JP6210473B2 - 有機光学デバイス及びこれを用いた有機電子デバイス - Google Patents
有機光学デバイス及びこれを用いた有機電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP6210473B2 JP6210473B2 JP2012172725A JP2012172725A JP6210473B2 JP 6210473 B2 JP6210473 B2 JP 6210473B2 JP 2012172725 A JP2012172725 A JP 2012172725A JP 2012172725 A JP2012172725 A JP 2012172725A JP 6210473 B2 JP6210473 B2 JP 6210473B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- refractive index
- film
- layer
- optical device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 45
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 88
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 3
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 59
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000013308 plastic optical fiber Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
このような有機電子デバイスにおいては、これまで、有機半導体薄膜の屈折率は、通常1.7〜1.8程度であるとみなされており、有機膜自体で屈折率を調整し、デバイス内部の光伝搬を制御するという着想はなかった。このため、光伝搬の制御は、専ら、積層された有機膜に金属や絶縁性誘導体、導電性金属酸化物等の無機材料層を外部に適用することにより行われていた。
また、多層膜ミラーにおいて、絶縁性の高分子材料を用いた例が報告されているが、有機半導体材料を主体として構成された例はなく、また、各層の屈折率差も十分に大きいと言えるものではなかった。
このような高屈折率層と低屈折率層を積層させることにより、有機膜による効果的な光伝搬制御が可能となり、有機光学デバイスにおける種々の光学特性制御に応用することができる。
前記有機光学デバイスは、2層の有機膜のうちの少なくともいずれかの光学膜厚が、該有機薄膜に対する入射光の波長の1/4であることが好ましい。
このような膜厚とすることにより、光干渉の効果を最大限に活用し、より効果的に光伝搬を制御することが可能となる。
前記有機光学デバイスを適用することにより、他の有機層にダメージを与えることなく、低コストで効果的に光伝搬が制御された有機電子デバイスを構成することができる。
したがって、本発明によれば、他の有機層にダメージを与えることなく、低コストで効果的に光伝搬が制御された有機光学デバイスを構成することができる。
また、前記有機膜は、導電性を有するもの、さらに光に応答する、あるいは発光する半導体としての機能を備えたものとして構成することができる。したがって、本発明に係る有機光学デバイスは、有機半導体を用いた各種有機電子デバイスに広く応用することが可能である。
本発明に係る有機光学デバイスは、屈折率が異なる2層の有機膜が積層された組を少なくとも1組備えており、前記2層の有機膜の屈折率差が0.5以上であることを特徴としている。
一般的な有機半導体デバイスの各層を構成する材料のうち、光を伝搬する材料として最も大きな屈折率を有するものは、ITO(可視光に対する屈折率:約2.0)であり、一方、屈折率が最も小さいものは基板として用いられるガラス(可視光に対する屈折率:約1.5)である。したがって、ITOとガラス基板との屈折率差は可視域において約0.5であることから、有機膜の積層構造において隣接する有機膜同士の屈折率差を0.5以上とすることにより、デバイス内の任意の層との屈折率差を調整することが可能となり、効果的に光伝搬を制御することが可能となる。
また、多層膜ミラーを形成する場合、応用の観点から、少なくとも可視光3原色(BGR)のうちの1つの波長域をすべて反射することが重要となる。そのためには、多層膜のうちの隣接する有機膜同士の屈折率差は、少なくとも0.5が必要である。
なお、本発明でいう有機電子デバイスとは、基板上に1対の電極を備え、該電極間に少なくとも1層の有機層を備えた電子デバイスであり、有機EL、有機薄膜太陽電池等の総称として用いる。
上記のような有機電子デバイスにおいては、有機膜を蒸着により形成することができるため、成膜プロセスも簡便であり、膜厚制御も容易であり、さらに、下層の有機層にダメージを与えることなく、所望の有機膜を積層させることができるという利点を有している。
BTBBTTは、単独では表面凹凸が大きい多結晶薄膜を形成するが、異種材料との共蒸着膜とすることにより、平滑性の高い膜とすることができる。また、BTBBTTは、ホール輸送性材料であるBDAVBi等と共蒸着することにより、p型半導体としても機能する。
C24F50は、単独では表面凹凸が大きい多結晶薄膜を形成するが、異種材料との共蒸着膜とすることにより、平滑性の高い膜とすることができる。また、C24F50は、電子輸送性材料であるPBD等と共蒸着することにより、n型半導体としても機能する。
波長532nmの垂直入射光に対するPBDの屈折率は1.67であるが、共蒸着によるC24F50の混合割合が多くなるほど屈折率が低くなり、PBD:C24F50が重量比20:80のとき、屈折率は1.41となり、BDAVBi膜との屈折率差が0.58であった。
このように、所定の添加物の混合により、隣接する有機膜同士の屈折率差が0.5以上となるように調整することができる。
例えば、石英ガラス基板やITOガラス基板上に、波長(λ)532nmの垂直入射光に対して、上述したBDAVBi蒸着膜(高屈折率層(H層);屈折率nH=1.99、膜厚dH=λ/(4nH)=66.7nm)とPBD:C24F50(20:80)共蒸着膜(低屈折率層(L層);屈折率nL=1.41、dL=λ/(4nL)=94.1nm)の組を積層することにより、両者の屈折率差Δnが0.58と大きいことから、(HL)qH(q:組数)の積層構造を備えた有機半導体によるDBRを構成することができる。
図2に示したシミュレーション計算結果から分かるように、積層組数qが多くなるほど反射率が高く、q=8のとき、反射率は99.4%となり、非常に高反射率のミラーを得ることができる。
したがって、このようなDBRを用いることにより、有機DBRレーザ等の有機レーザのデバイス構造を構築することが可能となる。
図5に、トップエミッション型の有機ELに、本発明に係る有機光学デバイスを適用した構成の一例を示す。
図5に示した有機ELは、基板3上に、金属電極23、発光層を含む有機層22及び透明(又は半透明)電極21等が順次積層された公知のトップエミッション型の有機EL構造2において、透明電極21上に、高屈折率有機膜11及び低屈折率有機膜12が交互に複数回繰り返し積層された多層膜ミラー1が配置されているものである。すなわち、有機EL構造2の外部に、本発明に係る有機光学デバイスである多層膜ミラー1が設けられたものである。このため、多層膜ミラー1は、導電性は必要とされない。
このような構成からなる有機ELは、マイクロキャビティ効果により有機EL構造2における発光の光取り出し効率を向上させることができ、また、発光角度分布の改善を図ることができる。
図6に、トップエミッション型の有機ELに、本発明に係る有機光学デバイスを適用した構成の他の一例を示す。
図6に示した有機ELは、基板3上に、金属電極23、発光層を含む有機層22及び透明(又は半透明)電極21等が順次積層された公知のトップエミッション型の有機EL構造2において、透明電極21の下に、高屈折率有機膜11及び低屈折率有機膜12が交互に複数回繰り返し積層された多層膜ミラー1が配置されているものである。すなわち、有機EL構造2の内部に、本発明に係る有機光学デバイスである多層膜ミラー1が設けられたものである。有機EL構造2の内部に設けられる多層膜ミラー1は、導電性が必要とされる。
このような構成からなる有機ELは、上記の第1の実施態様と同様の効果に加えて、有機EL構造2の内部に設けられた多層膜ミラー1によって、透明電極21による光吸収が抑制されるという効果も得られる。
図7に、ボトムエミッション型の有機ELに、本発明に係る有機光学デバイスを適用した構成の一例を示す。
図8に示した有機ELは、透明基板31上に、透明(又は半透明)電極21、発光層を含む有機層22及び金属電極23等が順次積層された公知のボトムエミッション型の有機EL構造2において、透明電極21上に、高屈折率有機膜11及び低屈折率有機膜12が交互に複数回繰り返し積層された多層膜ミラー1が配置されているものである。すなわち、有機EL構造2の内部に、本発明に係る有機光学デバイスである多層膜ミラー1が設けられたものである。有機EL構造2の内部に設けられる多層膜ミラー1は、導電性が必要とされる。
このような構成からなる有機ELは、上記の第2の実施態様と同様の効果が得られる。
図8に、トップエミッション型の有機ELに、本発明に係る有機光学デバイスを適用した構成の他の一例を示す。
図8に示した有機ELは、基板3上に、金属電極23、発光層を含む有機層22及び透明(又は半透明)電極21等が順次積層された公知のトップエミッション型の有機EL構造2において、透明電極21の下に、高屈折率有機膜11及び低屈折率有機膜12が交互に複数回繰り返し積層された多層膜ミラー1が配置され、かつ、金属電極23上にも、同様の多層膜ミラー1が配置されているものである。すなわち、有機EL構造2の内部に、本発明に係る有機光学デバイスである多層膜ミラー1が2箇所設けられたものである。有機EL構造2の内部に設けられる多層膜ミラー1は、導電性が必要とされる。
このような構成からなる有機ELは、有機EL構造2の内部の発光層を含む有機層22の上下に多層膜ミラー1が設けられることによって、上記の第2の実施態様よりも、さらに電極による光吸収が抑制される。このような構成は、有機半導体レーザへの応用も期待される。
図9に、ボトムエミッション型の有機ELに、本発明に係る有機光学デバイスを適用した構成の他の一例を示す。
図9に示した有機ELは、透明基板31上に、透明(又は半透明)電極21、発光層を含む有機層22及び金属電極23等が順次積層された公知のボトムエミッション型の有機EL構造2において、透明電極21上に、高屈折率有機膜11及び低屈折率有機膜12が交互に複数回繰り返し積層された多層膜ミラー1が配置され、かつ、金属電極23の下にも、同様の多層膜ミラー1が配置されているものである。すなわち、有機EL構造2の内部に、本発明に係る有機光学デバイスである多層膜ミラー1が2箇所設けられたものである。有機EL構造2の内部に設けられる多層膜ミラー1は、導電性が必要とされる。
このような構成からなる有機ELは、上記の第4の実施態様と同様に効果が得られ、また、有機半導体レーザへの応用も期待される。
図10に、トップエミッション型の有機ELに、本発明に係る有機光学デバイスを適用した構成の他の一例を示す。
図10に示した有機ELは、基板3上に、金属電極23、発光層を含む有機層22及び透明(又は半透明)電極21等が順次積層された公知のトップエミッション型の有機EL構造2において、有機層22が低屈折率有機膜による電子輸送層221、高屈折率有機膜による発光層222及び低屈折率有機膜によるホール輸送層223により構成されているものである。すなわち、発光層を含む有機層22自体が、高屈折率有機膜及び低屈折率有機膜の多層膜を構成している。このため、これらの高屈折率有機膜及び低屈折率有機膜は、導電性が必要とされる。
このような構成からなる有機ELによれば、別途、多層膜ミラーを設けることなく、有機層22においてコア・クラッド構造を形成することができ、コアとなる高屈折率有機膜による発光層222に効果的に光を閉じ込めることが可能となることから、このような構成は、有機半導体レーザへの展開が期待される。
図11に、有機薄膜太陽電池に、本発明に係る有機光学デバイスを適用した構成の一例を示す。
図11に示した有機薄膜太陽電池は、透明基板3上に、透明(又は半透明)電極41、活性層を含む有機層42及び透明(又は半透明)電極41等が順次積層された公知の有機薄膜太陽電池構造4において、上部の透明電極41上に、高屈折率有機膜11及び低屈折率有機膜12が交互に複数回繰り返し積層された多層膜ミラー1が配置されているものである。すなわち、有機薄膜太陽電池構造4の外部に、本発明に係る有機光学デバイスである多層膜ミラー1が設けられたものである。このため、多層膜ミラー1は、導電性は必要とされない。
このような構成からなる有機薄膜太陽電池によれば、電極によるプラズモン吸収を抑制することができ、また、波長選択的な光反射が可能となり、光吸収率の向上を図ることもできる。
図12に、逆セル型の有機薄膜太陽電池に、本発明に係る有機光学デバイスを適用した構成の他の一例を示す。
図12に示した有機薄膜太陽電池は、基板3上に、金属電極43、活性層を含む有機層42及び透明(又は半透明)電極41等が順次積層された公知の逆セル型の有機薄膜太陽電池構造4において、上部の透明電極41上に、高屈折率有機膜51及び低屈折率有機膜52が積層された反射防止層5が配置されているものである。すなわち、有機薄膜太陽電池構造4の外部に、本発明に係る有機光学デバイスである反射防止層5が設けられたものである。このため、反射防止層5は、導電性は必要とされない。
このような構成からなる有機薄膜太陽電池によれば、上記の第7の実施態様と同様の効果に加えて、該有機薄膜太陽電池上面における反射が防止され、また、有機薄膜太陽電池内部における光電場分布の最適化を図ることができるという効果も得られる。
図13に、逆セル型の有機薄膜太陽電池に、本発明に係る有機光学デバイスを適用した構成の他の一例を示す。
図13に示した有機薄膜太陽電池は、基板3上に、金属電極43、活性層を含む有機層42及び透明(又は半透明)電極41等が順次積層された公知の逆セル型の有機薄膜太陽電池構造4において、上部の透明電極41の下に、高屈折率有機膜51及び低屈折率有機膜52が積層された反射防止層5が配置されているものである。すなわち、有機薄膜太陽電池構造4の内部に、本発明に係る有機光学デバイスである反射防止層5が設けられたものである。有機薄膜太陽電池構造4の内部に設けられる反射防止層5は、導電性が必要とされる。
このような構成からなる有機薄膜太陽電池によれば、上記の第8の実施態様と同様の効果に加えて、有機薄膜太陽電池層構成4の内部に設けられた反射防止層5によって、光電場分布の制御性を向上させることができるという効果も得られる。
厚さ140nmのITOガラス基板上に、高屈折率層(H層)としてBDAVBi蒸着膜(屈折率nH=1.99、膜厚dH=66.7nm)、及び、低屈折率層(L層)としてPBD:C24F50(20:80)共蒸着膜(屈折率nL=1.41、dL=94.1nm)の8回繰り返し積層を含む(HL)8Hの積層構造を備えたDBRを作製した。
このDBRについて反射率測定を行った。
図3に示したグラフから分かるように、反射率98%、波長幅約100nmであり、ほぼ計算値と同等の高反射率かつ高帯域のDBRが得られることが認められた。
図4に示したグラフから分かるように、上記のDBRは反射角度依存性が小さいことが認められた。
したがって、このような有機半導体材料による多層膜ミラーを用いることにより、有機DBRレーザ等の有機レーザの構築が可能である。
2 有機EL構造
3 基板
4 有機薄膜太陽電池構造
5 反射防止層
11,51 高屈折率有機膜
12,52 低屈折率有機膜
21,41 透明電極
22,42 有機層
23,43 金属電極
31 透明基板
Claims (5)
- 有機半導体材料を含む有機膜であって屈折率が異なる2層の有機膜が積層された組を少なくとも1組備え、前記2層の有機膜の屈折率差が0.5以上であり、
前記2層の有機膜のうち少なくともいずれかが、屈折率を調整する添加物が混合された膜であることを特徴とする有機光学デバイス。 - 前記屈折率を調整する添加物が、フッ素含有または硫黄含有化合物であることを特徴とする請求項1記載の有機光学デバイス。
- 前記2層の有機膜のうちの少なくともいずれかの光学膜厚が、該有機薄膜に対する入射光の波長の1/4であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機光学デバイス。
- 多層膜ミラーであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機光学デバイス。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載された有機光学デバイスが用いられていることを特徴とする有機電子デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012172725A JP6210473B2 (ja) | 2012-08-03 | 2012-08-03 | 有機光学デバイス及びこれを用いた有機電子デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012172725A JP6210473B2 (ja) | 2012-08-03 | 2012-08-03 | 有機光学デバイス及びこれを用いた有機電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014032851A JP2014032851A (ja) | 2014-02-20 |
JP6210473B2 true JP6210473B2 (ja) | 2017-10-11 |
Family
ID=50282518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012172725A Active JP6210473B2 (ja) | 2012-08-03 | 2012-08-03 | 有機光学デバイス及びこれを用いた有機電子デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6210473B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2016047577A1 (ja) * | 2014-09-26 | 2017-07-13 | 次世代化学材料評価技術研究組合 | 発光素子 |
EP3312898B1 (en) | 2015-06-17 | 2021-04-28 | National University Corporation Yamagata University | Organic charge transport layer, organic el device, organic semiconductor device, and organic photoelectric device |
KR102413734B1 (ko) * | 2017-02-08 | 2022-06-27 | 국립대학법인 야마가타대학 | 조성물 및 유기 광전자 소자 그리고 그 제조 방법 |
KR102347058B1 (ko) | 2017-05-19 | 2022-01-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
CN111183709B (zh) | 2017-09-12 | 2023-12-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
US10340480B1 (en) * | 2018-03-01 | 2019-07-02 | Avalon Holographics Inc. | OLED microcavity design and optimization method |
CN112154135B (zh) | 2018-05-17 | 2023-12-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 有机化合物、发光元件、发光装置、电子设备、照明装置及电子器件 |
US11903232B2 (en) | 2019-03-07 | 2024-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device comprising charge-generation layer between light-emitting units |
JP2021077639A (ja) | 2019-11-08 | 2021-05-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、電子機器および照明装置 |
EP4186114A4 (en) * | 2020-07-21 | 2024-08-28 | Applied Materials Inc | SPATIAL OPTICAL DIFFERENTIATORS AND LAYER ARCHITECTURES FOR OLED DISPLAY PIXELS |
JP2023184090A (ja) | 2022-06-17 | 2023-12-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59172609A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-09-29 | Canon Inc | カラ−フイルタ− |
EP1569015A3 (en) * | 1998-01-28 | 2006-03-29 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | An optical detector system |
JP2000266930A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学選択フイルター |
JP2005055543A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Super Technology Innovators Co Ltd | 高分子光多層膜及び高分子光多層膜の製造方法 |
JP4703108B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2011-06-15 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 |
JP2005292646A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Nitto Denko Corp | 反射防止フィルムの製造方法及び反射防止フィルム |
JP5358822B2 (ja) * | 2008-04-30 | 2013-12-04 | 大塚電子株式会社 | 状態測定装置および状態測定方法 |
JP2010232041A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Nitto Denko Corp | 有機el装置 |
KR101775077B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2017-09-06 | 에스케이씨 주식회사 | 다층 광학 필름 및 이의 제조방법 |
KR101073845B1 (ko) * | 2009-12-22 | 2011-10-17 | 에스케이씨 주식회사 | 2파장 반사 다층필름 |
KR101155904B1 (ko) * | 2010-01-04 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101084197B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
JP2011221391A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Asahi Glass Co Ltd | テラヘルツ帯用光学素子 |
JP5720685B2 (ja) * | 2010-07-24 | 2015-05-20 | コニカミノルタ株式会社 | 近赤外反射フィルム及びそれを設けた近赤外反射体 |
-
2012
- 2012-08-03 JP JP2012172725A patent/JP6210473B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014032851A (ja) | 2014-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6210473B2 (ja) | 有機光学デバイス及びこれを用いた有機電子デバイス | |
CN112514102B (zh) | Oled微腔设计与优化方法 | |
US9139917B2 (en) | Transparent conductive porous nanocomposites and methods of fabrication thereof | |
Lee et al. | Colored, see-through perovskite solar cells employing an optical cavity | |
US8482195B2 (en) | Display apparatus | |
Chueh et al. | Optical enhancement via electrode designs for high‐performance polymer solar cells | |
Sikder et al. | Optimization of multilayer antireflection coating for photovoltaic applications | |
RU2530484C2 (ru) | Подложка органического светоизлучающего диода, состоящая из прозрачного проводящего оксида (тсо) и антирадужного промежуточного слоя | |
CN110323344B (zh) | 包括具有低角度色偏移的光学腔的发光装置 | |
Huh et al. | A randomly nano-structured scattering layer for transparent organic light emitting diodes | |
JP2014207356A5 (ja) | ||
Berry et al. | Light management in perovskite photovoltaic solar cells: A perspective | |
JP2012054225A (ja) | 表示装置 | |
Jiao et al. | 61‐2: Weakening Micro‐Cavity Effects in White Top‐Emitting WOLEDs with Semitransparent Metal Top Electrode | |
US11239443B2 (en) | Display panel, method for preparing the same, and display device | |
CN111370588B (zh) | 增反膜光栅结构、电致发光器件及其制作方法 | |
Lee et al. | Microcavity-integrated colored semitransparent hybrid photovoltaics with improved efficiency and color purity | |
WO2006021070A1 (en) | High performance light-emitting devices | |
US20130181193A1 (en) | Organic light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP2007508687A5 (ja) | ||
JP2014164120A5 (ja) | ||
US11588135B2 (en) | Microcavity pixel array design and method | |
WO2024087228A1 (zh) | 发光器件及其制备方法、显示基板 | |
Jena et al. | achieving omnidirectional photonic band gap in sputter deposited tio2/sio2 one dimensional photonic crystal | |
CN115172624A (zh) | 显示面板及电子设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20141201 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150724 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170324 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170829 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170905 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6210473 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |