JP6175596B2 - 水素生成触媒の製造方法 - Google Patents
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- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims description 59
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims description 59
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 58
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims description 56
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 19
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 18
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 6
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 6
- 239000002116 nanohorn Substances 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003184 C60 fullerene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 gainas Chemical compound 0.000 claims description 4
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 3
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FBGGJHZVZAAUKJ-UHFFFAOYSA-N bismuth selenide Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[Bi+3].[Bi+3] FBGGJHZVZAAUKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N boranylidynephosphane Chemical compound P#B FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims 1
- 235000001508 sulfur Nutrition 0.000 description 25
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 10
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 6
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002057 nanoflower Substances 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N Ferrous sulfide Chemical compound [Fe]=S MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 2
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000013535 sea water Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- CFJRPNFOLVDFMJ-UHFFFAOYSA-N titanium disulfide Chemical compound S=[Ti]=S CFJRPNFOLVDFMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
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Description
本発明は、水素生成触媒に関する。詳しくは、水を分解して水素を得る水素生成触媒に関する。
水素と空気中の酸素を使用する燃料電池は、８０％以上の非常に高いエネルギー変換効率で発電を行うことが可能である。このため、燃料電池を使用した電気自動車、エネファームなどの機器の普及に伴い、その燃料となる水素の製造技術は現代社会においては必要不可欠な技術の一つとなってきている。
しかし、水素をどのようにして製造して燃料電池に供給するかが、より重要な要素となっている。二酸化炭素の増加が地球温暖化の原因と言われる中で、二酸化炭素を排出しない燃料電池を使用したからといって、その燃料となる水素を化石燃料からの改質によって得るのであれば二酸化炭素の発生は続くため地球温暖化を阻止する解決策にはならない。
そこで、水から触媒を使用して簡単に水素と酸素を得ることが出来るならば、究極のクリーンエネルギー源となる。しかし、従来から様々な方法及び装置によって水からの水素を得る実験が試みられてきたが、まだ効率の良い方法は発見されていないのが現状である。
従来の最も簡単な水素生成方法としては、水の電気分解によって水素と酸素を得る方法が一般に知られており中学校の理科でも実験されている。
また、１９６７年に日本の藤嶋昭博士により、白金と半導体である二酸化チタンの電極に太陽光を当てて水から水素と酸素を得た実験がある。この実験の発表当時はエネルギー問題を解決するかもしれない発見としてセンセーショナルに報じられたが、太陽光の中でも紫外線は吸収するが、それ以外の光は吸収しないものであったため、それから約４０年という歳月を経てもその効率は実用からは遠いままである。
現在では化石燃料から改質して水素を得る方法が確立し、都市ガスから水素を取り出して燃料電池を働かせるエネファームに使用されている。
更には、二硫化モリブデンを使用した水の分解が出来ないものか世界中で研究が推進されている。モリブデナイト（二硫化モリブデン、MoS2）は、モリブデン硫化物の結晶であり、金属モリブデンを精製するときの主要鉱物である。MoS2は地球上に豊富に存在する鉱物であり、従来、合金鋼や潤滑油の添加剤として使われてきたが、石油や天然ガスから硫黄を取り除くための標準的な触媒としても使われている。これにより、燃料を燃焼させたときに排出される二酸化炭素を減らすことが出来る。
また、二硫化モリブデンは、二次元方向に広がる層状の結晶構造を備えているため、結晶構造が3次元のシリコンよりも、膜状に加工しやすい。比較的厚い2nmのシリコン層と同程度の電子移動度を、MoS2では6.5オングストローム（0.65nm）の厚みで実現でき、比較的簡単に製造できる。
更に、MoS2は1.8eV（電子ボルト）のバンドギャップを有している。このため、モリブデナイトを半導体材料として利用でき、優秀な太陽電池も実現出来ると見られている。
しかしながら、モリブデナイトのバルク結晶は触媒の観点からは比較的不活性であり、ほとんどすべての触媒作用が活性部位である結晶端部で起こるため、この部位を模した分子を利用して、より効果的で低コストな新規触媒材料の開発を行う研究が進められている。
米ローレンスバークレー国立研究所が、モリブデナイトの触媒活性部位を模した新規分子の合成に成功したとの報道があったが、これは、モリブデナイトの結晶端部にある二硫化モリブデンの三角形の分子構造を再現した分子である。
同研究所は、ペンタピリジル基を持つ配位子PY5Me2を使って二硫化モリブデン分子を新たに合成した。これは自然にはないが、安定しており、モリブデナイト結晶端部の三角形の部位と構造的に同一である。これによって、モリブデナイトの結晶端部と類似した層を形成可能なことも示されている。そして、2010年に、配位子PY5Me2を使ってモリブデンオキソ複合体を合成したが、この複合体は、その触媒作用によって、緩衝水や海水などから水素を効果的に効率よく生成できるものとして研究を進めている。
本発明は、水を分解して水素を生成する水素生成触媒を得ることを目的とする。
バークレーラボニュース 米ローレンス・バークレー国立研究所米バークレーラボニュース
解決しようとする点は、水から水素と酸素に分解させる水素生成触媒を得ることを目的とする。
課題を解決するために、請求項１の発明は、水を分解して水素を得る二硫化モリブデンを用いた水素生成触媒の製造方法であって、モリブデン、酸化モリブデン、鉄、銅、アルミニウム、シリコン、ストロンチウム、チタン、フラーレン、C60、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、グラフェン、グラファイトカーボン、ワープド・ナノグラフェン、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、シリコン、二酸化シリコン、ゲルマニウム、セレン、ゲイナス、酸化銅、セレン化亜鉛、セレン化ビスマス、炭化ケイ素、チタン酸ストロンチウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、ヒ化アルミニウム、硫化亜鉛、リン化インジウム、リン化ホウ素からなる群の中から選択される少なくとも一からなる基材に、該二硫化モリブデン微粒子が、該二硫化モリブデンを構成する硫黄を外側に向けて固定手段により設けられるとともにプラズマで表面処理されることを特徴とする水素生成触媒の製造方法である。
請求項２の発明は、請求項１に記載の水素生成触媒の製造方法であって、該基材がモリブデン及び／又は酸化モリブデン、並びに鉄からなる基材であり、固定手段が、該基材の該モリブデンを酸化させて生成した酸化モリブデンを又は酸化モリブデンを、硫黄雰囲気の中で硫黄に晒して該酸化モリブデン表面の一部から二硫化モリブデンを生成し固定することを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項１に記載の水素生成触媒の製造方法において、固定手段が、レーザーアブレーション、スパッター、真空蒸着、成膜、薄膜化、酸化焼成、電子ビームからなる群の中から選択される少なくとも一の手段により、該二硫化モリブデンを該基材に固定することを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の水素生成触媒の製造方法であって、該基材が電極であることを特徴とする。
本発明は、次の点で大きな利点がある。
1 摩擦を軽減させることが主な使用目的であった二硫化モリブデンは、化学的に不活性であったが、本発明により活性化させることが出来た。
２ これにより、各種電極などに本発明の二硫化モリブデンを使用することにより、性能を向上させることが可能となった。
３ 二硫化モリブデンを活性化した本発明により、水素生成触媒として太陽光を吸収する光触媒との相乗効果ともあいまって水を容易に分解させることが可能となった。
４ 二硫化モリブデンをナノ粒子として基材に固着あるいは担持させる工程は、比較的簡単に従来の生産ラインに組み込むことが出来るので広く産業上の利用が出来る。
５ 簡単に従来の電極に対してもその表面に本発明の活性化した二硫化モリブデンのナノ構造の微粒子を生成あるいは担持させて固着出来るので産業上の応用範囲は広い。
６ このため、大量生産をする場合であっても高い設備費を必要とせず、従来の生産設備を大きく変えることなく、大量生産が可能である。
７ 本発明によれば、使用する二硫化モリブデンは少量で目的を達成出来るので、原料を無駄にすることなく大量のデバイスを作ることが出来る。
８ 本発明に使用する二硫化モリブデンは、王水と反応させない限り硫化水素の発生はなく、安全に使用出来る。
９ 上述のとおり本発明は優れた産業上の利点が多いことから、多くの開発費等を必要とせずに商品開発が可能であるので、本発明を使用した商品であっても商品の価格高騰にはならないという利点がある。
1 摩擦を軽減させることが主な使用目的であった二硫化モリブデンは、化学的に不活性であったが、本発明により活性化させることが出来た。
２ これにより、各種電極などに本発明の二硫化モリブデンを使用することにより、性能を向上させることが可能となった。
３ 二硫化モリブデンを活性化した本発明により、水素生成触媒として太陽光を吸収する光触媒との相乗効果ともあいまって水を容易に分解させることが可能となった。
４ 二硫化モリブデンをナノ粒子として基材に固着あるいは担持させる工程は、比較的簡単に従来の生産ラインに組み込むことが出来るので広く産業上の利用が出来る。
５ 簡単に従来の電極に対してもその表面に本発明の活性化した二硫化モリブデンのナノ構造の微粒子を生成あるいは担持させて固着出来るので産業上の応用範囲は広い。
６ このため、大量生産をする場合であっても高い設備費を必要とせず、従来の生産設備を大きく変えることなく、大量生産が可能である。
７ 本発明によれば、使用する二硫化モリブデンは少量で目的を達成出来るので、原料を無駄にすることなく大量のデバイスを作ることが出来る。
８ 本発明に使用する二硫化モリブデンは、王水と反応させない限り硫化水素の発生はなく、安全に使用出来る。
９ 上述のとおり本発明は優れた産業上の利点が多いことから、多くの開発費等を必要とせずに商品開発が可能であるので、本発明を使用した商品であっても商品の価格高騰にはならないという利点がある。
本発明は、水を分解して水素を生成する水素生成触媒を得るという目的を最小の部品点数により実現した。
本発明の実施例を図１〜図６により説明する。図１は、本発明の一実施例で、プラズマで表面修飾をした二硫化モリブデンのナノフラワーを基材上に生成した説明図である。図１中、１はモリブデン、２は酸化モリブデン、３は硫黄、４はるつぼ、５はるつぼ蓋、６は電気炉、７は二硫化モリブデン、８は基材、９はプラズマ発生装置、１０は空気、１１は硫黄雰囲気である。モリブデン１を基材８とし、空気１０中で該モリブデン１を電気炉６により８５０〜1０００℃に熱して酸化させ（１ａ図）酸化モリブデン２とし、その後に、該酸化モリブデン２を硫黄３の入ったるつぼ４に入れてるつぼ蓋５をして電気炉６に入れて硫黄３の沸点444.674℃よりも高い温度で硫黄３を蒸発させて硫黄雰囲気１１に３０分程度晒すことにより、該酸化モリブデン２は硫黄３により還元されて二硫化モリブデン７がナノフラワーとなり、基材８であるモリブデン１表面を覆う（１ｂ図）。該ナノフラワーは、数ｎｍの厚さで数百ｎｍ幅の花弁状のものが花が開いたように多数枚重なったものであり、基材８であるモリブデン１上に花畑のように生成する。この時、酸化モリブデン２の表面全てに厚く硫黄３蒸気を長時間当てさせるのではなく、硫黄３蒸気を当てる時間調節と温度管理により、二硫化モリブデンが疎らな表面状態にするか緻密なものにするか、また、求める大きさにするかを調節して二硫化モリブデン７ナノフラワーを得る。また、該花弁状のものは二次元の二硫化モリブデン７が重なったものであるため、その端部が二硫化モリブデン７を構成する一個のモリブデン１と２個の硫黄３が作る三角形の二硫化モリブデン７の硫黄３が外側に向いている部分で触媒作用を持つことになる。しかし、隣あった二硫化モリブデン７は結晶化することにより、その触媒作用が著しく低下している。このため、プラズマ発生装置９などで触媒作用を持つ端部の結晶化をプラズマ表面修飾をすることで（１ｃ図）、より活性化させて水を水素と酸素に分解する能力が飛躍的に高まる。また、プラズマ表面修飾に代えて、レーザーアブレーション、スパッター、電子ビームからなる群の中から選択される一種以上の方法により、二硫化モリブデン７の表面修飾することも可能である。
図２は、本発明の一実施例の説明図でモリブデンと鉄の合金を使用した例を示す。図２において、１〜１１は図１と同様である。基材８としてモリブデン1と鉄１２の合金１３を空気中で電気炉６により溶融温度に熱して該合金１３表面を酸化させると該合金１３表面には酸化モリブデン２と酸化鉄１４が混在する形となる。(2a図)その後、該合金１３を硫黄３とともにるつぼ４に入れてるつぼ蓋５で蓋をし、電気炉６に入れて硫黄３の沸点444.674℃よりも高い温度で硫黄３を蒸発させてるつぼ４内を硫黄雰囲気１１で３０分程度晒すことにより、該酸化モリブデン２は硫黄３により還元されて二硫化モリブデン７がナノフラワーとなり、基材８に点在する形で生成する(2a図)。一方、基材８の該酸化鉄１４は還元されて硫化鉄１５が生じる(2b図)。従って、化学的に不活性であった二硫化モリブデン７は、それを構成する化学活性のある硫黄３を外側に向けた状態で生成されることで活性化されるので触媒として様々な用途に使用することが可能となる。さらに、本実施例においても、実施例１と同様に、プラズマ発生装置９で触媒作用を持つ端部の結晶化をプラズマ表面修飾をして、より活性化させて水を水素と酸素に分解する能力が飛躍的に高まる(2c図)。また、プラズマ表面修飾に代えて、レーザーアブレーション、スパッター、電子ビームからなる群の中から選択される一種以上の方法により、二硫化モリブデン７の表面修飾することも可能である。なお、本実施例では、二硫化モリブデン７として鉄１２の合金１３を使用した例を示したが、他の金属でも良い。また、その他の金属とした場合もその金属のナノフラワーが条件によっては生成することになる。
図３は、本発明の一実施例である。図３は、カーボンナノチューブに二硫化モリブデンを担持させた例を示す説明図である。図３において、７〜９は図２に同じである。１６は容器、１７はカーボンナノチューブ、１８は超音波発生装置、１９はアルコールである。基材８としてナノカーボンの一種であるカーボンナノチューブ１７を二硫化モリブデン７とアルコール１９とともに容器１６に入れて超音波発生装置１８で超音波を発生させ、該アルコール１９にカーボンナノチューブ１７と二硫化モリブデン７をアルコール１９に分散させるとともに該カーボンナノチューブ１７に二硫化モリブデン７を担持させる(3a図)。
この後、アルコール１９を取り除き、乾燥させると微粉末状の水素生成触媒が得られる(3b図)。また、本実施例では、アルコール１９を分散のための溶剤として使用し、超音波発生装置１８でさらに分散度を高めている。また、二硫化モリブデン７の活性をさらに高めるために該二硫化モリブデン７表面をプラズマ発生装置９でプラズマ処理をしても良い(3c図)。これにより、二硫化モリブデン７とカーボンナノチューブ１７の超微粒子からなる水素生成触媒が出来る。また、カーボンナノチューブ１７に代えて同じナノカーボンであるフラーレン、C60、カーボンナノホーン、グラフェン、グラファイトカーボン、ワープド・ナノグラフェンのいずれか少なくとも一を用いても良いし、カーボンナノチューブ１７またはカーボンナノホーン、C60の中に二硫化モリブデン７を入れ子のように入れる形態をとることも出来る。更に、ナノカーボンは一種類だけでなく混在も可能である。しかし、触媒としての働きからすると、二硫化モリブデン７の硫黄３端部がナノカーボンの外側に位置している方が効率的ではある。また、固着方法としては、プラズマ処理以外にレーザーアブレーション、スパッター、真空蒸着、成膜、押圧、薄膜化、酸化焼成、プラズマ処理、電子ビームからなる群の中の少なくとも一以上の方法によって行っても良い。たとえば、グラフェン表面に二硫化モリブデン７をスパッター装置２４により固着させた後にプラズマ発生装置９で活性化させて得てもよい。
この後、アルコール１９を取り除き、乾燥させると微粉末状の水素生成触媒が得られる(3b図)。また、本実施例では、アルコール１９を分散のための溶剤として使用し、超音波発生装置１８でさらに分散度を高めている。また、二硫化モリブデン７の活性をさらに高めるために該二硫化モリブデン７表面をプラズマ発生装置９でプラズマ処理をしても良い(3c図)。これにより、二硫化モリブデン７とカーボンナノチューブ１７の超微粒子からなる水素生成触媒が出来る。また、カーボンナノチューブ１７に代えて同じナノカーボンであるフラーレン、C60、カーボンナノホーン、グラフェン、グラファイトカーボン、ワープド・ナノグラフェンのいずれか少なくとも一を用いても良いし、カーボンナノチューブ１７またはカーボンナノホーン、C60の中に二硫化モリブデン７を入れ子のように入れる形態をとることも出来る。更に、ナノカーボンは一種類だけでなく混在も可能である。しかし、触媒としての働きからすると、二硫化モリブデン７の硫黄３端部がナノカーボンの外側に位置している方が効率的ではある。また、固着方法としては、プラズマ処理以外にレーザーアブレーション、スパッター、真空蒸着、成膜、押圧、薄膜化、酸化焼成、プラズマ処理、電子ビームからなる群の中の少なくとも一以上の方法によって行っても良い。たとえば、グラフェン表面に二硫化モリブデン７をスパッター装置２４により固着させた後にプラズマ発生装置９で活性化させて得てもよい。
図４は、本発明の一実施例である。基材８として半導体の二酸化チタンを用いた水素生成触媒の説明図である。図４中、４、６、７、１０は図１と同様である。２０は二酸化チタン、２１はモーター、２２は攪拌機である。基材８として半導体である二酸化チタン２０と二硫化モリブデン７とをるつぼ４に入れて攪拌機２２でモーター２１により混合攪拌をしてから(4c図)、電気炉６で５００〜１２００℃の範囲内で温度を上昇させて焼成して水素生成触媒を得る(4a図)。その後に該水素生成触媒の表面をプラズマ処理装置９でプラズマ処理をすることにより、更に活性化させることが出来る。生成した該水素生成触媒は、太陽光を本実施例に照射すると二酸化チタン２０は半導体として活性化し、水素生成触媒としての効率が上がる。なお、水素生成触媒において、半導体と光触媒のそれぞれの原料物質が、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、シリコン、二酸化シリコン、ゲルマニウム、セレン、ゲイナス、酸化銅、セレン化亜鉛、セレン化ビスマス、炭化ケイ素、チタン酸ストロンチウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、ヒ化アルミニウム、硫化亜鉛、リン化インジウム、リン化ホウ素からなる群の中から選択される一種以上が使用出来る。なお、本実施例においては、半導体は二酸化チタン２０の例を示したが、二酸化チタン２０に換えて他の半導体でも効率上の違いはあるが効果がある。なお、二酸化チタンの結晶構造にはアナターゼ型、ルチル型、ブルッカイト型があり、アナターゼ型の酸化チタン(IV)を900℃以上に加熱すると、ルチル型に転移する。また、ブルッカイト型を650℃以上に加熱してもルチル型に転移する。ルチル型は最安定構造であるため、一度ルチルに転移すると低温に戻してもルチル型を維持する。二酸化チタンを光触媒としても使用する場合、アナターゼ型とルチル型が用いられるが、アナターゼ型の方がバンドギャップが大きく一般的に光触媒としての活性が高い。このため、前記焼成温度はこれらの温度が目安となる。また、チタンを使用した他の実施例として、チタンとモリブデンの合金を出発原料として酸化焼成をし、該合金の表面は酸化モリブデンと二酸化チタンが混在する形となり、さらに硫黄雰囲気の中で硫黄蒸気に晒すと部分硫化処理がされて二硫化チタンと二酸化チタンとでTi-O-S可視光動作型光触媒として得るほか、本発明による水素生成触媒である二硫化モリブデンが混在したものが出来る。これにより太陽光を照射することにより水を分解する性能の高い水素生成触媒を得ることも出来る。この場合、酸化モリブデンと二酸化チタンの混合物を出発原料として硫黄雰囲気の中で硫黄蒸気に晒すことにより部分硫化処理がなされて同物質を得ることが出来る。
図５は、本発明の一実施例であり、基材８として半導体の二酸化チタン２０を用いた水素生成触媒の説明図である。図５中、７〜９は図１と、また２０は図４と同様である。２３は電極、２４はスパッター装置、２５は真空、２６はイオン源、２７はターゲット、２８は真空ポンプ、２９は廃棄ガスである。二酸化チタン２０の電極２３を基材８として、スパッター装置２４内で該電極２３の表面に二硫化モリブデン７をターゲット２７として、該ターゲット２７にイオン源２６からイオンをぶつけると電極２３表面には二硫化モリブデン７の薄膜が出来る(5a図)。その後に該電極２３の表面をプラズマ発生装置９でプラズマ処理を行い更に活性化させて水素生成触媒としての能力が高い電極２３が得られる(5b)図。なお、本実施例では半導体は二酸化チタン２０を使用した例を示しているが、他の半導体でも同様に実施可能である。また、該スパッター装置２４に代えて、レーザーアブレーション、真空蒸着、成膜、押圧、薄膜化、酸化焼成、プラズマ処理、電子ビームからなる群の中の少なくとも一以上の方法によっても水素生成触媒としての能力のある電極２３を得られる。なお、本実施例は従来の電極２３の多くに対して実施することが可能であるので、従来の電気化学用の電極に使用したり、光化学電極や水の電気分解等の電極に使用すると効率が高くなる。
図６は、本発明の一実施例である。図６において、７〜９、１７〜１９、２１、２２は図３と同様である。カーボンナノチューブと二硫化モリブデンの微粉末をアルコールとともに容器に入れて超音波発生装置で超音波を発生させると、カーボンナノチューブに担持した二硫化モリブデンがアルコール中に均一に分散させることが出来、該容器内にポーラス状基材または電極を入れてから引き上げ、アルコールを蒸発させると水素生成触媒を表面に固定したポーラス状基材、ポーラス状電極が得られ(6a図)。また、前述の各実施例と同様に、二硫化モリブデン７の活性をさらに高めるために該二硫化モリブデン７表面をプラズマ発生装置９でプラズマ処理をしても良い(6b図)。これにより、二硫化モリブデン７とカーボンナノチューブ１７の超微粒子からなる水素生成触媒が出来る。また、カーボンナノチューブ１７に代えて同じナノカーボンであるカーボンナノホーン、フラーレン、C60、グラフェンのいずれか少なくとも一を用いても良いし、カーボンナノチューブ１７またはカーボンナノホーン、C60の中に二硫化モリブデン７を入れ子のように入れる形態をとることも出来る。更に、ナノカーボンは一種類だけでなく混在も可能である。
本発明は、新エネルギーとしての水素を水を分解して得るための水素生成触媒であり、大量生産されるべき発明である。また、本発明は他に燃料電池の燃料生成、アンモニア原料の生成などにも利用可能であるなど産業上の利用範囲は広い。
１ モリブデン
２ 酸化モリブデン
３ 硫黄
４ るつぼ
５ るつぼ蓋
６ 電気炉
７ 二硫化モリブデン
８ 基材
９ プラズマ発生装置
１０ 空気
１１ 硫黄雰囲気
１２ 鉄
１３ 合金
１４ 酸化鉄
１５ 硫化鉄
１６ 容器
１７ カーボンナノチューブ
１８ 超音波発生装置
１９ アルコール
２０ 二酸化チタン
２１ モーター
２２ 攪拌機
２３ 電極
２４ スパッター装置
２５ 真空
２６ イオン源
２７ ターゲット
２８ 真空ポンプ
２９ 廃棄ガス
２ 酸化モリブデン
３ 硫黄
４ るつぼ
５ るつぼ蓋
６ 電気炉
７ 二硫化モリブデン
８ 基材
９ プラズマ発生装置
１０ 空気
１１ 硫黄雰囲気
１２ 鉄
１３ 合金
１４ 酸化鉄
１５ 硫化鉄
１６ 容器
１７ カーボンナノチューブ
１８ 超音波発生装置
１９ アルコール
２０ 二酸化チタン
２１ モーター
２２ 攪拌機
２３ 電極
２４ スパッター装置
２５ 真空
２６ イオン源
２７ ターゲット
２８ 真空ポンプ
２９ 廃棄ガス
Claims (4)
- 水を分解して水素を得る二硫化モリブデンを用いた水素生成触媒の製造方法であって、モリブデン、酸化モリブデン、鉄、銅、アルミニウム、シリコン、ストロンチウム、チタン、フラーレン、C60、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、グラフェン、グラファイトカーボン、ワープド・ナノグラフェン、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、シリコン、二酸化シリコン、ゲルマニウム、セレン、ゲイナス、酸化銅、セレン化亜鉛、セレン化ビスマス、炭化ケイ素、チタン酸ストロンチウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、ヒ化アルミニウム、硫化亜鉛、リン化インジウム、リン化ホウ素からなる群の中から選択される少なくとも一からなる基材に、該二硫化モリブデン微粒子が、該二硫化モリブデンを構成する硫黄を外側に向けて固定手段により設けられるとともにプラズマで表面処理されることを特徴とする水素生成触媒の製造方法。
- 請求項１に記載の水素生成触媒の製造方法であって、該基材がモリブデン及び／又は酸化モリブデン、並びに鉄からなる基材であり、固定手段が、該基材の該モリブデンを酸化させて生成した酸化モリブデンを又は酸化モリブデンを、硫黄雰囲気の中で硫黄に晒して該酸化モリブデン表面の一部から二硫化モリブデンを生成し固定することを特徴とする水素生成触媒の製造方法。
- 請求項１に記載の水素生成触媒の製造方法において、固定手段が、レーザーアブレーション、スパッター、真空蒸着、成膜、薄膜化、酸化焼成、電子ビームからなる群の中から選択される少なくとも一の手段により、該二硫化モリブデンを該基材に固定することを特徴とする水素生成触媒の製造方法。
- 請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の水素生成触媒の製造方法であって、該基材が電極であることを特徴とする水素生成触媒の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS58135103A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-11 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 水の分解法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015142882A (ja) | 2015-08-06 |
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