CN203746913U - 有机发光二极管结构 - Google Patents
有机发光二极管结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203746913U CN203746913U CN201320668165.7U CN201320668165U CN203746913U CN 203746913 U CN203746913 U CN 203746913U CN 201320668165 U CN201320668165 U CN 201320668165U CN 203746913 U CN203746913 U CN 203746913U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- coating
- oxide skin
- oxide
- substrate
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 170
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 170
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical group O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 9
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种有机发光二极管结构，在一基板的一第一面依顺序堆叠有至少一第一氧化物层及至少一第二氧化物层。并在基板的一第二面依顺序堆叠有至少一第一氧化物层、至少一第二氧化物层、一透明传导层及一有机发光层。以此基板的二面分别镀上有多层的氧化物层结构设计，可以得到高穿透率与低反射率，其有机发光层所发出的光线，可得到高透明度与色彩饱和度，用以大幅提升有机发光二极管结构应用在显示面板的透光度与色彩饱和度。
Description
技术领域
本实用新型是关于一种有机发光二极管结构，特别是一种在玻璃基板二面分别镀有多层氧化物膜的有机发光二极管结构。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode；OLED)，是一项以有机薄膜作为电激发光体的自有光源显示屏技术，其能源需求非常低。OLED面板与一般液晶显示面板相比，具有众多的优点，例如轻薄、广视角、自发光(不需要背景光源)、清晰度佳、反应速度快(约为普通液晶的1000倍)、低耗能、可操作温度广(可于+60℃～-40℃范围下作业)、可挠曲、低制造成本等，目前被视为是平面显示技术的未来主流。
一般OLED元件结构包括一玻璃基板，在玻璃基板一面的一透明且具导电性质的铟锡氧化物(ITO)所形成的正极电极层(anode)及一由金属组合物所形成的阴极电极层(cathode)，并将一有机材料层包夹于正极电极层及阴极电极层之间。有机材料层更包括一电洞传输层(HTL)、一发光层(EL)以及一电子传输层(ETL)。当电极通入适当的电压时，注入正极的电洞（空穴）与来自阴极的电荷会在发光层产生相互结合(recombination)，此时电子的状态位置将由激态的高能阶回到稳态的低能阶，而其能量差异将分别以光或热量的方式释放，其中可见光的部分即可被利用作为OLED的自发光。
当外来干扰光源入射OLED元件时，特别是在户外，入射光强烈的环境下，入射光会与OLED元件底部的阴极电极层产生反射，此反射光会与OLED自发光发生交错及重叠现象，造成OLED自发光产生散乱并降低OLED自发光的方向性，而且也降低自发光的穿透率，进而导致OLED在对比与色彩饱和度的表现上失去原有水准。因此为维持OLED的亮度及彩度，必须使用较大的能量来使OLED产生更多的电子及电洞，以获得较大亮度。为了增加OLED的亮度而使用较大的偏压来驱动时，会使得元件寿命降低，或是在户外光强烈的场所使用时，会降低OLED的亮度对比等缺点。
因此，如何设计一种提高自发光穿透率及色彩饱和度，就成为了需要解决的问题。
发明内容
鉴于以上问题，本实用新型在于提供一种有机发光二极管结构，藉以解决现有技术中存在的自发光低穿透率及低色彩饱和度的问题。
根据本实用新型一实施例所揭露的有机发光二极管结构，包括至少一第一氧化物层、至少一第二氧化物层、一透明传导层、一有机发光层及一基板。其中，基板具有相对的一第一面及一第二面。并于基板的第一面依顺序堆叠有第一氧化物层及第二氧化物层。而基板的第二面依顺序堆叠有第一氧化物层、第二氧化物层、透明传导层及有机发光层。
根据本实用新型另一实施例所揭露的有机发光二极管结构，包括至少一第一氧化物层、至少一第二氧化物层、一透明传导层、一有机发光层及一基板。其中，基板具有相对的一第一面及一第二面。并于基板的第一面依顺序堆叠有第一氧化物层、第二氧化物层、第一氧化物层及第二氧化物层。而基板的第二面依顺序堆叠有第一氧化物层、第二氧化物层、第一氧化物层、第二氧化物层、透明传导层及有机发光层。
本实用新型的功效在于，由于基板的二面分别镀上多层的氧化物层，因多层的氧化物层结构设计，可以得到高穿透率与低反射率，其有机发光层所发出的光线，可得到高透明度与色彩饱和度，用以大幅提升有机发光二极管结构应用在显示面板的透光度与色彩饱和度。
附图说明
图1A至图1D为根据本实用新型第一实施例所揭露的有机发光二极管结构的制作流程示意图。
图2为根据本实用新型第一实施例所揭露的有机发光二极管结构的穿透率在可见光波长区段间的关系示意图。
图3A至图3D为根据本实用新型第二实施例所揭露的有机发光二极管结构的制作流程示意图。
图4为根据本实用新型第二实施例所揭露的有机发光二极管结构的穿透率在可见光波长区段间的关系示意图。
【符号说明】
10 基板
11 第一面
12 第二面
20 第一多层氧化物膜
21、21a、21b 第一氧化物层
22、22a、22b 第二氧化物层
30 第二多层氧化物膜
31、31a、31b 第一氧化物层
32、32a、32b 第二氧化物层
33 透明传导层
40 有机发光层
50 金属电极
具体实施方式
请参阅图1A到图1D所示，为根据本实用新型第一实施例所揭露的有机发光二极管结构的制作流程示意图。有机发光二极管结构包含一基板10、一第一多层氧化物膜20、一第二多层氧化物膜30及一有机发光层40。其中，基板10的材料为玻璃制成。第一多层氧化物膜20包括有一第一氧化物层21及一第二氧化物层22。同样的，第二多层氧化物膜30也包括有一第一氧化物层31、一第二氧化物层32及一透明传导层33。
在以下各实施例中，第一氧化物层21、31的材料可以是但不局限为五氧化二铌(Nb2O5)，其亦可选自于包括氧化铟锡(ITO)、氧化锑锡(ATO)、铌氧化物(niobium oxide)、钛氧化物(titanium oxide)、钽氧化物(tantalum oxide)及其混合的氧化物(mixtures of these oxide)的族群。而第二氧化物层22、32的材料可以是但不局限为二氧化硅(SiO2)，其亦可是多孔性(porous)、添加氯素(fluorinated)或有机改造(organically modified)的低折射率材质。
透明传导层33(transparent conductive layer)的材料可以是但不局限为氧化铟锡(ITO)，其亦可选自于包括氧化锑锡(ATO)、二氧化锡(SnO2)、二氧化锌(ZnO2)、三氧化二铟(In2O3)及其组合。有机发光层40包括多种有机发光物质，可发射红光、绿光、蓝光或白光。
在以下实施例中，可利用真空镀膜(vacuum coating)的技术，如溅镀(sputtering)、蒸镀(evaporation)、化学气相沉积(chemical vapor deposition)或其他湿式镀膜技术(other wet coating technologies)而将各层堆叠形成。请参阅图1A所示，先提供一基板10，并将基板10安装在一镀膜机(未绘示)。在本实施例中，基板10为玻璃材料制成，且基板10的厚度为1.0厘米(millimeter，以下简称mm)。在参考波长550nm下，基板10的折射率N0为1.52，消光系数K0为0，但不此为限。基板10具有相对的一第一面11及一第二面12。其中，第一面11及第二面12都是可供镀膜的基准面，且第一面11及第二面12可视成品需求而为平整形状或特殊形状。
然后，请参阅图1B所示，在基板10的第一面11进行镀膜作业。详细来说，以镀膜机(未绘示)在第一面11依顺序向上堆叠有第一氧化物层21及第二氧化物层22。在本实施例中，先在基板10的第一面11镀上第一氧化物层21，第一氧化物层21为五氧化二铌(Nb2O5)材料制成，且第一氧化物层21的厚度介于5纳米至10纳米(nanometer，以下简称nm)。在参考波长550nm下，第一氧化物层21的第一折射率N1为2.345，消光系数K1为0，但不此为限。
接着，在第一氧化物层21镀上第二氧化物层22。第二氧化物层22为二氧化硅(SiO2)材料制成，且第二氧化物层22的厚度介于100nm至120nm。在参考波长550nm下，第二氧化物层22的第二折射率N2为1.48，消光系数K2为0，但不此为限。如此一来，即可在基板10的第一面11依序向上堆叠有第一氧化物层21及第二氧化物层22，以此构成第一多层氧化物膜20。
然后，请参阅图1C所示，在基板10的第二面12进行镀膜作业。详细来说，以镀膜机(未绘示)在第二面12依顺序向下堆叠有第一氧化物层31及第二氧化物层32。在本实施例中，先在基板10的第二面12镀上第一氧化物层31，第一氧化物层31为五氧化二铌(Nb2O5)材料制成，且第一氧化物层31的厚度介于5nm至10nm。在参考波长550nm下，第一氧化物层31的第一折射率N1为2.345，消光系数K1为0，但不此为限。
接着，在第一氧化物层31镀上第二氧化物层32。第二氧化物层32为二氧化硅(SiO2)材料制成，且第二氧化物层32的厚度介于25nm至35nm。在参考波长550nm下，第二氧化物层32的第二折射率N2为1.48，消光系数K2为0，但不此为限。
接着，在第二氧化物层32镀上透明传导层33。透明传导层33为氧化铟锡(ITO)材料制成，且透明传导层33的厚度介于200nm至250nm。在参考波长550nm下，透明传导层33的第三折射率N3为1.9，消光系数K3为0.00558，但不此为限。如此一来，即可在基板10的第二面12依序向下堆叠有第一氧化物层31、第二氧化物层32及透明传导层33，以此构成第二多层氧化物膜30。
然后，请参阅图1D所示，将有机发光层40配置在透明传导层33，再将一金属电极50与有机发光层40相配置。为获取有机发光层40的发光，通常以由氧化铟锡(ITO)构成的透明传导层33作为阳极使用，而金属电极50则作为阴极使用。藉由对透明传导层33与金属电极50施加电压，于有机发光层40上注入电洞与电子，由这些电洞与电子的再结合而生成的能源激发荧光物资，当所激发的荧光物质返回基底状态时放射出光。
请参阅图2所示，藉由第一实施例的结构设计，在基板10的第一面11及第二面12分别设置有第一多层氧化物膜20及第二多层氧化物膜30，所能达到的功效可从图2获得证明。在图2中，横轴坐标代表波长(nm)，纵轴坐标代表透光率(%)。由图中可以看出，在波长400nm至700nm的可见光范围之间，其平均透光率是94.86%。在CIE L*a*b*色彩坐标轴中，可以得到L=98.1548，a*=-0.7950，b*=-0.2223的数值。如此一来，可以得到高穿透率与低反射率，其有机发光层40所发出的光线，可得到高透明度与色彩饱和度，用以大幅提升有机发光二极管(OLED)用于显示面板的透光度与色彩饱和度。
请参阅图3A到图3D所示，为根据本实用新型第一实施例所揭露的有机发光二极管结构的制作流程示意图。有机发光二极管结构包含一基板10、一第一多层氧化物膜20、一第二多层氧化物膜30及一有机发光层40。其具体实施方式与前述第一实施例大致相同，以下仅就相异之处加以说明，其余相同处不再赘述。在第二实施例中，第一多层氧化物膜20包括有至少一第一氧化物层及至少一第二氧化物层。也就是说，在基板10的第一面11依序向上堆叠有一第一氧化物层21a、一第二氧化物层22a、一第一氧化物层21b及一第二氧化物层22b，以此四层氧化物层21a、22a、21b、22b的结构设计，构成第一多层氧化物膜20。
再者，第二多层氧化物膜30也包括有至少一第一氧化物层、至少一第二氧化物层及一透明传导层。也就是说，在基板10的第二面12依序向下堆叠有一第一氧化物层31a、一第二氧化物层32a、一第一氧化物层31b、一第二氧化物层32b及一透明传导层33，以此四层氧化物层31a、32a、31b、32b以及透明传导层33的结构设计，构成第二多层氧化物膜30。
请参阅图3A所示，先提供一基板10，并将基板10安装在一镀膜机(未绘示)。在本实施例中，基板10为玻璃材料制成，且基板10的厚度为1.0mm。在参考波长550nm下，基板10的折射率N0为1.52，消光系数K0为0，但不此为限。基板10具有相对的一第一面11及一第二面12。其中，第一面11及第二面12都是可供镀膜的基准面，且第一面11及第二面12可视成品需求而为平整形状或特殊形状。
然后，请参阅图3B所示，在基板10的第一面11进行镀膜作业。详细来说，以镀膜机(未绘示)先在基板10的第一面11镀上第一氧化物层21a，第一氧化物层21a为五氧化二铌(Nb2O5)材料制成，且第一氧化物层21a的厚度介于10nm至15nm。接着，在第一氧化物层21a镀上第二氧化物层22a。第二氧化物层22a为二氧化硅(SiO2)材料制成，且第二氧化物层22a的厚度介于25nm至35nm。接着，在第二氧化物层22a上再一次镀上第一氧化物层21b，第一氧化物层21b同样也是五氧化二铌(Nb2O5)材料制成，且第一氧化物层21b的厚度介于100nm至120nm。最后，在第一氧化物层21b上再一次镀上第二氧化物层22b，第二氧化物层22b同样也是二氧化硅(SiO2)材料制成，且第二氧化物层22b的厚度介于80nm至100nm。
在参考波长550nm下，上述的第一氧化物层21a、21b的第一折射率N1为2.345，消光系数K1为0，但不此为限。而第二氧化物层22a、22b的第二折射率N2为1.48，消光系数K2为0，但不此为限。如此一来，即可在基板10的第一面11依序向上堆叠有第一氧化物层21a、第二氧化物层22a、第一氧化物层21b及第二氧化物层22b，以此构成第一多层氧化物膜20。
然后，请参阅图3C所示，在基板10的第二面12进行镀膜作业。详细来说，以镀膜机(未绘示)在基板10的第二面12镀上第一氧化物层31a，第一氧化物层31a为五氧化二铌(Nb2O5)材料制成，且第一氧化物层31a的厚度介于1nm至10nm。接着，在第一氧化物层31a镀上第二氧化物层32a，第二氧化物层32a为二氧化硅(SiO2)材料制成，且第二氧化物层32a的厚度介于40nm至60nm。接着，在第二氧化物层32a上再一次镀上第一氧化物层31b，第一氧化物层31b同样也是五氧化二铌(Nb2O5)材料制成，且第一氧化物层31b的厚度介于5nm至15nm。接着，在第一氧化物层31b上再一次镀上第二氧化物层32b，第二氧化物层32b同样也是二氧化硅(SiO2)材料制成，且第二氧化物层32b的厚度介于20nm至40nm。
在参考波长550nm下，上述的第一氧化物层31a、31b的第一折射率N1为2.345，消光系数K1为0，但不此为限。而第二氧化物层32a、32b的第二折射率N2为1.48，消光系数K2为0，但不此为限。
接着，在第二氧化物层32b镀上透明传导层33。透明传导层33为氧化铟锡(ITO)材料制成，且透明传导层33的厚度介于200nm至300nm。在参考波长550nm下，透明传导层33的一第三折射率N3为1.9，消光系数K3为0.00558，但不此为限。如此一来，即可在基板10的第二面12依序向下堆叠有第一氧化物层31a、第二氧化物层32a、第一氧化物层31b、第二氧化物层32b及透明传导层33，以此构成第二多层氧化物膜30。然后，请参阅图3D所示，将有机发光层40配置在透明传导层33，再将一金属电极50与有机发光层40相配置。
请参阅图4所示，藉由第二实施例的结构设计，所能达到的功效可从图4获得证明。在图4中，横轴坐标代表波长(nm)，纵轴坐标代表透光率(%)。由图中可以看出，在波长400nm至700nm的可见光范围之间，其平均透光率是96.50%。在CIE L*a*b*色彩坐标轴中，可以得到L=98.599，a*=-0.2666，b*=-0.4142的数值。如此一来，可以得到高穿透率与低反射率，其有机发光层40所发出的光线，可得到高透明度与色彩饱和度，用以大幅提升有机发光二极管(OLED)用于显示面板的透光度与色彩饱和度。
根据上述本实用新型实施例所揭露的有机发光二极管结构，由于基板的二面分别镀上有多层的氧化物层设计，在波长400nm至700nm之间可看出穿透光谱明显平坦，并得到高透明度与色彩饱和度，用以大幅提升有机发光二极管结构应用在显示面板的透光度与色彩饱和度，进而提高面板在显示上的表现。
Claims (10)
1.一种有机发光二极管结构，其特征在于，包括：
至少一第一氧化物层；
至少一第二氧化物层；
一透明传导层；以及
一有机发光层；
一基板，具有相对的一第一面及一第二面，该基板的该第一面依顺序堆叠有该第一氧化物层及该第二氧化物层，该基板的该第二面依顺序堆叠有该第一氧化物层、该第二氧化物层、该透明传导层及该有机发光层。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，该第一氧化物层的材料为五氧化二铌，该第二氧化物层的材料为二氧化硅，该透明传导层的材料为氧化铟锡。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，该第一氧化物层具有一第一折射率，该第二氧化物层具有一第二折射率，该第一氧化物层的该第一折射率大于该第二氧化物层的该第二折射率。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，堆叠在该第一面的该第一氧化物层厚度介于5nm至10nm，堆叠在该第一氧化物层上的该第二氧化物层厚度介于100nm至120nm。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，堆叠在该第二面的该第一氧化物层厚度介于5nm至10nm，堆叠在该第一氧化物层上的该第二氧化物层厚度介于25nm至35nm，堆叠在该第二氧化物层上的该透明传导层厚度介于200nm至250nm。
6.一种有机发光二极管结构，其特征在于，包括：
至少一第一氧化物层；
至少一第二氧化物层；
一透明传导层；以及
一有机发光层；
一基板，具有相对的一第一面及一第二面，该基板的该第一面依顺序堆叠有该第一氧化物层、该第二氧化物层、该第一氧化物层及该第二氧化物层，该基板的该第二面依顺序堆叠有该第一氧化物层、该第二氧化物层、该第一氧化物层、该第二氧化物层、该透明传导层及该有机发光层。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管结构，其特征在于，该第一氧化物层的材料为五氧化二铌，该第二氧化物层的材料为二氧化硅，该透明传导层的材料为氧化铟锡。
8.如权利要求6所述的有机发光二极管结构，其特征在于，该第一氧化物层具有一第一折射率，该第二氧化物层具有一第二折射率，该第一氧化物层的该第一折射率大于该第二氧化物层的该第二折射率。
9.如权利要求6所述的有机发光二极管结构，其特征在于，堆叠在该第一面的该第一氧化物层厚度介于10nm至15nm，堆叠在该第一氧化物层上的该第二氧化物层厚度介于25nm至35nm，堆叠在该第二氧化物层的该第一氧化物层厚度介于100nm至120nm，堆叠在该第一氧化物层上的该第二氧化物层厚度介于80nm至100nm。
10.如权利要求6所述的有机发光二极管结构，其特征在于，堆叠在该第二面的该第一氧化物层厚度介于1nm至10nm，堆叠在该第一氧化物层上的该第二氧化物层厚度介于40nm至60nm，堆叠在该第二氧化物层的该第一氧化物层厚度介于5nm至15nm，堆叠在该第一氧化物层上的该第二氧化物层厚度介于20nm至40nm，堆叠在该第二氧化物层的该透明传导层厚度介于200nm至300nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320668165.7U CN203746913U (zh) | 2013-10-28 | 2013-10-28 | 有机发光二极管结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320668165.7U CN203746913U (zh) | 2013-10-28 | 2013-10-28 | 有机发光二极管结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203746913U true CN203746913U (zh) | 2014-07-30 |
Family
ID=51346676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320668165.7U Expired - Lifetime CN203746913U (zh) | 2013-10-28 | 2013-10-28 | 有机发光二极管结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203746913U (zh) |
-
2013
- 2013-10-28 CN CN201320668165.7U patent/CN203746913U/zh not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10319301B2 (en) | OLED display device and manufacture method thereof | |
| US9312309B2 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
| WO2018113017A1 (zh) | Oled显示装置及其制作方法 | |
| KR101727668B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102122335B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 | |
| EP3255673B1 (en) | Display substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
| US20100289016A1 (en) | Organic light emitting diode and manufacturing method thereof | |
| US10930708B2 (en) | OLED display substrate and method for manufacturing the same, display device | |
| CN107275503A (zh) | Oled器件及其制作方法 | |
| WO2018032728A1 (zh) | 一种顶发射woled显示器 | |
| US10461279B2 (en) | Top-OLEDs with multilayer output coupling unit and flat panel display devices using the same | |
| JP2007115645A (ja) | 有機発光素子及びその製造方法 | |
| US9773996B2 (en) | Transparent conductive film, and organic light-emitting device comprising same | |
| KR20140000426A (ko) | 유기 발광소자용 기판 및 그 제조방법 | |
| Jiao et al. | 61‐2: Weakening Micro‐Cavity Effects in White Top‐Emitting WOLEDs with Semitransparent Metal Top Electrode | |
| US20170358763A1 (en) | Flexible substrate and method of manufacturing same | |
| CN109638037B (zh) | 一种全彩化显示模块及其制作方法 | |
| WO2016192479A1 (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 | |
| CN203644825U (zh) | 有机发光器件及电子器件 | |
| CN203746913U (zh) | 有机发光二极管结构 | |
| JP2006139932A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子、および有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| US20200168833A1 (en) | Organic light-emitting device and electrode thereof | |
| KR101786880B1 (ko) | 백색 유기 발광 소자 | |
| KR101849583B1 (ko) | 백색 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20180131398A (ko) | 유기 전계 발광 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140730 |