WO2022091710A1 - フィルムコンデンサ、連結型コンデンサ、インバータおよび電動車輌 - Google Patents

フィルムコンデンサ、連結型コンデンサ、インバータおよび電動車輌 Download PDF

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film
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connecting metal
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立也 立石
耕世 神垣
直樹 菊池
信裕 小林
一輝 今川
裕貴 妹尾
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京セラ株式会社
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    • Y02T10/60—Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
    • Y02T10/72—Electric energy management in electromobility

Definitions

  • This disclosure relates to film capacitors, articulated capacitors, inverters and electric vehicles.
  • the film capacitor is formed by winding or stacking a plurality of metallized films in which a metal film to be an electrode is vapor-deposited on the surface of a dielectric film made of polypropylene resin, for example.
  • the laminated film capacitor also cuts the metal film when the laminated body in which the metallized film is laminated is cut to a required size, so that the metal film is exposed on the cut surface.
  • a voltage is applied to the exposed metal film when using a film capacitor, an electric discharge occurs on the cut surface.
  • Cited Document 1 in a metallized film constituting a film capacitor, a part of an exposed portion (gap strip) on the surface of a groove-shaped or strip-shaped film having a constant width, which is called an insulating margin, on which a metal film is not formed, is described.
  • a configuration has been proposed in which an exposed metal film is insulated on a cut surface of a laminated body in which a metallized film is laminated by providing a bent portion that is oblique in a parallel direction in which each insulation margin extends.
  • a metal layer is disposed on one surface, and an edge insulating region continuous in a second direction orthogonal to the first direction is provided at a first edge portion in the first direction of the one surface.
  • the metal layer electrically connected to the first metal electrode includes a common metal layer extending in the second direction provided at the second edge portion of the one surface in the first direction and the first metal layer.
  • the connecting metal layer is directly connected to the common metal layer, and is directly connected to the first connecting metal layer extending from the common metal layer in the first direction and the first connecting metal layer.
  • the second connecting metal layer extending from the connecting metal layer in the second direction is directly connected to the second connecting metal layer, and is extended from the second connecting metal layer in the first direction.
  • a third connecting metal layer that is directly connected to the band-shaped metal layer is provided. The length of the second connecting metal layer in the second direction is larger than the width of the strip-shaped metal layer.
  • a first metal layer is disposed on one surface, and the first metal layer is provided on each of the first edge portion and the second edge portion in the first direction of the one surface.
  • a first dielectric film having a common metal layer continuously provided in a second direction orthogonal to the direction of the above, and a second metal layer arranged on one surface of the first surface in the first direction.
  • a rectangular film laminate in which a second dielectric film provided with a continuous edge insulating region in a second direction orthogonal to the first direction is provided on each of the edge portion and the second edge portion.
  • a pair of a film laminate in which a part of the first metal layer and a part of the second metal layer are laminated so as to overlap each other in a plan view and the film laminate in the first direction. Includes a first metal electrode and a second metal electrode formed on each of the end faces of the metal and electrically connected to the first metal layer.
  • the first metal layer includes a plurality of strip-shaped metal layers extending in the first direction and electrically connected to the common metal layer, and a connecting metal layer connecting the common metal layer and the strip-shaped metal layer. , Have.
  • the second metal layer is a planar metal layer that is electrically insulated from the first metal electrode and the second metal electrode by the edge insulating region.
  • the connecting metal layer is directly connected to the common metal layer, and is directly connected to the first connecting metal layer extending from the common metal layer in the first direction and the first connecting metal layer.
  • the second connecting metal layer extending from the connecting metal layer in the second direction is directly connected to the second connecting metal layer, and is extended from the second connecting metal layer in the first direction.
  • a third connecting metal layer that is directly connected to the band-shaped metal layer is provided. The length of the second connecting metal layer in the second direction is larger than the width of the strip-shaped metal layer.
  • a first metal layer is disposed on one surface, and the first metal layer is provided on each of the first edge portion and the second edge portion in the first direction of the one surface.
  • a first dielectric film having a common metal layer continuously provided in a second direction orthogonal to the direction of the above, and a second metal layer arranged on one surface of the first surface in the first direction.
  • a rectangular film laminate in which a second dielectric film provided with a continuous edge insulating region in a second direction orthogonal to the first direction is provided on each of the edge portion and the second edge portion.
  • a pair of a film laminate in which a part of the first metal layer and a part of the second metal layer are laminated so as to overlap each other in a plan view and the film laminate in the first direction. Includes a first metal electrode and a second metal electrode formed on each of the end faces of the metal and electrically connected to the first metal layer.
  • the first metal layer has a planar metal layer that is electrically connected to the common metal layer.
  • the second metal layer extends in the first direction, and a plurality of strip-shaped metal layers electrically insulated from the first metal electrode and the second metal electrode by the edge insulating region, and the first metal layer. It has a connecting metal layer that connects the strip-shaped metal layers arranged in the direction of the above.
  • the connecting metal layer is directly connected to the strip-shaped metal layer, and is directly connected to the first connecting metal layer extending from the strip-shaped metal layer in the first direction and the first connecting metal layer.
  • a second connecting metal layer extending in the second direction from the connecting metal layer is provided. The length of the second connecting metal layer in the second direction is larger than the width of the strip-shaped metal layer.
  • a plurality of film capacitors including the above film capacitor are connected by a bus bar.
  • the inverter of the present disclosure includes a bridge circuit composed of a switching element and a capacitance unit connected to the bridge circuit and including the above-mentioned film capacitor.
  • the electric vehicle of the present disclosure includes a power supply, the above-mentioned inverter connected to the power supply, a motor connected to the inverter, and wheels driven by the motor.
  • the film capacitor 10 of the present embodiment is configured by alternately laminating a plurality of dielectric films 1 or dielectric films 2 having a metal layer 3 on one surface of a base film.
  • the metal layer 3 is a so-called comb-shaped metal layer, and includes a plurality of strip-shaped metal layers 3a, a plurality of connecting metal layers 3b, and one common metal layer 3c.
  • the strip-shaped metal layer 3a is electrically connected to the common metal layer 3c via the connecting metal layer 3b, respectively.
  • Each band-shaped metal layer 3a becomes an internal electrode of a capacitor after being laminated.
  • the dielectric films 1 and 2 have the same configuration except that the orientations when laminated are reversed, but the strip-shaped metal layers are shown in FIGS. 1A and 1C so that the orientations after lamination can be understood.
  • 3a is designated with 1A to 1L or 2A to 2L in order from the end.
  • the direction in which the strip-shaped metal layers 3a formed in parallel with each other extend is referred to as a first direction
  • the arrangement direction of the parallel strip-shaped metal layers 3a is referred to as a second direction
  • the stacking direction of the film is a third direction (z direction in the drawing) orthogonal to the first direction and the second direction.
  • the first direction may be referred to as the x direction
  • the second direction may be referred to as the y direction. Details of the film laminate 4 after lamination will be described later.
  • Each band-shaped metal layer 3a on the surface of the dielectric films 1 and 2 is formed by metal vapor deposition on the base film.
  • Each band-shaped metal layer 3a extends linearly along the first direction (x direction).
  • a film surface (hereinafter referred to as an insulating margin S) is exposed between the strip-shaped metal layers 3a adjacent to each other in the y direction, whereby each strip-shaped metal layer 3a is in a state of being electrically insulated.
  • Each insulation margin S is connected to an edge insulation region T continuous in the second direction (y direction) on the first end side in the first direction (x direction).
  • the common metal layer 3c is provided so as to extend in the second direction on the side opposite to the edge insulating region T of the dielectric films 1 and 2, that is, at the second edge in the first direction.
  • Each band-shaped metal layer 3a is electrically insulated by the insulation margin S, but by connecting to one common metal layer 3c, the metal layer 3 as a whole is electrically connected.
  • the connecting metal layer 3b connects the strip-shaped metal layer 3a and the common metal layer 3c, and functions as a fuse for each strip-shaped metal layer 3a. For example, when the strip-shaped metal layer 3a is short-circuited with another strip-shaped metal layer 3a due to dielectric breakdown of the base film and a current exceeding a specified value flows, the connecting metal layer 3b is burnt out and disconnected. Therefore, the function of the entire film capacitor 10 is prevented from stopping.
  • the connecting metal layer 3b includes a first connecting metal layer 3b1, a second connecting metal layer 3b2, and a third connecting metal layer 3b3.
  • the first connecting metal layer 3b1 is directly connected to the common metal layer 3c and extends from the common metal layer 3c in the first direction.
  • the second connecting metal layer 3b2 is directly connected to the first connecting metal layer 3b1 and extends from the first connecting metal layer 3b1 in the second direction.
  • the third connecting metal layer 3b3 is directly connected to the second connecting metal layer 3b2, extends from the second connecting metal layer 3b2 in the first direction, and is directly connected to the strip-shaped metal layer 3a.
  • the first connecting metal layer 3b1, the second connecting metal layer 3b2, and the third connecting metal layer 3b3 all have a linear shape.
  • extended in the first direction means a case where the first directional component in the extending direction is larger than the second directional component.
  • extended in the second direction means that the second directional component in the extending direction is larger than the first directional component.
  • the first connecting metal layer 3b1 and the third connecting metal layer 3b3 extend in parallel in the first direction
  • the second connecting metal layer 3b2 is the second. It extends parallel to the direction.
  • the length L of the second connecting metal layer 3b2 in the second direction is larger than the width W of the strip-shaped metal layer 3a.
  • the length L in the second direction is the projected length of the second connecting metal layer 3b2 in the second direction. That is, the end of the second connecting metal layer 3b2 on the side connected to the first connecting metal layer 3b1 is located outside the width direction of the strip-shaped metal layer 3a, and the third connecting metal layer of the second connecting metal layer 3b2.
  • the end on the side connected to 3b3 is located outward in the width direction of the strip-shaped metal layer 3a in the second direction.
  • the first connecting metal layer 3b1 and the third connecting metal layer 3b3 are also located outside the width direction of the strip-shaped metal layer 3a, respectively.
  • the third connecting metal layer 3b3 extends, for example, from the second connecting metal layer 3b2 in the first direction and is directly connected to the side surface extending along the first direction of the strip-shaped metal layer 3a. Further, in the connecting metal layer 3b of the present embodiment, the width of the first connecting metal layer 3b1, the width of the second connecting metal layer 3b2, and the width of the third connecting metal layer 3b3 are the same.
  • the same width means a case where the difference in width is 20% or less of the width of the first connecting metal layer 3b1 when comparing the widths of any two connecting metal layers.
  • the width of the first connecting metal layer 3b1 is 0.1 mm, it can be said that these widths are the same if the difference between the widths of the two connecting metal layers is ⁇ 0.02 mm.
  • the film laminate 4 is obtained by cutting, for example, a long laminate.
  • the cutting line is parallel to the first direction (x direction), but is not always at the same position in the width direction of the band-shaped metal layer 3a. Since the cut strip-shaped metal layer 3a is exposed at the end surface of the film capacitor 10 in the second direction (y direction), if the strip-shaped metal layer 3a is in a state of being conductive with the common metal layer 3c even after cutting, During use, a voltage is applied to the band-shaped metal layer 3a and the metal layer 3a is discharged at the end face.
  • the second connecting metal layer 3b2 and the cutting line are connected regardless of the position of the cutting line.
  • the second connecting metal layer 3b2 is cut off, and the strip-shaped metal layer 3a and the common metal layer 3c are electrically insulated. This makes it possible to reduce the discharge at the end face of the film capacitor 10. Further, since the strip-shaped metal layer 3a electrically insulated from the common metal layer 3c, that is, the strip-shaped metal layer 3a that causes the loss of capacitance is only the cut strip-shaped metal layer 3a, the capacitance It is possible to use a film capacitor 10 having a small loss.
  • Examples of the constituent materials of the base films of the dielectric films 1 and 2 include organic resin materials such as polypropylene, polyethylene terephthalate, polyarylate, and cycloolefin polymer.
  • the dielectric films 1 and 2 are laminated by alternately reversing the x-direction directions of the dielectric film 1 and the dielectric films 2 adjacent to the dielectric film 1 in the vertical direction (z direction) by 180 °. , Stacked. That is, the dielectric films 1 and 2 are stacked so that the positions of the edge insulating regions T at one end of each of the dielectric films 1 and 2 are alternately reversed in the x direction, and the dielectric films 1 and 2 are stacked with the film laminate 4. Will be done. Similarly, the positions of the common metal layers 3c at the other ends of the dielectric films 1 and 2 are stacked so as to be alternately reversed in the x direction.
  • Metal electrodes (hereinafter referred to as metallicon) are formed on both end faces of the film laminate 4 in the x direction by thermal spraying.
  • One of the metallikons formed at both ends in the x direction is called a metallikon 5A (first metal electrode), and the other is called a metallikon 5B (second metal electrode).
  • the metallikon 5A is electrically connected to the common metal layer 3c of the dielectric film 1, and is also electrically connected to each band-shaped metal layer 3a via the common metal layer 3c.
  • the metal layer 3 of the dielectric film 1 and the metallikon 5B are electrically insulated by the edge insulating region T.
  • the metallikon 5B is electrically connected to the common metal layer 3c of the dielectric film 2, and is also electrically connected to each band-shaped metal layer 3a via the common metal layer 3c. Further, the metal layer 3 of the dielectric film 2 and the metallikon 5A are electrically insulated by the edge insulating region T.
  • FIGS. 3 to 5 are diagrams schematically explaining the process of manufacturing a film capacitor.
  • the extending direction of each strip-shaped metal layer 3a formed in parallel is the first direction (x direction in the drawing), and the common metal layer 3c is orthogonal to the extending direction (x direction).
  • the y direction) is the second direction, the first direction, and the second direction, and the stacking direction of the film is the third direction (z direction in the figure).
  • a plurality of strip-shaped metal layers 3a continuous along the x direction and a common metal layer 3c extending in the y direction are provided on the surface of the film.
  • a plurality of the dielectric films 1 and the dielectric films 2 are stacked while alternately reversing the directions in the x direction. That is, the dielectric film 1 and the dielectric film 2 are inverted by 180 ° in the x direction (first direction) so that the planar viewing positions of the edge insulating regions T overlap every other sheet. Stack.
  • the dielectric film 1 and the dielectric film 2 are merely inverted in the x-direction and have the same configuration, but are not limited to this.
  • the configurations of the dielectric film 1 and the dielectric film 2 may be different.
  • the dielectric film 1 in a state where the dielectric film 1 and the dielectric film 2 are laminated so that the planar view positions of the edge insulating regions T overlap each other, the dielectric film 1 is on the + y side of the strip-shaped metal layer 3a.
  • the configuration is such that the third connecting metal layer 3b3 is connected to the side, and the dielectric film 2 may be configured such that the third connecting metal layer 3b3 is connected to the + y side side of the strip-shaped metal layer 3a.
  • the dielectric film 1 and the dielectric film 2 are different in that the connecting metal layer 3b is provided so as to be line-symmetrical with respect to the first direction (x direction), and other configurations are provided. May be the same.
  • a method of laminating a conventionally known method can be used, such as laminating long dielectric films 1 and 2 and winding them around a cylinder or a cylinder having a polygonal cross section.
  • the virtual line (dashed-dotted line) in FIG. 3 indicates a cut line after winding around a cylinder or the like.
  • FIG. 4 is a view of the film laminate 4 cut to a predetermined length as viewed from the cut surface (end surface in the y direction).
  • the film laminate 4 is laminated.
  • the common metal layer 3c is exposed on both end faces in the x direction.
  • the strip-shaped metal layer 3a exposed on the cut surface of the film laminate 4 is not connected to the common metal layer 3c because the second connecting metal layer 3b2 is cut, and the common metal layer 3a is not connected to the common metal layer 3c. It is electrically isolated from 3c.
  • An insulating layer 12 serving as a protective layer of the film laminate 4, such as a base film on which the metal layer 3 is not formed, may be laminated on the upper surface of the film laminate 4 of the embodiment.
  • the insulating layer 12 may be omitted.
  • the first metal electrode and the second metal electrode are exposed on both end faces in the x direction of the film laminate 4 to which the above-mentioned common metal layer 3c is exposed, respectively.
  • 5A, 5B are formed.
  • each band-shaped metal layer 3a on the dielectric films 1 and 2 is electrically connected to either the metallikon 5A or 5B via the common metal layer 3c so as to function as an internal electrode of the film capacitor 10. become.
  • the configuration of the connecting metal layer 3b is different from that of the first embodiment described above, and the other configurations are common.
  • 6A and 6B show the connecting metal layer 3b of the second embodiment. As shown in FIG. 6, in the second embodiment, the width of the second connecting metal layer 3b2 is larger than the width of the first connecting metal layer 3b1.
  • the connecting metal layer 3b of the first embodiment has a higher electric resistance value than the strip-shaped metal layer 3a and has a function as a fuse.
  • the electric resistance value of the first connecting metal layer 3b1 is locally increased, when the strip-shaped metal layer 3a is short-circuited, the first connecting metal layer 3b1 is likely to be disconnected, and the fuse function of the connecting metal layer 3b is activated. improves.
  • the width of the second connecting metal layer 3b2 is larger than the width of the third connecting metal layer 3b3, the third connecting metal layer 3b3 is likely to be disconnected, and the fuse function of the connecting metal layer 3b is improved. do.
  • the width of the second connecting metal layer 3b2 is constant.
  • the width of the second connecting metal layer 3b2 is larger in the central portion than in both end portions. That is, the portion of the second connecting metal layer 3b2 connected to the first connecting metal layer 3b1 and the portion connected to the third connecting metal layer 3b3 have the same width as the width of the first connecting metal layer 3b1 and the third connecting metal layer 3b3, respectively. In the central part, the width is large.
  • the wiring width of the second connecting metal layer 3b2 of the second embodiment is larger than that of the second connecting metal layer 3b2 of the first embodiment.
  • the film capacitor 10 of the second embodiment can have a lower equivalent series resistance (ESR) than that of the first embodiment. By lowering the ESR, the allowable value of the ripple current of the film capacitor 10 can be increased.
  • FIG. 7 shows the connecting metal layer 3b of the third embodiment.
  • the second connecting metal layer 3b2 has a meandering shape (munder shape).
  • the second connecting metal layer 3b2 has a linear shape, whereas in the third embodiment, it has a meandering shape.
  • the connecting metal layer 3b of the third embodiment secures the wiring length of the second connecting metal layer 3b2 by forming the second connecting metal layer 3b2 in a meandering shape. Even if dielectric breakdown occurs in the dielectric films 1 and 2 and an excessive current flows through the band-shaped metal layer 3a, the second connecting metal layer 3b2 is less likely to be disconnected, and the connecting metal layer 3b can be appropriately operated as a fuse. Can be suppressed to. As a result, it is possible to prevent the fuse from operating excessively and insulating the band-shaped metal layer 3a from the common metal layer 3c, thereby reducing the capacitance of the film capacitor 10 at an early stage.
  • the film capacitor 10 of the present embodiment includes a film laminate 4, a first metal electrode 5A, and a second metal electrode 5B.
  • the film laminate 4 is configured by alternately laminating a plurality of dielectric films 1 or dielectric films 2 having a metal layer 3 on one surface of a base film.
  • the first metal electrode 5A and the second metal electrode 5B are formed on each of the pair of end faces of the film laminate 4, and are electrically connected to the metal layer 3.
  • the metal layer 3 is a comb-tooth-shaped metal layer and includes a plurality of strip-shaped metal layers 3d, a plurality of connecting metal layers 3b, and one common metal layer 3c. Each of the 3ds is electrically connected to the common metal layer 3c via the connecting metal layer 3b.
  • Each band-shaped metal layer 3d becomes an internal electrode of a capacitor after being laminated.
  • the dielectric films 1 and 2 have the same configuration except that the orientations when laminated are reversed, but the strip-shaped metal layers are shown in FIGS. 8A and 8C so that the orientations after lamination can be understood.
  • 3d is designated with 1A to 1L or 2A to 2L in order from the end.
  • the direction in which the strip-shaped metal layers 3d formed in parallel with each other extend is referred to as a first direction
  • the arrangement direction of the parallel strip-shaped metal layers 3d is referred to as a second direction
  • the stacking direction of the film is a third direction (z direction in the drawing) orthogonal to the first direction and the second direction.
  • the first direction may be referred to as the x direction
  • the second direction may be referred to as the y direction. Details of the film laminate 4 after lamination will be described later.
  • the common metal layer 3c is provided so as to extend in the second direction on the side opposite to the edge insulating region T of the dielectric films 1 and 2, that is, at the second edge in the first direction.
  • Each band-shaped metal layer 3d is electrically insulated by the insulation margin S, but by connecting to one common metal layer 3c, the metal layer 3 as a whole is electrically connected.
  • the connecting metal layer 3b connects the strip-shaped metal layer 3d and the common metal layer 3c, and functions as a fuse for each strip-shaped metal layer 3d. For example, when the strip-shaped metal layer 3d is short-circuited with another strip-shaped metal layer 3d due to dielectric breakdown of the base film and a current exceeding a specified value flows, the connecting metal layer 3b is burnt out and disconnected. Therefore, the function of the entire film capacitor 10 is prevented from stopping.
  • the connecting metal layer 3b includes a first connecting metal layer 3b1, a second connecting metal layer 3b2, and a third connecting metal layer 3b3.
  • the first connecting metal layer 3b1 is directly connected to the common metal layer 3c and extends from the common metal layer 3c in the first direction.
  • the second connecting metal layer 3b2 is directly connected to the first connecting metal layer 3b1 and extends from the first connecting metal layer 3b1 in the second direction.
  • the third connecting metal layer 3b3 is directly connected to the second connecting metal layer 3b2, extends from the second connecting metal layer 3b2 in the first direction, and is directly connected to the strip-shaped metal layer 3d.
  • the first connecting metal layer 3b1, the second connecting metal layer 3b2, and the third connecting metal layer 3b3 all have a linear shape.
  • the first connecting metal layer 3b1 and the third connecting metal layer 3b3 extend in parallel in the first direction, and the second connecting metal layer 3b2 is the second. It extends parallel to the direction.
  • the width of the first connecting metal layer 3b1, the width of the second connecting metal layer 3b2, and the width of the third connecting metal layer 3b3 are the same.
  • the film laminate 4 is obtained by cutting, for example, a long laminate.
  • the cutting line is parallel to the first direction (x direction), but is not always at the same position in the width direction of the strip metal layer 3d. Since the cut strip-shaped metal layer 3d is exposed at the end surface of the film capacitor 10 in the second direction (y direction), if the strip-shaped metal layer 3d is in a state of being conductive with the common metal layer 3c even after cutting, During use, a voltage is applied to the band-shaped metal layer 3d and the metal layer 3d is discharged at the end face.
  • the second connecting metal layer 3b2 and the cutting line intersect, so that the second connecting metal layer 3b2 Is cut, and the strip-shaped metal layer 3d and the common metal layer 3c are electrically insulated.
  • the length L in the second direction is made larger than the width W of the strip-shaped metal layer 3d, so that the second connecting metal layer 3b2 is surely cut and the strip-shaped metal after cutting is cut.
  • the layer 3d is reliably electrically insulated from the common metal layer 3c.
  • the length L in the second direction is the projected length of the second connecting metal layer 3b2 in the second direction. That is, the end of the second connecting metal layer 3b2 on the side connected to the first connecting metal layer 3b1 is located outside the width direction of the strip-shaped metal layer 3d, and the third connecting metal layer of the second connecting metal layer 3b2.
  • the end on the side connected to 3b3 is located outward in the width direction of the strip-shaped metal layer 3d in the second direction.
  • the first connecting metal layer 3b1 and the third connecting metal layer 3b3 are also located outside the width direction of the strip-shaped metal layer 3d, respectively.
  • the third connecting metal layer 3b3 extends, for example, from the second connecting metal layer 3b2 in the first direction and is directly connected to the first side side 3d1 extending along the first direction of the strip-shaped metal layer 3d.
  • the dielectric films 1 and 2 are laminated by alternately reversing the x-direction directions of the dielectric film 1 and the dielectric films 2 adjacent to the dielectric film 1 in the vertical direction (z direction) by 180 °. , Stacked. That is, the dielectric films 1 and 2 are stacked so that the positions of the edge insulating regions T at one end of each of the dielectric films 1 and 2 are alternately reversed in the x direction, and the dielectric films 1 and 2 are stacked with the film laminate 4. Will be done. Similarly, the positions of the common metal layers 3c at the other ends of the dielectric films 1 and 2 are stacked so as to be alternately reversed in the x direction.
  • Metallicons are formed on both end faces of the film laminate 4 in the x direction by metal spraying.
  • the metallikon 5A is electrically connected to the common metal layer 3c of the dielectric film 1, and is also electrically connected to each band-shaped metal layer 3d via the common metal layer 3c.
  • the metal layer 3 of the dielectric film 1 and the metallikon 5B are electrically insulated by the edge insulating region T.
  • the metallikon 5B is electrically connected to the common metal layer 3c of the dielectric film 2, and is also electrically connected to each band-shaped metal layer 3d via the common metal layer 3c.
  • the metal layer 3 of the dielectric film 2 and the metallikon 5A are electrically insulated by the edge insulating region T.
  • the common metal layer 3c has a heavy edge structure thicker than the strip-shaped metal layer 3d and the connecting metal layer 3b.
  • the metal layer 3 is formed, for example, by a film forming process by thin film deposition.
  • the formation of a mask (oil mask) in the non-deposited portion tends to be insufficient in the vicinity of the common metal layer 3c in the film forming process, and a metal is partially formed in the non-deposited portion. May deposit. Due to this unintended metal vapor deposition, a place (connection place) where the second connecting metal layer 3b2 and the common metal layer 3c are directly connected is generated. As described above, when the second connecting metal layer 3b2 and the cutting line intersect, the second connecting metal layer 3b2 is cut, and the strip-shaped metal layer 3d and the common metal layer 3c should be electrically insulated from each other. However, the band-shaped metal layer 3d and the common metal layer 3c may not be insulated depending on the generated connection location, and the discharge at the end face may not be reduced.
  • the strip-shaped metal layer 3d of the present embodiment is in the second direction open on the first edge side from the position where the third connecting metal layer 3b3 is connected to the first side side 3d1 where the third connecting metal layer 3b3 is connected. It has a first notch 30 that extends. Even if a connection point is generated between the second connecting metal layer 3b2 and the common metal layer 3c in the film forming process, the first notch 30 and the cutting line intersect with each other to be common with the strip-shaped metal layer 3d. It is electrically insulated from the metal layer 3c. This makes it possible to reduce the discharge at the end face of the film capacitor 10.
  • the strip-shaped metal layer 3d electrically insulated from the common metal layer 3c that is, the strip-shaped metal layer 3d that causes the loss of capacitance is only the cut strip-shaped metal layer 3d, the capacitance is electrostatic. It is possible to use a film capacitor 10 having a small loss.
  • the formation of the metal layer 3 is not limited to the one by thin film deposition, and even if it is by printing, for example, if there is a possibility that a connection portion is generated, the same effect can be obtained by the first notch 30. ..
  • the depth (length in the second direction) and width of the first notch 30 may be appropriately set according to the size of the strip-shaped metal layer 3d and the like.
  • the depth d1 of the first notch 30 is, for example, 0.5 to 0.95 as a ratio (d1 / W) of the band-shaped metal layer 3d to the width W.
  • the width w1 of the first notch 30 is, for example, 0.1 to 0.5 mm.
  • FIGS. 10 to 12 are diagrams schematically explaining the process of manufacturing the film capacitor of the present embodiment. Also in FIGS. 10 to 12, similarly to FIG. 8, the extending direction of each strip-shaped metal layer 3d formed in parallel is the first direction (x direction in the drawing), and the common metal layer 3c is orthogonal to the extending direction (x direction). The direction) is the second direction (y direction in the figure), and the stacking direction of the films perpendicular to the first direction and the second direction is the third direction (z direction in the figure).
  • a dielectric film 1 and a dielectric film 2 having a plurality of strip-shaped metal layers 3d continuous in the x direction and a common metal layer 3c extending in the y direction are formed on the surface of the film.
  • the dielectric film 1 and the dielectric film 2 are merely inverted in the x-direction and have the same configuration, but are not limited to this.
  • the configurations of the dielectric film 1 and the dielectric film 2 may be different.
  • the dielectric film 1 is on the + y side of the strip-shaped metal layer 3d.
  • the third connecting metal layer 3b3 is connected to the side, the first notch 30 is opened on the + y side, and the dielectric film 2 is the third connecting metal layer on the + y side side of the strip-shaped metal layer 3d.
  • the dielectric film 1 and the dielectric film 2 are different in that the connecting metal layer 3b and the first notch 30 are provided so as to be line-symmetrical with respect to the first direction (x direction).
  • Other configurations may be the same.
  • a method of laminating a conventionally known method can be used, such as laminating long dielectric films 1 and 2 and winding them around a cylinder or a cylinder having a polygonal cross section.
  • the virtual line (dashed-dotted line) in FIG. 10 indicates a cut line after winding around a cylinder or the like.
  • FIG. 11 is a view of the film laminate 4 cut to a predetermined length as viewed from the cut surface (end surface in the y direction).
  • the film laminate 4 is laminated.
  • the common metal layer 3c is exposed on both end faces in the x direction.
  • the strip-shaped metal layer 3d exposed on the cut surface of the film laminate 4 is not connected to the common metal layer 3c because the second connecting metal layer 3b2 is cut, and the common metal layer 3d is not connected to the common metal layer 3c. It is electrically isolated from 3c.
  • the second connecting metal layer 3b2 is formed by the first notch 30 of the strip-shaped metal layer 3d. However, it is electrically insulated from the common metal layer 3c.
  • An insulating layer 12 serving as a protective layer of the film laminate 4, such as a base film on which the metal layer 3 is not formed, may be laminated on the upper surface of the film laminate 4 of the embodiment.
  • the insulating layer 12 may be omitted.
  • the first metal electrode and the second metal electrode are exposed on both end faces in the x direction of the film laminate 4 to which the above-mentioned common metal layer 3c is exposed, respectively.
  • 5A, 5B are formed.
  • each band-shaped metal layer 3d on the dielectric films 1 and 2 is electrically connected to either the metallikon 5A or 5B via the common metal layer 3c so as to function as an internal electrode of the film capacitor 10. become.
  • the configuration of the connecting metal layer 3b is different from that of the fourth embodiment described above, and the other configurations are common.
  • 13A and 13B show enlarged plan views of the vicinity of the connecting metal layer 3b according to the fifth embodiment.
  • the strip-shaped metal layer 3d has the first notch 30, and the width of the second connecting metal layer 3b2 is the width of the first connecting metal layer 3b1 and the first. 3 Larger than the width of the connecting metal layer 3b3.
  • the length of the second connecting metal layer 3b2 is larger than the length of the first connecting metal layer 3b1 and the length of the third connecting metal layer 3b3.
  • the electric resistance value is locally increased in the first connecting metal layer 3b1 and the third connecting metal layer 3b3.
  • the electric resistance values of the first connecting metal layer 3b1 and the third connecting metal layer 3b3 are locally increased, so that the first connecting metal is short-circuited when the strip-shaped metal layer 3d is short-circuited.
  • the layer 3b1 or the third connecting metal layer 3b3 is likely to be disconnected, and the fuse function of the connecting metal layer 3b is improved.
  • the width of the second connecting metal layer 3b2 is constant.
  • the width of the second connecting metal layer 3b2 is larger in the central portion than in both end portions.
  • the portion of the second connecting metal layer 3b2 connected to the first connecting metal layer 3b1 and the portion connected to the third connecting metal layer 3b3 have the same width as the width of the first connecting metal layer 3b1 and the third connecting metal layer 3b3, respectively. In the central part, the width is large.
  • the connecting metal layer 3b of the present embodiment can have a lower equivalent series resistance value (ESR) than the film capacitor 10 of the fourth embodiment.
  • ESR equivalent series resistance value
  • FIG. 14 shows an enlarged plan view of the vicinity of the connecting metal layer 3b according to the sixth embodiment.
  • the strip-shaped metal layer 3d is formed in the second direction of the second side side 3d2 opposite to the first side side 3d1 and opened on the first edge side from the first notch 30. It further has a second notch 31 that extends.
  • the strip-shaped metal layer 3d in addition to the fifth embodiment, further has a second notch 31.
  • the first notch 30 is open on the first side 3d1 of the strip metal layer 3d
  • the second notch 31 is open on the second side 3d2 of the strip metal layer 3d
  • the first notch 31 is open.
  • the 30 and the second notch 31 are notched in opposite directions to each other.
  • the depth (length in the second direction) d2 and the width w2 of the second notch 31 may be appropriately set according to the size of the band-shaped metal layer 3d and the like, and the depth d1 and the width w2 of the first notch 30 may be set as appropriate. It may be the same as the width w1.
  • connection point when a connection point is generated between the second connecting metal layer 3b2 and the common metal layer 3c and closer to the first side side 3d1, the first notch 30 of the strip-shaped metal layer 3d
  • the second connecting metal layer 3b2 is electrically insulated from the common metal layer 3c.
  • the generation of connection points in the film forming process is not limited to the first side side 3d1 and may be closer to the second side side 3d2. In that case, the strip-shaped metal layer 3d and the common metal layer 3c are electrically insulated by the intersection of the second notch 31 opened at the second side 3d2 and the cutting line.
  • the strip-shaped metal layer 3d since the strip-shaped metal layer 3d has the first notch 30 and the second notch 31 facing each other, no matter where the connection point is generated or where the cutting line is located. , The strip-shaped metal layer 3d and the common metal layer 3c are electrically insulated. This makes it possible to reduce the discharge at the end face of the film capacitor 10. Further, since the strip-shaped metal layer 3d electrically insulated from the common metal layer 3c is only the cut strip-shaped metal layer 3d, the film capacitor 10 having a small capacitance loss can be obtained.
  • the second notch 31 is further added to the fifth embodiment, but the present invention is not limited to this, and the second notch 31 may be further added to the fourth embodiment. ..
  • the film laminate 4 is formed by laminating the dielectric films 1 and 2 while alternately reversing the directions in the x direction, and the dielectric film 1 and the dielectric film 2 are the same. It is a composition, and the orientation is different. Not limited to this, for example, instead of the dielectric film 2, a dielectric film having a so-called solid pattern full-surface metal layer in which a metal layer is provided on the entire region other than the edge insulating region T on one surface of the base film. May be used.
  • the metallikon 5A first metal electrode
  • the metallikon 5B is electrically connected to the entire metal layer of the dielectric film.
  • FIGS. 15A, 15B and 15B are plan views of the dielectric film
  • FIG. 15C is a schematic cross-sectional view showing the laminated state of the films. ..
  • the metallikon 5A and the metallicon 5B are formed on both end faces of the film laminate 4.
  • the film laminate 4 includes a dielectric film (first dielectric film) 1 having a first metal layer 3 on one surface of the base film as shown in FIG. 15A, and one surface of the base film as shown in FIG. 15B.
  • a dielectric film (second dielectric film) 2 having a second metal layer 8 are alternately laminated.
  • the first metal layer 3 of the dielectric film 1 and the second metal layer 8 of the dielectric film 2 have different configurations.
  • the first metal layer 3 of the dielectric film 1 includes a plurality of strip-shaped metal layers 3a, a plurality of connecting metal layers 3b, and two common metal layers 3c, and each of the strip-shaped metal layers 3a is a connecting metal layer 3b. It is electrically connected to the common metal layer 3c via the above.
  • the two common metal layers 3c are provided so as to extend in the second direction at the first edge portion and the second edge portion of the dielectric film 1 in the first direction.
  • One of the two common metal layers 3c is electrically connected to the metallikon 5A and the other is electrically connected to the metallikon 5B.
  • a part of the plurality of strip-shaped metal layers 3a is connected to the common metal layer 3c connected to the metallikon 5A, and the rest is connected to the common metal layer 3c connected to the metallikon 5B.
  • the film surface is exposed between the strip-shaped metal layer 3a on the metallikon 5A side and the strip-shaped metal layer 3a on the metallicon 5B side, and is in a state of being electrically insulated.
  • the exposed film surface is a central portion insulating region Tc continuous in the second direction in the central portion of the dielectric film 1 in the first direction.
  • the metallikon 5A side from the central insulating region Tc of the dielectric film 1 of the present embodiment and the metallicon 5B side from the central insulating region Tc have the same configurations as those of the dielectric films 1 and 2 of the first embodiment, respectively. ..
  • the second metal layer 8 of the dielectric film 2 is a planar metal layer having a so-called solid pattern.
  • the first edge portion and the second edge portion in the first direction of the dielectric film 2 are provided with an edge insulating region T continuous in the second direction, and the edge insulating region T provides a second metal.
  • the layer 8 is electrically isolated from the metallikon 5A and the metallikon 5B.
  • the film laminate 4 is laminated so that a part of the first metal layer 3 and a part of the second metal layer 8 overlap each other in a plan view.
  • the film capacitor 11 of the present embodiment provided with such a film laminate 4 can be a series capacitor in which a laminated film capacitor is connected in series by a first metal layer 3 and a second metal layer 8.
  • the film capacitor 11 includes a laminated capacitor composed of a first metal layer 3 and a second metal layer 8 on the metallikon 5A side, and a laminated capacitor composed of a first metal layer 3 and a second metal layer 8 on the metallicon 5B side. It is connected in series by the second metal layer 8.
  • a plurality of strip-shaped metal layers 3a and one second metal layer 8 are overlapped with each other, and the second metal layer 8 is overlapped with the connecting metal layer 3b and the common metal layer 3c.
  • the second metal layer 8 may include a plurality of planar metal layers, and each planar metal layer may overlap with the strip-shaped metal layer 3a in a plan view.
  • the first metal layer 3 on the metallikon 5A side and the first metal layer 3 on the metallicon 5B side have a line-symmetrical shape with the central insulating region Tc interposed therebetween.
  • the connecting metal layer 3b has the same configuration as the connecting metal layer 3b of the first embodiment. That is, the connecting metal layer 3b includes a first connecting metal layer, a second connecting metal layer, and a third connecting metal layer, and the second connecting metal layer has a length L in the second direction. , Larger than the width W of the strip-shaped metal layer 3a. As a result, the discharge at the end face of the film capacitor 11 can be reduced as in the above-described embodiment, and the film capacitor 11 can be obtained with a small loss of capacitance.
  • FIG. 16 is a plan view of the dielectric film according to the eighth embodiment.
  • the configuration of the dielectric film 1 is different from that of the seventh embodiment, and other configurations such as the dielectric film 2 are common.
  • the dielectric film 1 of the present embodiment has a rotationally symmetric shape between the first metal layer 3 on the metallikon 5A side and the first metal layer 3 on the metallicon 5B side. For example, when the first metal layer 3 on the metallikon 5A side is rotated by 180 °, the shape becomes the same as that of the first metal layer 3 on the metallikon 5B side.
  • the film capacitor 11 of the present embodiment can realize a high withstand voltage by using a series capacitor. Further, the discharge at the end face of the film capacitor 11 can be reduced, and the film capacitor 11 can be obtained with a small loss of capacitance.
  • FIGS. 17A and 17B are views showing the configuration of the film capacitor of the ninth embodiment
  • FIGS. 17A and 17B are plan views of the dielectric film
  • FIG. 17C is a schematic cross-sectional view showing a laminated state of the film.
  • the metallikon 5A and the metallikon 5B are formed on both end faces of the film laminate 4.
  • the film laminate 4 has a dielectric film (first dielectric film) 1 having a first metal layer 3 on one surface of the base film as shown in FIG. 17A and one surface of the base film as shown in FIG. 17B.
  • a dielectric film (second dielectric film) 2 having a second metal layer 8 are alternately laminated.
  • the first metal layer 3 of the dielectric film 1 includes two planar metal layers 3e and two common metal layers 3c.
  • the two common metal layers 3c are provided so as to extend in the second direction at the first edge portion and the second edge portion of the dielectric film 1 in the first direction.
  • One of the two common metal layers 3c is electrically connected to the metallikon 5A and the other is electrically connected to the metallikon 5B.
  • One of the two planar metal layers 3e is connected to the common metal layer 3c connected to the metallikon 5A, and the other is connected to the common metal layer 3c connected to the metallikon 5B.
  • the film surface is exposed between the planar metal layer 3e on the metallicon 5A side and the planar metal layer 3e on the metallicon 5B side, and is electrically insulated.
  • the exposed film surface is a central portion insulating region Tc continuous in the second direction in the central portion of the dielectric film 1 in the first direction.
  • the second metal layer 8 of the dielectric film 2 includes a plurality of strip-shaped metal layers 8a and a plurality of connecting metal layers 8b.
  • the plurality of strip-shaped metal layers 8a extend linearly along the first direction and are arranged in the second direction. A part of the plurality of strip-shaped metal layers 8a is located on the metallikon 5A side, and the rest is located on the metallicon 5B side.
  • the connecting metal layer 8b electrically connects one of the strip-shaped metal layers 8a located on the metallikon 5A side and one of the strip-shaped metal layers 8a located on the metallicon 5B side in the central portion of the dielectric film 2 in the first direction. Connect to.
  • the first edge portion and the second edge portion in the first direction of the dielectric film 2 are provided with an edge insulating region T continuous in the second direction, and the edge insulating region T provides a second metal.
  • the layer 8 is electrically isolated from the metallikon 5A and the metallikon 5B.
  • the film laminate 4 is laminated so that a part of the first metal layer 3 and a part of the second metal layer 8 overlap each other in a plan view.
  • the film capacitor 11 of the present embodiment provided with such a film laminate 4 can be a series capacitor in which laminated film capacitors are connected in series as in the seventh and eighth embodiments. By using the film capacitor 11 of the present embodiment as a series capacitor, high withstand voltage can be realized.
  • the planar metal layer 3e and the plurality of strip-shaped metal layers 8a overlap in a plan view, and the strip-shaped metal layer 8a does not overlap with the common metal layer 3c.
  • the planar metal layer 3e may include a plurality of strip-shaped metal layers, and each strip-shaped metal layer may overlap with the strip-shaped metal layer 8a of the second metal layer 8 in a plan view.
  • the connecting metal layer 8b of the present embodiment has the same configuration as the connecting metal layer 3b of the first embodiment described above. That is, the first connecting metal layer directly connected to the band-shaped metal layer 8a and extending in the first direction from the band-shaped metal layer 8a and the first connecting metal layer are directly connected to the first connecting metal layer to the second.
  • a second connecting metal layer extending in the direction is provided.
  • the first connecting metal layer includes a first connecting metal layer that is directly connected to the strip-shaped metal layer 8a on the metallikon 5A side, and a first connecting metal layer that is directly connected to the strip-shaped metal layer 8a on the metallicon 5B side.
  • the length L of the second connecting metal layer in the second direction is larger than the width W of the strip-shaped metal layer 8a.
  • the connecting metal layer 3b of the seventh and eighth embodiments and the connecting metal layer 8b of the ninth embodiment may both have the same configuration as the connecting metal layer 3b of the second and third embodiments described above.
  • the strip-shaped metal layer 3a on the metallikon 5A side and the strip-shaped metal layer 3a on the metallicon 5B side may be connected by a fuse.
  • a metal layer having a higher electric resistance value than that of the strip-shaped metal layer 3a can be used.
  • it may be a metal layer having a wiring width similar to that of the connecting metal layer 3b.
  • the band-shaped metal layers 3a and 8a of the series capacitors according to the 7th to 9th embodiments may have the first notch 30 as in the 4th and 5th embodiments, and may be the same as the 6th embodiment. May be configured to have a first notch 30 and a second notch 31.
  • FIG. 18 is an external perspective view showing a modified example of the film capacitor.
  • the film capacitor A is a film capacitor 10 coated with an exterior member 7 from the viewpoint of insulation and environmental resistance.
  • the metallikons 5A and 5B are provided with lead wires 6 for external connection.
  • FIG. 18 a state in which a part of the exterior member 7 is removed is shown, and the removed portion of the exterior member 7 is shown by a broken line.
  • FIG. 19 is a perspective view schematically showing the configuration of the connected capacitor.
  • the connected capacitor B has a configuration in which a plurality of film capacitors A are connected in parallel by a pair of bus bars 21 and 23.
  • the bus bars 21 and 23 are composed of terminal portions 21a and 23a and drawer terminal portions 21b and 23b.
  • the terminal portions 21a and 23a are for external connection, and the extraction terminal portions 21b and 23b are connected to the external electrodes 5A and 5B of the film capacitor A, respectively.
  • FIG. 20 is a schematic configuration diagram for explaining the configuration of the inverter.
  • FIG. 20 shows an example of an inverter C that produces an alternating current from a rectified direct current.
  • the inverter C of the present embodiment includes a bridge circuit 32 and a capacitance unit 33.
  • the bridge circuit 32 is composed of, for example, a switching element such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and a diode.
  • the capacitance unit 33 is arranged between the input terminals of the bridge circuit 32 to stabilize the voltage.
  • the inverter C may include the above-mentioned film capacitors 10 and A or the concatenated capacitor B as the capacitance unit 33.
  • the input of this inverter C may be connected to the booster circuit 35 that boosts the voltage of the DC power supply, or may be connected to the DC power supply.
  • the bridge circuit 32 is connected to a motor generator (motor M) which is a drive source.
  • FIG. 21 is a schematic configuration diagram for explaining the configuration of the electric vehicle.
  • FIG. 21 shows an example of a hybrid electric vehicle (HEV) as the electric vehicle D.
  • HEV hybrid electric vehicle
  • the electric vehicle D in FIG. 21 includes a driving motor 41, an engine 43, a transmission 45, an inverter 47, a power supply (battery) 49, front wheels 51a, and rear wheels 51b.
  • This electric vehicle D is equipped with a motor 41, an engine 43, or both as a drive source.
  • the output of the drive source is transmitted to the pair of left and right front wheels 51a via the transmission 45.
  • the power supply 49 is connected to the inverter 47, and the inverter 47 is connected to the motor 41.
  • the electric vehicle D shown in FIG. 21 includes a vehicle ECU 53 and an engine ECU 57.
  • the vehicle ECU 53 controls the entire electric vehicle D in an integrated manner.
  • the engine ECU 57 controls the rotation speed of the engine 43 to drive the electric vehicle D.
  • the electric vehicle D further includes an ignition key 55 operated by a driver or the like, an accelerator pedal (not shown), and a driving device such as a brake.
  • a drive signal corresponding to the operation of the driving device by the driver or the like is input to the vehicle ECU.
  • the vehicle ECU 53 outputs an instruction signal to the engine ECU 57, the power supply 49, and the inverter 47 as a load based on the drive signal.
  • the engine ECU 57 controls the rotation speed of the engine 43 in response to an instruction signal to drive the electric vehicle D.
  • An inverter C to which the film capacitors A and 10 of the present embodiment or the articulated capacitor B is applied as the capacitance unit 33 can be mounted on the electric vehicle D as shown in FIG. 21.
  • the inverter C of the present embodiment can be applied not only to the above-mentioned hybrid vehicle (HEV) but also to various power conversion application products such as an electric vehicle (EV), an electric bicycle, a generator, and a solar cell.
  • HEV hybrid vehicle
  • EV electric bicycle
  • generator electric bicycle
  • solar cell solar cell

Abstract

フィルムコンデンサは、誘電体フィルムを１枚ごとに反転させながら積層したフィルム積層体と、フィルム積層体の一対の端面のそれぞれに形成された第１金属電極および第２金属電極と、を含む。金属層は、共通金属層と帯状金属層とを接続する接続金属層を有している。接続金属層の第１接続金属層は、共通金属層と直接連なり、共通金属層から第１の方向に延出されている。第２接続金属層は、第１接続金属層と直接連なり、第１接続金属層から第２の方向に延出されている。第３接続金属層は、第２接続金属層と直接連なり、第２接続金属層から第１の方向に延出されて帯状金属層と直接連なっている。

Description

フィルムコンデンサ、連結型コンデンサ、インバータおよび電動車輌
　本開示は、フィルムコンデンサ、連結型コンデンサ、インバータおよび電動車輌に関する。
　フィルムコンデンサは、たとえばポリプロピレン樹脂からなる誘電体フィルムの表面に電極となる金属膜を蒸着した金属化フィルムを、巻回あるいは一方向に複数枚積み重ねて積層して形成されている。
　このうち、積層型のフィルムコンデンサは、金属化フィルムを積層した積層体を、所要の大きさに切断したときに、金属膜も切断するため、その切断面において、金属膜が露出する。フィルムコンデンサの使用時に、露出した金属膜に電圧が印加されると、切断面において放電が生じてしまう。
　引用文献１には、フィルムコンデンサを構成する金属化フィルムにおいて、絶縁マージンと呼ばれる、金属膜が形成されていない溝状または一定幅の帯状のフィルム表面の露出部（間隙ストリップ）の一部に、各絶縁マージンが伸びる平行方向に対して斜行する屈曲部位を設けることにより、金属化フィルムを積層した積層体の切断面において、露出した金属膜を絶縁する構成が提案されている。
特許第５９８４０９７号公報
　本開示のフィルムコンデンサは、一面に金属層が配設され、該一面の第１の方向の第１の縁部に、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続する縁部絶縁領域が設けられた誘電体フィルムが、前記縁部絶縁領域の平面視位置が１枚おきに重なるように複数枚積層された直方体状のフィルム積層体と、前記フィルム積層体の前記第１の方向の一対の端面のそれぞれに形成され、前記金属層に電気的に接続される第１金属電極および第２金属電極と、を含む。前記第１金属電極に電気的に接続される前記金属層は、前記一面の前記第１の方向の第２の縁部に設けられた、前記第２の方向に延びる共通金属層と、前記第１の方向に延びて前記共通金属層と電気的に接続される複数の帯状金属層と、前記共通金属層と前記帯状金属層とを接続する接続金属層と、を有する。前記接続金属層は、前記共通金属層と直接連なり、前記共通金属層から前記第１の方向に延出されている第１接続金属層と、前記第１接続金属層と直接連なり、前記第１接続金属層から前記第２の方向に延出されている第２接続金属層と、前記第２接続金属層と直接連なり、前記第２接続金属層から前記第１の方向に延出されて前記帯状金属層と直接連なる第３接続金属層と、を備える。前記第２接続金属層は、前記第２の方向の長さが、前記帯状金属層の幅より大きい。
　本開示のフィルムコンデンサは、一面に第１金属層が配設され、前記第１金属層が、前記一面の第１の方向の第１の縁部および第２の縁部それぞれに、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続して設けられた共通金属層を有する第１誘電体フィルムと、一面に第２金属層が配設され、該一面の第１の方向の第１の縁部および第２の縁部それぞれに、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続する縁部絶縁領域が設けられた第２誘電体フィルムと、が積層された直方体状のフィルム積層体であって、平面視で前記第１金属層の一部と前記第２金属層の一部とが重なるように積層されたフィルム積層体と、前記フィルム積層体の前記第１の方向の一対の端面のそれぞれに形成され、前記第１金属層に電気的に接続される第１金属電極および第２金属電極と、を含む。前記第１金属層は、前記第１の方向に延びて前記共通金属層と電気的に接続される複数の帯状金属層と、前記共通金属層と前記帯状金属層とを接続する接続金属層と、を有する。前記第２金属層は、前記縁部絶縁領域によって前記第１金属電極および前記第２金属電極と電気的に絶縁された面状金属層である。前記接続金属層は、前記共通金属層と直接連なり、前記共通金属層から前記第１の方向に延出されている第１接続金属層と、前記第１接続金属層と直接連なり、前記第１接続金属層から前記第２の方向に延出されている第２接続金属層と、前記第２接続金属層と直接連なり、前記第２接続金属層から前記第１の方向に延出されて前記帯状金属層と直接連なる第３接続金属層と、を備える。前記第２接続金属層は、前記第２の方向の長さが、前記帯状金属層の幅より大きい。
　本開示のフィルムコンデンサは、一面に第１金属層が配設され、前記第１金属層が、前記一面の第１の方向の第１の縁部および第２の縁部それぞれに、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続して設けられた共通金属層を有する第１誘電体フィルムと、一面に第２金属層が配設され、該一面の第１の方向の第１の縁部および第２の縁部それぞれに、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続する縁部絶縁領域が設けられた第２誘電体フィルムと、が積層された直方体状のフィルム積層体であって、平面視で前記第１金属層の一部と前記第２金属層の一部とが重なるように積層されたフィルム積層体と、前記フィルム積層体の前記第１の方向の一対の端面のそれぞれに形成され、前記第１金属層に電気的に接続される第１金属電極および第２金属電極と、を含む。前記第１金属層は、前記共通金属層と電気的に接続される面状金属層を有する。前記第２金属層は、前記第１の方向に延びて、前記縁部絶縁領域によって前記第１金属電極および前記第２金属電極と電気的に絶縁された複数の帯状金属層と、前記第１の方向に並ぶ前記帯状金属層同士を接続する接続金属層と、を有する。前記接続金属層は、前記帯状金属層と直接連なり、前記帯状金属層から前記第１の方向に延出されている第１接続金属層と、前記第１接続金属層と直接連なり、前記第１接続金属層から前記第２の方向に延出されている第２接続金属層と、を備える。前記第２接続金属層は、前記第２の方向の長さが、前記帯状金属層の幅より大きい。
　本開示の連結型コンデンサは、上記のフィルムコンデンサを含む複数のフィルムコンデンサが、バスバーにより複数個接続されている。
　本開示のインバータは、スイッチング素子により構成されるブリッジ回路と、該ブリッジ回路に接続され、上記のフィルムコンデンサを含む容量部とを備える。
　本開示の電動車輌は、電源と、該電源に接続された上記のインバータと、該インバータに接続されたモータと、該モータにより駆動する車輪と、を備える。
　本発明の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
第１実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、誘電体フィルムの平面図である。 第１実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、フィルムの積層状態を示す断面模式図である。 第１実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、フィルムコンデンサを上方から見た平面図である。 誘電体フィルムの接続金属層近傍の拡大平面図である。 誘電体フィルムの積層状態（切断前）を示す分解斜視図である。 切断後のフィルム積層体の構成を示す外観斜視図である。 金属電極の溶射後の構成を示す外観斜視図である。 第２実施形態における誘電体フィルムの接続金属層近傍の拡大平面図である。 第２実施形態における誘電体フィルムの接続金属層近傍の拡大平面図である。 第３実施形態における誘電体フィルムの接続金属層近傍の拡大平面図である。 第４実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、誘電体フィルムの平面図である。 第４実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、フィルムの積層状態を示す断面模式図である。 第４実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、フィルムコンデンサを上方から見た平面図である。 誘電体フィルムの接続金属層近傍の拡大平面図である。 誘電体フィルムの積層状態（切断前）を示す分解斜視図である。 切断後のフィルム積層体の構成を示す外観斜視図である。 金属電極の溶射後の構成を示す外観斜視図である。 第５実施形態における誘電体フィルムの接続金属層近傍の拡大平面図である。 第５実施形態における誘電体フィルムの接続金属層近傍の拡大平面図である。 第６実施形態における誘電体フィルムの接続金属層近傍の拡大平面図である。 第７実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、誘電体フィルムの平面図である。 第７実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、誘電体フィルムの平面図である。 第７実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、フィルムの積層状態を示す断面模式図である。 第８実施形態における誘電体フィルムの平面図である。 第９実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、誘電体フィルムの平面図である。 第９実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、誘電体フィルムの平面図である。 第９実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、フィルムの積層状態を示す断面模式図である。 フィルムコンデンサの変形例を示す外観斜視図である。 連結型コンデンサの構成を模式的に示した斜視図である。 インバータの構成を説明するための概略構成図である。 電動車輌の構成を説明するための概略構成図である。
　以下、本開示の第１実施形態のフィルムコンデンサについて、図面を参照しつつ説明する。本実施形態のフィルムコンデンサ１０は、図１Ａに示すような、ベースフィルムの一面に、金属層３を有する誘電体フィルム１または誘電体フィルム２を、複数枚交互に積層して構成される。
　本実施形態では、金属層３は、いわゆる櫛歯形状の金属層であって、複数の帯状金属層３ａと、複数の接続金属層３ｂと、１つの共通金属層３ｃと、を含む。帯状金属層３ａは、それぞれ接続金属層３ｂを介して共通金属層３ｃに電気的に接続されている。
　各帯状金属層３ａは、積層後、コンデンサの内部電極となるものである。誘電体フィルム１，２は、積層されたときの向きが反転しているだけで、同じ構成であるが、積層後の向きが分かるよう、図１Ａ、図１Ｃに示すように、各帯状金属層３ａに、端から順に１Ａ～１Ｌまたは２Ａ～２Ｌの符号を付している。
　また、各図において、互いに平行に形成された各帯状金属層３ａが延びる方向を、第１の方向と呼ぶとともに、平行な各帯状金属層３ａの並び方向を第２の方向と呼ぶ。フィルムの積層方向は、第１の方向および第２の方向に直交する、第３の方向（図示ｚ方向）である。なお、第１の方向をｘ方向、第２の方向をｙ方向とそれぞれ呼ぶ場合がある。積層後のフィルム積層体４の詳細は後述する。
　誘電体フィルム１，２の表面の各帯状金属層３ａは、ベースフィルムに対する金属蒸着により形成される。各帯状金属層３ａは、第１の方向（ｘ方向）に沿って直線状に延びている。ｙ方向に隣接する帯状金属層３ａの間には、フィルム面（以下、絶縁マージンＳ）が露出しており、これにより、各帯状金属層３ａは、それぞれ電気的に絶縁された状態となっている。そして、各絶縁マージンＳは、第１の方向（ｘ方向）の第１の端部側で、第２の方向（ｙ方向）に連続する縁部絶縁領域Ｔに繋がっている。各絶縁マージンＳの間隔（ピッチＰ）は、各帯状金属層３ａのｙ方向の幅Ｐ１と各絶縁マージンＳのｙ方向の幅Ｐ２とを合わせた値（Ｐ＝Ｐ１＋Ｐ２）となっている。
　共通金属層３ｃは、誘電体フィルム１，２の縁部絶縁領域Ｔと反対側、すなわち第１の方向の第２の縁部において、第２の方向に延びて設けられている。各帯状金属層３ａは、絶縁マージンＳによって、それぞれ電気的に絶縁されているが、１つの共通金属層３ｃに接続することで、金属層３全体としては、電気的に接続されている。
　接続金属層３ｂは、帯状金属層３ａと共通金属層３ｃとを接続し、帯状金属層３ａごとのヒューズとして機能するものである。例えば、ベースフィルムが絶縁破壊されるなどして帯状金属層３ａが他の帯状金属層３ａと短絡し、規定以上の電流が流れたような場合に、接続金属層３ｂが焼き切れることで断線させて、フィルムコンデンサ１０全体の機能が停止しないようにしている。
　図２の接続金属層近傍の拡大平面図に示すように、接続金属層３ｂは、第１接続金属層３ｂ１と、第２接続金属層３ｂ２と、第３接続金属層３ｂ３と、を備える。第１接続金属層３ｂ１は、共通金属層３ｃと直接連なり、共通金属層３ｃから第１の方向に延出されている。第２接続金属層３ｂ２は、第１接続金属層３ｂ１と直接連なり、第１接続金属層３ｂ１から第２の方向に延出されている。第３接続金属層３ｂ３は、第２接続金属層３ｂ２と直接連なり、第２接続金属層３ｂ２から第１の方向に延出されて帯状金属層３ａと直接連なっている。本実施形態では、第１接続金属層３ｂ１と、第２接続金属層３ｂ２と、第３接続金属層３ｂ３とは、いずれも直線形状を有している。ここで、「第１の方向に延出され」とは、延出方向の第１の方向成分が、第２の方向成分よりも大きい場合をいう。同様に、「第２の方向に延出され」とは、延出方向の第２の方向成分が、第１の方向成分よりも大きい場合をいう。
　本実施形態の接続金属層３ｂは、第１接続金属層３ｂ１と第３接続金属層３ｂ３とが、第１の方向に平行に延出されており、第２接続金属層３ｂ２が、第２の方向に平行に延出されている。第２接続金属層３ｂ２は、第２の方向の長さＬが、帯状金属層３ａの幅Ｗより大きい。第２の方向の長さＬは、第２接続金属層３ｂ２の第２の方向への投影長さである。すなわち、第２接続金属層３ｂ２の、第１接続金属層３ｂ１と連なる側の端部が、帯状金属層３ａの幅方向外方に位置し、第２接続金属層３ｂ２の、第３接続金属層３ｂ３と連なる側の端部が、第２の方向において、帯状金属層３ａの幅方向外方に位置している。第１接続金属層３ｂ１および第３接続金属層３ｂ３もそれぞれ帯状金属層３ａの幅方向外方に位置している。第３接続金属層３ｂ３は、例えば、第２接続金属層３ｂ２から第１の方向に延出され、帯状金属層３ａの第１の方向に沿って延びる側辺に直接連なっている。また、本実施形態の接続金属層３ｂは、第１接続金属層３ｂ１の幅と、第２接続金属層３ｂ２の幅と、第３接続金属層３ｂ３の幅とが、同じである。ここで、「幅が同じ」とは、いずれか二つの接続金属層の幅を比較したときに、幅の差が、第１接続金属層３ｂ１の幅の２０％以下である場合をいう。例えば、第１接続金属層３ｂ１の幅が０．１ｍｍの場合には、二つの接続金属層の幅の差が±０．０２ｍｍであれば、これらの幅が同じといえる。
　フィルムコンデンサ１０の製造時に、フィルム積層体４は、例えば、長尺の積層体を切断して得られる。切断線は、第１の方向（ｘ方向）に平行となるが、帯状金属層３ａの幅方向において、常に同じ位置になるとは限らない。切断された帯状金属層３ａは、フィルムコンデンサ１０の第２の方向（ｙ方向）の端面において露出するので、帯状金属層３ａが、切断後にも共通金属層３ｃと導通された状態であれば、使用時に帯状金属層３ａに電圧が印加されて端面で放電してしまう。本実施形態のような接続金属層３ｂによって、帯状金属層３ａと共通金属層３ｃとが接続されている場合、切断線がいずれの位置であっても、第２接続金属層３ｂ２と切断線とが交差するので、第２接続金属層３ｂ２が切断され、帯状金属層３ａと共通金属層３ｃとが電気的に絶縁される。これにより、フィルムコンデンサ１０の端面における放電を低減することができる。さらに、共通金属層３ｃから電気的に絶縁される帯状金属層３ａ、すなわち、静電容量の損失の原因となる帯状金属層３ａが、切断された帯状金属層３ａのみであるので、静電容量の損失が少ないフィルムコンデンサ１０とすることができる。
　誘電体フィルム１，２のベースフィルムの構成材料としては、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアリレート、シクロオレフィンポリマー等の有機樹脂材料があげられる。
　誘電体フィルム１，２の積層は、図１Ｂに示すように、誘電体フィルム１とそれに図示上下（ｚ方向）に隣接する誘電体フィルム２の、ｘ方向の向きを交互に１８０°反転させながら、積み重ねられる。すなわち、誘電体フィルム１，２は、各誘電体フィルム１，２の一方の端部の縁部絶縁領域Ｔの位置が、ｘ方向において交互に逆になるように積み重ねられ、フィルム積層体４とされる。同様に、各誘電体フィルム１，２の他方の端部の共通金属層３ｃの位置が、ｘ方向において交互に逆になるように積み重ねられている。
　フィルム積層体４のｘ方向の両端面には、金属溶射により金属電極（以下、メタリコン）が形成されている。なお、ｘ方向の両端部に形成されるメタリコンの一方をメタリコン５Ａ（第１金属電極）、他方をメタリコン５Ｂ（第２金属電極）と呼ぶが、これらは配設位置が異なるだけであり、構成に差異はない。例えば、メタリコン５Ａは、誘電体フィルム１の共通金属層３ｃと電気的に接続しており、共通金属層３ｃを介して各帯状金属層３ａとも電気的に接続している。また、縁部絶縁領域Ｔによって誘電体フィルム１の金属層３とメタリコン５Ｂとは、電気的に絶縁されている。一方、メタリコン５Ｂは、誘電体フィルム２の共通金属層３ｃと電気的に接続しており、共通金属層３ｃを介して各帯状金属層３ａとも電気的に接続している。また、縁部絶縁領域Ｔによって誘電体フィルム２の金属層３とメタリコン５Ａとは、電気的に絶縁されている。
　図３～図５は、フィルムコンデンサを製造する過程について、模式的に説明した図である。図３～図５においても、図１と同様、平行に形成された各帯状金属層３ａの延びる方向を第１の方向（図示ｘ方向）、共通金属層３ｃが延びる方向（ｘ方向に直交するｙ方向）を第２の方向、第１の方向および第２の方向に直交する、フィルムの積層方向を第３の方向（図示ｚ方向）としている。
　積層型のフィルムコンデンサ１０の作製においては、まず、図３に示すように、フィルムの表面に、ｘ方向に沿って連続する複数の帯状金属層３ａとｙ方向に延びる共通金属層３ｃとを有する誘電体フィルム１および誘電体フィルム２を、複数枚、ｘ方向の向きを交互に逆にしながら、積み重ねる。すなわち、誘電体フィルム１および誘電体フィルム２を、縁部絶縁領域Ｔの平面視位置が１枚おきに重なるよう、ｘ方向（第１の方向）の向きを１枚ごとに１８０°反転させながら積み重ねる。
　なお、先にも述べたように、本実施形態では、誘電体フィルム１と誘電体フィルム２とは、ｘ方向の向きを反転させただけであり、構成は同じであるが、これに限らず、誘電体フィルム１と誘電体フィルム２の構成が異なっていてもよい。例えば、誘電体フィルム１および誘電体フィルム２を、縁部絶縁領域Ｔの平面視位置が１枚おきに重なるように積層した状態で、誘電体フィルム１が、帯状金属層３ａの＋ｙ側の側辺に第３接続金属層３ｂ３が接続される構成であり、誘電体フィルム２が、帯状金属層３ａの＋ｙ側の側辺に第３接続金属層３ｂ３が接続される構成であってもよい。すなわち、誘電体フィルム１と誘電体フィルム２とは、接続金属層３ｂが、第１の方向（ｘ方向）を基準に線対称となるように設けられている点で異なっており、その他の構成は同じであってよい。また、積層する方法としては、長尺の誘電体フィルム１，２を重ねて、円筒または断面多角状の筒に巻き付ける等、従来公知の方法により行うことができる。図３における仮想線（二点鎖線）は、筒等に巻回後の切断線を示す。
　図４は、所定長さに切断後のフィルム積層体４を、切断面（ｙ方向端面）方向から見た図である。この図４に示すように、上下に隣接する誘電体フィルム１と誘電体フィルム２とは、ｘ方向に位置を若干ずらせた状態（オフセットした状態）で積層されているため、フィルム積層体４のｘ方向の両端面には、共通金属層３ｃが露出している。図４に示すように、フィルム積層体４の切断面に露出した帯状金属層３ａは、第２接続金属層３ｂ２が切断されたことで、共通金属層３ｃと接続しておらず、共通金属層３ｃから電気的に絶縁されている。
　なお、実施形態のフィルム積層体４の上面には、金属層３が形成されていないベースフィルム等、フィルム積層体４の保護層となる絶縁層１２が積層されていてもよい。絶縁層１２は省略してもよい。
　つぎに、図５に示すように、先に述べた共通金属層３ｃが露出する、フィルム積層体４のｘ方向の両端面に、それぞれ、金属溶射により第１金属電極および第２金属電極（メタリコン５Ａ，５Ｂ）を形成する。これにより、誘電体フィルム１，２上の各帯状金属層３ａは、メタリコン５Ａ，５Ｂのいずれかに、共通金属層３ｃを介して電気的に接続され、フィルムコンデンサ１０の内部電極として機能するようになる。
　以下では、他の実施形態のフィルムコンデンサについて説明する。他の実施形態は、接続金属層３ｂの構成が、前述の第１実施形態と異なるだけであり、他の構成は共通している。図６Ａおよび図６Ｂは、第２実施形態の接続金属層３ｂを示す。図６に示すように、第２実施形態では、第２接続金属層３ｂ２の幅が、第１接続金属層３ｂ１の幅より大きい。
　第１実施形態の接続金属層３ｂは、帯状金属層３ａに比べて電気抵抗値が高く、ヒューズとしての機能を有している。接続金属層３ｂが長くなるほど、帯状金属層３ａの短絡時に接続金属層３ｂが断線するためのエネルギーが高くなり、より大きな電流が流れなければ断線しなくなる。本実施形態では、第１接続金属層３ｂ１の電気抵抗値が局所的に高くなるので、帯状金属層３ａの短絡時に、第１接続金属層３ｂ１で断線しやすく、接続金属層３ｂのヒューズ機能が向上する。また、本実施形態では、第２接続金属層３ｂ２の幅が、第３接続金属層３ｂ３の幅よりも大きく、第３接続金属層３ｂ３で断線しやすくなり、接続金属層３ｂのヒューズ機能が向上する。図６Ａに示す例では、第２接続金属層３ｂ２の幅が一定である。図６Ｂに示す例では、第２接続金属層３ｂ２の幅が、両端部分より中央部分が大きい。すなわち、第２接続金属層３ｂ２の第１接続金属層３ｂ１に連なる部分と第３接続金属層３ｂ３に連なる部分とは、それぞれ第１接続金属層３ｂ１および第３接続金属層３ｂ３の幅と同じ幅であり、中央部分において、幅が大きくなっている。
　第２実施形態の第２接続金属層３ｂ２は、第１実施形態の第２接続金属層３ｂ２より配線幅が大きくなっている。これにより、第２実施形態のフィルムコンデンサ１０は、第１実施形態に比べて等価直列抵抗（ＥＳＲ）を低くすることができる。ＥＳＲを低くすることで、フィルムコンデンサ１０のリップル電流の許容値を高くすることができる。
　図７は、第３実施形態の接続金属層３ｂを示す。図７に示すように、第３実施形態では、第２接続金属層３ｂ２が、蛇行形状（ミアンダ形状）を有している。第１実施形態では、第２接続金属層３ｂ２が、直線形状であるのに対し、第３実施形態では、蛇行形状である。第３実施形態の接続金属層３ｂは、第２接続金属層３ｂ２を蛇行形状とすることで、第２接続金属層３ｂ２の配線長を確保している。誘電体フィルム１，２において、絶縁破壊が生じ、帯状金属層３ａに過剰な電流が流れた場合でも、第２接続金属層３ｂ２において断線しにくくなり、接続金属層３ｂのヒューズとしての作動を適度に抑えることができる。これにより、ヒューズが過剰に作動して、帯状金属層３ａが共通金属層３ｃから絶縁されてしまい、フィルムコンデンサ１０の静電容量が早期に低下することを抑制することができる。
　以下では、さらに他の実施形態のフィルムコンデンサについて説明する。図８Ａ～図８Ｃは、第４実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図である。本実施形態のフィルムコンデンサ１０は、フィルム積層体４と、第１金属電極５Ａおよび第２金属電極５Ｂと、を含む。フィルム積層体４は、図８Ａに示すような、ベースフィルムの一面に、金属層３を有する誘電体フィルム１または誘電体フィルム２を、複数枚交互に積層して構成される。第１金属電極５Ａおよび第２金属電極５Ｂは、フィルム積層体４の一対の端面のそれぞれに形成され、金属層３に電気的に接続される。
　本実施形態では、金属層３は、櫛歯形状の金属層であって、複数の帯状金属層３ｄと、複数の接続金属層３ｂと、１つの共通金属層３ｃと、を含み、帯状金属層３ｄは、それぞれ接続金属層３ｂを介して共通金属層３ｃに電気的に接続されている。
　各帯状金属層３ｄは、積層後、コンデンサの内部電極となるものである。誘電体フィルム１，２は、積層されたときの向きが反転しているだけで、同じ構成であるが、積層後の向きが分かるよう、図８Ａ、図８Ｃに示すように、各帯状金属層３ｄに、端から順に１Ａ～１Ｌまたは２Ａ～２Ｌの符号を付している。
　また、各図において、互いに平行に形成された各帯状金属層３ｄが延びる方向を、第１の方向と呼ぶとともに、平行な各帯状金属層３ｄの並び方向を第２の方向と呼ぶ。フィルムの積層方向は、第１の方向および第２の方向に直交する、第３の方向（図示ｚ方向）である。なお、第１の方向をｘ方向、第２の方向をｙ方向とそれぞれ呼ぶ場合がある。積層後のフィルム積層体４の詳細は後述する。
　誘電体フィルム１，２の表面の各帯状金属層３ｄは、ベースフィルムに対する金属蒸着により形成される。各帯状金属層３ｄは、第１の方向（ｘ方向）に沿って直線状に延びている。ｙ方向に隣接する帯状金属層３ｄの間には、絶縁マージンＳが露出しており、これにより、各帯状金属層３ｄは、それぞれ電気的に絶縁された状態となっている。そして、各絶縁マージンＳは、第１の方向（ｘ方向）の第１の端部側で、第２の方向（ｙ方向）に連続する縁部絶縁領域Ｔに繋がっている。各絶縁マージンＳの間隔（ピッチＰ）は、各帯状金属層３ｄのｙ方向の幅Ｐ１と各絶縁マージンＳのｙ方向の幅Ｐ２とを合わせた値（Ｐ＝Ｐ１＋Ｐ２）となっている。
　共通金属層３ｃは、誘電体フィルム１，２の縁部絶縁領域Ｔと反対側、すなわち第１の方向の第２の縁部において、第２の方向に延びて設けられている。各帯状金属層３ｄは、絶縁マージンＳによって、それぞれ電気的に絶縁されているが、１つの共通金属層３ｃに接続することで、金属層３全体としては、電気的に接続されている。
　接続金属層３ｂは、帯状金属層３ｄと共通金属層３ｃとを接続し、帯状金属層３ｄごとのヒューズとして機能するものである。例えば、ベースフィルムが絶縁破壊されるなどして帯状金属層３ｄが他の帯状金属層３ｄと短絡し、規定以上の電流が流れたような場合に、接続金属層３ｂが焼き切れることで断線させて、フィルムコンデンサ１０全体の機能が停止しないようにしている。
　図９の接続金属層近傍の拡大平面図に示すように、接続金属層３ｂは、第１接続金属層３ｂ１と、第２接続金属層３ｂ２と、第３接続金属層３ｂ３と、を備える。第１接続金属層３ｂ１は、共通金属層３ｃと直接連なり、共通金属層３ｃから第１の方向に延出されている。第２接続金属層３ｂ２は、第１接続金属層３ｂ１と直接連なり、第１接続金属層３ｂ１から第２の方向に延出されている。第３接続金属層３ｂ３は、第２接続金属層３ｂ２と直接連なり、第２接続金属層３ｂ２から第１の方向に延出されて帯状金属層３ｄと直接連なっている。本実施形態では、第１接続金属層３ｂ１と、第２接続金属層３ｂ２と、第３接続金属層３ｂ３とは、いずれも直線形状を有している。本実施形態の接続金属層３ｂは、第１接続金属層３ｂ１と第３接続金属層３ｂ３とが、第１の方向に平行に延出されており、第２接続金属層３ｂ２が、第２の方向に平行に延出されている。また、本実施形態の接続金属層３ｂは、第１接続金属層３ｂ１の幅と、第２接続金属層３ｂ２の幅と、第３接続金属層３ｂ３の幅とが、同じである。
　フィルムコンデンサ１０の製造時に、フィルム積層体４は、例えば、長尺の積層体を切断して得られる。切断線は、第１の方向（ｘ方向）に平行となるが、帯状金属層３ｄの幅方向において、常に同じ位置になるとは限らない。切断された帯状金属層３ｄは、フィルムコンデンサ１０の第２の方向（ｙ方向）の端面において露出するので、帯状金属層３ｄが、切断後にも共通金属層３ｃと導通された状態であれば、使用時に帯状金属層３ｄに電圧が印加されて端面で放電してしまう。本実施形態のような接続金属層３ｂによって、帯状金属層３ｄと共通金属層３ｃとが接続されている場合、第２接続金属層３ｂ２と切断線とが交差するので、第２接続金属層３ｂ２が切断され、帯状金属層３ｄと共通金属層３ｃとが電気的に絶縁される。
　さらに、第２接続金属層３ｂ２は、第２の方向の長さＬを、帯状金属層３ｄの幅Ｗより大きくすることで、第２接続金属層３ｂ２が確実に切断され、切断後の帯状金属層３ｄが、共通金属層３ｃと確実に電気的に絶縁される。第２の方向の長さＬは、第２接続金属層３ｂ２の第２の方向への投影長さである。すなわち、第２接続金属層３ｂ２の、第１接続金属層３ｂ１と連なる側の端部が、帯状金属層３ｄの幅方向外方に位置し、第２接続金属層３ｂ２の、第３接続金属層３ｂ３と連なる側の端部が、第２の方向において、帯状金属層３ｄの幅方向外方に位置している。第１接続金属層３ｂ１および第３接続金属層３ｂ３もそれぞれ帯状金属層３ｄの幅方向外方に位置している。第３接続金属層３ｂ３は、例えば、第２接続金属層３ｂ２から第１の方向に延出され、帯状金属層３ｄの第１の方向に沿って延びる第１側辺３ｄ１に直接連なっている。
　誘電体フィルム１，２の積層は、図８Ｂに示すように、誘電体フィルム１とそれに図示上下（ｚ方向）に隣接する誘電体フィルム２の、ｘ方向の向きを交互に１８０°反転させながら、積み重ねられる。すなわち、誘電体フィルム１，２は、各誘電体フィルム１，２の一方の端部の縁部絶縁領域Ｔの位置が、ｘ方向において交互に逆になるように積み重ねられ、フィルム積層体４とされる。同様に、各誘電体フィルム１，２の他方の端部の共通金属層３ｃの位置が、ｘ方向において交互に逆になるように積み重ねられている。
　フィルム積層体４のｘ方向の両端面には、金属溶射によりメタリコンが形成されている。例えば、メタリコン５Ａは、誘電体フィルム１の共通金属層３ｃと電気的に接続しており、共通金属層３ｃを介して各帯状金属層３ｄとも電気的に接続している。また、縁部絶縁領域Ｔによって誘電体フィルム１の金属層３とメタリコン５Ｂとは、電気的に絶縁されている。一方、メタリコン５Ｂは、誘電体フィルム２の共通金属層３ｃと電気的に接続しており、共通金属層３ｃを介して各帯状金属層３ｄとも電気的に接続している。また、縁部絶縁領域Ｔによって誘電体フィルム２の金属層３とメタリコン５Ａとは、電気的に絶縁されている。
　第１金属電極５Ａまたは第２金属電極５Ｂとの接続信頼性を向上させるために、共通金属層３ｃは、帯状金属層３ｄおよび接続金属層３ｂより厚さが厚いヘビーエッジ構造とされる。誘電体フィルム１，２の製造において、金属層３は、例えば、蒸着による成膜プロセスで形成される。上記のような構成の接続金属層３ｂを形成するには、接続金属層３ｂと共通金属層３ｃとの間に、比較的幅の小さい非蒸着部分を設ける必要がある。共通金属層３ｃがヘビーエッジ構造である場合、成膜プロセスにおいて、共通金属層３ｃの近傍では、非蒸着部分のマスク（オイルマスク）の形成が不十分となりやすく、非蒸着部分の一部に金属が蒸着するおそれがある。この意図しない金属蒸着によって、第２接続金属層３ｂ２と共通金属層３ｃとが直接接続される箇所（接続箇所）が発生してしまう。上記のように、第２接続金属層３ｂ２と切断線とが交差することで、第２接続金属層３ｂ２が切断され、帯状金属層３ｄと共通金属層３ｃとは、電気的に絶縁されるはずであるが、発生した接続箇所によって帯状金属層３ｄと共通金属層３ｃとが絶縁されず、端面での放電を低減することができない場合がある。
　本実施形態の帯状金属層３ｄは、第３接続金属層３ｂ３が連なる第１側辺３ｄ１の、第３接続金属層３ｂ３が連なる位置より第１の縁部側で開放された第２の方向に延びる第１切り欠き３０を有している。成膜プロセスにおいて、第２接続金属層３ｂ２と共通金属層３ｃとの間に接続箇所が発生していても、第１切り欠き３０と切断線とが交差することで、帯状金属層３ｄと共通金属層３ｃとが電気的に絶縁される。これにより、フィルムコンデンサ１０の端面における放電を低減することができる。さらに、共通金属層３ｃから電気的に絶縁される帯状金属層３ｄ、すなわち、静電容量の損失の原因となる帯状金属層３ｄが、切断された帯状金属層３ｄのみであるので、静電容量の損失が少ないフィルムコンデンサ１０とすることができる。なお、金属層３の形成は、蒸着によるものに限らず、例えば印刷などによるものであっても、接続箇所が発生するおそれがある場合には、第１切り欠き３０によって同様の効果が得られる。
　第１切り欠き３０の深さ（第２の方向の長さ）および幅は、帯状金属層３ｄの大きさなどに応じて適宜設定すればよい。第１切り欠き３０の深さｄ１は、例えば、帯状金属層３ｄの幅Ｗに対する比率（ｄ１／Ｗ）で、０．５～０．９５である。また、第１切り欠き３０の幅ｗ１は、例えば、０．１～０．５ｍｍである。
　図１０～図１２は、本実施形態のフィルムコンデンサを製造する過程について、模式的に説明した図である。図１０～図１２においても、図８と同様、平行に形成された各帯状金属層３ｄの延びる方向を第１の方向（図示ｘ方向）、共通金属層３ｃが延びる方向（ｘ方向に直交する方向）を第２の方向（図示ｙ方向）、第１の方向および第２の方向に直交する、フィルムの積層方向を第３の方向（図示ｚ方向）としている。
　まず、図１０に示すように、フィルムの表面に、ｘ方向に沿って連続する複数の帯状金属層３ｄとｙ方向に延びる共通金属層３ｃとを有する誘電体フィルム１および誘電体フィルム２を、複数枚、ｘ方向の向きを交互に逆にしながら、積み重ねる。すなわち、誘電体フィルム１および誘電体フィルム２を、縁部絶縁領域Ｔの平面視位置が１枚おきに重なるよう、ｘ方向（第１の方向）の向きを１枚ごとに１８０°反転させながら積み重ねる。
　なお、先にも述べたように、本実施形態では、誘電体フィルム１と誘電体フィルム２とは、ｘ方向の向きを反転させただけであり、構成は同じであるが、これに限らず、誘電体フィルム１と誘電体フィルム２の構成が異なっていてもよい。例えば、誘電体フィルム１および誘電体フィルム２を、縁部絶縁領域Ｔの平面視位置が１枚おきに重なるように積層した状態で、誘電体フィルム１が、帯状金属層３ｄの＋ｙ側の側辺に第３接続金属層３ｂ３が接続され、第１切り欠き３０が＋ｙ側で開放される構成であり、誘電体フィルム２が、帯状金属層３ｄの＋ｙ側の側辺に第３接続金属層３ｂ３が接続され、第１切り欠き３０が＋ｙ側で開放される構成であってもよい。すなわち、誘電体フィルム１と誘電体フィルム２とは、接続金属層３ｂおよび第１切り欠き３０が、第１の方向（ｘ方向）を基準に線対称となるように設けられている点で異なっており、その他の構成は同じであってよい。また、積層する方法としては、長尺の誘電体フィルム１，２を重ねて、円筒または断面多角状の筒に巻き付ける等、従来公知の方法により行うことができる。図１０における仮想線（二点鎖線）は、筒等に巻回後の切断線を示す。
　図１１は、所定長さに切断後のフィルム積層体４を、切断面（ｙ方向端面）方向から見た図である。この図１１に示すように、上下に隣接する誘電体フィルム１と誘電体フィルム２とは、ｘ方向に位置を若干ずらせた状態（オフセットした状態）で積層されているため、フィルム積層体４のｘ方向の両端面には、共通金属層３ｃが露出している。図１１に示すように、フィルム積層体４の切断面に露出した帯状金属層３ｄは、第２接続金属層３ｂ２が切断されたことで、共通金属層３ｃと接続しておらず、共通金属層３ｃから電気的に絶縁される。また、成膜プロセスで、第２接続金属層３ｂ２と共通金属層３ｃとの間に接続箇所が発生していたとしても、帯状金属層３ｄの第１切り欠き３０によって、第２接続金属層３ｂ２が、共通金属層３ｃから電気的に絶縁される。
　なお、実施形態のフィルム積層体４の上面には、金属層３が形成されていないベースフィルム等、フィルム積層体４の保護層となる絶縁層１２が積層されていてもよい。絶縁層１２は省略してもよい。
　つぎに、図１２に示すように、先に述べた共通金属層３ｃが露出する、フィルム積層体４のｘ方向の両端面に、それぞれ、金属溶射により第１金属電極および第２金属電極（メタリコン５Ａ，５Ｂ）を形成する。これにより、誘電体フィルム１，２上の各帯状金属層３ｄは、メタリコン５Ａ，５Ｂのいずれかに、共通金属層３ｃを介して電気的に接続され、フィルムコンデンサ１０の内部電極として機能するようになる。
　以下では、さらに他の実施形態のフィルムコンデンサについて説明する。さらに他の実施形態は、接続金属層３ｂの構成が、前述の第４実施形態と異なるだけであり、他の構成は共通している。図１３Ａおよび図１３Ｂは、第５実施形態の接続金属層３ｂ近傍の拡大平面図を示す。図１３に示すように、第５実施形態では、帯状金属層３ｄが、第１切り欠き３０を有しており、第２接続金属層３ｂ２の幅が、第１接続金属層３ｂ１の幅および第３接続金属層３ｂ３の幅より大きい。また、第２接続金属層３ｂ２の長さが、第１接続金属層３ｂ１の長さおよび第３接続金属層３ｂ３の長さより大きい。このような構成の接続金属層３ｂは、第１接続金属層３ｂ１および第３接続金属層３ｂ３において、電気抵抗値が局所的に高くなる。
　本実施形態では、第２実施形態と同様に、第１接続金属層３ｂ１および第３接続金属層３ｂ３の電気抵抗値が局所的に高くなるので、帯状金属層３ｄの短絡時に、第１接続金属層３ｂ１または第３接続金属層３ｂ３で断線しやすく、接続金属層３ｂのヒューズ機能が向上する。図１３Ａに示す例では、第２接続金属層３ｂ２の幅が一定である。図１３Ｂに示す例では、第２接続金属層３ｂ２の幅が、両端部分より中央部分が大きい。すなわち、第２接続金属層３ｂ２の第１接続金属層３ｂ１に連なる部分と第３接続金属層３ｂ３に連なる部分とは、それぞれ第１接続金属層３ｂ１および第３接続金属層３ｂ３の幅と同じ幅であり、中央部分において、幅が大きくなっている。
　本実施形態の接続金属層３ｂは、第２接続金属層３ｂ２の幅を大きくすることで、第４実施形態のフィルムコンデンサ１０に比べて等価直列抵抗値（ＥＳＲ）を低くすることができる。ＥＳＲを低くすることで、フィルムコンデンサ１０のリップル電流の許容値を高くすることができる。
　図１４は、第６実施形態の接続金属層３ｂ近傍の拡大平面図を示す。図１４に示すように、帯状金属層３ｄは、第１側辺３ｄ１と反対側の第２側辺３ｄ２の、第１切り欠き３０より第１の縁部側で開放された第２の方向に延びる第２切り欠き３１をさらに有する。第６実施形態は、第５実施形態に加えて、帯状金属層３ｄが、さらに第２切り欠き３１を有している。第１切り欠き３０は、帯状金属層３ｄの第１側辺３ｄ１で開放されており、第２切り欠き３１は、帯状金属層３ｄの第２側辺３ｄ２で開放されており、第１切り欠き３０と第２切り欠き３１とは、互いに反対向きに切り欠かれている。第２切り欠き３１の深さ（第２の方向の長さ）ｄ２および幅ｗ２は、帯状金属層３ｄの大きさなどに応じて適宜設定すればよく、第１切り欠き３０の深さｄ１および幅ｗ１と同じであってもよい。
　成膜プロセスで、第２接続金属層３ｂ２と共通金属層３ｃとの間であって、第１側辺３ｄ１寄りに、接続箇所が発生した場合、帯状金属層３ｄの第１切り欠き３０によって、第２接続金属層３ｂ２が、共通金属層３ｃから電気的に絶縁される。成膜プロセスでの接続箇所の発生は、第１側辺３ｄ１寄りとは限らず、第２側辺３ｄ２寄りとなる場合もある。その場合には、第２側辺３ｄ２で開放された第２切り欠き３１と切断線とが交差することで、帯状金属層３ｄと共通金属層３ｃとが電気的に絶縁される。本実施形態は、帯状金属層３ｄが互いに反対向きの第１切り欠き３０および第２切り欠き３１を有しているので、接続箇所がどこに発生しても、切断線がどの位置であっても、帯状金属層３ｄと共通金属層３ｃとが電気的に絶縁される。これにより、フィルムコンデンサ１０の端面における放電を低減することができる。さらに、共通金属層３ｃから電気的に絶縁される帯状金属層３ｄが、切断された帯状金属層３ｄのみであるので、静電容量の損失が少ないフィルムコンデンサ１０とすることができる。
　第６実施形態では、第５実施形態に第２切り欠き３１をさらに追加する構成としているが、これに限らず、第４実施形態に第２切り欠き３１をさらに追加する構成であってもよい。
　上記の各実施形態では、フィルム積層体４が、誘電体フィルム１，２を、ｘ方向の向きを交互に反転させながら積層したものであり、誘電体フィルム１と誘電体フィルム２とは、同じ構成であって、向きが異なるというものである。これに限らず、例えば、誘電体フィルム２に代えて、ベースフィルムの一面の、縁部絶縁領域Ｔ以外の領域全体に金属層が設けられた、いわゆるベタパターンの全面金属層を有する誘電体フィルムを用いてもよい。メタリコン５Ａ（第１金属電極）は、誘電体フィルム１の共通金属層３ｃに電気的に接続される。また、メタリコン５Ｂ（第２金属電極）は、誘電体フィルムの全面金属層に電気的に接続される。
　本開示の第７実施形態のフィルムコンデンサについて説明する。図１５は、第７実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、図１５Ａ、図１５Ｂ、（ｂ）は誘電体フィルムの平面図、図１５Ｃはフィルムの積層状態を示す断面模式図である。本実施形態のフィルムコンデンサ１１は、フィルム積層体４の両端面にメタリコン５Ａおよびメタリコン５Ｂが形成されている。フィルム積層体４は、図１５Ａに示すような、ベースフィルムの一面に、第１金属層３を有する誘電体フィルム（第１誘電体フィルム）１と、図１５Ｂに示すような、ベースフィルムの一面に、第２金属層８を有する誘電体フィルム（第２誘電体フィルム）２とを、交互に積層して構成される。本実施形態では、前述の第１～第６実施形態と異なり、誘電体フィルム１の第１金属層３と、誘電体フィルム２の第２金属層８とが異なる構成を有している。
　誘電体フィルム１の第１金属層３は、複数の帯状金属層３ａと、複数の接続金属層３ｂと、２つの共通金属層３ｃと、を含み、帯状金属層３ａは、それぞれ接続金属層３ｂを介して共通金属層３ｃに電気的に接続されている。２つの共通金属層３ｃは、誘電体フィルム１の第１の方向の第１の縁部および第２の縁部において、それぞれ第２の方向に延びて設けられている。２つの共通金属層３ｃの一方はメタリコン５Ａと電気的に接続し、もう一方はメタリコン５Ｂと電気的に接続する。複数の帯状金属層３ａのうち一部は、メタリコン５Ａに接続する共通金属層３ｃと接続し、残りは、メタリコン５Ｂに接続する共通金属層３ｃと接続する。本実施形態では、メタリコン５Ａ側の帯状金属層３ａと、メタリコン５Ｂ側の帯状金属層３ａとの間は、フィルム面が露出しており、電気的に絶縁された状態となっている。この露出したフィルム面は、誘電体フィルム１の第１の方向の中央部において、第２の方向に連続する中央部絶縁領域Ｔｃとなっている。本実施形態の誘電体フィルム１の中央部絶縁領域Ｔｃよりメタリコン５Ａ側と、中央部絶縁領域Ｔｃよりメタリコン５Ｂ側とは、それぞれ第１実施形態の誘電体フィルム１，２と同様の構成である。
　誘電体フィルム２の第２金属層８は、いわゆるベタパターンの１つの面状金属層である。誘電体フィルム２の第１の方向の第１の縁部および第２の縁部には、第２の方向に連続する縁部絶縁領域Ｔが設けられ、この縁部絶縁領域Ｔによって第２金属層８は、メタリコン５Ａおよびメタリコン５Ｂと電気的に絶縁された状態となっている。
　フィルム積層体４は、平面視で第１金属層３の一部と第２金属層８の一部とが重なるように積層されている。このようなフィルム積層体４を備える本実施形態のフィルムコンデンサ１１は、第１金属層３および第２金属層８によって、積層型のフィルムコンデンサが直列接続したシリーズコンデンサとすることができる。フィルムコンデンサ１１は、メタリコン５Ａ側の第１金属層３と第２金属層８とによる積層型コンデンサと、メタリコン５Ｂ側の第１金属層３と第２金属層８とによる積層型コンデンサと、が第２金属層８によって直列接続される。本実施形態のフィルムコンデンサ１１は、シリーズコンデンサとすることで、高耐圧化を実現できる。
　本実施形態では、例えば、平面視で複数の帯状金属層３ａと１つの第２金属層８とが重なっており、第２金属層８は、接続金属層３ｂおよび共通金属層３ｃとは重なっていない。また、第２金属層８は、複数の面状金属層を含んでいてもよく、各面状金属層が、それぞれ平面視で帯状金属層３ａと重なっていればよい。
　本実施形態では、メタリコン５Ａ側の第１金属層３と、メタリコン５Ｂ側の第１金属層３とは、中央部絶縁領域Ｔｃを挟んで線対称の形状となっている。また、接続金属層３ｂは、第１実施形態の接続金属層３ｂと同じ構成を有している。すなわち、接続金属層３ｂは、第１接続金属層と、第２接続金属層と、第３接続金属層と、を備えており、第２接続金属層は、第２の方向の長さＬが、帯状金属層３ａの幅Ｗより大きい。これにより、前述の実施形態と同様にフィルムコンデンサ１１の端面における放電を低減することができ、静電容量の損失が少ないフィルムコンデンサ１１とすることができる。
　図１６は、第８実施形態における誘電体フィルムの平面図である。第８実施形態は、誘電体フィルム１の構成が、第７実施形態と異なるだけであり、誘電体フィルム２など他の構成は共通している。本実施形態の誘電体フィルム１は、メタリコン５Ａ側の第１金属層３と、メタリコン５Ｂ側の第１金属層３とは、回転対称の形状となっている。例えば、メタリコン５Ａ側の第１金属層３を１８０°回転すると、メタリコン５Ｂ側の第１金属層３と同じ形状となる。本実施形態のフィルムコンデンサ１１は、第７実施形態と同様に、シリーズコンデンサとすることで、高耐圧化を実現できる。さらに、フィルムコンデンサ１１の端面における放電を低減することができ、静電容量の損失が少ないフィルムコンデンサ１１とすることができる。
　本開示の第９実施形態のフィルムコンデンサについて説明する。図１７は、第９実施形態のフィルムコンデンサの構成を示す図であり、図１７Ａ、図１７Ｂは誘電体フィルムの平面図、図１７Ｃはフィルムの積層状態を示す断面模式図である。本実施形態のフィルムコンデンサ１１は、フィルム積層体４の両端面にメタリコン５Ａおよびメタリコン５Ｂが形成されている。フィルム積層体４は、図１７Ａに示すような、ベースフィルムの一面に、第１金属層３を有する誘電体フィルム（第１誘電体フィルム）１と、図１７Ｂに示すような、ベースフィルムの一面に、第２金属層８を有する誘電体フィルム（第２誘電体フィルム）２とを、交互に積層して構成される。
　誘電体フィルム１の第１金属層３は、２つの面状金属層３ｅと、２つの共通金属層３ｃと、を含む。２つの共通金属層３ｃは、誘電体フィルム１の第１の方向の第１の縁部および第２の縁部において、それぞれ第２の方向に延びて設けられている。２つの共通金属層３ｃの一方はメタリコン５Ａと電気的に接続し、もう一方はメタリコン５Ｂと電気的に接続する。２つの面状金属層３ｅのうち一方は、メタリコン５Ａに接続する共通金属層３ｃと接続し、もう一方は、メタリコン５Ｂに接続する共通金属層３ｃと接続する。本実施形態では、メタリコン５Ａ側の面状金属層３ｅと、メタリコン５Ｂ側の面状金属層３ｅとの間は、フィルム面が露出しており、電気的に絶縁された状態となっている。この露出したフィルム面は、誘電体フィルム１の第１の方向の中央部において、第２の方向に連続する中央部絶縁領域Ｔｃとなっている。
　誘電体フィルム２の第２金属層８は、複数の帯状金属層８ａと、複数の接続金属層８ｂと、を含む。複数の帯状金属層８ａは、第１の方向に沿って直線状に延びており、第２の方向に並んでいる。複数の帯状金属層８ａのうち一部は、メタリコン５Ａ側に位置し、残りは、メタリコン５Ｂ側に位置する。接続金属層８ｂは、誘電体フィルム２の第１の方向の中央部において、メタリコン５Ａ側に位置する帯状金属層８ａの１つと、メタリコン５Ｂ側に位置する帯状金属層８ａの１つとを電気的に接続する。誘電体フィルム２の第１の方向の第１の縁部および第２の縁部には、第２の方向に連続する縁部絶縁領域Ｔが設けられ、この縁部絶縁領域Ｔによって第２金属層８は、メタリコン５Ａおよびメタリコン５Ｂと電気的に絶縁された状態となっている。
　フィルム積層体４は、平面視で第１金属層３の一部と第２金属層８の一部とが重なるように積層されている。このようなフィルム積層体４を備える本実施形態のフィルムコンデンサ１１は、第７，８実施形態と同様に積層型のフィルムコンデンサが直列接続したシリーズコンデンサとすることができる。本実施形態のフィルムコンデンサ１１は、シリーズコンデンサとすることで、高耐圧化を実現できる。
　本実施形態では、例えば、平面視で面状金属層３ｅと複数の帯状金属層８ａとが重なっており、帯状金属層８ａは、共通金属層３ｃとは重なっていない。また、面状金属層３ｅは、複数の帯状金属層を含んでいてもよく、各帯状金属層が、それぞれ平面視で第２金属層８の帯状金属層８ａと重なっていればよい。
　本実施形態の接続金属層８ｂは、前述の第１実施形態の接続金属層３ｂと同様の構成を有している。すなわち、帯状金属層８ａと直接連なり、帯状金属層８ａから第１の方向に延出されている第１接続金属層と、第１接続金属層と直接連なり、第１接続金属層から第２の方向に延出されている第２接続金属層と、を備える。ここで、第１接続金属層は、メタリコン５Ａ側の帯状金属層８ａと直接連なる第１接続金属層と、メタリコン５Ｂ側の帯状金属層８ａと直接連なる第１接続金属層と、を含む。第２接続金属層は、第２の方向の長さＬが、帯状金属層８ａの幅Ｗより大きい。これにより、前述の実施形態と同様にフィルムコンデンサ１１の端面における放電を低減することができ、静電容量の損失が少ないフィルムコンデンサ１１とすることができる。
　第７，８実施形態の接続金属層３ｂおよび第９実施形態の接続金属層８ｂは、いずれも前述の第２，３実施形態の接続金属層３ｂと同じ構成であってもよい。また、第７，８実施形態においては、メタリコン５Ａ側の帯状金属層３ａと、メタリコン５Ｂ側の帯状金属層３ａとをヒューズによって接続してもよい。ヒューズは、帯状金属層３ａに比べて電気抵抗値が高い金属層を用いることができる。例えば、接続金属層３ｂと同程度の配線幅を有する金属層であってもよい。
　さらに、第７～９実施形態に係るシリーズコンデンサの帯状金属層３ａ，８ａにおいて、第４，５実施形態と同様に第１切り欠き３０を有する構成であってもよく、第６実施形態と同様に第１切り欠き３０および第２切り欠き３１を有する構成であってもよい。
　図１８は、フィルムコンデンサの変形例を示す外観斜視図である。フィルムコンデンサＡは、絶縁性および耐環境性の点から、フィルムコンデンサ１０を外装部材７で被覆したものである。メタリコン５Ａ，５Ｂには、外部接続用のリード線６が設けられている。図１８においては、外装部材７の一部を取り除いた状態を示しており、外装部材７の取り除かれた部分を破線で示している。
　図１９は、連結型コンデンサの構成を模式的に示した斜視図である。図１９においては構成を分かりやすくするために、ケースおよびモールド用の樹脂を省略して記載している。連結型コンデンサＢは、複数個のフィルムコンデンサＡが一対のバスバー２１、２３により並列接続された構成となっている。バスバー２１、２３は、端子部２１ａ、２３ａと、引出端子部２１ｂ、２３ｂと、により構成されている。端子部２１ａ、２３ａは外部接続用であり、引出端子部２１ｂ、２３ｂは、フィルムコンデンサＡの外部電極５Ａ、５Ｂにそれぞれ接続される。
　図２０は、インバータの構成を説明するための概略構成図である。図２０には、整流後の直流から交流を作り出すインバータＣの例を示している。本実施形態のインバータＣは、図２０に示すように、ブリッジ回路３２と、容量部３３を備えている。ブリッジ回路３２は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated　Gate　Bipolar　Transistor）のようなスイッチング素子と、ダイオードにより構成される。容量部３３は、ブリッジ回路３２の入力端子間に配置され、電圧を安定化する。インバータＣは、容量部３３として、上記のフィルムコンデンサ１０，Ａまたは連結型コンデンサＢを含んでよい。
　なお、このインバータＣの入力は、直流電源の電圧を昇圧する昇圧回路３５に接続される場合と、直流電源に接続される場合がある。一方、ブリッジ回路３２は駆動源となるモータジェネレータ（モータＭ）に接続される。
　図２１は、電動車輌の構成を説明するための概略構成図である。図２１には、電動車輌Ｄとしてハイブリッド自動車（ＨＥＶ）の例を示している。
　図２１における電動車輌Ｄは、駆動用のモータ４１、エンジン４３、トランスミッション４５、インバータ４７、電源（電池）４９、前輪５１ａおよび後輪５１ｂを備えている。
　この電動車輌Ｄは、駆動源としてモータ４１またはエンジン４３、もしくはその両方を備えている。駆動源の出力は、トランスミッション４５を介して左右一対の前輪５１ａに伝達される。電源４９は、インバータ４７に接続され、インバータ４７はモータ４１に接続されている。
　また、図２１に示した電動車輌Ｄは、車輌ＥＣＵ５３およびエンジンＥＣＵ５７を備えている。車輌ＥＣＵ５３は電動車輌Ｄ全体の統括的な制御を行う。エンジンＥＣＵ５７は、エンジン４３の回転数を制御し電動車輌Ｄを駆動する。電動車輌Ｄは、さらに運転者等に操作されるイグニッションキー５５、図示しないアクセルペダル、及びブレーキ等の運転装置を備えている。車輌ＥＣＵには、運転者等による運転装置の操作に応じた駆動信号が入力される。この車輌ＥＣＵ５３は、その駆動信号に基づいて指示信号をエンジンＥＣＵ５７、電源４９、および負荷としてのインバータ４７に出力する。エンジンＥＣＵ５７は、指示信号に応答してエンジン４３の回転数を制御し、電動車輌Ｄを駆動する。本実施形態のフィルムコンデンサＡ，１０または連結型コンデンサＢを容量部３３として適用したインバータＣを、図２１に示すような電動車輌Ｄに搭載することができる。
　なお、本実施形態のインバータＣは、上記のハイブリッド自動車（ＨＥＶ）のみならず、電気自動車（ＥＶ）や電動自転車、発電機、太陽電池など種々の電力変換応用製品に適用できる。
　本開示は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本発明の範囲内のものである。
　１，２　誘電体フィルム
　３　金属層（第１金属層）
　３ａ，３ｄ　帯状金属層
　３ｄ１　第１側辺
　３ｄ２　第２側辺
　３ｂ　接続金属層
　３ｂ１　第１接続金属層
　３ｂ２　第２接続金属層
　３ｂ３　第３接続金属層
　３ｃ　共通金属層
　３ｅ　面状金属層
　４　フィルム積層体
　５Ａ，５Ｂ　メタリコン
　８　第２金属層
　８ａ　帯状金属層
　８ｂ　面状金属層
　１０，１１　フィルムコンデンサ
　３０　第１切り欠き
　３１　第２切り欠き
　Ａ　フィルムコンデンサ
　Ｂ　連結型コンデンサ
　Ｃ　インバータ
　Ｄ　電動車輌
　Ｓ　絶縁マージン
　Ｔ　縁部絶縁領域
　Ｔｃ　中央部絶縁領域

Claims (12)

  1. 　一面に金属層が配設され、該一面の第１の方向の第１の縁部に、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続する縁部絶縁領域が設けられた誘電体フィルムが、前記縁部絶縁領域の平面視位置が１枚おきに重なるように複数枚積層された直方体状のフィルム積層体と、
    　前記フィルム積層体の前記第１の方向の一対の端面のそれぞれに形成され、前記金属層に電気的に接続される第１金属電極および第２金属電極と、を含み、
    　前記第１金属電極に電気的に接続される前記金属層は、
    　　前記一面の前記第１の方向の第２の縁部に設けられた、前記第２の方向に延びる共通金属層と、
    　　前記第１の方向に延びて前記共通金属層と電気的に接続される複数の帯状金属層と、
    　　前記共通金属層と前記帯状金属層とを接続する接続金属層と、を有し、
    　前記接続金属層は、
    　　前記共通金属層と直接連なり、前記共通金属層から前記第１の方向に延出されている第１接続金属層と、
    　　前記第１接続金属層と直接連なり、前記第１接続金属層から前記第２の方向に延出されている第２接続金属層と、
    　　前記第２接続金属層と直接連なり、前記第２接続金属層から前記第１の方向に延出されて前記帯状金属層と直接連なる第３接続金属層と、を備え、
    　前記第２接続金属層は、前記第２の方向の長さが、前記帯状金属層の幅より大きい、フィルムコンデンサ。
  2. 　前記第２接続金属層は、蛇行形状を有する、請求項１記載のフィルムコンデンサ。
  3. 　前記第２接続金属層の幅は、前記第１接続金属層および前記第３金属層の幅より大きい、請求項１記載のフィルムコンデンサ。
  4. 　前記帯状金属層は、前記第３接続金属層が連なる第１側辺の、前記第３接続金属層が連なる位置より前記第１の縁部側で開放された前記第２の方向に延びる第１切り欠きを有する、請求項１～３のいずれか１つに記載のフィルムコンデンサ。
  5. 　前記帯状金属層は、前記第１側辺と反対側の第２側辺の、前記第１切り欠きより前記第１の縁部側で開放された前記第２の方向に延びる第２切り欠きをさらに有する、請求項４記載のフィルムコンデンサ。
  6. 　一面に第１金属層が配設され、前記第１金属層が、前記一面の第１の方向の第１の縁部および第２の縁部それぞれに、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続して設けられた共通金属層を有する第１誘電体フィルムと、
    　一面に第２金属層が配設され、該一面の第１の方向の第１の縁部および第２の縁部それぞれに、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続する縁部絶縁領域が設けられた第２誘電体フィルムと、が積層された直方体状のフィルム積層体であって、平面視で前記第１金属層の一部と前記第２金属層の一部とが重なるように積層されたフィルム積層体と、
    　前記フィルム積層体の前記第１の方向の一対の端面のそれぞれに形成され、前記第１金属層に電気的に接続される第１金属電極および第２金属電極と、を含み、
    　前記第１金属層は、
    　　前記第１の方向に延びて前記共通金属層と電気的に接続される複数の帯状金属層と、
    　　前記共通金属層と前記帯状金属層とを接続する接続金属層と、を有し、
    　前記第２金属層は、
    　　前記縁部絶縁領域によって前記第１金属電極および前記第２金属電極と電気的に絶縁された面状金属層であり、
    　前記接続金属層は、
    　　前記共通金属層と直接連なり、前記共通金属層から前記第１の方向に延出されている第１接続金属層と、
    　　前記第１接続金属層と直接連なり、前記第１接続金属層から前記第２の方向に延出されている第２接続金属層と、
    　　前記第２接続金属層と直接連なり、前記第２接続金属層から前記第１の方向に延出されて前記帯状金属層と直接連なる第３接続金属層と、を備え、
    　前記第２接続金属層は、前記第２の方向の長さが、前記帯状金属層の幅より大きい、フィルムコンデンサ。
  7. 　前記帯状金属層は、前記第３接続金属層が連なる第１側辺の、前記第３接続金属層が連なる位置より中央側で開放された前記第２の方向に延びる第１切り欠きを有する、請求項６記載のフィルムコンデンサ。
  8. 　一面に第１金属層が配設され、前記第１金属層が、前記一面の第１の方向の第１の縁部および第２の縁部それぞれに、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続して設けられた共通金属層を有する第１誘電体フィルムと、
    　一面に第２金属層が配設され、該一面の第１の方向の第１の縁部および第２の縁部それぞれに、前記第１の方向に直交する第２の方向に連続する縁部絶縁領域が設けられた第２誘電体フィルムと、が積層された直方体状のフィルム積層体であって、平面視で前記第１金属層の一部と前記第２金属層の一部とが重なるように積層されたフィルム積層体と、
    　前記フィルム積層体の前記第１の方向の一対の端面のそれぞれに形成され、前記第１金属層に電気的に接続される第１金属電極および第２金属電極と、を含み、
    　前記第１金属層は、
    　　前記共通金属層と電気的に接続される面状金属層を有し、
    　前記第２金属層は、
    　　前記第１の方向に延びて、前記縁部絶縁領域によって前記第１金属電極および前記第２金属電極と電気的に絶縁された複数の帯状金属層と、
    　　前記第１の方向に並ぶ前記帯状金属層同士を接続する接続金属層と、を有し、
    　前記接続金属層は、
    　　前記帯状金属層と直接連なり、前記帯状金属層から前記第１の方向に延出されている第１接続金属層と、
    　　前記第１接続金属層と直接連なり、前記第１接続金属層から前記第２の方向に延出されている第２接続金属層と、を備え、
    　前記第２接続金属層は、前記第２の方向の長さが、前記帯状金属層の幅より大きい、フィルムコンデンサ。
  9. 　前記帯状金属層は、前記第１接続金属層が連なる第１側辺の、前記第１接続金属層が連なる位置より外方側で開放された前記第２の方向に延びる第１切り欠きを有する、請求項８記載のフィルムコンデンサ。
  10. 　複数のフィルムコンデンサと、該複数のフィルムコンデンサを接続するバスバーと、を備え、
    　前記複数のフィルムコンデンサが、請求項１～９のいずれか１つに記載のフィルムコンデンサを含む、連結型コンデンサ。
  11. 　スイッチング素子により構成されたブリッジ回路と、該ブリッジ回路に接続された容量部とを備え、
    　前記容量部が、請求項１～９のいずれか１つに記載のフィルムコンデンサを含む、インバータ。
  12. 　電源と、該電源に接続されたインバータと、該インバータに接続されたモータと、該モータにより駆動する車輪と、を備え、
    　前記インバータが、請求項１１に記載のインバータである、電動車輌。
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