JP6205993B2 - 分析チップ - Google Patents
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Description
[2]前記反射板の前記反応部の中心を通り、かつ前記金属膜に対して垂直な直線側の内面および前記内面の反対側の外面の表面粗さRaは、0.1〜500nmの範囲内である、[1]に記載の分析チップ。
[3]前記内面は、凹面である、[1]または[2]に記載の分析チップ。
[4]前記内面は、前記金属膜から離れるに従って前記反応部の中心を通り、かつ前記金属膜に対して垂直な直線から離れるように、前記直線に対し傾斜しており、前記直線を含む断面における前記直線と前記内面とのなす角度は、0.5〜10°の範囲内である、[1]〜[3]のいずれか一項に記載の分析チップ。
[5]前記反射板を構成する前記材料の屈折率は、1.4〜1.8の範囲内である、[1]〜[4]のいずれか一項に記載の分析チップ。
[6]前記外面上には、反射膜が配置されている、[1]〜[5]のいずれか一項に記載の分析チップ。
[7]前記基体の前記反射板が配置されている面からの前記反射板の高さTと、前記基体の前記金属膜に対向する面から前記反射板が配置されている面までの厚みdとの関係は、d≦T≦10dを満たす、[1]〜[6]のいずれか一項に記載の分析チップ。
[8]前記基体の前記金属膜に対向する面から前記反射板が配置されている面までの厚みは、0.1〜10.0mmの範囲内である、[1]〜[7]のいずれか一項に記載の分析チップ。
[9]前記反射板の厚みは、0.1〜5.0mmの範囲内である、[1]〜[8]のいずれか一項に記載の分析チップ。
図1は、SPFS装置の一例の構成を示す模式図である。図1に示されるように、SPFS装置100は、光源110、第1光センサー120、フィルター160および第2光センサー170を有する。SPFS装置100には、本発明の一実施の形態に係る分析チップ130が装着されている。
次いで、本発明の一実施の形態に係る分析チップ130について説明する。本実施の形態では、分析チップ130は、プリズム131を有している。
110 光源
120 第1光センサー
130 分析チップ
131 プリズム
132 金属膜
133 反応部
134 基体
135 入射面
136 反射面
137 出射面
138 流路溝
140 第1貫通孔
141 第2貫通孔
143 注入口
144 連通口
145 接続部
146 ピペット
147 液溜部
148 ポンプ
149 反射板
150 内面
151 外面
160 フィルター
170 第2光センサー
b1 励起光
b2 反射光
b3 蛍光
L 直線
Claims (10)
- 表面プラズモン励起増強蛍光分析装置に用いられる分析チップであって、
一方の面に励起光が照射されることにより電場を増強するための金属膜と、
前記金属膜の他方の面上に配置され、増強された電場により蛍光物質を励起して蛍光を放出させるための反応部と、
前記金属膜の他方の面上に配置され、前記金属膜と共に流路を形成し、蛍光物質から放出された蛍光を透過可能な材料で形成された基体と、を有し、
前記反応部は、前記流路内に配置されており、
前記基体の前記金属膜に対向する面の反対側の面には、前記反応部から放出されて前記基体を透過した蛍光の一部を反射させる反射板が、前記反応部の中心を通り、かつ前記金属膜に対して垂直な直線の周囲に、前記金属膜に対して垂直方向に突出して配置されており、
前記反射板は、前記直線側に位置する内面および前記内面の反対側に位置する外面を有し、
前記内面は、前記金属膜から離れるに従って前記直線から離れるように、前記直線に対し傾斜している、
分析チップ。 - 前記内面および前記外面の表面粗さRaは、0.1〜500nmの範囲内である、請求項1に記載の分析チップ。
- 前記内面は、凹面である、請求項1または請求項2に記載の分析チップ。
- 前記直線を含む断面における前記直線と前記内面とのなす角度は、0.5〜10°の範囲内である、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の分析チップ。 - 前記反射板を構成する材料の屈折率は、1.4〜1.8の範囲内である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の分析チップ。
- 前記外面上には、反射膜が配置されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の分析チップ。
- 前記基体の前記反射板が配置されている面からの前記反射板の高さTと、前記基体の前記金属膜に対向する面から前記反射板が配置されている面までの厚みdとの関係は、d≦T≦10dを満たす、請求項1〜6のいずれか一項に記載の分析チップ。
- 前記基体の前記金属膜に対向する面から前記反射板が配置されている面までの厚みは、0.1〜10.0mmの範囲内である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の分析チップ。
- 前記反射板の厚みは、0.1〜5.0mmの範囲内である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の分析チップ。
- 前記反射板および前記基体は、樹脂の射出成形による一体成形により形成される、請求項1〜9のいずれか一項に記載の分析チップ。
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