JP6203493B2 - 冶金ネットワーク組成物の調製およびその使用方法 - Google Patents
冶金ネットワーク組成物の調製およびその使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6203493B2 JP6203493B2 JP2012538017A JP2012538017A JP6203493B2 JP 6203493 B2 JP6203493 B2 JP 6203493B2 JP 2012538017 A JP2012538017 A JP 2012538017A JP 2012538017 A JP2012538017 A JP 2012538017A JP 6203493 B2 JP6203493 B2 JP 6203493B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- composition
- network
- alloy
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0425—Copper-based alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/047—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy comprising intermetallic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0483—Alloys based on the low melting point metals Zn, Pb, Sn, Cd, In or Ga
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
- H01B1/026—Alloys based on copper
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
- H01L2224/8382—Diffusion bonding
- H01L2224/83825—Solid-liquid interdiffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
この出願は2009年11月5日に出願した米国仮出願番号61/258,365の優先権の利益を請求する。その全体の開示が本明細書中に参考として援用される。
本発明は金属組成物、その調製方法とそれらの使用に関する。より詳細には、本発明は金属と金属合金成分のブレンドされた配合物を含む金属過渡的液相焼結組成物(metallic transient liquid phase sintering compositions)に関し、該組成物は増加した安定性、耐熱ストレスおよび物質の間のCTEミスマッチを緩和する能力を有する相互接続された伝導性冶金学的なネットワーク(interconnected conductive metallurgical networks)を形成する。
ここ数10年間にわたって、エレクトロニクス産業は絶えずより小さい形状で、より高い性能と機能性に向かって開発を進めた。生産レベルでは、これらの原動力はより小さい回路とデザインとなり、より効率的な回路ルーティング、パッケージングレイヤーの除去、および洗練された工学的材料をサポートする製法となった。しかしながら、進歩は異種材料の厳密な並置は、熱力学的応力管理と熱移動の管理をより難しくするという代償を伴った。
TLPS
表1:TLPS残留の望ましい特性
相互接続された冶金学的なネットワークの形成
250℃未満の温度での処理
冶金学的な組成選択の高い特異性
熱力学的応力への高い寛容度
熱安定性バルクと界面の電気および熱への耐性
望ましくは無鉛
被着体と周囲の材料へ具体的に適用される相互侵入有機ネットワーク(interpenetrating organic network)を含む
本発明は以下を含む粒子混合物組成物を提供する:
A.組成物内の金属粒子の全質量に基づいて約35質量%から約60質量%の間の量の、第1の金属を含む第1の金属粒子成分;および
温度T1で第1の金属と金属間化合物を形成する第2の金属を含む第2の金属粒子成分;ここで金属間化合物はT1よりも10℃以上高い最低溶融温度を有する。
上述の一般的な説明および以下の詳細な説明は両方とも例示かつ説明のみであり、そして特許請求される本発明を制限するものではないことが理解されるべきである。本明細書において使用される時、特記のある場合を除き、単数形の使用は複数形を含んでいる。
本明細書において使用される時、“または”は特記の無い限り「および/または」を意味する。さらに、「含む」、「包含する」などの用語の使用は、「含む」ものとして理解されて、制限的に使用されない。本明細書に使用されたセクションの見出しは、構成的な目的だけのためにあって、説明した内容を限定するものと解釈されない。明細書および特許請求の範囲においては、それが使用される文脈に応じて、あるものの単数形は複数形も含むものとする。たとえば“a”または“an”は、それが使用される文脈に応じて、1またはそれ以上を意味する。すなわち、「金属」は、少なくとも1つの金属、2つの金属、または複数の金属を意味する場合がある。
弾性の限界内では、弾性率は線形応力と線形歪みとの比率であり、引張り試験の際に作成された応力−ひずみ曲線の傾斜から決定できる。
CTEは材料の長さ寸法の変化と温度の変化に関連する。本明細書において使用される時,「α1CTE」または「α1」はTgの前のCTEを示し、「α2CTE」はTgの後にCTEをいう。
A.組成物内の金属粒子の全質量に基づいて、約35質量%から約60質量%の間の、少なくとも1つの第1の反応性金属を含む第1の金属粒子成分;
B.温度T1で第1の反応性金属と金属間化合物を形成する少なくとも1つの第2の反応性金属を含む第2の金属粒子成分;ここで金属間化合物はT1よりも10℃以上高い最低溶融温度を有する。
第1の反応性金属(本明細書では「第1の金属」とも呼ばれる)は、典型的には高融点金属または高融点金属の組み合わせである。成分Aは、単一金属または金属の組み合わせであることができる。組み合わせを達成するためには、例えば、特定割合の金属の希望の組み合わせを製造するために、異種金属の粒子群を混合できる。ある特定の実施態様では、第1の反応性金属は、銅、貴金属、またはそれらの組み合わせである。いくつかの実施態様では、特定用途(例えば、抵抗)のために、異なる金属も有用であり、単独または銅、および/または、貴金属と組み合わせて使用することができる。銅は比較的安価であり、豊富にあり、回路素子に典型的に使用される冶金と互換性があり、1000℃を超える溶融温度で処理可能であり、延性があり、さまざまな粉体形状で容易に利用可能であり、素晴らしい電気および熱の導体である。また、銀、金、プラチナ、インジウム、およびガリウムも、本発明の組成物における使用が企図される。そのような金属は、銅粒子が次の製造プロセス(例えば、銅エッチング)により傷つきやすい用途、またはそのような貴金属の使用がフラックスの必要性を減少させることによって正味の金属充填量をかなり増加させる場合で特に有用かもしれない。本発明のある特定の態様では、第1の反応性金属はアルミニウム、亜鉛、ニッケル、スズ、ビスマスまたはアンチモンを含み、単独でまたは前述の金属と組み合わせて使用できる。
第2の反応性金属(「第2の金属」とも呼ばれる)は、典型的には低融点金属または低融点金属の組み合わせ、および/またはそれらの合金である。成分Bは、単一金属、金属合金または金属とそれらの合金の組み合わせである場合がある。組み合わせを達成するためには、例えば、特定割合の金属および金属合金の希望の組み合わせを製造するために、異種金属および金属合金の粒子群を混合できる。
本発明のある特定の実施態様では、TLPS組成物とそれから処理された結果として得られるネットワークは、無鉛である。そのような実施態様における適当な反応性第2の金属と第2の金属合金の選択は特に興味深い。この選択の第1の限定は処理温度である。エレクトロニクス用途で最も有用なTLPS組成物の処理温度は、電子装置または他のアセンブリの生産に使用される他の材料が破損されないほど低くなければならない。電子装置がポリマー成分を含んでいる場合には、この温度は典型的には約260℃以下である。反応性の第2の金属の候補はしたがって、スズ、ビスマス、鉛、ガリウム、インジウム、および亜鉛であるが、これらは単独ではいずれも完全な選択でない。鉛の元素と合金は有毒物のため除かれる。ガリウムとインジウムの元素および合金は、高価であって、容易に利用可能でない。亜鉛の元素および合金は多くの一般的な回路フィニッシュと非適合性である。スズで支配的に構成される合金類は、希望の最大処理温度を超えた溶融温度を有し、銅または貴金属粒子と共に使用される場合には、排他的なTLPS最終生産物としてもろい金属間化合物を形成するだろう。さらに、そのような組成物には、スズホイスカの形成の可能性がある。
1.ネットワークは連続したネットワーク構造を形成する、冶金的に合金化された複数の反応生成物を含んでいる。
2.金属ネットワーク構造の少なくとも約75%は300℃未満で溶融しない。
3.300℃未満で溶融する金属ネットワークの残りの部分は、最大300℃の複数の熱サイクルでは評価可能なほどには変化せず、複数の熱サイクルにわたり組成物中で完全に分散されたままであり、広い温度領域で溶融される。
4.ネットワークの所定の容積は複数の熱サイクルにわたり一定の溶融エンタルピーを示す。および
5.全体の金属ネットワークのバルク弾性率は、ネットワークの前記残りの溶融部分の溶融の開始のときに著しく低下する。
1.選択された処理温度で溶融する1種以上の元素または第2の金属を含む合金金属成分;または
2.反応性要素が消耗した時に、(1)で記載された溶融状態の反応種を共生的に再生する(symbiotically to regenerate)ように挙動する、1種以上の元素または第2の金属を含む合金金属成分;または
3.第2の金属の金属ナノ粒子の1以上の種。
実施例1
60質量%のスズと40質量%のビスマスを含む非標準のスズビスマス合金が、元素状の銅粒子、およびフラックス有機結合剤と組み合わされた。すべての実施例に使用されるフラックス有機結合剤は、メチルテトラヒドロフタル酸無水物モノ−グリセリンエステル(1.35g);トリエタノールアミン(1.00g);ブチルカルビトールの50重量%ビスフェノールAの溶液(2.96g);アラルダイト(Araldite)MY721エポキシ樹脂(0.74g)とブチルカルビトール(0.2g)を含む混合物であった。図2は、組成物が室温から190℃まで加熱され、次に10分間最終温度で維持された時のTLPS反応について示す。第1の下向きのピークは非標準合金の吸熱溶融を反映する。そして、次の上向きのピークは銅スズ金属間化合物の発熱的生成である。図3に示されたDSCスキャンは、図2で処理されたサンプルの次の熱サイクルについて示す。新しい反応生成物が形成され、初期の金属と合金を置き換えたので、次の熱サイクルに関して観測されたDSCシグネチャーは、最初のものと実質的に異なっていた。2番目のTLPS組成物は第1のサンプルと同じ元素組成で調製された。しかしながら、スズおよびビスマスの等量比率が、217℃で溶けるスズを支配的に含む粉末と共晶スズビスマス粉末を混合することによって達成された。サンプルは第1のサンプルと同様に処理された。初期過程スキャン(図4)は図2に示されたように、第1のサンプルに関して観測されたものと同様であった。2番目の熱サイクル(図5)の間、観測されたシグネチャーは、第1のサンプルで観測されたものと同様であった(図3)。しかしながら、190℃の処理温度が、スズ合金の溶融温度よりかなり下であったにも関わらず、初期のスズが支配的なスズ合金の証拠がDSCスキャンにほとんどない。この現象は非溶融合金相の溶融合金相への割合が最大で3:1である多くのTLPS組成物で観測された。スズビスマス合金を減少させる能力は、組成物における、望ましくないビスマスの比率の実質的減少を許容する。
36部の銅、25部の共晶58:42BiSn合金、および26部のSAC305合金(96.5:3.0:0.5 SnAgCu)を含む、実施例2で記載されたTLPS組成物が、様々な構造(凹んでいる曲がりくねったパターン(recessed serpentine patterns)、ガラススライドの上にキャストされた伝導性片、多層電子基板内の埋められたマイクロビア)でテストされ、25℃から280℃で熱サイクルされた。図6は、複数の熱サイクルにわたる残りの合金類の安定性について図説する。図7は、25℃から280℃で繰り返された熱サイクルでプロットされた残りの合金類の安定性について図説する。図8は、広い範囲の溶融温度を有する、共晶Bi:Si(58:42)とBi:Sn(80:20)により取り囲まれた残りの合金組成物の橋かけの性質を示す。
10個のサンプルが、回路基板に部品を組み立てる際にはんだペーストの代替えとして使用される本発明技術の可能性を調査するために調製された。サンプルのすべてが、スズ合金の状態で、銅−スズと銀−スズの金属間化合物に銅と銀を変換するのに必要であるよりも過剰のスズを含むように設計された。2つの異なった粒度分布における銅粉末、銀粉末、支配的にスズを含む粉末、およびスズ−ビスマス合金粉末を、実施例1で記載されたフラックスエポキシビヒクルと混合し、以下の表2にまとめられた元素割合を得た。
実施例3の示差走査熱量計分析の間に作成されたサンプルペレットは、300℃までの複数の熱サイクルにかけられた。分析された材料のすべてに関しては、再溶融エネルギーは10回の再溶融サイクルの間、一貫したままで保持された。サンプルが器具から取り除かれたとき、それらは残りの合金の押出に関する証拠がないかどうか顕微鏡的に調べられた。いかなる残留合金も、ペレットのすべてネズミ色の表面で観察されなかった。これらの結果は、残りの合金相が、残りの合金とその元素成分の融点を超えた温度サイクリングの間中、処理された金属ネットワークの中で分散されたままで残って、ネットワークから押出されなかったことを示した。
本発明組成物から形成された回路が、実質的に本発明の配合物と異なった熱膨張係数(CTE)を有する基体のケース内に入れられた時、プリント板のための産業標準試験方法に耐えるかどうかを決定するために実験が行われた。試験のために実行された産業標準は、回路の抵抗が10%以上変化しないということである。2つの配合物が、10質量%のフラックスエポキシバインダー(実施例1を参照されたい)、銅粒子、およびスズベースの合金から調製された。配合物はFR4基体上のエポキシ誘電体の、凹んでいる曲がりくねったパターンにインストールされた。曲がりくねったパターンは8−20ミルで線幅が異なり、ラインは長さ数インチであった。
実施例5の配合物と2つの追加の配合物は熱機械分析にかけられ、温度の関数として処理済み材料の弾性率を決定した。この分析の結果と配合物に関する特徴は以下の表4にまとめられる。
4つの配合物が多層基板構造中の埋められたビアホールへの実装のために調製された。それぞれの試験板は、板内で銅回路により連続的に接続された、1776の、直径5ミルのビアを有していた。誘電性接着剤はそれぞれの回路層の1つの表面に粘着し、ビアは誘電性接着剤から下層の銅パッドまでレーザー切断された。ビアホールは配合物(試験部品1つあたりの1つの配合物)で満たされた。そして、溶媒は乾燥除去された。誘電性接着剤を有する回路層は次にはさみ込まれて、190℃で1時間、ラミネートプレスで熱処理された。数1,000のビアを有するそれぞれの「デイジーチェイン(daisy chain)」回路の抵抗が測定されて、記録された。次に、試験部品は250℃のピーク温度で6回のはんだリフローサイクルにかけられた。この実験と顕著な配合物の特性の結果は以下の表5にまとめられる。
金属化された半導体ダイを銀メッキされたリードフレームに取り付けるための配合物が調製された。配合物は35質量%Sn(2つの合金ソースから)、49質量%Cu、14質量%Bi、残部のフラックスエポキシ混合物を含む。処理された時、残りのスズ合金物の再溶融物は、0.08/5.99/3.07(58:42/80:20/SAC305)のJ/g(DSC)になるように計算された。配合物は一時的なステンシルを使用して、リードフレーム上の35マイクロメートルのコーティングとして堆積された。金属化されたダイがその上に置かれ、材料は30分にわたり25℃から205℃に昇温することにより処理され、次いで90分間、205℃で保持された。せん断工具が、調製されたサンプル上のダイを取り外すのに使用された。ダイを取り外すのに必要な力が、それぞれのサンプルについて記録された。
本発明は以下の実施態様を含む。
第1項: 以下を含む粒子混合物組成物:
a)組成物内の金属粒子の全質量に基づいて約35質量%から約60質量%の間の量の、第1の金属を含む第1の金属粒子成分;
および
b)温度T1で第1の金属と金属間化合物を形成する第2の金属を含む第2の金属粒子成分;ここで金属間化合物はT1よりも10℃以上高い最低溶融温度を有する;
i)第2の金属粒子成分は、第1の金属のすべてを金属間化合物に完全に変換するために必要な量より過剰に第2の金属を含み、
ii)第2の金属粒子成分は、T1で溶融する第2の金属とキャリヤーの合金を少なくとも約10質量%含む。
第2項: 第1の金属が、Cu、Ag、Au、Pt、Ir、Os、Pd、Pt、Ph、Ru、Ga、In、Al、Re、Zn、Ni、Sn、Bi、Sbおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される、第1項記載の粒子混合物組成物。
第3項: 第1の金属が、Cu、Ag、Au、Pt、In、Gaおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される、第1項記載の粒子混合物組成物。
第4項: 第1の金属が銅、貴金属、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、第1項記載の粒子混合物組成物。
第5項: 第2の金属がSn、Bi、Pb、Cd、Zn、Ga、In、Te、Hg、Tl、Sb、Se、Poおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される、第1項記載の粒子混合物組成物。
第6項: 第2の金属がSn、Bi、Pb、Ga、In、Znおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される、第1項記載の粒子混合物組成物。
第7項: 第2の金属粒子成分は、さらに、T1で溶融状態であるかまたはT1で第1の合金に可溶性であることを条件として、少なくとも1種の第2の金属の追加の合金を含む、第1項記載の粒子混合物組成物。
第8項: 第2の金属粒子成分は、さらに、T1で溶融状態であるかまたはT1で第1の合金に可溶性であることを条件として、複数の第2の金属の合金を含む、第7項記載の粒子混合物組成物。
第9項: 粒子混合物が鉛を含まない、第1項記載の粒子混合物組成物。
第10項: T1は260℃を超えない、第1項記載の粒子混合物組成物。
第11項: T1が約135℃から220℃の範囲内にある、第1項記載の粒子混合物組成物。
第12項: 第1の金属はCuを含み、第2の金属はSnを含む、第1項記載の粒子混合物組成物。
第13項: 第1の金属がさらにAgを含む、第12項記載の粒子混合物組成物。
第14項: キャリヤーがBiを含む、第1項記載の粒子混合物組成物。
第15項: キャリヤーはBiを含み、金属間化合物がSn−Cu金属間化合物とSn−Ag金属間化合物から成る群から選択された少なくとも1つの金属間化合物を含む、第14項記載の粒子混合物組成物。
第16項: さらに、金属添加物を含む、第1項記載の粒子混合物組成物。
第17項: 金属添加物がB、Al、Ch、Fe、Ni、Zn、Ga、Ag、Pd、Pt、Au、In、Sb、Bi、Te、Mn、P、Co、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される金属である、第16項記載の粒子混合物組成物。
第18項: 金属添加物は、粒子またはコーティングである、第16項記載の粒子混合物組成物。
第19項: 金属添加物がナノ微粒子である、第18項記載の粒子混合物組成物。
第20項: さらに溶剤、フラックス、フラックスを自己不活性化する手段、熱可塑性ポリマー、およびポリマー前駆体から成る群から選択される少なくとも1つの有機ビヒクルを含む、第1項記載の粒子混合物組成物。
第21項: フラックスが少なくとも1種のカルボン酸、無機酸、アルカノールアミン、フェノールまたはロジンを含む、第1項記載の粒子混合物組成物。
第22項: 第1項記載の組成物をT1に加熱することによって形成された相互接続された冶金学的なネットワーク:
ここでネットワークは以下を含む;
a)第1の金属と第2の金属の金属間化合物、
および
b)第2の金属とキャリヤーの合金、
ここで、引き続いてT1に加熱された時に、ネットワークが電気的および機械的に安定である。
第23項: 第1項記載の組成物をT1に加熱することによって形成された相互接続された冶金学的なネットワーク:
ネットワークが以下から成る群から選択される少なくとも1つの第2の金属粒子成分を含む;
T1で溶融する少なくとも1つの第2の金属合金;
少なくとも1つの第2の金属、またはその合金であって、第1の反応性金属との反応で反応性第2の金属が消耗した時に溶融状態の反応種を再生するもの;および
第2の反応性金属のナノ微粒子;
ここで、反応生成物が以下を含む:
a)少なくとも75質量%の300℃未満では溶融しない熱安定性成分、および
b)少なくとも5質量%の220℃未満である温度T2で再溶融する再溶融成分;
ここで、再溶融がT2と300℃の間の温度への複数回の暴露の間、一貫したエネルギーで起こり、再溶融成分はネットワーク中に普く分散され、
再溶融がネットワークのバルクな弾性率を低下させる。
第24項: 反応生成物が再溶融成分を少なくとも10質量%で含む、第23項記載の相互接続された冶金学的なネットワーク。
第25項: 反応生成物が再溶融成分を約25質量%で含む、第23項記載の相互接続された冶金学的なネットワーク。
第26項: 以下を含む電気的および熱的に伝導性の内部接続を形成する方法:
a)
第1項記載の組成物の所定量を少なくとも2つの部材のアセンブリに適用すること;ここで、該少なくとも2つの部材は電気的および熱的に相互接続されることになっている;
b)
組成物を135℃から220℃の間の温度T1まで加熱する;ここで、第1の金属および第2の金属が結合して、少なくとも1つの金属間化合物を形成する。
第27項: 実質的に、第1の金属のすべてが金属間化合物に変換される、第26項記載の方法。
第28項: 金属間化合物が、300℃未満で溶融しない熱安定性金属成分である、第26項記載の方法。
第29項: 該方法が以下を含む金属ネットワークを生成する、第28項記載の方法:
i)少なくとも75質量%の熱安定性成分、および
ii)少なくとも5質量%の、220℃未満である温度T2で再び溶融する再溶融成分;ここで再溶融成分がネットワーク中に普く分散される。
第30項: 金属ネットワークが再溶融成分を少なくとも10質量%で含む、第29項記載の方法。
第31項: 金属ネットワークが再溶融成分を約25質量%で含む、第29項記載の方法。
第32項: T2が180℃未満である、第29項記載の方法。
第33項: T2が150℃未満である、第29項記載の方法。
第34項: さらに、以下の工程を含む第29項記載の方法:
c)T2および約300℃の間にネットワークを加熱する工程、ここで再溶融成分は溶融するが、熱安定性成分は溶融しない;その結果、ネットワークのバルクな弾性率を低下させる。
第35項: 少なくとも2つの部材が内部接続部材と異なったCTEsを有する、第34項記載の方法。
Claims (14)
- 以下を含む粒子混合物組成物:
a)組成物内の金属粒子の全質量に基づいて35質量%から60質量%の間の量の、Cu、Agおよびそれらの組み合わせを含む第1の金属粒子成分;
および
b)処理温度T1でCu、Agおよびそれらの組み合わせと金属間化合物を形成するSnを含む第2の金属粒子成分;ここでT1は260℃を越えず、該金属間化合物はT1よりも10℃以上高い最低溶融温度を有する;
i)第2の金属粒子成分は、利用可能なCu、Agおよびそれらの組み合わせのすべてを金属間化合物に完全に変換するために必要な量より過剰にSnを含み、
ii)第2の金属粒子成分は、BiとSnとの合金を少なくとも10質量%含み、
前記の粒子混合物をT1に加熱することにより形成された相互接続された冶金学的なネットワークを形成する成分が、
(1) 300℃以下で溶融しない熱安定性成分、および
(2) 220℃以下の温度T2で再溶融する再溶融成分を含む。 - 第2の金属粒子成分は、さらに、T1で溶融状態であるかまたはT1で第1の合金に可溶性であることを条件として、少なくとも1種の第2の金属の追加の合金を含む、請求項1記載の粒子混合物組成物。
- 粒子混合物が鉛を含まない、請求項1記載の粒子混合物組成物。
- T1は135℃から220℃の範囲である、請求項1記載の粒子混合物組成物。
- 第1の金属粒子成分はCuを含む、請求項1記載の粒子混合物組成物。
- 金属間化合物がSn−Cu金属間化合物とSn−Ag金属間化合物から成る群から選択された少なくとも1つの金属間化合物を含む、請求項1記載の粒子混合物組成物。
- さらに、金属添加物を含み、該金属添加物はB、Al、Fe、Ni、Zn、Ga、Ag、Pd、Pt、Au、In、Sb、Bi、Te、Mn、P、Co、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される金属であり、該金属添加物は、粒子、コーティング、またはナノ微粒子である、請求項1記載の粒子混合物組成物。
- 請求項1記載の組成物をT1に加熱することによって形成された相互接続された冶金学的なネットワーク:
ここでネットワークは以下を含む;
a)Cu、Agおよびそれらの組み合わせとSnの金属間化合物、および
b)SnとBiとの合金、
ここで、引き続いてT1に加熱された時に、ネットワークが電気的および機械的に安定である。 - 請求項1記載の組成物をT1に加熱することによって形成された相互接続された冶金学的なネットワーク:
ネットワークが以下から成る群から選択される少なくとも1つのSnを含む;
Sn、またはその合金であって、Cu、Agおよびそれらの組み合わせとの反応でSnが消耗した時に溶融状態のSnを再生するもの;および
Snのナノ微粒子;
ここで、相互接続された冶金学的なネットワークが以下を含む:
a)少なくとも75質量%の300℃未満では溶融しない熱安定性成分、および
b)少なくとも5質量%の220℃未満である温度T2で再溶融する再溶融成分;
ここで、再溶融がT2と300℃の間の温度への複数回の暴露の間、一貫したエネルギーで起こり、再溶融成分はネットワーク中に普く分散され、再溶融がネットワークのバルクな弾性率を低下させる。 - 以下を含む電気的および熱的に伝導性の内部接続を形成する方法:
a) 請求項1記載の組成物の所定量を少なくとも2つの部材のアセンブリに適用すること;ここで、該少なくとも2つの部材は電気的および熱的に相互接続されることになっている;
b) 組成物を135℃から220℃の間の温度T1まで加熱すること;ここでCu、Agおよびそれらの組み合わせおよびSnが結合して、少なくとも1つの金属間化合物を形成する。 - 該方法が以下を含む金属ネットワークを生成する、請求項10記載の方法:
i)少なくとも75質量%の前記熱安定性成分、および
ii)少なくとも5質量%の、220℃未満である温度T2で再び溶融する再溶融成分;ここで再溶融成分がネットワーク中に普く分散される。 - 金属ネットワークが再溶融成分を少なくとも10質量%で含む、請求項11記載の方法。
- T2が180℃未満である、請求項11記載の方法。
- さらに、以下の工程を含む請求項11記載の方法:
c)T2および300℃の間にネットワークを加熱する工程、ここで再溶融成分は溶融するが、300℃以下で溶融しない金属間成分は溶融しない;その結果、ネットワークのバルクな弾性率を低下させる、ここで前記の少なくとも2つの部材は内部接続部材と異なったCTEsを有する。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017123929A JP6976029B2 (ja) | 2009-11-05 | 2017-06-26 | 冶金ネットワーク組成物の調製およびその使用方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US25836509P | 2009-11-05 | 2009-11-05 | |
US61/258,365 | 2009-11-05 | ||
PCT/US2010/055562 WO2011078918A2 (en) | 2009-11-05 | 2010-11-05 | Preparation of metallurgic network compositions and methods of use thereof |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017123929A Division JP6976029B2 (ja) | 2009-11-05 | 2017-06-26 | 冶金ネットワーク組成物の調製およびその使用方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013510240A JP2013510240A (ja) | 2013-03-21 |
JP2013510240A5 JP2013510240A5 (ja) | 2014-03-06 |
JP6203493B2 true JP6203493B2 (ja) | 2017-09-27 |
Family
ID=44196381
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012538017A Active JP6203493B2 (ja) | 2009-11-05 | 2010-11-05 | 冶金ネットワーク組成物の調製およびその使用方法 |
JP2017123929A Active JP6976029B2 (ja) | 2009-11-05 | 2017-06-26 | 冶金ネットワーク組成物の調製およびその使用方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017123929A Active JP6976029B2 (ja) | 2009-11-05 | 2017-06-26 | 冶金ネットワーク組成物の調製およびその使用方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8840700B2 (ja) |
JP (2) | JP6203493B2 (ja) |
KR (3) | KR20120096928A (ja) |
TW (1) | TWI481728B (ja) |
WO (1) | WO2011078918A2 (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8221518B2 (en) | 2009-04-02 | 2012-07-17 | Ormet Circuits, Inc. | Conductive compositions containing blended alloy fillers |
KR20120096928A (ko) | 2009-11-05 | 2012-08-31 | 오르멧 서키츠 인코퍼레이티드 | 야금 망상 조성물의 제조 및 그것의 사용 방법 |
US8557146B1 (en) | 2012-03-26 | 2013-10-15 | E I Du Pont De Nemours And Company | Polymer thick film solder alloy/metal conductor compositions |
US9583453B2 (en) | 2012-05-30 | 2017-02-28 | Ormet Circuits, Inc. | Semiconductor packaging containing sintering die-attach material |
JP2013256584A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Panasonic Corp | 熱硬化性樹脂組成物およびフラックス組成物とそれを用いた半導体装置 |
US20140120356A1 (en) * | 2012-06-18 | 2014-05-01 | Ormet Circuits, Inc. | Conductive film adhesive |
US9005330B2 (en) * | 2012-08-09 | 2015-04-14 | Ormet Circuits, Inc. | Electrically conductive compositions comprising non-eutectic solder alloys |
US8986579B2 (en) * | 2012-10-10 | 2015-03-24 | E I Du Pont De Nemours And Company | Lamination of polymer thick film conductor compositions |
US11440142B2 (en) | 2012-11-16 | 2022-09-13 | Ormet Circuits, Inc. | Alternative compositions for high temperature soldering applications |
US9605162B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-03-28 | Honda Motor Co., Ltd. | Corrosion inhibiting compositions and methods of making and using |
US9816189B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-11-14 | Honda Motor Co., Ltd. | Corrosion inhibiting compositions and coatings including the same |
JP6184731B2 (ja) | 2013-04-25 | 2017-08-23 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀−ビスマス粉末、導電性ペースト及び導電膜 |
CN105473257B (zh) * | 2013-09-05 | 2018-11-13 | 汉高知识产权控股有限责任公司 | 金属烧结膜组合物 |
US20160012931A1 (en) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Tyco Electronics Corporation | Conductive Particle |
US20160108204A1 (en) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Transient Liquid Phase Compositions Having Multi-Layer Particles |
US9731384B2 (en) | 2014-11-18 | 2017-08-15 | Baker Hughes Incorporated | Methods and compositions for brazing |
US9687940B2 (en) * | 2014-11-18 | 2017-06-27 | Baker Hughes Incorporated | Methods and compositions for brazing, and earth-boring tools formed from such methods and compositions |
KR20160076393A (ko) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
US9831201B2 (en) | 2015-03-11 | 2017-11-28 | Guy F. Burgess | Methods for forming pillar bumps on semiconductor wafers |
US10612112B2 (en) | 2015-04-09 | 2020-04-07 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Noble metal material for 3-dimensional printing, method for manufacturing the same, and method for 3-dimensional printing using the same |
KR101839876B1 (ko) * | 2015-04-09 | 2018-03-20 | 한국전자통신연구원 | 3d 프린팅용 귀금속 소재, 그 제조 방법, 및 그 소재를 이용한 3d 프린팅 방법 |
WO2016174584A1 (en) * | 2015-04-28 | 2016-11-03 | Ormet Circuits, Inc. | Sintering pastes with high metal loading for semiconductor die attach applications |
KR101658733B1 (ko) * | 2015-07-08 | 2016-09-21 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
JP6042577B1 (ja) * | 2016-07-05 | 2016-12-14 | 有限会社 ナプラ | 多層プリフォームシート |
WO2018105127A1 (ja) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | 日立化成株式会社 | 接合体の製造方法、遷移的液相焼結用組成物、焼結体及び接合体 |
WO2018105125A1 (ja) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | 日立化成株式会社 | 組成物、接着剤、焼結体、接合体及び接合体の製造方法 |
CN110050033A (zh) * | 2016-12-09 | 2019-07-23 | 日立化成株式会社 | 组合物、粘接剂、烧结体、接合体和接合体的制造方法 |
US20200071488A1 (en) * | 2016-12-09 | 2020-03-05 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Composition, adhesive, sintered body, joined body, and method of producing joined body |
EP3373310A1 (en) * | 2017-03-06 | 2018-09-12 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Printed temperature sensor |
KR102604506B1 (ko) | 2017-06-12 | 2023-11-21 | 오르멧 서키츠 인코퍼레이티드 | 양호한 사용가능 시간 및 열전도성을 갖는 금속성 접착제 조성물, 이의 제조 방법 및 이의 용도 |
CN107649676A (zh) * | 2017-09-06 | 2018-02-02 | 王明江 | 一种3d打印用铝合金粉体材料 |
CN111372717B (zh) * | 2017-12-07 | 2022-06-28 | 奥梅特电路股份有限公司 | 用于电子封装的组装的具有热稳定微结构的冶金组合物 |
JP2019141908A (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-29 | 有限会社 ナプラ | はんだ材、金属粒子、ペースト、金属材、複合材、半導体装置、電子部品、電気機器、光学機器および照明器具 |
WO2020012226A1 (en) | 2018-07-10 | 2020-01-16 | Bosch Car Multimedia Portugal, S.A. | Additivated solder paste and process for applying a reactive additive element for selective control of soldering temperature on the reflow soldering method |
WO2020017050A1 (ja) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 日立化成株式会社 | 組成物、接合材料、焼結体、接合体及び接合体の製造方法 |
JP6811798B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2021-01-13 | 株式会社タムラ製作所 | 成形はんだ及び成形はんだの製造方法 |
US20220148914A1 (en) * | 2019-03-06 | 2022-05-12 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic component device |
JPWO2021060525A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | ||
WO2023097174A1 (en) * | 2021-11-23 | 2023-06-01 | Ormet Circuits, Inc. | Conductive compositions for low temperature assembly of electronic components |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53133799A (en) | 1977-04-27 | 1978-11-21 | Idearisaachi Yuugen | Electroconductive paint |
US5043102A (en) | 1989-11-29 | 1991-08-27 | Advanced Products, Inc. | Conductive adhesive useful for bonding a semiconductor die to a conductive support base |
JPH03187373A (ja) | 1989-12-13 | 1991-08-15 | Masao Saito | 薬酒 |
US5376403A (en) | 1990-02-09 | 1994-12-27 | Capote; Miguel A. | Electrically conductive compositions and methods for the preparation and use thereof |
US5716663A (en) | 1990-02-09 | 1998-02-10 | Toranaga Technologies | Multilayer printed circuit |
US5948533A (en) | 1990-02-09 | 1999-09-07 | Ormet Corporation | Vertically interconnected electronic assemblies and compositions useful therefor |
US5853622A (en) | 1990-02-09 | 1998-12-29 | Ormet Corporation | Transient liquid phase sintering conductive adhesives |
US5538789A (en) | 1990-02-09 | 1996-07-23 | Toranaga Technologies, Inc. | Composite substrates for preparation of printed circuits |
US5088189A (en) | 1990-08-31 | 1992-02-18 | Federated Fry Metals | Electronic manufacturing process |
US5463190A (en) | 1994-04-04 | 1995-10-31 | Motorola, Inc. | Electrically conductive adhesive |
FR2726001B1 (fr) | 1994-10-19 | 1996-11-29 | Solaic Sa | Encre conductrice comprenant des grains metalliques ayant des points de fusion differents |
US7022266B1 (en) | 1996-08-16 | 2006-04-04 | Dow Corning Corporation | Printable compositions, and their application to dielectric surfaces used in the manufacture of printed circuit boards |
US6143116A (en) | 1996-09-26 | 2000-11-07 | Kyocera Corporation | Process for producing a multi-layer wiring board |
US5985043A (en) | 1997-07-21 | 1999-11-16 | Miguel Albert Capote | Polymerizable fluxing agents and fluxing adhesive compositions therefrom |
US5922397A (en) | 1997-03-03 | 1999-07-13 | Ormet Corporation | Metal-plating of cured and sintered transient liquid phase sintering pastes |
US6114413A (en) | 1997-07-10 | 2000-09-05 | International Business Machines Corporation | Thermally conducting materials and applications for microelectronic packaging |
US6337522B1 (en) | 1997-07-10 | 2002-01-08 | International Business Machines Corporation | Structure employing electrically conductive adhesives |
US6297559B1 (en) | 1997-07-10 | 2001-10-02 | International Business Machines Corporation | Structure, materials, and applications of ball grid array interconnections |
US5980785A (en) | 1997-10-02 | 1999-11-09 | Ormet Corporation | Metal-containing compositions and uses thereof, including preparation of resistor and thermistor elements |
US6068782A (en) | 1998-02-11 | 2000-05-30 | Ormet Corporation | Individual embedded capacitors for laminated printed circuit boards |
US6139777A (en) | 1998-05-08 | 2000-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive paste for filling via-hole, double-sided and multilayer printed circuit boards using the same, and method for producing the same |
US6127619A (en) | 1998-06-08 | 2000-10-03 | Ormet Corporation | Process for producing high performance thermoelectric modules |
US6085415A (en) | 1998-07-27 | 2000-07-11 | Ormet Corporation | Methods to produce insulated conductive through-features in core materials for electric packaging |
US6207259B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-03-27 | Kyocera Corporation | Wiring board |
US6054761A (en) | 1998-12-01 | 2000-04-25 | Fujitsu Limited | Multi-layer circuit substrates and electrical assemblies having conductive composition connectors |
AU3869000A (en) | 1999-04-01 | 2000-10-23 | Ormet Corporation | Methods to produce robust multilayer circuitry for electronic packaging |
AU5324200A (en) | 1999-06-04 | 2000-12-28 | Dj Orthopedics, Llc | Orthopedic knee braces having sublimated graphics |
US6370013B1 (en) | 1999-11-30 | 2002-04-09 | Kyocera Corporation | Electric element incorporating wiring board |
US6267559B1 (en) * | 1999-12-21 | 2001-07-31 | Alaris Medical Systems, Inc. | Apparatus and method for reducing power consumption in a peristaltic pump mechanism |
US6517602B2 (en) | 2000-03-14 | 2003-02-11 | Hitachi Metals, Ltd | Solder ball and method for producing same |
JP3414388B2 (ja) * | 2000-06-12 | 2003-06-09 | 株式会社日立製作所 | 電子機器 |
US6896172B2 (en) * | 2000-08-22 | 2005-05-24 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder paste for reflow soldering |
JP3736452B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2006-01-18 | 株式会社日立製作所 | はんだ箔 |
JP2003211289A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-29 | Fujitsu Ltd | 導電性接合材料、それを用いた接合方法及び電子機器 |
US6716036B2 (en) | 2002-05-15 | 2004-04-06 | Ormet Circuits, Inc. | Method of attaching circuitry to a modular jack connector using electrically conductive paste |
WO2003105160A1 (ja) | 2002-05-31 | 2003-12-18 | タツタ電線株式会社 | 導電性ペースト、これを用いた多層基板及びその製造方法 |
US7147927B2 (en) | 2002-06-26 | 2006-12-12 | Eastman Chemical Company | Biaxially oriented polyester film and laminates thereof with copper |
US7888411B2 (en) | 2003-04-01 | 2011-02-15 | Creative Electron, Inc. | Thermally conductive adhesive composition and process for device attachment |
JP4639607B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2011-02-23 | 日立金属株式会社 | 鉛フリー半田材料およびPbフリー半田材料の製造方法 |
US20080023665A1 (en) | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Weiser Martin W | Thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof |
EP2058822A4 (en) * | 2006-08-28 | 2011-01-05 | Murata Manufacturing Co | CONDUCTIVE BINDER AND ELECTRONIC DEVICE |
US8277677B2 (en) * | 2008-06-23 | 2012-10-02 | Northwestern University | Mechanical strength and thermoelectric performance in metal chalcogenide MQ (M=Ge,Sn,Pb and Q=S, Se, Te) based compositions |
US8221518B2 (en) | 2009-04-02 | 2012-07-17 | Ormet Circuits, Inc. | Conductive compositions containing blended alloy fillers |
KR101276147B1 (ko) * | 2009-09-03 | 2013-06-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 솔더 페이스트, 그것을 사용한 접합 방법, 및 접합 구조 |
KR20120096928A (ko) | 2009-11-05 | 2012-08-31 | 오르멧 서키츠 인코퍼레이티드 | 야금 망상 조성물의 제조 및 그것의 사용 방법 |
-
2010
- 2010-11-05 KR KR1020127014423A patent/KR20120096928A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-11-05 TW TW099138257A patent/TWI481728B/zh active
- 2010-11-05 KR KR1020197015899A patent/KR102108773B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-05 JP JP2012538017A patent/JP6203493B2/ja active Active
- 2010-11-05 WO PCT/US2010/055562 patent/WO2011078918A2/en active Application Filing
- 2010-11-05 US US12/940,203 patent/US8840700B2/en active Active
- 2010-11-05 KR KR1020187013019A patent/KR101988188B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-06-26 JP JP2017123929A patent/JP6976029B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6976029B2 (ja) | 2021-12-01 |
WO2011078918A2 (en) | 2011-06-30 |
TW201124542A (en) | 2011-07-16 |
KR101988188B1 (ko) | 2019-06-11 |
KR102108773B1 (ko) | 2020-05-11 |
KR20120096928A (ko) | 2012-08-31 |
JP2013510240A (ja) | 2013-03-21 |
KR20180054887A (ko) | 2018-05-24 |
JP2017222930A (ja) | 2017-12-21 |
WO2011078918A3 (en) | 2011-10-27 |
US8840700B2 (en) | 2014-09-23 |
US20110171372A1 (en) | 2011-07-14 |
TWI481728B (zh) | 2015-04-21 |
KR20190065473A (ko) | 2019-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6976029B2 (ja) | 冶金ネットワーク組成物の調製およびその使用方法 | |
JP6976028B2 (ja) | 混合された合金フィラーを含む伝導性組成物 | |
JP6975708B2 (ja) | 半導体ダイ接着用途のための高金属負荷量の焼結ペースト | |
US11440142B2 (en) | Alternative compositions for high temperature soldering applications | |
KR102206200B1 (ko) | 비-공융 솔더 합금을 포함하는 전기 전도성 조성물 | |
US20140120356A1 (en) | Conductive film adhesive | |
TWI779049B (zh) | 具良好工作壽命及熱傳導性之金屬黏著組合物、其製造方法及其用途 | |
US20200180233A1 (en) | Conductive film adhesive |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131105 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140916 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141215 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20141222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150316 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20151006 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160208 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20160208 |
|
C11 | Written invitation by the commissioner to file amendments |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C11 Effective date: 20160222 |
|
C272 | Notice of ex officio correction |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C272 Effective date: 20160222 |
|
C27A | Decision to dismiss |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C2711 Effective date: 20160411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160518 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160621 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20160623 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20160819 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20160829 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20170130 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20170313 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170610 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170626 |
|
C126 | Written invitation by the chief administrative judge to file intermediate amendments |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C126 Effective date: 20170703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170706 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20170731 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20170828 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20170828 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170830 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6203493 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |