JP6207469B2 - 基板実装部品 - Google Patents

Description

本発明は、基板実装部品に関する。

従来の基板実装部品として、例えば、特許文献１には、線条となる導電性のリードフレームを複数導出して回路基板に表面実装される基板実装部品としての光コネクタが開示されている。この光コネクタは、複数のリードフレームの並び方向にのびてこれらを一括固定する絶縁性の平坦度確保部が設けられる。

特開２０１３−４４３７号公報

ところで、このような基板実装部品は、電磁波ノイズを外に漏らさないようにするためにシールドケースが設けられるが、例えば、特定の周波数でノイズが増大する場合があるなど、更なる改善の余地がある。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、ノイズを抑制することができる基板実装部品を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る基板実装部品は、導電性のリードフレームを介して回路基板に実装される基板実装部と、前記基板実装部に装着され、対向する一対の接地端子の間に、前記回路基板との間から前記リードフレームを露出させる部分を含む一連のスリットが形成されたシールドケースとを備え、前記スリットは、前記一対の接地端子の間の当該スリットの端面長さをＬ［ｍｍ］、光速をＣ［ｍ／ｓ］、前記スリットの部分が変形伝送線路アンテナを構成することに起因する共振現象における共振周波数に対して予め設定される設定共振周波数下限値をｆ［Ｈｚ］、前記基板実装部の誘電率をεｒ［Ｆ／ｍ］とした場合に、Ｌ≦Ｃ／（２×ｆ×０．００１×√（εｒ））の関係を満たすように形成されることを特徴とする。

また、上記基板実装部品では、前記設定共振周波数下限値ｆは、２．５［ＧＨｚ］に設定され、前記基板実装部は、誘電率εｒが２．５［Ｆ／ｍ］≦εｒ≦６．０［Ｆ／ｍ］の範囲内の材料によって構成され、前記スリットは、当該スリットの端面長さＬがＬ≦３７．９５［ｍｍ］の範囲内で形成されるものとすることができる。

また、上記基板実装部品では、前記設定共振周波数下限値ｆは、２．５［ＧＨｚ］に設定され、前記基板実装部は、誘電率εｒが３．７［Ｆ／ｍ］の材料によって構成され、前記スリットは、当該スリットの端面長さＬがＬ≦３１．１９［ｍｍ］の範囲内で形成されるものとすることができる。

また、上記基板実装部品では、前記リードフレームは、複数並んで形成され、前記スリットは、当該スリットの端面長さＬが、前記複数のリードフレームの並び方向の長さ以上の範囲内で形成されるものとすることができる。

また、上記基板実装部品では、前記リードフレームは、複数並んで形成され、前記スリットは、当該スリットの端面長さＬがＬ≧１３．８０［ｍｍ］の範囲内で形成されるものとすることができる。

また、上記基板実装部品では、前記スリットは、前記シールドケースの１つの面に形成され、前記一対の接地端子は、前記スリットが形成される面の両端部にそれぞれ位置するものとすることができる。

本発明に係る基板実装部品は、スリットがＬ≦Ｃ／（２×ｆ×０．００１×√（εｒ））の関係を満たすように形成されるので、共振周波数を予め任意に設定された設定共振周波数下限値以上とし、例えば、当該基板実装部品の使用状態において、相対的に影響の少ない周波数とすることができる。したがって、基板実装部品は、例えば、共振によって特定の周波数でノイズが増大することを抑制することができ、この結果、ノイズを抑制することができる、という効果を奏する。

図１は、実施形態に係る光コネクタの概略構成を表す分解斜視図である。 図２は、実施形態に係る光コネクタを回路基板に実装した状態を表す斜視図である。 図３は、実施形態に係る光コネクタを回路基板に実装した状態を表す斜視図である。 図４は、変形伝送線路アンテナのモデルを表す模式図である。 図５は、実施形態に係る光コネクタのシールドケースの展開図である。 図６は、実施形態に係る光コネクタのスリットの端面長さの調整の一例を説明する模式図である。 図７は、実施形態に係る光コネクタにおけるスリットの端面長さと共振周波数との関係の一例を示す線図である。 図８は、変形例に係る光コネクタのシールドケースの展開図である。

以下に、本発明に係る実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が置換可能かつ容易なもの、あるいは実質的に同一のものが含まれる。

［実施形態］
図１は、実施形態に係る光コネクタの概略構成を表す分解斜視図である。図２、図３は、実施形態に係る光コネクタを回路基板に実装した状態を表す斜視図である。図４は、変形伝送線路アンテナのモデルを表す模式図である。図５は、実施形態に係る光コネクタのシールドケースの展開図である。図６は、実施形態に係る光コネクタのスリットの端面長さの調整の一例を説明する模式図である。図７は、実施形態に係る光コネクタにおけるスリットの端面長さと共振周波数との関係の一例を示す線図である。

図１等に示す本実施形態に係る基板実装部品としての光コネクタ１は、線条となる導電性のリードフレーム５１を複数導出して回路基板１００に表面実装される面実装用光コネクタである。光コネクタ１は、回路基板１００と光ケーブルの端末に設けられる相手側光コネクタ１０１とを接続する、いわゆる、ケーブル対基板用の接続機構である。光コネクタ１は、この回路基板１００と相手側光コネクタ１０１との接続が回路基板１００の表面１０２で行われるように実装されている。本実施形態の光コネクタ１は、例えば、自動車に用いられる自動車用光コネクタであるが、これに限定されるものではない。

ここで、回路基板１００は、表面１０２に所定の回路（配線パターン）を複数有している。回路基板１００は、光コネクタ１に対応する回路に、電気的な接続部（不図示）が形成されている。回路基板１００は、光コネクタ１の位置決め及び固定を行うための貫通孔１０３が形成されている。回路基板１００は、貫通孔１０３に光コネクタ１の固定ピンが差し込まれることで、光コネクタ１が位置決め、固定される。

本実施形態の光コネクタ１は、図１、図２、図３に示すように、基板実装部２と、シールドケース３とを備える。基板実装部２は、導電性のリードフレーム５１を介して回路基板１００に実装される本体部分である。シールドケース３は、基板実装部２に装着され、対向する一対の接地端子３７の間に、回路基板１００との間からリードフレーム５１を露出させる部分を含む一連のスリット３９が形成されるものである。

具体的には、基板実装部２は、ハウジング４と、電子部品としてのＦＯＴ（Ｆｉｂｅｒ Ｏｐｔｉｃ Ｔｒａｎｓｃｅｉｖｅｒ）５と有する。

ハウジング４は、絶縁性を有する樹脂成形品である。ハウジング４は、両端部が開口した中空の略矩形箱（直方体）状に形成され、内部にＦＯＴ５を収容可能である。ハウジング４は、コネクタ嵌合部４１と、ＦＯＴ収容部４２と、一対の壁部４３と、シールドケース嵌合部４４とを有している。

なお、以下の説明では、ハウジング４の両端部の開口が対向する方向を「奥行き方向」という場合がある。また、以下の説明では、奥行き方向と直交する２つの方向をそれぞれ「幅方向」、「高さ方向」という場合がある。また、「高さ方向」の一方側を「上面側」、他方側を「下面側」という場合がある。典型的には、第１の方向としての奥行き方向と第２の方向としての高さ方向と第３の方向としての幅方向とは、相互に直交する。

コネクタ嵌合部４１は、ハウジング４の奥行き方向の一方の開口によって、光ケーブルの相手側光コネクタ１０１との嵌合部分として形成される。コネクタ嵌合部４１は、光ケーブルの相手側光コネクタ１０１を嵌合させる際のガイド４５を含んで構成される。当該ガイド４５は、ハウジング４の内壁面に奥行き方向に沿って形成される。ハウジング４は、相手側光コネクタ１０１が奥行き方向に沿ってコネクタ嵌合部４１に嵌合される。

ＦＯＴ収容部４２は、ハウジング４の奥行き方向の他方の開口によって、ＦＯＴ５を収容可能な収容部分として形成される。ＦＯＴ収容部４２は、ハウジング４の内部において、奥行き方向に沿ってコネクタ嵌合部４１と連通するように形成されている。ＦＯＴ収容部４２は、ＦＯＴ５を所定位置に収容保持することができるように形成されている。

一対の壁部４３は、ＦＯＴ収容部４２の幅方向両側に位置するとともに、奥行き方向に沿って延在する壁状の部分として形成されている。また、一対の壁部４３は、ＦＯＴ５の後述する複数のリードフレーム５１を保護する部分として、さらには、後述する平坦度確保部５３の幅方向への移動を規制する部分として形成されている。

シールドケース嵌合部４４は、シールドケース３を嵌合させる部分として形成されている。シールドケース嵌合部４４は、ハウジング４の高さ方向上面側及び幅方向両側面に跨るように凹部状に形成されている。シールドケース嵌合部４４は、シールドケース３の嵌合にて覆われる部分の他に、シールドケース３の後述する被挟持部３４の挿入先となる挟持部４６と、シールドケース３の後述する縦スリット３５の挿入先となるリブ４７とを有している。挟持部４６は、ハウジング４の幅方向両側面にそれぞれ形成されている。リブ４７は、ハウジング４の幅方向両側面と一対の壁部４３と間にそれぞれ形成されている。挟持部４６とリブ４７とは、ともに高さ方向に沿って延在して形成される。挟持部４６とリブ４７とは、挟持部４６がコネクタ嵌合部４１の開口側に、リブ４７がＦＯＴ収容部４２の開口側に形成される。挟持部４６、リブ４７は、ハウジング４と一体で形成される。

ここで、上記で説明したハウジング４のシールドケース嵌合部４４に装着されるシールドケース３について説明する。

シールドケース３は、導電性を有する金属板をプレス加工することにより２面が開口した中空の略矩形箱（直方体）状のカバー部材として形成される。シールドケース３は、高さ方向下面側、及び、奥行き方向の一方側（ハウジング４に装着された状態におけるコネクタ嵌合部４１側）が開口している。シールドケース３は、ハウジング４の高さ方向上面を覆う上壁３１と、ハウジング４の幅方向両側面をそれぞれ覆う一対の側壁３２と、ハウジング４のＦＯＴ収容部４２側の開口を覆う後壁３３とを有している。シールドケース３は、ＦＯＴ５の周辺を覆ってシールドを施すことができるように形成されている。これにより、シールドケース３は、電磁波ノイズを外部に漏らさないようにしている。

シールドケース３は、一対の側壁３２にそれぞれ被挟持部３４と縦スリット３５とを有する。各被挟持部３４は、各側壁３２において、ハウジング４の挟持部４６に挿入されてシールドケース３の嵌合状態を形成するものである。各被挟持部３４は、各側壁３２の奥行き方向の一方側（ハウジング４に装着された状態におけるコネクタ嵌合部４１側）の端部に段付き状の縁部として形成される。各縦スリット３５は、各側壁３２において、ハウジング４のリブ４７に挿入されてシールドケース３の嵌合状態を形成するものである。各縦スリット３５は、各側壁３２の高さ方向下面側の縁から高さ方向に沿って上壁３１の近傍まで形成される。

また、シールドケース３は、一対の側壁３２の高さ方向下面側の縁にそれぞれ折曲部３６を有する。各折曲部３６は、各側壁３２において、回路基板１００の表面１０２に対向するように折り曲げられた部分である。各折曲部３６は、各側壁３２において、奥行き方向に対して被挟持部３４と縦スリット３５との間に位置する部分の高さ方向下面側の端部に形成される。折曲部３６は、回路基板１００のグランド（ＧＮＤ）に対して電気的に接触するように配置形成されている。つまり、一対の側壁３２において当該折曲部３６が形成されている部分、すなわち、奥行き方向に対して被挟持部３４と縦スリット３５との間に位置する部分は、一対の接地端子３７となる。

さらに、シールドケース３は、一対の側壁３２と後壁３３とに渡って形成される横スリット３８を有する。横スリット３８は、一対の側壁３２、及び、後壁３３の高さ方向下面側の端部に形成される。横スリット３８は、光コネクタ１が回路基板１００に実装された状態で回路基板１００の表面１０２に対して所定の間隔をあけるようにして形成される。横スリット３８は、後壁３３において幅方向に沿って延在し、一対の側壁３２において、奥行き方向に沿って延在する。横スリット３８は、各側壁３２において奥行き方向の端部が各縦スリット３５の高さ方向下面側の端部と接続、連通される。横スリット３８は、回路基板１００との間からリードフレーム５１を露出させる部分となる。一対の縦スリット３５、及び、横スリット３８は、対向する一対の接地端子３７の間に、回路基板１００との間からリードフレーム５１を露出させる部分を含む一連のスリット３９を形成する。

次に、上記で説明したハウジング４のＦＯＴ収容部４２に収容されるＦＯＴ５について説明する。

ＦＯＴ５は、複数のリードフレーム５１と、ＦＯＴ本体５２と、平坦度確保部５３とを有する。ここでは、ＦＯＴ５は、光送信部分と光受信部分とを有するように構成されているが、これに限らず、光送信部分と光受信部分とを別体にして、２つのＦＯＴとすることも可能であるものとする。複数のリードフレーム５１は、光送信部分用の５本のリードフレーム５１、及び、光受信部分用の５本のリードフレーム５１の合計１０本から構成されている。複数のリードフレーム５１の並び方向は、ここでは、幅方向に沿っている。ＦＯＴ本体５２は、複数のリードフレーム５１の一端側に設けられる。平坦度確保部５３は、複数のリードフレーム５１の他端側近傍に設けられる。

より詳細には、各リードフレーム５１は、導電性を有しており、線条でかつ断面が矩形となる形状に形成されている。複数のリードフレーム５１の一端側は、ＦＯＴ本体５２内の光素子（発光素子、受光素子）に対する接続部分として形成されている。また、複数のリードフレーム５１の他端側は、回路基板１００の表面１０２に対する表面実装部分５４として形成されている。表面実装部分５４は、回路基板１００の表面１０２に形成される接続部に対し電気的に接続される部分として形成されている。表面実装部分５４は、例えば、半田ペーストを介して接続部に接触し、リフローにより半田付けされる部分として形成されている。ＦＯＴ本体５２は、奥行き方向に嵌合する前側ハウジング５５及び後側ハウジング５６と、これらの内部に配設される光素子（発光素子、受光素子）とを含んで構成されている。ＦＯＴ本体５２は、前側ハウジング５５に相手側光コネクタ１０１のフェルールに対する挿通案内部分が形成される。具体的には、ＦＯＴ本体５２は、前側ハウジング５５に筒部５７が一対形成される。ＦＯＴ本体５２は、一対の筒部５７の奥位置には光素子（発光素子、受光素子）が配置される。ＦＯＴ本体５２は、全体がハウジング４のＦＯＴ収容部４２に収容保持されるように形成される。平坦度確保部５３は、表面実装部分５４の近傍に配設される。平坦度確保部５３は、複数のリードフレーム５１の並び方向、すなわち、幅方向にのびてこれらを一括固定する絶縁性の部材であって、例えば、略棒状となる形状にモールド成形されている。平坦度確保部５３は、コプラナリティの精度を出すための部分として複数のリードフレーム５１に跨るように設けられている。平坦度確保部５３は、幅方向両側の端面がハウジング４の一対の壁部４３の間に挟まれるような位置関係で配置される。

上記のように構成される光コネクタ１は、ハウジング４のＦＯＴ収容部４２内にＦＯＴ５が収容、保持され、シールドケース嵌合部４４にシールドケース３が装着された状態で、回路基板１００の表面１０２に表面実装される。この場合、光コネクタ１は、シールドケース３のスリット３９を構成する横スリット３８と回路基板１００との間からＦＯＴ５の複数のリードフレーム５１が導出された状態で、回路基板１００の表面１０２上に配置される。つまり、リードフレーム５１は、スリット３９を構成する横スリット３８の延在方向に沿って並んで複数形成されることとなる。そして、光コネクタ１は、各リードフレーム５１の表面実装部分５４が回路基板１００の表面１０２に形成される接続部に対して半田付け等によって電気的に接続される。

ところで、光コネクタ１は、上述したように、シールドケース３によってＦＯＴ５の周辺を覆ってシールドすることで、電磁波ノイズの漏洩を抑制している。この場合、光コネクタ１は、ハウジング４や回路基板１００の表面１０２等とシールドケース３との間に隙間がないことが理想的であるが、実際には、ハウジング４のリブ４７が挿入される縦スリット３５やリードフレーム５１を導出するための横スリット３８を含むスリット３９等に隙間があいている。

この場合に、このような光コネクタ１では、シールドケース３に形成された上記スリット３９の部分が図４のモデルに示すような、いわゆる変形伝送線路アンテナ（ＭＴＬＡ：Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｌｉｎｅ Ａｎｔｅｎｎａ）に相当する構成を形成する可能性があるということが見出された。ここで、図４に例示する変形伝送線路アンテナは、例えば、完全導体板上に置かれ、垂直素子の高さ（接地板と伝送線路との間隔）をｈ、水平素子の幅（伝送線路の幅）をｗ、水平素子の長さ（伝送線路の長さ）をｌとすると、当該アンテナの長さｃは、下記の数式（１）に示すように、２ｈ＋２ｗ＋ｌで表され、周波数ｆ₀の波長に対しλ₀／２とされる。

ｃ＝２ｈ＋２ｗ＋ｌ＝λ₀／２ ・・・ （１）

当該アンテナの長さｃは、光コネクタ１における一対の接地端子３７の間のスリット３９の端面長さ（後述の端面長さＬ）に相当する。つまり、数式（１）は、スリット３９の端面長さの２分の１波長で共振することを表す。

そして、光コネクタ１は、シールドケース３によって電磁波ノイズの漏洩を抑制しているにもかかわらず、スリット３９の部分が上記のような変形伝送線路アンテナを構成することに起因して所定の周波数帯で共振現象が発生するおそれがあり、これにより、例えば、当該シールドケース３を備えていない場合と比較してノイズが増大するおそれがあるという知見が得られた。

そこで、本実施形態の光コネクタ１は、上記を踏まえて、スリット３９の端面長さが所定の寸法となるように当該スリット３９を形成することで、共振によって特定の周波数でノイズが増大することを抑制し、これにより、ノイズを抑制している。

具体的には、本実施形態のスリット３９は、スリット３９の端面長さをＬ［ｍｍ］、光速をＣ［ｍ／ｓ］、予め設定される設定共振周波数下限値をｆ［Ｈｚ］、基板実装部２の誘電率をεｒ［Ｆ／ｍ］とした場合に、下記の数式（２）の関係を満たすように形成される。

Ｌ≦Ｃ／（２×ｆ×０．００１×√（εｒ）） ・・・ （２）

ここで、この光コネクタ１における共振周波数Ｆは、シールドケース３内にハウジング４等を含む基板実装部２があるので、波長短縮も考慮して、下記の数式（３）を用いて求めることができる。

Ｆ＝Ｃ／（２×Ｌ×０．００１×√（εｒ）） ・・・ （３）

この数式（３）からも明らかなように、スリット３９の端面長さＬを変化させることで、共振周波数Ｆを変化させることができる。

上記数式（２）において、光速Ｃは、光が伝播する速さであり、Ｃ≒２９９７９２４５８［ｍ／ｓ］である。設定共振周波数下限値ｆは、予め設定される任意の値であり、例えば、光コネクタ１が搭載される装置の常用域よりも高周波数帯に設定されることが好ましい。基板実装部２の誘電率εｒは、物質内で電荷とそれによって与えられる力との関係を示す係数である。スリット３９の端面長さＬは、スリット３９を構成する一対の縦スリット３５と横スリット３８との合計の端面長さである（詳細については後述する。）。光コネクタ１は、スリット３９の端面長さＬが数式（２）の関係を満たすように調整されることで、実際の共振周波数Ｆを当該設定共振周波数下限値ｆ以上の高周波数帯に設定することができる。光コネクタ１は、スリット３９の端面長さＬが相対的に小さくなるほど、実際の共振周波数Ｆが相対的に高くなる。また、実際の共振周波数Ｆを当該設定共振周波数下限値ｆ以上の高周波数帯に設定するための当該スリット３９の端面長さＬは、基板実装部２の誘電率εｒに応じて変化することとなる。

ここで、スリット３９の端面長さＬは、一例として図５に示すようなシールドケース３の展開図等を用いて算出することができる。スリット３９の端面長さＬは、スリット３９の端面の起点Ｓから終点Ｇまでの合計の長さに相当するが、ここでは、シールドケース３の各側壁３２に重複部３２ａが形成されていることから、当該重複部３２ａに相当する部分を差し引く必要がある。当該重複部３２ａは、各側壁３２において、後壁３３側に折り返され当該後壁３３と重ね合わせられる部分である。具体的には、スリット３９の端面長さＬは、図５に示す例では、一方の縦スリット３５の端面を構成する区間Ｌ１〜Ｌ７、横スリット３８の端面を構成する区間Ｌ８〜Ｌ１０、他方の縦スリット３５の端面を構成する区間Ｌ１１〜Ｌ１７の合計の長さに相当する。

当該スリット３９の端面長さＬを数式（２）の関係を満たすよう調整する場合には、例えば、図６に示すシールドケース３におけるスリット３９に相当する各領域Ｔ１〜Ｔ３等の全部または一部を適宜閉塞させたり開放させたりすることで、当該端面長さＬを調整することができる。ここでは、例えば、領域Ｔ１は、横スリット３８に相当する領域であり、領域Ｔ２は、縦スリット３５の横スリット３８側の部分に相当する領域であり、領域Ｔ３は、縦スリット３５の横スリット３８とは反対側の部分に相当する領域である。光コネクタ１は、例えば、縦スリット３５を閉塞させる場合、すなわち、スリット３９を横スリット３８で構成する場合には、ハウジング４のリブ４７も廃止し、シールドケース３とハウジング４との嵌合状態を形成する部分を別個設ければよい。なお、ここでの領域分けはあくまでも一例であり、これに限られるものではない。

図７は、上記のようにして設定されるスリット３９の端面長さＬと、光コネクタ１の実際の共振周波数Ｆとの関係の一例を示す線図であり、横軸を端面長さＬ［ｍｍ］、縦軸を共振周波数Ｆ［ＧＨｚ］としている。図７を参照して、スリット３９の端面長さＬの設定の一例について説明する。

上述したように、数式（２）において、設定共振周波数下限値ｆは、典型的には、光コネクタ１が搭載される装置の常用域よりも高周波数帯に設定される。ここでは、光コネクタ１が自動車に搭載されることから、設定共振周波数下限値ｆは、自動車用放射ノイズ規格の上限周波数以上、例えば、ｆ＝２．５［ＧＨｚ］に設定される。また、基板実装部２は、例えば、誘電率εｒが２．５［Ｆ／ｍ］≦εｒ≦６．０［Ｆ／ｍ］の範囲内の材料によって構成される。図７中、実線Ａは、εｒ≒６．０［Ｆ／ｍ］の場合のスリット３９の端面長さＬと共振周波数Ｆとの関係の一例を表し、実線Ｂは、εｒ≒２．５［Ｆ／ｍ］の場合のスリット３９の端面長さＬと共振周波数Ｆとの関係の一例を表す。この場合、数式（２）の関係を満たすためのスリット３９の端面長さＬは、実線Ｂに示すεｒ≒２．５［Ｆ／ｍ］の場合に上限値Ｌｍａｘ１となり、Ｌｍａｘ１≒３７．９５［ｍｍ］となる。当該上限値Ｌｍａｘ１は、εｒ≒２．５［Ｆ／ｍ］である場合に、共振周波数Ｆが設定共振周波数下限値ｆ＝２．５［ＧＨｚ］となるスリット３９の端面長さＬに相当する。この場合、スリット３９は、少なくとも当該スリット３９の端面長さＬがＬ≦Ｌｍａｘ１＝３７．９５［ｍｍ］の範囲内で形成されることで、数式（２）の関係を満たすことができ、これにより、光コネクタ１は、実際の共振周波数Ｆが当該設定共振周波数下限値ｆ＝２．５［ＧＨｚ］以上の高周波数帯に設定されることとなる。

より好適には、基板実装部２は、誘電率εｒがεｒ≒３．７［Ｆ／ｍ］の材料、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ：Ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）によって構成される。図７中、実線Ｃは、εｒ≒３．７［Ｆ／ｍ］の場合のスリット３９の端面長さＬと共振周波数Ｆとの関係の一例を表す。この場合、数式（２）の関係を満たすためのスリット３９の端面長さＬの上限値Ｌｍａｘ２は、Ｌｍａｘ２≒３１．１９［ｍｍ］となる。当該上限値Ｌｍａｘ２は、εｒ≒３．７［Ｆ／ｍ］である場合に、共振周波数Ｆが設定共振周波数下限値ｆ＝２．５［ＧＨｚ］となるスリット３９の端面長さＬに相当する。この場合、スリット３９は、少なくとも当該スリット３９の端面長さＬがＬ≦Ｌｍａｘ２＝３１．１９［ｍｍ］の範囲内で形成されることで、数式（２）の関係を満たすことができ、これにより、光コネクタ１は、実際の共振周波数Ｆが当該設定共振周波数下限値ｆ＝２．５［ＧＨｚ］以上の高周波数帯に設定されることとなる。

なお、スリット３９の端面長さＬの下限値Ｌｍｉｎは、例えば、複数のリードフレーム５１の並び方向の長さ、すなわちここでは、複数のリードフレーム５１の幅方向の長さに応じて設定される。上述したように、この光コネクタ１は、シールドケース３から複数のリードフレーム５１を導出するために、最小限のスリット３９の端面長さＬとして、少なくとも複数のリードフレーム５１の並び方向の長さが確保されている必要がある。ここでは、スリット３９は、当該スリット３９の端面長さＬが、複数のリードフレーム５１の並び方向の長さ以上の範囲内で形成されることで、複数のリードフレーム５１を導出可能な構成を確保することができる。スリット３９の端面長さＬの下限値Ｌｍｉｎは、例えば、Ｌｍｉｎ≒１３．８０［ｍｍ］に設定される。

つまり、光コネクタ１は、基板実装部２が２．５［Ｆ／ｍ］≦εｒ≦６．０［Ｆ／ｍ］の範囲内の材料によって構成される場合、スリット３９の端面長さＬがＬｍｉｎ＝１３．８０［ｍｍ］≦Ｌ≦Ｌｍａｘ１＝３７．９５［ｍｍ］の範囲内でスリット３９が形成されることで、複数のリードフレーム５１を導出可能な構成を確保した上で、実際の共振周波数Ｆが設定共振周波数下限値ｆ＝２．５［ＧＨｚ］以上の高周波数帯に設定される。より好適には、光コネクタ１は、基板実装部２がεｒ≒３．７［Ｆ／ｍ］である材料、例えば、ＬＣＰによって構成される場合、スリット３９の端面長さＬがＬｍｉｎ＝１３．８０［ｍｍ］≦Ｌ≦Ｌｍａｘ２＝３１．１９［ｍｍ］の範囲内でスリット３９が形成されることで、複数のリードフレーム５１を導出可能な構成を確保した上で、実際の共振周波数Ｆが設定共振周波数下限値ｆ＝２．５［ＧＨｚ］以上の高周波数帯に設定される。

以上で説明した光コネクタ１によれば、導電性のリードフレーム５１を介して回路基板１００に実装される基板実装部２と、基板実装部２に装着され、対向する一対の接地端子３７の間に、回路基板１００との間からリードフレーム５１を露出させる部分を含む一連のスリット３９が形成されたシールドケース３とを備える。スリット３９は、一対の接地端子３７の間の当該スリット３９の端面長さをＬ［ｍｍ］、光速をＣ［ｍ／ｓ］、予め設定される設定共振周波数下限値をｆ［Ｈｚ］、基板実装部２の誘電率をεｒ［Ｆ／ｍ］とした場合に、Ｌ≦Ｃ／（２×ｆ×０．００１×√（εｒ））の関係を満たすように形成される。

したがって、光コネクタ１は、スリット３９がＬ≦Ｃ／（２×ｆ×０．００１×√（εｒ））の関係を満たすように形成されるので、共振周波数Ｆを予め任意に設定された設定共振周波数下限値ｆ以上とし、例えば、当該光コネクタ１の使用状態において、相対的に影響の少ない周波数とすることができる。これにより、光コネクタ１は、例えば、共振によって特定の周波数でノイズが増大することを抑制することができ、この結果、ノイズを抑制することができる。

例えば、以上で説明した光コネクタ１によれば、設定共振周波数下限値ｆは、２．５［ＧＨｚ］に設定され、基板実装部２は、誘電率εｒが２．５［Ｆ／ｍ］≦εｒ≦６．０［Ｆ／ｍ］の範囲内の材料によって構成され、スリット３９は、当該スリット３９の端面長さＬがＬ≦３７．９５［ｍｍ］の範囲内で形成される。したがって、光コネクタ１は、基板実装部２が２．５［Ｆ／ｍ］≦εｒ≦６．０［Ｆ／ｍ］の範囲内の材料によって構成される場合に、スリット３９の端面長さＬがＬ≦３７．９５［ｍｍ］の範囲内でスリット３９が形成されることで、実際の共振周波数Ｆを設定共振周波数下限値ｆ＝２．５［ＧＨｚ］以上の高周波数帯に設定することができる。この結果、光コネクタ１は、設定共振周波数下限値ｆ未満の周波数帯で共振が発生することを抑制し、ノイズを抑制することができる。

より詳細には、以上で説明した光コネクタ１によれば、設定共振周波数下限値ｆは、２．５［ＧＨｚ］に設定され、基板実装部２は、誘電率εｒが３．７［Ｆ／ｍ］の材料によって構成され、スリット３９は、当該スリット３９の端面長さＬがＬ≦３１．１９［ｍｍ］の範囲内で形成される。したがって、光コネクタ１は、基板実装部２がεｒ≒３．７［Ｆ／ｍ］の材料によって構成される場合に、スリット３９の端面長さＬがＬ≦３１．１９［ｍｍ］の範囲内でスリット３９が形成されることで、実際の共振周波数Ｆを設定共振周波数下限値ｆ＝２．５［ＧＨｚ］以上の高周波数帯に設定することができる。この結果、光コネクタ１は、設定共振周波数下限値ｆ未満の周波数帯で共振が発生することを抑制し、ノイズを抑制することができる。

さらに、以上で説明した光コネクタ１によれば、リードフレーム５１は、複数並んで形成され、スリット３９は、当該スリット３９の端面長さＬが、複数のリードフレーム５１の並び方向の長さ以上の範囲内で形成される。ここでは、スリット３９は、当該スリット３９の端面長さＬがＬ≧１３．８０［ｍｍ］の範囲内で形成される。したがって、光コネクタ１は、複数のリードフレーム５１を導出可能な構成を確保した上で、実際の共振周波数Ｆを設定共振周波数下限値ｆ以上の高周波数帯に設定することができ、ノイズを抑制することができる。

なお、上述した本発明の実施形態に係る基板実装部品は、上述した実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された範囲で種々の変更が可能である。

図８は、変形例に係る光コネクタのシールドケースの展開図である。図８に示す変形例に係る基板実装部品としての光コネクタ２０１は、シールドケース２０３を備え、シールドケース２０３に形成されるスリット２３９の端面長さＬを下限値Ｌｍｉｎ＝１３．８０［ｍｍ］に設定した場合の変形例である。

シールドケース２０３は、対向する一対の接地端子２３７ｃの間に、回路基板１００との間からリードフレーム５１を露出させる部分を含む一連のスリット２３９が形成される。スリット２３９は、上述の縦スリット３５を含まず、横スリット２３８を含んで構成される。この場合、光コネクタ２０１は、例えば、ハウジング４の挟持部４６、リブ４７、シールドケース２０３の被挟持部３４も廃止し、シールドケース２０３とハウジング４との嵌合状態を形成する部分を別個設ければよい。

ここでは、シールドケース２０３は、一対の側壁３２の高さ方向下面側の端部にそれぞれ３つずつ接地端子２３７ａ、２３７ｂ、２３７ｃが形成されており、最も後壁３３側に位置する一対の接地端子２３７ｃの間に、回路基板１００との間からリードフレーム５１を露出させる横スリット２３８が形成される。本実施形態のシールドケース２０３は、横スリット２３８を区画する一対の接地端子２３７ｃを、横スリット２３８が形成される後壁３３に近接させることでスリット２３９の端面長さＬを下限値Ｌｍｉｎに設定することができる。本実施形態のスリット２３９（横スリット２３８）は、シールドケース２０３の１つの面、ここでは、後壁３３の高さ方向下面側に形成され、スリット２３９を区画する一対の接地端子２３７ｃは、スリット２３９が形成される面である後壁３３の両端部にそれぞれ位置する。この場合、スリット３９の端面長さＬは、図８に示すように、スリット２３９（横スリット２３８）の端面を構成する区間Ｌ２１〜Ｌ２３の合計の長さに相当する。

以上で説明した変形例に係る光コネクタ２０１によれば、スリット２３９は、シールドケース２０３の１つの面に形成され、一対の接地端子２３７ｃは、スリット２３９が形成される面の両端部にそれぞれ位置する。したがって、光コネクタ２０１は、シールドケース２０３の後壁３３に形成された横スリット２３８によってスリット２３９の全体を構成することができ、当該スリット２３９の端面長さＬを、複数のリードフレーム５１の並び方向の長さに応じた下限値Ｌｍｉｎ、ここでは、１３．８０［ｍｍ］に設定に設定することができる。この結果、光コネクタ２０１は、スリット２３９の端面長さＬを複数のリードフレーム５１の並び方向の長さに応じた下限値Ｌｍｉｎとすることで、共振周波数Ｆを確実に常用域から離れた高周波数帯に設定することができ、これにより、共振によって特定の周波数でノイズが増大することを確実に抑制することができる。

なお、以上で説明でした基板実装部品は、光コネクタ１、２０１であるものとして説明したが、これに限らず、複数のリードフレーム５１を導出し、この複数のリードフレーム５１を回路基板１００に電気的に接続しつつ実装を行う部品であればよい。基板実装部品は、光コネクタ１、２０１等の他、電気コネクタ、あるいは、光コネクタと電気コネクタとを一体化してなるハイブリッドコネクタ等であってもよい。また、以上の説明では、光コネクタ１、２０１は、表面実装に係る接続を例に挙げて説明をしたが、これに限らず、スルーホール等を介して回路基板１００の裏面側で接続を行うようにしてもよいものとする。

以上の説明では、設定共振周波数下限値ｆは、２．５［ＧＨｚ］に設定されるものとして説明したが、これに限らず、上述したように任意に設定されてもよい。

なお、シールドケースに対して、回路基板との間からリードフレームを露出させる部分を含む一連のスリットが分断されて複数形成されている場合、上述の数式（２）を満たすようにスリットを形成する際には端面長さが最も長いスリットを対象として、上述の数式（２）を満たすように形成すればよい。

１、２０１ 光コネクタ（基板実装部品）
２ 基板実装部
３、２０３ シールドケース
４ ハウジング
３５ 縦スリット
３７、２３７ａ、２３７ｂ、２３７ｃ 接地端子
３８、２３８ 横スリット
３９、２３９ スリット
５１ リードフレーム
１００ 回路基板

Claims (6)

1. 導電性のリードフレームを介して回路基板に実装される基板実装部と、
   前記基板実装部に装着され、対向する一対の接地端子の間に、前記回路基板との間から前記リードフレームを露出させる部分を含む一連のスリットが形成されたシールドケースとを備え、
   前記スリットは、前記一対の接地端子の間の当該スリットの端面長さをＬ［ｍｍ］、光速をＣ［ｍ／ｓ］、前記スリットの部分が変形伝送線路アンテナを構成することに起因する共振現象における共振周波数に対して予め設定される設定共振周波数下限値をｆ［Ｈｚ］、前記基板実装部の誘電率をεｒ［Ｆ／ｍ］とした場合に、Ｌ≦Ｃ／（２×ｆ×０．００１×√（εｒ））の関係を満たすように形成されることを特徴とする、
   基板実装部品。
2. 前記設定共振周波数下限値ｆは、２．５［ＧＨｚ］に設定され、
   前記基板実装部は、誘電率εｒが２．５［Ｆ／ｍ］≦εｒ≦６．０［Ｆ／ｍ］の範囲内の材料によって構成され、
   前記スリットは、当該スリットの端面長さＬがＬ≦３７．９５［ｍｍ］の範囲内で形成される、
   請求項１に記載の基板実装部品。
3. 前記設定共振周波数下限値ｆは、２．５［ＧＨｚ］に設定され、
   前記基板実装部は、誘電率εｒが３．７［Ｆ／ｍ］の材料によって構成され、
   前記スリットは、当該スリットの端面長さＬがＬ≦３１．１９［ｍｍ］の範囲内で形成される、
   請求項１又は請求項２に記載の基板実装部品。
4. 前記リードフレームは、複数並んで形成され、
   前記スリットは、当該スリットの端面長さＬが、前記複数のリードフレームの並び方向の長さ以上の範囲内で形成される、
   請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板実装部品。
5. 前記リードフレームは、複数並んで形成され、
   前記スリットは、当該スリットの端面長さＬがＬ≧１３．８０［ｍｍ］の範囲内で形成される、
   請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の基板実装部品。
6. 前記スリットは、前記シールドケースの１つの面に形成され、
   前記一対の接地端子は、前記スリットが形成される面の両端部にそれぞれ位置する、
   請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板実装部品。

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