JP6200347B2 - 積層型フィルムコンデンサ - Google Patents

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本発明は、電極フィルムを積層させた、積層型のフィルムコンデンサに関する。
従来から、誘電体フィルムに導体が成膜された電極フィルムを積層させた、積層型のフィルムコンデンサが知られている。その製造に当たっては、長尺の電極フィルムを積層するとともに、この積層体を切断することで、個々の素子(フィルムコンデンサ素子)に切り分ける。
電極フィルムの導体は、特許文献1等に開示されているように、セグメントパターンを形成するようにして成膜される。導体は、スリット状の細長い非成膜部分によって、複数のセグメントに区画される。また、スリットの一部を導体成膜によって途切れさせて、隣接するセグメント同士を導通させるヒューズ部を形成する。
誘電体フィルムの一部が肉薄であるなど、積層されたセグメント間で絶縁破壊が生じた場合に、大電流がヒューズ部に流れ込むことで当該ヒューズ部が蒸散し、層間で導通するセグメントは層内の周囲のセグメントから絶縁される。このようにして、フィルムコンデンサの絶縁破壊が防止される。
特開平10−149939号公報
ところで、図6に示すように、長尺の電極フィルム100を切断する際に、切断刃の熱によって誘電体フィルムや導体が溶け出して、切断面に溶融部102が形成される。溶融部102では、積層された電極フィルム100A,100Bの各導体層104A,104Bが導通する場合がある。また、切断刃に押されることでフィルム倒れが生じて層間の導体が接近または導通する場合がある。そこで、本発明は、電極フィルムの切断に伴う絶縁破壊を防止することの可能な、積層型のフィルムコンデンサを提供することを目的とする。
本発明は、長尺の誘電体フィルム上に導体が成膜された電極フィルムの積層体を切断することによって個々の素子に切り分けられる、積層型のフィルムコンデンサに関するものである。前記誘電体フィルム上には、切断方向及び当該切断方向と交差する幅方向に沿って形成されたスリットによって導体が複数のセグメントに区画されたセグメント部と、スリットを設けずに導体が成膜されたベタ膜部とが、前記切断方向に沿って設けられる。前記セグメント部には、前記スリットの一部に導体を成膜させることで、隣り合う前記セグメント及びベタ膜部を導通させるヒューズ部が形成され、前記ヒューズ部は、前記幅方向に延設された前記スリットを途切れさせるようにして形成される。前記ベタ膜部に隣接する前記セグメントは、切断方向に延設された前記スリットを跨ぐようにして幅方向に延設されるとともに逆方向に折り返されて、跨がれた前記スリットに隣接する前記ヒューズ部よりも幅方向に延設される、折り返し導体パターンが、前記スリットによって形成されている。
また、上記発明において、一方の前記電極フィルムは、他方の電極フィルムに対して、前記セグメント部とベタ膜部が反転するようにして積層され、前記セグメント部は、切断方向に沿って、前記誘電体フィルムの一側面側から対向側面側に、半面を超過するように形成され、前記電極フィルムを積層させたときに、前記セグメント部の一部が重なることが好適である。
本発明によれば、電極フィルムの切断に伴う絶縁破壊を防止することが可能となる。
本実施形態に係る積層型フィルムコンデンサを例示する平面図である。 本実施形態に係る積層型フィルムコンデンサを例示する斜視図である。 本実施形態に係る積層型フィルムコンデンサを例示する拡大平面図である。 本実施形態に対する比較例を示す平面図である。 本実施形態に係る積層型フィルムコンデンサを例示する平面図である。 積層型フィルムコンデンサの切断面を例示する側面断面図である。
図1及び図2に、本実施の形態に係る積層型のフィルムコンデンサ10を例示する。図1には、積層される電極フィルム12A,12Bが並べられたときの平面図が示されており、図2は、電極フィルム12A,12Bを積層させたときの斜視図が示されている。フィルムコンデンサ10は、複数層の電極フィルム12を備える。図1,2では、2層の電極フィルム12A,12Bが示されているが、この形態に限らない。例えば電極フィルム12は4層以上積層されてよい。
積層された電極フィルム12A,12Bは、図1の左右方向から金属が溶射され層間固定された後に、一点鎖線で示すように、長手方向に直交する短手方向Cに沿って切断される。これによってフィルムコンデンサ10が個々の素子に切り分けられる。
図2に示すように、電極フィルム12は、誘電体フィルム14及び導体膜16を備える。誘電体フィルム14は長尺の絶縁材料から形成される。例えば誘電体フィルム14は、ポリエステルフィルム等の樹脂材料から構成される。
導体膜16は、誘電体フィルム14上に成膜される。例えば蒸着によって導体膜16が誘電体フィルム14上に成膜される。導体膜16は、誘電体フィルム14の全面に成膜されるのではなく、誘電体フィルム14の、金属が溶射される二側面のうち一側面は非成膜領域(マージン部)17となる。
導体膜16は、セグメント部18及びベタ膜部20を備える。セグメント部18は、細長い非成膜領域であるスリット22によって、導体が複数のセグメント26に区画される。ベタ膜部20には、スリット22が設けられておらず、一様に導体が成膜されている。
セグメント部18及びベタ膜部20は、切断方向Cに沿って形成される。例えば、マージン部17側にセグメント部18が形成され、それとは対向する側にベタ膜部20が形成される。
ベタ膜部20を設けることで、導体膜16の全面をセグメント部18とする場合と比較して、スリット22すなわち非成膜部分の割合が低減し、導体の割合が増える。その結果、コンデンサの容量を増やすことができる。
セグメント部18は、誘電体フィルム14の一側面側から対向側面側に、半面を超過するように形成される。なお、図2における一点鎖線は、誘電体フィルム14の切断方向中心を示している。例えばセグメント部18は、導体膜16が成膜された領域のうち、55%以上75%以下の領域を占めるように成膜される。
電極フィルム12A,12Bは、一方の電極フィルム12Aが、他方の電極フィルム12Bに対して、セグメント部18とベタ膜部20が反転するようにして積層される。すなわち、一方の電極フィルム12Aのマージン部17と、他方の電極フィルム12Bのマージン部17が、積層時に対向するようにして、電極フィルム12A,12Bが積層される。セグメント部18は、電極フィルム12A,12Bの半面以上を占めていることから、反転配置をすることで、積層体として見たときに全面に亘ってセグメント部18が形成される。
また、各電極フィルム12A,12Bのセグメント部18は、電極フィルム12A,12Bの半面を超過するように形成されていることから、電極フィルム12A,12Bを積層させると、セグメント部18の一部が重なる。このような構成を備えることで、後述するように切断面の層間導通を効果的に防止することが可能となる。
図3に示すように、セグメント26は、電極フィルム12の切断方向C及びそれと交差(直交)する幅方向Wに沿って延設されたスリット22によって、矩形形状に形成されている。ここで、切断方向及び幅方向に沿って形成されるとは、切断方向C及び幅方向Wに平行にスリット22が延設されることに限らない。例えば切断方向Cまたは幅方向Wに対して0°以上15°以下の角度でスリット22が延設されてよい。
また、スリット22を途切れさせるようにして、ヒューズ部24が形成されている。ヒューズ部24は、スリット22の一部に導体を成膜させることで形成される。ヒューズ部24を設けることで、隣り合うセグメント26及びセグメント部18とベタ膜部20とが導通する。
ヒューズ部24は、幅方向Wに延設されたスリット22に形成される。また、後述するように、切断に伴う層間導通を確実に防止するために、ヒューズ部24は、切断方向Cに延設されたスリット22には設けないことが好適である。
また、複数のセグメント26のうち、ベタ膜部20に隣接するセグメント26A(以下、境界セグメントと呼ぶ)は、それ以外のセグメント26とは異なる形状となるように形成される。具体的には、境界セグメント26Aは、略矩形状の導体パターン28に加えて、当該導体パターン28及びベタ膜部20に接続する、折り返し導体パターン30(以下、単に矩形状パターン、折り返しパターンと呼ぶ)が形成される。
折り返しパターン30では、スリット22によって、導体部分が幅方向Wに折り返されるようにパターニングされる。具体的には、導体は切断方向Cに延設されたスリット22Aを跨ぐようにして幅方向Wに延設されるとともに逆方向に折り返されて、跨がれたスリット22Aに隣接するヒューズ部24Aよりも幅方向Wに延設され、さらにベタ膜部20に接続される。
パターンを形成するスリット22を用いて説明すると、折り返しパターン30の内側スリット22Bは、幅方向Wに沿って、矩形状パターン28の、切断方向Cに延びるスリット22Aを超過するようにして延設される。この内側スリット22Bを囲うようにして、外側スリット22Cが形成される。外側スリット22Cは、超過されたスリット22Aに隣接するヒューズ部24Aよりも幅方向Wに延設される。
なお、内側スリット22B、外側スリット22Cともに、スリット幅W1が他のスリット22と比較して幅広となる拡幅部32を設けてもよい。
電極フィルム12の切断時に、スリットに金属粉が混入して、隣り合うセグメント26,26が導通するおそれがある。このような導通は、導電体面積の広いベタ膜部20では特に回避する必要がある。そこで、本実施形態では、境界セグメント26Aとベタ膜部20とを隔てるスリットに拡幅部32を設け、金属粉混入時の導通を防いでいる。
次に、本実施形態に係る電極フィルム12の切断について説明する。まず、比較例として、図4に本実施形態に係るものとは異なるパターンを備えた電極フィルムを例示する。この電極フィルム12では、セグメント部18とベタ膜部20が切断方向Cに沿ってほぼ半面ずつ形成されている。セグメント部18には、切断方向Cに沿って矩形状パターン28のみが形成されている。破線は下層の電極フィルム12のパターンを示している。このような電極フィルム12を切断すると、図右側の電極フィルムでは、ハッチングにて示されているように、スリット22によって切断面が囲まれているが、図左側の電極フィルムでは、ヒューズ部24を介して切断面からベタ膜部20まで導通経路ができてしまう。
これに対して本実施形態に係る電極フィルム12では、図5のハッチングにて示されているように、切断された両側とも、切断面はスリット22によって囲まれており、層内の導体とは絶縁されている。すなわち、切断後にヒューズ部24が残された側も、折り返しパターン30の内側スリット22Bが切断面まで延びているため、切断面はスリット22によって囲まれる。
このように、本実施形態に係る電極フィルムによれば、切断位置(幅方向Wに沿った切断位置)によらずに、切断面はスリット22によって囲まれる。その結果、切断時に溶融部が形成されて層間の導体が導通しても、溶融部と層内の導体とは絶縁されるため、コンデンサの絶縁破壊が防止される。
10 積層型フィルムコンデンサ、12A,12B 電極フィルム、14 誘電体フィルム、16 導体膜、18 セグメント部、20 ベタ膜部、22 スリット、24 ヒューズ部、28 矩形状パターン、30 折り返しパターン。

Claims (2)

  1. 長尺の誘電体フィルム上に導体が成膜された電極フィルムの積層体を切断することによって個々の素子に切り分けられる、積層型のフィルムコンデンサであって、
    前記誘電体フィルム上には、切断方向及び当該切断方向と交差する幅方向に沿って形成されたスリットによって導体が複数のセグメントに区画されたセグメント部と、スリットを設けずに導体が成膜されたベタ膜部とが、前記切断方向に沿って設けられ、
    前記セグメント部には、前記スリットの一部に導体を成膜させることで、隣り合う前記セグメント及びベタ膜部を導通させるヒューズ部が形成され、前記ヒューズ部は、前記幅方向に延設された前記スリットを途切れさせるようにして形成され、
    前記ベタ膜部に隣接する前記セグメントは、切断方向に延設された前記スリットを跨ぐようにして幅方向に延設されるとともに逆方向に折り返されて、跨がれた前記スリットに隣接する前記ヒューズ部よりも幅方向に延設される、折り返し導体パターンが、前記スリットによって形成されていることを特徴とする、積層型フィルムコンデンサ。
  2. 請求項1に記載の積層型フィルムコンデンサであって、
    一方の前記電極フィルムは、他方の電極フィルムに対して、前記セグメント部とベタ膜部が反転するようにして積層され、
    前記セグメント部は、切断方向に沿って、前記誘電体フィルムの一側面側から対向側面側に、半面を超過するように形成され、前記電極フィルムを積層させたときに、前記セグメント部の一部が重なることを特徴とする、積層型フィルムコンデンサ。
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