のあらゆる形態の記憶媒体において常駐することができる。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み出すこと及び記憶媒体に情報を書き込むことができるようにプロセッサに結合される。代替において、記憶媒体は、プロセッサと一体化させることができる。プロセッサ及び記憶媒体は、ASIC内に常駐することができる。ASICは、ユーザ端末内に常駐することができる。代替において、プロセッサ及び記憶媒体は、ユーザ端末内において個別コンポーネントとして常駐することができる。
[0052]1つ以上の例示的な実施形態において、説明された機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、又はそれらの組み合わせにおいて実装することができる。ソフトウェアにおいて実装される場合、これらの該機能は、コンピュータによって読み取り可能な媒体において1つ以上の命令又はコードとして格納すること又は送信することができる。コンピュータ読み取り可能媒体は、非一時的なコンピュータ記憶媒体と、1つの場所から他へのコンピュータプログラムの転送を容易にするあらゆる媒体を含む通信媒体と、の両方を含む。非一時的な記憶媒体は、コンピュータによってアクセス可能なあらゆる利用可能な媒体であることができる。一例として、及び制限することなしに、そのようなコンピュータ読み取り可能媒体は、RAM、ROM、EEPROM、CD−ROM又はその他の光学ディスク記憶装置、磁気ディスク記憶装置又はその他の磁気記憶装置、又は、希望されるプログラムコードを命令又はデータ構造の形態で搬送又は格納するために用いることができ及びコンピュータによってアクセス可能なその他の媒体、を備えることができる。さらに、いずれの接続もコンピュータによって読み取り可能な媒体であると適切に呼ばれる。例えば、ソフトウェアが、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、より対線、デジタル加入者ライン(DSL)、又は無線技術、例えば、赤外線、無線、及びマイクロ波、を用いてウェブサイト、サーバ、又はその他の遠隔ソースから送信される場合は、該同軸ケーブル、光ファイバケーブル、より対線、DSL、又は無線技術、例えば赤外線、無線、及びマイクロ波、は、媒体の定義の中に含まれる。ここにおいて用いられるときのディスク(disk及びdisc)は、コンパクトディスク(CD)(disc)と、レーザーディスク(登録商標)(disc)と、光ディスク(disc)と、デジタルバーサタイルディスク(DVD)(disc)と、フロッピー(登録商標)ディスク(disk)と、ブルーレイディスク(disc)と、を含み、ここで、diskは通常は磁気的にデータを複製し、discは、レーザを用いて光学的にデータを複製する。上記の組み合わせも、コンピュータ読み取り可能媒体の適用範囲内に含められるべきである。
[0053]開示される例示的な実施形態に関する説明は、当業者が本発明を製造又は使用することを可能にするために提供される。これらの例示的な実施形態に対する様々な変更は、当業者にとって容易に明確になるであろう、及びここにおいて定められる一般原理は、本発明の精神又は適用範囲から逸脱せずにその他の実施形態に対して適用することができる。以上のように、本発明は、ここにおいて示される例示的な実施形態に限定されることが意図されるものではなく、ここにおいて開示される原理及び新規の特徴に一致する限りにおいて最も広範な適用範囲が認められるべきである。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1] 装置であって、
基準信号を生成するように構成された第1のRFピーク検出器と、
前記基準信号に基づいて温度補償検出スレショルドを生成するように構成された温度補償スレショルド生成器と、
前記温度補償検出スレショルドに基づいてピーク検出出力を生成するように構成された比較器と、
を備える、装置。
[C2] 前記比較器は、前記温度補償検出スレショルドと第2のRFピーク検出器から生成されたピーク検出信号との比較に基づいて前記ピーク検出出力を生成するように構成される、
C1に記載の装置。
[C3] 前記基準信号を受信し及び前記温度補償スレショルド生成器に入力されるオフセット基準信号を生成するように構成されたオフセット生成器をさらに備えるC2に記載の装置。
[C4] 前記オフセット生成器は、前記第2のRFピーク検出器に関連するオフセットに合致させるために前記オフセット基準を生成するように構成されている、
C3に記載の装置。
[C5] 前記オフセット生成器は、デジタル制御信号に基づいて前記オフセット基準信号を生成するデジタル−アナログ変換器(DAC)を備える、
C4に記載の装置。
[C6] 前記温度補償スレショルド生成器は、温度補償電流を生成する温度補償電流源を備える、
C1に記載の装置。
[C7] 前記温度補償スレショルド生成器は、デジタル制御入力に基づいて前記温度補償電流から前記温度補償検出スレショルドを生成するデジタル−アナログ変換器(DAC)を備える、
C6に記載の装置。
[C8] 前記温度補償検出スレショルド及び前記ピーク検出信号は、ほぼ等しい温度変動を有するように構成される、
C7に記載の装置。
[C9] 前記第1及び第2のRFピーク検出器は、集積回路上に形成され、ほぼ等しいプロセス変動を有するように構成される、
C2に記載の装置。
[C10] 前記第1のRFピーク検出器は、浮動状態またはRF信号を受信しない入力端子を用いて前記基準信号を生成する、
C1に記載の装置。
[C11] 前記装置は、送信機における送信電力を検出するように構成される、
C1に記載の装置。
[C12] 前記装置は、受信機におけるジャミング信号電力を検出するように構成される、
C1に記載の装置。
[C13] 装置であって、
基準信号を生成するための手段と、
前記基準信号に基づいて温度補償検出スレショルドを生成するための手段と、
前記温度補償検出スレショルドに基づいてピーク検出出力を生成するための手段と、
を備える、装置。
[C14] 前記ピーク検出出力を生成するための前記手段は、前記温度補償検出スレショルドとRFピーク検出信号を生成するための手段によって生成されたピーク検出信号との比較に基づいて前記ピーク検出出力を生成するように構成される、
C13に記載の装置。
[C15] 前記基準信号からオフセット基準信号を生成するための手段、前記オフセット基準信号は、前記温度補償検出スレショルドを生成するための前記手段に入力される、をさらに備えるC14に記載の装置。
[C16] 前記オフセット基準信号を生成するための前記手段は、前記RFピーク検出信号に関連するオフセットに合致させるために前記オフセット基準信号を生成するように構成される、
C15に記載の装置。
[C17] 前記温度補償検出スレショルドを生成するための前記手段は、デジタル制御入力に基づいて温度補償電流源から前記温度補償検出スレショルドを生成するデジタル−アナログ変換器(DAC)を備える、
C14に記載の装置。
[C18] 前記温度補償検出スレショルド及び前記ピーク検出信号は、ほぼ等しい温度変動を有するように構成される、
C17に記載の装置。
[C19] 前記装置は、送信機における送信電力を検出するように構成される、
C13に記載の装置。
[C20] 前記装置は、受信機におけるジャミング信号電力を検出するように構成される、
C13に記載の装置。

Claims (18)

  1. 装置であって、
    基準信号を生成するように構成された第1の無線周波数(RF)ピーク検出器と、
    前記第1のRFピーク検出器に結合され、前記第1のRFピーク検出器によって生成された前記基準信号に基づいて温度補償検出スレショルドを生成するように構成された温度補償スレショルド生成器と、
    前記温度補償検出スレショルドと第2のRFピーク検出器によって生成されたピーク検出信号との比較に基づいてピーク検出出力を生成するように構成された比較器と、
    を備える、装置。
  2. 前記基準信号を受信し及び前記基準信号に基づいてオフセット基準信号を生成するように構成されたオフセット生成器をさらに備え、前記オフセット基準信号は前記温度補償スレショルド生成器に提供される、請求項に記載の装置。
  3. 前記オフセット生成器は、前記第2のRFピーク検出器の入力にRF入力信号が存在しないときに前記オフセット基準信号に関連するオフセットが前記ピーク検出信号に関連するオフセットに合致するように前記オフセット基準信号を生成するようにさらに構成されている、
    請求項に記載の装置。
  4. 前記オフセット生成器は、デジタル制御信号に基づいて前記オフセット基準信号を生成するデジタル−アナログ変換器(DAC)を備える、
    請求項に記載の装置。
  5. 前記温度補償スレショルド生成器は、温度補償電流を生成する温度補償電流源を備える、
    請求項1に記載の装置。
  6. 前記温度補償スレショルド生成器は、デジタル制御入力に基づいて及び前記温度補償電流に基づいて前記温度補償検出スレショルドを生成するように構成されたデジタル−アナログ変換器(DAC)をさらに備える、
    請求項に記載の装置。
  7. 前記温度補償検出スレショルド及び前記ピーク検出信号は、ほぼ等しい温度変動を有する、
    請求項に記載の装置。
  8. 前記第1のRFピーク検出器及び前記第2のRFピーク検出器は、集積回路上に形成され、ほぼ等しいプロセス変動を有するように構成される、
    請求項に記載の装置。
  9. 前記第1のRFピーク検出器は、浮動値を受信するように構成されたまたはRF信号を受信しないように構成された入力端子を用いて前記基準信号を生成するように構成される、
    請求項1に記載の装置。
  10. 前記ピーク検出出力は、前記ピーク検出出力に基づいて送信機における送信電力を検出するように構成されたプロセッサに提供される、
    請求項1に記載の装置。
  11. 前記ピーク検出出力は、前記ピーク検出出力に基づいて受信機におけるジャミング信号電力を検出するように構成されたプロセッサに提供される、
    請求項1に記載の装置。
  12. 装置であって、
    基準信号を生成するための手段と、
    前記基準信号を生成するための前記手段によって生成された前記基準信号に基づいて温度補償検出スレショルドを生成するための手段と、前記温度補償検出スレショルドを生成するための前記手段は、前記基準信号を生成するための前記手段に結合される、
    前記温度補償検出スレショルドと無線周波数(RF)ピーク検出信号を生成するための手段によって生成されたピーク検出信号との比較に基づいてピーク検出出力を生成するための手段と、
    を備える、装置。
  13. 前記基準信号に基づいてオフセット基準信号を生成するための手段、ここにおいて、前記オフセット基準信号は、前記温度補償検出スレショルドを生成するための前記手段に提供される、をさらに備える請求項12に記載の装置。
  14. 前記温度補償検出スレショルドを生成するための前記手段は、デジタル制御入力に基づいて及び温度補償電流源に基づいて前記温度補償検出スレショルドを生成するように構成されたデジタル−アナログ変換器(DAC)を備える、
    請求項12に記載の装置。
  15. 前記温度補償検出スレショルド及び前記ピーク検出信号は、ほぼ等しい温度変動を有する、
    請求項14に記載の装置。
  16. 前記ピーク検出出力は、前記ピーク検出出力に基づいて送信機における送信電力を検出するように、または前記ピーク検出出力に基づいて受信機におけるジャミング信号電力を検出するように構成されたプロセッサに提供される、
    請求項12に記載の装置。
  17. 前記温度補償スレショルド生成器は、制御信号を受信するように、及び、前記基準信号に基づいて、前記制御信号に基づいて、および温度補償電流源によって生成される温度補償電流に基づいて前記温度補償検出スレショルドを生成するように、さらに構成される、
    請求項1に記載の装置。
  18. 前記第1のRFピーク検出器は、
    入力信号を受信するように構成されたトランジスタの第1のペアと、
    前記トランジスタの第1のペアに結合され前記基準信号を生成するように構成されたトランジスタの第2のペアと
    を備える、
    請求項1に記載の装置。
JP2016516075A 2013-07-10 2014-06-26 温度補償rfピーク検出器 Active JP6215457B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/939,076 2013-07-10
US13/939,076 US9077445B2 (en) 2013-07-10 2013-07-10 Temperature compensated RF peak detector
PCT/US2014/044243 WO2015006059A1 (en) 2013-07-10 2014-06-26 Temperature compensated rf peak detector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016528755A JP2016528755A (ja) 2016-09-15
JP6215457B2 true JP6215457B2 (ja) 2017-10-18

Family

ID=51225029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016516075A Active JP6215457B2 (ja) 2013-07-10 2014-06-26 温度補償rfピーク検出器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9077445B2 (ja)
EP (1) EP3020151B1 (ja)
JP (1) JP6215457B2 (ja)
KR (1) KR101700687B1 (ja)
CN (1) CN105359439B (ja)
WO (1) WO2015006059A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI656750B (zh) 2017-12-21 2019-04-11 瑞昱半導體股份有限公司 電壓偵測器與通訊電路
US10873322B2 (en) * 2018-09-26 2020-12-22 Em Microelectronic-Marin S.A. Detector circuit for an RFID-device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401898A (en) 1980-09-15 1983-08-30 Motorola Inc. Temperature compensated circuit
US6531860B1 (en) 2001-06-14 2003-03-11 Qualcomm Inc. Integrated power detector with temperature compensation
US6489812B1 (en) 2001-07-31 2002-12-03 Nortel Networks Limited Temperature-compensated small signal peak detector
JP3937397B2 (ja) * 2002-08-15 2007-06-27 富士通株式会社 送信電力検波回路のオフセット補償機能を有する通信機器
JP4313170B2 (ja) * 2003-12-08 2009-08-12 マスプロ電工株式会社 信号増幅回路、送信アンテナ、およびその出力レベル制御方法
US7271674B1 (en) * 2003-08-15 2007-09-18 Dsp Group Inc. Automatic level control for radio frequency amplifiers
US7064585B2 (en) 2003-12-30 2006-06-20 Intel Corporation Detecting peak signals
JP4368713B2 (ja) * 2004-03-19 2009-11-18 富士通株式会社 検波回路、電子装置および自動利得制御装置
US7643805B2 (en) 2006-07-07 2010-01-05 O2Micro International Ltd. Peak detector and fixed gain amplifier circuit for automatic gain control and variable gain amplifier circuit
US7920033B1 (en) 2006-09-28 2011-04-05 Groe John B Systems and methods for frequency modulation adjustment
US8688060B2 (en) * 2009-06-18 2014-04-01 Qualcomm Incorporated Detection circuit for overdrive conditions in a wireless device
US8369818B2 (en) * 2011-06-27 2013-02-05 Broadcom Corporation Low noise amplifier protection using a clamping device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160019560A (ko) 2016-02-19
CN105359439B (zh) 2017-10-10
WO2015006059A1 (en) 2015-01-15
EP3020151A1 (en) 2016-05-18
EP3020151B1 (en) 2017-08-23
US20150017922A1 (en) 2015-01-15
CN105359439A (zh) 2016-02-24
KR101700687B1 (ko) 2017-01-31
US9077445B2 (en) 2015-07-07
JP2016528755A (ja) 2016-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5479594B2 (ja) 電力増幅器の保護回路
KR101521186B1 (ko) 온도 보상을 갖는 전력 검출기
US8779859B2 (en) Multi-cascode amplifier bias techniques
US8994362B2 (en) RF power detection circuit with insensitivity to process, temperature and load impedance variation
US7944309B2 (en) Transconductance bias circuit, amplifier and method
JP6333809B2 (ja) 一定の入力容量を有するステップ減衰器
EP2946467B1 (en) Amplifier with switchable common gate gain buffer
JP2013501408A (ja) 可変制御電圧を有するスイッチ
US8779870B2 (en) Low phase variation CMOS digital attenuator
JP6215457B2 (ja) 温度補償rfピーク検出器
US8717097B2 (en) Amplifier with improved noise reduction
US20140348218A1 (en) Mixer with channel impedance equalization
US8653892B2 (en) Systematic intermodulation distortion calibration for a differential LNA
US9871495B2 (en) Thermal compensation for amplifiers
KR20150036451A (ko) 오류 정정을 갖는 스위치 모드 파워 서플라이에 대한 간섭 억제
CA2743484C (en) Hybrid power control for a power amplifier
US9035698B2 (en) Gain calibration of a high speed amplifier
US20160315589A1 (en) Low power feed forward amplifier

Legal Events

Date Code Title Description
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20160804

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160823

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20161124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170307

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170607

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170613

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170822

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170920

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6215457

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250