JP6189386B2 - 複合圧電横振動共振器 - Google Patents

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Description

関連出願
本願は、「COMPOSITE PIEZOELECTRIC LATERALLY VIBRATING RESONATORS AND FILTERS」について２０１１年８月１９日に出願され、この明細書に引用によって組み込まれる米国仮特許出願番号第６１／５２５，６０７号に関連し、それによる優先権を主張する。
本開示は一般に無線通信システムに関する。より具体的には、本開示は、複合圧電横振動共振器（composite piezoelectric laterally vibrating resonator）のためのシステムおよび方法に関する。
電子デバイス（セルラ電話、無線モデム、コンピュータ、デジタル音楽プレーヤ、グローバルポジショニングシステムユニット、携帯情報端末、ゲーム用デバイスなど）は日常生活の一部になっている。小型コンピューティングデバイスは、今では自動車から住居の錠に至るまでのいずれにも設置されている。電子デバイスの複雑さはここ数年で劇的に増している。例えば、多くの電子デバイスはこのデバイスの制御を助ける１つまたは複数のプロセッサだけでなく、
このデバイスのプロセッサおよび他の部分をサポートするための多数のデジタル回路も有する。
様々な電子回路コンポーネントが、共振器などの電気機械システムレベルで実現できる。いくつかの従来の共振器構造体はあまり望ましくない電気および機械エネルギー変換をもたらす。これらのあまり望ましくない属性は、こうした従来の共振器を広帯域フィルタなどの回路における使用に不向きにしうる。このため、改良された電気および機械エネルギー変換を伴った電気機械システムレベルの共振器が求められている。
共振器が説明される。この共振器は複数の電極を含む。この共振器はまた、第１圧電材料の少なくとも１つの層と、第２圧電材料の少なくとも１つの層とを含む複合圧電材料を含む。少なくとも１つの電極が複合圧電材料の下面に結合される。少なくとも１つの電極が複合圧電材料の上面に結合される。
共振器は横振動微小電気機械システム複合共振器でありうる。第１圧電材料は、第１の品質係数（quality factor）および第１の電気機械結合（electromechanical coupling）を有しうる。第２圧電材料は、第２の品質係数および第２の電気機械結合を有しうる。複合圧電材料は複合品質係数および複合電気機械結合を有しうる。複合品質係数および複合電気機械結合は、複合圧電材料における、第１圧電材料および第２圧電材料間の体積比（volume ratio）に依存しうる。
複合品質係数および複合電気機械結合は代わりに、複合圧電材料における、第１圧電材料の第１層の第１の厚さおよび第２圧電材料の第１層の第２の厚さ間の厚さ比（thickness ratio）に依存しうる。
複合圧電材料は、第１圧電材料の第１層および第２圧電材料の第１層を含みうる。第１圧電材料の第１層は、第２圧電材料の第１層の上面に積層され（stacked）うる。複合圧電材料はまた、第１圧電材料の第２層を含みうる。第２圧電材料の第１層は、第１圧電材料の第２層の上面に積層されうる。複合圧電材料はさらに、第２圧電材料の第２層を含みうる。第１圧電材料の第２層は、第２圧電材料の第２層の上面に積層されうる。
第１圧電材料の第１層は、第２圧電材料の第１層と横並びで積層されうる。第１の電極は、第１圧電材料の第１層および第２圧電材料の第１層の両方の上面に結合されうる。第２の電極は、第１圧電材料の第１層および第２圧電材料の第１層の両方の下面に結合されうる。
第２圧電材料の第１層は代わりに、第１圧電材料の第１層と第１圧電材料の第２層との間に挟持され（sandwiched）うる。第１圧電材料の第２層は、第２圧電材料の第１層と第２圧電材料の第２層との間に挟持されうる。
複合圧電材料は、１つまたは複数の入力電極からの入力信号を機械振動に変換（translate）しうる。機械振動は１つまたは複数の出力電極からの出力信号へ変換されうる。第１圧電材料は窒化アルミニウム（aluminum nitride）で、第２圧電材料は酸化亜鉛（zinc oxide）でありうる。別の構成において、第１圧電材料は窒化アルミニウムで、第２圧電材料はチタン酸ジルコン酸鉛（lead zirconate titanate）でありうる。複合圧電材料は、広帯域フィルタアプリケーションにおける使用のための十分高い複合品質係数および複合電気機械結合を有しうる。
共振器を生成する（generate）ための方法もまた説明される。この共振器のための所望の品質係数が決定される。この共振器のための所望の電気機械結合もまた決定される。第１圧電材料および第２圧電材料がこの共振器における使用のために選択される。これら第１圧電材料および第２圧電材料間の体積比は、これら所望の品質係数および所望の電気機械結合をもつ複合圧電材料を得るために調整される。この共振器はこの複合圧電材料を使用して生成される。
共振器を生成するために構成された装置が説明される。この装置は、この共振器のための所望の品質係数を決定するための手段を含む。この装置はまた、この共振器のための所望の電気機械結合を決定するための手段を含む。この装置はさらに、この共振器における使用のために第１圧電材料および第２圧電材料を選択するための手段を含む。この装置はまた、これら所望の品質係数および所望の電気機械結合を持つ複合圧電材料を得るためにこれら第１圧電材料および第２圧電材料間の体積比を調整するための手段を含む。この装置はさらに、この複合圧電材料を使用してこの共振器を生成するための手段を含む。
共振器を生成するためのコンピュータプログラム製品もまた説明される。このコンピュータプログラム製品は、その上に命令群を有する非一時的コンピュータ読取可能媒体を含む。この命令群は、この共振器のための所望の品質係数を決定することをこの装置にさせるためのコードを含む。この命令群はまた、この共振器のための所望の電気機械結合を決定することをこの装置にさせるためのコードを含む。この命令群はさらに、この共振器における使用のために第１圧電材料および第２圧電材料を選択することをこの装置にさせるためのコードを含む。命令群はまた、これら所望の品質係数および所望の電気機械結合を持つ複合圧電材料を得るためにこれら第１圧電材料および第２圧電材料間の体積比を調整することをこの装置にさせるためのコードを含む。命令群はさらに、この複合圧電材料を使用してこの共振器を生成することをこの装置にさせるためのコードを含む。
横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器を例示するブロック図。 本システムおよび方法における使用のための横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器を例示する図。 ３つの異なる共振器についてのシミュレーション結果のグラフを例示する図。 横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器を生成するための方法の流れ図。 本システムおよび方法における使用のための、別の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器を例示する図。 本システムおよび方法における使用のための、さらに別の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器を例示する図。 圧電材料の３縦並び層を持つ横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器を例示するブロック図。 圧電材料の４横並び層を持つ横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器を例示するブロック図。 電子デバイス／無線デバイス内に含まれうる特定のコンポーネントを例示する図。
詳細な説明
図１は、横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４を例示するブロック図である。電気機械システム共振器デバイスの一例は、輪郭モード共振器（ＣＭＲ：contour mode resonator）である。輪郭モード共振器（ＣＭＲ）は、振動の横方向かつ面内モードを実質的に有する。従って、横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４は、輪郭モード共振器（ＣＭＲ）の一構成でありうる。
一般に、横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４は、複数の導電性電極１０６を、これら電極１０６間に挟持された複合圧電材料１０８と共に含みうる。これら電極１０６は、入力ポートに結合された１つまたは複数の入力電極１０６と、出力ポートに結合された１つまたは複数の出力電極１０６とを含みうる。複数の接地電極（ground electrodes）１０６は入力および出力電極１０６間で櫛形配置（interdigitated）されうる。ここで使用されるように、横振動は、１つの中心周波数のみがウェハ（wafer）ごとに許される、従来の水晶振動子（quartz crystal）および圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：film bulk acoustic wave resonator）技術と対照的に、単一チップマルチ周波数動作を指す。
横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４構造体は、横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４構造体をサポート構造体に結合する、特別に設計されたテザー（tether）を含む空洞に吊るされ（suspended）うる。これらテザーは、共振器１０４構造体の積層内に組み立てられ（fabricated）うる。共振器１０４構造体は、空洞のおかげで周囲の構造サポートおよび他のコンポーネントから音響的に隔離されうる。
多くの異なる種類の電子デバイスが、横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４の恩恵を受けうる。異なる種類のこうしたデバイスは、限定されないが、セルラ電話、無線モデム、コンピュータ、デジタル音楽プレーヤ、グローバルポジショニングシステムユニット、携帯情報端末、ゲーム用デバイスなどを含む。１グループのデバイスは、無線通信システムで使用されうるそれらを含む。ここで使用されるように、「無線通信デバイス」という用語は無線通信ネットワーク上の音声通信および／またはデータ通信のために使用されうる電子デバイスを指す。無線通信デバイスの例は、セルラ電話、ハンドヘルド型（hand-held）無線デバイス、無線モデム、ラップトップ型コンピュータ、パーソナルコンピュータなどを含む。無線通信デバイスは、アクセス端末、移動端末、加入者局、遠隔局、ユーザ端末、端末、加入者ユニット、ユーザ機器、移動局などと代替的に呼ばれうる。
無線通信ネットワークが、基地局によって各々サービス提供されうる多数の無線通信デバイスのために通信を提供してもよい。基地局はアクセスポイント、ノードＢ、または何か他の用語で代替的に呼ばれうる。基地局および無線通信デバイスは横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４を利用するようにしうる。しかしながら、多くの異なる種類の電子デバイスは、記述された無線デバイスに加えて、横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４を利用するようにしうる。
横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４などの輪郭モード共振器（ＣＭＲ）の共振周波数は、複合圧電材料１０８および電極１０６の横寸法（lateral dimensions）を巧みに設計する（engineer）ことによって実質的に制御されうる。こうした構成の１つの恩恵は、マルチ周波数ＲＦフィルタ、クロック発振器（clock oscillators）、トランスデューサ（transducers）、または１つまたは複数の輪郭モード共振器（ＣＭＲ）を各々含む他のデバイスが同一基板上に作られうることにある。これは、単一チップ上のＲＦフロントエンドのアプリケーションのための小型でマルチ帯域のフィルタソリューションを可能にすることによりコストおよびサイズの点で有利でありうる。横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４は、（例えば、長さおよび／または幅１００マイクロメートル（μｍ）の）小型サイズ、低電力消費、および高歩留り大量生産可能なコンポーネンツとの互換性という利点を提供しうる。
通常は、単一圧電材料のみが共振器におい使用される。例えば、単一圧電材料が単一ポートまたは２ポートの横振動共振器において使用されうる。別の例として、単一圧電材料が１ポートの基板上圧電横振動共振器（one-port piezoelectric-on-substrate laterally vibrating resonator）において使用されうる（全てのタイプの電極１０６構成について）。異なる圧電材料がこの単一圧電材料として使用されうる。
一構成において、単一圧電材料は窒化アルミニウム（ＡＩＮ）でありうる。ＡＩＮは、低い動き抵抗（motional resistance）および低いフィルタ挿入損失（filter insertion loss）を結果的にもたらす高い品質係数（Ｑ）１１２を有しうる。しかしながら、ＡＩＮは、限定された電気機械結合（ｋｔ２）１１６を結果的にもたらす限定された横方向圧電係数（limited transverse piezoelectric coefficient）（ｄ３１）１１４を有しうる。従って、横振動ＡＩＮ微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）共振器が広帯域フィルタアプリケーションにとって理想的ではないこともある。
別の構成において、単一圧電材料は酸化亜鉛（ＺｎＯ）またはチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）でありうる。ＺｎＯおよびＰＺＴは、ＡＩＮよりも相対的に大きい横方向圧電係数（ｄ３１）１１４および電気機械結合（ｋｔ２）１１６（特にＰＺＴについて）を有し、広帯域フィルタアプリケーションにおけるこれらの使用をより理想的にする。しかしながら、ＺｎＯおよびＰＺＴは、低い品質係数（Ｑ）１１２を有するため、大きい動き抵抗および大きいフィルタ挿入損失を有する。
１ポートの基板上圧電横振動共振器に関し、単一圧電材料はＺｎＯ、ＡＩＮ、ＰＺＴ、または他の圧電材料で、基板はシリコン、ダイヤモンド、または他の非圧電材料でありうる。共振器本体は主として非圧電基板でよい。従って、有効な複合電気機械結合（ｋｔ２）１１６は小さく、広帯域フィルタアプリケーションには好ましくない。１ポートの基板上圧電横振動共振器は、狭帯域フィルタ（例えば、フラクショナルフィルタ帯域（fractional filter bandwidth）＜１％）のための、高い品質係数（Ｑ）１１２および低い挿入損失を有しうる。
複合圧電材料１０８は、第１圧電材料１１０ａおよび第２圧電材料１１０ｂを含みうる。第１圧電材料１１０ａおよび第２圧電材料１１０ｂは、それぞれ１つまたは複数の層を形成しうる。層は互いに結合されうるか、または（接地電極１０６のような）電極１０６によって分けられうる。第１圧電材料１１０ａおよび第２圧電材料１１０ｂの層に対する異なる構成が使用されうる（異なる電極１０６構成について必要ならば対応する電極１０６層と一緒に）。例えば、第１圧電材料１１０ａの層は、第２圧電材料１１０ｂの層の上面に直接に設置されうる。主な共振器の本体は、複合圧電材料１０８のみでありうる。
一構成において、第１圧電材料１１０ａはＡＩＮで、第２圧電材料１１０ｂはＰＺＴまたはＺｎＯでありうる。しかしながら、ここに記述されない追加の圧電材料が第１圧電材料１１０ａまたは第２圧電材料１１０ｂのいずれかとして使用されることもできる。
第１圧電材料１１０ａは、品質係数（Ｑ）１１２ａ、横方向圧電係数（ｄ３１）１１４ａ、および電気機械結合（ｋｔ２）１１６ａを有しうる。第２圧電材料１１０ｂは、品質係数（Ｑ）１１２ｂ、横方向圧電係数（ｄ３１）１１４ｂ、および電気機械結合（ｋｔ２）１１６ｂを有しうる。複合圧電材料１０８は、複合品質係数（Ｑ）１１８、複合横方向圧電係数（ｄ３１）１２０、および複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２を有しうる。複合品質係数（Ｑ）１１８、複合横方向圧電係数（ｄ３１）１２０、および複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２は、第１圧電材料１１０ａおよび第２圧電材料１１０ｂの体積比１２６および／または厚さ比１２４に基づいて設計されうる。例えば、一構成において、第１圧電材料１１０ａは、ＡＩＮ（高い品質係数（Ｑ）１１２を持つ）で、第２圧電係数１１０ｂは、ＺｎＯ（高い電気機械結合（ｋｔ２）１１６を持つ）でありうる。複合圧電材料１０８は、それで広帯域フィルタアプリケーションのために十分な複合品質係数（Ｑ）１１８、並びに広帯域フィルタアプリケーションのために十分な複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２を有しうる。
複合圧電材料１０８は、１つまたは複数の電極１０６からの（単数または複数の）入力信号を、後で（単数または複数の）出力信号へ変換されうる機械振動に変換できる。これらの機械振動は、横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４の共振周波数でありうる。これら電極１０６のフィンガー幅（finger widths）に基づいて、この構造体の共振周波数(resonant frequencies)が制御されうる。複合圧電材料１０８の変位（displacement）に対する基本周波数(fundamental frequency)は、これら電極１０６および／または複合圧電材料１０８の層の平面寸法によって部分的にリソグラフィで（lithographically）設定されうる。
これら電極１０６間に印加されるＡＣ電界が、複合横方向圧電係数（ｄ３１）１２０または複合縦方向圧電係数（ｄ３３）１２７によって複合圧電材料１０８の１つまたは複数の平面に機械的な歪みを起しうる。横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４の共振周波数では、デバイス中の電気信号が強められ（reinforced）、デバイスが電子共振器回路として振る舞う。
一構成において、横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４の全長分だけ乗じられる全幅は、共振器構造体のインピーダンス（impedance）を制御するように設定されうる。複合圧電材料複合圧電材料１０８の好適な厚さは０．０１から１０マイクロメートル（μｍ）厚でありうる。
複合圧電材料１０８の使用は、単一圧電または基板上圧電の共振器について説明された全ての異なる電極１０６の構成に適用しうる。より多層の圧電材料１１０および金属層を用いることで、他の新規電極１０６構成が展開されることもできる。
横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４は、現存の技術を使用して達成できない同一チップ上に、マルチ帯域／マルチモードの無線通信のために、様々な中心周波数（１０メガヘルツ（ＭＨｚ）からマイクロ波周波数まで）の広帯域フィルタ（フラクショナル帯域（fractional bandwidth）＞３％を持つ）を合成する（synthesize）ために使用できる。複数の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４が異なる中心周波数および（狭いまたは広い）帯域幅で高次の帯域通過フィルタ（high-order bandpass filters）を単一チップ上に合成するために電気的および／または機械的に（例えば、ラダー、格子、または自己結合配列(a ladder, lattice or self-coupling topology)で）結合されうる。異なる励起方式（例えば、厚さ方向電界励起（thickness field excitation）、および横方向電界励起（lateral field excitation））が、横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４における、全て異なる種類の振動モード（幅伸張、長さ伸張、厚さ伸張、ラム波、シアモードなど）を励起する（excite）ために使用されうる。
複合圧電材料１０８において使用される複数の圧電材料１１０は、互いの上面にあるいは横並びで作られうる。加えて、複数の異なる圧電材料１１０を持つ別個の単一圧電共振器が、横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４のための複合圧電材料１０８を得るために、同一チップ上に隣り合わせで（または、横並びでも）作られうる。このため、複数の共振器は、横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４を実現するために、電気的に並列接続されたり機械的に結合されたりしてよい。異なる圧電材料１１０の異なる音響速度（acoustic velocities）により、単一デバイスマルチ周波数動作が複合圧電材料１０８を含む横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４でも設計されうる。
図２は、本システムおよび方法における使用のための横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器２０４を例示する。図２の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器２０４は、図１の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４の一構成でありうる。横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器２０４は、第１圧電材料１１０ａの層２１０ａおよび第２圧電材料１１０ｂの層２１０ｂを含む複合圧電材料２０８を含みうる。第１圧電材料１１０ａの層２１０ａは、第２圧電材料１１０ｂの層２１０ｂの上面の真上にありうる。第１の電極２０６ａは第１圧電材料１１０ａの層２１０ａに結合され、第２の電極２０６ｂは第２圧電材料１１０ｂの層２１０ｂに結合されうる。
図３は、３つの異なる共振器についてのシミュレーション結果のグラフ３２８ａ−ｃを例示する。各グラフでは、アドミタンス（デシベル（ｄＢ）での）の大きさが周波数（ギガヘルツ（ＧＨｚ）での）に対して描かれている。第１のグラフ３２８ａは、単一圧電材料１１０として使用されたＡＩＮを用いた共振器についてのシミュレーション結果を例示する。第２のグラフ３２８ｂは、単一圧電材料１１０として使用されたＺｎＯを用いた共振器についてのシミュレーション結果を例示する。第３のグラフ３２８ｃは、第１圧電材料１１０ａとして使用されたＡＩＮ、および第２圧電材料１１０ｂとしてのＺｎＯを用いた横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４についてのシミュレーション結果を例示する。
第１のグラフ３２８ａでは、共振周波数ｆｓが２ＧＨｚであり、品質係数（Ｑ）１１２が２０００であり、電気機械結合（ｋｔ２）１１６が３％である。第２のグラフ３２８ｂでは、共振周波数ｆｓが２ＧＨｚであり、品質係数（Ｑ）１１２が５００であり、電気機械結合（ｋｔ２）１１６が８％である。このため、単一圧電材料１１０として使用されるＡＩＮを持つ共振器が高い品質係数（Ｑ）１１２と低い電気機械結合（ｋｔ２）１１６を有するのに対し、単一圧電材料１１０として使用されたＺｎＯを持つ共振器が低い品質係数（Ｑ）１１２と高い電気機械結合（ｋｔ２）１１６を有する。ＡＩＮの層およびＺｎＯの層を使用する横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４を設計することによって、２ＧＨｚの共振周波数、１５００の複合品質係数（Ｑ）１１８、および５．４％の複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２が達成されうる。このため、横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４は高い複合品質係数（Ｑ）１１８という観点でＡＩＮ共振器の利点を有し、高い複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２という観点でＺｎＯ共振器の利点を有する。
図４は、横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４を生成するための方法４００の流れ図である。方法４００は、技術者、技師、またはコンピュータによって行われうる。一構成において、方法４００は組立機械によって行われうる。
横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４のための所望の品質係数（Ｑ）（すなわち、複合品質係数（Ｑ）１１８）が決定されうる４０２。横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４のための所望の電気機械結合（ｋｔ２）（複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２）もまた決定されうる４０４。第１圧電材料１１０ａおよび第２圧電材料１１０ｂが横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４のために選択されうる４０６。所望の品質係数（Ｑ）および所望の電気機械結合（ｋｔ２）をもつ複合圧電材料１０８を得るために、第１圧電材料１１０ａおよび第２圧電材料１１０ｂ間の厚さ比１２４（または体積比１２６）が調整されうる４０８。横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４は、この後複合圧電材料１０８を使用して生成されうる４１０。
図５は、本システムおよび方法における使用のための、別の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器５０４を例示する。図５の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器５０４は、図１の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４の一構成でありうる。横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器５０４は、第１圧電材料１１０ａ（ＺｎＯまたはＰＺＴ）の層５１０ａおよび第２圧電材料１１０ｂ（ＡＩＮ）の層５１０ｂを含む複合圧電材料５０８を含みうる。
第１圧電材料１１０ａの層５１０ａは、接地（ＧＮＤ）層により第２圧電材料１１０ｂの層５１０ｂに結合されうる。複数の入力および出力電極５０６ａ−ｄは、第１圧電材料１１０ａの層５１０ａに結合されうる。複数の入力および出力電極５０６ｅ−ｈもまた、第２圧電材料１１０ｂの層５１０ｂに結合されうる。
第１圧電材料１１０ａの層５１０ａは、Ｔ１ ５３０ａの厚さを有し、第２圧電材料１１０ｂの層５１０ｂはＴ２ ５３０ｂの厚さを有しうる。厚さＴ１ ５３０ａおよび厚さＴ２ ５３０ｂ間の比１２４を調整することによって、複合圧電材料５０８の複合品質係数（Ｑ）１１８および複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２が調整されうる。例えば、第１圧電材料１１０ａが高い品質係数（Ｑ）１１２ａであるが低い電気機械結合（ｋｔ２）１１６を有し、かつより高い複合品質係数（Ｑ）１１８が（複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２を犠牲にして）望まれる場合には、厚さＴ１ ５３０ａが厚さＴ２ ５３０ｂに対して増加されうる。
図６は、本システムおよび方法における使用のための、さらに別の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器６０４を例示する。図６の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器６０４は、図１の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４の一構成でありうる。横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器６０４は、第１圧電材料１１０ａ（ＡＩＮ）の層６１０ａおよび第２圧電材料１１０ｂ（ＺｎＯまたはＰＺＴ）の層６１０ｂを含む複合圧電材料６０８を含みうる。
第１圧電材料１１０ａの層６１０ａは第２圧電材料１１０ｂの層６１０ｂに結合されうる。第１の電極６０６ａは第１圧電材料１１０ａの層６１０ａに結合され、第２の電極６０６ｂは第２圧電材料１１０ｂの層６１０ｂに結合されうる。
第１圧電材料１１０ａは第１の体積を有し、第２圧電材料１１０ｂは第２の体積を有しうる。第１の体積および第２の体積間の比１２６を調整することによって、複合圧電材料６０８の複合品質係数（Ｑ）１１８および複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２が調整されうる。例えば、第１圧電材料１１０ａが高い品質係数（Ｑ）１１２ａであるが低い電気機械結合（ｋｔ２）１１６ａを有し、かつより高い複合品質係数（Ｑ）１１８が（複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２を犠牲にして）望まれる場合には、第１の体積が第２の体積に対して増加されうる。
図７は、圧電材料１１０の３縦並び層７１０ａ−ｃを持つ横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器７０４を例示するブロック図である。図７の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器７０４は、図１の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４の一構成でありうる。横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器７０４は、第１圧電材料１１０ａの第１層７１０ａ、第２圧電材料１１０ｂの層７１０ｂ、および第１圧電材料１１０ａの第２層７１０ｃを含む複合圧電材料７０８を含みうる。第２圧電材料１１０ｂの層７１０ｂは、第１圧電材料１１０ａの第１層７１０ａと第１圧電材料１１０ａの第２層７１０ｃとの間に挟持されうる（すなわち、第１圧電材料１１０ａの第１層７１０ａが第２圧電材料１１０ｂの層７１０ｂの真上にあり、第１圧電材料１１０ａの第２層７１０ｃが第２圧電材料１１０ｂの層７１０ｂの真下にありうる）。第１の電極７０６ａは第１圧電材料１１０ａの第１層７１０ａに結合されうる。第２の電極７０６ｂは第１圧電材料１１０ａの第２層７１０ｃに結合されうる。
第１圧電材料１１０ａは第１の体積（第１圧電材料１１０ａの第１層７１０ａおよび第１圧電材料１１０ａの第２層７１０ｃの両方による）を有し、第２圧電材料１１０ｂは第２の体積（第２圧電材料１１０ｂの層７１０ｂによる）を有しうる。第１の体積および第２の体積間の比１２６を調整することによって、複合圧電材料７０８の複合品質係数（Ｑ）１１８および複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２が調整されうる。例えば、第１圧電材料１１０ａが高い品質係数（Ｑ）１１２ａであるが低い電気機械結合（ｋｔ２）１１６ａを有し、かつより高い複合品質係数（Ｑ）１１８が（複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２を犠牲にして）望まれる場合には、第１の体積が第２の体積に対して増加されうる。
図８は、圧電材料１１０の４横並び層８１０ａ−ｄを持つ横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器８０４を例示するブロック図である。図８の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器８０４は、図１の横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器１０４の一構成でありうる。横振動微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）複合共振器８０４は、第１圧電材料１１０ａおよび第２圧電材料１１０ｂを含む複合圧電材料８０８を含みうる。
一構成において、複合圧電材料８０８は、第１圧電材料の第１層８１０ａ、第２圧電材料の第１層８１０ｂ、第１圧電材料の第２層８１０ｃ、および第２圧電材料の第２層８１０ｄを含みうる。第２圧電材料の第１層８１０ｂは、第１圧電材料の第１層８１０ａと第１圧電材料の第２層８１０ｃとの間に挟持されうる。第１圧電材料の第２層８１０ｃは、第２圧電材料の第１層８１０ｂと第２圧電材料の第２層８１０ｄとの間に挟持されうる。
第１の電極８０６ａは、第１圧電材料の第１層８１０ａ、第２圧電材料の第１層８１０ｂ、第１圧電材料の第２層８１０ｃ、および第２圧電材料の第２層８１０ｄの上面に結合されうる。第２の電極８０６ｂは、第１圧電材料の第１層８１０ａ、第２圧電材料の第１層８１０ｂ、第１圧電材料の第２層８１０ｃ、および第２圧電材料の第２層８１０ｄの下面に結合されうる。
第１圧電材料１１０ａは、（第１圧電材料の第１層８１０ａおよび第１圧電材料の第２層８１０ｃの両方による）第１の体積を有し、第２圧電材料１１０ｂは、第２の体積（第２圧電材料の第１層８１０ｃおよび第２圧電材料の第２層８１０ｄの両方による）を有しうる。第１の体積および第２の体積間の比１２６を調整することによって、複合圧電材料８０８の複合品質係数（Ｑ）１１８および複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２が調整されうる。例えば、第１圧電材料１１０ａが高い電気機械結合（ｋｔ２）１１６ａであるが低い品質係数（Ｑ）１１２ａを有し、かつより高い複合電気機械結合（ｋｔ２）１２２が（複合品質係数（Ｑ）１１８を犠牲にして）望まれる場合には、第１の体積が第２の体積に対して増加されうる。
図９は、電子デバイス／無線デバイス９０２内に含まれうる特定のコンポーネントを例示する。電子デバイス／無線デバイス９０２は、アクセス端末、移動局、無線通信デバイス、基地局、ノードＢ、ハンドヘルド型電子デバイスなどでありうる。電子デバイス／無線デバイス９０２はプロセッサ９０３を含む。プロセッサ９０３は、汎用単一チップのマイクロプロセッサまたは汎用マルチチップのマイクロプロセッサ（例えば、ＡＲＭ）、特定用途マイクロプロセッサ（例えば、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ））、マイクロコントローラ、プログラマブルゲートアレイなどでありうる。プロセッサ９０３は中央処理装置（ＣＰＵ）と呼ばれうる。単一のプロセッサ９０３のみが、図９の電子デバイス／無線デバイス９０２で示されているが、代替的な構成では、プロセッサの組み合わせ（例えば、ＡＲＭおよびＤＳＰ）が使用されうる。
電子デバイス／無線デバイス９０２はまたメモリ９０５を含む。メモリ９０５は、電子情報を格納できるあらゆる電子コンポーネントでありうる。メモリ９０５は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取専用メモリ（ＲＯＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光学記憶媒体、ＲＡＭにおけるフラッシュメモリデバイス、プロセッサと共に含まれるオンボードメモリ、ＥＰＲＯＭメモリ、ＥＥＰＲＯＭ（登録商標）メモリ、レジスタ、およびそれらの組み合わせを含むものなどとして実施されうる。
データ９０９aおよび命令群９０７aは、メモリ９０５に格納されうる。命令群９０７ａは、ここに開示される方法を実現するためにプロセッサ９０３によって実行可能でありうる。命令群９０７ａを実行することは、メモリ９０５に格納されるデータ９０９ａの使用を伴いうる。プロセッサ９０３が命令群９０７ａを実行するとき、命令群９０７ｂの様々な部分がプロセッサ９０３にロードされ、データ９０９ｂの様々な部分がプロセッサ９０３にロードされうる。
電子デバイス／無線デバイス９０２はまた、電子デバイス／無線デバイス９０２への信号の送信、および電子デバイス／無線デバイス９０２からの信号の受信を許可するために、送信機９１１および受信機９１３を含みうる。送信機９１１および受信機９１３はまとめてトランシーバ９１５と呼ばれうる。アンテナ９１７はトランシーバ９１５に電気的に結合されうる。電子デバイス／無線デバイス９０２はまた、（図示されない）複数の送信機、複数の受信機、複数のトランシーバ、および/または複数のアンテナを含みうる。
電子デバイス／無線デバイス９０２は、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）９２１を含みうる。電子デバイス／無線デバイス９０２はまた、通信インターフェース９２３を含みうる。通信インターフェース９２３は、ユーザが電子デバイス／無線デバイス９０２と対話する（interact）ことを許可しうる。
電子デバイス／無線デバイス９０２の様々なコンポーネントは、電力バス、制御信号バス、ステータス信号バス、データバスなどを含みうる１つまたは複数のバスによって共に結合されうる。明確さのために、様々なバスが、バスシステム９１９として、図９に例示される。
ここに説明される技法は、直交多重方式に基づく通信システムを含む様々な通信システムのために使用されうる。このような通信システムの例は、直交周波数分割多元接続（ＯＦＤＭＡ）システム、単一キャリア周波数分割多元接続（ＳＣ−ＦＤＭＡ）システムなどを含む。ＯＦＤＭＡシステムは、システム全体の帯域幅を多重直交サブキャリアに分割する変調技法である、直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）を利用する。これらのサブキャリアはまた、トーン、ビンなどと呼ばれうる。ＯＦＤＭにより、各サブキャリアはデータを用いて別々に変調されうる。ＳＣ−ＦＤＭＡシステムは、システム帯域幅にわたって分散されるサブキャリア上で送信するためにインターリーブされたＦＤＭＡ（ＩＦＤＭＡ）を利用し、隣接したサブキャリアのブロック上で送信するために局所化されたＦＤＭＡ（ＬＦＤＭＡ）を利用し、または、隣接したサブキャリアの複数のブロック上で送信するために拡張されたＦＤＭＡ（ＥＦＤＭＡ）を利用しうる。一般的に、変調シンボルは、周波数ドメインにおいてＯＦＤＭで送られ、時間ドメインにおいてＳＣ−ＦＤＭＡで送られる。
「決定する」という用語は、多種多様なアクションを包含するため、「決定する」ことは、計算すること、演算すること、処理すること、導出すること、調査すること、調べること（例えば、表、データベース、または別のデータ構造を調べること）、確認することなどを含むことができる。また、「決定する」ことは、受信すること（例えば、情報を受信すること）、アクセスすること（例えば、メモリ内のデータにアクセスすること）などを含みことができる。また、「決定する」ことは、解決すること、選択すること、選ぶこと、確立することなどを含むことができる。
「に基づく」というフレーズは、そうではないと明確に指定されていない限りは、「のみに基づく」ことを意味するわけではない。言い換えると、「に基づく」というフレーズは、「のみに基づく」および「に少なくとも基づく」の両方を説明する。
「プロセッサ」という用語は、汎用プロセッサ、中央処理装置（ＣＰＵ）、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、コントローラ、マイクロコントローラ、ステートマシンなどを包含するように広く解釈されるべきである。いくつかの状況では、「プロセッサ」は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラマブル論理デバイス（ＰＬＤ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）などを指しうる。「プロセッサ」という用語は、処理デバイスの組み合わせ、例えば、ＤＳＰとマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連結した１つまたは複数のマイクロプロセッサ、または、何か他のそのような構成を指しうる。
「メモリ」という用語は、電子情報を格納できるあらゆる電子コンポーネントを包含するように広く解釈されるべきである。メモリという用語は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取専用メモリ（ＲＯＭ）、不揮発性ランダムアクセスメモリ（ＮＶＲＡＭ）、プログラマブル読取専用メモリ（ＰＲＯＭ）、消去可能なプログラマブル読取専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能なＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、フラッシュメモリ、磁気または光学データ記憶装置、レジスタなどのような、様々なタイプのプロセッサ読取可能媒体を指しうる。メモリは、プロセッサが、メモリから情報を読み取る、および/または、メモリに情報を書き込むことができる場合に、プロセッサと電子通信していると言われる。プロセッサに不可欠なメモリは、このプロセッサと電子通信している。
「命令群」および「コード」という用語は、あらゆるタイプの（単数または複数の）コンピュータ読取可能ステートメントを含むように広く解釈されるべきである。例えば、「命令群」および「コード」という用語は、１つまたは複数のプログラム、ルーチン、サブルーチン、機能、手順などを指しうる。「命令群」および「コード」は、単一のコンピュータ読取可能ステートメントまたは多くのコンピュータ読取可能ステートメントを備えうる。
ここで説明される機能は、ハードウェアによって実行されているソフトウェアまたはファームウェアにおいてインプリメントされうる。機能は、コンピュータ読取可能媒体上に、１つまたは複数の命令として格納されうる。「コンピュータ読取可能媒体」または「コンピュータプログラム製品」という用語は、コンピュータまたはプロセッサによってアクセスされうるあらゆる有形記憶媒体を指す。限定されない例として、コンピュータ読取可能媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ、または他の光学ディスク記憶装置、磁気ディスク記憶装置あるいは他の磁気記憶デバイス、または、命令群あるいはデータ構造の形態で所望のプログラムコードを搬送あるいは格納するために使用されることができ、かつコンピュータによってアクセスされうるあらゆる他の媒体を含みうる。ここで使用されるようなディスク（ｄｉｓｋおよびｄｉｓｃ）は、コンパクトディスク（ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）、光ディスク、デジタル汎用ディスク（ＤＶＤ）、フロッピー（登録商標）ディスク、およびブルーレイ（登録商標）ディスクを含むが、一般的には、ディスク（ｄｉｓｋ）はデータを磁気的に再生する一方で、ディスク（ｄｉｓｃ）はデータをレーザを用いて光学的に再生する。コンピュータ読取可能媒体は、有形および非一時的でありうることに留意されたい。「コンピュータプログラム製品」という用語は、コンピューティングデバイスまたはプロセッサによって実行、処理、または演算されうるコードまたは命令群（例えば、「プログラム」）と組み合わせたコンピューティングデバイスまたはプロセッサを指す。ここで使用されるように、「コード」という用語は、コンピューティングデバイスまたはプロセッサによって実行可能であるソフトウェア、命令群、コード、またはデータを指しうる。
ここに開示された方法は、説明された方法を達成するための１つまたは複数のステップまたはアクションを備える。方法のステップおよび／またはアクションは、本願の特許請求の範囲から逸脱することなく、互いに置き換えられうる。言い換えると、ステップまたはアクションの特定の順序が、説明されている方法の適切な動作のために必要とされない限り、特定のステップおよび／またはアクションの順序および／または使用が、特許請求の範囲から逸脱することなく変形できる。
さらに、図４によって例示されたもののような、ここに説明された方法および技法を実施するためのモジュールおよび／または他の適切な手段は、ダウンロードされ、および／または、さもなければデバイスによって取得されうると認識されるべきである。例えば、デバイスは、ここに説明された方法を実施するための手段の転送を容易にするためにサーバに結合されうる。代替的に、ここに説明された様々な方法は、デバイスが、記憶手段をそのデバイスに結合または提供する際に様々な方法を取得できるように、記憶手段（例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取専用メモリ（ＲＯＭ）、コンパクトディスク（ＣＤ）またはフロッピーディスクのような物理記憶媒体、など）を介して提供されうる。
本願の特許請求の範囲が、上記に例示されたまさにその構成およびコンポーネントに限定されないことが理解されるべきである。様々な修正、変更、および、バリエーションが、ここに説明されたシステム、方法、および装置の、配置、動作、および詳細において、特許請求の範囲から逸脱することなく行われうる。
以下に本願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[Ｃ１] 複数の電極と、
第１圧電材料の少なくとも１つの層、および第２圧電材料の少なくとも１つの層を備える複合圧電材料と、ここにおいて、少なくとも１つの電極が前記複合圧電材料の下面に結合され、少なくとも１つの電極が前記複合圧電材料の上面に結合される、
を備える、共振器。
[Ｃ２] 前記共振器が横振動微小電気機械システム複合共振器である、Ｃ１に記載の共振器。
[Ｃ３] 前記第１圧電材料が第１の品質係数および第１の電気機械結合を備え、前記第２圧電材料が第２の品質係数および第２の電気機械結合を備える、Ｃ１に記載の共振器。
[Ｃ４] 前記複合圧電材料が複合品質係数および複合電気機械結合を備え、前記複合品質係数および前記複合電気機械結合が、前記複合圧電材料における、前記第１圧電材料および前記第２圧電材料間の体積比に依存する、Ｃ３に記載の共振器。
[Ｃ５] 前記複合圧電材料が複合品質係数および複合電気機械結合を備え、前記複合品質係数および前記複合電気機械結合は、前記複合圧電材料における、前記第１圧電材料の第１層の第１の厚さおよび前記第２圧電材料の第１層の第２の厚さ間の厚さ比に依存する、Ｃ３に記載の共振器。
[Ｃ６] 前記複合圧電材料が、
前記第１圧電材料の第１層と、
前記第２圧電材料の第１層と
を備える、Ｃ１に記載の共振器。
[Ｃ７] 前記第１圧電材料の前記第１層が前記第２圧電材料の前記第１層の上面に積層される、Ｃ６に記載の共振器。
[Ｃ８] 前記複合圧電材料がさらに前記第１圧電材料の第２層を備え、前記第２圧電材料の前記第１層が前記第１圧電材料の前記第２層の上面に積層される、Ｃ７に記載の共振器。
[Ｃ９] 前記複合圧電材料がさらに前記第２圧電材料の第２層を備え、前記第１圧電材料の前記第２層が前記第２圧電材料の前記第２層の上面に積層される、Ｃ８に記載の共振器。
[Ｃ１０] 前記第１圧電材料の前記第１層が前記第２圧電材料の前記第１層と横並びで積層され、第１の電極が前記第１圧電材料の前記第１層および前記第２圧電材料の前記第１層の両方の上面に結合され、第２の電極が前記第１圧電材料の前記第１層および前記第２圧電材料の前記第１層の両方の下面に結合される、Ｃ６に記載の共振器。
[Ｃ１１] 前記複合圧電材料がさらに前記第１圧電材料の第２層を備え、前記第２圧電材料の前記第１層が前記第１圧電材料の前記第１層と前記第１圧電材料の前記第２層との間に挟持される、Ｃ１０に記載の共振器。
[Ｃ１２] 前記複合圧電材料がさらに前記第２圧電材料の第２層を備え、前記第１圧電材料の前記第２層が前記第２圧電材料の前記第１層と前記第２圧電材料の前記第２層との間に挟持される、Ｃ１１に記載の共振器。
[Ｃ１３] 前記複合圧電材料が１つまたは複数の入力電極からの入力信号を機械振動に変換し、前記機械振動が１つまたは複数の出力電極から出力信号へ変換される、Ｃ１に記載の共振器。
[Ｃ１４] 前記第１圧電材料が窒化アルミニウムであり、前記第２圧電材料が酸化亜鉛である、Ｃ１に記載の共振器。
[Ｃ１５] 前記第１圧電材料が窒化アルミニウムであり、前記第２圧電材料がチタン酸ジルコン酸鉛である、Ｃ１に記載の共振器。
[Ｃ１６] 前記複合圧電材料が、広帯域フィルタアプリケーションにおける使用のための十分高い複合品質係数および複合電気機械結合を有する、Ｃ１に記載の共振器。
[Ｃ１７] 共振器を生成するための方法であって、
前記共振器のための所望の品質係数を決定することと、
前記共振器のための所望の電気機械結合を決定することと、
前記共振器における使用のために第１圧電材料および第２圧電材料を選択することと、
前記所望の品質係数および前記所望の電気機械結合を持つ複合圧電材料を得るために、前記第１圧電材料および前記第２圧電材料間の体積比を調整することと、
前記複合圧電材料を使用して前記共振器を生成することと
を備える、方法。
[Ｃ１８] 前記共振器が、
複数の電極と、
前記複合圧電材料と、ここにおいて、少なくとも１つの電極が前記複合圧電材料の下面に結合され、少なくとも１つの電極が前記複合圧電材料の上面に結合される、
を備える、Ｃ１７に記載の方法。
[Ｃ１９] 前記共振器が横振動微小電気機械システム複合共振器である、Ｃ１８に記載の方法。
[Ｃ２０] 前記第１圧電材料が第１の品質係数および第１の電気機械結合を備え、前記第２圧電材料が第２の品質係数および第２の電気機械結合を備える、Ｃ１８に記載の方法。
[Ｃ２１] 前記複合圧電材料が複合品質係数および複合電気機械結合を備え、前記複合品質係数および前記複合電気機械結合が、前記複合圧電材料における、前記第１圧電材料および前記第２圧電材料間の体積比に依存する、Ｃ２０に記載の方法。
[Ｃ２２] 前記複合圧電材料が、
前記第１圧電材料の第１層と、
前記第２圧電材料の第１層と
を備える、Ｃ１８に記載の方法。
[Ｃ２３] 前記第１圧電材料の前記第１層が前記第２圧電材料の前記第１層の上面に積層される、Ｃ２２に記載の方法。
[Ｃ２４] 前記複合圧電材料がさらに前記第１圧電材料の第２層を備え、前記第２圧電材料の前記第１層が前記第１圧電材料の前記第２層の上面に積層される、Ｃ２３に記載の方法。
[Ｃ２５] 前記複合圧電材料がさらに前記第２圧電材料の第２層を備え、前記第１圧電材料の前記第２層が前記第２圧電材料の前記第２層の上面に積層される、Ｃ２４に記載の方法。
[Ｃ２６] 前記第１圧電材料の前記第１層が前記第２圧電材料の前記第１層と横並びで積層され、第１の電極が、前記第１圧電材料の前記第１層および前記第２圧電材料の前記第１層の両方の上面に結合され、第２の電極が、前記第１圧電材料の前記第１層および前記第２圧電材料の前記第１層の両方の下面に結合される、Ｃ２３に記載の方法。
[Ｃ２７] 前記複合圧電材料がさらに前記第１圧電材料の第２層を備え、前記第２圧電材料の前記第１層が前記第１圧電材料の前記第１層と前記第１圧電材料の前記第２層との間に挟持される、Ｃ２６に記載の方法。
[Ｃ２８] 前記複合圧電材料がさらに前記第２圧電材料の第２層を備え、前記第１圧電材料の前記第２層が前記第２圧電材料の前記第１層と前記第２圧電材料の前記第２層との間に挟持される、Ｃ２７に記載の方法。
[Ｃ２９] 前記複合圧電材料が１つまたは複数の入力電極からの入力信号を機械振動に変換し、前記機械振動が１つまたは複数の出力電極から出力信号へ変換される、Ｃ１８に記載の方法。
[Ｃ３０] 前記第１圧電材料が窒化アルミニウムであり、前記第２圧電材料が酸化亜鉛である、Ｃ１８に記載の方法。
[Ｃ３１] 前記第１圧電材料が窒化アルミニウムであり、前記第２圧電材料がチタン酸ジルコン酸鉛である、Ｃ１８に記載の方法。
[Ｃ３２] 前記複合圧電材料が、広帯域フィルタアプリケーションにおける使用のための十分高い複合品質係数および複合電気機械結合を有する、Ｃ１８に記載の方法。
[Ｃ３３] 共振器を生成するために構成された装置であって、
前記共振器のための所望の品質係数を決定するための手段と、
前記共振器のための所望の電気機械結合を決定するための手段と、
前記共振器における使用のために第１圧電材料および第２圧電材料を選択するための手段と、
前記所望の品質係数および前記所望の電気機械結合を持つ複合圧電材料を得るために、前記第１圧電材料および前記第２圧電材料間の体積比を調整するための手段と、
前記複合圧電材料を使用して前記共振器を生成するための手段と
を備える、装置。
[Ｃ３４] 前記共振器が、
複数の電極と、
前記複合圧電材料と、ここにおいて、少なくとも１つの電極が前記複合圧電材料の下面に結合され、少なくとも１つの電極が前記複合圧電材料の上面に結合される、Ｃ３３に記載の装置。
[Ｃ３５] 前記共振器が横振動微小電気機械システム複合共振器である、Ｃ３４に記載の装置。
[Ｃ３６] 共振器を生成するためのコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータプログラム製品が命令群を上に有する非一時的なコンピュータ読取可能媒体を備え、前記命令群が、
前記共振器のための所望の品質係数を決定することを装置にさせるためのコードと、
前記共振器のための所望の電気機械結合を決定することを前記装置にさせるためのコードと、
前記共振器における使用のために第１圧電材料および第２圧電材料を選択することを前記装置にさせるためのコードと、
前記所望の品質係数および前記所望の電気機械結合を持つ複合圧電材料を得るために、前記第１圧電材料および前記第２圧電材料間の体積比を調整することを前記装置にさせるためのコードと、
前記複合圧電材料を使用して前記共振器を生成することを前記装置にさせるためのコードと
を備える、コンピュータプログラム製品。
[Ｃ３７] 前記共振器が、
複数の電極と、
前記複合圧電材料と、ここにおいて、少なくとも１つの電極が前記複合圧電材料の下面に結合され、少なくとも１つの電極が前記複合圧電材料の上面に結合される、Ｃ３６に記載のコンピュータプログラム製品。
[Ｃ３８] 前記共振器が横振動微小電気機械システム複合共振器である、Ｃ３７に記載のコンピュータプログラム製品。

Claims (15)

  1. 横振動微小電気機械システム複合共振器である共振器を生成するための方法であって、
    広帯域アプリケーションにおける使用のために前記共振器のための所望の品質係数を決定することと、前記共振器が複数の電極を備える、
    前記共振器のための所望の電気機械結合を決定することと、
    前記共振器における使用のために第１圧電材料および第２圧電材料を選択することと、
    前記所望の品質係数および前記所望の電気機械結合を持つ複合圧電材料を得るために、前記第１圧電材料および前記第２圧電材料間の体積比を調整することと、前記複合圧電材料が前記複合圧電材料の下面に結合された少なくとも１つの電極と、前記複合圧電材料の上面に結合された少なくとも１つの電極とを備える、
    前記複合圧電材料を使用して前記共振器を生成することと
    を備え、
    前記第１圧電材料と前記第２圧電材料とが接地層を介して結合される、方法。
  2. 前記第１圧電材料が第１の品質係数および第１の電気機械結合を備え、前記第２圧電材料が第２の品質係数および第２の電気機械結合を備える、請求項１に記載の方法。
  3. 前記複合圧電材料が複合品質係数および複合電気機械結合を備え、前記複合品質係数および前記複合電気機械結合が、前記複合圧電材料における、前記第１圧電材料および前記第２圧電材料間の体積比に依存する、請求項２に記載の方法。
  4. 前記複合圧電材料が、
    前記第１圧電材料の第１層と、
    前記第２圧電材料の第１層と
    を備える、請求項１に記載の方法。
  5. 前記第１圧電材料の前記第１層が前記第２圧電材料の前記第１層の上面に積層される、請求項４に記載の方法。
  6. 前記複合圧電材料がさらに前記第１圧電材料の第２層を備え、前記第２圧電材料の前記第１層が前記第１圧電材料の前記第２層の上面に積層される、請求項５に記載の方法。
  7. 前記複合圧電材料がさらに前記第２圧電材料の第２層を備え、前記第１圧電材料の前記第２層が前記第２圧電材料の前記第２層の上面に積層される、請求項６に記載の方法。
  8. 前記第１圧電材料の前記第１層が前記第２圧電材料の前記第１層と横並びで積層され、第１の電極が、前記第１圧電材料の前記第１層および前記第２圧電材料の前記第１層の両方の上面に結合され、第２の電極が、前記第１圧電材料の前記第１層および前記第２圧電材料の前記第１層の両方の下面に結合される、請求項５に記載の方法。
  9. 前記複合圧電材料がさらに前記第１圧電材料の第２層を備え、前記第２圧電材料の前記第１層が前記第１圧電材料の前記第１層と前記第１圧電材料の前記第２層との間に挟持される、請求項８に記載の方法。
  10. 前記複合圧電材料がさらに前記第２圧電材料の第２層を備え、前記第１圧電材料の前記第２層が前記第２圧電材料の前記第１層と前記第２圧電材料の前記第２層との間に挟持される、請求項９に記載の方法。
  11. 前記複合圧電材料が１つまたは複数の入力電極からの入力信号を機械振動に変換し、前記機械振動が１つまたは複数の出力電極から出力信号へ変換される、請求項１に記載の方法。
  12. 前記第１圧電材料が窒化アルミニウムであり、前記第２圧電材料が酸化亜鉛である、請求項１に記載の方法。
  13. 前記第１圧電材料が窒化アルミニウムであり、前記第２圧電材料がチタン酸ジルコン酸鉛である、請求項１に記載の方法。
  14. 横振動微小電気機械システム複合共振器である共振器を生成するために構成された装置であって、
    広帯域アプリケーションにおける使用のために前記共振器のための所望の品質係数を決定するための手段と、前記共振器が複数の電極を備える、
    前記共振器のための所望の電気機械結合を決定するための手段と、
    前記共振器における使用のために第１圧電材料および第２圧電材料を選択するための手段と、
    前記所望の品質係数および前記所望の電気機械結合を持つ複合圧電材料を得るために、前記第１圧電材料および前記第２圧電材料間の体積比を調整するための手段と、前記複合圧電材料が前記複合圧電材料の下面に結合された少なくとも１つの電極と、前記複合圧電材料の上面に結合された少なくとも１つの電極とを備える、
    前記複合圧電材料を使用して前記共振器を生成するための手段と
    を備え、
    前記第１圧電材料と前記第２圧電材料とが接地層を介して結合される、装置。
  15. 横振動微小電気機械システム複合共振器である共振器を生成するためにコンピュータによって実行可能な命令群を有するコンピュータプログラムであって、前記命令群が、
    広帯域アプリケーションにおける使用のために前記共振器のための所望の品質係数を決定するためのコードと、前記共振器が複数の電極を備える、
    前記共振器のための所望の電気機械結合を決定するためのコードと、
    前記共振器における使用のために第１圧電材料および第２圧電材料を選択するためのコードと、
    前記所望の品質係数および前記所望の電気機械結合を持つ複合圧電材料を得るために、前記第１圧電材料および前記第２圧電材料間の体積比を調整するためのコードと、前記複合圧電材料が前記複合圧電材料の下面に結合された少なくとも１つの電極と、前記複合圧電材料の上面に結合された少なくとも１つの電極とを備える、
    前記複合圧電材料を使用して前記共振器を生成するためのコードと
    を備え、
    前記第１圧電材料と前記第２圧電材料とが接地層を介して結合される、コンピュータプログラム。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9331666B2 (en) * 2012-10-22 2016-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Composite dilation mode resonators
US20160352307A1 (en) * 2015-05-27 2016-12-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Mems resonator with high quality factor
US10432162B2 (en) 2016-03-31 2019-10-01 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Acoustic resonator including monolithic piezoelectric layer having opposite polarities
CN111490740B (zh) * 2019-01-29 2023-01-10 中国科学院半导体研究所 阵列化的分布式兰姆模态射频微机电谐振器
EP4005090A4 (en) * 2019-07-31 2023-08-30 Qxonix Inc. MASS LOADED BULK ACOUSTIC WAVE (BAW) RESONATOR STRUCTURES, DEVICES AND SYSTEMS
CN117352983A (zh) * 2022-06-28 2024-01-05 欣兴电子股份有限公司 多层共振器线路结构及多层滤波器线路结构

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB865093A (en) * 1956-04-23 1961-04-12 Toyo Tsushinki Kabushiki Kaish Electro-mechanical filters
US4703287A (en) * 1985-08-22 1987-10-27 United Technologies Corporation Phase modulator for fiber-optic sensors
JPH02222584A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Yokogawa Electric Corp バイモルフアクチュエータ
JPH07254836A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電振動子
US5910756A (en) * 1997-05-21 1999-06-08 Nokia Mobile Phones Limited Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators
JPH118111A (ja) 1997-06-17 1999-01-12 Tdk Corp バルントランス用コア材料、バルントランス用コアおよびバルントランス
JP3531522B2 (ja) 1999-04-19 2004-05-31 株式会社村田製作所 圧電共振子
JP3514224B2 (ja) 1999-11-11 2004-03-31 株式会社村田製作所 圧電共振子、フィルタ及び電子機器
US6452310B1 (en) 2000-01-18 2002-09-17 Texas Instruments Incorporated Thin film resonator and method
JP3741027B2 (ja) * 2001-01-10 2006-02-01 株式会社村田製作所 振動子およびそれを用いた振動ジャイロおよびそれを用いた電子装置
JP2003051732A (ja) 2001-08-08 2003-02-21 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器
DE10149542A1 (de) 2001-10-08 2003-04-17 Infineon Technologies Ag BAW-Resonator
US6987348B2 (en) * 2002-12-13 2006-01-17 Palo Alto Research Center Inc. Piezoelectric transducers
DE102004049498A1 (de) 2004-10-11 2006-04-13 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4691395B2 (ja) 2005-05-30 2011-06-01 株式会社日立メディアエレクトロニクス バルク弾性波共振器、バルク弾性波共振器を用いたフィルタ、それを用いた高周波モジュール、並びにバルク弾性波共振器を用いた発振器
JP4910390B2 (ja) 2005-12-26 2012-04-04 株式会社村田製作所 圧電セラミックおよびその製造方法ならびに圧電共振子およびその製造方法
JP2007312164A (ja) 2006-05-19 2007-11-29 Hitachi Ltd 圧電薄膜共振器並びにそれを用いた高周波フィルタ及び高周波モジュール
JP4691163B2 (ja) 2006-08-03 2011-06-01 パナソニック株式会社 周波数可変音響薄膜共振器、フィルタ、及びそれを用いた通信装置
US7687971B2 (en) 2006-08-15 2010-03-30 Northrop Grumman Corporation Electric field control of surface acoustic wave velocity
US7999442B2 (en) * 2006-12-22 2011-08-16 Seiko Instruments Inc. Piezoelectric actuator and electronics device using the same
JP2008172711A (ja) 2007-01-15 2008-07-24 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 薄膜バルク弾性波共振器およびフィルタおよびそれを用いた高周波モジュール
JP2008211392A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Matsushita Electric Works Ltd 共振器及びその製造方法
JP2008210895A (ja) 2007-02-23 2008-09-11 Matsushita Electric Works Ltd 圧電体薄膜の製造方法、共振装置およびそれを用いたｕｗｂ用フィルタ
US7834526B2 (en) 2007-04-10 2010-11-16 Seiko Epson Corporation Contour resonator
EP2387152A1 (en) * 2009-01-09 2011-11-16 Taiyo Yuden Co., Ltd. Filter element, branching filter, and electronic apparatus
US8513863B2 (en) * 2009-06-11 2013-08-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric resonator with two layers
US20110304412A1 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Hao Zhang Acoustic Wave Resonators and Methods of Manufacturing Same

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