JP6200517B2 - 有機電子素子用化合物、これを用いた有機電子素子及びその電子装置 - Google Patents
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Description
図1を参照すれば、本発明の一実施形態に係る有機電子素子100は、基板110上に形成された第1電極120、第2電極180及び第1電極120と第2電極180との間に本発明に係る化合物を含む有機物層を備える。このとき、第1電極120はアノード(正極)であり、第2電極180はカソード(負極)であり得、インバート型の場合には、第1電極がカソードであり、第2電極がアノードであり得る。
本発明に係る最終化合物(Final Product)は、下記反応式1のようにSub1とSub2を反応させて製造されるが、これに限定されるものではない。
前記反応式1のSub1は下記反応式2、3、4の反応経路により合成され得るが、これに限定されるものではない。
丸底フラスコにSub1−1−1(1当量)、Sub1−1−2(1当量)をメタノールに入れて攪拌させた。この溶液にsodium methoxideを入れて常温で24時間攪拌させた。その後、Dichrolomethaneと水で抽出した後、有機層を乾燥させ、濃縮した後、生成された有機物をsilicagel column及び再結晶してSub1−1−3を得た。
丸底フラスコにSub1−1−3(1当量)、iodineをdry benzeneに入れた後、UVランプで溶液に気泡が発生する間、UVを処理し、TLCでモニタリングする。7時間後に減圧状態で溶媒を除去した後、エタノールで再結晶してSub1−1−4を得た。
Sub1−1−5(1当量)、Sub1−1−6(3当量)、NaHSO3(5当量)を蒸留水に入れて100−で15時間攪拌還流させた。冷却後、蒸留水を更に入れて生成された固体を減圧ろ過した。得られた固体を塩酸水溶液に入れて100℃で加熱した。1時間メチレンクロリドで抽出し、蒸留水とNaOH水溶液で洗浄した後、生成された有機物をsilicagel column及び再結晶してSub1−1を得た。
丸底フラスコにSub1−1−1(1当量)、Sub1−2−1(1当量)をメタノールに入れて攪拌させた。この溶液にsodium methoxideを入れて常温で24時間攪拌した。その後、Dichrolomethaneと水で抽出した後、有機層を乾燥させ、濃縮した後、生成された有機物をsilicagel column及び再結晶してSub1−2−2を得た。
丸底フラスコにSub1−2−2(1当量)、iodineをdry benzeneに入れた後、UVランプで溶液に気泡が発生する間、UVを処理し、TLCでモニタリングする。7時間後に減圧状態で溶媒を除去した後、エタノールで再結晶してSub1−2−3を得た。
Sub1−2−3(1当量)をジオキサンに溶かした後、1−ピロリジノ−1−シクロヘキセン(1.1当量)を添加して18時間還流させた。水を添加して2時間加熱した後、エーテルと5%HCl、5%NaHCO3溶液でWork−upした後、生成された有機物をsilicagel column及び再結晶してSub1−2−4を得た。
Sub1−2−4をCHCl3と10%メタンスルホン酸の混合溶液70mlに溶かした後、常温で2時間攪拌させた。炭酸水素塩溶液で反応を終結させた後、メチレンクロリド、NaHCO3と水でWork−upした。溶媒を飛ばしてカラムクロマトグラフィーで分離した後、トリグライムに10%Pd/Cと共に溶かして16時間還流させた。その後、へキセンでカラムクロマトグラフィーしてSub1−2−5を得た。
Sub1−2−5(1当量)をテトラヒドロフランに溶かし、−78℃に温度を下げた後、n−BULi(1.1当量(1.6M in hexane))を徐々に滴加した。1時間反応後、ヨードメタン(1.3当量)を加えた後、温度を徐々に上げて室温で1時間攪拌し、再び温度を−78℃に下げ、n−BULi(1.1当量(1.6M in hexane))を徐々に滴加した。1時間反応後、ヨードメタン(1.3当量)を加えた後、温度を徐々に上げて室温で15時間攪拌した後、NH2Cl水溶液と蒸留水を加えて反応を終了し、有機層を減圧除去させた後、へキセンで再結晶してSub1−2を得た。
丸底フラスコにSub1−1−1(1当量)、Sub1−3−1(1当量)をメタノールに入れて攪拌した。この溶液にsodium methoxideを入れて常温で24時間攪拌させた。その後、Dichrolomethaneと水で抽出した後、有機層を乾燥させ、濃縮した後、生成された有機物をsilicagel column及び再結晶してSub1−3−2を得た。
丸底フラスコにSub1−3−2(1当量)、iodineをdry benzeneに入れた後、UVランプで溶液に気泡が発生する間、UVを処理し、TLCでモニタリングする。7時間後に減圧状態で溶媒を除去した後、エタノールで再結晶してSub1−3−3を得た。
Sub1−3−3(1当量)とSub1−3−4(1当量)、Ph(PPh3)、NaCO3を無水THFと少量の水に溶かした後、24時間還流させた。反応が終了すれば、反応物の温度を常温に冷却し、CH2Cl2で抽出し、水で拭き取った。少量の水を無水MgSO4で除去し、減圧ろ過した後、有機溶媒を濃縮して生成された生成物をカラムクロマトグラフィーを用いて分離し、望むSub1−3−5を得た。
Sub1−3−5をtrifluoromethanesulfonic acid溶媒に溶かした後、常温で48時間攪拌した。反応が終了すれば、反応物を水とpyridineの混合溶媒に入れ、20分間還流させた。反応物の温度を常温に冷却し、CH2Cl2で抽出し、拭き取った。少量の水を無水MgSO4で除去し、減圧ろ過した後、有機溶媒を濃縮して生成された生成物をカラムクロマトグラフィーを用いて分離し、望むSub1−3を得た。
[実施形態1]レッド有機電子発光素子(燐光レッドホスト)
本発明の化合物を発光層の発光ホスト物質として用いて通常の方法によって有機電子発光素子を製作した。まず、ガラス基板に形成されたITO層(正極)上にN1−(naphthalen−2−yl)−N4,N4−bis(4−(naphthalen−2−yl(phenyl)amino)phenyl)−N1−phenylbenzene−1,4−diamine(以下、「2-TNATA」と略す)を60nmの厚さで真空蒸着して正孔輸送層を形成した後、前記正孔注入層上に4,4−bis[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(以下、「NPD」と略す)を20nmの厚さで真空蒸着して正孔輸送層を形成した。次いで、前記正孔注入層上に本発明の化合物P−26をホスト物質として、bis−(1−phenylisoquinolyl)iridium(III)acetylacetonate(以下、「(piq)2Ir(acac)」と略す)をドーパント物質として用いて95:5の重量比でドーピングして30nmの厚さで真空蒸着して発光層を形成した。次に、前記発光層上に(1,1’-ビスフェニル)-4-オレート)ビス(2-メチル-8-キノリナト)アルミニウム(以下「BAlq」と略す)を10nmの厚さで真空蒸着して正孔阻止層を形成し、前記正孔阻止層上にトリス(8-キノリノール)アルミニウム(以下「Alq3」と略す)を40nmの厚さで真空蒸着して電子輸送層を形成した。その後、前記電子輸送層上にハロゲン化アルカリ金属であるLiFを0.2nmの厚さで蒸着して電子注入層を形成し、次いでAlを150nmの厚さで蒸着して負極を形成することで、有機電子発光素子を製造した。
発光層のホスト材料として本発明の化合物P−26の代わりに、下記表6に記載された本発明の化合物P−27ないしP−90を用いた点を除いては、前記実施形態1と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
発光層のホスト材料として本発明の化合物P−26の代わりに、下記比較化合物1を用いた点を除いては、前記実施形態1と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
発光層のホスト材料として本発明の化合物P−26の代わりに、下記比較化合物2を用いた点を除いては、前記実施形態1と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
発光層のホスト材料として本発明の化合物P−26の代わりに、下記比較化合物3を用いた点を除いては、前記実施形態1と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
発光層のホスト材料として本発明の化合物P−26の代わりに、下記比較化合物4を用いた点を除いては、前記実施形態1と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
本発明の化合物を発光層の発光ホスト物質として用いて通常の方法によって有機電子発光素子を製造した。まず、ガラス基板に形成されたITO層(正極)上に2−TNATAを60nmの厚さで真空蒸着して正孔注入層を形成した後、前記正孔注入層上にNPDを20nmの厚さで真空蒸着して正孔輸送層を形成した。次いで、前記正孔輸送層上に本発明の化合物P−1をホスト材料として、tris(2−phenylpyridine)−iridium(以下、「Ir(ppy)3」と略す)をドーパント物質として用いて95:5の重量比でドーピングして30nmの厚さで真空蒸着して発光層を形成した。次に、前記発光層上にBAlqを10nmの厚さで真空蒸着して正孔阻止層を形成し、前記正孔阻止層上にAlq3を40nmの厚さで真空蒸着して電子輸送層を形成した。その後、前記電子輸送層上にハロゲン化アルカリ金属であるLiFを0.2nmの厚さで蒸着して電子注入層を形成し、次いでAlを150nmの厚さで蒸着して負極を形成することで、有機電子発光素子を製造した。
発光層のホスト材料として本発明の化合物P−1の代わりに、下記表7に記載された本発明の化合物P−2ないしP−20、P−106ないしP−145を用いた点を除いては、前記実施形態66と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
発光層のホスト材料として本発明の化合物P−1の代わりに、前記比較化合物1を用いた点を除いては、前記実施形態66と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
発光層のホスト材料として本発明の化合物P−1の代わりに、前記比較化合物2を用いた点を除いては、前記実施形態66と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
発光層のホスト材料として本発明の化合物P−1の代わりに、前記比較化合物3を用いた点を除いては、前記実施形態66と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
発光層のホスト材料として本発明の化合物P−1の代わりに、前記比較化合物4を用いた点を除いては、前記実施形態66と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
本発明の化合物を発光補助層物質として用いて通常の方法によって有機電子発光素子を製造した。まず、ガラス基板に形成されたITO層(正極)上に2−TNATAを60nmの厚さで真空蒸着して正孔注入層を形成した後、前記正孔注入層上にNPDを20nmの厚さで真空蒸着して正孔輸送層を形成した。次いで、前記正孔輸送層上に本発明の化合物P−21を20nmの厚さで真空蒸着して発光補助層を形成し、前記発光補助層上に4,4’−N,N’−dicarbazole−biphenyl(以下、「CBP」と略す)をホスト物質として、Ir(ppy)3をドーパント物質として用いて95:5の重量比でドーピングして30nmの厚さで真空蒸着して発光層を形成した。次に、前記発光層上にBAlqを10nmの厚さで真空蒸着して正孔阻止層を形成し、前記正孔阻止層上にAlq3を40nmの厚さで真空蒸着して電子輸送層を形成した。その後、前記電子輸送層上にハロゲン化アルカリ金属であるLiFを0.2nmの厚さで蒸着して電子注入層を形成し、次いでAlを150nmの厚さで蒸着して負極を形成することで、有機電子発光素子を製造した。
発光補助層物質として本発明の化合物P−21の代わりに、下記表8に記載された本発明の化合物P−22ないしP−25を用いた点を除いては、前記実施形態126と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
発光補助層を形成しない点を除いては、前記実施形態126と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
発光補助層物質として本発明の化合物P−21の代わりに、下記比較化合物5を用いた点を除いては、前記実施形態126と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
発光補助層物質として本発明の化合物P−21の代わりに、下記比較化合物6を用いた点を除いては、前記実施形態126と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
本発明の化合物を正孔輸送層物質として用いて通常の方法によって有機電子発光素子を製造した。まず、ガラス基板に形成されたITO層(正極)上に2−TNATAを60nmの厚さで真空蒸着して正孔注入層を形成した後、前記正孔注入層上に本発明の化合物P−91を20nmの厚さで真空蒸着して正孔輸送層を形成した。次いで、前記正孔輸送層上にCBPをホスト材料として、Ir(ppy)3をドーパント物質として用いて90:10の重量比でドーピングして30nmの厚さで真空蒸着して発光層を形成した。次に、前記発光層上にBAlqを10nmの厚さで真空蒸着して正孔阻止層を形成し、前記正孔阻止層上にAlq3を40nmの厚さで真空蒸着して電子輸送層を形成した。その後、前記電子輸送層上にハロゲン化アルカリ金属であるLiFを0.2nmの厚さで蒸着して電子注入層を形成し Alを150nmの厚さで蒸着して負極を形成することで、有機電子発光素子を製造した。
正孔輸送層物質として本発明の化合物P−91の代わりに、下記表9に記載された本発明の化合物P−92からP−105、P−146からP−165を用いた点を除いては、前記実施形態131と同様の方法有機電子発光素子を製造した。
正孔輸送層物質として本発明の化合物P−91の代わりに、下記比較化合物7を用いた点を除いては、前記実施形態131と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
正孔輸送層物質として本発明の化合物P−91の代わりに、下記比較化合物5を用いた点を除いては、前記実施形態131と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
正孔輸送層物質として本発明の化合物P−91の代わりに、下記比較化合物6を用いた点を除いては、前記実施形態131と同様の方法で有機電子発光素子を製造した。
本特許出願は、2012年12月11日に韓国に出願した特許出願番号第10−2012−0143954号及び2013年11月28日に韓国に出願した特許出願番号第10−2013−0146114号に対して米国特許法119(a)条(35 U.S.C§119(a))によって優先権を主張し、そのあらゆる内容は参考文献として本特許出願に併合される。なお、本特許出願は米国以外に国に対しても上記のような理由で優先権を主張すれば、その全内容は参考文献として本特許出願に組み込まれる。
110 基板
120 第1電極
130 正孔注入層
140 正孔輸送層
141 バッファ層
150 発光層
151 発光補助層
160 電子輸送層
170 電子注入層
180 第2電極
Claims (7)
- 下記式で表される化合物:
前記式1において、
R1〜R5及びR8〜R12は、互いに独立して水素;重水素;三重水素;ハロゲン;C6− C60のアリール基;O、N、S、Si及びPのうち少なくとも1つのヘテロ原子を含むC2−C60のヘテロ環基;C1−C50のアルキル基;C2−C20のアルケニル基;フルオレニル基及び−L−N(Ar1)(Ar2)からなる群より選択され、
R6及びR7は水素であり、
X及びYは互いに独立してN(R’)、S、O、C(R’)(R”)又はSi(R’)(R”)であり、N(R’)においてR’は、C6−C60のアリール基;O、N、S、Si及びPのうち少なくとも1つのヘテロ原子を含むC2−C60のヘテロ環基;フルオレニル基;及び−L−N(Ar1)(Ar2)からなる群より選択され、C(R’)(R”)及びSi(R’)(R”)において、R’及びR”は互いに独立してC6−C60のアリール基;O、N、S、Si及びPのうち少なくとも1つのヘテロ原子を含むC2−C60のヘテロ環基;フルオレニル基;C1−C50のアルキル基及び−L−N(Ar1)(Ar2)からなる群より選択され、R’及びR”が互いに結合し、これらが結合されたC又はSiと共にスピロ(Spiro)化合物を形成することができ、
前記Lは単一結合;C6−C60のアリーレン基;フルオレニレン基;O、N、S、Si及びPのうち少なくとも1つのヘテロ原子を含むC2−C60のヘテロ環基;及び2価の脂肪族炭化水素基;からなる群より選択され、
前記Ar1とAr2は互いに独立してC6−C60のアリール基;フルオレニル基;O、N、S、Si及びPのうち少なくとも1つのヘテロ原子を含むC2−C60のヘテロ環基;C1−C50のアルキル基;C2−C20のアルケニル基;及びC1−C30のアルコキシ基;からなる群より選択され、
ここで、前記Ar1、Ar2、L、R1〜R5、R8〜R12、R’及びR”の前記アリール基、フルオレニル基、ヘテロ環基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基、アリーレン基、フルオレニレン基、脂肪族炭化水素基が1つ以上の置換基で更に置換される場合には、それぞれ重水素;ハロゲン;シラン基;シロキサン基;ホウ素基;ゲルマニウム基;シアノ基;ニトロ基;アミノ基;C1−C20のアルキルチオ基;C1−C20のアルコキシル基;C1−C20のアルキル基;C2−C20のアルケニル基;C2−C20のアルキニル基;C6−C20のアリール基;重水素で置換されたC6−C20のアリール基;フルオレニル基;C2−C20のヘテロ環基;C3−C20のシクロアルキル基;C7−C20のアリールアルキル基;及びC8−C20のアリールアルケニル基;からなる群より選択された1つ以上の置換基で更に置換され得る。 - 下記式で表される化合物:
前記式2及び3において、R1〜R12は、互いに独立して水素;重水素;三重水素;ハロゲン;C6−C60のアリール基;O、N、S、Si及びPのうち少なくとも1つのヘテロ原子を含むC2−C60のヘテロ環基;C1−C50のアルキル基;C2−C20のアルケニル基;;C1−C30のアルコキシ基;フルオレニル基及び−L−N(Ar1)(Ar2)からなる群より選択され、
Yは互いに独立してN(R’)、S、O、C(R’)(R”)又はSi(R’)(R”)であり、ここでN(R’)、C(R’)(R”)及びSi(R’)(R”)においてR’及びR”は、互いに独立してC6−C60のアリール基;O、N、S、Si及びPのうち少なくとも1つのヘテロ原子を含むC2−C60のヘテロ環基;フルオレニル基;C1−C50のアルキル基及び−L−N(Ar1)(Ar2)からなる群より選択され、R’及びR”が互いに結合し、これらが結合されたC又はSiと共にスピロ(Spiro)化合物を形成することができ、
前記Lは単一結合;C6−C60のアリーレン基;フルオレニレン基;O、N、S、Si及びPのうち少なくとも1つのヘテロ原子を含むC2−C60のヘテロ環基;及び2価の脂肪族炭化水素基;からなる群より選択され、
前記Ar1とAr2は互いに独立してC6−C60のアリール基;フルオレニル基;O、N、S、Si及びPのうち少なくとも1つのヘテロ原子を含むC2−C60のヘテロ環基;C1−C50のアルキル基;C2−C20のアルケニル基;及びC1−C30のアルコキシ基;からなる群より選択され、
Ar3はC6−C60のアリール基;C2−C20のアルケニル基;O、N、S、Si及びPのうち少なくとも1つのヘテロ原子を含むC2−C60のヘテロ環基;C1−C50のアルキル基;及びC1−C20のアルキル基で置換又は非置換されたフルオレニル基;からなる群より選択され、Z1−Z4は互いに独立してCR’又はNであり、
ここで、前記Ar1、Ar2、L、R1〜R12、R’及びR”の前記アリール基、フルオレニル基、ヘテロ環基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基、アリーレン基、フルオレニレン基、脂肪族炭化水素基が1つ以上の置換基で更に置換される場合には、それぞれ重水素;ハロゲン;シラン基;シロキサン基;ホウ素基;ゲルマニウム基;シアノ基;ニトロ基;アミノ基;C1−C20のアルキルチオ基;C1−C20のアルコキシル基;C1−C20のアルキル基;C2−C20のアルケニル基;C2−C20のアルキニル基;C6−C20のアリール基;重水素で置換されたC6−C20のアリール基;フルオレニル基;C2−C20のヘテロ環基;C3−C20のシクロアルキル基;C7−C20のアリールアルキル基;及びC8−C20のアリールアルケニル基;からなる群より選択された1つ以上の置換基で更に置換され得る。 - 下記化合物のうちの1つであることを特徴とする化合物:
- 第1電極、第2電極、及び前記第1電極と第2電極との間に位置する有機物層を含む有機電子素子において、
前記有機物層は請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の化合物を含有することを特徴とする有機電子素子。 - 前記化合物を含む有機物層は発光層、正孔輸送層又は発光補助層のうちの少なくとも1つであることを特徴とする請求項4に記載の有機電子素子。
- 請求項4に記載の有機電子素子を含むディスプレイ装置と、
前記ディスプレイ装置を駆動する制御部と、を含む電子装置。 - 前記有機電子素子は、有機電子発光素子、有機太陽電池、有機感光体、有機トランジスタ、及び単色又は白色照明用素子のうちの少なくとも1つであることを特徴とする請求項6に記載の電子装置。
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